JP2000036244A - Manufacture of plasma display panel - Google Patents

Manufacture of plasma display panel

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JP2000036244A
JP2000036244A JP20157498A JP20157498A JP2000036244A JP 2000036244 A JP2000036244 A JP 2000036244A JP 20157498 A JP20157498 A JP 20157498A JP 20157498 A JP20157498 A JP 20157498A JP 2000036244 A JP2000036244 A JP 2000036244A
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JP
Japan
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substrate
mist
manufacturing
metal oxide
display panel
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Application number
JP20157498A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Morita
達夫 森田
Isamu Inoue
勇 井上
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method capable of ensuring the high operation rate of a manufacturing device, and manufacturing a plasma display panel at high throughput without using a vacuum process. SOLUTION: An organic metal decomposing material as a precursor for obtaining a transparent conductive film is dissolved into a solvent for preparing a solution, and the mist of the solution is generated by use of a mist generator 15. This mist of the solution is carried to a mist transport tube 14 on a carrier gas blown from a carrier gas introduction tube 16, and sprayed to a substrate 17 from a mist spray head 13. In this case, the substrate 17 is preliminarily heated up to such a temperature level as causing the evaporation of the solvent of an MOD solution via a support bed 18 having a built-in heater and mounting the substrate 17. The solvent evaporates and dissipates concurrently with the deposition of the mist on the substrate 17, and organic metal as a precursor for metal oxide remains on the substrate 17 like a film.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマデイスプ
レイパネルの製造方法に関し、特に透明導電膜、誘電体
層および保護膜の形成方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel, and more particularly to a method for forming a transparent conductive film, a dielectric layer, and a protective film.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル(以後「P
DP」という)は自発光表示デバイスであるため視野角
依存性がなく、大面積化が容易であり、高速動作が可能
であることから、NTSCやハイビジョンなどのテレビ
ジョン受像機、またVGAからEWSにいたる薄型カラ
ー表示デバイスとして近年注目されている。PDPの製
造工程はアクティブTFT型液晶ディスプレイの製造工
程に比べ簡単化しうる可能性が高いため、その洗練され
た製造工程開発がますます重要になってきている。
2. Description of the Related Art Plasma display panels (hereinafter referred to as "P
DP ") is a self-luminous display device, which has no viewing angle dependence, is easy to increase in area, and can operate at high speed. Therefore, a television receiver such as NTSC or Hi-Vision, or a VGA to EWS In recent years, it has attracted attention as a thin color display device. Since there is a high possibility that the manufacturing process of the PDP can be simplified as compared with the manufacturing process of the active TFT type liquid crystal display, the development of a sophisticated manufacturing process is becoming more and more important.

【0003】AC型PDPでは、表示側基板である前面
板上には酸化スズ(SnO2)やITO(Indium Tin Ox
ide)からなる透明導電膜とその上に配線された母線金
属電極が形成され、透明導電膜と母線金属電極を覆って
誘電体および酸化マグネシウム(MgO)からなる保護
膜が順次積層されている。透明導電膜は物理的真空蒸着
法で前面板上の全面に成膜され、ホトリソグラフィーに
より所定のパターンに加工される。次に母線金属電極と
なる銀や銅等の金属がスクリーン印刷法あるいは真空蒸
着法により成膜され、再びホトリソグラフィーにより所
定の形状に加工される。続いて低融点ガラスなどの誘電
体層が全面に形成される。誘電体層の形成には主として
スクリーン印刷法が用いられる。最後に、保護膜として
MgO膜が真空蒸着法により形成される。
In an AC type PDP, tin oxide (SnO 2 ) or ITO (Indium Tin Ox) is formed on a front plate serving as a display-side substrate.
ide) and a bus metal electrode wired thereon are formed, and a dielectric and a protective film made of magnesium oxide (MgO) are sequentially laminated so as to cover the transparent conductive film and the bus metal electrode. The transparent conductive film is formed on the entire surface of the front plate by a physical vacuum deposition method, and is processed into a predetermined pattern by photolithography. Next, a metal such as silver or copper serving as a bus metal electrode is formed into a film by a screen printing method or a vacuum evaporation method, and is again processed into a predetermined shape by photolithography. Subsequently, a dielectric layer such as a low-melting glass is formed on the entire surface. A screen printing method is mainly used for forming the dielectric layer. Finally, an MgO film is formed as a protective film by a vacuum deposition method.

【0004】以上のように、前面板の製造工程には、透
明導電膜を形成する工程およびMgO膜を形成する工程
を含む少なくとも2つの真空プロセスが必要となってい
る。一方、発光側基板である背面板の製造工程には真空
プロセスが含まれないため、大半が大気中で行われるP
DP製造工程のうち、前面板の製造工程だけが真空プロ
セスを必要としている。
As described above, the manufacturing process of the front plate requires at least two vacuum processes including a process of forming a transparent conductive film and a process of forming an MgO film. On the other hand, since the manufacturing process of the back plate, which is the light emitting side substrate, does not include a vacuum process, most of the P
In the DP manufacturing process, only the front plate manufacturing process requires a vacuum process.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】PDPが大型表示デバ
イスとして優れている点の一つとして、その製造方法の
比較的容易性あるいは簡便性をあげることができるが、
真空プロセスを必要とすることはその特長を減ずるとい
う問題がある。また誘電体の厚膜成膜工程は印刷塗布、
焼成を数回繰り返さなければならないという問題があ
り、簡略化が望まれている。また、大型基板を扱う関係
上製造装置は必然的に大きくなる。すなわち、特に真空
装置は装着、脱着等の蒸着前後工程を含めて巨大にな
り、複数の印刷焼成炉を必要とし、大きな場所を占有す
るという問題がある。
One of the advantages of the PDP as a large-sized display device is that its manufacturing method can be relatively easy or simple.
The need for a vacuum process has the problem of reducing its features. In addition, the thick film forming process of the dielectric is performed by printing application,
There is a problem that firing must be repeated several times, and simplification is desired. In addition, the manufacturing equipment is inevitably large because of handling large substrates. That is, there is a problem that the vacuum apparatus becomes huge including the pre- and post-deposition steps such as mounting and demounting, requires a plurality of printing and firing furnaces, and occupies a large space.

【0006】本発明は、真空設備を使用せず、連続した
コンパクトなインライン一貫設備で前面板を作製するこ
とのできるプラズマディスプレイパネルの製造方法を提
供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel in which a front panel can be manufactured with continuous compact in-line integrated equipment without using vacuum equipment.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法
は、透明導電膜形成用の金属酸化物前駆体有機金属を有
機溶媒に溶解した溶液をミスト状にして基板上に塗布
し、塗布された前記金属酸化物前駆体有機金属をパター
ニングして加熱することにより透明導電膜を形成するも
のである。
In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention is directed to a method of forming a transparent conductive film by dissolving a metal oxide precursor organic metal in an organic solvent in a mist. In this method, the transparent conductive film is formed by patterning and heating the coated metal oxide precursor organic metal on a substrate.

【0008】また、誘電体層形成用の金属酸化物前駆体
有機金属を有機溶媒に溶解した溶液をミスト状にして前
記透明導電膜が形成された前記基板の上に塗布し、塗布
された前記誘電体層形成用の金属酸化物前駆体有機金属
を加熱することにより誘電体層を形成するものである。
In addition, a solution obtained by dissolving a metal oxide precursor organic metal for forming a dielectric layer in an organic solvent is applied in the form of a mist on the substrate on which the transparent conductive film is formed. The dielectric layer is formed by heating the metal oxide precursor organic metal for forming the dielectric layer.

【0009】さらに、保護膜形成用の金属酸化物前駆体
有機金属を有機溶媒に溶解した溶液をミスト状にして前
記誘電体層の上に塗布し、塗布された前記保護膜形成用
の金属酸化物前駆体有機金属を加熱することにより保護
膜を形成するものである。
Further, a solution obtained by dissolving a metal oxide precursor organic metal for forming a protective film in an organic solvent is applied in the form of a mist on the dielectric layer, and the applied metal oxide for forming the protective film is formed. The protective film is formed by heating the organic metal precursor.

【0010】これらの製造方法により、真空プロセスを
用いることなく所望の透明導電膜、誘電体層および保護
膜を得ることができる。また、薄膜前駆体溶液塗布、乾
燥、露光、パターニング、焼成、焼鈍をシリーズに複数
回大気中でくりかえし行うものであるので基板が停滞す
ることなく、PDPの前面板をインラインで一貫して製
造することができる。
According to these manufacturing methods, desired transparent conductive films, dielectric layers and protective films can be obtained without using a vacuum process. In addition, since the thin film precursor solution coating, drying, exposure, patterning, baking, and annealing are repeated several times in series in the air, the front plate of the PDP is manufactured in-line without any substrate stagnation. be able to.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0012】図12は、本発明の製造方法により製造さ
れるAC型PDPの部分切り欠き斜視図である。図12
に示すように、前面板1上には透明導電膜からなるライ
ン状の走査電極2と維持電極3とが交互に間隔をあけ、
複数個平行配列されている。走査電極2および維持電極
3上には母線金属電極4がそれぞれ設けられ、走査電極
2、維持電極3および母線金属電極4を覆って誘電体層
5および保護膜6が順次形成されている。背面板7上に
はライン状のデータ電極8が互いに平行に間隔をあけて
設けられ、データ電極8の間にはライン状の隔壁9が設
けられている。また、データ電極8上から隔壁9の側面
にかけて蛍光体10が形成されている。走査電極2およ
び維持電極3とデータ電極8とが互いに直交するよう
に、前面板1と背面板7とが放電空間11を介して対向
配置され、放電空間11内にネオン、キセノン等の希ガ
スが封入されてAC型PDP12が構成される。
FIG. 12 is a partially cutaway perspective view of an AC type PDP manufactured by the manufacturing method of the present invention. FIG.
As shown in FIG. 1, on the front plate 1, linear scanning electrodes 2 made of a transparent conductive film and sustain electrodes 3 are alternately spaced,
A plurality are arranged in parallel. A bus metal electrode 4 is provided on scan electrode 2 and sustain electrode 3, respectively, and a dielectric layer 5 and a protective film 6 are sequentially formed to cover scan electrode 2, sustain electrode 3 and bus metal electrode 4. On the back plate 7, linear data electrodes 8 are provided in parallel with each other at intervals, and a linear partition 9 is provided between the data electrodes 8. Further, a phosphor 10 is formed from above the data electrode 8 to the side surface of the partition wall 9. Front plate 1 and back plate 7 are arranged opposite to each other via discharge space 11 such that scan electrode 2 and sustain electrode 3 and data electrode 8 are orthogonal to each other, and a rare gas such as neon or xenon is provided in discharge space 11. Are enclosed to form an AC type PDP 12.

【0013】次に、上記AC型PDPの製造方法につい
て図1ないし図3を用いて説明する。
Next, a method of manufacturing the AC type PDP will be described with reference to FIGS.

【0014】図1は基板上に透明導電膜を形成するため
のミスト噴霧塗布工程を説明するための図である。ミス
ト噴霧装置は図1に示すように、ミスト散布用のヘッド
13、ミスト輸送管14、ミスト発生器15およびキャ
リアガス導入管16から構成されている。透明導電膜を
得るための前駆体である有機金属分解(Metal Organic
Decomposition:MOD)材料を溶媒に溶かして溶液
(以降「MOD溶液」という)とし、超音波式アトマイ
ザー等のミスト発生器15によりMOD溶液のミストを
生成する。このMOD溶液のミストはキャリアガス導入
管16から吹き込まれたキャリアガスによってミスト輸
送管14内に運ばれ、ヘッド13からガラス製の基板1
7上に噴霧される。ヘッド13は基板17の表面に平行
で矢印Aに垂直な方向にライン状になった形状を有して
おり、MOD溶液は基板17上にライン状に塗布され
る。このとき基板17はヘッド13の下を矢印Aで示す
ように一定速度で通過しており、基板17の全面にわた
ってMOD溶液が塗布される。基板17の温度は、基板
17を載置しているヒータ内蔵の支持台18によりMO
D溶液の溶媒が蒸発する温度まで予め加熱されている。
溶媒はミストが基板17に付着すると同時に蒸発散逸
し、金属酸化物前駆体有機金属が膜状になって基板17
上に残留する。
FIG. 1 is a view for explaining a mist spray coating process for forming a transparent conductive film on a substrate. As shown in FIG. 1, the mist spraying device includes a mist spraying head 13, a mist transport pipe 14, a mist generator 15, and a carrier gas introduction pipe 16. Decomposition of organic metal, which is a precursor for obtaining a transparent conductive film (Metal Organic
Decomposition (MOD) The material is dissolved in a solvent to form a solution (hereinafter referred to as “MOD solution”), and a mist of the MOD solution is generated by a mist generator 15 such as an ultrasonic atomizer. The mist of the MOD solution is carried into the mist transport pipe 14 by the carrier gas blown from the carrier gas introduction pipe 16, and is transferred from the head 13 to the glass substrate 1.
7 is sprayed. The head 13 has a linear shape parallel to the surface of the substrate 17 and perpendicular to the arrow A, and the MOD solution is applied on the substrate 17 in a line. At this time, the substrate 17 passes under the head 13 at a constant speed as shown by an arrow A, and the MOD solution is applied over the entire surface of the substrate 17. The temperature of the substrate 17 is controlled by the support base 18 with a built-in heater on which the substrate 17 is placed.
It is preheated to a temperature at which the solvent of the D solution evaporates.
The solvent evaporates and disperses at the same time that the mist adheres to the substrate 17, and the metal oxide precursor organometallic forms a film to the substrate 17.
Remain on top.

【0015】次に、基板17の全面に形成された金属酸
化物前駆体有機金属をライン状にパターニングするため
のマスク光露光工程について図2を用いて説明する。
Next, a mask light exposure process for linearly patterning the metal oxide precursor organic metal formed on the entire surface of the substrate 17 will be described with reference to FIG.

【0016】図2に示すように、金属酸化物前駆体有機
金属19が光感光性を有している場合、パターンマスク
20を通して反射板21および紫外線ランプ22から構
成された紫外線光源により拡大あるいは等倍露光を行
う。続いてパターンマスク20を除去して有機溶媒をミ
スト散布することにより、露光部が残り、非露光部が溶
解除去される。
As shown in FIG. 2, when the metal oxide precursor organic metal 19 has photosensitivity, it is enlarged or equalized by a UV light source composed of a reflector 21 and a UV lamp 22 through a pattern mask 20. Double exposure is performed. Subsequently, the pattern mask 20 is removed and the organic solvent is mist-sprayed, so that the exposed portion remains and the non-exposed portion is dissolved and removed.

【0017】次に、金属酸化物薄膜を得るための加熱工
程について図3を用いて説明する。図3に示すように、
パターニングされた金属酸化物前駆体有機金属19を有
する基板17を集光板23および赤外線ランプ24から
なる赤外線加熱装置に搬送する。赤外線ランプ24の下
を一定速度で基板搬送することにより、金属酸化物前駆
体有機金属19を焼成、分解して金属酸化物に変成し、
さらにそれを焼鈍し、緻密な金属酸化物薄膜を得る。
Next, a heating step for obtaining a metal oxide thin film will be described with reference to FIG. As shown in FIG.
The substrate 17 having the patterned metal oxide precursor organic metal 19 is transported to an infrared heating device including a light collector 23 and an infrared lamp 24. By transporting the substrate under the infrared lamp 24 at a constant speed, the metal oxide precursor organic metal 19 is baked and decomposed to be transformed into a metal oxide,
Further, it is annealed to obtain a dense metal oxide thin film.

【0018】以上の説明では基板上に透明導電膜を形成
する場合について説明したが、適宜材料を選択すること
により、誘電体層および保護膜を形成する場合も同様な
方法を用いることができる。また、図1および図3では
基板を搬送する例について説明したが、ヘッド13や集
光板23および赤外線ランプ24を移動させるようにし
てもよい。
In the above description, the case where a transparent conductive film is formed on a substrate has been described. However, a similar method can be used for forming a dielectric layer and a protective film by appropriately selecting materials. 1 and 3 illustrate the example in which the substrate is transported, the head 13, the light collector 23, and the infrared lamp 24 may be moved.

【0019】次に本発明の製造方法を用いてAC型PD
Pを作製した具体例を示す。SnO2透明導電膜を得る
ために前駆体として主鎖のσ結合の一つをπ結合に変換
した2−エチル2−ヘキサン酸スズを用い、その0.1
モルとN型ドーパントとなる酸化アンチモン(SbO)
の前駆体である2−エチルヘキサン酸アンチモン0.0
03モルとをキシレンに溶かすことにより、MOD溶液
とした。
Next, an AC type PD is manufactured by using the manufacturing method of the present invention.
A specific example in which P is manufactured will be described. In order to obtain a SnO 2 transparent conductive film, tin 2-ethyl 2-hexanoate in which one of the σ bonds in the main chain was converted to a π bond was used as a precursor.
Antimony oxide (SbO) as mole and N-type dopant
Antimony 2-ethylhexanoate, which is a precursor of 0.0
03 mol was dissolved in xylene to obtain a MOD solution.

【0020】図1に示すように、ミスト発生器15によ
りMOD溶液のミストを発生させ、窒素ガスをキャリア
ガスとして、ミスト輸送管14を経てヘッド13から前
面板1となるガラス製の基板17上に散布する。基板1
7はヒータ内蔵の支持台18上に設置され、ヘッド13
が基板17の表面に沿って10cm/分の速度で移動す
る。本実施の形態では、160℃に加熱された基板17
上に原材料溶液を0.1cc/分の散布速度で噴霧し、
ヘッド13を基板全面にわたって8往復させることによ
り、図4に示すように基板17上に金属酸化物前駆体有
機金属の堆積膜25が形成された基板26が得られた。
基板17には、120×70cmの大きさのものを用い
た。
As shown in FIG. 1, a mist of a MOD solution is generated by a mist generator 15, and a nitrogen gas is used as a carrier gas to pass through a mist transport pipe 14 from a head 13 to a glass substrate 17 serving as the front plate 1. Spray. Substrate 1
7 is installed on a support base 18 with a built-in heater,
Moves at a speed of 10 cm / min along the surface of the substrate 17. In the present embodiment, the substrate 17 heated to 160 ° C.
Spray the raw material solution at a spray rate of 0.1 cc / min,
By reciprocating the head 13 eight times over the entire surface of the substrate, a substrate 26 having a metal oxide precursor organic metal deposited film 25 formed on the substrate 17 as shown in FIG. 4 was obtained.
The substrate 17 had a size of 120 × 70 cm.

【0021】次に、紫外線ランプ22とパターンマスク
20を用いて基板26の露光を行った。露光部幅150
μm、非露光部幅100μmのストライプ構造となるよ
うに露光した。続いてキシレン溶剤を再びミスト噴霧装
置を用いて基板26上に噴霧し、非露光部の膜がキシレ
ンに溶解し、完全に除去されるまで走引を行う。本実施
例では散布速度0.5cc/分、走引速度1cm/分で
1往復行い、図5に示すように基板17上にパターニン
グされた堆積膜25を有する基板27が得られた。
Next, the substrate 26 was exposed using the ultraviolet lamp 22 and the pattern mask 20. Exposure width 150
Exposure was performed to form a stripe structure having a width of 100 μm and a non-exposed portion of 100 μm. Subsequently, the xylene solvent is sprayed again on the substrate 26 using a mist sprayer, and the film is run until the unexposed portion is dissolved in xylene and completely removed. In the present embodiment, one reciprocation was performed at a spraying speed of 0.5 cc / min and a running speed of 1 cm / min, and a substrate 27 having a deposited film 25 patterned on the substrate 17 as shown in FIG. 5 was obtained.

【0022】その後基板27を赤外線加熱装置に搬送す
る。赤外線は焦点面で幅が1cmになるように集光され
ている。基板27は背面からヒータ内蔵の支持台18に
より約200℃まで加熱されており、赤外線が照射され
ることにより堆積膜は450℃まで昇温される。赤外線
ランプ24は基板面に沿って0.3cm/分の速度で搬
送し、これを3往復繰り返した。その結果、幅150μ
m±10μm、膜厚0.2μm、シート抵抗2kΩ/
□、可視光透過率91%のSnO2透明導電膜28を有
する基板29が得られた(図6参照)。
Thereafter, the substrate 27 is transferred to an infrared heating device. Infrared rays are focused so that the width at the focal plane is 1 cm. The substrate 27 is heated from the back to about 200 ° C. by the support 18 with a built-in heater, and the temperature of the deposited film is increased to 450 ° C. by irradiating infrared rays. The infrared lamp 24 was transported along the substrate surface at a speed of 0.3 cm / min, and this was repeated three times. As a result, the width 150μ
m ± 10 μm, film thickness 0.2 μm, sheet resistance 2 kΩ /
□, a substrate 29 having a SnO 2 transparent conductive film 28 with a visible light transmittance of 91% was obtained (see FIG. 6).

【0023】続いて図7に示すように、銀ペーストを用
いて幅35μm、膜厚4μmのストライプ状の母線金属
電極30をSnO2透明導電膜28上にオフセット印刷
法を用いて形成した基板31を得た。
Subsequently, as shown in FIG. 7, a substrate 31 in which a striped bus metal electrode 30 having a width of 35 μm and a thickness of 4 μm is formed on a SnO 2 transparent conductive film 28 by using an silver paste by using an offset printing method. I got

【0024】さらに、アルミニウムカーボオキシレート
の中の1つである2−エチルヘキサン酸アルミニウム
0.3モルをキシレンに溶かすことにより、MOD溶液
とした。ミスト発生器15によりMOD溶液のミストを
発生させ、窒素ガスをキャリアガスとして、ミスト輸送
管14を経てヘッド13から基板31上に散布する。こ
の基板31はヒータ内蔵の支持台18上に設置され、ヘ
ッド13を基板31の表面に沿って10cm/分の速度
で移動させる。本実施の形態では、160℃に加熱され
た基板31上にMOD溶液を0.1cc/分の割合で噴
霧し、ヘッド13を基板31の全面にわたって25往復
させることにより、図8に示すように、母線金属電極3
0およびSnO2透明導電膜28を覆って堆積膜32が
形成された基板33が得られた。ここで、アルミニウム
カーボオキシレートの代わりにシリコン2−エチルヘキ
サン酸等のシリコンカーボオキシレートを用いてもよ
い。
Further, 0.3 mol of aluminum 2-ethylhexanoate, which is one of aluminum carboxylates, was dissolved in xylene to obtain a MOD solution. The mist of the MOD solution is generated by the mist generator 15, and the mist is sprayed from the head 13 onto the substrate 31 via the mist transport pipe 14 using the nitrogen gas as a carrier gas. The substrate 31 is placed on a support base 18 with a built-in heater, and moves the head 13 along the surface of the substrate 31 at a speed of 10 cm / min. In the present embodiment, the MOD solution is sprayed onto the substrate 31 heated to 160 ° C. at a rate of 0.1 cc / min, and the head 13 is reciprocated 25 times over the entire surface of the substrate 31, as shown in FIG. , Busbar metal electrode 3
Thus, a substrate 33 was obtained in which the deposited film 32 was formed so as to cover the O and SnO 2 transparent conductive films 28. Here, a silicon carboxylate such as silicon 2-ethylhexanoic acid may be used instead of the aluminum carboxylate.

【0025】その後この基板33を赤外線加熱装置に搬
送する。赤外線は焦点面で幅が1cmになるように集光
されている。基板33は背面からヒータ内蔵の支持台1
8により約200℃まで加熱されており、赤外線が照射
されることにより堆積膜32は500℃まで昇温され
る。赤外線ランプ24を基板面に沿って0.3cm/分
の速度で搬送し、これを3往復繰り返した。その結果、
図9に示すように、膜厚20μmのAl23膜34が形
成された基板35が得られた。このAl23膜34が図
12で示す誘電体層5となる。
Thereafter, the substrate 33 is transferred to an infrared heating device. Infrared rays are focused so that the width at the focal plane is 1 cm. The substrate 33 is mounted on the support base 1 with a built-in heater from the back.
8, the deposited film 32 is heated to 500 ° C. by being irradiated with infrared rays. The infrared lamp 24 was transported along the substrate surface at a speed of 0.3 cm / min, and this was repeated three times. as a result,
As shown in FIG. 9, a substrate 35 on which an Al 2 O 3 film 34 having a thickness of 20 μm was formed was obtained. This Al 2 O 3 film 34 becomes the dielectric layer 5 shown in FIG.

【0026】次に、マグネシウムカーボオキシレートの
中の1つである2エチルヘキサン酸マグネシウム0.4
モルをキシレンに溶かしてMOD溶液とした。ミスト発
生器15によりMOD溶液のミストを発生させ、窒素ガ
スをキャリアガスとして、ミスト輸送管14を経てヘッ
ド13から基板35上に散布する。基板35はヒータ内
蔵の支持台18上に設置され、ヘッド13を基板35の
表面に沿って10cm/分の速度で移動させる。本実施
の形態では、160℃に加熱された基板35上に溶液を
0.1cc/分の割合で噴霧し、ヘッド13を基板35
全面にわたって4往復させることにより、図10に示す
ように、Al23膜34上に堆積膜36が形成された基
板37が得られた。
Next, 0.4 g of magnesium 2-ethylhexanoate, which is one of magnesium carboxylates, is used.
A mole was dissolved in xylene to obtain a MOD solution. The mist of the MOD solution is generated by the mist generator 15, and the mist is sprayed onto the substrate 35 from the head 13 via the mist transport pipe 14 using nitrogen gas as a carrier gas. The substrate 35 is set on a support base 18 with a built-in heater, and moves the head 13 along the surface of the substrate 35 at a speed of 10 cm / min. In the present embodiment, the solution is sprayed onto the substrate 35 heated to 160 ° C. at a rate of 0.1 cc / min.
By reciprocating four times over the entire surface, a substrate 37 having the deposited film 36 formed on the Al 2 O 3 film 34 was obtained as shown in FIG.

【0027】続いて基板37を赤外線加熱装置に搬送す
る。赤外線は焦点面で幅が1cmになるように集光され
ている。基板37は背面からヒータ内蔵の支持台により
約200℃まで加熱されており、赤外線が照射されるこ
とにより堆積膜36は500℃まで昇温される。赤外線
ランプ24は基板面に沿って0.3cm/分の速度で搬
送し、これを3往復繰り返した。その結果、図11に示
すように、膜厚0.5μmのMgO膜38を有する基板
39が得られた。このMgO膜38が図12に示す保護
膜6となる。
Subsequently, the substrate 37 is transferred to an infrared heating device. Infrared rays are focused so that the width at the focal plane is 1 cm. The substrate 37 is heated from the back to about 200 ° C. by a support base with a built-in heater, and the temperature of the deposited film 36 is raised to 500 ° C. by irradiation with infrared rays. The infrared lamp 24 was transported along the substrate surface at a speed of 0.3 cm / min, and this was repeated three times. As a result, as shown in FIG. 11, a substrate 39 having a 0.5 μm-thick MgO film 38 was obtained. This MgO film 38 becomes the protective film 6 shown in FIG.

【0028】以上説明した製造工程において使用するマ
グネシウムカーボオキシレート、シリコンカーボオキシ
レートまたはアルミニウムカーボオキシレート等の金属
カーボオキシレートの側鎖アルキル基の数は8以下が好
ましい。すなわち、金属カーボオキシレートの側鎖アル
キル基の数が8より大きくなると、金属カーボオキシレ
ートは溶媒への溶解度が悪くなり、溶液中における析出
が顕著になる。また、MOD溶液の基板へのぬれ性も悪
くなり、シェルフライフが2日以下となり実用に耐えな
くなる。
The number of side chain alkyl groups of metal carboxylate such as magnesium carboxylate, silicon carboxylate or aluminum carboxylate used in the above-mentioned production process is preferably 8 or less. That is, when the number of side chain alkyl groups of the metal carboxylate is larger than 8, the solubility of the metal carboxylate in the solvent becomes poor, and precipitation in the solution becomes remarkable. In addition, the wettability of the MOD solution to the substrate is deteriorated, and the shelf life becomes 2 days or less, making the MOD solution unsuitable for practical use.

【0029】以上一連の連続工程を経て、PDPの前面
板が完成する。以降、通常の方法にて背面板を作製し、
前面板と背面板とを対向配置して気密封止し、内部に放
電ガスを封入してPDPを完成する。
Through the series of continuous steps described above, the front panel of the PDP is completed. After that, the back plate is manufactured by the usual method,
The front plate and the rear plate are arranged to face each other and hermetically sealed, and a discharge gas is sealed therein to complete a PDP.

【0030】従来のPDPの製造方法では、SnO2
の透明導電膜とMgO膜の形成には真空蒸着法を、誘電
体厚膜形成にはスクリーン印刷をそれぞれ用いており、
SnO2等の透明導電膜とMgO膜の1時間以上の焼成
を行っていた。
In the conventional method of manufacturing a PDP, a vacuum deposition method is used for forming a transparent conductive film such as SnO 2 and an MgO film, and screen printing is used for forming a thick dielectric film.
The transparent conductive film such as SnO 2 and the MgO film have been baked for 1 hour or more.

【0031】これに対して、本発明の製造方法によれ
ば、真空蒸着法を用いずに大気中プロセスによってSn
2等の透明導電膜とMgO膜を形成することが可能と
なるとともに、誘電体の印刷工程はミスト噴霧塗布工程
およびランプ加熱工程となり、大幅な生産効率向上を図
ることができた。すなわち、本発明の製造方法は、従来
の製造方法に比べて設備稼働率で15%、単位時間当た
りの生産量で50%の向上を図ることができた。
On the other hand, according to the manufacturing method of the present invention, Sn is formed by an atmospheric process without using a vacuum deposition method.
A transparent conductive film such as O 2 and an MgO film can be formed, and the printing step of the dielectric is a mist spray coating step and a lamp heating step, thereby achieving a significant improvement in production efficiency. That is, the production method of the present invention was able to improve the facility operation rate by 15% and the production volume per unit time by 50% as compared with the conventional production method.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上のように、本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法によれば、真空プロセスを用い
ることなく所望の透明導電膜、誘電体層および保護膜を
得ることができるとともに、大型の基板を扱う場合にお
いても基板が停滞することなく、コンパクトなインライ
ン一貫設備でPDPの前面板を製造することができる。
As described above, according to the method for manufacturing a plasma display panel of the present invention, a desired transparent conductive film, dielectric layer and protective film can be obtained without using a vacuum process, Even when a substrate is handled, the front panel of the PDP can be manufactured with compact in-line integrated equipment without stagnation of the substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法におけるミスト噴霧塗布工程を説明するための部分断
面図
FIG. 1 is a partial cross-sectional view for explaining a mist spray coating step in a plasma display panel manufacturing method of the present invention.

【図2】本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法におけるマスク光露光工程を説明するための部分断面
FIG. 2 is a partial cross-sectional view for explaining a mask light exposure step in the method for manufacturing a plasma display panel of the present invention.

【図3】本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法における加熱工程を説明するための部分断面図
FIG. 3 is a partial cross-sectional view for explaining a heating step in the method for manufacturing a plasma display panel of the present invention.

【図4】本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方
法の一実施例を説明するための正面図
FIG. 4 is a front view for explaining one embodiment of a method for manufacturing a plasma display panel of the present invention.

【図5】同じく正面図FIG. 5 is a front view of the same.

【図6】同じく正面図FIG. 6 is a front view of the same.

【図7】同じく正面図FIG. 7 is a front view of the same.

【図8】同じく正面図FIG. 8 is a front view of the same.

【図9】同じく正面図FIG. 9 is a front view of the same.

【図10】同じく正面図FIG. 10 is a front view of the same.

【図11】同じく正面図FIG. 11 is a front view of the same.

【図12】本発明の製造方法により製造したプラズマデ
ィスプレイパネルの一部破断斜視図
FIG. 12 is a partially cutaway perspective view of a plasma display panel manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 前面板 2 走査電極 3 維持電極 4 母線金属電極 5 誘電体層 6 保護膜 12 AC型PDP 13 ミスト散布用のヘッド 14 ミスト輸送管 15 ミスト発生器 16 キャリアガス導入管 17 基板 18 支持台 20 パターンマスク 21 反射板 22 紫外線ランプ 23 集光板 24 赤外線ランプ 25、32、36 堆積膜 26、27、29、31、33、35、37、39 基
板 28 SnO2透明導電膜 30 母線金属電極 34 Al23膜 38 MgO膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front plate 2 Scanning electrode 3 Sustain electrode 4 Bus bar metal electrode 5 Dielectric layer 6 Protective film 12 AC type PDP 13 Head for mist dispersion 14 Mist transport pipe 15 Mist generator 16 Carrier gas introduction pipe 17 Substrate 18 Support base 20 Pattern mask 21 reflection plate 22 ultraviolet lamp 23 light collecting plate 24 infrared lamps 25,32,36 deposited film 26,27,29,31,33,35,37,39 substrate 28 SnO 2 transparent conductive film 30 bus metal electrodes 34 Al 2 O 3 film 38 MgO film

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明導電膜形成用の金属酸化物前駆体有
機金属を有機溶媒に溶解した溶液をミスト状にして基板
上に塗布し、塗布された前記金属酸化物前駆体有機金属
をパターニングして加熱することにより透明導電膜を形
成するプラズマディスプレイパネルの製造方法。
1. A solution in which a metal oxide precursor organic metal for forming a transparent conductive film is dissolved in an organic solvent is applied in a mist form on a substrate, and the applied metal oxide precursor organic metal is patterned. A method for manufacturing a plasma display panel in which a transparent conductive film is formed by heating the substrate.
【請求項2】 誘電体層形成用の金属酸化物前駆体有機
金属を有機溶媒に溶解した溶液をミスト状にして前記透
明導電膜が形成された前記基板の上に塗布し、塗布され
た前記誘電体層形成用の金属酸化物前駆体有機金属を加
熱することにより誘電体層を形成する請求項1記載のプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法。
2. A method in which a solution obtained by dissolving a metal oxide precursor organic metal for forming a dielectric layer in an organic solvent is applied in the form of a mist on the substrate on which the transparent conductive film is formed. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the dielectric layer is formed by heating the metal oxide precursor organometallic for forming the dielectric layer.
【請求項3】 保護膜形成用の金属酸化物前駆体有機金
属を有機溶媒に溶解した溶液をミスト状にして前記誘電
体層の上に塗布し、塗布された前記保護膜形成用の金属
酸化物前駆体有機金属を加熱することにより保護膜を形
成する請求項2記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。
3. A solution in which an organic metal, a metal oxide precursor for forming a protective film is dissolved in an organic solvent, is applied in the form of a mist onto the dielectric layer, and the applied metal oxide for forming the protective film is applied. 3. The method according to claim 2, wherein the protective film is formed by heating the precursor metal.
【請求項4】 前記金属酸化物前駆体有機金属の加熱が
赤外線によるものである請求項1ないし3のいずれか記
載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
4. The method for manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the heating of the metal oxide precursor organic metal is performed by infrared rays.
【請求項5】 前記透明導電膜形成用の金属酸化物前駆
体有機金属が形成された前記基板にマスクを介して紫外
線を照射し、有機溶剤をミスト状にして散布して、前記
マスクによって前記紫外線が遮蔽された部分の前記金属
酸化物前駆体有機金属を溶出させることにより、前記透
明導電膜形成用の金属酸化物前駆体有機金属をパターニ
ングする請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法。
5. The substrate on which the metal oxide precursor organometallic for forming the transparent conductive film is formed is irradiated with ultraviolet light through a mask, and an organic solvent is mist-dispersed. The plasma according to any one of claims 1 to 4, wherein the metal oxide precursor organic metal for forming the transparent conductive film is patterned by eluting the metal oxide precursor organic metal in a portion where ultraviolet rays are shielded. Display panel manufacturing method.
【請求項6】 前記保護膜形成用の金属酸化物前駆体有
機金属がマグネシウムカーボオキシレートである請求項
3ないし5のいずれか記載のプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法。
6. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 3, wherein the metal oxide precursor organic metal for forming the protective film is magnesium carboxylate.
【請求項7】 前記誘電体層形成用の金属酸化物前駆体
有機金属がシリコンカーボオキシレートまたはアルミニ
ウムカーボオキシレートである請求項2ないし6のいず
れか記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
7. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 2, wherein the metal oxide precursor organic metal for forming the dielectric layer is silicon carboxylate or aluminum carboxylate.
【請求項8】 前記透明導電膜形成用の金属酸化物前駆
体有機金属が2−エチル2−ヘキサン酸スズである請求
項1ないし7のいずれか記載のプラズマディスプレイパ
ネルの製造方法。
8. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the metal oxide precursor organic metal for forming the transparent conductive film is tin 2-ethyl 2-hexanoate.
【請求項9】 前記マグネシウムカーボオキシレートの
側鎖アルキル基の数が8以下である請求項6記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。
9. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 6, wherein the number of side chain alkyl groups of said magnesium carboxylate is 8 or less.
【請求項10】 前記シリコンカーボオキシレートまた
は前記アルミニウムカーボオキシレートの側鎖アルキル
基の数が8以下である請求項7記載のプラズマディスプ
レイパネルの製造方法。
10. The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 7, wherein the number of side chain alkyl groups of the silicon carboxylate or the aluminum carboxylate is 8 or less.
【請求項11】 前記2−エチル2−ヘキサン酸スズの
側鎖アルキル基の数が8以下である請求項8記載のプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。
11. The method according to claim 8, wherein the number of the side chain alkyl groups of the tin 2-ethyl 2-hexanoate is 8 or less.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6803074B2 (en) * 2000-07-27 2004-10-12 Murata Manufacturing Co. Ltd Method of producing complex oxide thin-film and production apparatus
JP2016084521A (en) * 2014-10-29 2016-05-19 株式会社Flosfia Film deposition apparatus and film deposition method

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