JP2000031008A - X-ray mask and its manufacture - Google Patents

X-ray mask and its manufacture

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JP2000031008A
JP2000031008A JP19322598A JP19322598A JP2000031008A JP 2000031008 A JP2000031008 A JP 2000031008A JP 19322598 A JP19322598 A JP 19322598A JP 19322598 A JP19322598 A JP 19322598A JP 2000031008 A JP2000031008 A JP 2000031008A
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ray
ray mask
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manufacturing
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淳 綾
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幸司 吉瀬
Hidetaka Yabe
秀毅 矢部
Kaeko Kitamura
佳恵子 北村
Kenji Marumoto
健二 丸本
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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an X-ray mask which is equipped with a circuit pattern for transfer, having high position precision and can be manufactured through a simplified manufacturing process and the manufacturing method for the mask. SOLUTION: This method for manufacturing an X-ray mask, having a base member 1 and an X-ray absorber 3 formed on the base member 1 and a mask layer 4, is formed on the X-ray absorber 3. A position detection member 31 including a position reference mark 8 is fixed to the base member 1. While the position reference mark 8 is used to detect the position of the mask layer 4, a mask pattern is drawn on the mask layer 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、X線マスクおよび
その製造方法に関し、より特定的には、マスクパターン
の描画の際に用いる位置基準マークを備えるX線マスク
およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an X-ray mask and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an X-ray mask having a position reference mark used for drawing a mask pattern and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
配線などの回路パターンを半導体基板に転写する工程で
は、主に紫外線を利用したリソグラフィ技術が利用され
てきている。しかし、半導体装置の高集積化が進み、た
とえばDRAM(Dynamic Random Access Memory)にお
いて、その記憶が1ギガビット(Gbit)というよう
に大容量化、高集積化が進むと、これに伴って、配線な
どの回路パターンも従来よりもさらに微細化することが
求められている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the manufacturing process of a semiconductor device,
In a process of transferring a circuit pattern such as wiring to a semiconductor substrate, a lithography technique mainly using ultraviolet rays has been used. However, as the degree of integration of semiconductor devices increases, for example, in a DRAM (Dynamic Random Access Memory), the storage capacity increases to 1 gigabit (Gbit), and as the degree of integration increases, wiring and the like increase. Is required to be further miniaturized than before.

【0003】このような微細な回路パターンの転写を行
なう技術として、X線を用いたリソグラフィ技術が期待
されている。このX線を用いたリソグラフィ技術では、
露光に用いる光であるX線の波長(軟X線:波長=5〜
20nm)が従来用いられていた紫外線の波長に比べて
短いため、紫外線を用いた従来のリソグラフィ技術より
もより解像度の高い微細な回路パターンを転写すること
ができる。
As a technique for transferring such a fine circuit pattern, a lithography technique using X-rays is expected. In this lithography technology using X-rays,
X-ray wavelength (soft X-ray: wavelength = 5)
20 nm) is shorter than the conventionally used wavelength of ultraviolet light, so that a fine circuit pattern having higher resolution than the conventional lithography technique using ultraviolet light can be transferred.

【0004】このX線マスクを用いたリソグラフィ技術
では、転写用の回路パターンが形成されているX線マス
クが用いられている。
In the lithography technique using the X-ray mask, an X-ray mask on which a circuit pattern for transfer is formed is used.

【0005】図42は、従来のX線マスクを示す断面図
である。図42を参照して、従来のX線マスクを説明す
る。
FIG. 42 is a sectional view showing a conventional X-ray mask. A conventional X-ray mask will be described with reference to FIG.

【0006】図42を参照して、従来のX線マスクは、
基板101とメンブレン102とX線吸収体103と支
持枠105とを備える。メンブレン102は、X線透過
性の基板であり、基板101上に形成されている。ま
た、メンブレン102の膜厚は数100nm〜数μm程
度であり、炭化硅素や窒化硅素などからなる。X線吸収
体103は、タングステンやタンタルといった重金属な
ど、X線の透過を遮る材料によって構成されており、メ
ンブレン102上に形成されている。基板101には窓
部106が形成されている。この窓部106によりメン
ブレン102の裏面が露出している。この窓部106上
に位置する領域において、X線吸収体103は転写用の
回路パターン107を含む。基板101の下面には、接
着層109を介して支持枠105が設置されている。
Referring to FIG. 42, a conventional X-ray mask is
The apparatus includes a substrate 101, a membrane 102, an X-ray absorber 103, and a support frame 105. The membrane 102 is an X-ray transmissive substrate, and is formed on the substrate 101. The membrane 102 has a thickness of several hundred nm to several μm, and is made of silicon carbide, silicon nitride, or the like. The X-ray absorber 103 is made of a material that blocks transmission of X-rays, such as a heavy metal such as tungsten or tantalum, and is formed on the membrane 102. A window 106 is formed in the substrate 101. The window 106 exposes the back surface of the membrane 102. In the region located on the window 106, the X-ray absorber 103 includes a transfer circuit pattern 107. A support frame 105 is provided on the lower surface of the substrate 101 via an adhesive layer 109.

【0007】ここで、X線吸収体103の転写用回路パ
ターン107には、高い位置精度および寸法精度が求め
られる。
Here, the transfer circuit pattern 107 of the X-ray absorber 103 is required to have high positional accuracy and dimensional accuracy.

【0008】図43および44は、図42に示した従来
のX線マスクの製造工程を説明するための断面図であ
る。図43および44を参照して、以下に従来のX線マ
スクの製造工程を説明する。なお、X線マスクは、使用
する材料やプロセスの順序などが異なるさまざまな方法
により製造することができるが、ここでは代表的なもの
について説明する。
FIGS. 43 and 44 are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the conventional X-ray mask shown in FIG. With reference to FIGS. 43 and 44, the manufacturing process of the conventional X-ray mask will be described below. Note that the X-ray mask can be manufactured by various methods that use different materials, different process orders, and the like. Here, a representative example will be described.

【0009】まず、基板101(図43参照)上にメン
ブレン102を形成する。次に、基板101の一部をエ
ッチングにより除去することにより、窓部106(図4
3参照)を形成する。次に、メンブレン102上にスパ
ッタリングプロセスなどを用いてX線吸収体103を形
成する。X線吸収体103上にレジスト104(図43
参照)を回転塗布する。その後、温度を100℃以上に
保った雰囲気中においてレジスト104を乾燥させる。
次に、基板101の下面に支持枠105(図43参照)
を接着する。このようにして、図43に示すような構造
を得る。
First, a membrane 102 is formed on a substrate 101 (see FIG. 43). Next, by removing a part of the substrate 101 by etching, the window 106 (FIG.
3). Next, the X-ray absorber 103 is formed on the membrane 102 by using a sputtering process or the like. A resist 104 (FIG. 43) is formed on the X-ray absorber 103.
Spin-coat). Thereafter, the resist 104 is dried in an atmosphere where the temperature is kept at 100 ° C. or higher.
Next, a support frame 105 (see FIG. 43) is provided on the lower surface of the substrate 101.
Glue. Thus, a structure as shown in FIG. 43 is obtained.

【0010】次に、レジスト104に転写用回路パター
ンを形成するためのマスクパターンを電子線描画する。
その後、現像処理することにより、図44に示すよう
に、レジスト104にマスクパターン110を形成す
る。
Next, a mask pattern for forming a transfer circuit pattern is formed on the resist 104 by electron beam drawing.
Thereafter, by performing a developing process, a mask pattern 110 is formed on the resist 104 as shown in FIG.

【0011】この後、レジスト104のマスクパターン
110をマスクとして用いたエッチングを行ない、X線
吸収体103の一部を除去することによりX線吸収体1
03に転写用回路パターン107(図42参照)を形成
する。その後、レジスト104を除去することにより図
42に示すようなX線マスクを得ることができる。
After that, etching is performed using the mask pattern 110 of the resist 104 as a mask, and a part of the X-ray absorber 103 is removed to thereby remove the X-ray absorber 1.
03, a transfer circuit pattern 107 (see FIG. 42) is formed. Thereafter, by removing the resist 104, an X-ray mask as shown in FIG. 42 can be obtained.

【0012】なお、上記したような製造工程の他にも、
メンブレン102を形成した後に支持枠105を基板1
01に接着するような製造工程や、窓部106の形成や
支持枠105の接着工程をレジスト104におけるマス
クパターンの110の電子線描画工程の後に行なう製造
工程なども採用されている。
[0012] In addition to the above-described manufacturing process,
After forming the membrane 102, the support frame 105 is
For example, a manufacturing process in which the bonding process is performed on the resist pattern 104 and a process of forming the window 106 and bonding the support frame 105 after the electron beam drawing process of the mask pattern 110 in the resist 104 are also employed.

【0013】ここで、レジスト104におけるマスクパ
ターン110の電子線描画工程は、具体的に以下のよう
な工程を含む。まず、X線吸収体103上にレジスト1
04が塗布されたX線マスクを、ホルダやカセットと呼
ばれる治具へ装着する。次に、電子線描画装置のロード
ロック室(真空状態を保ったまま電子線描画を行なうエ
リアにX線マスクを搬入するために事前にX線マスクの
周囲を真空とするためのエリア)にカセットとともにX
線マスクを搬入する。次に、ロードロック室の内部を真
空とする。次に、ロードロック室から電子線描画を行な
うエリアのステージ上にカセットとともにX線マスクを
搬入する。そして、電子線によって、X線マスクのレジ
スト104にマスクパターンを描画する。このマスクパ
ターンを電子線を用いて描画する際には、カセットもし
くはステージ上に設置された位置基準マークの位置を検
出・参照しながら電子線描画を行なう。
Here, the electron beam drawing step of the mask pattern 110 on the resist 104 specifically includes the following steps. First, a resist 1 is placed on the X-ray absorber 103.
The X-ray mask coated with 04 is mounted on a jig called a holder or a cassette. Next, the cassette is placed in a load lock chamber of the electron beam lithography apparatus (an area for preliminarily evacuating the periphery of the X-ray mask in order to load the X-ray mask into an area where electron beam lithography is performed while maintaining the vacuum state) With X
Bring in the line mask. Next, the inside of the load lock chamber is evacuated. Next, the X-ray mask is loaded together with the cassette from the load lock chamber onto the stage in the area where electron beam drawing is performed. Then, a mask pattern is drawn on the resist 104 of the X-ray mask by an electron beam. When the mask pattern is drawn using an electron beam, the electron beam is drawn while detecting and referring to the position of a position reference mark set on a cassette or a stage.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、マス
クパターン110を描画する際には、カセットもしくは
ステージ上に設置された位置基準マークの位置を検出・
参照するが、この際に以下のような問題がある。
As described above, when the mask pattern 110 is drawn, the position of the position reference mark set on the cassette or stage is detected and detected.
As mentioned, there are the following problems at this time.

【0015】まず、通常、ステージは除振台などの上に
設置され、外部の機械的な振動の影響を受けないように
設計されている。しかし、このような外部の機械的な振
動を完璧に遮断することは困難であり、マスクパターン
の描画中に外部の機械的な振動がステージやカセットな
どに伝わることがある。この結果、レジスト104にマ
スクパターン110を描画する際に、この振動に起因し
てX線マスクとカセットとの相対的な位置、あるいはカ
セットとステージの相対的な位置が変化する場合があ
る。この結果、カセットもしくはステージ上に設置され
た位置基準マークとX線マスクとの相対的な位置も変化
することになり、マスクパターン110の位置精度が悪
化するという問題が発生していた。
First, the stage is usually set on a vibration isolation table or the like, and is designed so as not to be affected by external mechanical vibration. However, it is difficult to completely block such external mechanical vibrations, and external mechanical vibrations may be transmitted to a stage, a cassette, or the like during drawing of a mask pattern. As a result, when the mask pattern 110 is drawn on the resist 104, the relative position between the X-ray mask and the cassette or the relative position between the cassette and the stage may change due to the vibration. As a result, the relative position between the position reference mark provided on the cassette or the stage and the X-ray mask also changes, and there has been a problem that the positional accuracy of the mask pattern 110 deteriorates.

【0016】また、ステージを移動させる際の加速ある
いは減速により発生する振動や、電子線描画を行なう際
のX線マスクやカセットあるいはステージの温度変化に
伴う熱膨張などによっても同様の問題が発生していた。
Similar problems also occur due to vibrations caused by acceleration or deceleration when moving the stage, thermal expansion accompanying changes in the temperature of the X-ray mask, cassette or stage during electron beam writing. I was

【0017】このような課題を解決するためのX線マス
クの製造方法の1つが、特開平4−297016号公報
において提案されている。図45〜49は、上記公報に
おいて提案されているX線マスクの製造工程を説明する
ための断面図である。図45〜49を参照して、従来の
提案されたX線マスクの製造工程を簡単に説明する。
One method of manufacturing an X-ray mask for solving such a problem has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-297016. FIGS. 45 to 49 are cross-sectional views for explaining a manufacturing process of the X-ray mask proposed in the above publication. With reference to FIGS. 45 to 49, the manufacturing process of a conventionally proposed X-ray mask will be briefly described.

【0018】図45に示すように、基板101の表面お
よび裏面にそれぞれメンブレン102a、102bを形
成する。メンブレン102a上にX線吸収体103を形
成する。
As shown in FIG. 45, membranes 102a and 102b are formed on the front and back surfaces of the substrate 101, respectively. The X-ray absorber 103 is formed on the membrane 102a.

【0019】次に、X線吸収体103上にレジストパタ
ーン(図示せず)を形成する。このレジストパターンを
マスクとしてX線吸収体103の一部をエッチングによ
り除去する。このようにして、位置基準マークとなるマ
ーカパターン108(図46参照)を形成する。その
後、レジストパターンを除去することにより、図46に
示すような構造を得る。
Next, a resist pattern (not shown) is formed on the X-ray absorber 103. Using the resist pattern as a mask, a part of the X-ray absorber 103 is removed by etching. Thus, the marker pattern 108 (see FIG. 46) serving as the position reference mark is formed. Thereafter, the structure as shown in FIG. 46 is obtained by removing the resist pattern.

【0020】次に、図47に示すように、X線吸収体1
03上にレジスト104を塗布する。そして、位置基準
マークとしてマーカパターン108を検出しながら、電
子線によりマスクパターンをレジスト104に描画す
る。その後、現像処理を行なうことにより、マスクパタ
ーン106を形成する。
Next, as shown in FIG. 47, the X-ray absorber 1
A resist 104 is applied on the substrate 03. Then, while detecting the marker pattern 108 as a position reference mark, a mask pattern is drawn on the resist 104 by an electron beam. Thereafter, a mask pattern 106 is formed by performing a developing process.

【0021】このように、X線吸収体103に位置基準
マークとして作用するマーカパターン108を形成する
ので、カセットあるいはステージ上に位置基準マークを
形成する場合のように、位置基準マークとX線マスクと
の相対的な位置がずれることはなく、マスクパターンを
描画する際の位置精度を向上させることができる。
As described above, since the marker pattern 108 acting as the position reference mark is formed on the X-ray absorber 103, the position reference mark and the X-ray mask are formed as in the case of forming the position reference mark on the cassette or stage. The relative position does not deviate, and the positional accuracy when drawing the mask pattern can be improved.

【0022】次に、図48に示すように、レジスト10
4のマスクパターン106をマスクとしてX線吸収体1
03の一部をエッチングにより除去する。これにより、
転写用回路パターン107を形成する。その後、レジス
ト104を除去する。
Next, as shown in FIG.
X-ray absorber 1 using mask pattern 106 of No. 4 as a mask.
03 is partially removed by etching. This allows
The transfer circuit pattern 107 is formed. After that, the resist 104 is removed.

【0023】次に、図49に示すように、メンブレン1
02bと基板101との一部をエッチングにより除去す
る。
Next, as shown in FIG.
02b and a part of the substrate 101 are removed by etching.

【0024】このように、特開平4−297016号公
報において提案されているX線マスクの製造方法によれ
ば、マスクパターン106の位置精度を向上させること
ができるが、この製造方法においても、以下のような問
題がある。
As described above, according to the method of manufacturing an X-ray mask proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-297016, the positional accuracy of the mask pattern 106 can be improved. There is such a problem.

【0025】上記公報において提案されたX線マスクの
製造方法では、マーカパターン108を形成するため
に、X線吸収体103上にレジストパターンを形成する
工程、このレジストパターンをマスクとしてX線吸収体
の一部をエッチングにより除去する工程、このエッチン
グ工程の後にレジストパターンを除去する工程と、従来
の製造工程に比べて工程数が増えることになる。この結
果、製造工期が長期化し、製造コストが上昇するという
問題が発生する。
In the method of manufacturing an X-ray mask proposed in the above publication, a step of forming a resist pattern on the X-ray absorber 103 to form the marker pattern 108, and using the resist pattern as a mask, And a step of removing the resist pattern after the etching step, and the number of steps is increased as compared with the conventional manufacturing steps. As a result, there arises a problem that the manufacturing period is prolonged and the manufacturing cost is increased.

【0026】また、マーカパターン108を形成するた
めにエッチング工程を行なうが、このエッチング工程に
おいては塵などが発生しやすい。このため、レジスト1
04(図47参照)を塗布する前には、X線吸収体10
3の表面を洗浄する工程が必要となり、これも工程数が
増える要因となる。
An etching step is performed to form the marker pattern 108. In this etching step, dust and the like are likely to be generated. Therefore, resist 1
04 (see FIG. 47) before applying the X-ray absorber 10
A step of cleaning the surface of No. 3 is required, which also causes an increase in the number of steps.

【0027】また、上記したエッチング工程において発
生した塵を十分に除去できない場合には、レジスト10
4に塗布むらが発生する場合がある。このようなレジス
ト104の塗布むらは、マスクパターン106の欠陥の
原因となる。そして、マスクパターン106において欠
陥が発生すると、その結果X線吸収体103において形
成される転写用回路パターン107においても欠陥が発
生することになり、このX線マスクを用いて形成する半
導体の不良の原因となる。
If the dust generated in the above-mentioned etching step cannot be sufficiently removed, the resist 10
In some cases, coating unevenness may occur in No. 4. Such uneven coating of the resist 104 causes a defect in the mask pattern 106. When a defect occurs in the mask pattern 106, a defect also occurs in the transfer circuit pattern 107 formed in the X-ray absorber 103, and a defect of a semiconductor formed using this X-ray mask is corrected. Cause.

【0028】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであり、本発明の1つの目的は、製造工
程をできるだけ増加させることなく、高い精度を有する
転写用回路パターンを備えたX線マスクを提供すること
である。
The present invention has been made in order to solve such problems, and one object of the present invention is to provide a transfer circuit pattern having high accuracy without increasing the number of manufacturing steps as much as possible. The purpose is to provide an X-ray mask.

【0029】本発明のもう1つの目的は、高い精度を有
する転写用回路パターンを備えるX線マスクを、工程を
できるだけ増加させることなく製造することが可能なX
線マスクの製造方法を提供することである。
Another object of the present invention is to provide an X-ray mask having a transfer circuit pattern with high precision, which makes it possible to manufacture an X-ray mask with as few steps as possible.
A method of manufacturing a line mask is provided.

【0030】[0030]

【課題を解決するための手段】請求項1におけるX線マ
スクの製造方法は、支持部材と、支持部材上に形成され
たX線吸収体とを備えるX線マスクの製造方法であっ
て、X線吸収体上にマスク層を形成する。支持部材に、
位置基準マークを含む位置検出部材を固定する。位置基
準マークをマスク層の位置検出に用いながら、マスク層
にマスクパターンを描画する。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an X-ray mask including a support member and an X-ray absorber formed on the support member. A mask layer is formed on the line absorber. For the support member,
The position detecting member including the position reference mark is fixed. A mask pattern is drawn on the mask layer while using the position reference mark for detecting the position of the mask layer.

【0031】このため、請求項1に記載の発明では、X
線マスクのX線吸収体に位置基準マークを形成する場合
に比べて、この位置基準マークを形成するためのレジス
トパターンの形成工程、エッチング工程、レジストパタ
ーンの除去工程、その後のX線吸収体表面の洗浄工程を
行なう必要はない。このため、X線マスクの製造工程を
簡略化することができる。
Therefore, according to the first aspect of the present invention, X
A step of forming a resist pattern for forming the position reference mark, an etching step, a step of removing the resist pattern, and a subsequent step of forming the position reference mark on the X-ray absorber of the X-ray absorber of the X-ray absorber; It is not necessary to perform the washing step. Therefore, the manufacturing process of the X-ray mask can be simplified.

【0032】また、位置基準マークを形成するためにエ
ッチング工程を行なわないので、X線マスクにおいて塵
の発生を防止できる。このため、マスク層を形成する際
に、塵などの存在に起因してこのマスク層が局所的に不
均一に形成されるといったような問題の発生を防止でき
る。このため、マスク層のこのような欠陥に起因して、
マスク層に形成されるマスクパターンに欠陥が発生する
ことを防止できる。その結果、このマスクパターンを用
いて形成されるX線マスクの転写用回路パターンにおい
て欠陥が発生することを防止できる。
Further, since no etching step is performed to form the position reference mark, generation of dust on the X-ray mask can be prevented. Therefore, when forming the mask layer, it is possible to prevent a problem that the mask layer is locally unevenly formed due to the presence of dust or the like. Therefore, due to such a defect in the mask layer,
It is possible to prevent a defect from occurring in the mask pattern formed on the mask layer. As a result, it is possible to prevent defects from occurring in the transfer circuit pattern of the X-ray mask formed using this mask pattern.

【0033】また、支持部材に固定された位置検出部材
の位置基準マークをマスクパターンの描画の際のマスク
層の位置検出に用いるので、このマスクパターンの描画
の際に、機械的振動などに起因してX線マスクとカセッ
トもしくはステージとの相対的な位置関係が変化するよ
うな場合にも、高い位置精度を有するマスクパターンを
描画することができる。この結果、高い位置精度を有す
る転写用回路パターンを備えるX線マスクを製造するこ
とができる。
Further, since the position reference mark of the position detecting member fixed to the support member is used for detecting the position of the mask layer at the time of drawing the mask pattern, the drawing of the mask pattern may be caused by mechanical vibration or the like. Even when the relative positional relationship between the X-ray mask and the cassette or the stage changes, a mask pattern having high positional accuracy can be drawn. As a result, an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy can be manufactured.

【0034】請求項2におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1の構成において、支持部材がX線吸収体を
支持する基板を含む。
According to a second aspect of the present invention, in the manufacturing method of the first aspect, the support member includes a substrate for supporting the X-ray absorber.

【0035】請求項3におけるX線マスクの製造方法
は、請求項2の構成において、支持部材が基板下に位置
する支持枠部をさらに含む。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing an X-ray mask according to the second aspect, the support member further includes a support frame portion located below the substrate.

【0036】請求項4におけるX線マスクの製造方法
は、請求項3の構成において、基板下に支持枠部を設置
する工程をさらに備える。位置検出部材を固定する工程
は、位置検出部材を支持枠部に固定する工程を含む。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of the third aspect, the method further comprises the step of installing a support frame under the substrate. Fixing the position detection member includes fixing the position detection member to the support frame.

【0037】請求項5におけるX線マスクの製造方法
は、請求項3の構成において、支持枠部が基板部と一体
形成されている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the manufacturing method of the third aspect, the support frame is formed integrally with the substrate.

【0038】請求項6におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜5のいずれか1項の構成において、位置
検出部材を固定する工程が、位置検出部材を支持部材に
接着剤を用いて固定する工程を含む。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an X-ray mask according to any one of the first to fifth aspects, the step of fixing the position detecting member uses an adhesive for the position detecting member as a supporting member. Including a step of fixing.

【0039】請求項7におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜5のいずれか1項の構成において、位置
検出部材を固定する工程が、位置検出部材を支持部材に
ねじを用いて固定する工程を含む。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method for manufacturing an X-ray mask according to any one of the first to fifth aspects, the step of fixing the position detecting member comprises fixing the position detecting member to the supporting member using a screw. The step of performing

【0040】このため、請求項7に記載の発明では、こ
のねじを取外すことにより、マスクパターンの描画工程
の後に位置検出部材を支持部材から取外すことができ
る。この結果、位置検出部材が固定されたままのX線マ
スクを用いて半導体基板に回路パターンを転写する場合
に、この位置検出部材の存在によりX線マスクの傾斜角
度が制約されるというような問題の発生を防止できる。
Therefore, according to the present invention, by removing the screw, the position detecting member can be removed from the supporting member after the mask pattern drawing step. As a result, when a circuit pattern is transferred to a semiconductor substrate using an X-ray mask with the position detection member fixed, there is a problem that the inclination angle of the X-ray mask is restricted by the presence of the position detection member. Can be prevented.

【0041】また、マスクパターンの描画工程の後に位
置検出部材をX線マスクから取外すことができるので、
マスクパターンの描画工程後の工程におけるX線マスク
の外形を従来と同様とすることができる。このため、X
線マスクに位置検出部材が固定されている状態で、マス
クパターンの描画工程後の工程を行なう場合に、X線マ
スクの外形が従来と異なることに起因して必要となるX
線マスクの搬送装置やその他の製造装置の改造などが不
要となる。この結果、新たな設備投資をほとんど行なう
ことなく、従来のX線マスクの製造装置を使用すること
ができる。
Further, since the position detecting member can be removed from the X-ray mask after the mask pattern drawing process,
The outer shape of the X-ray mask in a step after the mask pattern drawing step can be the same as the conventional one. Therefore, X
When a process after the mask pattern drawing process is performed in a state where the position detecting member is fixed to the line mask, the X-ray mask becomes necessary due to a difference in the outer shape from the conventional X-ray mask.
Modification of the line mask transport device and other manufacturing devices is not required. As a result, the conventional X-ray mask manufacturing apparatus can be used with little new capital investment.

【0042】請求項8におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜5のいずれか1項の構成において、位置
検出部材が、支持部材を把持することが可能な把持部材
を含む。位置検出部材を固定する工程は、把持部材によ
り支持部材を把持することにより、位置検出部材を支持
部材に固定する工程を含む。
According to an eighth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an X-ray mask according to any one of the first to fifth aspects, the position detecting member includes a gripping member capable of gripping the supporting member. The step of fixing the position detection member includes fixing the position detection member to the support member by gripping the support member with the holding member.

【0043】このため、請求項8に記載の発明では、X
線マスクの支持部材に、位置検出部材を固定するための
ねじ孔を形成するというような加工を行なう必要がな
い。このため、X線マスクの製造工程をより簡略化する
ことができる。
Therefore, in the invention according to claim 8, X
There is no need to perform processing such as forming a screw hole for fixing the position detection member in the support member of the line mask. Therefore, the manufacturing process of the X-ray mask can be further simplified.

【0044】また、把持部材により位置検出部材をX線
マスクの支持部材に固定するため、マスクパターン描画
工程の後に位置検出部材を支持部材から簡単に取外すこ
とができる。この結果、位置検出部材が支持部材に固定
されたままのX線マスクを用いて半導体基板に回路パタ
ーンを転写する場合に、位置検出部材の存在によりX線
マスクの傾斜角度が制約されるというような問題の発生
を防止できる。
Further, since the position detecting member is fixed to the supporting member of the X-ray mask by the holding member, the position detecting member can be easily removed from the supporting member after the mask pattern drawing step. As a result, when the circuit pattern is transferred to the semiconductor substrate using the X-ray mask with the position detection member fixed to the support member, the inclination angle of the X-ray mask is restricted by the presence of the position detection member. Problems can be prevented.

【0045】また、マスクパターンの描画工程後の工程
におけるX線マスクの外形を従来と同様とすることがで
きる。このため、X線マスクに位置検出部材が固定され
ている状態で、マスクパターンの描画工程後の工程を行
なう場合に、X線マスクの外形が従来と異なることに起
因して必要となるX線マスクの搬送装置やその他の製造
装置の改造が不要となる。この結果、新たな設備投資を
ほとんど行なうことなく、従来のX線マスクの製造装置
を使用することができる。
Further, the outer shape of the X-ray mask in the step after the mask pattern drawing step can be made the same as that of the conventional one. Therefore, when a process after the mask pattern drawing process is performed in a state where the position detection member is fixed to the X-ray mask, the X-ray mask required due to the difference in the outer shape of the X-ray mask from the related art is required. Modification of the mask transfer device and other manufacturing devices is not required. As a result, the conventional X-ray mask manufacturing apparatus can be used with little new capital investment.

【0046】請求項9におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜8のいずれか1項の構成において、位置
基準マークの支持部材に対する位置を調節する工程をさ
らに備える。
A method of manufacturing an X-ray mask according to a ninth aspect of the present invention, according to any one of the first to eighth aspects, further comprises a step of adjusting a position of the position reference mark with respect to the support member.

【0047】このため、請求項9に記載の発明では、マ
スクパターンを描画する部分の高さに適合するように、
位置基準マークの高さを調節することができる。これに
より、マスクパターンの描画の際に、位置基準マークの
高さがこのマスクパターンが描画される領域の高さと異
なることにより、位置基準マークの検出精度が劣化する
ことを防止できる。この結果、マスクパターンの位置精
度の劣化を防止し、高い位置制御を有する転写用回路パ
ターンを備えるX線マスクを得ることができる。
Therefore, according to the ninth aspect of the present invention, the height of the portion where the mask pattern is to be drawn is adjusted so that
The height of the position reference mark can be adjusted. Accordingly, it is possible to prevent the detection accuracy of the position reference mark from deteriorating due to the fact that the height of the position reference mark is different from the height of the area where the mask pattern is drawn when the mask pattern is drawn. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional control.

【0048】また、位置基準マークの支持部材に対する
位置を調節できるので、同じ位置検出部材をさまざまな
タイプのX線マスクに適用することができる。
Further, since the position of the position reference mark with respect to the supporting member can be adjusted, the same position detecting member can be applied to various types of X-ray masks.

【0049】請求項10におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜9のいずれか1項の工程において、位置
検出部材を固定する工程が、複数の位置検出部材を支持
部材に固定する工程を含む。
According to a tenth aspect of the present invention, in the method of any one of the first to ninth aspects, the step of fixing the position detecting member comprises the step of fixing a plurality of position detecting members to the supporting member. including.

【0050】このため、請求項10に記載の発明では、
複数の位置基準マークをマスク層の位置検出に用いるこ
とができる。これにより、マスクパターンの描画工程に
おいて、X線マスクが回転する、あるいは熱膨張すると
いうようなことに起因するマスク層の変位が発生した場
合にも、マスク層の位置を精度よく検出することができ
る。この結果、高い位置精度を有するマスクパターンを
描画することができ、これにより、高い位置精度を有す
る転写用回路パターンを備えるX線マスクを得ることが
できる。
Therefore, in the invention according to claim 10,
A plurality of position reference marks can be used for detecting the position of the mask layer. This makes it possible to accurately detect the position of the mask layer even when the mask layer is displaced due to rotation or thermal expansion of the X-ray mask in the mask pattern drawing process. it can. As a result, it is possible to draw a mask pattern having high positional accuracy, thereby obtaining an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0051】請求項11におけるX線マスクの製造方法
は、請求項10の構成において、複数の位置検出部材を
支持部材に固定する工程が、第1の位置検出部材を支持
部材に固定する工程と、マスク層の中心に関して、第1
の位置検出部材が固定された位置と点対称となる位置に
第2の位置検出部材を固定する工程とを含む。
According to a eleventh aspect of the present invention, in the configuration of the tenth aspect, the step of fixing the plurality of position detection members to the support member includes the step of fixing the first position detection member to the support member. With respect to the center of the mask layer,
Fixing the second position detection member at a position that is point-symmetric with the position where the position detection member is fixed.

【0052】請求項12におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜11のいずれか1項の構成において、マ
スク層にマスクパターンを描画する工程が、支持部材上
にカバー部材を設置した状態で、マスクパターンを描画
する工程を含む。カバー部材には、マスク層のマスクパ
ターンを描画する領域上に位置する領域に描画用開口部
が形成されている。また、カバー部材には、位置基準マ
ーク上に位置する領域に位置検出用開口部が形成されて
いる。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the method for manufacturing an X-ray mask according to any one of the first to eleventh aspects, the step of drawing a mask pattern on the mask layer comprises the step of providing a cover member on a support member. And a step of drawing a mask pattern. In the cover member, a drawing opening is formed in a region located above a region where a mask pattern of the mask layer is drawn. In the cover member, a position detection opening is formed in a region located on the position reference mark.

【0053】このため、請求項12に記載の発明では、
カバー部材が支持部材上に設置されているため、マスク
パターンを描画する電子線やイオンビームに起因して発
生する電子を、このカバー部材によって捕獲することに
より、支持部材に上記電子が到達することを防止でき
る。これにより、支持部材が上記電子によって帯電する
ことを防止できる。そのため、支持部材が帯電すること
によりマスクパターンを描画する電子線などの軌道が変
化することを防止できる。この結果、マスクパターンの
位置精度の劣化を防止し、高い位置精度を有する転写用
回路パターンを備えるX線マスクを得ることができる。
Therefore, according to the invention of claim 12,
Since the cover member is provided on the support member, the electrons generated by the electron beam or ion beam for drawing the mask pattern are captured by the cover member so that the electrons reach the support member. Can be prevented. This can prevent the support member from being charged by the electrons. Therefore, it is possible to prevent the trajectory of the electron beam or the like for drawing the mask pattern from changing due to the charging of the support member. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0054】請求項13におけるX線マスクの製造方法
は、請求項12の構成において、位置検出部材が、位置
基準マークを支持する台座部をさらに含む。位置検出用
開口部の大きさは、台座部の大きさより小さい。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the method of the twelfth aspect, the position detecting member further includes a pedestal portion for supporting the position reference mark. The size of the position detection opening is smaller than the size of the pedestal.

【0055】このため、請求項13に記載の発明では、
マスクパターンを描画するための電子線および位置基準
マークを検出するための電子線などに起因する電子が位
置検出用開口部からX線マスク側へと侵入しても、位置
検出部材の台座部を通って電子はアースへ逃げることに
なる。これにより、X線マスクの支持部材が帯電するこ
とをより有効に防止できる。この結果、支持部材が帯電
することに起因して、マスクパターンを描画するための
電子線などの軌道が変化することをより有効に防止でき
る。この結果、マスクパターンの位置精度の劣化を防止
し、高い位置精度を有する転写用回路パターンを備える
X線マスクを得ることができる。
Therefore, according to the invention of claim 13,
Even if electrons originating from an electron beam for drawing a mask pattern and an electron beam for detecting a position reference mark enter the X-ray mask side from the position detection opening, the pedestal portion of the position detection member is removed. The electrons will escape to earth. This makes it possible to more effectively prevent the support member of the X-ray mask from being charged. As a result, it is possible to more effectively prevent a trajectory of an electron beam or the like for drawing a mask pattern from being changed due to charging of the support member. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0056】請求項14におけるX線マスクの製造方法
は、請求項1〜13のいずれか1項の構成において、位
置検出部材から電荷を除去する工程をさらに備える。
According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an X-ray mask according to any one of the first to thirteenth aspects, further comprising a step of removing charges from the position detecting member.

【0057】このため、請求項14に記載の発明では、
マスクパターンを描画する工程において、位置検出部材
の位置基準マークにこのマークの検出用の電子線が照射
されるような場合にも、位置検出部材が帯電することを
防止できる。その結果、位置検出部材が帯電することに
より、マスクパターンを描画するための電子線の軌道が
変化するというような問題の発生を防止できる。この結
果、マスクパターンの位置精度の劣化を防止し、高い位
置精度を有する転写用回路パターンを備えるX線マスク
を得ることができる。
Therefore, in the invention according to claim 14,
In the step of drawing the mask pattern, even when the position reference mark of the position detecting member is irradiated with an electron beam for detecting this mark, the position detecting member can be prevented from being charged. As a result, it is possible to prevent a problem that the trajectory of the electron beam for drawing the mask pattern changes due to the charging of the position detecting member. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0058】請求項15におけるX線マスクは、支持部
材と、X線吸収体と、位置検出部材とを備える。X線吸
収体は支持部材上に形成されている。位置検出部材は、
支持部材に固定され、位置基準マークを含む。
The X-ray mask according to claim 15 includes a support member, an X-ray absorber, and a position detecting member. The X-ray absorber is formed on a support member. The position detecting member is
It is fixed to the support member and includes a position reference mark.

【0059】このため、請求項15に記載の発明では、
X線マスクのX線吸収体に位置基準マークが形成される
ような場合と比較して、この位置基準マークを形成する
ためのレジストパターンの形成工程、エッチング工程、
このレジストパターンの除去工程、その後のX線吸収体
表面の洗浄工程などを行なう必要がなく、X線マスクの
製造工程を簡略化することができる。
Therefore, in the invention according to claim 15,
A step of forming a resist pattern for forming the position reference mark, an etching step, as compared with a case where a position reference mark is formed on the X-ray absorber of the X-ray mask;
It is not necessary to perform the step of removing the resist pattern and the subsequent step of cleaning the surface of the X-ray absorber, so that the manufacturing process of the X-ray mask can be simplified.

【0060】また、位置基準マークを形成するためにX
線マスクに対してエッチングなどを行なわないため、こ
のエッチング工程に起因する塵の発生を防止できる。こ
のため、X線マスクの転写用回路パターンを形成するた
めのレジストをX線吸収体上に塗布する際、上記のよう
な塵の存在に起因してレジストの塗布むらなどが発生す
ることを防止できる。この結果、レジストの塗布むらに
起因して、このレジストに形成される転写用回路パター
ンのためのマスクパターンに欠陥が発生することを防止
できる。これにより、X線マスクの転写用回路パターン
に欠陥が発生することを防止できる。
In order to form a position reference mark, X
Since no etching or the like is performed on the line mask, generation of dust due to this etching process can be prevented. Therefore, when applying a resist for forming a transfer circuit pattern of an X-ray mask on the X-ray absorber, it is possible to prevent the occurrence of unevenness in application of the resist due to the presence of dust as described above. it can. As a result, it is possible to prevent the occurrence of defects in the mask pattern for the transfer circuit pattern formed on the resist due to the uneven coating of the resist. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of a defect in the transfer circuit pattern of the X-ray mask.

【0061】請求項16におけるX線マスクは、請求項
15の構成において、支持部材がX線吸収体を支持する
基板を含む。位置検出部材は、基板に固定されている。
According to a sixteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fifteenth aspect, the supporting member includes a substrate that supports the X-ray absorber. The position detecting member is fixed to the substrate.

【0062】請求項17におけるX線マスクは、請求項
15の構成において、位置検出部材が、接着剤を用いて
支持部材に固定されている。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the X-ray mask according to the fifteenth aspect, the position detecting member is fixed to the supporting member using an adhesive.

【0063】請求項18におけるX線マスクは、請求項
15の構成において、位置検出部材が、ねじを用いて支
持部材に固定されている。
According to the eighteenth aspect of the present invention, in the configuration of the fifteenth aspect, the position detecting member is fixed to the supporting member using screws.

【0064】請求項19におけるX線マスクは、請求項
15〜18のいずれか1項の構成において、位置検出部
材が位置基準マークの支持部材に対する位置を調節する
位置調節部材を含む。
According to a nineteenth aspect of the present invention, in the X-ray mask according to any one of the fifteenth to eighteenth aspects, the position detecting member includes a position adjusting member for adjusting the position of the position reference mark with respect to the supporting member.

【0065】このため、請求項19に記載の発明では、
X線マスクの転写用回路パターンを形成するためのマス
クパターンを描画する部分の高さに適合するように、位
置基準マークの高さを調節することができる。これによ
り、マスクパターンの描画の際に、位置基準マークの高
さがこのマスクパターンが描画される領域の高さと異な
ることにより、位置基準マークの検出精度が劣化するこ
とを防止できる。この結果、マスクパターンの位置精度
の劣化を防止し、高い精度を有する転写用回路パターン
を得ることができる。
Therefore, in the invention according to claim 19,
The height of the position reference mark can be adjusted to match the height of the portion where the mask pattern for forming the transfer circuit pattern of the X-ray mask is drawn. Accordingly, it is possible to prevent the detection accuracy of the position reference mark from deteriorating due to the fact that the height of the position reference mark is different from the height of the area where the mask pattern is drawn when the mask pattern is drawn. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and obtain a transfer circuit pattern having high accuracy.

【0066】請求項20におけるX線マスクは、請求項
15〜19のいずれか1項の構成において、位置検出部
材が第1および第2の位置検出部材を含む。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the X-ray mask according to any one of the fifteenth to nineteenth aspects, the position detecting member includes first and second position detecting members.

【0067】このため、請求項20に記載の発明では、
複数の位置基準マークをX線マスクの転写用回路パター
ンを形成するためのマスクパターンの描画時に、マスク
パターン描画領域の位置検出に用いることができる。こ
れにより、このマスクパターンの描画の際にX線マスク
が回転する、あるいは熱膨張するといったことに起因し
てマスクパターンの描画領域の変位が起きた場合にも、
マスクパターンの描画領域の位置を精度よく検出するこ
とができる。この結果、高い位置精度を有する転写用回
路パターンを得ることができる。
Therefore, according to the invention of claim 20,
A plurality of position reference marks can be used to detect the position of a mask pattern drawing area when drawing a mask pattern for forming a transfer circuit pattern of an X-ray mask. Accordingly, even when the X-ray mask rotates or thermally expands during the drawing of the mask pattern, the displacement of the drawing area of the mask pattern occurs,
The position of the drawing area of the mask pattern can be accurately detected. As a result, a transfer circuit pattern having high positional accuracy can be obtained.

【0068】[0068]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0069】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の
形態1によるX線マスクを示す断面図である。図1を参
照して、以下に本発明の実施の形態1によるX線マスク
を説明する。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional view showing an X-ray mask according to Embodiment 1 of the present invention. An X-ray mask according to the first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0070】図1を参照して、本発明の実施の形態1に
よるX線マスクは、基板1とメンブレン2とX線吸収体
3とマーク部材31とを備える。基板1上にはメンブレ
ン2が形成されている。メンブレン2上にはX線吸収体
3が形成されている。基板1には窓部6が形成されてい
る。窓部6上に位置する領域において、X線吸収体3に
転写用回路パターン30が形成されている。基板1の側
面には、マーク部材31が接着層9により固定されてい
る。マーク部材31は、台座部7とマーク部8とを含
む。台座部7上にはマーク部8が形成されている。
Referring to FIG. 1, the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention includes a substrate 1, a membrane 2, an X-ray absorber 3, and a mark member 31. On a substrate 1, a membrane 2 is formed. An X-ray absorber 3 is formed on the membrane 2. A window 6 is formed in the substrate 1. A transfer circuit pattern 30 is formed on the X-ray absorber 3 in a region located on the window 6. A mark member 31 is fixed to a side surface of the substrate 1 by an adhesive layer 9. Mark member 31 includes pedestal portion 7 and mark portion 8. A mark 8 is formed on the pedestal 7.

【0071】このように、X線マスクにマーク部材31
が固定されているので、後述する製造工程において、X
線マスクのX線吸収体3に位置基準マークを形成する場
合に比べて、X線吸収体3上でのレジストパターンの形
成工程、位置基準マークを形成するためのエッチング工
程、このレジストパターンを除去する工程、その後X線
吸収体3の表面を洗浄する工程などを行なう必要がな
い。このため、X線マスクの製造工程を簡略化すること
ができる。
As described above, the mark member 31 is provided on the X-ray mask.
Are fixed, so that in a manufacturing process described later, X
Compared to the case where a position reference mark is formed on the X-ray absorber 3 of the X-ray mask, a step of forming a resist pattern on the X-ray absorber 3, an etching step for forming the position reference mark, and removal of the resist pattern There is no need to perform a step of cleaning the surface of the X-ray absorber 3 after that. Therefore, the manufacturing process of the X-ray mask can be simplified.

【0072】また、位置基準マークをX線吸収体3に形
成するためのエッチングを行なわないので、このエッチ
ング工程に起因する塵などが発生することもない。この
ため、転写用回路パターン30を形成するためのレジス
トをX線吸収体3上に塗布する際に、このレジストの塗
布むらなどがこれらの塵に起因して発生することを防止
できる。これにより、レジストの塗布むらに起因して、
転写用回路パターン30を形成するためのマスクパター
ンに欠陥が発生することを防止できる。この結果、転写
用回路パターン30にパターンの形成不良などの欠陥が
発生することを防止できる。
Further, since etching for forming the position reference mark on the X-ray absorber 3 is not performed, dust and the like due to this etching process are not generated. For this reason, when applying a resist for forming the transfer circuit pattern 30 on the X-ray absorber 3, it is possible to prevent unevenness in application of the resist from being caused by the dust. As a result, due to the uneven coating of the resist,
The occurrence of defects in the mask pattern for forming the transfer circuit pattern 30 can be prevented. As a result, it is possible to prevent the transfer circuit pattern 30 from having a defect such as a defective pattern formation.

【0073】また、転写用回路パターン30を形成する
ためのマスクパターンの電子線描画工程において、この
ように基板1に固定されたマーク部材31のマーク部8
を、このマスクパターンを描画するレジストの位置検出
に用いることができる。このため、マスクパターンの電
子線描画の際に、この電子線描画装置などの機械的な振
動により、X線マスクとX線マスクが固定されているカ
セットあるいはステージとの相対的な位置関係が変化す
るような場合にも、上記したレジストとこのマーク部8
との相対的な位置関係は変化しない。これにより、高い
位置精度を有するマスクパターンを描画することができ
る。この結果、高い位置精度を有する転写用回路パター
ン30を形成することができる。
In the electron beam drawing step of the mask pattern for forming the transfer circuit pattern 30, the mark portion 8 of the mark member 31 thus fixed to the substrate 1
Can be used for detecting the position of a resist for drawing the mask pattern. For this reason, at the time of electron beam writing of the mask pattern, the relative positional relationship between the X-ray mask and the cassette or stage on which the X-ray mask is fixed changes due to mechanical vibration of the electron beam writing apparatus or the like. In such a case, the above-described resist and the mark portion 8 may be used.
The relative positional relationship with does not change. Thereby, a mask pattern having high positional accuracy can be drawn. As a result, the transfer circuit pattern 30 having high positional accuracy can be formed.

【0074】図2および3は、図1に示した本発明の実
施の形態1によるX線マスクの製造工程を説明するため
の平面図および側面図である。図2および3を参照し
て、本発明の実施の形態1によるX線マスクの製造工程
を説明する。
FIGS. 2 and 3 are a plan view and a side view for explaining the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. With reference to FIGS. 2 and 3, a manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention will be described.

【0075】図2および3に示すように、まず、基板1
上にメンブレン2を形成する。次に、基板1の一部をエ
ッチングにより除去することにより、窓部6を形成す
る。メンブレン2上にX線吸収体3を形成する。X線吸
収体3上に転写用回路パターン30(図1参照)を形成
する際に用いるマスクパターンを形成するためのレジス
ト4を形成する。そして、基板1の側面にマーク部材3
1を接着層9により固定する。マーク部材31は、台座
部7とマーク部8とを備える。そして、マーク部8を位
置基準マークとして逐次計測することにより、その計測
データをもとにX線マスクの位置を補正しながら、レジ
スト4のマスクパターン描画領域10にマスクパターン
を描画する。
As shown in FIGS. 2 and 3, first, the substrate 1
The membrane 2 is formed thereon. Next, the window 6 is formed by removing a part of the substrate 1 by etching. The X-ray absorber 3 is formed on the membrane 2. A resist 4 for forming a mask pattern used when forming a transfer circuit pattern 30 (see FIG. 1) on the X-ray absorber 3 is formed. The mark member 3 is provided on the side surface of the substrate 1.
1 is fixed by an adhesive layer 9. The mark member 31 includes a pedestal portion 7 and a mark portion 8. Then, by sequentially measuring the mark portion 8 as a position reference mark, a mask pattern is drawn in the mask pattern drawing area 10 of the resist 4 while correcting the position of the X-ray mask based on the measurement data.

【0076】このように、基板1に固定されたマーク部
材31のマーク部8を位置基準マークとして用いなが
ら、マスクパターンの描画を行なうので、このマスクパ
ターンの描画の際に、描画装置などの機械的振動などに
起因して、X線マスクとこのX線マスクが固定されてい
るカセットもしくはステージとの相対的な位置関係が変
化するような場合にも、X線マスクとマーク部8との位
置関係は変化しない。この結果、高い精度を有するマス
クパターンを描画でき、これにより、高い位置精度を有
する転写用回路パターンを有するX線マスクを容易に得
ることができる。
As described above, since the mask pattern is drawn while using the mark portion 8 of the mark member 31 fixed to the substrate 1 as a position reference mark, a machine such as a drawing apparatus is used when drawing the mask pattern. When the relative positional relationship between the X-ray mask and the cassette or stage on which the X-ray mask is fixed changes due to mechanical vibration or the like, the position of the X-ray mask and the mark portion 8 is changed. The relationship does not change. As a result, a mask pattern having high accuracy can be drawn, and thus, an X-ray mask having a transfer circuit pattern having high positional accuracy can be easily obtained.

【0077】また、位置基準マークをX線吸収体3に形
成する場合に比べて、この位置基準マークを形成するた
めのレジストパターンの形成工程などを行なう必要がな
い。このため、X線マスクの製造工程を簡略化すること
ができる。
Further, compared with the case where the position reference mark is formed on the X-ray absorber 3, there is no need to perform a step of forming a resist pattern for forming the position reference mark. Therefore, the manufacturing process of the X-ray mask can be simplified.

【0078】また、X線吸収体3に位置基準マークを形
成しないので、この位置基準マークを形成するためのエ
ッチング工程を行なう必要がない。これにより、このエ
ッチング工程に起因する塵などがX線吸収体3の表面に
付着するといった問題も発生しない。このため、レジス
ト4を塗布する際に、このレジスト4の塗布むらがこれ
らの塵に起因して発生することもない。
Further, since no position reference mark is formed on the X-ray absorber 3, there is no need to perform an etching step for forming this position reference mark. Thus, there is no problem that dust and the like due to the etching process adhere to the surface of the X-ray absorber 3. Therefore, when the resist 4 is applied, the application unevenness of the resist 4 does not occur due to the dust.

【0079】この後、レジスト4に対して現像処理など
を行ない、マスクパターンを形成した後、このマスクパ
ターンをマスクとしてX線吸収体3の一部をエッチング
により除去する。これにより、X線吸収体3に転写用回
路パターン30を形成する。その後、レジスト4を除去
する。
Thereafter, the resist 4 is subjected to a development process or the like to form a mask pattern, and then a part of the X-ray absorber 3 is removed by etching using the mask pattern as a mask. Thereby, the transfer circuit pattern 30 is formed on the X-ray absorber 3. After that, the resist 4 is removed.

【0080】このようにして、図1に示すようなX線マ
スクを得ることができる。図4および5は、図2および
3に示した本発明の実施の形態1によるX線マスクの製
造工程の第1の変形例を示す平面図および側面図であ
る。図4および5を参照して、本発明の実施の形態1に
よるX線マスクの製造工程の第1の変形例は、基本的に
は図2および3に示した本発明の実施の形態1によるX
線マスクの製造工程と同様であるが、X線マスクの基板
が、支持枠と一体となっている支持枠一体型基板11で
ある。そして、マーク部材31は、この支持枠一体型基
板11の支持枠部に接着層9により固定されている。そ
して、この図4および5に示した本発明の実施の形態1
によるX線マスクの製造工程の第1の変形例により、図
2および3に示した本発明の実施の形態1によるX線マ
スクの製造工程と同様の効果を得ることができる。
In this way, an X-ray mask as shown in FIG. 1 can be obtained. 4 and 5 are a plan view and a side view showing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. Referring to FIGS. 4 and 5, a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention is basically based on the first embodiment of the present invention shown in FIGS. X
It is the same as the manufacturing process of the line mask, but the substrate of the X-ray mask is the support frame integrated type substrate 11 integrated with the support frame. The mark member 31 is fixed to the support frame portion of the support frame integrated type substrate 11 by the adhesive layer 9. The first embodiment of the present invention shown in FIGS.
According to the first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the present invention, the same effect as the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 2 and 3 can be obtained.

【0081】図6および7は、本発明の実施の形態1に
よるX線マスクの製造工程の第2の変形例を示す平面図
および側面図である。図6および7を参照して、本発明
の実施の形態1によるX線マスクの製造工程の第2の変
形例を説明する。
FIGS. 6 and 7 are a plan view and a side view showing a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 6 and 7, a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention will be described.

【0082】図6および7に示すように、本発明の実施
の形態1によるX線マスクの製造工程の第2の変形例
は、基本的には図2および3に示した本発明の実施の形
態1によるX線マスクの製造工程と同様である。ただ
し、この図6および7に示した第2の変形例では、X線
マスクの基板1の下には支持枠5が接着層9aにより固
定されている。また、マーク部材31は、接着層9bに
より支持枠5に固定されている。このような構成によ
り、図6および7に示した本発明の実施の形態1による
X線マスクの製造工程の第2の変形例では、図2および
3に示した本発明の実施の形態1によるX線マスクの製
造工程と同様の効果を得ることができる。
As shown in FIGS. 6 and 7, the second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention is basically the same as the embodiment of the present invention shown in FIGS. This is the same as the manufacturing process of the X-ray mask according to mode 1. However, in the second modification shown in FIGS. 6 and 7, the support frame 5 is fixed below the substrate 1 of the X-ray mask by the adhesive layer 9a. The mark member 31 is fixed to the support frame 5 by the adhesive layer 9b. With such a configuration, in the second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. 6 and 7, the first embodiment of the present invention shown in FIGS. The same effect as in the manufacturing process of the X-ray mask can be obtained.

【0083】(実施の形態2)図8および9は、本発明
の実施の形態2によるX線マスクの製造工程を説明する
ための平面図および側面図である。図8および9を参照
して、本発明の実施の形態2によるX線マスクの製造工
程を説明する。
(Embodiment 2) FIGS. 8 and 9 are a plan view and a side view for explaining a manufacturing process of an X-ray mask according to Embodiment 2 of the present invention. With reference to FIGS. 8 and 9, the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention will be described.

【0084】図8および9に示すように、本発明の実施
の形態2によるX線マスクの製造工程は、基本的には図
2および3に示した本発明の実施の形態1によるX線マ
スクの製造工程と同様である。しかし、この図8および
9に示した本発明の実施の形態2によるX線マスクの製
造工程では、マーク部材31を基板1にねじ12により
固定している。このため、本発明の実施の形態2による
X線マスクの製造工程では、本発明の実施の形態1にお
けるX線マスクの製造工程と同様の効果が得られると同
時に、このマーク部材31を、マスクパターンの描画工
程の後に基板1から容易に取外すことができる。この結
果、マーク部材31が基板1に固定されたまま、このX
線マスクを用いて半導体基板などに回路パターンを転写
する場合に、このマーク部材31が存在することによっ
て、X線マスクの傾斜角度が制約されるというような問
題の発生を防止できる。
As shown in FIGS. 8 and 9, the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention is basically the same as that of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. Is the same as the manufacturing process. However, in the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 8 and 9, mark member 31 is fixed to substrate 1 with screws 12. Therefore, in the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention, the same effect as that of the manufacturing process of the X-ray mask in the first embodiment of the present invention can be obtained, and at the same time, this mark member 31 It can be easily removed from the substrate 1 after the pattern drawing step. As a result, while the mark member 31 is fixed to the substrate 1, this X
When a circuit pattern is transferred to a semiconductor substrate or the like using a line mask, the presence of the mark member 31 can prevent a problem that the inclination angle of the X-ray mask is restricted.

【0085】また、マスクパターン描画後の工程におけ
るX線マスクの外形を従来と同様とすることができる。
このため、X線マスクの基板1にマーク部材31を固定
したまま、マスクパターンの描画工程以後の工程を行な
う場合には、このX線マスクの搬送装置やその他の製造
装置の改造を行なう必要があったが、このような装置の
改造は必要なくなる。この結果、従来のX線マスクの製
造装置をそのまま使用することができる。
Further, the outer shape of the X-ray mask in the step after the mask pattern drawing can be made similar to the conventional one.
Therefore, in the case where the steps after the mask pattern drawing step are performed while the mark member 31 is fixed to the substrate 1 of the X-ray mask, it is necessary to modify the transporting apparatus of the X-ray mask and other manufacturing apparatuses. However, such a modification of the device is no longer necessary. As a result, the conventional X-ray mask manufacturing apparatus can be used as it is.

【0086】なお、X線マスクの製造装置の構成などに
よっては、マーク部材31を基板1から取外すことな
く、マーク部材31を設置したままX線マスクを完成し
てもよい。
Depending on the configuration of the apparatus for manufacturing the X-ray mask, the X-ray mask may be completed without removing the mark member 31 from the substrate 1 while the mark member 31 is installed.

【0087】図10および11は、本発明の実施の形態
2によるX線マスクの製造工程の第1の変形例を示した
平面図および断面図である。なお、図11は、図10に
おける線分100−100における断面を示している。
図10および11を参照して、本発明の実施の形態2に
よるX線マスクの製造工程の第1の変形例を説明する。
FIGS. 10 and 11 are a plan view and a sectional view showing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention. FIG. 11 shows a cross section taken along line 100-100 in FIG.
Referring to FIGS. 10 and 11, a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention will be described.

【0088】図10および11に示すように、本発明の
実施の形態2によるX線マスクの製造工程の第1の変形
例は、基本的には図8および9に示した本発明の実施の
形態2によるX線マスクの製造工程と同様である。ただ
し、この図10および11に示した第1の変形例では、
マーク部材31を、X線吸収体3とメンブレン2と基板
1との一部を除去することにより形成された開口部13
の内部に設置し、ねじ12a、12bにより固定してい
る。このように構成することにより、本発明の実施の形
態1と同様の効果が得られると同時に、マーク部材31
をX線マスクに設置した後のX線マスクの外形は大きく
変わらないため、マスクパターンの描画工程後のX線マ
スクの搬送装置などの改造が必要ない。このため、図8
および9に示した本発明の実施の形態2によるX線マス
クの製造工程において、マスクパターンの描画工程後に
マーク部材31をX線マスクから取外した場合と同様の
効果を得ることができる。また、マーク部材31をマス
クパターン描画領域10に、より近い位置に設置するこ
とができるので、マスクパターンの位置精度をより向上
させることができる。
As shown in FIGS. 10 and 11, the first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention is basically the same as that of the first embodiment shown in FIGS. This is the same as the manufacturing process of the X-ray mask according to mode 2. However, in the first modification shown in FIGS. 10 and 11,
An opening 13 formed by removing a part of the X-ray absorber 3, the membrane 2, and the substrate 1 from the mark member 31.
And fixed by screws 12a and 12b. With this configuration, the same effect as that of the first embodiment of the present invention can be obtained, and at the same time, the mark member 31
Since the outer shape of the X-ray mask after installing the X-ray mask on the X-ray mask does not change significantly, there is no need to modify the transport device of the X-ray mask after the mask pattern drawing process. Therefore, FIG.
In the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 9 and 10, the same effect as in the case where the mark member 31 is removed from the X-ray mask after the mask pattern drawing process can be obtained. Further, since the mark member 31 can be installed at a position closer to the mask pattern drawing area 10, the positional accuracy of the mask pattern can be further improved.

【0089】図12および13は、本発明の実施の形態
2によるX線マスクの製造工程の第2の変形例を示す平
面図および側面図である。図12および13を参照し
て、本発明の実施の形態2によるX線マスクの製造工程
の第2の変形例を説明する。図12および13に示すよ
うに、本発明の実施の形態2によるX線マスクの製造工
程の第2の変形例は、基本的には図8および9に示した
本発明の実施の形態2によるX線マスクの製造工程と同
様である。ただし、この第2の変形例では、X線マスク
の基板1下に支持枠5が接着層9により固定されてい
る。また、マーク部材31は、この支持枠5にねじ12
a、12bにより固定されている。このような構成によ
り、図8および9に示した本発明の実施の形態2による
X線マスクの製造工程と同様の効果を得ることができ
る。
FIGS. 12 and 13 are a plan view and a side view showing a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention. A second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. As shown in FIGS. 12 and 13, a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention is basically based on the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 8 and 9. This is the same as the manufacturing process of the X-ray mask. However, in this second modification, the support frame 5 is fixed below the substrate 1 of the X-ray mask by the adhesive layer 9. Also, the mark member 31 is attached to the support frame 5 with the screw 12
a and 12b. With such a configuration, it is possible to obtain the same effects as those of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS.

【0090】図14および15は、本発明の実施の形態
2によるX線マスクの製造工程の第3の変形例を説明す
るための平面図および側面図である。図14および15
を参照して、本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程の第3の変形例を説明する。
FIGS. 14 and 15 are a plan view and a side view for explaining a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention. Figures 14 and 15
A third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0091】図14および15に示すように、本発明の
実施の形態2によるX線マスクの製造工程の第3の変形
例は、基本的には図8および9に示した本発明の実施の
形態2によるX線マスクの製造工程と同様である。ただ
し、この第3の変形例では、X線マスクが支持枠一体型
基板11を備える。そして、マーク部材31は、この支
持枠一体型基板11の支持枠部にねじ12a、12bに
より固定されている。このような構成により、図8およ
び9に示した本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程と同様の効果を得ることができる。
As shown in FIGS. 14 and 15, the third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention is basically the same as that of the embodiment shown in FIGS. This is the same as the manufacturing process of the X-ray mask according to mode 2. However, in the third modification, the X-ray mask includes the support frame integrated type substrate 11. The mark member 31 is fixed to the support frame portion of the support frame integrated substrate 11 with screws 12a and 12b. With such a configuration, it is possible to obtain the same effects as those of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS.

【0092】(実施の形態3)図16および17は、本
発明の実施の形態3によるX線マスクの製造工程を説明
するための平面図および側面図である。図16および1
7を参照して、本発明の実施の形態3によるX線マスク
の製造工程を説明する。
(Embodiment 3) FIGS. 16 and 17 are a plan view and a side view for explaining a manufacturing process of an X-ray mask according to Embodiment 3 of the present invention. Figures 16 and 1
The manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0093】図16および17に示すように、本発明の
実施の形態3によるX線マスクの製造工程は、基本的に
は図2および3に示した本発明の実施の形態1によるX
線マスクの製造工程と同様である。ただし、本発明の実
施の形態3によるX線マスクの製造工程では、マーク部
材31がX線マスクを把持することによって、マーク部
材31をX線マスクに固定している。具体的には、マス
クパターンの描画工程の前に、この固定部14がX線マ
スクの基板1とレジスト4とを把持することによって、
マーク部材31がX線マスクに固定される。
As shown in FIGS. 16 and 17, the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention is basically the same as that of the first embodiment shown in FIGS.
It is the same as the manufacturing process of the line mask. However, in the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention, the mark member 31 fixes the X-ray mask by gripping the X-ray mask. Specifically, before the mask pattern drawing process, the fixing portion 14 grips the substrate 1 and the resist 4 of the X-ray mask,
The mark member 31 is fixed to the X-ray mask.

【0094】このため、X線マスクの基板1にマーク部
材31を固定するためのねじ孔を形成するなどといった
加工工程を行なう必要がなく、X線マスクの製造工程を
さらに簡略化することができる。
Therefore, it is not necessary to perform a processing step such as forming a screw hole for fixing the mark member 31 on the substrate 1 of the X-ray mask, and the manufacturing process of the X-ray mask can be further simplified. .

【0095】また、固定部14によりマーク部材31を
X線マスクに固定するため、マスクパターンの描画工程
後にマーク部材31をX線マスクから簡単に取外すこと
ができる。この結果、本発明の実施の形態2によるX線
マスクの製造工程と同様の効果を得ることができる。
Further, since the mark member 31 is fixed to the X-ray mask by the fixing section 14, the mark member 31 can be easily removed from the X-ray mask after the mask pattern drawing process. As a result, the same effects as those in the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention can be obtained.

【0096】図18および19は、本発明の実施の形態
3によるX線マスクの製造工程の第1の変形例を説明す
るための平面図および側面図である。図18および19
を参照して、本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程の第1の変形例を説明する。
FIGS. 18 and 19 are a plan view and a side view for describing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention. 18 and 19
A first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0097】図18および19に示すように、本発明の
実施の形態3によるX線マスクの製造工程の第1の変形
例は、基本的に図16および17に示した本発明の実施
の形態3によるX線マスクの製造工程と同様である。た
だし、この第1の変形例では、X線マスクの基板1に下
に、支持枠5が接着層9aにより固定されている。そし
て、マーク部材31は、固定部14により支持枠5に固
定されている。この固定部14は、支持枠5を把持する
ことにより、支持枠5にマーク部材31を固定してい
る。このように構成することで、図16および17に示
した本発明の実施の形態3によるX線マスクの製造工程
と同様の効果を得ることができる。
As shown in FIGS. 18 and 19, the first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention is basically the same as that of the embodiment shown in FIGS. 3 is the same as the manufacturing process of the X-ray mask of FIG. However, in the first modification, the support frame 5 is fixed below the substrate 1 of the X-ray mask by the adhesive layer 9a. The mark member 31 is fixed to the support frame 5 by the fixing part 14. The fixing portion 14 fixes the mark member 31 to the support frame 5 by gripping the support frame 5. With this configuration, it is possible to obtain the same effect as that of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention shown in FIGS.

【0098】図20および21は、本発明の実施の形態
3によるX線マスクの製造工程の第2の変形例を説明す
るための平面図および側面図である。図20および21
を参照して、本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明する。
FIGS. 20 and 21 are a plan view and a side view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention. Figures 20 and 21
A second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0099】図20および21に示すように、本発明の
実施の形態3によるX線マスクの製造工程の第2の変形
例は、基本的に図16および17に示した本発明の実施
の形態3によるX線マスクの製造工程と同様である。た
だし、この第2の変形例では、X線マスクは支持枠一体
型基板11を備える。そして、マーク部材31は、固定
部14により支持枠一体型基板11の支持枠部に固定さ
れている。この固定部14は、支持枠一体型基板11の
支持枠部を把持することにより、マーク部材31をこの
支持枠一体型基板11に固定している。このように構成
することで、図16および17に示した本発明の実施の
形態3によるX線マスクの製造工程と同様の効果を得る
ことができる。
As shown in FIGS. 20 and 21, a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention is basically the same as that of the embodiment shown in FIGS. 3 is the same as the manufacturing process of the X-ray mask of FIG. However, in the second modification, the X-ray mask includes the support frame integrated type substrate 11. The mark member 31 is fixed to the support frame of the support frame integrated substrate 11 by the fixing unit 14. The fixing portion 14 fixes the mark member 31 to the support frame integrated substrate 11 by gripping the support frame portion of the support frame integrated substrate 11. With this configuration, it is possible to obtain the same effect as that of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention shown in FIGS.

【0100】(実施の形態4)図22および23は、本
発明の実施の形態4によるX線マスクの製造工程を説明
するための平面図および側面図である。図22および2
3を参照して、本発明の実施の形態4によるX線マスク
の製造工程を説明する。
(Embodiment 4) FIGS. 22 and 23 are a plan view and a side view for explaining a manufacturing process of an X-ray mask according to Embodiment 4 of the present invention. Figures 22 and 2
The manufacturing process of the X-ray mask according to the fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0101】図22および23に示すように、本発明の
実施の形態4によるX線マスクの製造工程は、基本的に
図12および13に示した本発明の実施の形態2による
X線マスクの製造工程の第2の変形例と同様である。た
だし、この本発明の実施の形態4によるX線マスクの製
造工程では、マーク部材31のマーク部19の高さを調
節する工程をさらに備える。これにより、マーク部19
の高さをマスクパターンの描画面の高さと適合するよう
に調節することができる。
As shown in FIGS. 22 and 23, the manufacturing process of the X-ray mask according to the fourth embodiment of the present invention is basically the same as that of the X-ray mask according to the second embodiment shown in FIGS. This is the same as the second modification of the manufacturing process. However, the manufacturing process of the X-ray mask according to the fourth embodiment of the present invention further includes a process of adjusting the height of mark portion 19 of mark member 31. Thereby, the mark portion 19
Can be adjusted to match the height of the drawing surface of the mask pattern.

【0102】これにより、マーク部19とマスクパター
ンを描画する描画面との高さが異なることに起因して、
マーク部19の検出精度が劣化するというような問題の
発生を防止できる。これにより、マスクパターンの位置
精度の劣化を防止し、高い位置精度を有する転写回路パ
ターンを備えるX線マスクを容易に得ることができる。
Due to the difference in height between the mark portion 19 and the drawing surface on which the mask pattern is drawn,
It is possible to prevent a problem that the detection accuracy of the mark portion 19 is deteriorated. Thus, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and easily obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0103】ここで、マーク部19の高さを調節するた
め、図24に示すような構造のマーク部材を用いてもよ
い。図24は、図22における線分200−200にお
けるマーク部材31の断面図である。図24を参照し
て、本発明の実施の形態4におけるマーク部材は、台座
部15とマーク部19とを備える。台座部15には、ね
じ12a、12b(図22参照)によりマーク部材を支
持枠5(図22参照)に固定するためのねじ孔29a、
29bと、マーク部19のねじ状部分を挿入する開口部
17とが形成されている。開口部17の内部には、ねじ
山が形成されたねじ部16が形成されている。この台座
部15上にマーク部19が設置されている。マーク部1
9のねじ状部分は開口部17の内部に挿入され、マーク
部19を回転させることにより、マーク部19の高さを
調節することができる。
Here, in order to adjust the height of the mark portion 19, a mark member having a structure as shown in FIG. 24 may be used. FIG. 24 is a cross-sectional view of the mark member 31 taken along line 200-200 in FIG. Referring to FIG. 24, the mark member according to the fourth embodiment of the present invention includes a pedestal portion 15 and a mark portion 19. The pedestal portion 15 has a screw hole 29a for fixing the mark member to the support frame 5 (see FIG. 22) with screws 12a and 12b (see FIG. 22).
29b and an opening 17 into which the threaded portion of the mark 19 is inserted are formed. Inside the opening 17, a thread 16 having a thread is formed. A mark portion 19 is provided on the pedestal portion 15. Mark part 1
The threaded portion 9 is inserted into the opening 17, and the height of the mark 19 can be adjusted by rotating the mark 19.

【0104】図25は、図24に示したマーク部材の底
面図である。図25を参照して、マーク部材の台座部1
5の開口部17の内部では、マーク部19(図24参
照)のねじ状部の底面18が露出している。このマーク
部のねじ状部の底面には溝が形成されている。
FIG. 25 is a bottom view of the mark member shown in FIG. Referring to FIG. 25, pedestal portion 1 of the mark member
5, the bottom surface 18 of the threaded portion of the mark portion 19 (see FIG. 24) is exposed. A groove is formed on the bottom surface of the threaded portion of the mark.

【0105】このようなマーク部材を用いることによ
り、マーク部19の高さをX線マスクの構造に合わせて
調節できるので、このマーク部材31をさまざまなタイ
プのX線マスクの製造工程に適用することができる。
By using such a mark member, the height of the mark portion 19 can be adjusted according to the structure of the X-ray mask. Therefore, this mark member 31 is applied to various types of manufacturing processes of X-ray masks. be able to.

【0106】なお、ここではマーク部材31にマーク部
19の高さを調節する機能を設けているが、X線マスク
の支持枠5(図23参照)や基板1(図23参照)など
に高さ調節機構を設け、その部分にマーク部材31(図
23参照)を設置することによって、マーク部19(図
23参照)の高さを調節してもよい。
Although the mark member 31 has a function of adjusting the height of the mark portion 19 here, the mark member 31 has a function of adjusting the height of the support frame 5 (see FIG. 23) of the X-ray mask or the substrate 1 (see FIG. 23). The height of the mark portion 19 (see FIG. 23) may be adjusted by providing an adjustment mechanism and installing the mark member 31 (see FIG. 23) in that portion.

【0107】(実施の形態5)上記した実施の形態1〜
4においては、マーク部材を1つだけ用いた場合につい
て述べたが、図26に示すように、X線マスクが回転す
るような変位を起こした場合や、図27に示すようにX
線マスク自体が熱膨張などによって変形するような場合
には、マーク部材31が1つだけである場合には、この
X線マスクの変位を正確に検出することは困難である。
ここで、図26は、X線マスクが回転するような変位を
した場合を示す模式図であり、図27は、X線マスクが
熱による変形を起こした場合を示す平面模式図である。
(Embodiment 5) Embodiments 1 to 5 described above
In FIG. 4, the case where only one mark member is used has been described. However, as shown in FIG. 26, when the X-ray mask is displaced so as to rotate, or as shown in FIG.
In the case where the line mask itself is deformed due to thermal expansion or the like, if there is only one mark member 31, it is difficult to accurately detect the displacement of the X-ray mask.
Here, FIG. 26 is a schematic diagram showing a case where the X-ray mask is displaced so as to rotate, and FIG. 27 is a schematic plan diagram showing a case where the X-ray mask is deformed by heat.

【0108】このような場合には、図28に示すよう
に、複数のマーク部材31a,31bをX線マスクに設
置することが有効である。図28は、本発明の実施の形
態5によるX線マスクの製造工程を説明するための模式
図である。図28を参照して、本発明の実施の形態5に
よるX線マスクの製造工程におけるX線マスクは、基本
的に図6に示した本発明の実施の形態1によるX線マス
クの製造工程の第2の変形例におけるX線マスクと同様
の構造を備える。ただし、本発明の実施の形態5による
X線マスクの製造工程では、マスクパターン描画領域1
0にマスクパターンを描画する工程を行なう前に、2つ
のマーク部材31a、31bを、マスクパターン描画領
域10の中心に対して点対称となるように、支持枠5に
固定する工程を備える。
In such a case, as shown in FIG. 28, it is effective to install a plurality of mark members 31a and 31b on the X-ray mask. FIG. 28 is a schematic diagram for explaining a manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention. Referring to FIG. 28, the X-ray mask in the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention basically corresponds to the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. It has the same structure as the X-ray mask in the second modification. However, in the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention, the mask pattern drawing area 1
Before performing the step of drawing the mask pattern at 0, a step of fixing the two mark members 31a and 31b to the support frame 5 so as to be point-symmetric with respect to the center of the mask pattern drawing area 10 is provided.

【0109】このように、2つのマーク部材31a、3
1bを有することにより、これらのマーク部材31a、
31bをレジスト4の位置検出に用いることができる。
これにより、本発明の実施の形態1により得られる効果
に加えて、X線マスクが図29に示すように回転するよ
うな変位を起こした場合や、図30に示すように、熱に
よる膨張によって変形するような場合にも、精度よくレ
ジスト4の位置検出を行なうことができる。この結果、
高い位置精度を有するマスクパターンを描画することが
でき、これにより、高い位置精度を有する転写用回路パ
ターンを備えるX線マスクを容易に得ることができる。
As described above, the two mark members 31a, 3
1b, these mark members 31a,
31b can be used for detecting the position of the resist 4.
Thereby, in addition to the effect obtained by the first embodiment of the present invention, when the X-ray mask is displaced so as to rotate as shown in FIG. 29, or as shown in FIG. Even in the case where the resist 4 is deformed, the position of the resist 4 can be accurately detected. As a result,
A mask pattern having a high positional accuracy can be drawn, whereby an X-ray mask having a transfer circuit pattern having a high positional accuracy can be easily obtained.

【0110】ここで、図29は、X線マスクが回転する
ような変位を起こした場合を示す平面模式図であり、図
30は、X線マスクが熱による膨張によって変形を起こ
した場合を示す平面模式図である。
Here, FIG. 29 is a schematic plan view showing a case where the X-ray mask is displaced so as to rotate, and FIG. 30 shows a case where the X-ray mask is deformed by expansion due to heat. It is a plane schematic diagram.

【0111】図31および32は、本発明の実施の形態
5によるX線マスクの製造工程の第1の変形例を示す平
面図および側面図である。図31および32を参照し
て、本発明の実施の形態5によるX線マスクの製造工程
の第1の変形例を説明する。
FIGS. 31 and 32 are a plan view and a side view showing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 31 and 32, a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention will be described.

【0112】図31および32に示すように、本発明の
実施の形態5によるX線マスクの製造工程の第1の変形
例は、基本的には図2および3に示した本発明の実施の
形態1によるX線マスクの製造工程と同様である。ただ
し、この図31および32に示した第1の変形例では、
X線マスクの基板1に2つのマーク部材31a、31b
がそれぞれ接着層9c、9dにより固定されている。こ
のように構成することにより、図28に示した本発明の
実施の形態5によるX線マスクの製造工程と同様の効果
を得ることができる。
As shown in FIGS. 31 and 32, the first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention is basically the same as that of the first embodiment shown in FIGS. This is the same as the manufacturing process of the X-ray mask according to mode 1. However, in the first modification shown in FIGS. 31 and 32,
Two mark members 31a and 31b are provided on the substrate 1 of the X-ray mask.
Are fixed by adhesive layers 9c and 9d, respectively. With this configuration, it is possible to obtain the same effect as the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG.

【0113】図33および34は、本発明の実施の形態
5によるX線マスクの製造工程の第2の変形例を示す平
面図および側面図である。図33および34を参照し
て、本発明の実施の形態5によるX線マスクの製造工程
の第2の変形例を説明する。
FIGS. 33 and 34 are a plan view and a side view showing a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 33 and 34, a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention will be described.

【0114】図33および34に示すように、本発明の
実施の形態5によるX線マスクの製造工程の第2の変形
例は、基本的には図6および7に示した本発明の実施の
形態1によるX線マスクの製造工程の第2の変形例と同
様である。ただし、この図33および34に示した第2
の変形例では、X線マスクの支持枠5に2つのマーク部
材31a、31bが接着層9c、9dにより固定されて
いる。このように構成することにより、図28に示した
本発明の実施の形態5によるX線マスクの製造工程と同
様の効果を得ることができる。
As shown in FIGS. 33 and 34, the second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention is basically the same as that of the embodiment shown in FIGS. This is the same as the second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to mode 1. However, the second shown in FIGS.
In the modification, two mark members 31a and 31b are fixed to the support frame 5 of the X-ray mask by the adhesive layers 9c and 9d. With this configuration, it is possible to obtain the same effect as the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG.

【0115】図35および36は、本発明の実施の形態
5によるX線マスクの製造工程の第3の変形例を示す平
面図および側面図である。図35および36を参照し
て、本発明の実施の形態5によるX線マスクの製造工程
の第3の変形例を説明する。
FIGS. 35 and 36 are a plan view and a side view showing a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention. Referring to FIGS. 35 and 36, a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention will be described.

【0116】図35および36に示すように、本発明の
実施の形態5によるX線マスクの製造工程の第3の変形
例は、図4および5に示した本発明の実施の形態1によ
るX線マスクの製造工程の第1の変形例と同様である。
ただし、この図35および36に示した第3の変形例で
は、X線マスクの支持枠一体型基板11に2つのマーク
部材31a、31bが接着層9c、9dによりそれぞれ
固定されている。このような構成により、図28に示し
た本発明の実施の形態5によるX線マスクの製造工程と
同様の効果を得ることができる。
As shown in FIGS. 35 and 36, a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention is different from the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. This is the same as the first modification of the line mask manufacturing process.
However, in the third modification shown in FIGS. 35 and 36, two mark members 31a and 31b are fixed to the support frame integrated type substrate 11 of the X-ray mask by the adhesive layers 9c and 9d, respectively. With such a configuration, it is possible to obtain the same effect as the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG.

【0117】(実施の形態6)図37は、本発明の実施
の形態6によるX線マスクの製造工程を説明するための
平面図である。図37を参照して、本発明の実施の形態
6によるX線マスクの製造工程を説明する。
(Embodiment 6) FIG. 37 is a plan view for describing a manufacturing process of an X-ray mask according to Embodiment 6 of the present invention. Referring to FIG. 37, the manufacturing process of the X-ray mask according to the sixth embodiment of the present invention will be described.

【0118】図37に示すように、本発明の実施の形態
6によるX線マスクの製造工程は、基本的には図33お
よび34に示した本発明の実施の形態5によるX線マス
クの製造工程の第2の変形例と同様である。ただし、図
37においては、実際にマスクパターンをレジスト4に
描画する際に、描画領域のステージにおいてX線マスク
22を固定するために用いられるホルダ21に、X線マ
スク22が固定されている状態を示す。また、X線マス
ク22上には金属などの導電体からなるマスクカバー2
0が位置し、このマスクカバー20はねじ25a〜25
dによりホルダ21に固定されている。また、マスクカ
バー20には、マスクパターン描画領域10を露出させ
るように描画領域開口部23が形成されている。また、
マーク部材31a、31bを露出させるように、マスク
カバー20にはマーク用開口部24a、24bが形成さ
れている。
As shown in FIG. 37, the manufacturing process of the X-ray mask according to the sixth embodiment of the present invention is basically the same as that of manufacturing the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIGS. This is the same as the second modification of the process. However, in FIG. 37, when the mask pattern is actually drawn on the resist 4, the X-ray mask 22 is fixed to the holder 21 used for fixing the X-ray mask 22 on the stage in the drawing area. Is shown. A mask cover 2 made of a conductor such as a metal is placed on the X-ray mask 22.
0, and the mask cover 20 is provided with screws 25a to 25a.
It is fixed to the holder 21 by d. The mask cover 20 has a drawing area opening 23 formed so as to expose the mask pattern drawing area 10. Also,
Mark openings 24a and 24b are formed in the mask cover 20 so as to expose the mark members 31a and 31b.

【0119】このように、マスクカバー20がX線マス
ク22の上に設置され、X線マスク22の支持枠5を覆
っているため、マスクパターンを描画する電子線やイオ
ンビームに起因して発生する電子を、このマスクカバー
20により捕獲することにより、支持枠5に電子が到達
することを防止できる。これにより、支持枠5が上記電
子により帯電することを防止できる。その結果、X線マ
スク22の支持枠5などが帯電することにより、マスク
パターンを描画する電子線などの軌道が変化することを
防止できる。この結果、マスクパターンの精度の劣化を
防止することができ、高い位置精度を有する転写用回路
パターンを備えるX線マスクを容易に製造することがで
きる。
As described above, since the mask cover 20 is placed on the X-ray mask 22 and covers the support frame 5 of the X-ray mask 22, the mask cover 20 is generated by an electron beam or an ion beam for drawing a mask pattern. The captured electrons are captured by the mask cover 20, so that the electrons can be prevented from reaching the support frame 5. Thereby, the support frame 5 can be prevented from being charged by the electrons. As a result, it is possible to prevent the trajectory of the electron beam or the like for drawing the mask pattern from changing due to the charging of the support frame 5 or the like of the X-ray mask 22. As a result, it is possible to prevent deterioration of the accuracy of the mask pattern, and it is possible to easily manufacture an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0120】図38は、図37における線分300−3
00における断面図である。図38を参照して、マーク
部材31aは、マーク部8aと台座部7aとを備える。
台座部7aの幅W2よりも、マスクカバー20に形成さ
れたマーク用開口部24aの幅W1は小さくなるように
設定されている。
FIG. 38 shows a line segment 300-3 in FIG.
It is sectional drawing in 00. Referring to FIG. 38, mark member 31a includes mark portion 8a and pedestal portion 7a.
The width W1 of the mark opening 24a formed in the mask cover 20 is set to be smaller than the width W2 of the base 7a.

【0121】このため、マスクパターンを描画する電子
線などに起因する電子がマーク用開口部24aから支持
枠5側へと侵入しても、マーク部材31aの台座部7a
にこれらの電子はアースを通って逃がされる。これによ
り、X線マスクの支持枠5が帯電することをより有効に
防止することができる。この結果、支持枠5が帯電する
ことによりマスクパターンを描画するための電子線など
の軌道が変化するといった問題の発生をより有効に防止
できる。この結果、マスクパターンの位置精度の劣化を
防止し、高い位置精度を有する転写用回路パターンを備
えるX線マスクを容易に得ることができる。
For this reason, even if electrons originating from an electron beam or the like for drawing a mask pattern enter the support frame 5 through the mark opening 24a, the pedestal 7a of the mark member 31a is not affected.
These electrons are escaped through earth. This makes it possible to more effectively prevent the support frame 5 of the X-ray mask from being charged. As a result, it is possible to more effectively prevent the problem that the trajectory of an electron beam or the like for drawing a mask pattern changes due to the charging of the support frame 5. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and easily obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0122】(実施の形態7)図39および40は、本
発明の実施の形態7によるX線マスクの製造工程を説明
するための平面図および断面図である。ここで、図40
は図39の線分400−400における断面を示してい
る。図39および40を参照して、本発明の実施の形態
7によるX線マスクの製造工程を説明する。
(Embodiment 7) FIGS. 39 and 40 are a plan view and a cross-sectional view for explaining a manufacturing process of an X-ray mask according to Embodiment 7 of the present invention. Here, FIG.
Indicates a cross section taken along line 400-400 in FIG. Referring to FIGS. 39 and 40, the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention will be described.

【0123】図39および40に示すように、本発明の
実施の形態7によるX線マスクの製造工程は、基本的に
図2および3に示した本発明の実施の形態1によるX線
マスクの製造工程と同様である。ただし、この図39お
よび40に示した本発明の実施の形態7によるX線マス
クの製造工程では、X線マスクはマスクカバーの機能も
有するホルダ21に固定されている。そして、このホル
ダ21は、マスクパターンを描画する描画領域のステー
ジ26上に設置されている。ホルダ21には、描画領域
開口部23とマーク用開口部24とが形成されている。
このホルダ21とステージ26とは導電体より構成され
ている。そして、マーク部材31とホルダ21とは導電
線27により電気的に接続されている。
As shown in FIGS. 39 and 40, the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention is basically the same as that of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention shown in FIGS. It is the same as the manufacturing process. However, in the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention shown in FIGS. 39 and 40, the X-ray mask is fixed to holder 21 which also has a mask cover function. The holder 21 is set on the stage 26 in a drawing area for drawing a mask pattern. The holder 21 has a drawing area opening 23 and a mark opening 24 formed therein.
The holder 21 and the stage 26 are made of a conductor. The mark member 31 and the holder 21 are electrically connected by the conductive wire 27.

【0124】このため、マスクパターン描画工程におい
て、マーク部材31のマーク部8に位置検出用の電子線
が照射されても、マーク部材31に照射された電子はマ
ーク部材31に蓄積することなく、導電線27を介して
ホルダ21、ステージ26へと流れていくことができ
る。この結果、マーク部材31が帯電することを防止で
きる。その結果、マーク部材31が帯電することによ
り、マスクパターンを描画するための電子線の軌道が変
化するという問題の発生を防止できる。この結果、マス
クパターンの位置精度の劣化を防止し、高い位置精度を
有する転写用回路パターンを備えるX線マスクを容易に
得ることができる。
For this reason, in the mask pattern drawing process, even if the mark portion 8 of the mark member 31 is irradiated with the electron beam for position detection, the electrons irradiated on the mark member 31 do not accumulate in the mark member 31 without being accumulated. It can flow to the holder 21 and the stage 26 via the conductive wire 27. As a result, it is possible to prevent the mark member 31 from being charged. As a result, it is possible to prevent the problem that the trajectory of the electron beam for drawing the mask pattern changes due to the charging of the mark member 31. As a result, it is possible to prevent deterioration of the positional accuracy of the mask pattern and easily obtain an X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy.

【0125】図41は、本発明の実施の形態7によるX
線マスクの製造工程の変形例を示す断面図である。図4
1を参照して、本発明の実施の形態7によるX線マスク
の製造工程の変形例を説明する。
FIG. 41 is a diagram showing X according to the seventh embodiment of the present invention.
It is sectional drawing which shows the modification of a manufacturing process of a line mask. FIG.
With reference to FIG. 1, a modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention will be described.

【0126】図41に示すように、本発明の実施の形態
7によるX線マスクの製造工程は、基本的には図39お
よび40に示した本発明の実施の形態7によるX線マス
クの製造工程と同様である。ただし、この図41に示し
た変形例では、ホルダ21のマーク部材31下に位置す
る領域に開口部が形成され、マーク部材31とステージ
26とが、導電線28により接続されている。これによ
り、マーク部材31に照射された電子をステージ26に
流すことができ、図39および40に示した本発明の実
施の形態7によるX線マスクの製造工程と同様の効果を
得ることができる。
As shown in FIG. 41, the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention is basically the same as that of manufacturing the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention shown in FIGS. It is the same as the process. However, in the modified example shown in FIG. 41, an opening is formed in a region of the holder 21 below the mark member 31, and the mark member 31 and the stage 26 are connected by the conductive wire 28. Thereby, the electrons applied to the mark member 31 can be flown to the stage 26, and the same effects as those of the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention shown in FIGS. 39 and 40 can be obtained. .

【0127】なお、今回開示された実施の形態は全ての
点で例示であって、制限的なものではないと考えられる
べきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内のすべての変更が含まれること
が意図される。
It should be noted that the embodiments disclosed this time are examples in all respects, and should not be construed as limiting. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the embodiments described above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

【0128】[0128]

【発明の効果】以上のように、請求項1〜20に記載の
発明によれば、位置基準マークとして作用するマーク部
を備えるマーク部材をX線マスクの基板や支持枠に設置
することにより、高い位置精度を有する転写用回路パタ
ーンを備えるX線マスクを、製造工程をほとんど増やす
ことなく製造することができる。
As described above, according to the first to twelfth aspects of the present invention, a mark member having a mark portion acting as a position reference mark is provided on a substrate or a support frame of an X-ray mask. An X-ray mask including a transfer circuit pattern having high positional accuracy can be manufactured with almost no increase in manufacturing steps.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態1によるX線マスクを示
す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an X-ray mask according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示した本発明の実施の形態1によるX
線マスクの製造工程を説明するための平面図である。
FIG. 2 is a diagram showing an X according to the first embodiment of the present invention shown in FIG.
It is a top view for explaining the manufacturing process of a line mask.

【図3】 図1に示した本発明の実施の形態1によるX
線マスクの製造工程を説明するための側面図である。
FIG. 3 shows X according to the first embodiment of the present invention shown in FIG. 1;
It is a side view for explaining the manufacturing process of a line mask.

【図4】 本発明の実施の形態1によるX線マスクの製
造工程の第1の変形例を説明するための平面図である。
FIG. 4 is a plan view for explaining a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention.

【図5】 本発明の実施の形態1によるX線マスクの製
造工程の第1の変形例を説明するための側面図である。
FIG. 5 is a side view for describing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention.

【図6】 本発明の実施の形態1によるX線マスクの製
造工程の第2の変形例を説明するための平面図である。
FIG. 6 is a plan view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention.

【図7】 本発明の実施の形態1によるX線マスクの製
造工程の第2の変形例を説明するための側面図である。
FIG. 7 is a side view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the first embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの製
造工程を説明するための平面図である。
FIG. 8 is a plan view for explaining a manufacturing step of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図9】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの製
造工程を説明するための側面図である。
FIG. 9 is a side view for explaining the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図10】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程の第1の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 10 is a plan view for describing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図11】 図10における線分100−100におけ
る断面図である。
FIG. 11 is a sectional view taken along line 100-100 in FIG. 10;

【図12】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 12 is a plan view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図13】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 13 is a side view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図14】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程の第3の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 14 is a plan view for describing a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図15】 本発明の実施の形態2によるX線マスクの
製造工程の第3の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 15 is a side view for explaining a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the second embodiment of the present invention.

【図16】 本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程を説明するための平面図である。
FIG. 16 is a plan view for explaining a manufacturing step of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention.

【図17】 本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程を説明するための側面図である。
FIG. 17 is a side view for illustrating the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention.

【図18】 本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程の第1の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 18 is a plan view for describing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention.

【図19】 本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程の第1の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 19 is a side view for describing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention.

【図20】 本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 20 is a plan view for describing a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention.

【図21】 本発明の実施の形態3によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 21 is a side view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the third embodiment of the present invention.

【図22】 本発明の実施の形態4によるX線マスクの
製造工程を説明するための平面図である。
FIG. 22 is a plan view for explaining the manufacturing process of the X-ray mask according to the fourth embodiment of the present invention.

【図23】 本発明の実施の形態4によるX線マスクの
製造工程を説明するための側面図である。
FIG. 23 is a side view for illustrating the manufacturing process of the X-ray mask according to the fourth embodiment of the present invention.

【図24】 図22における線分200−200でのマ
ーク部材の断面図である。
24 is a sectional view of the mark member taken along line 200-200 in FIG.

【図25】 図24に示したマーク部材の底面図であ
る。
FIG. 25 is a bottom view of the mark member shown in FIG. 24;

【図26】 マスクパターンを描画する工程において、
X線マスクが回転するような変位を起こした場合を示す
平面模式図である。
FIG. 26 shows a step of drawing a mask pattern;
FIG. 4 is a schematic plan view showing a case where a displacement such as rotation of an X-ray mask occurs.

【図27】 マスクパターンを描画する工程において、
X線マスクが熱による変形を起こした場合を示す平面模
式図である。
FIG. 27 illustrates a step of drawing a mask pattern.
FIG. 4 is a schematic plan view showing a case where an X-ray mask is deformed by heat.

【図28】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程を説明するための平面模式図である。
FIG. 28 is a schematic plan view for explaining the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図29】 図28に示した本発明の実施の形態5によ
るX線マスクの製造工程において、X線マスクが回転す
るような変位を起こした場合を示す平面模式図である。
FIG. 29 is a schematic plan view showing a case where the X-ray mask is displaced so as to rotate in the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 28;

【図30】 図28に示した本発明の実施の形態5によ
るX線マスクの製造工程において、X線マスクが熱によ
る変形を起こした場合を示す平面模式図である。
30 is a schematic plan view showing a case where the X-ray mask is deformed by heat in the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 28.

【図31】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程の第1の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 31 is a plan view for explaining a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図32】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程の第1の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 32 is a side view for describing a first modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図33】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 33 is a plan view for describing a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図34】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程の第2の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 34 is a side view for explaining a second modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図35】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程の第3の変形例を説明するための平面図であ
る。
FIG. 35 is a plan view for describing a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図36】 本発明の実施の形態5によるX線マスクの
製造工程の第3の変形例を説明するための側面図であ
る。
FIG. 36 is a side view for describing a third modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the fifth embodiment of the present invention.

【図37】 本発明の実施の形態6によるX線マスクの
製造工程を説明するための平面図である。
FIG. 37 is a plan view for describing the manufacturing process of the X-ray mask according to the sixth embodiment of the present invention.

【図38】 図37における線分300−300におけ
る断面図である。
FIG. 38 is a sectional view taken along line 300-300 in FIG.

【図39】 本発明の実施の形態7によるX線マスクの
製造工程を説明するための平面図である。
FIG. 39 is a plan view for describing the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention.

【図40】 図39における線分400−400におけ
る断面図である。
40 is a sectional view taken along line 400-400 in FIG. 39.

【図41】 本発明の実施の形態7によるX線マスクの
製造工程の変形例を説明するための断面図である。
FIG. 41 is a cross-sectional view for describing a modification of the manufacturing process of the X-ray mask according to the seventh embodiment of the present invention.

【図42】 従来のX線マスクを示す断面図である。FIG. 42 is a cross-sectional view showing a conventional X-ray mask.

【図43】 図42に示した従来のX線マスクの製造工
程の第1工程を説明するための断面図である。
FIG. 43 is a cross-sectional view for describing a first step of the manufacturing process of the conventional X-ray mask shown in FIG.

【図44】 図42に示した従来のX線マスクの製造工
程の第2工程を説明するための断面図である。
FIG. 44 is a cross-sectional view for describing a second step of the manufacturing process of the conventional X-ray mask shown in FIG.

【図45】 従来提案されているX線マスクの製造工程
の第1工程を説明するための断面図である。
FIG. 45 is a cross-sectional view for explaining a first step in a conventionally proposed manufacturing process of an X-ray mask.

【図46】 従来提案されているX線マスクの製造工程
の第2工程を説明するための断面図である。
FIG. 46 is a cross-sectional view for explaining a second step of the conventionally proposed manufacturing process of the X-ray mask.

【図47】 従来提案されているX線マスクの製造工程
の第3工程を説明するための断面図である。
FIG. 47 is a cross-sectional view for describing a third step of the conventionally proposed manufacturing process of the X-ray mask.

【図48】 従来提案されているX線マスクの製造工程
の第4工程を説明するための断面図である。
FIG. 48 is a cross-sectional view for describing a fourth step of the conventionally proposed manufacturing process of the X-ray mask.

【図49】 従来提案されているX線マスクの製造工程
の第5工程を説明するための断面図である。
FIG. 49 is a cross-sectional view for describing a fifth step of the conventionally proposed manufacturing process of the X-ray mask.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板、2 メンブレン、3 X線吸収体、4 レジ
スト、5 支持枠、6窓部、7,7a,7b,15 台
座部、8,8a,8b,19 マーク部、9,9a,9
b 接着層、10 マスクパターン描画領域、11 支
持枠一体型基板、12,12a,12b,25a〜25
d ねじ、13,17 開口部、14固定部、16 ね
じ部、18 マーク部のねじ状部底面、20 マスクカ
バー、21 ホルダ、22 X線マスク、23 描画領
域開口部、24,24a,24b マーク用開口部、2
6 ステージ、27,28 導電線、29a,29bね
じ孔、30 転写用回路パターン、31,31a,31
b マーク部材。
Reference Signs List 1 substrate, 2 membrane, 3 X-ray absorber, 4 resist, 5 support frame, 6 windows, 7, 7a, 7b, 15 pedestal, 8, 8a, 8b, 19 mark, 9, 9a, 9
b adhesive layer, 10 mask pattern drawing area, 11 support frame integrated type substrate, 12, 12a, 12b, 25a to 25
d Screw, 13, 17 opening, 14 fixing part, 16 screw part, 18 threaded part bottom of mark part, 20 mask cover, 21 holder, 22 X-ray mask, 23 drawing area opening, 24, 24a, 24b mark Opening 2
6 stage, 27, 28 conductive wire, 29a, 29b screw hole, 30 transfer circuit pattern, 31, 31a, 31
b Mark member.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢部 秀毅 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 北村 佳恵子 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 (72)発明者 丸本 健二 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2H095 BA10 BC08 BC28 BC30 BE03 BE08 BE09 BE10 5F046 GD04 GD12 GD15 GD17 GD19 GD20  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hideki Yabe 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsui Electric Co., Ltd. (72) Inventor Keiko Kitamura 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 3 Inside Rishi Electric Co., Ltd. (72) Inventor Kenji Marumoto 2-3-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Sanryo Electric Co., Ltd. F-term (reference) 2H095 BA10 BC08 BC28 BC30 BE03 BE08 BE09 BE10 5F046 GD04 GD12 GD15 GD17 GD19 GD20

Claims (20)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持部材と、前記支持部材上に形成され
たX線吸収体とを備えるX線マスクの製造方法であっ
て、 前記X線吸収体上にマスク層を形成する工程と、 前記支持部材に、位置基準マークを含む位置検出部材を
固定する工程と、 前記位置基準マークを前記マスク層の位置検出に用いな
がら、前記マスク層にマスクパターンを描画する工程と
を備える、X線マスクの製造方法。
1. A method for manufacturing an X-ray mask comprising a support member and an X-ray absorber formed on the support member, comprising: forming a mask layer on the X-ray absorber; An X-ray mask, comprising: a step of fixing a position detection member including a position reference mark to a support member; and a step of drawing a mask pattern on the mask layer while using the position reference mark for position detection of the mask layer. Manufacturing method.
【請求項2】 前記支持部材は、前記X線吸収体を支持
する基板を含む、請求項1に記載のX線マスクの製造方
法。
2. The method for manufacturing an X-ray mask according to claim 1, wherein the support member includes a substrate that supports the X-ray absorber.
【請求項3】 前記支持部材は、前記基板下に位置する
支持枠部をさらに含む、請求項2に記載のX線マスクの
製造方法。
3. The method according to claim 2, wherein the support member further includes a support frame located below the substrate.
【請求項4】 前記基板下に前記支持枠部を設置する工
程をさらに備え、 前記位置検出部材を固定する工程は、前記位置検出部材
を前記支持枠部に固定する工程を含む、請求項3に記載
のX線マスクの製造方法。
4. The method according to claim 3, further comprising the step of installing the support frame under the substrate, wherein the step of fixing the position detection member includes the step of fixing the position detection member to the support frame. 3. The method for manufacturing an X-ray mask according to 1.
【請求項5】 前記支持枠部は、前記基板部と一体形成
されている、請求項3に記載のX線マスクの製造方法。
5. The method for manufacturing an X-ray mask according to claim 3, wherein said support frame portion is formed integrally with said substrate portion.
【請求項6】 前記位置検出部材を固定する工程は、前
記位置検出部材を前記支持部材に接着剤を用いて固定す
る工程を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のX
線マスクの製造方法。
6. The X according to claim 1, wherein fixing the position detection member includes fixing the position detection member to the support member using an adhesive.
Manufacturing method of line mask.
【請求項7】 前記位置検出部材を固定する工程は、前
記位置検出部材を前記支持部材にねじを用いて固定する
工程を含む、請求項1〜5のいずれか1項に記載のX線
マスクの製造方法。
7. The X-ray mask according to claim 1, wherein fixing the position detection member includes fixing the position detection member to the support member using a screw. Manufacturing method.
【請求項8】 前記位置検出部材は、前記支持部材を把
持することが可能な把持部材を含み、 前記位置検出部材を固定する工程は、前記把持部材によ
り前記支持部材を把持することにより、前記位置検出部
材を前記支持部材に固定する工程を含む、請求項1〜5
のいずれか1項に記載のX線マスクの製造方法。
8. The method according to claim 8, wherein the position detecting member includes a gripping member capable of gripping the support member, and the step of fixing the position detecting member comprises: gripping the support member with the gripping member; 6. The method according to claim 1, further comprising a step of fixing a position detecting member to the supporting member.
The method for manufacturing an X-ray mask according to any one of the above items.
【請求項9】 前記位置基準マークの前記支持部材に対
する位置を調節する工程をさらに備える、請求項1〜8
のいずれか1項に記載のX線マスクの製造方法。
9. The method according to claim 1, further comprising adjusting a position of the position reference mark with respect to the support member.
The method for manufacturing an X-ray mask according to any one of the above items.
【請求項10】 前記位置検出部材を固定する工程は、
複数の位置検出部材を前記支持部材に固定する工程を含
む、請求項1〜9のいずれか1項に記載のX線マスクの
製造方法。
10. The step of fixing the position detecting member,
The method of manufacturing an X-ray mask according to claim 1, further comprising fixing a plurality of position detection members to the support member.
【請求項11】 前記複数の位置検出部材を前記支持部
材に固定する工程は、 第1の位置検出部材を前記支持部材に固定する工程と、 前記マスク層の中心に関して、前記第1の位置検出部材
が固定された位置と点対称となる位置に第2の位置検出
部材を固定する工程とを含む、請求項10に記載のX線
マスクの製造方法。
11. The step of fixing the plurality of position detection members to the support member includes the steps of: fixing a first position detection member to the support member; and detecting the first position with respect to the center of the mask layer. 11. The method for manufacturing an X-ray mask according to claim 10, further comprising: fixing the second position detection member at a position that is point-symmetric with the position where the member is fixed.
【請求項12】 前記マスク層にマスクパターンを描画
する工程は、 前記支持部材上にカバー部材を設置した状態で、前記マ
スクパターンを描画する工程を含み、 前記カバー部材には、前記マスク層のマスクパターンを
描画する領域上に位置する領域に描画用開口部が形成さ
れ、前記位置基準マーク上に位置する領域に位置検出用
開口部が形成されている、請求項1〜11のいずれか1
項に記載のX線マスクの製造方法。
12. The step of drawing a mask pattern on the mask layer includes the step of drawing the mask pattern in a state where a cover member is provided on the support member. 12. The image forming apparatus according to claim 1, wherein a drawing opening is formed in a region located on a region where the mask pattern is drawn, and a position detection opening is formed in a region located on the position reference mark.
13. The method for producing an X-ray mask according to the above item.
【請求項13】 前記位置検出部材は、前記位置基準マ
ークを支持する台座部をさらに含み、 前記位置検出用開口部の大きさは前記台座部の大きさよ
り小さい、請求項12に記載のX線マスクの製造方法。
13. The X-ray according to claim 12, wherein the position detection member further includes a pedestal portion that supports the position reference mark, and the size of the position detection opening is smaller than the size of the pedestal portion. Manufacturing method of mask.
【請求項14】 前記位置検出部材から電荷を除去する
工程をさらに備える、請求項1〜13のいずれか1項に
記載のX線マスクの製造方法。
14. The method of manufacturing an X-ray mask according to claim 1, further comprising a step of removing charges from said position detection member.
【請求項15】 支持部材と、 前記支持部材上に形成されたX線吸収体と、 前記支持部材に固定され、位置基準マークを含む位置検
出部材とを備える、X線マスク。
15. An X-ray mask comprising: a support member; an X-ray absorber formed on the support member; and a position detection member fixed to the support member and including a position reference mark.
【請求項16】 前記支持部材は、前記X線吸収体を支
持する基板を含み、 前記位置検出部材は、前記基板に固定されている、請求
項15に記載のX線マスク。
16. The X-ray mask according to claim 15, wherein the support member includes a substrate that supports the X-ray absorber, and the position detection member is fixed to the substrate.
【請求項17】 前記位置検出部材は、接着剤を用いて
前記支持部材に固定されている、請求項15に記載のX
線マスク。
17. The X-position according to claim 15, wherein the position detection member is fixed to the support member using an adhesive.
Line mask.
【請求項18】 前記位置検出部材は、ねじを用いて前
記支持部材に固定されている、請求項15に記載のX線
マスク。
18. The X-ray mask according to claim 15, wherein the position detection member is fixed to the support member using a screw.
【請求項19】 前記位置検出部材は、前記位置基準マ
ークの前記支持部材に対する位置を調節する位置調節部
材をさらに含む、請求項15〜18のいずれか1項に記
載のX線マスク。
19. The X-ray mask according to claim 15, wherein said position detecting member further includes a position adjusting member for adjusting a position of said position reference mark with respect to said support member.
【請求項20】 前記位置検出部材は、第1および第2
の位置検出部材を含む、請求項15〜19のいずれか1
項に記載のX線マスク。
20. The apparatus according to claim 20, wherein the position detecting member includes first and second positions.
20. The method according to claim 15, further comprising:
An X-ray mask according to the item.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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