JP2000055761A - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

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JP2000055761A
JP2000055761A JP10222556A JP22255698A JP2000055761A JP 2000055761 A JP2000055761 A JP 2000055761A JP 10222556 A JP10222556 A JP 10222556A JP 22255698 A JP22255698 A JP 22255698A JP 2000055761 A JP2000055761 A JP 2000055761A
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pressure
pressure chamber
diaphragm
measured
chamber
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Hideo Suzuki
秀夫 鈴木
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Tokin Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a capacitance type sensor with small output fluctuation even when an ambient temperature is changed by providing a reference-pressure chamber for applying a reference pressure to a sensor chip, and a second diaphragm for transferring an outside air pressure to the reference-pressure chamber. SOLUTION: When pressure is applied to a pressure introduction hole 44, a diaphragm 91 is deformed, and a diaphragm 11 is deformed according to the difference between the pressure of a pressure chamber 93 to be measured and that of a reference- pressure chamber 94. Due to the deformation of the diaphragm 11, the gap between a movable electrode 13 and a fixed electrode 21 is changed. According to change in the gap between the electrodes, capacitance is changed. Furthermore, fixed correlation exists between pressure and the gap between the electrodes, thus determining the pressure by detecting the capacitance. Also, although the internal pressure of the pressure chamber 93 to be measured is changed when the ambient temperature is changed, the internal pressure of the reference-pressure chamber 94 is similarly changed, thus performing treatment so that the pressure change of the pressure chamber 93 to be measured and the pressure change of the reference-pressure chamber 94 cancel differentially.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、圧力センサに関
し、特に、対向した電極面の静電容量を検出する静電容
量型圧力センサに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pressure sensor, and more particularly, to a capacitance type pressure sensor for detecting a capacitance of an opposed electrode surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の静電容量型圧力センサとして、
一般に図2に示す圧力センサが知られている。その圧力
センサにおいては、シリコン基板10に圧力に応じて変
形するダイヤフラム部11が形成され、このダイヤフラ
ム部11に可動電極13が保持されている。一方、ガラ
ス基板20上には固定電極21が形成されている。シリ
コン基板10とガラス基板20とはその一部のみにおい
て接合されており、これによって、ダイヤクラム部11
の下側にはキャビティー部12が形成される。キャビテ
ィー部12は、下部封止筐体41に形成した基準圧導入
孔14を介して外気圧(大気圧)を導入されている。
2. Description of the Related Art As this kind of capacitance type pressure sensor,
Generally, a pressure sensor shown in FIG. 2 is known. In the pressure sensor, a diaphragm 11 that is deformed in response to pressure is formed on a silicon substrate 10, and a movable electrode 13 is held on the diaphragm 11. On the other hand, a fixed electrode 21 is formed on the glass substrate 20. The silicon substrate 10 and the glass substrate 20 are joined only at a part thereof, so that the diaphragm 11
The cavity part 12 is formed below. An external pressure (atmospheric pressure) is introduced into the cavity 12 through a reference pressure introducing hole 14 formed in the lower sealed housing 41.

【0003】シリコン基板10及びガラス基板20によ
つてセンサチップ30が構成されている。センサチップ
30はガラス基板20によって下部封止筐体41上に接
着されている。
[0003] The silicon substrate 10 and the glass substrate 20 constitute a sensor chip 30. The sensor chip 30 is adhered on the lower sealing housing 41 by the glass substrate 20.

【0004】また、下部封止筐体41には、モールド成
型時に一緒に作成されたボンディングパッド51、5
2,53が配置されている。ガラス基板20の上面には
固定電極21を引き出したボンディングパッド23と、
ダイアフラム11に形成した可動電極13を引き出した
ポンディングパッド22とが形成されている。ボンディ
ングパッド22,23は各々は信号処理回路71に形成
されたボンディングパッド24,25にリード線61,
62によって接続される。
Further, bonding pads 51, 5 formed together during molding are formed on the lower sealing housing 41.
2, 53 are arranged. On the upper surface of the glass substrate 20, a bonding pad 23 from which the fixed electrode 21 is drawn,
A bonding pad 22 from which the movable electrode 13 formed on the diaphragm 11 is drawn is formed. The bonding pads 22 and 23 are connected to the bonding pads 24 and 25 formed on the signal processing circuit 71, respectively.
62.

【0005】信号処理回路71には入出力パッド26,
27,28が形成されている。これらのパッド26,2
7,28は、下部封止筐体41に取り付けられたボンデ
ィングパッド51,52,53とリード線83,84,
85とによって接続されている。
The signal processing circuit 71 has input / output pads 26,
27 and 28 are formed. These pads 26, 2
7, 28 are bonding pads 51, 52, 53 attached to the lower sealing housing 41 and lead wires 83, 84,
85.

【0006】さらに、被測定圧を導入する為の圧力導入
孔44を設けた上部封止筐体43が下部封止筐体41に
嵌合されかつ超音波溶着等によってシールされる。こう
して被測定圧室93が形成される。圧力導入孔44と被
測定圧室93との境界には、ダイアフラム91が設けら
れる。
Further, an upper sealing case 43 provided with a pressure introducing hole 44 for introducing a measured pressure is fitted to the lower sealing case 41 and sealed by ultrasonic welding or the like. Thus, the measured pressure chamber 93 is formed. A diaphragm 91 is provided at a boundary between the pressure introducing hole 44 and the measured pressure chamber 93.

【0007】図2の静電容量型圧力センサでは、圧力導
入孔44に圧力が加わるとダイアフラム91が変形し、
被測定圧室93の圧力が大きくなり、ダイアフラム部1
1に圧力が加わり、被測定圧室93の圧力と大気圧との
差に応じてダイアフラム部11が変形する。ダイアフラ
ム部11の変形によって、可動電極13と固定電極21
との間のギャップが変化することになる。ここで、可動
電極13と固定電極21との間には、C=ξ(A/d)
の関係がある。なお、C:静電容量、ξ:空気の誘電
率、A:電極面積、d:電極間ギャッブである。
In the capacitance type pressure sensor shown in FIG. 2, when pressure is applied to the pressure introducing hole 44, the diaphragm 91 is deformed.
The pressure in the measured pressure chamber 93 increases, and the diaphragm 1
1 is applied, and the diaphragm portion 11 is deformed according to the difference between the pressure in the measured pressure chamber 93 and the atmospheric pressure. The deformation of the diaphragm 11 causes the movable electrode 13 and the fixed electrode 21
Will change. Here, C = ξ (A / d) between the movable electrode 13 and the fixed electrode 21.
There is a relationship. C: capacitance, Δ: dielectric constant of air, A: electrode area, d: gap between electrodes.

【0008】従って、電極間ギャップの変化によって静
電容量が変化することになり、さらに、圧力と電極間ギ
ャップとの間には一定の相関関係があるから、静電容量
を検出することによつて圧力を知ることができる。
Therefore, the capacitance changes due to the change in the gap between the electrodes, and furthermore, since there is a certain correlation between the pressure and the gap between the electrodes, the capacitance is detected. The pressure.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の静
電容量形圧力センサは被測定圧室と大気圧との差に応じ
て変化するセンサチップの静電容量を検出するものであ
る。しかしながら、周囲温度が変化した場合には、被測
定圧室の内圧が変化するため、センサ出力が変動すると
いう欠点を有する。
As described above, the conventional capacitance type pressure sensor detects the capacitance of the sensor chip which changes according to the difference between the measured pressure chamber and the atmospheric pressure. However, when the ambient temperature changes, the internal pressure of the pressure chamber to be measured changes, so that the sensor output fluctuates.

【0010】それ故に本発明の課題は、周囲温度が変化
した場合にも、出力変動が小さい静電容量型圧力センサ
を提供することにある。
[0010] Therefore, an object of the present invention is to provide a capacitance type pressure sensor whose output fluctuation is small even when the ambient temperature changes.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、第1の
ダイアフラムを介して被測定圧を伝達される被測定圧室
と、基準圧に基いて前記被測定圧室の圧力を静電容量に
変換するセンサチップとを含む圧力センサにおいて、前
記基準圧を前記センサチップに印加するための基準圧室
と、外気圧を前記基準圧室に伝達する第2のダイアフラ
ムとを備えたことを特徴とする圧力センサが得られる。
According to the present invention, a measured pressure chamber to which a measured pressure is transmitted via a first diaphragm, and a pressure of the measured pressure chamber are measured based on a reference pressure. A pressure sensor including a sensor chip for converting the pressure into a capacity, a reference pressure chamber for applying the reference pressure to the sensor chip, and a second diaphragm for transmitting an outside air pressure to the reference pressure chamber. A characteristic pressure sensor is obtained.

【0012】前記センサチップは、固定電極と、前記固
定電極に対向した可動電極と、前記可動電極を保持し、
前記被測定圧室及び前記基準圧室の差圧に応じて前記可
動電極を前記固定電極に対し変位させる圧力−変位変換
機構とを有することが好ましい。
The sensor chip holds a fixed electrode, a movable electrode facing the fixed electrode, and the movable electrode.
Preferably, a pressure-displacement conversion mechanism for displacing the movable electrode with respect to the fixed electrode in accordance with a pressure difference between the measured pressure chamber and the reference pressure chamber is preferable.

【0013】また本発明によれば、固定電極が形成され
た第1の基板と前記固定電極にギャップをもって対向す
るよう可動電極を保持し圧力に応じて変形するダイアフ
ラム部が形成された第2の基板とを有するセンサチッ
プ、前記センサチップに被測定圧を印加するために圧力
導入孔を設けた被測定圧室、前記ダイアフラム部を境界
面として前記被測定圧室と接し前記センサチップに基準
圧を印加するための基準圧室、前記被測定圧室と外部と
の境界面に備えた第1のダイアフラム、及び基準圧室と
外部との境界面に備えた第2のダイアフラムを含むこと
を特徴とする圧力センサが得られる。
Further, according to the present invention, the second substrate having the movable electrode held therein so as to face the first substrate on which the fixed electrode is formed and the fixed electrode with a gap, and having a diaphragm portion deformed in response to pressure is formed. A sensor chip having a substrate, a measured pressure chamber provided with a pressure introducing hole for applying a measured pressure to the sensor chip, and a reference pressure applied to the sensor chip in contact with the measured pressure chamber with the diaphragm as a boundary surface. Pressure chamber, a first diaphragm provided at an interface between the measured pressure chamber and the outside, and a second diaphragm provided at an interface between the reference pressure chamber and the outside. Is obtained.

【0014】なお前記被測定圧室の容積と前記基準圧室
の容積とを互いにほぼ同等とすることは好ましい。
It is preferable that the volume of the measured pressure chamber and the volume of the reference pressure chamber are substantially equal to each other.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図1を参照して、本発明の実施の
形態に係る静電容量型圧力センサについて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A capacitance type pressure sensor according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0016】図1の圧力センサにおいては、シリコン基
板10に圧力に応じて変形するダイヤフラム部11が形
成され、このダイヤフラム部11に可動電極13が保持
されている。一方、ガラス基板20上には可動電極13
にギャップをもって対向した固定電極21が形成されて
いる。シリコン基板10とガラス基板20とはその一部
のみにおいて接合されており、これによって、ダイヤク
ラム部11の下側にはキャビティー部12が形成され
る。キャビティー部12は、下部封止筐体41に形成し
た基準圧導入孔14を介して、後述する基準圧を導入さ
れる。
In the pressure sensor shown in FIG. 1, a diaphragm 11 which is deformed in response to pressure is formed on a silicon substrate 10, and a movable electrode 13 is held on the diaphragm 11. On the other hand, the movable electrode 13 is provided on the glass substrate 20.
A fixed electrode 21 is formed with a gap therebetween. The silicon substrate 10 and the glass substrate 20 are joined only at a part thereof, whereby a cavity 12 is formed below the diaphragm 11. A reference pressure described later is introduced into the cavity portion 12 through a reference pressure introduction hole 14 formed in the lower sealing housing 41.

【0017】シリコン基板10及びガラス基板20によ
つてセンサチップ30が構成されている。センサチップ
30はガラス基板20によって下部封止筐体41上に接
着されている。
The silicon substrate 10 and the glass substrate 20 constitute a sensor chip 30. The sensor chip 30 is adhered on the lower sealing housing 41 by the glass substrate 20.

【0018】また、下部封止筐体41には、モールド成
型時に一緒に作成されたボンディングパッド51、5
2,53が配置されている。ガラス基板20の上面には
固定電極21を引き出したボンディングパッド23と、
ダイアフラム11に形成した可動電極13を引き出した
ポンディングパッド22とが形成されている。ボンディ
ングパッド22,23は各々は信号処理回路71に形成
されたボンディングパッド24,25にリード線61,
62によって接続される。
The lower sealing housing 41 has bonding pads 51, 5 and 5 formed together during molding.
2, 53 are arranged. On the upper surface of the glass substrate 20, a bonding pad 23 from which the fixed electrode 21 is drawn,
A bonding pad 22 from which the movable electrode 13 formed on the diaphragm 11 is drawn is formed. The bonding pads 22 and 23 are connected to the bonding pads 24 and 25 formed on the signal processing circuit 71, respectively.
62.

【0019】信号処理回路71には入出力パッド26,
27,28が形成されている。これらのパッド26,2
7,28は、下部封止筐体41に取り付けられたボンデ
ィングパッド51,52,53とリード線83,84,
85とによって接続されている。
The signal processing circuit 71 has input / output pads 26,
27 and 28 are formed. These pads 26, 2
7, 28 are bonding pads 51, 52, 53 attached to the lower sealing housing 41 and lead wires 83, 84,
85.

【0020】さらに、被測定圧を導入する為の圧力導入
孔44を設けた上部封止筐体43が下部封止筐体41に
嵌合されかつ超音波溶着等によってシールされる。こう
して被測定圧室93が形成される。圧力導入孔44と被
測定圧室93との境界には、ダイアフラム91が設けら
れる。このダイアフラム91は第1のダイアフラムを構
成する。
Further, an upper sealing case 43 provided with a pressure introducing hole 44 for introducing a measured pressure is fitted into the lower sealing case 41 and sealed by ultrasonic welding or the like. Thus, the measured pressure chamber 93 is formed. A diaphragm 91 is provided at a boundary between the pressure introducing hole 44 and the measured pressure chamber 93. This diaphragm 91 constitutes a first diaphragm.

【0021】また、下部封止筐体41の下部には、付加
筐体42が設けられている。付加筐体42は下部封止筐
体41に嵌合しかつ超音波溶着等によってシールされ
る。こうして下部封止筐体41と付加筐体42とで基準
圧室94を構成する。さらに、外気圧(大気圧)を導入
するために付加筐体42に形成した外圧導入孔15と基
準圧室94との境界にはダイアフラム92が設けられて
いる。こうして基準圧室94により基準圧が生成され
る。なお、このダイアフラム92は第2のダイアフラム
を構成する。
An additional housing 42 is provided below the lower sealed housing 41. The additional case 42 is fitted into the lower sealed case 41 and sealed by ultrasonic welding or the like. Thus, the reference pressure chamber 94 is formed by the lower sealing housing 41 and the additional housing 42. Further, a diaphragm 92 is provided at a boundary between the external pressure introducing hole 15 formed in the additional housing 42 and a reference pressure chamber 94 for introducing an external atmospheric pressure (atmospheric pressure). Thus, the reference pressure is generated by the reference pressure chamber 94. Note that the diaphragm 92 forms a second diaphragm.

【0022】ここで被測定圧室93の容積と基準圧室9
4の容積を互いにほぼ同等とし、これらに乾燥空気又は
窒素を充填する。
Here, the volume of the measured pressure chamber 93 and the reference pressure chamber 9
4 are almost equal to each other, and they are filled with dry air or nitrogen.

【0023】図1の静電容量型圧力センサでは、圧力導
入孔44に圧力が加わるとダイアフラム91が変形し、
被測定圧室93の圧力が大きくなり、ダイアフラム部1
1に圧力が加わり、被測定圧室93の圧力と基準圧室9
4との差に応じてダイアフラム部11が変形する。ダイ
アフラム部11の変形によって、可動電極13と固定電
極21との間のギャップが変化することになる。電極間
ギャップの変化によって静電容量が変化することにな
り、さらに、圧力と電極間ギャップとの間には一定の相
関関係があるから、静電容量を検出することによつて圧
力を知ることができる。即ち、センサチップ30が基準
圧に基いて被測定圧室93の圧力を静電容量に変換す
る。
In the capacitance type pressure sensor shown in FIG. 1, when pressure is applied to the pressure introducing hole 44, the diaphragm 91 is deformed,
The pressure in the measured pressure chamber 93 increases, and the diaphragm 1
1, the pressure in the pressure chamber 93 to be measured and the reference pressure chamber 9
The diaphragm portion 11 is deformed in accordance with the difference from the fourth. The gap between the movable electrode 13 and the fixed electrode 21 changes due to the deformation of the diaphragm portion 11. The capacitance changes due to the change in the gap between the electrodes, and since there is a certain correlation between the pressure and the gap between the electrodes, it is necessary to know the pressure by detecting the capacitance. Can be. That is, the sensor chip 30 converts the pressure in the measured pressure chamber 93 into a capacitance based on the reference pressure.

【0024】また周囲温度が変化した場合には、被測定
圧室93の内圧が変化するが、基準圧室94の内圧も同
様に変化することになるため、被測定圧室93の圧力変
化と基準圧室94の圧力変化が差動的に打ち消すように
処理されることになる。従って圧力測定の精度の変化を
抑制することができ、周囲温度の影響の小さい出力を得
ることができる。
When the ambient temperature changes, the internal pressure of the measured pressure chamber 93 changes, but the internal pressure of the reference pressure chamber 94 also changes. The processing is performed so that the pressure change in the reference pressure chamber 94 is canceled out differentially. Therefore, a change in the accuracy of the pressure measurement can be suppressed, and an output less affected by the ambient temperature can be obtained.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の圧力セン
サによれば、被測定圧室と基準圧室の周囲温度変化によ
る圧力変化を差動的に打ち消すことにより、圧力測定精
度の変化を抑制することができる。つまり、周囲温度の
影響の小さいセンサ出力を得ることができる。
As described above, according to the pressure sensor of the present invention, the pressure change due to the ambient temperature change between the pressure chamber to be measured and the reference pressure chamber is canceled out differentially, so that the change in pressure measurement accuracy can be reduced. Can be suppressed. That is, it is possible to obtain a sensor output that is less affected by the ambient temperature.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態に係る静電容量型圧力セン
サを示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a capacitance type pressure sensor according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の静電容量型圧力センサの構造例を示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a structural example of a conventional capacitance type pressure sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 シリコン基板 11 ダイアフラム部 12 キャビティー部 13 可動電極 14 基準圧導入孔 15 外圧導入孔 20 ガラス基板 21 固定電極 22,23,24,25,26,27,28ボンディン
グパッド 30 センサチップ 41 下部封止筐体 42 封止筐体 43 上部封止筐体 44 圧力導入孔 91,92 ダイアフラム 93 被測定圧室 94 基準圧室 51,52,53 リード端子 61,62,83,84,85 リード線 71 信号処理回路
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Silicon substrate 11 Diaphragm part 12 Cavity part 13 Movable electrode 14 Reference pressure introducing hole 15 External pressure introducing hole 20 Glass substrate 21 Fixed electrode 22, 23, 24, 25, 26, 27, 28 Bonding pad 30 Sensor chip 41 Lower sealing Case 42 Sealed case 43 Upper sealed case 44 Pressure introduction hole 91, 92 Diaphragm 93 Pressure chamber to be measured 94 Reference pressure chamber 51, 52, 53 Lead terminal 61, 62, 83, 84, 85 Lead wire 71 Signal Processing circuit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 第1のダイアフラムを介して被測定圧を
伝達される被測定圧室と、基準圧に基いて前記被測定圧
室の圧力を静電容量に変換するセンサチップとを含む圧
力センサにおいて、前記基準圧を前記センサチップに印
加するための基準圧室と、外気圧を前記基準圧室に伝達
する第2のダイアフラムとを備えたことを特徴とする圧
力センサ。
1. A pressure that includes a measured pressure chamber to which a measured pressure is transmitted via a first diaphragm, and a sensor chip that converts the pressure of the measured pressure chamber into a capacitance based on a reference pressure. A pressure sensor, comprising: a reference pressure chamber for applying the reference pressure to the sensor chip; and a second diaphragm for transmitting an outside air pressure to the reference pressure chamber.
【請求項2】 前記センサチップは、固定電極と、前記
固定電極に対向した可動電極と、前記可動電極を保持
し、前記被測定圧室及び前記基準圧室の差圧に応じて前
記可動電極を前記固定電極に対し変位させる圧力−変位
変換機構とを有する請求項1記載の圧力センサ。
2. The sensor chip holds a fixed electrode, a movable electrode opposed to the fixed electrode, and the movable electrode, and the movable electrode according to a differential pressure between the measured pressure chamber and the reference pressure chamber. The pressure sensor according to claim 1, further comprising: a pressure-displacement conversion mechanism for displacing the fixed electrode relative to the fixed electrode.
【請求項3】 固定電極が形成された第1の基板と前記
固定電極にギャップをもって対向するよう可動電極を保
持し圧力に応じて変形するダイアフラム部が形成された
第2の基板とを有するセンサチップ、前記センサチップ
に被測定圧を印加するために圧力導入孔を設けた被測定
圧室、前記ダイアフラム部を境界面として前記被測定圧
室と接し前記センサチップに基準圧を印加するための基
準圧室、前記被測定圧室と外部との境界面に備えた第1
のダイアフラム、及び基準圧室と外部との境界面に備え
た第2のダイアフラムを含むことを特徴とする圧力セン
サ。
3. A sensor comprising: a first substrate on which a fixed electrode is formed; and a second substrate on which a diaphragm is formed to hold a movable electrode so as to face the fixed electrode with a gap and to deform in response to pressure. A chip, a measured pressure chamber provided with a pressure introduction hole for applying a measured pressure to the sensor chip, and a reference pressure applied to the sensor chip in contact with the measured pressure chamber with the diaphragm portion as a boundary surface. A reference pressure chamber, a first pressure chamber provided at an interface between the pressure chamber to be measured and the outside.
And a second diaphragm provided at a boundary surface between the reference pressure chamber and the outside.
【請求項4】 前記被測定圧室の容積と前記基準圧室の
容積とを互いにほぼ同等とした請求項1〜3のいずれか
に記載の圧力センサ。
4. The pressure sensor according to claim 1, wherein the volume of the measured pressure chamber and the volume of the reference pressure chamber are substantially equal to each other.
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WO2017164549A1 (en) * 2016-03-23 2017-09-28 주식회사 아이티엠반도체 Pressure sensor apparatus and method for manufacturing pressure sensor apparatus and pressure sensor assembly
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