JP2000046905A - 電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒体 - Google Patents
電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒体Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/30—Computing systems specially adapted for manufacturing
Abstract
(57)【要約】
【課題】 寿命サイクル数を簡単で正確に求めて、信頼
性をより簡単で正確に評価できる電子機器の信頼性評価
方法およびその信頼性評価装置を提供する。 【解決手段】 ステップａ１において、特定の電子機器
に対する温度サイクル試験を行って、全ての電子機器に
普遍な寿命サイクル数と歪み振幅との間の関係式、すな
わち寿命歪み関係式を求める。次のステップａ２におい
て、任意の電子機器の解析モデルに対して熱応力シミュ
レーションを行い、歪みの振幅を算出する。次に、寿命
歪み関係に、任意の電子機器の解析モデルに対する歪み
の振幅を代入して、任意の電子機器の解析モデルの寿命
サイクル数を求める。これによって、電子機器の寿命サ
イクル数を簡単で正確に求めることができ、電子機器の
信頼性を簡単で正確に評価することができる。
性をより簡単で正確に評価できる電子機器の信頼性評価
方法およびその信頼性評価装置を提供する。 【解決手段】 ステップａ１において、特定の電子機器
に対する温度サイクル試験を行って、全ての電子機器に
普遍な寿命サイクル数と歪み振幅との間の関係式、すな
わち寿命歪み関係式を求める。次のステップａ２におい
て、任意の電子機器の解析モデルに対して熱応力シミュ
レーションを行い、歪みの振幅を算出する。次に、寿命
歪み関係に、任意の電子機器の解析モデルに対する歪み
の振幅を代入して、任意の電子機器の解析モデルの寿命
サイクル数を求める。これによって、電子機器の寿命サ
イクル数を簡単で正確に求めることができ、電子機器の
信頼性を簡単で正確に評価することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ（集積回路）
チップをプリント基板に実装したＩＣパッケージなどの
電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置および
その信頼性評価プログラムを記録した媒体に関し、特
に、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size/S
cale Package）、フリップチップ、ＭＣＭ（Multi Chip
Module）などの実装技術によって、２次元アレイ状に
配列したパッドを介してＩＣチップとプリント基板とを
電気的および物理的に接続したエリアパッド型のＩＣパ
ッケージなどの電子機器の信頼性評価方法、その信頼性
評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒
体に関する。
チップをプリント基板に実装したＩＣパッケージなどの
電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置および
その信頼性評価プログラムを記録した媒体に関し、特
に、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size/S
cale Package）、フリップチップ、ＭＣＭ（Multi Chip
Module）などの実装技術によって、２次元アレイ状に
配列したパッドを介してＩＣチップとプリント基板とを
電気的および物理的に接続したエリアパッド型のＩＣパ
ッケージなどの電子機器の信頼性評価方法、その信頼性
評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒
体に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記のようなエリアパッド型のＩＣパッ
ケージでは、実装完了後にＩＣチップとプリント基板と
を接続する半田接合部の接続状態を確認することが困難
であり、半田接合部の修繕はさらに困難であるので、実
装前に実装構造の信頼性を評価して、最適な構造を採用
することが重要である。また、エリアパッド型のＩＣパ
ッケージの半田接合部は、温度変化によって材料特性が
著しく変化し、降伏応力が低いなどの特徴があり、熱応
力による疲労破壊が発生しやすい部分であるので、ＩＣ
パッケージの信頼性を評価して、疲労破壊の少ない構造
を採用することが重要である。
ケージでは、実装完了後にＩＣチップとプリント基板と
を接続する半田接合部の接続状態を確認することが困難
であり、半田接合部の修繕はさらに困難であるので、実
装前に実装構造の信頼性を評価して、最適な構造を採用
することが重要である。また、エリアパッド型のＩＣパ
ッケージの半田接合部は、温度変化によって材料特性が
著しく変化し、降伏応力が低いなどの特徴があり、熱応
力による疲労破壊が発生しやすい部分であるので、ＩＣ
パッケージの信頼性を評価して、疲労破壊の少ない構造
を採用することが重要である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】信頼性の評価について
は、様々な実装構造のＩＣパッケージを試作して、各Ｉ
Ｃパッケージに対して周期的温度条件下にさらす加速試
験、すなわち温度サイクル試験を行い、ＩＣパッケージ
に発生する歪み、変形などを評価する方法が一般的であ
る。
は、様々な実装構造のＩＣパッケージを試作して、各Ｉ
Ｃパッケージに対して周期的温度条件下にさらす加速試
験、すなわち温度サイクル試験を行い、ＩＣパッケージ
に発生する歪み、変形などを評価する方法が一般的であ
る。
【０００４】１９９６．６，日本機械学会論文集（Ａ
編），論文Ｎｏ．９５−１１１１「電子機器のはんだ接
合部の信頼性試験条件設定法の提案」では、はんだ接合
部に対する温度サイクル試験の試験条件、すなわち周期
的温度条件の適切な設定方法が提案されている。
編），論文Ｎｏ．９５−１１１１「電子機器のはんだ接
合部の信頼性試験条件設定法の提案」では、はんだ接合
部に対する温度サイクル試験の試験条件、すなわち周期
的温度条件の適切な設定方法が提案されている。
【０００５】しかし、温度サイクル試験は、周期的温度
条件に従う温度環境を継続して実現させなければなら
ず、加速試験といえども非常に多くの時間を必要とす
る。また、試作した全部のＩＣパッケージについて加速
試験を行わねばならず、多くのコストが必要である。ま
た、加速試験の結果を確認するためには、電気的な抵抗
値を測定すること、または半田接合部の断面を研磨した
後、顕微鏡などによってその断面を観察することで、半
田接合部の破断原因の特定を行う必要があり、しかも全
部の試作品を確認する必要があり、非常に繁雑な作業が
要求される。
条件に従う温度環境を継続して実現させなければなら
ず、加速試験といえども非常に多くの時間を必要とす
る。また、試作した全部のＩＣパッケージについて加速
試験を行わねばならず、多くのコストが必要である。ま
た、加速試験の結果を確認するためには、電気的な抵抗
値を測定すること、または半田接合部の断面を研磨した
後、顕微鏡などによってその断面を観察することで、半
田接合部の破断原因の特定を行う必要があり、しかも全
部の試作品を確認する必要があり、非常に繁雑な作業が
要求される。
【０００６】また、昨今、性能向上が著しい計算機によ
るシミュレーション技術の発展に伴って、熱応力シミュ
レーションがＩＣパッケージの信頼性の評価に適用され
ている。
るシミュレーション技術の発展に伴って、熱応力シミュ
レーションがＩＣパッケージの信頼性の評価に適用され
ている。
【０００７】1997 IEMT／IMC Proceedings「THERMAL FA
TIGUE LIFE PREDICTION OF SOLDERJOINTS USING STRESS
ANALYSIS」では、ＢＧＡによる複数のバンプに配分さ
れる応力を考慮した上で、周期的温度条件下の単一のバ
ンプに対して弾性およびクリープに関する熱応力シミュ
レーションを行い、単一のバンプに対する寿命サイクル
数と寿命に達するまでに発生した歪みの振幅との間の関
係式であるCoffin-Manson則を用いて、寿命サイクル数
の周波数特性を求めている。
TIGUE LIFE PREDICTION OF SOLDERJOINTS USING STRESS
ANALYSIS」では、ＢＧＡによる複数のバンプに配分さ
れる応力を考慮した上で、周期的温度条件下の単一のバ
ンプに対して弾性およびクリープに関する熱応力シミュ
レーションを行い、単一のバンプに対する寿命サイクル
数と寿命に達するまでに発生した歪みの振幅との間の関
係式であるCoffin-Manson則を用いて、寿命サイクル数
の周波数特性を求めている。
【０００８】しかし、この熱応力シミュレーションで
は、弾性およびクリープによる歪みだけを解析してお
り、RC-144研究分科会第１７回資料「ＢＧＡ半田接合部
の非線形ひずみの計算法とはんだ接合部の疲労強度評価
手順」（平成９年１２月１２日報告、横浜国立大学、于
強）からも明らかなように、ＩＣパッケージに発生し得
る歪みを解析するには不充分である。また、歪みの解析
が正確に行われたとしても、バンプに亀裂または破断な
どの破壊が発生する時期の予測は難しく、寿命サイクル
数を含むCoffin-Manson則を熱応力シミュレーションだ
けで正確に特定することは、非常に難しい。よって、寿
命サイクル数を正確に求めることができず、ＩＣパッケ
ージの正確な信頼性評価は望めない。
は、弾性およびクリープによる歪みだけを解析してお
り、RC-144研究分科会第１７回資料「ＢＧＡ半田接合部
の非線形ひずみの計算法とはんだ接合部の疲労強度評価
手順」（平成９年１２月１２日報告、横浜国立大学、于
強）からも明らかなように、ＩＣパッケージに発生し得
る歪みを解析するには不充分である。また、歪みの解析
が正確に行われたとしても、バンプに亀裂または破断な
どの破壊が発生する時期の予測は難しく、寿命サイクル
数を含むCoffin-Manson則を熱応力シミュレーションだ
けで正確に特定することは、非常に難しい。よって、寿
命サイクル数を正確に求めることができず、ＩＣパッケ
ージの正確な信頼性評価は望めない。
【０００９】本発明の目的は、寿命サイクル数を簡単で
正確に求めることで、信頼性をより簡単で正確に評価で
きる電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置お
よびその信頼性評価プログラムを記録した媒体を提供す
ることである。
正確に求めることで、信頼性をより簡単で正確に評価で
きる電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置お
よびその信頼性評価プログラムを記録した媒体を提供す
ることである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、互いに構造ま
たは材料の異なる複数の電子機器のうちの特定の電子機
器を周期的温度条件下にさらす温度サイクル試験によっ
て、前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊される寿命
サイクル数を測定する工程と、前記周期的温度条件下の
前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊されるまでに発
生する歪みの振幅を求める工程と、前記特定の電子機器
の寿命サイクル数および歪みの振幅に基づいて、前記複
数の電子機器のうちの全てに対して成立する寿命サイク
ル数と歪みの振幅との間の寿命歪み関係式を算出する工
程と、前記複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対
する前記周期的温度条件下の熱応力シミュレーションに
よって、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊される
までの歪みの振幅を算出する工程と、前記寿命歪み関係
式に前記任意の電子機器の歪みの振幅を代入して、前記
任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程とを含
むことを特徴とする電子機器の信頼性評価方法である。
たは材料の異なる複数の電子機器のうちの特定の電子機
器を周期的温度条件下にさらす温度サイクル試験によっ
て、前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊される寿命
サイクル数を測定する工程と、前記周期的温度条件下の
前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊されるまでに発
生する歪みの振幅を求める工程と、前記特定の電子機器
の寿命サイクル数および歪みの振幅に基づいて、前記複
数の電子機器のうちの全てに対して成立する寿命サイク
ル数と歪みの振幅との間の寿命歪み関係式を算出する工
程と、前記複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対
する前記周期的温度条件下の熱応力シミュレーションに
よって、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊される
までの歪みの振幅を算出する工程と、前記寿命歪み関係
式に前記任意の電子機器の歪みの振幅を代入して、前記
任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程とを含
むことを特徴とする電子機器の信頼性評価方法である。
【００１１】本発明に従えば、温度サイクル試験によっ
て特定の電子機器の寿命サイクル数を測定し、特定の電
子機器が寿命に達するまでの歪みの振幅を求める。特定
の電子機器の寿命サイクル数および歪みの振幅に基づい
て、全ての電子機器に普遍な寿命歪み関係式を算出す
る。寿命歪み関係式は、全ての電子機器の寿命サイクル
数および歪みの振幅に対して成立する。一方、熱応力シ
ミュレーションによって任意の電子機器の歪みの振幅を
算出する。寿命歪み関係式に、任意の電子機器の歪みの
振幅を代入することで、任意の電子機器の寿命サイクル
数を算出する。
て特定の電子機器の寿命サイクル数を測定し、特定の電
子機器が寿命に達するまでの歪みの振幅を求める。特定
の電子機器の寿命サイクル数および歪みの振幅に基づい
て、全ての電子機器に普遍な寿命歪み関係式を算出す
る。寿命歪み関係式は、全ての電子機器の寿命サイクル
数および歪みの振幅に対して成立する。一方、熱応力シ
ミュレーションによって任意の電子機器の歪みの振幅を
算出する。寿命歪み関係式に、任意の電子機器の歪みの
振幅を代入することで、任意の電子機器の寿命サイクル
数を算出する。
【００１２】なお、特定の電子機器の歪みの振幅は、温
度サイクル試験を行うときに寿命サイクル数とともに計
測されてもよいし、任意の電子機器の歪みの振幅を算出
するときのように、熱応力シミュレーションを用いて算
出されてもよい。熱応力シミュレーションでは、電子機
器の構造または材料に基づく計算によって、時間的およ
び空間的な応力分布、歪み分布が得られる。歪みの振幅
は、歪み分布を統計処理することによって得られる。
度サイクル試験を行うときに寿命サイクル数とともに計
測されてもよいし、任意の電子機器の歪みの振幅を算出
するときのように、熱応力シミュレーションを用いて算
出されてもよい。熱応力シミュレーションでは、電子機
器の構造または材料に基づく計算によって、時間的およ
び空間的な応力分布、歪み分布が得られる。歪みの振幅
は、歪み分布を統計処理することによって得られる。
【００１３】このように実物の電子機器に対する温度サ
イクル試験と、電子機器の解析モデルに対する熱応力シ
ミュレーションとを組合せるので、破壊の時期をより正
確に特定できるとともに、全部の解析モデルに対応する
実物の電子機器を試作する必要が無い。よって、電子機
器の寿命サイクル数を簡単で正確に求めることができ、
電子機器の信頼性を簡単で正確に評価することができ
る。
イクル試験と、電子機器の解析モデルに対する熱応力シ
ミュレーションとを組合せるので、破壊の時期をより正
確に特定できるとともに、全部の解析モデルに対応する
実物の電子機器を試作する必要が無い。よって、電子機
器の寿命サイクル数を簡単で正確に求めることができ、
電子機器の信頼性を簡単で正確に評価することができ
る。
【００１４】また本発明は、前記特定の電子機器の歪み
の振幅を求める工程では、弾性歪みと塑性歪みとクリー
プ歪みとの和である全歪みを求め、前記寿命歪み関係式
を算出する工程では、寿命サイクル数と全歪みとの間の
寿命歪み関係式を算出し、前記任意の電子機器の歪みの
振幅を算出する工程では、応力と弾性歪みとの関係を表
す弾性歪み情報、応力と塑性歪みとの関係を表す塑性歪
み情報、および応力とクリープ歪みとの関係を表すクリ
ープ歪み情報に基づいて、全歪みの振幅を算出し、前記
任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程では、
前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の全歪みの振
幅を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を
算出することを特徴とする。
の振幅を求める工程では、弾性歪みと塑性歪みとクリー
プ歪みとの和である全歪みを求め、前記寿命歪み関係式
を算出する工程では、寿命サイクル数と全歪みとの間の
寿命歪み関係式を算出し、前記任意の電子機器の歪みの
振幅を算出する工程では、応力と弾性歪みとの関係を表
す弾性歪み情報、応力と塑性歪みとの関係を表す塑性歪
み情報、および応力とクリープ歪みとの関係を表すクリ
ープ歪み情報に基づいて、全歪みの振幅を算出し、前記
任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程では、
前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の全歪みの振
幅を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を
算出することを特徴とする。
【００１５】本発明に従えば、弾性歪み、塑性歪みおよ
びクリープ歪みの和である全歪みを取扱うので、あらゆ
る種類の歪みを統合して解析することができ、正確な歪
みの解析が可能である。よって、正確に寿命サイクル数
を求めることができ、より正確に電子機器の信頼性を評
価できる。
びクリープ歪みの和である全歪みを取扱うので、あらゆ
る種類の歪みを統合して解析することができ、正確な歪
みの解析が可能である。よって、正確に寿命サイクル数
を求めることができ、より正確に電子機器の信頼性を評
価できる。
【００１６】また本発明は、前記特定の電子機器の歪み
の振幅を求める工程では、塑性歪みとクリープ歪みとの
和である非弾性歪みを算出し、前記寿命歪み関係式を算
出する工程では、寿命サイクル数と非弾性歪みの振幅と
の間の寿命歪み関係式を算出し、前記任意の電子機器の
歪みの振幅を算出する工程では、応力と塑性歪みとの関
係を表す塑性歪み情報、および応力とクリープ歪みとの
関係を表すクリープ歪み情報に基づいて、非弾性歪みの
振幅を算出し、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を
算出する工程では、前記寿命歪み関係式に前記任意の電
子機器の非弾性歪みの振幅を代入して、前記任意の電子
機器の寿命サイクル数を算出することを特徴とする。
の振幅を求める工程では、塑性歪みとクリープ歪みとの
和である非弾性歪みを算出し、前記寿命歪み関係式を算
出する工程では、寿命サイクル数と非弾性歪みの振幅と
の間の寿命歪み関係式を算出し、前記任意の電子機器の
歪みの振幅を算出する工程では、応力と塑性歪みとの関
係を表す塑性歪み情報、および応力とクリープ歪みとの
関係を表すクリープ歪み情報に基づいて、非弾性歪みの
振幅を算出し、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を
算出する工程では、前記寿命歪み関係式に前記任意の電
子機器の非弾性歪みの振幅を代入して、前記任意の電子
機器の寿命サイクル数を算出することを特徴とする。
【００１７】本発明に従えば、弾性歪み、塑性歪みおよ
びクリープ歪みのうちで、塑性歪みおよびクリープ歪み
だけの和である非弾性歪みを取扱うので、寿命歪み関係
式が比較的簡単なものとなり、それに伴って、寿命歪み
関係式を算出する工程、および寿命歪み関係式から寿命
サイクル数を算出する工程での計算が簡略化される。よ
って、さらに簡単に寿命サイクル数を求めることがで
き、電子機器の信頼性をさらに簡単に評価することがで
きる。
びクリープ歪みのうちで、塑性歪みおよびクリープ歪み
だけの和である非弾性歪みを取扱うので、寿命歪み関係
式が比較的簡単なものとなり、それに伴って、寿命歪み
関係式を算出する工程、および寿命歪み関係式から寿命
サイクル数を算出する工程での計算が簡略化される。よ
って、さらに簡単に寿命サイクル数を求めることがで
き、電子機器の信頼性をさらに簡単に評価することがで
きる。
【００１８】また本発明は、前記周期的温度条件は、時
間Ｔ１継続する温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する温
度Ｋ１よりも高い温度Ｋ２の区間とを繰返す温度条件で
あることを特徴とする。
間Ｔ１継続する温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する温
度Ｋ１よりも高い温度Ｋ２の区間とを繰返す温度条件で
あることを特徴とする。
【００１９】本発明に従えば、周期的温度条件を、時間
Ｔ１継続する温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する温度
Ｋ２の区間とを繰返す単純な温度条件で実現するので、
熱応力シミュレーションによる計算をより簡略化するこ
とができ、電子機器の信頼性をさらに簡単に評価でき
る。
Ｔ１継続する温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する温度
Ｋ２の区間とを繰返す単純な温度条件で実現するので、
熱応力シミュレーションによる計算をより簡略化するこ
とができ、電子機器の信頼性をさらに簡単に評価でき
る。
【００２０】また本発明は、前記任意の電子機器の歪み
の振幅を算出する工程の前に、応力と弾性歪みとの関係
を表す弾性歪み情報、および応力と塑性歪みとの関係を
表す塑性歪み情報に基づいて、温度Ｋ１のときの歪みと
温度Ｋ２のときの歪みとの差を算出する工程をさらに含
み、前記歪みの差が所定の閾値以下であるときに、前記
任意の電子機器の歪みの振幅を算出する工程、および前
記任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程を実
行することを特徴とする。
の振幅を算出する工程の前に、応力と弾性歪みとの関係
を表す弾性歪み情報、および応力と塑性歪みとの関係を
表す塑性歪み情報に基づいて、温度Ｋ１のときの歪みと
温度Ｋ２のときの歪みとの差を算出する工程をさらに含
み、前記歪みの差が所定の閾値以下であるときに、前記
任意の電子機器の歪みの振幅を算出する工程、および前
記任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程を実
行することを特徴とする。
【００２１】本発明に従えば、温度Ｋ１の歪みと温度Ｋ
２の歪みとの差を算出するという簡単な作業だけで、歪
みの振幅の近似値が得られる。よって、歪みの差が大き
い電子機器については、歪みの振幅も大きくなることが
予測される。そこで、歪みの差が小さい電子機器につい
てのみ、熱応力シミュレーションを実行することで、計
算をさらに簡略化でき、電子機器の信頼性をさらに簡単
に評価できる。
２の歪みとの差を算出するという簡単な作業だけで、歪
みの振幅の近似値が得られる。よって、歪みの差が大き
い電子機器については、歪みの振幅も大きくなることが
予測される。そこで、歪みの差が小さい電子機器につい
てのみ、熱応力シミュレーションを実行することで、計
算をさらに簡略化でき、電子機器の信頼性をさらに簡単
に評価できる。
【００２２】また本発明は、互いに構造または材料の異
なる複数の電子機器のうちの特定の電子機器を周期的温
度条件下にさらす温度サイクル試験によって測定され
た、前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊される寿命
サイクル数を入力する入力手段と、前記周期的温度条件
下の前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊されるまで
に発生する歪みの振幅を算出する第１歪み振幅算出手段
と、前記特定の電子機器の寿命サイクル数および歪みの
振幅に基づいて、前記複数の電子機器のうちの全てに対
して成立する寿命サイクル数と歪みの振幅との間の寿命
歪み関係式を算出する寿命歪み関係式算出手段と、前記
複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対する前記周
期的温度条件下の熱応力シミュレーションによって、前
記任意の電子機器の電気伝導体が破壊されるまでの歪み
の振幅を算出する第２歪み振幅算出手段と、前記寿命歪
み関係式に前記任意の電子機器の歪みの振幅を代入し
て、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する寿
命サイクル数算出手段とを含むことを特徴とする電子機
器の信頼性評価装置である。
なる複数の電子機器のうちの特定の電子機器を周期的温
度条件下にさらす温度サイクル試験によって測定され
た、前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊される寿命
サイクル数を入力する入力手段と、前記周期的温度条件
下の前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊されるまで
に発生する歪みの振幅を算出する第１歪み振幅算出手段
と、前記特定の電子機器の寿命サイクル数および歪みの
振幅に基づいて、前記複数の電子機器のうちの全てに対
して成立する寿命サイクル数と歪みの振幅との間の寿命
歪み関係式を算出する寿命歪み関係式算出手段と、前記
複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対する前記周
期的温度条件下の熱応力シミュレーションによって、前
記任意の電子機器の電気伝導体が破壊されるまでの歪み
の振幅を算出する第２歪み振幅算出手段と、前記寿命歪
み関係式に前記任意の電子機器の歪みの振幅を代入し
て、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する寿
命サイクル数算出手段とを含むことを特徴とする電子機
器の信頼性評価装置である。
【００２３】本発明に従えば、操作者は、特定の電子機
器に対して温度サイクル試験を行い、特定の電子機器の
寿命サイクル数を測定して入力手段に入力する。寿命歪
み関係算出手段は、入力された特定の電子機器の寿命サ
イクル数、および第１歪み振幅算出手段によって算出さ
れた特定の電子機器の歪みの振幅に基づいて、全ての電
子機器に普遍な寿命歪み関係式を算出する。第２歪み振
幅算出手段は、任意の電子機器に対して熱応力シミュレ
ーションを行い、任意の電子機器の歪みの振幅を算出す
る。寿命サイクル数算出手段は、寿命歪み関係式に任意
の電子機器の歪みの振幅を代入して、任意の電子機器の
寿命サイクル数を算出する。
器に対して温度サイクル試験を行い、特定の電子機器の
寿命サイクル数を測定して入力手段に入力する。寿命歪
み関係算出手段は、入力された特定の電子機器の寿命サ
イクル数、および第１歪み振幅算出手段によって算出さ
れた特定の電子機器の歪みの振幅に基づいて、全ての電
子機器に普遍な寿命歪み関係式を算出する。第２歪み振
幅算出手段は、任意の電子機器に対して熱応力シミュレ
ーションを行い、任意の電子機器の歪みの振幅を算出す
る。寿命サイクル数算出手段は、寿命歪み関係式に任意
の電子機器の歪みの振幅を代入して、任意の電子機器の
寿命サイクル数を算出する。
【００２４】このように実物の電子機器に対する温度サ
イクル試験と、電子機器の解析モデルに対する熱応力シ
ミュレーションとを組合せるので、任意の電子機器の寿
命サイクル数をより簡単で正確に求めることができ、電
子機器の信頼性をより簡単で正確に評価することができ
る。
イクル試験と、電子機器の解析モデルに対する熱応力シ
ミュレーションとを組合せるので、任意の電子機器の寿
命サイクル数をより簡単で正確に求めることができ、電
子機器の信頼性をより簡単で正確に評価することができ
る。
【００２５】また本発明は、コンピュータによって電子
機器の信頼性を評価するためのプログラムを記録した媒
体であって、互いに構造または材料の異なる複数の電子
機器のうちの特定の電子機器の電気伝導体が周期的温度
条件下において破壊されるまでに発生する歪みの振幅を
算出させ、前記特定の電子機器を周期的温度条件下にさ
らす温度サイクル試験によって測定されて入力された、
前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊される寿命サイ
クル数、および前記特定の電子機器の歪みの振幅に基づ
いて、前記複数の電子機器のうちの全てに対して成立す
る寿命サイクル数と歪みの振幅との間の寿命歪み関係式
を算出させ、前記複数の電子機器のうちの任意の電子機
器に対する前記周期的温度条件下の熱応力シミュレーシ
ョンによって、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊
されるまでの歪みの振幅を算出させ、前記寿命歪み関係
式に前記任意の電子機器の歪みの振幅を代入して、前記
任意の電子機器の寿命サイクル数を算出させることを特
徴とする電子機器の信頼性評価プログラムを記録した媒
体である。
機器の信頼性を評価するためのプログラムを記録した媒
体であって、互いに構造または材料の異なる複数の電子
機器のうちの特定の電子機器の電気伝導体が周期的温度
条件下において破壊されるまでに発生する歪みの振幅を
算出させ、前記特定の電子機器を周期的温度条件下にさ
らす温度サイクル試験によって測定されて入力された、
前記特定の電子機器の電気伝導体が破壊される寿命サイ
クル数、および前記特定の電子機器の歪みの振幅に基づ
いて、前記複数の電子機器のうちの全てに対して成立す
る寿命サイクル数と歪みの振幅との間の寿命歪み関係式
を算出させ、前記複数の電子機器のうちの任意の電子機
器に対する前記周期的温度条件下の熱応力シミュレーシ
ョンによって、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊
されるまでの歪みの振幅を算出させ、前記寿命歪み関係
式に前記任意の電子機器の歪みの振幅を代入して、前記
任意の電子機器の寿命サイクル数を算出させることを特
徴とする電子機器の信頼性評価プログラムを記録した媒
体である。
【００２６】本発明に従えば、操作者は、特定の電子機
器に対して温度サイクル試験を行い、特定の電子機器の
寿命サイクル数を測定して、コンピュータに入力する。
コンピュータは、媒体に記録されたプログラムに従っ
て、以下の処理を行う。まず、特定の電子機器の歪みの
振幅を算出する。また、入力された特定の電子機器の寿
命サイクル数、および特定の電子機器の歪みの振幅に基
づいて、全ての電子機器に普遍な寿命歪み関係式を算出
する。また、任意の電子機器に対して熱応力シミュレー
ションを行い、任意の電子機器の歪みの振幅を算出す
る。また、寿命歪み関係式に任意の電子機器の歪みの振
幅を代入して、任意の電子機器の寿命サイクル数を算出
する。
器に対して温度サイクル試験を行い、特定の電子機器の
寿命サイクル数を測定して、コンピュータに入力する。
コンピュータは、媒体に記録されたプログラムに従っ
て、以下の処理を行う。まず、特定の電子機器の歪みの
振幅を算出する。また、入力された特定の電子機器の寿
命サイクル数、および特定の電子機器の歪みの振幅に基
づいて、全ての電子機器に普遍な寿命歪み関係式を算出
する。また、任意の電子機器に対して熱応力シミュレー
ションを行い、任意の電子機器の歪みの振幅を算出す
る。また、寿命歪み関係式に任意の電子機器の歪みの振
幅を代入して、任意の電子機器の寿命サイクル数を算出
する。
【００２７】このように実物の電子機器に対する温度サ
イクル試験と、電子機器の解析モデルに対する熱応力シ
ミュレーションとを組合せるので、任意の電子機器の寿
命サイクル数を簡単で正確に求めることができ、電子機
器の信頼性を簡単で正確に評価することができる。
イクル試験と、電子機器の解析モデルに対する熱応力シ
ミュレーションとを組合せるので、任意の電子機器の寿
命サイクル数を簡単で正確に求めることができ、電子機
器の信頼性を簡単で正確に評価することができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の一形態で
ある信頼性評価方法を段階的に示すフローチャートであ
る。この信頼性評価方法は、互いに構造または材料の異
なる複数のＩＣパッケージのうち、任意のＩＣパッケー
ジに対する信頼性を評価する方法である。ＩＣパッケー
ジの信頼性は、周期的温度条件下にさらされたＩＣパッ
ケージの寿命サイクル数によって示される。寿命サイク
ル数は、ＩＣパッケージが破壊されるまでのサイクル数
であり、寿命サイクル数が大きいほど、信頼性は高い。
ある信頼性評価方法を段階的に示すフローチャートであ
る。この信頼性評価方法は、互いに構造または材料の異
なる複数のＩＣパッケージのうち、任意のＩＣパッケー
ジに対する信頼性を評価する方法である。ＩＣパッケー
ジの信頼性は、周期的温度条件下にさらされたＩＣパッ
ケージの寿命サイクル数によって示される。寿命サイク
ル数は、ＩＣパッケージが破壊されるまでのサイクル数
であり、寿命サイクル数が大きいほど、信頼性は高い。
【００２９】図１のステップａ０において処理を開始す
ると、ステップａ１において、全てのＩＣパッケージに
適用される普遍的な寿命関係式を求める。寿命関係式
は、寿命サイクル数Ｎｆと、ＩＣパッケージが破壊され
るまでの歪み振幅Δεとの間の関係式であり、全てのＩ
Ｃパッケージに対して成立する。歪み振幅Δεは、歪み
の最大値と最小値との差である。次のステップａ２にお
いて、特定のＩＣパッケージの歪み振幅を求め、寿命関
係式に代入する。寿命関係式からは、特定のＩＣパッケ
ージに関する寿命サイクル数が求められる。最後にステ
ップａ４で処理を終了する。
ると、ステップａ１において、全てのＩＣパッケージに
適用される普遍的な寿命関係式を求める。寿命関係式
は、寿命サイクル数Ｎｆと、ＩＣパッケージが破壊され
るまでの歪み振幅Δεとの間の関係式であり、全てのＩ
Ｃパッケージに対して成立する。歪み振幅Δεは、歪み
の最大値と最小値との差である。次のステップａ２にお
いて、特定のＩＣパッケージの歪み振幅を求め、寿命関
係式に代入する。寿命関係式からは、特定のＩＣパッケ
ージに関する寿命サイクル数が求められる。最後にステ
ップａ４で処理を終了する。
【００３０】図２は、図１のステップａ１を詳しく段階
的に示すフローチャートである。ステップｂ０において
処理を開始すると、まずステップｂ１において、特定の
ＩＣパッケージに対して温度サイクル試験を行う。温度
サイクル試験は、特定のＩＣパッケージの実物を周期的
温度条件下にさらす加速試験である。ここでは、特定の
ＩＣパッケージは、少なくとも２個のＩＣパッケージに
対して温度サイクル試験を行う必要がある。温度サイク
ル試験では、ＩＣパッケージが破壊される寿命サイクル
数が測定される。すなわち、少なくとも２個の特定のＩ
Ｃパッケージの寿命サイクル数Ｎｆ１，Ｎｆ２が測定さ
れる。以下、特定のＩＣパッケージに対して、ステップ
ｂ２〜ステップｂ４の処理をそれぞれ実行する。
的に示すフローチャートである。ステップｂ０において
処理を開始すると、まずステップｂ１において、特定の
ＩＣパッケージに対して温度サイクル試験を行う。温度
サイクル試験は、特定のＩＣパッケージの実物を周期的
温度条件下にさらす加速試験である。ここでは、特定の
ＩＣパッケージは、少なくとも２個のＩＣパッケージに
対して温度サイクル試験を行う必要がある。温度サイク
ル試験では、ＩＣパッケージが破壊される寿命サイクル
数が測定される。すなわち、少なくとも２個の特定のＩ
Ｃパッケージの寿命サイクル数Ｎｆ１，Ｎｆ２が測定さ
れる。以下、特定のＩＣパッケージに対して、ステップ
ｂ２〜ステップｂ４の処理をそれぞれ実行する。
【００３１】ステップｂ２において、ＣＡＤ（Computer
Aided Design）のプリプロセッサ機能などを用いて、
温度サイクル試験に使用した特定のＩＣパッケージの解
析モデルを作成する。解析モデルは、ＩＣパッケージの
設計図を簡略化して作成した３次元の解析モデルであ
る。次に解析モデルに対して、これを細分した６面体メ
ッシュを設定し、ＩＣパッケージの対称性に合わせてス
ライド条件などの境界条件を設定する。
Aided Design）のプリプロセッサ機能などを用いて、
温度サイクル試験に使用した特定のＩＣパッケージの解
析モデルを作成する。解析モデルは、ＩＣパッケージの
設計図を簡略化して作成した３次元の解析モデルであ
る。次に解析モデルに対して、これを細分した６面体メ
ッシュを設定し、ＩＣパッケージの対称性に合わせてス
ライド条件などの境界条件を設定する。
【００３２】次に、ＩＣパッケージを構成する各部材の
物性情報、および温度サイクル試験の結果として寿命サ
イクル数Ｎｆ１，Ｎｆ２を与える。物性情報は、熱応力
情報、弾性歪み情報、塑性歪み情報およびクリープ歪み
情報から成る。熱応力情報は、温度と応力との関係を表
す熱線膨張係数などである。弾性歪み情報は、応力と弾
性歪みとの関係を表すヤング率およびポアソン比などで
ある。塑性歪み情報は、応力と塑性歪みとの関係を表す
加工硬化係数および降伏応力値などである。クリープ歪
み情報は、応力とクリープ歪みとの関係を表すNorton則
などである。与えられた物性情報は、解析モデルを構成
する各部材に対応させてテーブル管理される。
物性情報、および温度サイクル試験の結果として寿命サ
イクル数Ｎｆ１，Ｎｆ２を与える。物性情報は、熱応力
情報、弾性歪み情報、塑性歪み情報およびクリープ歪み
情報から成る。熱応力情報は、温度と応力との関係を表
す熱線膨張係数などである。弾性歪み情報は、応力と弾
性歪みとの関係を表すヤング率およびポアソン比などで
ある。塑性歪み情報は、応力と塑性歪みとの関係を表す
加工硬化係数および降伏応力値などである。クリープ歪
み情報は、応力とクリープ歪みとの関係を表すNorton則
などである。与えられた物性情報は、解析モデルを構成
する各部材に対応させてテーブル管理される。
【００３３】次にステップｂ３において、所定の周期的
温度条件下で、与えられた物性情報および解析モデルに
基づいて、温度サイクルシミュレーションを実行して、
時間的空間的な歪み分布を算出する。このときの温度サ
イクルシミュレーションは、開始から数サイクルの時間
が経過した後に終了する。また、歪み分布は、弾性歪
み、塑性歪みおよびクリープ歪みの和である全歪みの分
布でもよいし、塑性歪みおよびクリープ歪みの和である
非弾性歪みの分布でもよい。
温度条件下で、与えられた物性情報および解析モデルに
基づいて、温度サイクルシミュレーションを実行して、
時間的空間的な歪み分布を算出する。このときの温度サ
イクルシミュレーションは、開始から数サイクルの時間
が経過した後に終了する。また、歪み分布は、弾性歪
み、塑性歪みおよびクリープ歪みの和である全歪みの分
布でもよいし、塑性歪みおよびクリープ歪みの和である
非弾性歪みの分布でもよい。
【００３４】次にステップｂ４では、温度サイクル試験
において破壊が発生したメッシュの非弾性歪みのデー
タ、すなわち時間的な歪みの分布から歪みの振幅を算出
する。少なくとも２個のＩＣパッケージの歪み振幅Δε
１，Δε２が算出される。
において破壊が発生したメッシュの非弾性歪みのデー
タ、すなわち時間的な歪みの分布から歪みの振幅を算出
する。少なくとも２個のＩＣパッケージの歪み振幅Δε
１，Δε２が算出される。
【００３５】なお、温度サイクルシミュレーションの開
始から数サイクルの時間が経過すると、それ以降は歪み
振幅はほとんど変動しないので、ステップｂ３の温度サ
イクルシミュレーションを開始から数サイクルの時間が
経過した後に終了することで、計算の実行時間を大幅に
短縮することができ、しかも歪み振幅の精度を低下させ
ることがない。
始から数サイクルの時間が経過すると、それ以降は歪み
振幅はほとんど変動しないので、ステップｂ３の温度サ
イクルシミュレーションを開始から数サイクルの時間が
経過した後に終了することで、計算の実行時間を大幅に
短縮することができ、しかも歪み振幅の精度を低下させ
ることがない。
【００３６】次にステップｂ５において、寿命サイクル
数Ｎｆと歪み振幅Δεとの間のCoffin-Manson則に従う
寿命関係式（１）に、求められた（Ｎｆ１，Ｎｆ２）と
（Δε１，Δε２）とを代入して、定数ａ，ｂの連立方
程式を得る。これを解いて定数ａ，ｂを求めることで、
あらゆるＩＣパッケージに対する寿命サイクル数Ｎｆお
よび歪み振幅Δεの寿命関係式（１）を完成することが
できる。次のステップｂ６において、処理を終了する。
数Ｎｆと歪み振幅Δεとの間のCoffin-Manson則に従う
寿命関係式（１）に、求められた（Ｎｆ１，Ｎｆ２）と
（Δε１，Δε２）とを代入して、定数ａ，ｂの連立方
程式を得る。これを解いて定数ａ，ｂを求めることで、
あらゆるＩＣパッケージに対する寿命サイクル数Ｎｆお
よび歪み振幅Δεの寿命関係式（１）を完成することが
できる。次のステップｂ６において、処理を終了する。
【００３７】 Ｎｆ ＝ ａ（Δε）b …（１） なお、３個以上のＩＣパッケージに対して、歪み振幅と
寿命サイクル数とをそれぞれ求めた場合は、最小２乗法
などによって最適な定数ａ，ｂを求めることができる。
寿命サイクル数とをそれぞれ求めた場合は、最小２乗法
などによって最適な定数ａ，ｂを求めることができる。
【００３８】図３は、図１のステップａ２を詳しく段階
的に示すフローチャートである。ステップｃ０において
処理を開始すると、次のステップｃ１において、複数の
ＩＣパッケージの中から任意のＩＣパッケージを選択す
る。任意のＩＣパッケージに対して、図２のステップｂ
２と同様に、解析モデルを作成して、物性情報などを与
える。なお、解析モデルが作成できるならば、この解析
モデルに対応する実物のＩＣパッケージは、作成されて
なくてもよい。また、物性情報には、クリープ歪み情報
は含まれなくてもよい。
的に示すフローチャートである。ステップｃ０において
処理を開始すると、次のステップｃ１において、複数の
ＩＣパッケージの中から任意のＩＣパッケージを選択す
る。任意のＩＣパッケージに対して、図２のステップｂ
２と同様に、解析モデルを作成して、物性情報などを与
える。なお、解析モデルが作成できるならば、この解析
モデルに対応する実物のＩＣパッケージは、作成されて
なくてもよい。また、物性情報には、クリープ歪み情報
は含まれなくてもよい。
【００３９】次のステップｃ２において、温度変化シミ
ュレーションを実行するか否かを選択する。実行する方
を選択したときは、ステップｃ３に進んで、温度変化シ
ミュレーションを実行し、実行しない方を選択したとき
は、ステップｃ６以降の温度サイクルシミュレーション
に進む。温度変化シミュレーションでは、温度Ｋ１のと
きの歪みと温度Ｋ２のときの歪みとの差を求める。温度
Ｋ１は、図２の温度サイクル試験に使用した温度条件の
最小値であり、温度Ｋ２は、図２の温度サイクル試験に
使用した温度条件の最大値である。また上記温度変化シ
ミュレーションへの温度条件としてリフロー時の温度条
件を入力してもよい。
ュレーションを実行するか否かを選択する。実行する方
を選択したときは、ステップｃ３に進んで、温度変化シ
ミュレーションを実行し、実行しない方を選択したとき
は、ステップｃ６以降の温度サイクルシミュレーション
に進む。温度変化シミュレーションでは、温度Ｋ１のと
きの歪みと温度Ｋ２のときの歪みとの差を求める。温度
Ｋ１は、図２の温度サイクル試験に使用した温度条件の
最小値であり、温度Ｋ２は、図２の温度サイクル試験に
使用した温度条件の最大値である。また上記温度変化シ
ミュレーションへの温度条件としてリフロー時の温度条
件を入力してもよい。
【００４０】次のステップｃ４において、温度変化シミ
ュレーションによって算出された任意のＩＣパッケージ
の歪みの差を評価する。すなわち、歪みの差を所定の閾
値と比較する。このとき、ＣＡＤのポストプロセッサ機
能などを用いて、リフロー半田付けなどによって発生す
る熱応力、これに伴う歪みの分布を表示してもよい。次
のステップｃ５において、歪みの差の評価に基づいて、
温度サイクルシミュレーションを実行するか否かを選択
する。温度変化シミュレーションにおいて歪みの差が所
定の閾値未満である場合、温度サイクルシミュレーショ
ンを実行しない方を選択して、ステップｃ９で処理を終
了する。一方、歪みの差が所定の閾値よりも大きい場
合、温度サイクルシミュレーションを実行する方を選択
して、ステップｃ６に進む。
ュレーションによって算出された任意のＩＣパッケージ
の歪みの差を評価する。すなわち、歪みの差を所定の閾
値と比較する。このとき、ＣＡＤのポストプロセッサ機
能などを用いて、リフロー半田付けなどによって発生す
る熱応力、これに伴う歪みの分布を表示してもよい。次
のステップｃ５において、歪みの差の評価に基づいて、
温度サイクルシミュレーションを実行するか否かを選択
する。温度変化シミュレーションにおいて歪みの差が所
定の閾値未満である場合、温度サイクルシミュレーショ
ンを実行しない方を選択して、ステップｃ９で処理を終
了する。一方、歪みの差が所定の閾値よりも大きい場
合、温度サイクルシミュレーションを実行する方を選択
して、ステップｃ６に進む。
【００４１】ステップｃ６では、温度サイクルシミュレ
ーションに使用される物性情報などのデータを追加す
る。温度変化シミュレーションにおいて使用しないクリ
ープ歪み情報などは、このときに追加すればよい。次に
ステップｃ７において、温度サイクルシミュレーション
を実行する。この温度サイクルシミュレーションは、図
２のステップｂ３と同様の周期的温度条件下において、
ステップｃ３で使用した解析モデルに対して行う熱応力
シミュレーションである。温度サイクルシミュレーショ
ンによって、任意のＩＣパッケージの解析モデルに対す
る歪みの分布が算出される。次のステップｃ８におい
て、解析モデルの歪み分布から歪み振幅Δε０を算出
し、Δε０を寿命関係式（１）のΔεに代入してＮｆを
求める。Δε＝Δε０のときのＮｆをＮｆ０とすると、
任意のＩＣパッケージの解析モデルに対するの寿命サイ
クル数Ｎｆ０が求められる。最後に、ステップｃ９にお
いて処理を終了する。
ーションに使用される物性情報などのデータを追加す
る。温度変化シミュレーションにおいて使用しないクリ
ープ歪み情報などは、このときに追加すればよい。次に
ステップｃ７において、温度サイクルシミュレーション
を実行する。この温度サイクルシミュレーションは、図
２のステップｂ３と同様の周期的温度条件下において、
ステップｃ３で使用した解析モデルに対して行う熱応力
シミュレーションである。温度サイクルシミュレーショ
ンによって、任意のＩＣパッケージの解析モデルに対す
る歪みの分布が算出される。次のステップｃ８におい
て、解析モデルの歪み分布から歪み振幅Δε０を算出
し、Δε０を寿命関係式（１）のΔεに代入してＮｆを
求める。Δε＝Δε０のときのＮｆをＮｆ０とすると、
任意のＩＣパッケージの解析モデルに対するの寿命サイ
クル数Ｎｆ０が求められる。最後に、ステップｃ９にお
いて処理を終了する。
【００４２】上述のステップｃ１〜ステップｃ５におい
て、温度サイクルシミュレーションによる歪み振幅Δε
の近似値として、温度Ｋ１のときの歪みと温度Ｋ２のと
きの歪みとの差を簡単に得ることができる。さらに、歪
みの差を所定の閾値と比較することで、歪み振幅Δεの
大きいＩＣパッケージについては、信頼性が低いことが
判るので、温度サイクルシミュレーションを行う必要が
無い。なお、ステップｃ１〜ステップｃ５は、省略可能
である。
て、温度サイクルシミュレーションによる歪み振幅Δε
の近似値として、温度Ｋ１のときの歪みと温度Ｋ２のと
きの歪みとの差を簡単に得ることができる。さらに、歪
みの差を所定の閾値と比較することで、歪み振幅Δεの
大きいＩＣパッケージについては、信頼性が低いことが
判るので、温度サイクルシミュレーションを行う必要が
無い。なお、ステップｃ１〜ステップｃ５は、省略可能
である。
【００４３】図４は、図１の信頼性評価の対象物の一例
としてＩＣパッケージ２０の構造を示す断面図である。
ＩＣパッケージ２０は、ＩＣチップ２１およびプリント
基板２２を備えたＣＳＰである。ＩＣチップ２１の表面
は、エポキシ樹脂などのモールド層２３によって覆われ
る。ＩＣチップ２１の裏面には、接着剤によって、鉛ま
たは錫などの半田材料から成る複数のバンプ２４と、ポ
リイミドから成るテープ２５とが接着されている。接着
剤は、導電性の粒子を含んだ樹脂から成り、塗布されて
異方性導電膜２６を構成する。異方性導電膜２６は、Ｉ
Ｃチップ２１と各バンプ２４とを電気的に導通させ、バ
ンプ２４同士を絶縁させている。テープ２５は、バンプ
２４同士の間に介在することで、バンプ２４同士を電気
的に絶縁させている。バンプ２４は、プリント基板２２
の表面に形成されたボンディングパッド２７にも接着し
ており、ＩＣチップ２１とプリント基板２２とを物理的
および電気的に接続している。
としてＩＣパッケージ２０の構造を示す断面図である。
ＩＣパッケージ２０は、ＩＣチップ２１およびプリント
基板２２を備えたＣＳＰである。ＩＣチップ２１の表面
は、エポキシ樹脂などのモールド層２３によって覆われ
る。ＩＣチップ２１の裏面には、接着剤によって、鉛ま
たは錫などの半田材料から成る複数のバンプ２４と、ポ
リイミドから成るテープ２５とが接着されている。接着
剤は、導電性の粒子を含んだ樹脂から成り、塗布されて
異方性導電膜２６を構成する。異方性導電膜２６は、Ｉ
Ｃチップ２１と各バンプ２４とを電気的に導通させ、バ
ンプ２４同士を絶縁させている。テープ２５は、バンプ
２４同士の間に介在することで、バンプ２４同士を電気
的に絶縁させている。バンプ２４は、プリント基板２２
の表面に形成されたボンディングパッド２７にも接着し
ており、ＩＣチップ２１とプリント基板２２とを物理的
および電気的に接続している。
【００４４】ＩＣパッケージ２０の破壊は、バンプ２４
に発生する亀裂または破断によって生じる。破壊の時期
は、バンプ２４に亀裂が生じた時期、バンプ２４に入っ
た亀裂が所定長まで成長した時期、またはバンプ２４が
破断した時期など、ＩＣパッケージ２０が予め定められ
た破壊状態に至った時期である。
に発生する亀裂または破断によって生じる。破壊の時期
は、バンプ２４に亀裂が生じた時期、バンプ２４に入っ
た亀裂が所定長まで成長した時期、またはバンプ２４が
破断した時期など、ＩＣパッケージ２０が予め定められ
た破壊状態に至った時期である。
【００４５】図５は、図１の信頼性評価に使用する周期
的温度条件の一例を示すグラフである。グラフの横軸は
時間を示し、縦軸は温度を示し、グラフには１サイクル
の温度だけが示される。１サイクルは、温度降下部３
１、温度保持部３２、温度上昇部３３および温度保持部
３４をこの順に繋いで構成される。温度保持部３２は、
一定の温度Ｋ１を時間Ｔ１だけ継続して保持する。温度
保持部３４は、温度Ｋ１よりも高い一定の温度Ｋ２を時
間Ｔ２だけ継続して保持する。温度降下部３１は、温度
Ｋ２から一定の降下速度Ｖ１で温度Ｋ１まで降下する。
温度上昇部３３は、温度Ｋ１から一定の上昇速度Ｖ２で
温度Ｋ２まで上昇する。周期的温度条件は、このような
１サイクルの温度条件を繰返したものである。
的温度条件の一例を示すグラフである。グラフの横軸は
時間を示し、縦軸は温度を示し、グラフには１サイクル
の温度だけが示される。１サイクルは、温度降下部３
１、温度保持部３２、温度上昇部３３および温度保持部
３４をこの順に繋いで構成される。温度保持部３２は、
一定の温度Ｋ１を時間Ｔ１だけ継続して保持する。温度
保持部３４は、温度Ｋ１よりも高い一定の温度Ｋ２を時
間Ｔ２だけ継続して保持する。温度降下部３１は、温度
Ｋ２から一定の降下速度Ｖ１で温度Ｋ１まで降下する。
温度上昇部３３は、温度Ｋ１から一定の上昇速度Ｖ２で
温度Ｋ２まで上昇する。周期的温度条件は、このような
１サイクルの温度条件を繰返したものである。
【００４６】図５に示すように、温度保持部３２と温度
保持部３４とを繰返す単純な周期的温度条件を用いるこ
とで、熱応力シミュレーションに伴う計算を簡略化する
ことができる。
保持部３４とを繰返す単純な周期的温度条件を用いるこ
とで、熱応力シミュレーションに伴う計算を簡略化する
ことができる。
【００４７】図６は、図１の信頼性評価に用いられる信
頼性評価装置４０の構成を示すブロック図である。信頼
性評価装置４０は、物性情報データベース４１、解析モ
デルデータベース４２、解析結果データベース４３、寿
命関係式作成装置４４および寿命サイクル数算出装置４
５を備える。物性情報データベース４１は、評価対象と
なるＩＣパッケージ２０などの物性情報を格納する。解
析モデルデータベース４２は、ＩＣパッケージの解析モ
デル、たとえば形状または各部材の組合せ方などの情報
を格納する。解析結果データベース４３は、評価対象に
対する解析結果を格納する。
頼性評価装置４０の構成を示すブロック図である。信頼
性評価装置４０は、物性情報データベース４１、解析モ
デルデータベース４２、解析結果データベース４３、寿
命関係式作成装置４４および寿命サイクル数算出装置４
５を備える。物性情報データベース４１は、評価対象と
なるＩＣパッケージ２０などの物性情報を格納する。解
析モデルデータベース４２は、ＩＣパッケージの解析モ
デル、たとえば形状または各部材の組合せ方などの情報
を格納する。解析結果データベース４３は、評価対象に
対する解析結果を格納する。
【００４８】寿命関係式作成装置４４は、物性情報デー
タベース４１および解析モデルデータベース４２の情報
を用いて、寿命関係式を作成する。寿命サイクル数算出
装置４５は、作成された寿命関係式と、解析結果データ
ベース４３の情報とを用いて寿命サイクル数を算出す
る。
タベース４１および解析モデルデータベース４２の情報
を用いて、寿命関係式を作成する。寿命サイクル数算出
装置４５は、作成された寿命関係式と、解析結果データ
ベース４３の情報とを用いて寿命サイクル数を算出す
る。
【００４９】図７は、図６の寿命関係式作成装置４４の
構成を詳しく示すブロック図である。寿命関係作成装置
４４は、解析モデル作成部１、入力部２、熱応力シミュ
レーション実行部３、解析結果評価部４、寿命関係式作
成部５、出力部６および制御部７を備える。
構成を詳しく示すブロック図である。寿命関係作成装置
４４は、解析モデル作成部１、入力部２、熱応力シミュ
レーション実行部３、解析結果評価部４、寿命関係式作
成部５、出力部６および制御部７を備える。
【００５０】解析モデル作成部１は、寿命関係式（１）
を求めるために使用されるサンプルとしてのＩＣパッケ
ージの解析モデルを作成する。入力部２は、操作者がサ
ンプルのＩＣパッケージの物性情報、および温度サイク
ル試験の結果として寿命サイクル数Ｎｆ１，Ｎｆ２を入
力するための入力装置、たとえばキーボードなどであ
る。
を求めるために使用されるサンプルとしてのＩＣパッケ
ージの解析モデルを作成する。入力部２は、操作者がサ
ンプルのＩＣパッケージの物性情報、および温度サイク
ル試験の結果として寿命サイクル数Ｎｆ１，Ｎｆ２を入
力するための入力装置、たとえばキーボードなどであ
る。
【００５１】熱応力シミュレーション実行部３は、解析
モデルデータベース４２の解析モデルに対して、物性値
に基づいて熱応力シミュレーションを実行する。解析結
果評価部４は、熱応力シミュレーションによる解析結果
を評価する。寿命関係式作成部５は、温度サイクル試験
の結果と熱応力シミュレーションの解析結果とから寿命
関係式を作成する。出力部６は、入力内容、解析結果、
評価結果、作成された寿命関係式などを表示する表示装
置である。
モデルデータベース４２の解析モデルに対して、物性値
に基づいて熱応力シミュレーションを実行する。解析結
果評価部４は、熱応力シミュレーションによる解析結果
を評価する。寿命関係式作成部５は、温度サイクル試験
の結果と熱応力シミュレーションの解析結果とから寿命
関係式を作成する。出力部６は、入力内容、解析結果、
評価結果、作成された寿命関係式などを表示する表示装
置である。
【００５２】制御部７は、上記の各構成部間のデータの
流れと動作を制御し、入力部２に入力された物性情報
と、解析モデルを構成する各部材とを対応させてテーブ
ル管理するなどの制御を行う。
流れと動作を制御し、入力部２に入力された物性情報
と、解析モデルを構成する各部材とを対応させてテーブ
ル管理するなどの制御を行う。
【００５３】図８は、図６の寿命サイクル数算出装置４
５の構成を詳しく示すブロック図である。寿命サイクル
数算出装置４５は、解析モデル作成部８、入力部９、熱
応力シミュレーション実行部１０、解析結果評価部１
１、寿命サイクル数算出部１２、出力部１３および制御
部１４を備える。
５の構成を詳しく示すブロック図である。寿命サイクル
数算出装置４５は、解析モデル作成部８、入力部９、熱
応力シミュレーション実行部１０、解析結果評価部１
１、寿命サイクル数算出部１２、出力部１３および制御
部１４を備える。
【００５４】解析モデル作成部８は、最終的に寿命サイ
クル数Ｎｆ０を求めるための新たなＩＣパッケージに対
する解析モデルを作成する。入力部９は、操作者が新た
なＩＣパッケージの物性情報などを入力するための入力
装置である。熱応力シミュレーション実行部１０は、新
たなＩＣパッケージに対する温度変化シミュレーショ
ン、および温度サイクルシミュレーションを実行する。
解析結果評価部１１は、温度変化シミュレーションおよ
び温度サイクルシミュレーションによる解析結果を評価
する。
クル数Ｎｆ０を求めるための新たなＩＣパッケージに対
する解析モデルを作成する。入力部９は、操作者が新た
なＩＣパッケージの物性情報などを入力するための入力
装置である。熱応力シミュレーション実行部１０は、新
たなＩＣパッケージに対する温度変化シミュレーショ
ン、および温度サイクルシミュレーションを実行する。
解析結果評価部１１は、温度変化シミュレーションおよ
び温度サイクルシミュレーションによる解析結果を評価
する。
【００５５】寿命サイクル数算出部１２は、寿命関係式
（１）と温度サイクルシミュレーションによるＩＣパッ
ケージの歪み振幅Δε０とから、ＩＣパッケージの寿命
サイクル数Ｎｆ０を算出する。出力部１３は、入力内
容、解析結果、評価結果、算出された寿命サイクル数Ｎ
ｆ０などを表示する表示装置である。制御部１４は、上
記の各構成部間のデータの流れと動作を制御する。
（１）と温度サイクルシミュレーションによるＩＣパッ
ケージの歪み振幅Δε０とから、ＩＣパッケージの寿命
サイクル数Ｎｆ０を算出する。出力部１３は、入力内
容、解析結果、評価結果、算出された寿命サイクル数Ｎ
ｆ０などを表示する表示装置である。制御部１４は、上
記の各構成部間のデータの流れと動作を制御する。
【００５６】上述のように本実施形態によれば、実物の
ＩＣパッケージに対する温度サイクル試験と、ＩＣパッ
ケージの解析モデルに対する熱応力シミュレーションと
を組合せることで、破壊の時期を正確に特定できるとと
もに、全部の解析モデルに対応する実物のＩＣパッケー
ジを試作する必要が無い。
ＩＣパッケージに対する温度サイクル試験と、ＩＣパッ
ケージの解析モデルに対する熱応力シミュレーションと
を組合せることで、破壊の時期を正確に特定できるとと
もに、全部の解析モデルに対応する実物のＩＣパッケー
ジを試作する必要が無い。
【００５７】なお、上述の実施形態ではＩＣパッケージ
の信頼性評価方法および信頼性評価装置について説明し
たけれども、図１〜図３のフローチャートに示した処理
を実行するプログラムを記録した媒体も本発明に属する
ものである。このような記録媒体から実行プログラムを
読出してコンピュータに実行させることによって、上述
の実施形態で説明した信頼性評価の処理を行うことがで
きる。
の信頼性評価方法および信頼性評価装置について説明し
たけれども、図１〜図３のフローチャートに示した処理
を実行するプログラムを記録した媒体も本発明に属する
ものである。このような記録媒体から実行プログラムを
読出してコンピュータに実行させることによって、上述
の実施形態で説明した信頼性評価の処理を行うことがで
きる。
【００５８】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、実物の電
子機器に対する温度サイクル試験と、電子機器の解析モ
デルに対する熱応力シミュレーションとを組合せること
で、破壊の時期を正確に特定できるとともに、全部の解
析モデルに対応する実物の電子機器を試作する必要が無
い。よって、電子機器の寿命サイクル数を簡単で正確に
求めることができ、電子機器の信頼性を簡単で正確に評
価することができる。
子機器に対する温度サイクル試験と、電子機器の解析モ
デルに対する熱応力シミュレーションとを組合せること
で、破壊の時期を正確に特定できるとともに、全部の解
析モデルに対応する実物の電子機器を試作する必要が無
い。よって、電子機器の寿命サイクル数を簡単で正確に
求めることができ、電子機器の信頼性を簡単で正確に評
価することができる。
【００５９】また本発明によれば、弾性歪み、塑性歪み
およびクリープ歪みの和である全歪みを取扱うことで、
正確に寿命サイクル数を求めることができ、より正確に
電子機器の信頼性を評価できる。
およびクリープ歪みの和である全歪みを取扱うことで、
正確に寿命サイクル数を求めることができ、より正確に
電子機器の信頼性を評価できる。
【００６０】また本発明によれば、弾性歪み、塑性歪み
およびクリープ歪みのうちで、塑性歪みおよびクリープ
歪みだけの和である非弾性歪みを取扱うことで、さらに
簡単に寿命サイクル数を求めることができ、電子機器の
信頼性をさらに簡単に評価することができる。
およびクリープ歪みのうちで、塑性歪みおよびクリープ
歪みだけの和である非弾性歪みを取扱うことで、さらに
簡単に寿命サイクル数を求めることができ、電子機器の
信頼性をさらに簡単に評価することができる。
【００６１】また本発明によれば、周期的温度条件を、
時間Ｔ１継続する温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する
温度Ｋ２の区間とを繰返す単純な温度条件で実現するこ
とで、電子機器の信頼性をさらに簡単に評価できる。
時間Ｔ１継続する温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する
温度Ｋ２の区間とを繰返す単純な温度条件で実現するこ
とで、電子機器の信頼性をさらに簡単に評価できる。
【００６２】また本発明によれば、温度Ｋ１および温度
Ｋ２のときの電子機器の歪みの差を算出するという簡単
な作業を行い、歪みの差が小さい電子機器についてのみ
熱応力シミュレーションを実行することで、電子機器の
信頼性をさらに簡単に評価できる。
Ｋ２のときの電子機器の歪みの差を算出するという簡単
な作業を行い、歪みの差が小さい電子機器についてのみ
熱応力シミュレーションを実行することで、電子機器の
信頼性をさらに簡単に評価できる。
【００６３】また本発明によれば、実物の電子機器に対
する加速試験すなわち温度サイクル試験と、電子機器の
解析モデルに対する熱応力シミュレーションとを組合せ
た信頼性評価装置を提供することで、上記のように、電
子機器の信頼性を簡単で正確に評価することができる。
する加速試験すなわち温度サイクル試験と、電子機器の
解析モデルに対する熱応力シミュレーションとを組合せ
た信頼性評価装置を提供することで、上記のように、電
子機器の信頼性を簡単で正確に評価することができる。
【００６４】また本発明によれば、実物の電子機器に対
する加速試験すなわち温度サイクル試験と、電子機器の
解析モデルに対する熱応力シミュレーションとを組合せ
た信頼性評価プログラムを記録した媒体を提供すること
で、上記のように、電子機器の信頼性を簡単で正確に評
価することができる。
する加速試験すなわち温度サイクル試験と、電子機器の
解析モデルに対する熱応力シミュレーションとを組合せ
た信頼性評価プログラムを記録した媒体を提供すること
で、上記のように、電子機器の信頼性を簡単で正確に評
価することができる。
【図１】本発明の実施の一形態である信頼性評価方法を
段階的に示すフローチャートである。
段階的に示すフローチャートである。
【図２】図１のステップａ１を詳しく段階的に示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図３】図１のステップａ２を詳しく段階的に示すフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図４】図１の信頼性評価の対象物の一例としてＩＣパ
ッケージ２０の構造を示す断面図である。
ッケージ２０の構造を示す断面図である。
【図５】図１の信頼性評価に使用する周期的温度条件の
一例を示すグラフである。
一例を示すグラフである。
【図６】図１の信頼性評価に用いられる信頼性評価装置
４０の構成を示すブロック図である。
４０の構成を示すブロック図である。
【図７】図６の寿命関係式作成装置４４の構成を詳しく
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図８】図６の寿命サイクル数算出装置４５の構成を詳
しく示すブロック図である。
しく示すブロック図である。
１，８ 解析モデル作成部 ２，９ 入力部 ３，１０ 熱応力シミュレーション実行部 ４，１１ 解析結果評価部 ５ 寿命関係式作成部 ６，１３ 出力部 ７，１４ 制御部 １２ 寿命サイクル数算出部 ２０ ＩＣパッケージ ２１ ＩＣチップ ２２ プリント基板 ２４ バンプ ４０ 信頼性評価装置 ４１ 物性情報データベース ４２ 解析モデルデータベース ４３ 解析結果データベース ４４ 寿命関係式作成装置 ４５ 寿命サイクル数算出装置 Ｋ１，Ｋ２ 温度 Ｎｆ，Ｎｆ０，Ｎｆ１，Ｎｆ２ 寿命サイクル数 Ｔ１，Ｔ２ 時間 Δε，Δε０，Δε１，Δε２ 歪み振幅
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに構造または材料の異なる複数の電
子機器のうちの特定の電子機器を周期的温度条件下にさ
らす温度サイクル試験によって、前記特定の電子機器の
電気伝導体が破壊される寿命サイクル数を測定する工程
と、 前記周期的温度条件下の前記特定の電子機器の電気伝導
体が破壊されるまでに発生する歪みの振幅を求める工程
と、 前記特定の電子機器の寿命サイクル数および歪みの振幅
に基づいて、前記複数の電子機器のうちの全てに対して
成立する寿命サイクル数と歪みの振幅との間の寿命歪み
関係式を算出する工程と、 前記複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対する前
記周期的温度条件下の熱応力シミュレーションによっ
て、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊されるまで
の歪みの振幅を算出する工程と、 前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の歪みの振幅
を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算
出する工程とを含むことを特徴とする電子機器の信頼性
評価方法。 - 【請求項２】 前記特定の電子機器の歪みの振幅を求め
る工程では、弾性歪みと塑性歪みとクリープ歪みとの和
である全歪みを求め、 前記寿命歪み関係式を算出する工程では、寿命サイクル
数と全歪みとの間の寿命歪み関係式を算出し、 前記任意の電子機器の歪みの振幅を算出する工程では、
応力と弾性歪みとの関係を表す弾性歪み情報、応力と塑
性歪みとの関係を表す塑性歪み情報、および応力とクリ
ープ歪みとの関係を表すクリープ歪み情報に基づいて、
全歪みの振幅を算出し、 前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程で
は、前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の全歪み
の振幅を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイクル
数を算出することを特徴とする請求項１記載の電子機器
の信頼性評価方法。 - 【請求項３】 前記特定の電子機器の歪みの振幅を求め
る工程では、塑性歪みとクリープ歪みとの和である非弾
性歪みを算出し、 前記寿命歪み関係式を算出する工程では、寿命サイクル
数と非弾性歪みの振幅との間の寿命歪み関係式を算出
し、 前記任意の電子機器の歪みの振幅を算出する工程では、
応力と塑性歪みとの関係を表す塑性歪み情報、および応
力とクリープ歪みとの関係を表すクリープ歪み情報に基
づいて、非弾性歪みの振幅を算出し、 前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程で
は、前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の非弾性
歪みの振幅を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイ
クル数を算出することを特徴とする請求項１記載の電子
機器の信頼性評価方法。 - 【請求項４】 前記周期的温度条件は、時間Ｔ１継続す
る温度Ｋ１の区間と、時間Ｔ２継続する温度Ｋ１よりも
高い温度Ｋ２の区間とを繰返す温度条件であることを特
徴とする請求項１記載の電子機器の信頼性評価方法。 - 【請求項５】 前記任意の電子機器の歪みの振幅を算出
する工程の前に、応力と弾性歪みとの関係を表す弾性歪
み情報、および応力と塑性歪みとの関係を表す塑性歪み
情報に基づいて、温度Ｋ１のときの歪みと温度Ｋ２のと
きの歪みとの差を算出する工程をさらに含み、 前記歪みの差が所定の閾値以下であるときに、前記任意
の電子機器の歪みの振幅を算出する工程、および前記任
意の電子機器の寿命サイクル数を算出する工程を実行す
ることを特徴とする請求項４記載の電子機器の信頼性評
価方法。 - 【請求項６】 互いに構造または材料の異なる複数の電
子機器のうちの特定の電子機器を周期的温度条件下にさ
らす温度サイクル試験によって測定された、前記特定の
電子機器の電気伝導体が破壊される寿命サイクル数を入
力する入力手段と、 前記周期的温度条件下の前記特定の電子機器の電気伝導
体が破壊されるまでに発生する歪みの振幅を算出する第
１歪み振幅算出手段と、 前記特定の電子機器の寿命サイクル数および歪みの振幅
に基づいて、前記複数の電子機器のうちの全てに対して
成立する寿命サイクル数と歪みの振幅との間の寿命歪み
関係式を算出する寿命歪み関係式算出手段と、 前記複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対する前
記周期的温度条件下の熱応力シミュレーションによっ
て、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊されるまで
の歪みの振幅を算出する第２歪み振幅算出手段と、 前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の歪みの振幅
を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算
出する寿命サイクル数算出手段とを含むことを特徴とす
る電子機器の信頼性評価装置。 - 【請求項７】 コンピュータによって電子機器の信頼性
を評価するためのプログラムを記録した媒体であって、 互いに構造または材料の異なる複数の電子機器のうちの
特定の電子機器の電気伝導体が周期的温度条件下におい
て破壊されるまでに発生する歪みの振幅を算出させ、 前記特定の電子機器を周期的温度条件下にさらす温度サ
イクル試験によって測定されて入力された、前記特定の
電子機器の電気伝導体が破壊される寿命サイクル数、お
よび前記特定の電子機器の歪みの振幅に基づいて、前記
複数の電子機器のうちの全てに対して成立する寿命サイ
クル数と歪みの振幅との間の寿命歪み関係式を算出さ
せ、 前記複数の電子機器のうちの任意の電子機器に対する前
記周期的温度条件下の熱応力シミュレーションによっ
て、前記任意の電子機器の電気伝導体が破壊されるまで
の歪みの振幅を算出させ、 前記寿命歪み関係式に前記任意の電子機器の歪みの振幅
を代入して、前記任意の電子機器の寿命サイクル数を算
出させることを特徴とする電子機器の信頼性評価プログ
ラムを記録した媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21446898A JP2000046905A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21446898A JP2000046905A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000046905A true JP2000046905A (ja) | 2000-02-18 |
Family
ID=16656232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21446898A Pending JP2000046905A (ja) | 1998-07-29 | 1998-07-29 | 電子機器の信頼性評価方法、その信頼性評価装置およびその信頼性評価プログラムを記録した媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000046905A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102981081A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-03-20 | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 | 航天器用元器件热真空环境适应性的评价方法 |
| CN103364703A (zh) * | 2012-11-27 | 2013-10-23 | 深圳清华大学研究院 | Led多应力下可靠性快速评测方法 |
| JP2015014961A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社Ihi | 熱サイクルが作用する構造物の形状最適化方法 |
| CN104462755A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-03-25 | 中国船舶重工集团公司第七二六研究所 | 基于可靠性模型的电子设备备件配置计算方法 |
| CN104820781A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-08-05 | 北京航空航天大学 | 考虑温循载荷顺序加载影响的bga焊点热疲劳寿命预测方法 |
| CN111079250A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-28 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 一种电子产品疲劳寿命评估、评估模型建立方法及装置 |
| CN113092911A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-09 | 西安苏试广博环境可靠性实验室有限公司 | 空间电子设备加速寿命试验中温度加速基准应力确定方法 |
| WO2021153447A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-07-29 JP JP21446898A patent/JP2000046905A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103364703A (zh) * | 2012-11-27 | 2013-10-23 | 深圳清华大学研究院 | Led多应力下可靠性快速评测方法 |
| CN103364703B (zh) * | 2012-11-27 | 2015-07-29 | 深圳清华大学研究院 | Led多应力下可靠性快速评测方法 |
| CN102981081A (zh) * | 2012-12-03 | 2013-03-20 | 北京圣涛平试验工程技术研究院有限责任公司 | 航天器用元器件热真空环境适应性的评价方法 |
| JP2015014961A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社Ihi | 熱サイクルが作用する構造物の形状最適化方法 |
| CN104462755A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-03-25 | 中国船舶重工集团公司第七二六研究所 | 基于可靠性模型的电子设备备件配置计算方法 |
| CN104820781A (zh) * | 2015-05-06 | 2015-08-05 | 北京航空航天大学 | 考虑温循载荷顺序加载影响的bga焊点热疲劳寿命预测方法 |
| CN104820781B (zh) * | 2015-05-06 | 2017-09-29 | 北京航空航天大学 | 考虑温循载荷顺序加载影响的bga焊点热疲劳寿命预测方法 |
| CN111079250A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-04-28 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 一种电子产品疲劳寿命评估、评估模型建立方法及装置 |
| WO2021153447A1 (ja) * | 2020-01-30 | 2021-08-05 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
| CN113092911A (zh) * | 2021-04-07 | 2021-07-09 | 西安苏试广博环境可靠性实验室有限公司 | 空间电子设备加速寿命试验中温度加速基准应力确定方法 |
| CN113092911B (zh) * | 2021-04-07 | 2023-08-15 | 西安苏试广博环境可靠性实验室有限公司 | 空间电子设备加速寿命试验中温度加速基准应力确定方法 |
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