JP2000051796A - Method for evaluating washing of substrate - Google Patents

Method for evaluating washing of substrate

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JP2000051796A
JP2000051796A JP10228811A JP22881198A JP2000051796A JP 2000051796 A JP2000051796 A JP 2000051796A JP 10228811 A JP10228811 A JP 10228811A JP 22881198 A JP22881198 A JP 22881198A JP 2000051796 A JP2000051796 A JP 2000051796A
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cleaning
substrate
washing
latex
substrates
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JP10228811A
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Nobuyasu Hiraoka
伸康 平岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for evaluating washing of substrates capable of evaluating higher washing capability. SOLUTION: Plural sheets of the substrates for evaluating washing sprayed with a latex are formed by drying the substrates after coating of an aq. latex soln. prepd. by mixing the latex with pure water (S1). The substrates for evaluating washing are heated by heating every different temp., to fix the latex to the substrates for evaluating washing with fixing power varying at every heating temp. (S2). The substrates for evaluating washing under prescribed washing conditions (S4). The number of the particles of the latex sprayed onto the substrates for evaluating washing are respectively measured before and after the washing (S3, 5). The heating temp., of the substrate, with which the number of the particles of the latex on the substrate changes largely before and after the washing, are set as the indices for the washing capability of these washing conditions. The evaluation of the washing conditions, etc., having the high washing capability is made possible by deciding the respective heating temps. of the plural washing conditions as the indices (S6, 7).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や、液
晶表示用のガラス基板などの基板を洗浄する際の洗浄能
力を評価する基板洗浄評価方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for evaluating the cleaning performance of a substrate, such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal display, for cleaning the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、回路素子の微細化に伴い、半導体
基板や、液晶表示用のガラス基板などの基板上に付着し
た、より微細なパーティクルを除去するために、ブラシ
式洗浄、高圧ジェット式洗浄又は超音波式洗浄などの比
較的洗浄能力の高い各種の基板洗浄が行われている。こ
の基板洗浄において、所定の基板洗浄効果を維持するた
めに定期的に洗浄能力の評価が行われている。また、よ
り洗浄効果の高い洗浄条件を探したり、より洗浄効果の
高い洗浄装置を製造するために、洗浄条件ごと又は洗浄
装置ごとに洗浄能力の評価が行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, with the miniaturization of circuit elements, a brush type cleaning, a high pressure jet type, and the like have been used to remove finer particles adhering to a substrate such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal display. Various types of substrate cleaning having relatively high cleaning ability, such as cleaning or ultrasonic cleaning, are performed. In this substrate cleaning, cleaning performance is regularly evaluated in order to maintain a predetermined substrate cleaning effect. Further, in order to find a cleaning condition with a higher cleaning effect or to manufacture a cleaning device with a higher cleaning effect, the cleaning performance is evaluated for each cleaning condition or for each cleaning device.

【0003】従来、洗浄能力の評価は、例えば次のよう
に行われている。まず、シリコン粉末を散布した基板を
生成して、この基板上に散布されたシリコン粉末の個数
を洗浄前に測定する。次に、所定の洗浄条件又は洗浄装
置で、シリコン粉末が散布された基板を洗浄する。最後
に、洗浄後の基板に残留したシリコン粉末の個数を測定
する。これによって、洗浄前後のシリコン粉末の個数の
変化、即ち基板洗浄前後のシリコン粉末の個数から算出
された除去率を、その洗浄条件または洗浄装置の洗浄能
力として指標している。また、シリコン粉末を利用する
以外の方法としては、基板の洗浄面が搬送機構に触れる
ように搬送(以下、単に「裏面搬送」と呼ぶ)すること
で、基板の洗浄面にパーティクルを付着させる方法もあ
るが、この場合にも、シリコン粉末の場合と同様の方法
によって、パーティクルの除去率を洗浄能力として指標
している。
Conventionally, the evaluation of the cleaning ability is performed, for example, as follows. First, a substrate on which silicon powder has been sprayed is generated, and the number of silicon powders sprayed on the substrate is measured before cleaning. Next, the substrate on which the silicon powder has been sprayed is cleaned under predetermined cleaning conditions or a cleaning apparatus. Finally, the number of silicon powders remaining on the cleaned substrate is measured. Thus, the change in the number of silicon powders before and after the cleaning, that is, the removal rate calculated from the number of silicon powders before and after the substrate cleaning is indicated as the cleaning conditions or the cleaning capability of the cleaning apparatus. As a method other than using silicon powder, a method in which particles are adhered to the cleaning surface of the substrate by transporting the substrate so that the cleaning surface of the substrate touches the transport mechanism (hereinafter, simply referred to as “back surface transportation”). However, also in this case, the particle removal rate is indicated as the cleaning ability by the same method as in the case of silicon powder.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、近年、さらに洗浄能力の高い洗浄装置
や洗浄条件が求められているが、従来の方法では、シリ
コン粉末や裏面搬送によって付着するパーティクル等に
対して比較的十分な洗浄能力を有するために、洗浄装置
や洗浄条件を変えても、パーティクルの除去率に大きな
変化が現れないという現象が生じており、その除去率を
指標することでは、より洗浄能力の高い洗浄装置や洗浄
条件を評価することができないという問題がある。
However, the prior art having such a structure has the following problems. That is, in recent years, a cleaning apparatus and a cleaning condition with a higher cleaning performance are required, but the conventional method has a relatively sufficient cleaning performance with respect to silicon powder and particles adhered by conveying the back surface, and so on. Even if the cleaning equipment and cleaning conditions are changed, there is a phenomenon in which the particle removal rate does not significantly change, and by using the removal rate as an index, it is possible to evaluate cleaning equipment and cleaning conditions with higher cleaning performance. There is a problem that can not be.

【0005】また、裏面搬送の場合には、基板の洗浄面
に付着するパーティクルが基板間で一定しないので、初
期の状態で多くのパーティクルが付着した場合と、少量
のパーティクルしか付着していない場合とでは、その初
期の状態によってパーティクルの除去率が大きく変化し
ていまい、洗浄前後における基板上のパーティクルの除
去率を指標しては正確な洗浄能力を評価することができ
ないという問題もある。
[0005] In the case of backside transport, the particles adhering to the cleaning surface of the substrate are not constant between the substrates, so that many particles adhere in the initial state and cases where only a small amount of particles adhere. Therefore, there is a problem that the particle removal rate greatly changes depending on the initial state, and it is not possible to accurately evaluate the cleaning ability by using the particle removal rate before and after cleaning as an index.

【0006】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、より高い洗浄能力を評価することがで
きる基板洗浄評価方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate cleaning evaluation method capable of evaluating higher cleaning performance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、除去対象物が散布された
基板を洗浄した際に、洗浄前後での基板上の除去対象物
の個数の変化によって、洗浄能力を評価する基板洗浄評
価方法であって、複数枚の基板に除去対象物であるラテ
ックスを各々散布する過程と、前記各基板を各々異なる
加熱温度で加熱する過程と、前記各基板上に散布された
ラテックスの粒子数を洗浄前に測定する過程と、前記加
熱された各基板を洗浄する過程と、前記洗浄後に各基板
上に残留するラテックスの粒子数を測定する過程と、前
記各基板の中から、基板上のラテックスの粒子数が洗浄
前後で比較的大きく変化した基板の加熱温度を、基板の
洗浄能力として指標する過程とを備えることを特徴とす
るものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. In other words, the invention according to claim 1 is a substrate cleaning evaluation method for evaluating a cleaning ability based on a change in the number of objects to be removed on the substrate before and after cleaning, when the substrate on which the objects to be removed are sprayed is cleaned. A step of spraying each of the latexes to be removed on the plurality of substrates, a step of heating each of the substrates at a different heating temperature, and a step of cleaning the number of latex particles sprayed on each of the substrates. Measuring before, washing each heated substrate, measuring the number of latex particles remaining on each substrate after the washing, and from each of the substrates, the latex on the substrate, A step of indicating the substrate heating temperature at which the number of particles has changed relatively significantly before and after the cleaning as a substrate cleaning ability.

【0008】請求項2に記載の発明は、除去対象物が散
布された基板を洗浄した際に、洗浄前後での基板上の除
去対象物の個数の変化によって、洗浄能力を評価する基
板洗浄評価方法であって、複数枚の基板に除去対象物で
あるラテックスを各々散布する過程と、前記各基板を一
定温度で各々異なる加熱時間で加熱する過程と、前記各
基板上に散布されたラテックスの粒子数を洗浄前に測定
する過程と、前記加熱された各基板を洗浄する過程と、
前記洗浄後に各基板上に残留するラテックスの粒子数を
測定する過程と、前記各基板の中から、基板上のラテッ
クスの粒子数が洗浄前後で比較的大きく変化した基板の
加熱時間を、基板の洗浄能力として指標する過程とを備
えることを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, when cleaning a substrate on which the object to be removed has been sprayed, the cleaning performance is evaluated based on a change in the number of the object to be removed on the substrate before and after the cleaning. A method, wherein each step of spraying latex, which is an object to be removed, on a plurality of substrates, a step of heating each substrate at a constant temperature and a different heating time, and a step of heating latex sprayed on each substrate. A step of measuring the number of particles before washing, and a step of washing each heated substrate,
The process of measuring the number of latex particles remaining on each substrate after the washing and the heating time of the substrate, in which the number of latex particles on the substrate changed significantly before and after washing from among the substrates, And a step of indicating as a cleaning ability.

【0009】請求項3に記載の発明は、請求項1または
請求項2に記載の基板洗浄評価方法において、前記ラテ
ックスは、ポリスチレンラテックスである。
According to a third aspect of the present invention, in the method for evaluating cleaning of a substrate according to the first or second aspect, the latex is a polystyrene latex.

【0010】[0010]

【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項1に
記載の発明によれば、複数枚の基板には、ラテックスが
各々散布される。ラテックスが散布された各基板は、各
々異なる加熱温度で加熱される。加熱された基板を洗浄
することにより、基板上の散布されたラテックスを除去
する。基板の洗浄前後に、基板に散布されたラテックス
の粒子数を測定することで、洗浄によって除去されたラ
テックスの粒子数の変化を求める。この時、ラテックス
の粒子数の変化は、ある加熱温度を境として、他の加熱
温度と比べて比較的大きく変化する現象が生じる。これ
は、基板の加熱温度の違いによって、ラテックスの基板
上への定着力に違いが現れるためと推測される。このラ
テックスの粒子数が洗浄前後で大きく変化した基板の加
熱温度を洗浄能力として指標する。例えば、種々の洗浄
条件において、ラテックスの粒子数が大きく変化する基
板の加熱温度を比較することで、各洗浄条件の洗浄能力
を評価する。
The operation of the present invention is as follows. According to the first aspect of the present invention, latex is sprayed on each of the plurality of substrates. Each substrate on which the latex has been sprayed is heated at a different heating temperature. Washing the heated substrate removes the sparged latex on the substrate. By measuring the number of latex particles sprayed on the substrate before and after washing the substrate, the change in the number of latex particles removed by washing is determined. At this time, a change in the number of particles of the latex occurs at a certain heating temperature as a boundary and relatively large compared to other heating temperatures. This is presumably because the difference in the fixing power of the latex onto the substrate appears due to the difference in the heating temperature of the substrate. The heating temperature of the substrate where the number of particles of the latex greatly changed before and after the washing is indicated as the washing ability. For example, the cleaning ability under each cleaning condition is evaluated by comparing the heating temperature of the substrate where the number of particles of the latex changes greatly under various cleaning conditions.

【0011】請求項2に記載の発明によれば、複数枚の
基板には、ラテックスが各々散布される。ラテックスが
散布された各基板を、一定の温度で各々異なる加熱時間
で加熱する。この加熱時間の異なる各基板を洗浄するこ
とにより、各基板上に散布されたラテックスを除去す
る。基板の洗浄前後に、各基板に散布されたラテックス
の粒子数を測定することで、洗浄によって除去されたラ
テックスの粒子数の変化を求める。この時、ラテックス
の粒子数の変化は、ある加熱時間を境として、他の加熱
時間と比べて比較的大きく変化する現象が生じる。これ
は、基板の加熱時間の違いによって、ラテックスの基板
上への定着力に違いが現れるためと推測される。このラ
テックスの粒子数が大きく変化した基板の加熱時間を、
洗浄能力として指標する。例えば、種々の洗浄条件にお
いて、ラテックスの粒子数が大きく変化する基板の加熱
時間を比較することで、各洗浄条件の洗浄能力を評価す
る。
According to the second aspect of the present invention, latex is sprayed on each of the plurality of substrates. Each substrate on which the latex has been sprayed is heated at a constant temperature for a different heating time. By washing the substrates having different heating times, latex sprayed on each substrate is removed. By measuring the number of latex particles sprayed on each substrate before and after washing the substrate, the change in the number of latex particles removed by washing is determined. At this time, a phenomenon occurs in which the number of particles of the latex changes relatively greatly after a certain heating time as compared with other heating times. This is presumed to be due to the difference in the fixing power of the latex onto the substrate due to the difference in the heating time of the substrate. The heating time of the substrate where the number of particles of this latex has changed greatly,
Index as cleaning ability. For example, the cleaning ability under each cleaning condition is evaluated by comparing the heating time of the substrate in which the number of latex particles changes greatly under various cleaning conditions.

【0012】請求項3に記載の発明によれば、ポリスチ
レンラテックスを複数枚の基板に散布した後、これら各
基板に上述した請求項1または請求項2の基板洗浄評価
方法を実施する。
According to the third aspect of the present invention, after the polystyrene latex is sprayed on a plurality of substrates, each of the substrates is subjected to the above-described substrate cleaning evaluation method of the first or second aspect.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。本発明に係る基板洗浄評価方法は、例
えば、ポリススチレンラテックスを基板に散布する基板
回転ユニットと、基板上に散布されたポリスチレンラテ
ックスの粒子数を測定するパ─ティクルテェッカーユニ
ットと、基板を加熱する基板加熱ユニットと、洗浄能力
を評価する対象である洗浄条件などを実行する基板洗浄
ユニットなどの各ユニットによって実行される。なお、
ラテックスとは、高分子材料のコロイド状水性分散液を
いう。ポリスチレンラテックスとは、高分子材料として
ポリスチレンのコロイド粒子を主成分とするラテックス
をいう。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The substrate cleaning evaluation method according to the present invention includes, for example, a substrate rotating unit for spraying polystyrene latex on a substrate, a particle checker unit for measuring the number of particles of polystyrene latex sprayed on the substrate, and heating the substrate. This is performed by a unit such as a substrate heating unit that performs cleaning conditions and a substrate cleaning unit that performs cleaning conditions and the like for which cleaning performance is to be evaluated. In addition,
Latex refers to a colloidal aqueous dispersion of a polymeric material. The polystyrene latex refers to a latex mainly containing polystyrene colloid particles as a polymer material.

【0014】以下、本発明に係る基板洗浄評価方法を、
図1に示すフローチャートを参照しながら説明するとと
もに、図示しない各ユニットで行われる具体的処理を説
明する。
The substrate cleaning evaluation method according to the present invention is described below.
A description will be given with reference to the flowchart shown in FIG. 1 and specific processing performed by each unit (not shown) will be described.

【0015】ステップS1(ラテックスを基板に散布) 所定量の例えば直径0.196μmのポリスチレンラテ
ックスを純水に混ぜて、所定濃度のポリスチレンラテッ
クス水溶液を生成する。洗浄対象となる複数枚の基板を
基板回転ユニットにセットする。なお、これらの基板
は、その表面にパーチィクルが付着していない清浄な状
態のものが好ましい。
Step S1 (spraying latex onto substrate) A predetermined amount of, for example, 0.196 μm diameter polystyrene latex is mixed with pure water to produce a predetermined concentration of polystyrene latex aqueous solution. A plurality of substrates to be cleaned are set in a substrate rotating unit. It is preferable that these substrates have a clean state in which particles are not attached to the surface.

【0016】基板回転ユニットは、基板回転ユニットに
備えるスピンチャック上に各基板を搬送し、そのスピン
チャック上で基板を保持した後、その基板を回転させ
る。この回転している基板上に、ポリスチレンラテック
ス水溶液を滴下する。基板上に滴下されたポリスチレン
ラテックス水溶液は、基板上の全面に広がる、即ち、基
板上にポリスチレンラテックス水溶液が塗布される。さ
らに、基板回転ユニットは、基板を回転させる(スピン
ドライ)ことで、基板上で塗布されたポリスチレンラテ
ックス水溶液の純水等の溶液成分を蒸発させる。
The substrate rotation unit transports each substrate onto a spin chuck provided in the substrate rotation unit, holds the substrate on the spin chuck, and rotates the substrate. An aqueous solution of polystyrene latex is dropped onto the rotating substrate. The aqueous solution of polystyrene latex dropped on the substrate spreads over the entire surface of the substrate, that is, the aqueous solution of polystyrene latex is applied on the substrate. Furthermore, the substrate rotation unit evaporates a solution component such as pure water of a polystyrene latex aqueous solution applied on the substrate by rotating the substrate (spin drying).

【0017】その結果、基板上には、ポリスチレンラテ
ックスが略均一に散布された状態になる。複数枚の基板
に対して、同様にしてポリスチレンラテックスを各々散
布する。この実施例では、基板回転方式によって所定濃
度のポリスチレンラテックス水溶液を各基板に塗布して
いるので、各基板に散布されるポリスチレンラテックス
は、基板間でバラツキが比較的少なく、かつ、基板上の
全面に略均一にポリスチレンラテックスを散布すること
ができる。なお、ポリスチレンラテックスは、本実施例
に示す直径を有するものに限定されるものではなく、任
意の直径を有するものを適宜使用することができる。ま
た、本実施例では、基板回転方式によって基板上にポリ
スチレンラテックス水溶液を塗布することで、基板上に
ポリスチレンラテックスを散布したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、基板上にポリスチレンラテッ
クスを散布できればよく、別の散布方法に適宜置換する
ことができる。
As a result, the polystyrene latex is substantially uniformly dispersed on the substrate. Polystyrene latex is sprayed on a plurality of substrates in the same manner. In this embodiment, since a predetermined concentration of polystyrene latex aqueous solution is applied to each substrate by the substrate rotation method, the polystyrene latex sprayed on each substrate has relatively little variation between the substrates and the entire surface of the substrate. The polystyrene latex can be sprayed almost uniformly. Incidentally, the polystyrene latex is not limited to the one having the diameter shown in the present embodiment, but any one having an arbitrary diameter can be appropriately used. Further, in this embodiment, the polystyrene latex was sprayed on the substrate by applying an aqueous solution of polystyrene latex on the substrate by the substrate rotation method, but the present invention is not limited to this, and the polystyrene latex is not limited to this. Can be sprayed, and can be appropriately replaced with another spraying method.

【0018】ステップS2(各基板を各々の加熱温度で
加熱) 基板加熱ユニットは、例えば、ホットプレートやオーブ
ンなどで構成されており、任意の温度で基板を任意の時
間加熱できるものである。基板加熱ユニットは、ポリス
チレンラテックスが散布された基板を、例えば、加熱温
度90、100、110、120、130、140゜C
の各加熱温度で別々の基板を加熱して、各加熱温度ごと
の洗浄評価用基板を生成する。この時、基板上に散布さ
れたポリスチレンラテックスが各加熱温度ごとに異なる
定着力によって基板上に定着すると思われる。なお、上
記加熱温度は単なる例示であって、本発明はこれに限定
されるものではない。
Step S2 (heating each substrate at each heating temperature) The substrate heating unit is composed of, for example, a hot plate or an oven, and can heat the substrate at an arbitrary temperature for an arbitrary time. The substrate heating unit heats the substrate on which the polystyrene latex is sprayed, for example, at a heating temperature of 90, 100, 110, 120, 130, 140 ° C.
Then, separate substrates are heated at the respective heating temperatures to generate cleaning evaluation substrates at the respective heating temperatures. At this time, it is thought that the polystyrene latex sprayed on the substrate is fixed on the substrate by a different fixing force for each heating temperature. Note that the above heating temperature is merely an example, and the present invention is not limited to this.

【0019】ステップS3(洗浄前の粒子数を測定) パーティクルチェッカーユニットによって、洗浄評価用
基板上のポリスチレンラテックスの粒子数を測定する。
この測定によって、基板上に散布されたポリスチレンラ
テックスの洗浄前の粒子数が判明する。なお、上述した
ポリスチレンラテックス水溶液の濃度によって、基板上
に散布されるポリスチレンラテックスの粒子数を略任意
に設定することができる。このパーティクルチェッカー
ユニットは、基板に例えばレーザ光を照射することで、
基板上で反射するレーザ光に基づいて、基板上に付着し
たパーティクルの大きさやその個数を測定するものであ
る。本実施例では、基板を加熱した後に、ポリスチレン
ラテックスの粒子数を測定したが、本発明はこれに限ら
れず、洗浄前であればよく、例えば基板を加熱する前に
その粒子数を測定することもできる。
Step S3 (Measure the number of particles before cleaning) The number of particles of polystyrene latex on the substrate for cleaning evaluation is measured by a particle checker unit.
By this measurement, the number of particles of the polystyrene latex sprayed on the substrate before washing is determined. The number of particles of the polystyrene latex dispersed on the substrate can be set substantially arbitrarily depending on the concentration of the above-mentioned aqueous solution of polystyrene latex. This particle checker unit irradiates a substrate with, for example, a laser beam,
The size and the number of particles attached to the substrate are measured based on the laser light reflected on the substrate. In the present example, after heating the substrate, the number of particles of the polystyrene latex was measured.However, the present invention is not limited to this, and it is sufficient that the number of particles is before cleaning.For example, the number of particles may be measured before heating the substrate. Can also.

【0020】ステップS4(各洗浄評価用基板を洗浄) 基板洗浄ユニットにおいて、ポリスチレンラテックスの
粒子数を測定した後の各洗浄評価用基板を例えば同一洗
浄条件で洗浄する。つまり、洗浄条件で決まる洗浄能力
によって、各洗浄評価用基板を洗浄することで、その洗
浄能力に応じた洗浄効果が得られる。この洗浄効果は後
述するように、ポリスチレンラテックスの洗浄前後の粒
子数を比較して求められる除去率として現れる。なお、
基板洗浄ユニットは、例えば、比較的高圧を印加した洗
浄液によって洗浄を行う高圧ジェット式洗浄部や、超音
波を付加した洗浄液によって洗浄を行う超音波式洗浄部
や、洗浄ブラシによって洗浄を行うブラシ式洗浄部な
ど、いずれかの方式の洗浄部を備えて構成されたもので
ある。
Step S4 (Cleaning each substrate for cleaning evaluation) In the substrate cleaning unit, each substrate for cleaning evaluation after measuring the number of particles of polystyrene latex is cleaned, for example, under the same cleaning conditions. In other words, by cleaning each cleaning evaluation substrate according to the cleaning ability determined by the cleaning conditions, a cleaning effect corresponding to the cleaning ability can be obtained. As will be described later, this cleaning effect appears as a removal rate obtained by comparing the number of particles of the polystyrene latex before and after cleaning. In addition,
The substrate cleaning unit includes, for example, a high-pressure jet cleaning unit that performs cleaning with a cleaning liquid to which a relatively high pressure is applied, an ultrasonic cleaning unit that performs cleaning with a cleaning liquid to which ultrasonic waves are applied, and a brush-type cleaning unit that performs cleaning with a cleaning brush. It is configured to include any type of cleaning unit such as a cleaning unit.

【0021】ステップS5(洗浄後の粒子数を測定) 基板洗浄ユニットによって同一洗浄条件で洗浄した各洗
浄評価用基板上に残留するポリスチレンラテックスの粒
子数を、パーティクルチェッカーユニットによって測定
する。この測定によって、各基板上で洗い流されずに残
留したポリスチレンラテックスの粒子数、つまり洗浄後
の粒子数が判明する。
Step S5 (Measurement of Number of Particles after Washing) The number of particles of polystyrene latex remaining on each cleaning evaluation substrate washed under the same washing conditions by the substrate washing unit is measured by the particle checker unit. By this measurement, the number of particles of the polystyrene latex remaining without being washed off on each substrate, that is, the number of particles after washing is determined.

【0022】ステップS6(洗浄能力を指標) 洗浄前後のポリスチレンラテックスの粒子数に基づい
て、各洗浄評価用基板ごとのポリスチレンラテックスの
粒子の除去率を求める。例えば、洗浄前の粒子数をA
個、洗浄後の粒子数をB個とすれば、除去率(%)=
(1−B÷A)×100で求めることができる。この除
去率が高くなった洗浄評価用基板を特定して、この洗浄
評価用基板の加熱温度を、この洗浄条件の洗浄能力とし
て指標する。
Step S6 (Indicating Cleaning Ability) Based on the number of polystyrene latex particles before and after cleaning, the removal rate of polystyrene latex particles for each substrate for cleaning evaluation is determined. For example, the number of particles before washing is represented by A
If the number of particles after washing is B, the removal rate (%) =
(1−B ÷ A) × 100. The cleaning evaluation substrate having the increased removal rate is specified, and the heating temperature of the cleaning evaluation substrate is indexed as the cleaning ability under the cleaning conditions.

【0023】ここで、洗浄評価用基板上のポリスチレン
ラテックスは、各加熱温度ごとに異なる定着力で定着し
ており、同一洗浄評価用基板内では、略同一の定着力で
ポリスチレンラテックスの各粒子が定着していると考え
られる。したがって、所定の洗浄条件で洗い流すことが
できるポリスチレンラテックスの定着力は、その洗浄条
件における洗浄能力で決定される。その洗浄能力以下の
定着力である場合には、その洗浄によって、洗浄評価用
基板上に定着するポリスチレンラテックスの粒子の大多
数が洗い流される一方、その洗浄能力以上の定着力であ
る場合には、洗浄評価用基板上に定着するポリスチレン
ラテックスの粒子の大多数は洗い流されないという現象
が生じる。つまり、洗浄能力によって、ポリスチレンラ
テックスの除去率の比較的高いものと、比較的低いもの
とが現れると思われる。
Here, the polystyrene latex on the cleaning evaluation substrate is fixed with a different fixing force for each heating temperature, and in the same cleaning evaluation substrate, each particle of the polystyrene latex is substantially the same fixing force. It seems that it has taken root. Therefore, the fixing power of the polystyrene latex that can be washed away under predetermined washing conditions is determined by the washing ability under the washing conditions. If the fixing power is not higher than the cleaning ability, the cleaning will wash out the majority of polystyrene latex particles fixed on the cleaning evaluation substrate, while if the fixing power is higher than the cleaning power, A phenomenon occurs in which the majority of polystyrene latex particles fixed on the cleaning evaluation substrate are not washed away. In other words, depending on the cleaning ability, it is considered that a relatively high removal rate of polystyrene latex and a relatively low removal rate of polystyrene latex appear.

【0024】その結果、ある範囲の加熱温度で加熱され
た洗浄評価用基板のポリスチレンラテックスの除去率が
低い一方、他の範囲の加熱温度で加熱された洗浄評価用
基板のポリスチレンラテックスの除去率が高くなるとい
う現象が生じる。したがって、洗浄評価用基板のポリス
チレンラテックスの除去率が高くなる加熱温度を特定す
ることで、その加熱温度を洗浄能力として指標する。つ
まり、洗浄評価用基板を洗浄した洗浄条件の洗浄能力と
して加熱温度を指標する。
As a result, the removal rate of polystyrene latex from the cleaning evaluation substrate heated at a certain range of heating temperature is low, while the removal rate of polystyrene latex from the cleaning evaluation substrate heated at another range of heating temperature is low. The phenomenon of becoming high occurs. Therefore, by specifying the heating temperature at which the removal rate of the polystyrene latex of the cleaning evaluation substrate increases, the heating temperature is indexed as the cleaning ability. That is, the heating temperature is used as an index for the cleaning ability under the cleaning conditions for cleaning the cleaning evaluation substrate.

【0025】ステップS7(繰り返し?) 上述した洗浄条件または洗浄方式(基板洗浄ユニット)
を変更した後、ステップS1〜S6を繰り返すことで、
各洗浄条件または各洗浄方式における洗浄能力を加熱温
度で指標することができる。つまり、各洗浄条件または
各洗浄方式ごとに指標される加熱温度を比べることで、
最適な洗浄条件や各洗浄方式を選ぶ、つまり、洗浄条件
等を評価することができる。例えば、最も高い加熱温度
では、基板上へのポリスチレンラテックスの定着力が高
くなると考えられるので、その加熱温度が指標された洗
浄条件等は、洗浄能力が高いと判断することができると
思われる。
Step S7 (Repeat?) The above-described cleaning conditions or cleaning method (substrate cleaning unit)
Is changed, and by repeating steps S1 to S6,
The cleaning ability in each cleaning condition or each cleaning method can be indicated by the heating temperature. In other words, by comparing the heating temperature indicated for each cleaning condition or each cleaning method,
It is possible to select optimum cleaning conditions and each cleaning method, that is, evaluate cleaning conditions and the like. For example, at the highest heating temperature, the fixing power of the polystyrene latex on the substrate is considered to be high. Therefore, it is considered that the cleaning condition and the like in which the heating temperature is indicated can be judged to be high in the cleaning ability.

【0026】上述した基板洗浄評価方法では、洗浄条件
や洗浄方式(基板洗浄ユニット)などの洗浄能力を比較
する際に、ポリスチレンラテックスを基板上で加熱した
加熱温度を洗浄能力として指標しているので、従来のよ
うに高いレベルでの洗浄能力を比較することができない
という問題を解決することができる。つまり、従来は洗
浄能力を表すのに除去率を指標していたが、本発明によ
って加熱温度を指標することで洗浄能力を表しているの
で、洗浄能力の絶対的な比較をすることが可能となる。
In the above-described substrate cleaning evaluation method, the heating temperature at which polystyrene latex is heated on the substrate is used as an index for the cleaning performance when comparing the cleaning performance such as cleaning conditions and cleaning method (substrate cleaning unit). Thus, it is possible to solve the problem that the cleaning ability at a high level cannot be compared with the conventional case. In other words, conventionally, the removal rate was used to indicate the cleaning capacity, but the cleaning capacity is indicated by indicating the heating temperature according to the present invention, so that it is possible to make an absolute comparison of the cleaning capacity. Become.

【0027】この発明は以下のように変形実施すること
が可能である。 (1)上述した実施例では、ポリスチレンラレックスが
散布された複数枚の基板を各々異なる加熱温度で加熱し
たが、本発明では、この加熱温度の代わりに、一定加熱
温度において前記基板を加熱する加熱時間にすることも
できる。具体的には、一定加熱温度において加熱時間を
変えることで、基板上に散布されたポリスチレンラレッ
クスの定着力を、基板ごとに変えることがきる。この場
合には、この加熱時間を洗浄能力として指標する。な
お、上述した実施例において、異なる加熱温度ごとに洗
浄評価用基板を生成していたのを、この変形例では、一
定加熱温度で加熱時間ごとに各洗浄評価用基板を生成
し、加熱時間を洗浄能力として指標する。これらの点以
外は、全て上述した実施例と同様であるので、その説明
を省略する。
The present invention can be modified as follows. (1) In the above-described embodiment, a plurality of substrates on which polystyrene lalex is sprayed are heated at different heating temperatures, but in the present invention, the substrates are heated at a constant heating temperature instead of this heating temperature. Heating time can also be used. Specifically, by changing the heating time at a constant heating temperature, it is possible to change the fixing power of the polystyrene lalex sprayed on the substrate for each substrate. In this case, this heating time is indexed as the cleaning ability. In the above-described embodiment, the cleaning evaluation substrate is generated for each different heating temperature. In this modification, each cleaning evaluation substrate is generated for each heating time at a constant heating temperature, and the heating time is reduced. Index as cleaning ability. Except for these points, all are the same as in the above-described embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0028】(2)上述した実施例では、ポリスチレン
ラレックスを基板に散布する場合について説明したが、
本願発明はこれに限定されるものではなく、例えば高分
子材料であればポリスチレンラレックスの代わりに利用
することもできる。
(2) In the above-described embodiment, the case where the polystyrene larex is sprayed on the substrate has been described.
The present invention is not limited to this. For example, a polymer material can be used instead of polystyrene lalex.

【0029】<実験結果1>以下、上述した実施例にお
いて、超音波式洗浄、ブラシ式洗浄および高圧ジェット
式洗浄によって洗浄評価用基板を洗浄した場合に、各洗
浄方式によって得られる実験結果1を図2に示すグラフ
を参照しながら説明する。
<Experiment Result 1> Hereinafter, in the above-described embodiment, when the cleaning evaluation substrate was cleaned by ultrasonic cleaning, brush cleaning and high-pressure jet cleaning, the experimental result 1 obtained by each cleaning method was as follows. This will be described with reference to the graph shown in FIG.

【0030】図2(a)は、加熱温度90〜140°C
の範囲で、10°C間隔ごとの加熱温度で加熱した各洗
浄評価用基板に超音波洗浄を行った場合に、加熱温度
と、洗浄前後でのポリスチレンラレックスの除去率との
関係を示すグラフである。図2(a)に示されるよう
に、加熱温度100〜110°Cの間で、大きく除去率
が変化しているのが観察できる。例えば、大きく除去率
が変化した加熱温度110°Cをこの超音波式洗浄の洗
浄能力として指標する。なお、加熱温度100〜110
°Cの平均値である加熱温度105°Cをこの超音波式
洗浄の洗浄能力として指標することもできる。
FIG. 2A shows a heating temperature of 90 to 140 ° C.
Is a graph showing the relationship between the heating temperature and the removal rate of polystyrene larex before and after cleaning when ultrasonic cleaning is performed on each cleaning evaluation substrate heated at a heating temperature at intervals of 10 ° C. It is. As shown in FIG. 2A, it can be observed that the removal rate changes significantly between the heating temperatures of 100 to 110 ° C. For example, the heating temperature of 110 ° C. at which the removal rate has changed significantly is indexed as the cleaning capability of the ultrasonic cleaning. In addition, heating temperature 100-110
The heating temperature of 105 ° C., which is the average value of ° C., can also be used as an index for the cleaning capability of this ultrasonic cleaning.

【0031】図2(b)は、加熱温度90〜140°C
の範囲において、10°C間隔ごとの加熱温度で加熱し
た各洗浄評価用基板にブラシ式洗浄を行った場合に、加
熱温度と、洗浄前後でのポリスチレンラレックスの除去
率との関係を示すグラフである。図2(b)に示される
ように、加熱温度130〜140°Cの間で、大きく除
去率が変化しているのが観察できる。例えば、大きく除
去率が変化した加熱温度140°Cをこのブラシ式洗浄
の洗浄能力として指標する。なお、加熱温度130〜1
40°Cの平均値である加熱温度135°Cをこのブラ
シ式洗浄の洗浄能力として指標することもできる。
FIG. 2B shows a heating temperature of 90 to 140 ° C.
Is a graph showing the relationship between the heating temperature and the removal rate of polystyrene larex before and after cleaning when each of the cleaning evaluation substrates heated at the heating temperature at intervals of 10 ° C. is subjected to brush-type cleaning in the range of FIG. It is. As shown in FIG. 2 (b), it can be observed that the removal rate changes greatly between the heating temperatures of 130 to 140 ° C. For example, a heating temperature of 140 ° C. at which the removal rate has changed greatly is indexed as the cleaning ability of this brush type cleaning. In addition, heating temperature 130-1
A heating temperature of 135 ° C., which is an average value of 40 ° C., can be used as an index for the cleaning ability of this brush type cleaning.

【0032】図2(c)は、加熱温度90〜140°C
の範囲において、10°C間隔ごとの加熱温度で加熱し
た各洗浄評価用基板に高圧ジェット式洗浄を行った場合
に、加熱温度と、洗浄前後でのポリスチレンラレックス
の除去率との関係を示すグラフである。図2(c)に示
されるように、加熱温度90〜110°Cの間で、大き
く除去率が変化しているのが観察できる。例えば、大き
く除去率が変化した加熱温度110°Cをこの高圧ジェ
ット式洗浄の洗浄能力として指標する。なお、加熱温度
90〜110°Cの平均値である加熱温度100°Cを
このブラシ式洗浄の洗浄能力として指標することもでき
る。
FIG. 2C shows a heating temperature of 90 to 140 ° C.
The relationship between the heating temperature and the removal rate of polystyrene larex before and after cleaning is shown when high-pressure jet cleaning is performed on each cleaning evaluation substrate heated at a heating temperature at intervals of 10 ° C. It is a graph. As shown in FIG. 2 (c), it can be observed that the removal rate changes greatly between the heating temperatures of 90 to 110 ° C. For example, the heating temperature of 110 ° C. at which the removal rate has changed significantly is indexed as the cleaning capability of the high-pressure jet cleaning. It should be noted that a heating temperature of 100 ° C., which is an average value of the heating temperatures of 90 to 110 ° C., can also be indexed as the cleaning ability of this brush-type cleaning.

【0033】上述した各洗浄方式における洗浄能力とし
て指標する加熱温度を比較することで、例えば、ブラシ
式洗浄の場合に加熱温度が最も高く、その洗浄能力が他
の洗浄方式と比べて高いことが判る。なお、この実験結
果1では、洗浄方式間での洗浄能力を評価したが、同一
洗浄方式における洗浄条件間の洗浄能力を評価すること
もできる。
By comparing the heating temperature, which is indicated as the cleaning ability in each of the above-described cleaning methods, for example, the heating temperature is the highest in the case of the brush type cleaning, and the cleaning ability is higher than those of the other cleaning methods. I understand. In this experimental result 1, the cleaning ability between the cleaning methods was evaluated, but the cleaning ability between the cleaning conditions in the same cleaning method can also be evaluated.

【0034】<実験結果2>以下、上述した実施例の変
形例において説明した、加熱温度の代わりに、加熱時間
によって洗浄能力を指標する場合の実験結果2について
説明する。なお、この実験においては、超音波式洗浄お
よびブラシ洗浄によって洗浄評価用基板を洗浄した場合
に、各洗浄方式によって得られた洗浄能力を実験結果2
として、図3に示すグラフを参照しながら説明する。
<Experimental Result 2> An experimental result 2 in the case where the cleaning ability is indicated by the heating time instead of the heating temperature described in the modification of the above embodiment will be described below. In this experiment, when the cleaning evaluation substrate was cleaned by ultrasonic cleaning and brush cleaning, the cleaning performance obtained by each cleaning method was compared with the experimental result 2.
This will be described with reference to the graph shown in FIG.

【0035】図3(a)は、加熱温度110°Cで加熱
時間60〜180秒の範囲において、20秒間隔ごとの
加熱時間で加熱した各洗浄評価用基板に超音波洗浄を行
った場合に、加熱時間と、洗浄前後でのポリスチレンラ
レックスの除去率との関係を示すグラフである。図3
(a)に示されるように、加熱時間60〜100秒の間
で、大きく除去率が変化しているのが観察できる。例え
ば、除去率が変化した加熱時間80Sをこの超音波式洗
浄の洗浄能力として指標する。なお、加熱時間60〜1
00秒の平均値である加熱時間80Sをこの超音波式洗
浄の洗浄能力として指標することもできる。
FIG. 3A shows a case where ultrasonic cleaning was performed on each cleaning evaluation substrate heated at a heating temperature of 110 ° C. and a heating time of 60 to 180 seconds at a heating time of every 20 seconds. 4 is a graph showing the relationship between the heating time and the removal rate of polystyrene larex before and after washing. FIG.
As shown in (a), it can be observed that the removal rate changes greatly between the heating times of 60 to 100 seconds. For example, the heating time 80S at which the removal rate has changed is indexed as the cleaning capability of the ultrasonic cleaning. In addition, heating time 60-1
The heating time 80S, which is an average value of 00 seconds, can also be indexed as the cleaning ability of this ultrasonic cleaning.

【0036】図3(b)は、加熱温度140°Cで加熱
時間30〜60秒の範囲において、5秒間隔ごとの加熱
時間で加熱した各洗浄評価用基板にブラシ式洗浄を行っ
た場合に、加熱時間と、洗浄前後でのポリスチレンラレ
ックスの除去率との関係を示すグラフである。図3
(b)に示されるように、加熱時間30〜40秒の間
で、大きく除去率が変化しているのが観察できる。例え
ば、除去率が変化した加熱時間35Sをこのブラシ式洗
浄の洗浄能力として指標する。なお、加熱時間30〜4
0秒の平均値である加熱時間35Sをこのブラシ式洗浄
の洗浄能力として指標することもできる。
FIG. 3B shows a case where each cleaning evaluation substrate heated at a heating temperature of 140 ° C. and a heating time of 30 to 60 seconds at heating intervals of 5 seconds is subjected to brush cleaning. 4 is a graph showing the relationship between the heating time and the removal rate of polystyrene larex before and after washing. FIG.
As shown in (b), it can be observed that the removal rate greatly changes between the heating times of 30 to 40 seconds. For example, the heating time 35S at which the removal rate has changed is indexed as the cleaning ability of this brush-type cleaning. In addition, heating time 30 to 4
The heating time 35S, which is an average value of 0 seconds, can also be indexed as the cleaning ability of this brush-type cleaning.

【0037】この実験では、加熱温度を超音波式洗浄と
ブラシ式洗浄とで変えたので、両者を比較することは困
難であるが、加熱時間を変化させることで、ポリスチレ
ンラテックスの除去率が比較的大きく変化する加熱時間
を把握することができることが判る。つまり、除去率が
比較的大きく変化する加熱時間を洗浄能力として指標す
ることで、洗浄能力の評価を行うことが可能となる。
In this experiment, since the heating temperature was changed between the ultrasonic cleaning and the brush cleaning, it was difficult to compare the two. However, by changing the heating time, the removal rate of polystyrene latex was compared. It can be understood that the heating time that significantly changes can be grasped. That is, it is possible to evaluate the cleaning ability by indexing the heating time during which the removal rate changes relatively largely as the cleaning ability.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、ラテックスを散布した複数枚
の基板を各々異なる加熱温度で加熱しており、その加熱
後の各基板を洗浄しているので、基板の洗浄前後でラテ
ックスの粒子数が大きく変化する基板の加熱温度を求め
ることができる。つまり、洗浄条件または洗浄装置の洗
浄能力の違いによって、洗浄前後のラテックスの粒子数
が大きく変化する加熱温度に違いが生じる。その現象を
利用することで、種々の洗浄条件または洗浄装置におい
て、基板の洗浄前後でラテックスの粒子数が大きく変化
する基板の加熱温度を比較することで、各洗浄条件また
は洗浄装置の洗浄能力を評価することができる。また、
基板の加熱温度に基づいて洗浄能力を評価するので、従
来のようにパーティクルの付着状況によって変化する除
去率で洗浄能力を評価する場合や、洗浄能力が高すぎて
パーティクルの除去率では比較できないような場合など
に比べて、より正確に洗浄能力を把握することもでき
る。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, a plurality of substrates on which latex has been sprayed are heated at different heating temperatures, respectively. , The heating temperature of the substrate at which the number of latex particles changes greatly before and after cleaning the substrate can be determined. In other words, a difference in the heating temperature at which the number of particles of the latex before and after the cleaning greatly changes occurs due to a difference in the cleaning conditions or the cleaning capability of the cleaning apparatus. By utilizing the phenomenon, the heating capacity of the substrate, in which the number of latex particles changes greatly before and after cleaning the substrate, under various cleaning conditions or cleaning devices, can be used to improve the cleaning performance of each cleaning condition or cleaning device. Can be evaluated. Also,
Since the cleaning ability is evaluated based on the heating temperature of the substrate, it is difficult to compare the cleaning ability with the removal rate that changes depending on the adhesion state of the particles as in the past, or the cleaning efficiency is too high to compare with the particle removal rate. It is also possible to more accurately grasp the cleaning ability as compared to other cases.

【0039】請求項2に記載の発明によれば、ラテック
スを散布した複数枚の基板を一定の温度で各々異なる加
熱時間で加熱しており、その加熱後の各基板を洗浄して
いるので、基板の洗浄前後でラテックスの粒子数が大き
く変化する基板の加熱時間を求めることができる。つま
り、洗浄条件または洗浄装置の洗浄能力の違いによっ
て、洗浄前後のラテックスの粒子数が大きく変化する加
熱時間に違いが生じる。その現象を利用することで、加
熱時間に基づいて洗浄能力を評価することにより、請求
項1と同様の効果が得られる。
According to the second aspect of the present invention, a plurality of substrates on which latex has been sprayed are heated at a constant temperature for different heating times, and each substrate after the heating is washed. The heating time of the substrate at which the number of latex particles changes greatly before and after washing the substrate can be determined. In other words, a difference in the heating time during which the number of particles of the latex before and after the cleaning greatly changes depends on the cleaning conditions or the cleaning capability of the cleaning apparatus. By utilizing this phenomenon, the same effect as in the first aspect can be obtained by evaluating the cleaning ability based on the heating time.

【0040】請求項3に記載の発明によれば、ポリスチ
レンラテックスを用いて、請求項1または請求項2の基
板洗浄評価方法を実施するので、より好適に基板洗浄評
価方法を実行することができる。また、ポリスチレンラ
テックスを利用することで、安価に基板洗浄評価方法を
実施することもできる。
According to the third aspect of the present invention, the substrate cleaning evaluation method of the first or second aspect is performed using polystyrene latex, so that the substrate cleaning evaluation method can be more suitably executed. . In addition, by using polystyrene latex, the method for evaluating and cleaning a substrate can be implemented at low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例に係る基板洗浄評価方法の流れを示すフ
ローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart illustrating a flow of a substrate cleaning evaluation method according to an embodiment.

【図2】加熱温度を洗浄能力として指標する場合の実験
結果を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing an experimental result when a heating temperature is indicated as a cleaning ability.

【図3】加熱時間を洗浄能力として指標する場合の実験
結果を示すグラフである。
FIG. 3 is a graph showing an experimental result in a case where a heating time is indicated as a cleaning ability.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/66 H01L 21/66 J Fターム(参考) 2G051 AA51 AA73 AA90 AB20 BA10 CA02 CA20 CB01 DA08 3B116 AA03 BA11 BB21 BB83 BB90 CC05 3B201 AA03 BA11 BB21 BB83 BB90 BB94 CB01 CC21 4M106 AA01 BA10 CA29 CA41 DH01 DH11 DH32 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat II (reference) H01L 21/66 H01L 21/66 J F term (reference) 2G051 AA51 AA73 AA90 AB20 BA10 CA02 CA20 CB01 DA08 3B116 AA03 BA11 BB21 BB83 BB90 CC05 3B201 AA03 BA11 BB21 BB83 BB90 BB94 CB01 CC21 4M106 AA01 BA10 CA29 CA41 DH01 DH11 DH32

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 除去対象物が散布された基板を洗浄した
際に、洗浄前後での基板上の除去対象物の個数の変化に
よって、洗浄能力を評価する基板洗浄評価方法であっ
て、 複数枚の基板に除去対象物であるラテックスを各々散布
する過程と、 前記各基板を各々異なる加熱温度で加熱する過程と、 前記各基板上に散布されたラテックスの粒子数を洗浄前
に測定する過程と、 前記加熱された各基板を洗浄する過程と、 前記洗浄後に各基板上に残留するラテックスの粒子数を
測定する過程と、 前記各基板の中から、基板上のラテックスの粒子数が洗
浄前後で比較的大きく変化した基板の加熱温度を、基板
の洗浄能力として指標する過程とを備えることを特徴と
する基板洗浄評価方法。
1. A substrate cleaning evaluation method for evaluating a cleaning ability by changing a number of objects to be removed on a substrate before and after cleaning when cleaning a substrate on which the objects to be removed are sprayed, comprising: A process of spraying each of the latexes to be removed on the substrate, a process of heating each of the substrates at a different heating temperature, and a process of measuring the number of particles of the latex sprayed on each of the substrates before washing. Washing the heated substrates, measuring the number of latex particles remaining on each substrate after the washing, and from among the substrates, the number of latex particles on the substrate before and after washing. Indexing the heating temperature of the substrate, which has changed relatively largely, as the cleaning ability of the substrate.
【請求項2】 除去対象物が散布された基板を洗浄した
際に、洗浄前後での基板上の除去対象物の個数の変化に
よって、洗浄能力を評価する基板洗浄評価方法であっ
て、 複数枚の基板に除去対象物であるラテックスを各々散布
する過程と、 前記各基板を一定温度で各々異なる加熱時間で加熱する
過程と、 前記各基板上に散布されたラテックスの粒子数を洗浄前
に測定する過程と、 前記加熱された各基板を洗浄する過程と、 前記洗浄後に各基板上に残留するラテックスの粒子数を
測定する過程と、 前記各基板の中から、基板上のラテックスの粒子数が洗
浄前後で比較的大きく変化した基板の加熱時間を、基板
の洗浄能力として指標する過程とを備えることを特徴と
する基板洗浄評価方法。
2. A substrate cleaning evaluation method for evaluating a cleaning ability by changing the number of objects to be removed on a substrate before and after cleaning when cleaning the substrate on which the objects to be removed are sprayed, comprising: A step of spraying each of the latexes to be removed on the substrates of the above, a step of heating the respective substrates at different heating times at a constant temperature, and measuring the number of particles of the latex sprayed on the respective substrates before washing A step of washing each heated substrate; a step of measuring the number of latex particles remaining on each substrate after the washing; and a step of measuring the number of latex particles on the substrate from among the substrates. Indexing the heating time of the substrate, which has changed relatively significantly before and after the cleaning, as the cleaning capability of the substrate.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板洗
浄評価方法において、 前記ラテックスは、ポリスチレンラテックスである基板
洗浄評価方法。
3. The substrate cleaning evaluation method according to claim 1, wherein the latex is a polystyrene latex.
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