JP2000043976A - Precision substrate storage container - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハや
フォトマスク等からなる精密基板を輸送、保管する精密
基板収納容器の改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improved precision substrate container for transporting and storing precision substrates such as semiconductor wafers and photomasks.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体ウェーハやフォトマスク等の精密
基板を輸送、保管する際に使用される精密基板収納容器
は、図示しないが、軽量性、各種性能、若しくはコスト
等、総合的なパフォーマンスを考慮し、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、
又はその他各種のエラストマーに代表される合成樹脂を
用いて射出成形される。2. Description of the Related Art Precision substrate storage containers used for transporting and storing precision substrates such as semiconductor wafers and photomasks are not shown in the figure, but are considered in terms of overall performance such as lightness, various performances, and cost. And polypropylene, polycarbonate, polybutylene terephthalate,
Alternatively, injection molding is performed using a synthetic resin represented by various other elastomers.
【0003】この種の精密基板収納容器は、ウェーハメ
ーカからデバイスメーカへの精密基板の輸送時に使用さ
れる輸送容器あるいはシッピングボックスと、デバイス
メーカにおける工程間の搬送時や保管時に使用される工
程内容器類とに大別される。これらは、その容器本体に
精密基板を収納し、容器本体の開口部を蓋体でシール・
被覆して外気を遮断し、外環境からのパーティクル(par
ticle)、有機物、又は金属成分といった様々な汚染を防
止して精密基板の清浄度を維持するよう機能する。ま
た、これらは、いずれも容器本体に精密基板を収納した
際、各種の方法で密閉される。[0003] This type of precision substrate storage container is composed of a transport container or a shipping box used when transporting precision substrates from a wafer maker to a device maker, and process contents used when transporting or storing between processes in a device maker. It is roughly divided into equipment. These contain precision substrates in the container body and seal the opening of the container body with a lid.
It covers and blocks the outside air, and particles (par
(ticle), organic matter, or metal components, and functions to maintain the cleanliness of the precision substrate. These are all sealed by various methods when the precision substrate is stored in the container body.
【0004】例えば、前者のシッピングボックスの場合
には、容器本体と蓋体との嵌合部外周にテープを巻着し
たり、あるいは容器本体に蓋体をエンドレスの弾性体か
らなるガスケットを介し嵌合させる密閉法が多用されて
いる。また、後者の工程内容器類の場合、ガスケットを
使用する密閉法が採用されている。また、近年のミニエ
ンバイロメントシステム(mini environment:局所的清浄
環境)においては、ハンドリング装置等に代表される半
導体製造装置とのメカニカルなインターフェイス機能を
有するポッド(Pod)と呼ばれる工程内搬送容器が導入さ
れつつあるが、この工程内搬送容器にも、容器本体に蓋
体をガスケットを介し嵌合させる密閉法が利用されてい
る。For example, in the case of the former shipping box, a tape is wound around the outer periphery of a fitting portion between the container body and the lid, or the lid is fitted to the container body via a gasket made of an endless elastic body. The sealing method to be combined is often used. In the case of the latter process containers, a sealing method using a gasket is adopted. In recent years, in the mini environment system (mini environment: local cleaning environment), an in-process transfer container called a pod (Pod) that has a mechanical interface function with semiconductor manufacturing equipment typified by handling equipment etc. is introduced. However, a sealing method in which a lid is fitted to the container body via a gasket is also used for the in-process transfer container.
【0005】ところで、精密基板収納容器は、上記した
ように精密基板の収納時に内部が密閉状態となるので、
合成樹脂から経時的に滲出、揮発する有機成分が精密基
板に付着し、精密基板の汚染という問題が生じる。この
問題に対処すべく、従来においては、合成樹脂を改質し
て揮発する有機成分を低減させる方法が採用されている
(この点につき、特開平8−250581号公報参照)。
また、ポッド等の工程内搬送容器の場合、容器本体にガ
ス用出入口を設け、容器本体内を窒素等の不活性ガスで
置換することにより、精密基板の酸化を防止するととも
に、精密基板への有機成分の付着を低減する機構的な方
法が採用されている(この点につき、USP4,724,8
74号参照)。[0005] By the way, the inside of the precision substrate storage container is closed when the precision substrate is stored as described above.
Organic components that ooze out and evaporate over time from the synthetic resin adhere to the precision substrate, causing a problem of contamination of the precision substrate. In order to cope with this problem, conventionally, a method of modifying a synthetic resin to reduce volatile organic components has been adopted.
(In this regard, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-250581).
In the case of an in-process transfer container such as a pod, a gas inlet / outlet is provided in the container main body, and the inside of the container main body is replaced with an inert gas such as nitrogen, thereby preventing oxidation of the precision substrate and preventing the precision substrate from being oxidized. A mechanistic method of reducing the adhesion of organic components has been adopted (in this regard, US Pat. No. 4,724,8).
No. 74).
【0006】なお、この種の関連先行技術文献として、
特開平6−63379号、特開平6−204196号、
又は特開平10−37135号公報等があげられる。As related prior art documents of this kind,
JP-A-6-63379, JP-A-6-204196,
Or JP-A-10-37135.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】従来の精密基板収納容
器は、以上のような方法で精密基板の有機物汚染を防止
するようにしているが、集積度の向上や精密基板の大口
径化(200mmから300mm以上)に伴う大型化により、
合成樹脂から揮発する極微量の有機成分が精密基板の清
浄度や歩留まりに大きな影響を与えつつある。このよう
な情勢下においては、上記方法を採用しても精密基板の
汚染を有効に防止したり、あるいは清浄度の高い空間を
確保することができない。また、精密基板収納容器に精
密基板を長期間保存すると、精密基板収納容器から派生
する僅かな有機物により、精密基板の汚染を招くことと
なる。In the conventional precision substrate storage container, organic matter contamination of the precision substrate is prevented by the above-described method. However, the integration degree and the diameter of the precision substrate are increased (200 mm). Up to 300mm)
The trace amount of organic components volatilized from synthetic resin is greatly affecting the cleanliness and yield of precision substrates. Under such circumstances, even if the above method is employed, contamination of the precision substrate cannot be effectively prevented, or a space with high cleanliness cannot be secured. In addition, when the precision substrate is stored in the precision substrate storage container for a long time, contamination of the precision substrate is caused by a small amount of organic matter derived from the precision substrate storage container.
【0008】本発明は、上記問題に鑑みなされたもの
で、収納、保管中の精密基板を有機物汚染から有効に保
護し、精密基板の清浄度を長期にわたり維持できる精密
基板収納容器を提供することを目的としている。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a precision substrate storage container that can effectively protect a precision substrate during storage and storage from organic contamination and maintain the cleanness of the precision substrate for a long period of time. It is an object.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明にお
いては、上記課題を達成するため、収納容器に精密基板
を収納するものであって、該収納容器の内側に設けられ
る光触媒層と、該収納容器に設けられ、この収納容器の
外部から該光触媒層に紫外線を導く透過領域とを含んで
なることを特徴としている。According to the first aspect of the present invention, in order to achieve the above object, a precision substrate is stored in a storage container, and a photocatalyst layer provided inside the storage container, And a transmission region for guiding ultraviolet light from outside of the storage container to the photocatalyst layer.
【0010】なお、上記収納容器を、上記精密基板を収
納する合成樹脂製の容器本体と、この容器本体の開口部
をシール可能に被覆する合成樹脂製の蓋体とから構成
し、該容器本体と該蓋体の少なくともいずれか一方と、
上記光触媒層とを一体成形することができる。また、上
記容器本体及び又は上記蓋体をポリ四フッ化エチレン樹
脂製とすることができる。さらに、上記光触媒層は、T
i、Zn、Sn、W、Bi、若しくはFeから選択された1種又は複数
種の金属酸化物からなる触媒を備えてなることが望まし
い。The storage container comprises a synthetic resin container body for storing the precision substrate, and a synthetic resin lid for sealingly covering an opening of the container body. And at least one of the lid,
The photocatalyst layer and the photocatalyst layer can be integrally formed. Further, the container body and / or the lid can be made of polytetrafluoroethylene resin. Further, the photocatalyst layer has a T
It is desirable to have a catalyst comprising one or more metal oxides selected from i, Zn, Sn, W, Bi, or Fe.
【0011】ここで、特許請求の範囲における収納容器
の透過領域を形成する材料としては、ポリカーボネイト
の他、ポリエチレン、ポリプロピレン、若しくはポリメ
チルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、アクリル樹
脂、ポリスチレン、若しくはポリ塩化ビニル等の透明合
成樹脂、又はソーダガラス、パイレックスガラス、若し
くは石英ガラス等の透明無機材料が用いられる。これら
の材料を用いて収納容器は、輸送容器、出荷用のシッピ
ングボックス、半導体製造工程キャリア、又は工程間搬
送キャリアとして成形される。Here, the material forming the transmission region of the storage container in the claims includes, in addition to polycarbonate, a polyolefin resin such as polyethylene, polypropylene, or polymethylpentene, an acrylic resin, polystyrene, or polyvinyl chloride. Or a transparent synthetic resin such as soda glass, Pyrex glass, or quartz glass. By using these materials, the storage container is formed as a transport container, a shipping box for shipping, a carrier for semiconductor manufacturing process, or a carrier for transport between processes.
【0012】収納容器は、容器本体と蓋体とからなる
が、さらに容器本体を外箱と整列収納用の内箱とから構
成することもできる。また、収納容器は、容器本体の開
口上部を蓋体が閉鎖するトップオープンボックス構造、
容器本体の開口正面を蓋体が閉鎖するフロントオープン
ボックス構造、又は容器本体の開口下部を蓋体が閉鎖す
るボトムオープンボックス構造に成形され、必要に応じ
て帯電防止処理が施される。The storage container comprises a container body and a lid, but the container body may further comprise an outer box and an inner box for aligned storage. In addition, the storage container has a top open box structure in which a lid closes an upper opening of the container body,
It is formed into a front open box structure in which a lid closes the front of the opening of the container main body, or a bottom open box structure in which a lid closes the lower opening of the container main body, and is subjected to an antistatic treatment as required.
【0013】精密基板には、少なくとも電気、電子、若
しくは半導体等の製造分野で使用される単数複数(例え
ば、13枚又は25枚)の液晶セル、石英ガラス、半導
体ウェーハ(シリコンウェーハ等)、又はマスク基板等が
含まれる。精密基板が半導体ウェーハの場合、大口径
(例えば、200mm〜300mm以上)の半導体ウェーハが
含まれる。また、光触媒層と透過領域とは、単数複数い
ずれでも良い。これら光触媒層と透過領域の位置関係
は、透過領域に入射した紫外線が光触媒層に直接間接に
照射、到達するのであれば、特に限定されるものではな
い。但し、透過領域に紫外線が垂直に入射し、光触媒層
と透過領域とが可能な限り近接して水平に位置する関係
の場合、光触媒の作用効果が大きくなる。The precision substrate includes at least one (eg, 13 or 25) liquid crystal cells, quartz glass, semiconductor wafers (eg, silicon wafers) used in the field of manufacturing electric, electronic, or semiconductor devices. A mask substrate and the like are included. Large diameter when precision substrate is semiconductor wafer
(For example, 200 mm to 300 mm or more) semiconductor wafers are included. In addition, the photocatalyst layer and the transmission region may be single or plural. The positional relationship between the photocatalyst layer and the transmission region is not particularly limited as long as the ultraviolet light incident on the transmission region is directly and indirectly irradiated and reaches the photocatalyst layer. However, when the ultraviolet rays are vertically incident on the transmission region and the photocatalyst layer and the transmission region are positioned as close to each other and horizontally as possible, the effect of the photocatalyst is increased.
【0014】光触媒層は、収納容器の内側(内容積表面
内)の一部又は全部に周知慣用技術を用いて着脱自在に
取り付けられたり、収納容器の内部に一体化して設けら
れる。この光触媒層は、各種形状の板形やシート形等に
構成される。光触媒層は、収納容器内の大きな表面積部
に固定されることが効果の点で好ましい。但し、収納容
器内の精密基板と直接接触する部分は、汚染のおそれが
あるので避けることが望ましい。さらに、透過領域は、
光触媒作用が紫外線の強度(エネルギ)に依存するのを考
慮し、400nm以下の紫外波長において可能な限り高い
透過率の材料を用いて収納容器の一部として設けられ
る。この透過領域は、光触媒層に紫外線を直接又は間接
に導くものであれば良い。この透過領域が設けられる
際、光触媒作用を損なわない範囲において、着色用の顔
料や染料等の添加剤が適宜使用される。The photocatalyst layer is removably attached to a part or the whole of the inside of the storage container (inside the inner volume surface) by using a well-known conventional technique, or is provided integrally with the storage container. The photocatalyst layer is formed in various shapes such as a plate shape and a sheet shape. The photocatalyst layer is preferably fixed to a large surface area in the storage container from the viewpoint of the effect. However, it is desirable to avoid the part in direct contact with the precision substrate in the storage container because there is a risk of contamination. In addition, the transmission area
Considering that the photocatalytic action depends on the intensity (energy) of ultraviolet rays, the photocatalyst is provided as a part of the container using a material having a transmittance as high as possible at an ultraviolet wavelength of 400 nm or less. The transmitting region may be one that directly or indirectly guides ultraviolet light to the photocatalyst layer. When the transmission region is provided, additives such as coloring pigments and dyes are appropriately used as long as the photocatalytic action is not impaired.
【0015】本発明によれば、精密基板を収納した収納
容器の外部から紫外線が光触媒層に透過領域を介して照
射されると、収納容器を構成する合成樹脂材料から揮発
する有機物が収納容器の内側の光触媒層の表面に吸着さ
れ、光触媒作用により分解される。よって、精密基板に
付着する有機成分を低減し、収納する精密基板の有機汚
染を抑制防止することができるとともに、精密基板の清
浄度を保持することができる。According to the present invention, when ultraviolet rays are radiated to the photocatalyst layer from the outside of the storage container containing the precision substrate through the transparent region, the organic matter volatilized from the synthetic resin material forming the storage container is removed from the storage container. It is adsorbed on the surface of the inner photocatalyst layer and decomposed by photocatalysis. Therefore, the organic components adhering to the precision substrate can be reduced, the organic contamination of the precision substrate to be stored can be prevented and the cleanness of the precision substrate can be maintained.
【0016】[0016]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態になんら
限定されるものではない。本実施形態における精密基板
収納容器は、図1に示すように、ウェーハ輸送容器から
なり、複数枚の半導体ウェーハWを整列収納する収納容
器1に、光触媒層19と透過領域20とをそれぞれ設け
ている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. As shown in FIG. 1, the precision substrate storage container according to the present embodiment is configured by a wafer transport container, and a storage container 1 for aligning and storing a plurality of semiconductor wafers W is provided with a photocatalyst layer 19 and a transmission region 20 respectively. I have.
【0017】収納容器1は、半透明の容器本体2と、容
器本体2の開口上部をガスケット3を介し着脱自在に嵌
合被覆する蓋体4とを備えている。容器本体2は、ほぼ
有底角筒形の外箱5と、この外箱5内に着脱自在に嵌合
収納される内箱であるキャリア6とを備え、これら外箱
5とキャリア6とが低ガス性、低金属、及びイオン溶出
性等の低汚染性、並びに機械的特性の要求を満たしたポ
リプロピレンを用いてそれぞれ射出成形されている。外
箱5は、その開口上部の周縁にガスケット3用の薄肉嵌
合段差部7が突出成形され、相対向する一対の両側壁の
外部上方には係止部9がそれぞれ突出成形されている。The storage container 1 includes a translucent container main body 2 and a lid 4 which removably fits and covers the upper opening of the container main body 2 via a gasket 3. The container main body 2 includes an outer box 5 having a substantially bottomed rectangular cylindrical shape, and a carrier 6 which is an inner box removably fitted and housed in the outer box 5. Injection molding is performed using polypropylene that satisfies the requirements for low gas, low metal, low contamination such as ion elution, and mechanical properties. The outer case 5 has a thin fitting step 7 for the gasket 3 protrudingly formed on the periphery of the upper part of the opening, and locking portions 9 protrudingly formed above the outside of a pair of opposite side walls.
【0018】キャリア6は、相対向する一対の側壁を備
え、この一対の側壁の正面間に架設連結バー10が、一
対の側壁の背面間には背面壁11がそれぞれ一体成形さ
れている。一対の側壁の内部対向面には横断面V字形又
はU字形の整列スロット12が所定のピッチで前後方向
に並べて成形され、これら複数の整列スロット12に半
導体ウェーハWが整列収納される。各側壁は、その上部
に水平横方向に張り出すフランジ13が成形されてい
る。The carrier 6 has a pair of side walls opposed to each other. A connecting bar 10 is formed between the front sides of the pair of side walls, and a back wall 11 is formed integrally between the back sides of the pair of side walls. Alignment slots 12 having a V-shaped or U-shaped cross section are formed on the inner facing surfaces of the pair of side walls at a predetermined pitch in the front-rear direction, and the semiconductor wafers W are aligned and stored in the plurality of alignment slots 12. Each side wall is formed with a flange 13 projecting horizontally in the upper part thereof.
【0019】蓋体4は、低ガス性、低金属、及びイオン
溶出性等の低汚染性、並びに機械的特性の要求を満たし
たポリカーボネイトを用いて射出成形され、内部に押さ
え部材14が着脱自在に嵌装される。ポリカーボネイト
は、無着色、厚み2mmにおいて、380nm付近の紫外波
長を約70%以上透過する光線透過特性を有し、光触媒
層19を作用させるのに十分な特性を有している。蓋体
4は、その開口外周部が外方向に膨出成形され、この開
口外周部の両側には係止部9に係止するフック片15が
変形可能にそれぞれ成形されている。The lid 4 is injection-molded using polycarbonate which satisfies the requirements of low gas, low metal, low contamination such as ion elution, and mechanical characteristics, and the holding member 14 is detachable inside. It is fitted to. Polycarbonate is uncolored, has a light transmission characteristic of transmitting about 70% or more of an ultraviolet wavelength near 380 nm at a thickness of 2 mm, and has sufficient characteristics to allow the photocatalyst layer 19 to act. The lid 4 is formed such that the outer peripheral portion of the opening bulges outward, and hook pieces 15 that are locked to the locking portions 9 are formed on both sides of the outer peripheral portion of the opening so as to be deformable.
【0020】押さえ部材14は、枠体16を備え、この
枠体16の両側にはL字形の押さえ片17が前後方向に
それぞれ並べて成形されており、各押さえ片17が半導
体ウェーハWの上部周縁に係止してがたつきを防止す
る。枠体16の中央部には図2に示すように、L字形を
呈した一対の支持片18が突出成形され、この一対の支
持片18が別体の光触媒層19を着脱自在に挟持する。
また、ガスケット3は、低ガス性、低金属、及びイオン
溶出性等の低汚染性、並びに機械的特性の要求を満たし
たポリオレフィン系エラストマーを用いてエンドレスの
枠形に射出成形され、外箱5の薄肉嵌合段差部7と蓋体
4の開口外周部との間に介在密嵌されて気密性を維持す
る。The holding member 14 has a frame 16. On both sides of the frame 16, L-shaped holding pieces 17 are formed side by side in the front-rear direction, and each holding piece 17 is attached to the upper peripheral edge of the semiconductor wafer W. To prevent rattling. As shown in FIG. 2, a pair of L-shaped support pieces 18 are formed in a protruding manner at the center of the frame body 16, and the pair of support pieces 18 detachably hold a separate photocatalyst layer 19.
The gasket 3 is injection-molded in an endless frame shape using a polyolefin-based elastomer that satisfies requirements for low gas, low metal, low contamination such as ion elution, and mechanical properties. Between the thin fitting step 7 and the outer peripheral portion of the opening of the lid 4 to maintain airtightness.
【0021】光触媒層19は、安定で効果の高いアナタ
ーゼ型の二酸化チタンからなる光触媒と、二酸化チタン
による樹脂の分解を防止可能な耐酸化性のポリ四フッ化
エチレン樹脂からなる固定化基材とを備え、この固定化
基材に二酸化チタンを、樹脂に対して50重量%混合、
混練した材料から圧延成形により厚さ1mmの板状成形品
に成形されている。二酸化チタンの含有量に関しては、
光触媒効果の観点から表面にできるだけ多くの二酸化チ
タン粒子が析出するよう高い含有量が望まれる。このた
めには、表面付近に二酸化チタンが集中して分散され
る、いわゆるインテグラルスキン層とするのが良い。し
かし、実際には使用するバインダー又は樹脂にもよる
が、光触媒固定部材としての機械的強度や二酸化チタン
の保持力等を考慮し、フッ素樹脂の場合、重量比におい
て20%から80%の範囲で適宜混合するのが望ましい。The photocatalyst layer 19 comprises a photocatalyst made of anatase type titanium dioxide which is stable and effective, and an immobilized base material made of an oxidation-resistant polytetrafluoroethylene resin which can prevent decomposition of the resin by the titanium dioxide. With titanium dioxide in the immobilized substrate, 50% by weight of the resin mixed,
The kneaded material is formed into a plate-shaped molded product having a thickness of 1 mm by rolling. Regarding the content of titanium dioxide,
From the viewpoint of the photocatalytic effect, a high content is desired so that as many titanium dioxide particles as possible are deposited on the surface. For this purpose, it is preferable to use a so-called integral skin layer in which titanium dioxide is concentrated and dispersed near the surface. However, in actuality, depending on the binder or resin used, in consideration of the mechanical strength and the holding power of titanium dioxide as a photocatalyst fixing member, in the case of a fluororesin, the weight ratio is in the range of 20% to 80%. It is desirable to mix them appropriately.
【0022】また、フッ素樹脂をバインダーとした成形
品の厚みについては、光触媒層19をシート状又は板状
にするかにもよるが、フッ素樹脂は多孔質体であるた
め、バインダーの多孔質中に固定される二酸化チタンに
接触する汚染物質の量が多くなるよう可能な範囲で厚い
ほうが好ましい。また、二酸化チタンの粒径としては、
X線を使用して測定した平均一次粒径が7nm、これの凝
集する二次粒径が製造方法等の条件により20nmから5
00nmのものがあげられる。The thickness of a molded article using a fluororesin as a binder depends on whether the photocatalyst layer 19 is formed into a sheet or a plate. However, since the fluororesin is a porous body, the thickness of the porous material of the binder is low. The thickness is preferably as large as possible so that the amount of contaminants in contact with the titanium dioxide fixed to the surface is increased. Also, as the particle size of titanium dioxide,
The average primary particle size measured using X-rays is 7 nm, and the secondary particle size of aggregation is from 20 nm to 5 nm depending on conditions such as the production method.
00 nm.
【0023】これらは、粒径が小さくなるほど表面積が
大きくなり、汚染物質を処理する能力が高くなるため、
光触媒として二酸化チタンを使用する場合、200nm以
下、好ましくは100nm以下の範囲で可能な限り小さい
粒径の二酸化チタンを使用することが望ましい。特に、
この範囲では可視光線の波長より小さくなるため、少量
のバインダーで薄膜化することにより透明の光触媒層1
9を形成することができるため、この光触媒層19を紫
外光の取入口である透過領域20に直接設けることによ
り、光触媒層19と透過領域20とを一体成形して透明
にすることができる。[0023] Since the smaller the particle size, the larger the surface area and the ability to treat contaminants are increased,
When using titanium dioxide as a photocatalyst, it is desirable to use titanium dioxide having a particle size as small as possible within a range of 200 nm or less, preferably 100 nm or less. In particular,
In this range, the wavelength becomes smaller than the wavelength of visible light.
Since the photocatalyst layer 9 can be formed, the photocatalyst layer 19 and the transmissive region 20 can be integrally formed to be transparent by directly providing the photocatalyst layer 19 in the transmissive region 20 which is an ultraviolet light intake.
【0024】なお、本実施形態では二酸化チタンからな
る光触媒を示すが、なんらこれに限定されるものではな
い。例えば、チタン、亜鉛、錫、鉄、タングステン、又
はビスマス等の金属酸化物や、ルテニウム等の金属錯体
等を使用することもできる。また、固定化基材として、
樹脂の他、金属やセラミックス等の無機物、あるいは紙
等を用途に応じて使用することができる。但し、合成樹
脂等の有機物の場合、上記のように光触媒の作用により
有機物自身が分解するおそれがあるので、バインダーと
してフッ素樹脂やシリコーン樹脂等の耐酸化性の材料を
選択するか、あるいは光触媒と固定化基材との間に無機
系の保護層や接着層を設ける等して直接固定化基材と接
触しないようにすることが必要である。また、予めシー
トやフィルム等の基材の表面に光触媒を接着層を介して
固定した構造の光触媒シート、フィルムを、その裏面に
接着層を介して所定の位置に貼り付けても良い。In the present embodiment, a photocatalyst made of titanium dioxide is shown, but the present invention is not limited to this. For example, a metal oxide such as titanium, zinc, tin, iron, tungsten, or bismuth, or a metal complex such as ruthenium can be used. In addition, as an immobilization substrate,
In addition to resin, inorganic materials such as metals and ceramics, paper, and the like can be used according to the application. However, in the case of an organic substance such as a synthetic resin, the organic substance itself may be decomposed by the action of the photocatalyst as described above, so that an oxidation-resistant material such as a fluororesin or a silicone resin is selected as a binder, or a photocatalyst is used. It is necessary that an inorganic protective layer or an adhesive layer is provided between the substrate and the immobilization substrate so as not to come into direct contact with the immobilization substrate. Alternatively, a photocatalyst sheet or film having a structure in which a photocatalyst is fixed to the surface of a substrate such as a sheet or a film via an adhesive layer in advance may be attached to a predetermined position on the back surface of the substrate via an adhesive layer.
【0025】また、いずれの方法を採用するにしろ、有
機物の分解作用が光触媒の表面で起こるため、例えば光
触媒層19の設置数を増やす、ゼオライト等のポークス
な無機基材に光触媒を固定して光触媒の有効表面積を大
きくする等、できるだけ多数の光触媒が表面に現れて分
解処理すべき有機物と接触する機会が多くなるようバイ
ンダーや充填量、固定化方法等を適宜選択することによ
り高い効果をあげることが好ましい。Regardless of which method is employed, since the decomposition of organic substances occurs on the surface of the photocatalyst, for example, the number of photocatalyst layers 19 is increased, and the photocatalyst is fixed to a porous inorganic base material such as zeolite. By increasing the effective surface area of the photocatalyst, etc., as many photocatalysts as possible appear on the surface and increase the chances of contact with the organic substance to be decomposed, thereby increasing the effect by appropriately selecting the binder, the filling amount, the fixing method, and the like. Is preferred.
【0026】また、光触媒層19を固定化する製法とし
ては、上記方法になんら限定されるものではなく、周知
の各種方法を採用することができる。例えば、固定化基
材が耐熱性のある無機材料の場合、有機チタン化合物を
シリカ、水等の適宜のバインダー、及び必要に応じて硝
酸、硫酸、若しくは塩酸といった酸や分散剤等の安定剤
と混合してゾル状溶液の塗料とし、これを固定化基材に
対して吹き付け、ディッピング、若しくはコーティング
等の方法により塗布した後、これを焼成する方法を採用
することができる。また、予め過熱した基材に塗料を吹
き付けて二酸化チタンに固定化する方法等も用いること
ができる。The method for immobilizing the photocatalyst layer 19 is not limited to the above-mentioned method, and various well-known methods can be employed. For example, when the immobilization substrate is a heat-resistant inorganic material, the organic titanium compound is silica, an appropriate binder such as water, and, if necessary, nitric acid, sulfuric acid, or a stabilizer such as an acid such as hydrochloric acid or a dispersant. It is possible to adopt a method in which the mixture is mixed to form a sol-like solution, which is applied to the immobilized substrate by spraying, dipping, coating, or the like, and then firing. Further, a method of spraying a paint on a preheated base material to fix the base material on titanium dioxide can also be used.
【0027】さらに、透過領域20は、図1に示すよう
に、透明の蓋体4、特にその平坦部からなり、収納容器
1の外部上方から紫外線を近接した光触媒層19に直接
入射させるよう機能する。Further, as shown in FIG. 1, the transmissive region 20 comprises a transparent cover 4, particularly a flat portion thereof, and has a function of allowing ultraviolet rays to directly enter the adjacent photocatalyst layer 19 from above the outside of the storage container 1. I do.
【0028】上記構成において、キャリア6に複数枚の
半導体ウェーハWを整列収納し、外箱5内にキャリア6
を収納し、外箱5の開口上部に蓋体4をガスケット3を
介して嵌合し、その後、一対の係止部9にフック片15
をそれぞれ係止すれば、複数枚の半導体ウェーハWを清
浄な状態で出荷・輸送することができる。In the above configuration, a plurality of semiconductor wafers W are aligned and stored in the carrier 6, and the carrier 6 is
The lid 4 is fitted over the upper opening of the outer box 5 via the gasket 3, and then the hook pieces 15 are
Respectively, a plurality of semiconductor wafers W can be shipped and transported in a clean state.
【0029】また、複数枚の半導体ウェーハWを収納し
た収納容器1の外部上方から400nm以下の紫外線が光
触媒層19に透過領域20を介して照射されると、光電
効果により、光触媒層19の表面に電子とホールとがそ
れぞれ生成され、これらが空気中の酸素や水分を還元又
は酸化し、それぞれスーパーオキサイドイオン(O2 -)、
水酸基ラジカル(・OH)と呼ばれる活性酸素種を生成す
る。そして、これらが有する強力な酸化作用により、そ
の表面に付着した揮発性の有機物が二酸化炭素と水とに
分解される。Further, when ultraviolet rays of 400 nm or less are radiated to the photocatalyst layer 19 through the transmission region 20 from above the outside of the storage container 1 storing a plurality of semiconductor wafers W, the surface of the photocatalyst layer 19 is irradiated by the photoelectric effect. Electrons and holes are generated respectively, and these reduce or oxidize oxygen and moisture in the air, respectively, superoxide ion (O 2 − ),
Generates reactive oxygen species called hydroxyl radicals (.OH). And the volatile organic substance which adhered to the surface is decomposed | disassembled into carbon dioxide and water by strong oxidizing action which these have.
【0030】上記構成によれば、光触媒層19が低濃度
で微量の有機物を有効に分解するので、半導体ウェーハ
Wに付着する有機成分が大幅に低減する。したがって、
半導体ウェーハWの汚染をきわめて有効に防止し、清浄
度の高い空間を容易に確保することができる。また、精
密基板収納容器に複数枚の半導体ウェーハWを長期間保
存しても、精密基板収納容器から派生する僅かな有機物
により、半導体ウェーハWの汚染を招くことを有効に抑
制防止することが可能になる。また、収納容器1に光触
媒層19と透過領域20とを設けるだけで良く、作動用
の電源や電極等の複雑な装置や改良作業をなんら必要と
せず、既に実用化されている種々の収納容器1の機能を
損なうことなく、形状や材料の部分的な改良だけで使用
することができる。According to the above configuration, since the photocatalyst layer 19 effectively decomposes a small amount of organic substances at a low concentration, the organic components attached to the semiconductor wafer W are greatly reduced. Therefore,
The contamination of the semiconductor wafer W can be extremely effectively prevented, and a space with high cleanliness can be easily secured. Further, even if a plurality of semiconductor wafers W are stored in the precision substrate storage container for a long period of time, it is possible to effectively prevent contamination of the semiconductor wafer W by a slight amount of organic matter derived from the precision substrate storage container. become. Further, it is only necessary to provide the photocatalyst layer 19 and the transmissive region 20 in the storage container 1, and there is no need for a complicated device such as a power supply for operation or an electrode or any improvement work. It can be used with only a partial improvement of the shape and material without impairing the function of (1).
【0031】また、400nm以下の紫外線で光触媒層1
9が作用するので、特別な光源や設備を必要とせず、ク
リーンルーム内の照明等、現存する設備をそのままの状
態で使用することができる。また、光触媒層19と光源
とを独立した非接触の状態で使用するので、収納容器1
に作動用の電源や電極等の複雑な装置を設ける必要がな
く、収納容器1の搬送や輸送等に制約の生じることがな
い。また、収納容器1の密封状態で光触媒層19が有機
物を分解するので、外環境からの汚染やスループットに
影響なく処理することができる。また、光触媒層19を
洗浄して再使用することができるから、省エネルギ、低
コストで半導体ウェーハWの洗浄度を長期間維持するこ
とが可能である。さらに、蓋体4が透明なので、内容物
を容易に確認することができる。The photocatalyst layer 1 is irradiated with ultraviolet rays of 400 nm or less.
9 operates, so that no special light source or equipment is required, and existing equipment such as lighting in a clean room can be used as it is. Further, since the photocatalyst layer 19 and the light source are used in an independent non-contact state, the storage container 1
There is no need to provide a complicated device such as a power supply and electrodes for operation, and there is no restriction on the transportation and transportation of the storage container 1. In addition, since the photocatalyst layer 19 decomposes organic substances in the sealed state of the storage container 1, processing can be performed without affecting the external environment or affecting the throughput. Further, since the photocatalyst layer 19 can be cleaned and reused, it is possible to maintain the cleaning degree of the semiconductor wafer W for a long period of time at low energy and at low cost. Further, since the lid 4 is transparent, the contents can be easily checked.
【0032】次に、図3及び図4は本発明の第2の実施
形態を示すもので、この場合には、キャリア6の背面壁
11の上部に光触媒層19を一体成形している。その他
の構造的な部分については、上記実施形態と同様である
ので説明を省略する。Next, FIGS. 3 and 4 show a second embodiment of the present invention. In this case, a photocatalyst layer 19 is integrally formed on the rear wall 11 of the carrier 6. The other structural parts are the same as those in the above embodiment, and a description thereof will be omitted.
【0033】次に、キャリア6と光触媒層19の一体成
形法を図5に基づいて説明する。先ず、キャリア6の背
面壁11に光触媒層19を固定化するため、ポリ四フッ
化エチレン樹脂を使用し、これにアナターゼ型の二酸化
チタンを樹脂に対して50重量%混合、混練した材料か
ら圧延成形により厚さ0.2mmのシート、換言すれば、
光触媒層19を成形する。こうして光触媒層19を成形
したら、キャリア6を成形する射出成形金型21のキャ
ビティ22における背面壁11の上部該当部に光触媒層
19をセットし、この光触媒層19を充填樹脂の圧力で
可動するピン23で固定し、射出成形金型21を型締め
する。Next, a method of integrally forming the carrier 6 and the photocatalyst layer 19 will be described with reference to FIG. First, in order to fix the photocatalyst layer 19 to the back wall 11 of the carrier 6, a polytetrafluoroethylene resin is used, and 50 wt% of anatase type titanium dioxide is mixed and kneaded with the resin. A sheet having a thickness of 0.2 mm by molding, in other words,
The photocatalyst layer 19 is formed. After the photocatalyst layer 19 is formed in this way, the photocatalyst layer 19 is set on an upper portion of the back wall 11 in the cavity 22 of the injection mold 21 for forming the carrier 6, and the photocatalyst layer 19 is moved by the pressure of the filling resin. 23, and the injection mold 21 is clamped.
【0034】そして、射出成形金型21にポリ四フッ化
エチレン樹脂を射出成形すれば、光触媒層19と溶融一
体化したキャリア6を得ることができる。なお、ポリ四
フッ化エチレン樹脂は、その耐薬品性からデバイス工程
内の洗浄工程を中心にウェーハキャリア等に多用されて
おり、実績ある材料である。Then, if the polytetrafluoroethylene resin is injection-molded in the injection mold 21, the carrier 6 fused and integrated with the photocatalyst layer 19 can be obtained. In addition, polytetrafluoroethylene resin is widely used for wafer carriers and the like mainly in a cleaning process in a device process because of its chemical resistance, and is a proven material.
【0035】本実施形態においても上記実施形態と同様
の作用効果が期待でき、しかも、キャリア6と光触媒層
19とを一体成形するので、押さえ部材14の支持片を
省略することができ、成形作業の容易化や構造の簡素化
等が容易に期待できるのは明らかである。さらに、光触
媒層19は一体化したキャリア6の剛性により強度保持
され、光触媒層19自体の強度はそれ程必要としないた
め、バインダーとするフッ素樹脂の選択幅が広がるほ
か、酸化チタンの充填量を増やすことにより、触媒作用
効率を上げることが可能となる。なお、一体化する光触
媒層19としては、フィルム等の基材に接着層を介し
て、表面に光触媒を固定した構造の光触媒シートやフィ
ルムが良い。In this embodiment, the same operation and effect as those of the above embodiment can be expected. Further, since the carrier 6 and the photocatalyst layer 19 are integrally formed, the supporting piece of the pressing member 14 can be omitted, and the molding operation can be performed. It is obvious that simplification of the structure and simplification of the structure can easily be expected. Further, the strength of the photocatalyst layer 19 is maintained by the rigidity of the integrated carrier 6, and the strength of the photocatalyst layer 19 itself is not so much required, so that the selection range of the fluororesin as the binder is widened and the filling amount of titanium oxide is increased. This makes it possible to increase the catalytic action efficiency. As the photocatalyst layer 19 to be integrated, a photocatalyst sheet or film having a structure in which a photocatalyst is fixed to a surface of a base material such as a film via an adhesive layer is preferable.
【0036】次に、図6は本発明の第3の実施形態を示
すもので、この場合には、精密基板収納容器の収納容器
1を、300mmの半導体ウェーハWを整列収納するポッ
ド24と、このポッド24の開口正面をガスケット3を
介し着脱自在に嵌合被覆するポッドドア25と、ポッド
24の底面に装着されるポリカーボネイト製のボトムプ
レート26とから構成する。そして、ポッド24の内部
上方に別体の光触媒層19を図示しない支持部材を介し
取り付け、ポッド24を透明に成形して透過領域20を
形成するようにしている。FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention. In this case, the container 1 of the precision substrate container is provided with a pod 24 for aligning and storing 300 mm semiconductor wafers W. The pod 24 includes a pod door 25 for detachably fitting and covering the opening front of the pod 24 via the gasket 3, and a polycarbonate bottom plate 26 mounted on the bottom surface of the pod 24. Then, a separate photocatalyst layer 19 is attached above the inside of the pod 24 via a support member (not shown), and the pod 24 is molded to be transparent to form the transmission region 20.
【0037】ポッド24は、ポリカーボネイト等を用い
てFIMSやSMIFに接続が可能なフロントオープンボックス
構造に成形され、正面の内周面上下には複数の係止穴が
それぞれ成形されている。このポッド24の内部背面に
はリヤリテーナが装着され、内部両側には相対向する基
板支持サポート27がそれぞれ装着されており、これら
リヤリテーナ、及び一対の基板支持サポート27が複数
枚の半導体ウェーハWを上下方向に整列させる。The pod 24 is formed in a front open box structure that can be connected to FIMS or SMIF using polycarbonate or the like, and a plurality of locking holes are formed on the upper and lower inner peripheral surfaces of the front. A rear retainer is mounted on the inner rear surface of the pod 24, and opposing substrate support supports 27 are mounted on both inner sides of the pod 24. The rear retainer and the pair of substrate support supports 27 vertically move a plurality of semiconductor wafers W. Align in the direction.
【0038】ポッドドア25は、ポリカーボネイト等を
用いて成形され、ディスク29の回転操作に基づいて複
数のラッチプレート30を上下動させる開閉ロック機構
28が内蔵されている。この開閉ロック機構28の各ラ
ッチプレート30にはポッドドア25の外周の貫通孔か
ら出没する係止爪31が形成され、各係止爪31が各係
止穴に嵌合係止することにより、ポッド24の正面にポ
ッドドア25が強固に嵌合覆着される。The pod door 25 is formed using polycarbonate or the like, and has a built-in opening / closing lock mechanism 28 for moving a plurality of latch plates 30 up and down based on a rotation operation of the disk 29. Each latch plate 30 of the opening / closing lock mechanism 28 is formed with a locking claw 31 that protrudes and retracts from a through-hole on the outer periphery of the pod door 25. A pod door 25 is firmly fitted and covered on the front surface of the pod door 24.
【0039】上記構成において、半導体ウェーハWを収
納する場合には、ポッド24に複数枚の半導体ウェーハ
Wが整列収納され、ポッド24の開口正面にポッドドア
25が嵌合されるとともに、開閉ロック機構28が図示
しないポッドオープナに施錠操作されることにより、精
密基板収納容器に複数枚の半導体ウェーハWが気密状態
で収納される。In the above configuration, when the semiconductor wafers W are stored, a plurality of semiconductor wafers W are aligned and stored in the pod 24, the pod door 25 is fitted to the opening front of the pod 24, and the opening / closing lock mechanism 28 Is locked in a pod opener (not shown), whereby a plurality of semiconductor wafers W are stored in the precision substrate storage container in an airtight state.
【0040】また、半導体ウェーハWを処理したい場
合、例えば図示しないハンドリング装置のキャリアステ
ージに精密基板収納容器が図示しないオープンカセット
と共に位置決めセットされる。すると、ポッドドア25
の開閉ロック機構28がポッドオープナに解錠操作さ
れ、ポッド24の開口正面からポッドドア25が取り外
される。そして、複数枚の半導体ウェーハWは、その収
納状態等が確認された後、ハンドリング装置の移載機構
に下方から順次取り出され、他のキャリアステージのオ
ープンカセットに下方から移載される。When it is desired to process the semiconductor wafer W, for example, a precision substrate storage container is positioned and set on a carrier stage of a handling device (not shown) together with an open cassette (not shown). Then, the pod door 25
The opening / closing lock mechanism 28 is unlocked by the pod opener, and the pod door 25 is removed from the opening front of the pod 24. Then, after confirming the storage state and the like of the plurality of semiconductor wafers W, the semiconductor wafers W are sequentially taken out from below by the transfer mechanism of the handling device, and transferred from below to the open cassette of another carrier stage.
【0041】本実施形態においても上記実施形態と同様
の作用効果が期待でき、しかも、大口径の半導体ウェー
ハWの汚染を有効に防止し、清浄度の高い空間の確保が
期待できる。また、大口径の半導体ウェーハWを長期間
保存しても、精密基板収納容器から派生する僅かな有機
物により、半導体ウェーハWの汚染を招くことを抑制防
止することができる。In this embodiment, the same operation and effect as those of the above embodiment can be expected, and furthermore, it is possible to effectively prevent contamination of the large-diameter semiconductor wafer W and to secure a space with high cleanliness. Further, even if the large-diameter semiconductor wafer W is stored for a long period of time, it is possible to prevent the semiconductor wafer W from being contaminated by a small amount of organic matter derived from the precision substrate storage container.
【0042】なお、上記実施形態においては、気体の対
流の生じない収納容器1を単に示したが、外箱5、キャ
リア6、蓋体4、ポッド24、又はポッドドア25の一
部に黒色等の塗料を塗布し、紫外線の照射に伴い生じる
温度分布を利用して収納容器1内の気体を対流させ、光
触媒層19に収納容器1の被処理物を効率的に接触させ
るようにしても良い。また、透明のポッド24又はポッ
ドドア25と光触媒層19とを一体成形するようにして
も良い。In the above-described embodiment, the storage container 1 in which gas convection does not occur is merely shown. However, the outer box 5, the carrier 6, the lid 4, the pod 24, or a part of the pod door 25 is made of black or the like. A paint may be applied, and the gas in the storage container 1 may be convected using the temperature distribution generated by the irradiation of the ultraviolet light, so that the object to be processed of the storage container 1 is efficiently brought into contact with the photocatalyst layer 19. Further, the transparent pod 24 or pod door 25 and the photocatalyst layer 19 may be integrally formed.
【0043】[0043]
【実施例】実施例1 試験の目的 図1の精密基板収納容器に収納、保管した半導体ウェー
ハWを有機物汚染からどの程度保護できるか確認する。EXAMPLES Example 1 Object of Test It is checked how much the semiconductor wafer W stored and stored in the precision substrate storage container of FIG. 1 can be protected from organic contamination.
【0044】試験1 (1) 図1の精密基板収納容器を構成するキャリア6の
中央部の整列スロット12に、洗浄直後の8インチの半
導体ウェーハW1枚を収納し、外箱5にキャリア6を収
納し、外箱5の開口上部に蓋体4をガスケット3を介し
て嵌合し、半導体ウェーハWを密封状態とした。 (2) 紫外線強度が0.5μW/cm2の蛍光灯による照明
のあるクリーンルームにおいて、精密基板収納容器を室
温で2時間放置した。なお、紫外線の光源としては、環
境や装置等の条件により、殺菌灯、ブラックライト、又
は冷陰極管等を使用することができる。 (3) 精密基板収納容器から半導体ウェーハWを取り出
し、市販の熱脱離ガスクロマトグラフィー/マススペク
トル(GC/MS)により、400℃の加熱温度で半導体ウェ
ーハWの表面から脱離した有機物を分析した。Test 1 (1) One 8-inch semiconductor wafer W immediately after cleaning was stored in the alignment slot 12 at the center of the carrier 6 constituting the precision substrate storage container of FIG. After being stored, the lid 4 was fitted to the upper opening of the outer box 5 via the gasket 3 to seal the semiconductor wafer W. (2) The precision substrate storage container was left at room temperature for 2 hours in a clean room illuminated by a fluorescent lamp having an ultraviolet intensity of 0.5 μW / cm 2 . In addition, a germicidal lamp, a black light, a cold-cathode tube, or the like can be used as an ultraviolet light source depending on conditions of an environment, an apparatus, and the like. (3) Remove the semiconductor wafer W from the precision substrate storage container and analyze the organic substances desorbed from the surface of the semiconductor wafer W at a heating temperature of 400 ° C. by a commercially available thermal desorption gas chromatography / mass spectrum (GC / MS). did.
【0045】試験1の結果 検出された有機物は、脂肪族炭化水素類や樹脂の添加剤
起因であると思われるBHT等が主成分であった。これ
らのトータルイオンクロマトの相対ピーク強度を後述の
比較例1と比較すると、約1/3以下まで低減されてお
り、効果が認められた。Results of Test 1 The detected organic matter was mainly composed of aliphatic hydrocarbons and BHT which is considered to be caused by additives of the resin. When the relative peak intensities of these total ion chromatographs were compared with Comparative Example 1 described later, the relative peak intensities were reduced to about 1/3 or less, and the effect was recognized.
【0046】試験2 半導体ウェーハWに純粋水滴を落とし、半導体ウェーハ
Wの表面との接触点において、図7に示すように、水滴
の端部から水滴表面との接線、水滴のベースへの接触線
との間の角度、すなわち接触角θを測定して半導体ウェ
ーハWの表面の汚染の程度を確認した。一般に、半導体
ウェーハW上の水滴の接触角θは、10度を越えると、
疎水性が大きくなり過ぎ、汚染率が高いと考えられる。 試験2の結果 接触角θを測定して半導体ウェーハW表面の汚染度を確
認したところ、約6度であった。また、洗浄直後の半導
体ウェーハW上について、試験1と同様の方法でトータ
ルイオンクロマトの相対ピーク強度を測定したところ、
有機物は認められなかった。また、接触角θは2度であ
った。Test 2 A pure water drop was dropped on the semiconductor wafer W, and at the point of contact with the surface of the semiconductor wafer W, as shown in FIG. Was measured, that is, the contact angle θ was measured to confirm the degree of contamination of the surface of the semiconductor wafer W. Generally, when the contact angle θ of a water droplet on the semiconductor wafer W exceeds 10 degrees,
It is considered that the hydrophobicity becomes too large and the contamination rate is high. Results of Test 2 When the degree of contamination on the surface of the semiconductor wafer W was confirmed by measuring the contact angle θ, it was about 6 degrees. Further, when the relative peak intensity of the total ion chromatograph was measured on the semiconductor wafer W immediately after cleaning by the same method as in Test 1,
No organic matter was found. The contact angle θ was 2 degrees.
【0047】実施例2 試験の目的 図3の精密基板収納容器に収納、保管した半導体ウェー
ハWを有機物汚染からどの程度保護できるか確認する。Example 2 Object of Test It is checked how much the semiconductor wafer W stored and stored in the precision substrate storage container of FIG. 3 can be protected from organic contamination.
【0048】試験1 (1) 図3の精密基板収納容器を構成するキャリア6の
中央部の整列スロット12に、洗浄直後の8インチの半
導体ウェーハW1枚を収納し、外箱5にキャリア6を収
納し、外箱5の開口上部に蓋体4をガスケット3を介し
て嵌合し、半導体ウェーハWを密封状態とした。 (2) 紫外線強度が0.5μW/cm2の蛍光灯による照明
のあるクリーンルームにおいて、精密基板収納容器を室
温で3日間放置した。 (3) 精密基板収納容器から半導体ウェーハWを取り出
し、市販の熱脱離ガスクロマトグラフィー/マススペク
トル(GC/MS)により、400℃の加熱温度で半導体ウェ
ーハWの表面から脱離した有機物を分析した。Test 1 (1) One 8-inch semiconductor wafer W immediately after cleaning was stored in the alignment slot 12 at the center of the carrier 6 constituting the precision substrate storage container shown in FIG. After being stored, the lid 4 was fitted to the upper opening of the outer box 5 via the gasket 3 to seal the semiconductor wafer W. (2) The precision substrate storage container was left at room temperature for 3 days in a clean room illuminated by a fluorescent lamp having an ultraviolet intensity of 0.5 μW / cm 2 . (3) Remove the semiconductor wafer W from the precision substrate storage container and analyze the organic substances desorbed from the surface of the semiconductor wafer W at a heating temperature of 400 ° C. by a commercially available thermal desorption gas chromatography / mass spectrum (GC / MS). did.
【0049】試験1の結果 検出された有機物は、脂肪族炭化水素類や樹脂の添加剤
起因であると思われるBHT等が主成分であった。これ
らのトータルイオンクロマトの相対ピーク強度を後述の
比較例1と比較すると、約1/2以下まで低減されてお
り、効果が認められた。Results of Test 1 The detected organic matter was mainly composed of aliphatic hydrocarbons and BHT which is considered to be caused by additives of the resin. When the relative peak intensities of these total ion chromatographs were compared with Comparative Example 1 described later, the relative peak intensities were reduced to about 以下 or less, and the effect was recognized.
【0050】試験2 半導体ウェーハWに純粋水滴を落とし、半導体ウェーハ
Wの表面との接触点において、水滴が半導体ウェーハW
に対してなす角度、すなわち接触角を測定して半導体ウ
ェーハWの表面の汚染の程度を確認した。 試験2の結果 接触角を測定して半導体ウェーハW表面の汚染度を確認
したところ、8度であり、効果が認められた。Test 2 A pure water drop was dropped on the semiconductor wafer W, and at the point of contact with the surface of the semiconductor wafer W, the water drop
, That is, the contact angle was measured to confirm the degree of contamination of the surface of the semiconductor wafer W. Results of Test 2 The contact angle was measured to confirm the degree of contamination on the surface of the semiconductor wafer W. As a result, the degree was 8 °, indicating an effect.
【0051】なお、実施例1と実施例2との効果の差異
は、光触媒層19の表面積を中心とする表面性の差異に
起因するものと推定される。The difference between the effects of Example 1 and Example 2 is presumed to be due to the difference in surface properties centering on the surface area of the photocatalyst layer 19.
【0052】比較例 実施例1と同様の構成で光触媒層19を有しない精密基
板収納容器に、実施例1、2と同様の試験を行った。 比較例の結果 接触角は10度であった。また、半導体ウェーハW表面
の有機物量は、半導体ウェーハWのトータルイオンクロ
マトの相対ピーク強度を100とした。Comparative Example The same test as in Examples 1 and 2 was performed on a precision substrate storage container having the same configuration as in Example 1 and without the photocatalyst layer 19. Results of Comparative Example The contact angle was 10 degrees. The amount of organic substances on the surface of the semiconductor wafer W was set to 100 as the relative peak intensity of the total ion chromatograph of the semiconductor wafer W.
【0053】[0053]
【表1】 [Table 1]
【0054】[0054]
【発明の効果】以上のように本発明によれば、収納、保
管中の精密基板を有機物の汚染から有効に保護すること
ができるという効果がある。また、精密基板の清浄度を
長期にわたり維持することが可能になる。As described above, according to the present invention, there is an effect that the precision substrate during storage and storage can be effectively protected from organic contamination. Further, the cleanliness of the precision substrate can be maintained for a long time.
【図1】本発明に係る精密基板収納容器の実施形態を示
す分解斜視説明図である。FIG. 1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a precision substrate storage container according to the present invention.
【図2】本発明に係る精密基板収納容器の実施形態を示
す要部説明図である。FIG. 2 is an explanatory view of a main part showing an embodiment of a precision substrate storage container according to the present invention.
【図3】本発明に係る精密基板収納容器の第2の実施形
態を示す分解斜視説明図である。FIG. 3 is an exploded perspective view illustrating a precision substrate storage container according to a second embodiment of the present invention.
【図4】本発明に係る精密基板収納容器の第2の実施形
態を示す要部説明図である。FIG. 4 is an explanatory view of a main part of a precision substrate storage container according to a second embodiment of the present invention.
【図5】本発明に係る精密基板収納容器の第2の実施形
態におけるキャリア成形用の射出成形金型を示す断面説
明図である。FIG. 5 is an explanatory cross-sectional view showing an injection mold for carrier molding in a precision substrate storage container according to a second embodiment of the present invention.
【図6】本発明に係る精密基板収納容器の第3の実施形
態を示す分解斜視説明図である。FIG. 6 is an exploded perspective view showing a third embodiment of the precision substrate storage container according to the present invention.
【図7】半導体ウェーハ上での水滴の接触角度を示す説
明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a contact angle of a water droplet on a semiconductor wafer.
1 収納容器 2 容器本体 4 蓋体 5 外箱 6 キャリア 11 背面壁 14 押さえ部材 18 支持片 19 光触媒層 20 透過領域 24 ポッド(容器本体) W 半導体ウェーハ(精密基板) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Storage container 2 Container main body 4 Lid 5 Outer box 6 Carrier 11 Back wall 14 Pressing member 18 Support piece 19 Photocatalyst layer 20 Transmission area 24 Pod (container main body) W Semiconductor wafer (precision substrate)
Claims (4)
収納容器であって、 該収納容器の内側に設けられる光触媒層と、該収納容器
に設けられ、この収納容器の外部から該光触媒層に紫外
線を導く透過領域とを含んでなることを特徴とする精密
基板収納容器。1. A precision substrate storage container for storing a precision substrate in a storage container, comprising: a photocatalyst layer provided inside the storage container; and a photocatalyst layer provided in the storage container. A precision substrate storage container comprising: a transmission region for guiding ultraviolet light.
る合成樹脂製の容器本体と、この容器本体の開口部をシ
ール可能に被覆する合成樹脂製の蓋体とから構成し、 該容器本体と該蓋体の少なくともいずれか一方と、上記
光触媒層とを一体成形した請求項1記載の精密基板収納
容器。2. The container body according to claim 1, wherein the container includes a container body made of a synthetic resin that houses the precision substrate, and a lid body made of a synthetic resin that sealably covers an opening of the container body. The precision substrate storage container according to claim 1, wherein at least one of the lid and the photocatalyst layer is integrally formed.
フッ化エチレン樹脂製とした請求項2記載の精密基板収
納容器。3. The precision substrate storage container according to claim 2, wherein said container main body and / or said lid are made of polytetrafluoroethylene resin.
はFeから選択された1種又は複数種の金属酸化物からな
る触媒を備えてなる請求項1ないし3記載の精密基板収
納容器。4. The precision photocatalyst according to claim 1, wherein the photocatalyst layer comprises a catalyst comprising one or more metal oxides selected from Ti, Zn, Sn, W, Bi, and Fe. Substrate storage container.
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- 1998-07-27 JP JP10211350A patent/JP2000043976A/en active Pending
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