JP2000036738A - Rewritable logic circuit and latching circuit - Google Patents

Rewritable logic circuit and latching circuit

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JP2000036738A JP10239794A JP23979498A JP2000036738A JP 2000036738 A JP2000036738 A JP 2000036738A JP 10239794 A JP10239794 A JP 10239794A JP 23979498 A JP23979498 A JP 23979498A JP 2000036738 A JP2000036738 A JP 2000036738A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rewritable logic circuit which uses not a transfer gate switch, but a reconstitutable wiring logic element. SOLUTION: Cells 1 are connected through signal paths Pw, Pn, Pe, and Ps, and have rewritable logic memories Mw, Mn, Me, and Ms having a tristate output function, set the signal paths for input or output, when the tristate output function is set, and read previously stored values out of the logic memory by accessing the memory by using as addresses values inputted through the signal path set for input, thereby outputting them to the signal path set for output.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、再構成可能布線論
理素子(FPGA:Field Programmable Gate Array)
を利用した書き換え可能な論理回路およびこの論理回路
を使用して構成したラッチ回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reconfigurable wiring logic element (FPGA: Field Programmable Gate Array).
And a latch circuit configured using the logic circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の再構成可能布線論理素子は、論理
関数の実現に論理メモリを使用する場合であっても、こ
れらの論理関数相互の接続は、信号線間に配置したトラ
ンスファーゲートスイッチのオン/オフで決定する方法
を採用していた。すなわち、論理メモリとトランスファ
ーゲートスイッチの異なる種類の組み合わせで論理回路
を実現していた。
2. Description of the Related Art In a conventional reconfigurable wired logic element, even when a logic memory is used to realize a logic function, these logic functions are interconnected by transfer gate switches arranged between signal lines. On / off. That is, a logic circuit is realized by a combination of different types of the logic memory and the transfer gate switch.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、論理メモリと
トランスファーゲートスイッチは全く異なった構造とな
っているため、さらなる高集積化や柔軟性向上の妨げと
なっていた。
However, the logic memory and the transfer gate switch have completely different structures, which hinders further high integration and improvement in flexibility.

【0004】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、その第1の目的は、論理回路の実現に必要な
論理ゲートとそれらの接続をできるだけ均一な構造で実
現し、上記した問題を解決した書き換え可能な論理回路
を提供することである。また、第2の目的は、この論理
回路を利用したラッチ回路を提供することである。
The present invention has been made in view of the above points, and a first object of the present invention is to realize logic gates necessary for realizing a logic circuit and their connections with a structure as uniform as possible. An object of the present invention is to provide a rewritable logic circuit that solves the problem. A second object is to provide a latch circuit using this logic circuit.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第1の発明の論理回路は、隣接セルと信号路によって
接続される複数のセルからなる論理回路において、各セ
ルは、当該各セルに接続される前記信号路を入力用又は
出力用に設定する手段を有し、且つ各セルは、前記入力
用に設定された信号路を介して入力される値をアドレス
として書き換え可能な論理メモリにアクセスすることに
より予め格納されている値を読み出して前記出力用に設
定されている信号路に出力するように構成した。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a logic circuit comprising a plurality of cells connected to an adjacent cell by a signal path, wherein each of the cells comprises a corresponding one of the cells. Means for setting the signal path connected to the input or the output for the input, and each cell has a rewritable logic address as a value input through the signal path set for the input as an address. , The value stored in advance is read and output to the signal path set for the output.

【0006】第2の発明の論理回路は、第1の発明にお
いて、上記信号路を入力用又は出力用に設定する手段
が、前記論理メモリのトライステート出力機能により実
現されるように構成した。
In a second aspect of the present invention, in the first aspect, the means for setting the signal path for input or output is realized by a tristate output function of the logic memory.

【0007】第3の発明のラッチ回路は、第1又は第2
の発明における論理回路の2個の論理メモリからなる第
1、第2の論理メモリのアドレスの値を各々2入力NO
Rの論理機能に設定し、該第1、第2の論理メモリの各
々の第1入力を入力用に設定された個別の信号路に接続
し、前記第1の論理メモリの第2入力を前記第2の論理
メモリの出力用に設定された信号路に接続し、前記第2
の論理メモリの第2入力を前記第1の論理メモリの出力
用に設定された信号路に接続して構成した。
A latch circuit according to a third aspect of the present invention includes the first or second latch circuit.
The address values of the first and second logic memories each composed of two logic memories of the logic circuit according to the invention of the present invention are set to two-input NO.
R, and connect the first input of each of the first and second logic memories to a separate signal path set for input, and connect the second input of the first logic memory to the Connecting to the signal path set for the output of the second logic memory,
The second input of the logical memory is connected to a signal path set for the output of the first logical memory.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】[第1の実施の形態]図1は本発
明のセル構造の基本的な構成を示す図、図2は図1のセ
ル1を複数個並べた例を示す図、図3は論理メモリの構
成を示す図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing a basic configuration of a cell structure of the present invention, FIG. 2 is a diagram showing an example in which a plurality of cells 1 of FIG. 1 are arranged, FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the logical memory.

【0009】図1に示すセル1は、w、n、e、sと名
付けられた4方向に対して1つずつ合計で4つの隣接セ
ルを持つ。たとえば、図2のセル1Aは、セル1B、1
C、1D、1Eの4つの隣接セルをもつ。そして、セル
1は、それぞれの隣接セルと接続するための4つの信号
路Pw、Pn、Pe、Psをもつ。信号路Pwは論理メ
モリMwに対しては出力用信号路として、他の論理メモ
リMn、Me、Msに対しては入力用信号路として働か
せることができる。信号路Pnは論理メモリMnに対し
ては出力用信号路として、他の論理メモリMe、Ms、
Mwに対しては入力用信号路として働かせることができ
る。信号路Peは論理メモリMeに対しては出力用信号
路として、他の論理メモリMs、Mw、Mnに対しては
入力用信号路として働かせることができる。信号路Ps
は論理メモリMsに対しては出力用信号路として、他の
論理メモリMw、Mn、Meに対しては入力用信号路と
して働かせることができる。
The cell 1 shown in FIG. 1 has a total of four adjacent cells, one for each of the four directions named w, n, e, and s. For example, cell 1A in FIG.
It has four neighboring cells C, 1D and 1E. The cell 1 has four signal paths Pw, Pn, Pe, and Ps for connecting to each adjacent cell. The signal path Pw can function as an output signal path for the logic memory Mw, and can function as an input signal path for the other logic memories Mn, Me, and Ms. The signal path Pn serves as an output signal path for the logical memory Mn, and the other logical memories Me, Ms,
It can serve as an input signal path for Mw. The signal path Pe can serve as an output signal path for the logic memory Me and an input signal path for the other logic memories Ms, Mw, Mn. Signal path Ps
Can function as an output signal path for the logical memory Ms and as an input signal path for the other logical memories Mw, Mn, and Me.

【0010】各論理メモリMw、Mn、Me、Msは対
応する各信号路Pw、Pn、Pe、Psへの出力をオン
/オフ(イネーブル/ディスイネーブル)するトライス
テート出力機能をもち、そのトライステート出力機能を
オンすることにより出力用として設定された信号路以外
の他の3つの信号路からの入力で、アドレスを指定でき
る。すなわち、論理メモリMwは、信号路Pn、Pe、
Psからの入力値で、論理メモリMnは信号路Pw、P
e、Psからの入力値で、論理メモリMeは信号路P
w、Pn、Psからの入力値で、さらに論理メモリMs
は信号路Pw、Pn、Peからの入力値で、各々アドレ
スを設定できる。
Each of the logic memories Mw, Mn, Me, Ms has a tri-state output function of turning on / off (enable / disenable) an output to the corresponding signal path Pw, Pn, Pe, Ps. By turning on the output function, an address can be specified by input from three signal paths other than the signal path set for output. In other words, the logical memory Mw includes the signal paths Pn, Pe,
With the input value from Ps, the logical memory Mn is stored in the signal paths Pw, Pw.
e, the input values from Ps, the logical memory Me
w, Pn, Ps, and the logical memory Ms
Are input values from the signal paths Pw, Pn, and Pe, and each can set an address.

【0011】そして、各論理メモリMw、Mn、Me、
Msは、指定されたアドレスの記憶素子に予め格納され
た値を読み出し可能であり、且つ前記のトライステート
出力機能のオン/オフにより対応する信号路に対してそ
の値を出力するか否かが設定可能である。すなわち、論
理メモリMwの出力を信号路Pwに出力するか否か、論
理メモリMnの出力を信号路Pnに出力するか否か、論
理メモリMeの出力を信号路Peに出力するか否か、論
理メモリMsの出力を信号路Psに出力するか否かを個
別に設定することができる。
Then, each of the logical memories Mw, Mn, Me,
Ms can read out a value stored in advance in the storage element at the designated address, and determines whether or not to output the value to the corresponding signal path by turning on / off the tristate output function. Can be set. That is, whether to output the output of the logical memory Mw to the signal path Pw, whether to output the output of the logical memory Mn to the signal path Pn, whether to output the output of the logical memory Me to the signal path Pe, Whether to output the output of the logic memory Ms to the signal path Ps can be individually set.

【0012】各論理メモリMw、Mn、Me、Msは同
じ構成であるので、ここで、論理メモリMeを代表して
その内部構成を説明する。この論理メモリMeは、図3
に示したように、信号路Pnからの信号により切替動作
を行うセレクタ2、信号路Pwからの信号により切替動
作を行うセレクタ3、4、信号路Psからの信号により
切替動作を行うセレクタ5〜8、およびセレクタ2の出
力を信号路Peに出力するか否かの前記したトライステ
ート出力機能を実現するトライステートバッファ9を具
備する。さらに、セレクタ2〜8で選択されるべき8ビ
ットデータは記憶素子10〜17に書き込まれ、トライ
ステートバッファ9のオン/オフを設定する1ビットデ
ータは、記憶素子18に書き込まれる。つまり、この論
理メモリMeには9ビットデータが書き込まれる。この
9ビットデータの書き込みは、各記憶素子10〜18を
シフトレジスタとして構成して、記憶素子10から順に
シフトさせて書き込む。例えば、トライステートバッフ
ァ9の出力をオンに設定し、セレクタ2〜8で選択され
るべきデータを「0」とするときは、シフトレジスタに
は「000000001」を設定すれば良いので、入力
端子19から「100000000」のビット列を送り
込む。このようにすれば、必要な信号線数が少なくて済
む。
Since each of the logical memories Mw, Mn, Me, Ms has the same configuration, the internal configuration of the logical memory Me will be described as a representative here. This logical memory Me is shown in FIG.
, A selector 2 that performs a switching operation using a signal from the signal path Pn, selectors 3 and 4 that perform a switching operation using a signal from the signal path Pw, and selectors 5 and 5 that perform a switching operation using a signal from the signal path Ps. 8 and a tri-state buffer 9 for realizing the above-described tri-state output function of determining whether to output the output of the selector 2 to the signal path Pe. Further, 8-bit data to be selected by the selectors 2 to 8 is written to the storage elements 10 to 17, and 1-bit data for setting on / off of the tristate buffer 9 is written to the storage element 18. That is, 9-bit data is written in the logical memory Me. In the writing of the 9-bit data, each of the storage elements 10 to 18 is configured as a shift register, and is sequentially shifted from the storage element 10 and written. For example, when the output of the tri-state buffer 9 is set to ON and the data to be selected by the selectors 2 to 8 is set to “0”, “0000000001” may be set in the shift register. , A bit string “10000000” is sent. In this way, the required number of signal lines can be reduced.

【0013】なお、信号路Pn、Pw、Psの信号が制
御するセレクタは上記組み合わせに限られるものではな
く、信号路Pn信号がセレクタ3、4を、信号路Pwの
信号がセレクタ5〜8を、信号路Psの信号がセレクタ
2を制御するようにしても、さらに信号路Pn信号がセ
レクタ5〜8を、信号路Pwの信号がセレクタ2を、信
号路Psの信号がセレクタ3、4を制御するようにして
も良い。
The selectors controlled by the signals on the signal paths Pn, Pw, and Ps are not limited to the above combinations. The signal on the signal path Pn controls the selectors 3 and 4, and the signal on the signal path Pw controls the selectors 5 to 8. Even if the signal on the signal path Ps controls the selector 2, the signal on the signal path Pn controls the selectors 5 to 8, the signal on the signal path Pw controls the selector 2, and the signal on the signal path Ps controls the selectors 3 and 4. You may make it control.

【0014】また、各記憶素子10〜18を独立して設
けたときは、通常のマトリクス配置の記憶素子へのデー
タの書き込みと同様に特定の記憶素子を指定してそのデ
ータを書き込むようにすることもできる。
When each of the storage elements 10 to 18 is provided independently, a specific storage element is designated and the data is written in the same manner as when writing data to storage elements in a normal matrix arrangement. You can also.

【0015】なお、以上の説明では1出力の論理メモリ
を隣接セルとの信号路の数に合わせて4つ使用している
が、論理メモリの数をいくつにするかは任意である。例
えば、複数のトライステート出力機能を有する多出力論
理メモリを1つ用いる方法も考えられる。
In the above description, four logic memories each having one output are used in accordance with the number of signal paths to the adjacent cells. However, the number of logic memories is arbitrary. For example, a method using one multi-output logic memory having a plurality of tri-state output functions is also conceivable.

【0016】また、各論理メモリのアドレスの記憶素子
に格納される値を予め設定することで、論理メモリの出
力値を、論理メモリの入力値を変数とする任意の論理関
数として使用することができる。例えば、各信号路のビ
ット幅、各論理メモリに格納されるデータの値等を1ビ
ットとして、各アドレスの記憶素子に格納される値を適
当に設定しておくことで、当該論理メモリで最大3入力
1出力の任意の組み合わせ論理回路を表現することがで
きる。
Further, by setting in advance the value stored in the storage element at the address of each logical memory, the output value of the logical memory can be used as an arbitrary logical function using the input value of the logical memory as a variable. it can. For example, by setting the bit width of each signal path, the value of data stored in each logical memory, etc. as 1 bit and appropriately setting the value stored in the storage element of each address, An arbitrary combinational logic circuit having three inputs and one output can be expressed.

【0017】[第2の実施の形態]図4は図1、図2で
示したセル1の構造を用いて組み合わせ論理回路を構成
した例を示す図である。ここでは、セル1の各信号路P
w、Pn、Pe、Psの値、各論理メモリMw、Mn、
Me、Msに格納される値を1ビットとする。
[Second Embodiment] FIG. 4 is a diagram showing an example in which a combinational logic circuit is constructed using the structure of the cell 1 shown in FIGS. Here, each signal path P of cell 1
w, Pn, Pe, Ps, logical memory Mw, Mn,
The value stored in Me and Ms is 1 bit.

【0018】まず、図1に示した4つの論理メモリM
w、Mn、Me、Msのうち、論理メモリMeの出力の
みを対応する信号路Peに対して出力可能となるようそ
のトライステート出力機能をオンに設定し、これ以外の
論理メモリMw、Mn、Msの出力は対応する信号路P
w、Pn、Psに対して出力しない(オフ:ハイインピ
ーダンス)ように設定する。
First, the four logical memories M shown in FIG.
Of the w, Mn, Me, and Ms, the tri-state output function is turned on so that only the output of the logical memory Me can be output to the corresponding signal path Pe, and the other logical memories Mw, Mn, The output of Ms is the corresponding signal path P
It is set so as not to output (off: high impedance) for w, Pn, and Ps.

【0019】また、論理メモリMeの各アドレスの記憶
素子に格納される値を、当該論理メモリMeへの3つの
入力となるPw、Pn、Psのうち、Pw、Pnの論理
積を表現するよう予め設定する。これ以外の論理メモリ
Mw、Mn、Msの各アドレスの記憶素子に格納される
値の設定については、任意の値で構わないが、通常はす
べてを0に初期化しておく。
The value stored in the storage element at each address of the logical memory Me is expressed as a logical product of Pw and Pn among Pw, Pn and Ps which are three inputs to the logical memory Me. Set in advance. The values stored in the storage elements at the respective addresses of the logical memories Mw, Mn, and Ms other than the above may be set to arbitrary values, but usually all are initialized to 0.

【0020】以上のような各々の設定を、セル1内の各
論理メモリMw、Mn、Me、Msに対して行うこと
で、当該セル1の信号路PwとPnから与えられる値の
論理積を信号路Peに出力する機能が与えられる。図5
は図4で設定した内容の等価回路である。
The above settings are performed for each of the logic memories Mw, Mn, Me, and Ms in the cell 1, so that the logical product of the values given from the signal paths Pw and Pn of the cell 1 is obtained. A function of outputting the signal to the signal path Pe is provided. FIG.
Is an equivalent circuit of the contents set in FIG.

【0021】[第3の実施の形態]図6は図1に示した
セル1の構造を用いて信号の転送路を構成した例を示す
図である。ここでは、図1に示したセル1の各信号路P
w、Pn、Pe、Ps、各論理メモリMw、Mn、M
e、Msに格納される値を1ビットとする。
[Third Embodiment] FIG. 6 is a diagram showing an example in which a signal transfer path is formed using the structure of the cell 1 shown in FIG. Here, each signal path P of the cell 1 shown in FIG.
w, Pn, Pe, Ps, each logical memory Mw, Mn, M
The value stored in e and Ms is 1 bit.

【0022】まず、図1における4つ設けた論理メモリ
Mw、Mn、Me、Msのうち、論理メモリMeの出力
のみを対応する信号路Peに対して出力可能となるよう
トライステート出力機能をオンに設定し、これ以外の論
理メモリMw、Mn、Msの出力は対応する信号路P
w、Pn、Psに対して出力しないようにオフに設定す
る。
First, of the four logic memories Mw, Mn, Me and Ms provided in FIG. 1, the tri-state output function is turned on so that only the output of the logic memory Me can be output to the corresponding signal path Pe. , And the outputs of the other logic memories Mw, Mn, Ms are set to the corresponding signal paths P
It is turned off so as not to output w, Pn, and Ps.

【0023】また、論理メモリMeの各アドレスの記憶
素子に格納される値を、当該論理メモリPeへの3つの
入力となる信号路Pw、Pn、Psのうち、特に信号路
Psの値と同じ値を出力するように予め設定する。これ
以外の論理メモリMw、Mn、Msの各アドレスの記憶
素子に格納される値の設定については、任意の値で構わ
ないが、通常はすべてを0に初期化しておく。
The value stored in the storage element at each address of the logical memory Me is set to the same value as the value of the signal path Ps among the signal paths Pw, Pn, and Ps which are the three inputs to the logical memory Pe. It is set in advance to output a value. The values stored in the storage elements at the respective addresses of the logical memories Mw, Mn, and Ms other than the above may be set to arbitrary values, but usually all are initialized to 0.

【0024】以上のような各々の設定を、セル1内の各
論理メモリMw、Mn、Me、Msに対して行うこと
で、当該セル1の信号路Psから与えられる値を信号路
Peに出力する機能が与えられる。図7は図6で設定し
た内容の等価回路である。
The above settings are made for each of the logic memories Mw, Mn, Me, and Ms in the cell 1 so that the value given from the signal path Ps of the cell 1 is output to the signal path Pe. Function is provided. FIG. 7 is an equivalent circuit of the contents set in FIG.

【0025】[第4の実施の形態]図8は以上説明した
図1〜図7に示したような構造を持つセル1を複数個使
用して、フルアダー(全加算器)を構成した例を示す図
である。図1に示したような構造をもつ複数のセルに対
して、図4〜図7に示した組み合わせ論理回路や信号転
送路として各セルを設定することにより、次の式(1)、
(2)に示す演算を行うフルアダーを構成することができ
る。ここで、exは排他的論理和、andは論理積、orは論
理和を表す。A,Bは入力、Sは加算出力、CIはキャリ
ー入力、COはキャリー出力である。
[Fourth Embodiment] FIG. 8 shows an example in which a plurality of cells 1 having the structure shown in FIGS. 1 to 7 are used to form a full adder (full adder). FIG. By setting each cell as a combinational logic circuit and a signal transfer path shown in FIGS. 4 to 7 for a plurality of cells having the structure shown in FIG. 1, the following equation (1) is obtained.
A full adder that performs the operation shown in (2) can be configured. Here, ex represents exclusive OR, and represents AND, and or represents OR. A and B are inputs, S is an addition output, CI is a carry input, and CO is a carry output.

【0026】 S=A ex B ex CI (1) CO=(A and B)or(B and CI)or(CI and A) (2) なお、図8において、セル21、22は排他的論理和回
路を、セル23、24は論理積回路を、セル25は論理
和回路を、セル26〜30は信号転送路を、セル31は
インバータを各々構成している。
S = A ex B ex CI (1) CO = (A and B) or (B and CI) or (CI and A) (2) In FIG. 8, cells 21 and 22 are exclusive ORs. A circuit, cells 23 and 24 constitute an AND circuit, a cell 25 constitutes an OR circuit, cells 26 to 30 constitute a signal transfer path, and a cell 31 constitutes an inverter.

【0027】[第5の実施の形態]ところで、ディジタ
ル回路には「組み合わせ回路」と「順序回路」があり、
前者は時間的要素を持たず入力信号に対して出力が一義
的に決定されるが、後者は回路内に信号の値を保存する
ラッチ機能が存在し、クロック等の制御信号の時間的要
素により出力の値が左右される。
[Fifth Embodiment] By the way, digital circuits include "combinational circuits" and "sequential circuits".
The former has no time element and the output is uniquely determined for the input signal, but the latter has a latch function that saves the value of the signal in the circuit, and is based on the time element of the control signal such as a clock. The output value depends.

【0028】ところが、従来ではラッチ機能を持たない
という条件のもとでは、通常組み合わせ回路しか実現で
きず、順序回路を実現する場合には、ラッチ機構を専用
に持たせなければならなかった。
However, conventionally, only a combinational circuit can be realized under the condition that it does not have a latch function, and when a sequential circuit is realized, a latch mechanism must be provided exclusively.

【0029】そこで、この第5の実施の形態では、専用
のラッチ機構を持たせる必要がないようにした。
Therefore, in the fifth embodiment, it is not necessary to provide a dedicated latch mechanism.

【0030】図9はこのラッチ回路を構成するセル1を
示す図である。ここでは、セル1内の2個の論理メモリ
Mn,Meのトライステート出力機能をオンにし、残り
の論理メモリMw、Msのトライステート出力機能をオ
フに設定する。また、論理メモリMnは、そのアドレス
の記憶素子に格納される値を、当該論理メモリMnへの
入力となる信号路Pw、Peの信号のNOR論理を表現
するよう予め設定する。また、論理メモリMeは、その
アドレスの記憶素子に格納される値を、当該論理メモリ
Meへの入力となる信号路Pn、Psの信号のNOR論
理を表現するよう予め設定する。信号路Ps、Pwには
他のセルから信号が到来し、信号路Peには論理メモリ
Meの論理処理結果が現れ、信号路Pnには論理メモリ
Mnの論理処理結果が現れる。なお、他の論理メモリM
w,Msの各アドレスの記憶素子に格納される値の設定
については、任意の値で構わないが、通常はすべてを0
に初期化しておく。
FIG. 9 is a diagram showing a cell 1 constituting this latch circuit. Here, the tri-state output function of the two logic memories Mn and Me in the cell 1 is turned on, and the tri-state output function of the remaining logic memories Mw and Ms is turned off. In the logic memory Mn, the value stored in the storage element at the address is set in advance so as to express the NOR logic of the signals on the signal paths Pw and Pe input to the logic memory Mn. Further, the logic memory Me presets the value stored in the storage element at the address so as to express the NOR logic of the signals on the signal paths Pn and Ps which are input to the logic memory Me. Signals arrive from other cells on the signal paths Ps and Pw, the result of the logical processing of the logical memory Me appears on the signal path Pe, and the result of the logical processing on the logical memory Mn appears on the signal path Pn. Note that other logical memories M
The value stored in the storage element at each address of w and Ms may be set to an arbitrary value.
Initialize to

【0031】以上のような各々の設定をセル1の各論理
メモリMw,Mn,Me,Msに対して行うことで、当
該セル1の信号路Pwから与えられる値をリセット信号
Rとし、信号路Psから与えられる値をセット信号Sと
し、信号路Pnに信号Qを出力し、信号路Peに信号Q
の反転信号を出力するS−Rラッチ回路が実現される。
図10は図9の設定内容の等価回路、図11はそのS−
Rラッチ回路を表す論理回路である。
By performing each of the above settings for each of the logic memories Mw, Mn, Me, and Ms of the cell 1, the value given from the signal path Pw of the cell 1 is used as the reset signal R, A value given from Ps is set as a set signal S, a signal Q is output on a signal path Pn, and a signal Q is output on a signal path Pe.
, An SR latch circuit that outputs an inverted signal of.
FIG. 10 is an equivalent circuit of the setting contents of FIG. 9, and FIG.
This is a logic circuit representing an R latch circuit.

【0032】図12は論理メモリMe,MwにNOR論
理を行う機能を持たせて同様にR−Sラッチ回路を構成
したものであり、この場合は論理メモリMe,Mwのト
ライステート出力機能をオンに設定し、論理メモリM
n,Msのトライステート出力機能をオフに設定する。
FIG. 12 shows a configuration in which the logical memories Me and Mw are provided with a function of performing NOR logic and an RS latch circuit is similarly formed. In this case, the tri-state output function of the logical memories Me and Mw is turned on. To the logical memory M
Set the tri-state output function of n and Ms to off.

【0033】なお、この実施の形態では1個のセル内の
2個の論理メモリを使用してラッチ回路を構成したが、
異なったセルの論理メモリを使用してラッチ回路を構成
することも可能である。
In this embodiment, the latch circuit is constituted by using two logic memories in one cell.
It is also possible to configure a latch circuit using logic memories of different cells.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上から本発明の書き換え可能な論理回
路によれば、トランスファーゲートスイッチを使用する
ことなく、論理メモリのみで再構成可能布線論理素子を
利用した書き換え可能な論理回路を構成できるので、高
集積化が容易であり、また論理回路の構成の柔軟性が向
上するという利点がある。また本発明のラッチ回路によ
れば、特別なラッチ機構を備えることなく順序回路を実
現することができる利点がある。
As described above, according to the rewritable logic circuit of the present invention, a rewritable logic circuit using a reconfigurable wired logic element using only a logic memory can be constructed without using a transfer gate switch. Therefore, there is an advantage that high integration is easy and the flexibility of the configuration of the logic circuit is improved. Further, according to the latch circuit of the present invention, there is an advantage that a sequential circuit can be realized without providing a special latch mechanism.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 第1の実施の形態のセルのブロック図であ
る。
FIG. 1 is a block diagram of a cell according to a first embodiment.

【図2】 図1のセルを複数配列した図である。FIG. 2 is a diagram in which a plurality of cells of FIG. 1 are arranged.

【図3】 論理メモリの内部構成を示すブロック図であ
る。
FIG. 3 is a block diagram showing an internal configuration of a logical memory.

【図4】 論理積の組み合わせ論理回路として構成した
セルのブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram of a cell configured as a logical combination circuit of logical products;

【図5】 図4の等価回路である。FIG. 5 is an equivalent circuit of FIG.

【図6】 信号転送路として構成したセルのブロック図
である。
FIG. 6 is a block diagram of a cell configured as a signal transfer path.

【図7】 図6の等価回路である。FIG. 7 is an equivalent circuit of FIG.

【図8】 複数のセルによりフルアダーを構成した図で
ある。
FIG. 8 is a diagram in which a full adder is configured by a plurality of cells.

【図9】 ラッチ回路として構成したセルのブロック図
である。
FIG. 9 is a block diagram of a cell configured as a latch circuit.

【図10】 図9の等価回路である。FIG. 10 is an equivalent circuit of FIG. 9;

【図11】 図9の論理回路である。FIG. 11 is a logic circuit of FIG. 9;

【図12】 ラッチ回路として構成した別の例のセルの
ブロック図である。
FIG. 12 is a block diagram of another example of a cell configured as a latch circuit.

【符号の説明】 1、1A、1B、1C、1D:セル 2〜8:セレクタ 9:トライステートバッファ 10〜18:記憶素子 19:入力端子 21〜31:セル Mw、Mn、Me、Ms:論理メモリ Pw、Pn、Pe、Ps:信号路[Description of Signs] 1, 1A, 1B, 1C, 1D: cells 2 to 8: selector 9: tristate buffer 10 to 18: storage element 19: input terminal 21 to 31: cell Mw, Mn, Me, Ms: logic Memory Pw, Pn, Pe, Ps: signal path

フロントページの続き (72)発明者 小西 隆介 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 石井 健司 東京都新宿区西新宿三丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 Fターム(参考) 5B016 AA10 GA01 5J042 AA10 BA01 BA08 BA19 CA00 CA13 CA14 CA15 CA19 CA20 CA22 CA23 CA25 CA26 CA27 CA28 DA01 DA04 DA06 5J043 AA00 AA05 BB04 DD00 DD06 DD07 JJ01 JJ10 KK01 Continuing on the front page (72) Inventor Ryusuke Konishi 3-19-2 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Japan Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Kenji Ishii 3-192-1, Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Telephone Co., Ltd. F term (reference) 5B016 AA10 GA01 5J042 AA10 BA01 BA08 BA19 CA00 CA13 CA14 CA15 CA19 CA20 CA22 CA23 CA25 CA26 CA27 CA28 DA01 DA04 DA06 5J043 AA00 AA05 BB04 DD00 DD06 DD07 JJ01 JJ10 KK01

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】隣接セルと信号路によって接続される複数
のセルからなる論理回路において、 各セルは、当該各セルに接続される前記信号路を入力用
又は出力用に設定する手段を有し、且つ各セルは、前記
入力用に設定された信号路を介して入力される値をアド
レスとして書き換え可能な論理メモリにアクセスするこ
とにより予め格納されている値を読み出して前記出力用
に設定されている信号路に出力するようにした、 ことを特徴とする書き換え可能な論理回路。
1. A logic circuit comprising a plurality of cells connected to adjacent cells by a signal path, wherein each cell has means for setting the signal path connected to each cell for input or output. Each cell is set for the output by reading a pre-stored value by accessing a rewritable logic memory using a value input through the signal path set for the input as an address. A rewritable logic circuit, which outputs the signal to a signal path.
【請求項2】上記信号路を入力用又は出力用に設定する
手段が、前記論理メモリのトライステート出力機能によ
り実現されるようにしたことを特徴とする請求項1に記
載の論理回路。
2. The logic circuit according to claim 1, wherein said means for setting said signal path for input or output is realized by a tri-state output function of said logic memory.
【請求項3】請求項1又は2の論理回路における2個の
論理メモリからなる第1、第2の論理メモリのアドレス
の値を各々2入力NORの論理機能に設定し、該第1、
第2の論理メモリの各々の第1入力を入力用に設定され
た個別の信号路に接続し、前記第1の論理メモリの第2
入力を前記第2の論理メモリの出力用に設定された信号
路に接続し、前記第2の論理メモリの第2入力を前記第
1の論理メモリの出力用に設定された信号路に接続して
なることを特徴とするラッチ回路。
3. The logic circuit of claim 1 or 2, wherein the address values of the first and second logic memories comprising two logic memories are respectively set to the logic function of the two-input NOR, and
Connecting a first input of each of the second logic memories to a separate signal path configured for the input;
An input is connected to a signal path set for output of the second logic memory, and a second input of the second logic memory is connected to a signal path set for output of the first logic memory. A latch circuit comprising:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005008893A1 (en) * 2003-07-16 2005-01-27 Innotech Corporation Semiconductor integrated circuit
WO2005022380A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Ipflex Inc. Data processing device
US8283945B2 (en) 2009-03-30 2012-10-09 Taiyo Yuden Co., Ltd. Semiconductor device

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