JP2000028642A - Contact probe - Google Patents

Contact probe

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JP2000028642A
JP2000028642A JP10197871A JP19787198A JP2000028642A JP 2000028642 A JP2000028642 A JP 2000028642A JP 10197871 A JP10197871 A JP 10197871A JP 19787198 A JP19787198 A JP 19787198A JP 2000028642 A JP2000028642 A JP 2000028642A
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JP
Japan
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film
contact
probe
contact probe
pattern
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Pending
Application number
JP10197871A
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Japanese (ja)
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Tadashi Nakamura
忠司 中村
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
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  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Multi-Conductor Connections (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make a sufficient contact appropriately by absorbing fluctuations in the height of electrode terminal of a member to be inspected. SOLUTION: An elongated hole 30 which does not open to the forward end of a film 21 is made between respective pattern wirings 22, 22 in the vicinity of a forward end 21a of the film. A beam part of the film 21 is provided between the forward end part and the elongated hole 30. The film 21 is composed of two layers of a resin film PI and a metal film 26, and the elongated hole 30 is made through the resin film PI and the metal film 26. The elongated holes 30 are arranged in the region of narrow linear part of the pattern wiring 22 following a contact pin 22a, in parallel with the pattern wiring 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プローブ装置に装
着されて半導体ICチップや液晶デバイスなどの被接触
物にコンタクトピンをそれぞれ接触させて電気的なテス
トを行うためのコンタクトプローブに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a contact probe which is mounted on a probe device and performs an electrical test by bringing contact pins into contact with a contact object such as a semiconductor IC chip or a liquid crystal device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ、またはLCD(液晶表示体)等の被検査
部材の電気的なテストを行うために、コンタクトピンが
備えられたコンタクトプローブがプリント基板に装着さ
れたプローブ装置が用いられている。例えば、図9に示
すコンタクトプローブ1は、複数のパターン配線2がフ
ィルム3上に形成され、これらのパターン配線2の各先
端がフィルム3から突出状態に配されてコンタクトピン
2a…とされている。フィルム3はポリイミド樹脂等の
樹脂フィルムで構成されている。この技術では、例えば
フォトリソ法で製造された複数のパターン配線2の先端
をコンタクトピン2aとすることによって、多ピン狭ピ
ッチ化を図るものであり、各パターン配線2はコンタク
トプローブ2aを含めて同一平面状に正確に配列され、
半導体ICチップ等のパッドやバンプなどの電極端子に
対して高精度に接触できるようになっている。このよう
なコンタクトプローブ1をプローブ装置に組み込んでI
Cチップ等のテストに供される。
2. Description of the Related Art Generally, a contact probe provided with contact pins is used on a printed circuit board in order to electrically test a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip or a member to be inspected such as an LCD (liquid crystal display). Is used. For example, in the contact probe 1 shown in FIG. 9, a plurality of pattern wirings 2 are formed on a film 3, and the tips of these pattern wirings 2 are arranged so as to protrude from the film 3 to be contact pins 2 a. . The film 3 is made of a resin film such as a polyimide resin. In this technique, for example, a plurality of pattern wirings 2 manufactured by a photolithography method are used as contact pins 2a to reduce the pitch of multiple pins, and each pattern wiring 2 has the same pitch including a contact probe 2a. Precisely arranged in a plane,
It is designed to be able to contact electrode terminals such as pads and bumps of a semiconductor IC chip with high precision. By incorporating such a contact probe 1 into a probe device,
Used for testing C chips and the like.

【0003】例えば図10及び図11に示すプローブ装
置5において、中央窓部6aを有するプリント基板6の
上に、例えばトップクランプ7が取り付けられ、コンタ
クトプローブ1の先端部1aをその下面に両面テープ等
で取り付けたマウンティングベース8を、中央窓部6a
を通してトップクランプ7にボルト等で固定する。そし
てボトムクランプ9でコンタクトプローブ1の基部1b
を押さえつけることにより、基部1bはボトムクランプ
9の弾性体10でプリント基板6の下面に押しつけられ
て固定される。この状態で、基部1bにおけるパターン
配線2の配線引き出し部が窓を通してプリント基板6の
電極6bに押しつけられて接触状態に保持されることに
なる。またコンタクトプローブ1の先端部1aは図11
で下方に向けて傾斜状態に保持される。
For example, in a probe device 5 shown in FIGS. 10 and 11, for example, a top clamp 7 is mounted on a printed circuit board 6 having a central window 6a, and a tip 1a of the contact probe 1 is attached to the lower surface thereof with a double-sided tape. The mounting base 8 attached with the center window 6a
To the top clamp 7 with bolts or the like. Then, the base 1b of the contact probe 1 is
, The base 1 b is pressed against the lower surface of the printed circuit board 6 by the elastic body 10 of the bottom clamp 9 and fixed. In this state, the wiring lead-out portion of the pattern wiring 2 in the base 1b is pressed through the window to the electrode 6b of the printed circuit board 6 and is kept in contact. The tip 1a of the contact probe 1 is shown in FIG.
To be held in a downwardly inclined state.

【0004】このような状態で、半導体ICチップ13
等の被検査部材の電極端子、例えばバンプ13a…がコ
ンタクトピン2a…に接触させられて電気的テストに供
される。ここで、コンタクトピン2a…の接触に際し
て、プローブ装置5をICチップ13に対して位置決め
し、ICチップ13を相対的に上昇させてオーバードラ
イブをかけることにより、コンタクトピン2aの先端で
バンプ13aと導通接触させることができる。ところ
で、コンタクトプローブ1のコンタクトピン2aは半導
体ICチップ13のバンプ13aの数に対応して通常例
えば300〜1000ピン程度設けられており、コンタ
クトピン2a…をバンプ13a…に対してオーバードラ
イブをかける際、いずれかのコンタクトピン2aによる
ファーストコンタクトから例えば80〜100μm程度
のオーバードライブで、全てのコンタクトピン2aに良
好なコンタクト結果が得られるようになっている。
In such a state, the semiconductor IC chip 13
Are brought into contact with the contact pins 2a and subjected to an electrical test. Here, when the contact pins 2a contact each other, the probe device 5 is positioned with respect to the IC chip 13, and the IC chip 13 is relatively raised to perform overdrive. Conductive contact can be made. By the way, the contact pins 2a of the contact probe 1 are usually provided with, for example, about 300 to 1000 pins corresponding to the number of the bumps 13a of the semiconductor IC chip 13, and the contact pins 2a are overdriven with respect to the bumps 13a. In this case, good contact results can be obtained for all the contact pins 2a by overdrive of, for example, about 80 to 100 μm from the first contact by any of the contact pins 2a.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体IC
チップ13のバンプ13a…等に関していえば、いかに
正確に製造したとしても、平面状に配列された多数のバ
ンプ13a…間、例えば図12に示すバンプ13a−
1,13a−2間でミクロン単位で高さのばらつきが発
生することがある。これに対してフィルム3がコンタク
トピン2aと共に平面に製作されているために、隣り合
うコンタクトピン2a−1,2a−2は平面内に留ま
り、高さばらつきを十分に吸収できない。そのため、図
12において高さの高いバンプ13a−1に対しては十
分なオーバードライブ量をかけられるが、隣接する相対
的に高さの低いバンプ13a−2に対してはオーバード
ライブ量が小さくなり、接触圧力が不安定になり十分な
コンタクトが得られないという問題がある。特にフィル
ム3に金属フィルムが積層されている場合にはフィルム
3の剛性と平面度が一層高くなるために、このようなバ
ンプ13a−2に対して一層コンタクトが不十分にな
る。
SUMMARY OF THE INVENTION However, semiconductor ICs
Regarding the bumps 13a of the chip 13 and so on, no matter how accurately the bumps 13a are formed, the bumps 13a shown in FIG.
In some cases, a height variation may occur in units of microns between 1, 13a-2. On the other hand, since the film 3 is formed in a plane together with the contact pins 2a, the adjacent contact pins 2a-1 and 2a-2 remain in the plane, and the height variation cannot be sufficiently absorbed. Therefore, in FIG. 12, a sufficient overdrive amount can be applied to the bump 13a-1 having a high height, but the overdrive amount becomes small for the bump 13a-2 having a relatively low height. In addition, there is a problem that the contact pressure becomes unstable and a sufficient contact cannot be obtained. In particular, when a metal film is laminated on the film 3, the rigidity and flatness of the film 3 are further increased, so that the contact with the bump 13a-2 becomes further insufficient.

【0006】このような場合に高さの低いラストコンタ
クトのバンプ13a−2にまで必要な量のオーバードラ
イブをかけるとすると、相対的に高さの高い他のバンプ
13a…を押圧するコンタクトピン2a…にかかる負荷
が過大になり、強く擦るためにコンタクトピン2a…の
コンタクト部に付着するゴミなどの異物が増加する上に
コンタクトピン2a…の寿命が低下するという問題が生
じることになる。本発明は、このような実情に鑑みて、
被接触物の高さばらつきを吸収して適切で十分なコンタ
クトをとれるようにしたコンタクトプローブを提供する
ことを目的とする。
In such a case, if a necessary amount of overdrive is applied to the bump 13a-2 of the low contact, the contact pin 2a presses the other bumps 13a having a relatively high height. Are excessively large, foreign matter such as dust adhering to the contact portions of the contact pins 2a is increased due to strong rubbing, and the life of the contact pins 2a is reduced. The present invention has been made in view of such circumstances.
An object of the present invention is to provide a contact probe capable of absorbing a variation in height of an object to be contacted so as to make an appropriate and sufficient contact.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明によるコンタクト
プローブは、複数のパターン配線がフィルム上に設けら
れ、該パターン配線の先端部がフィルムの先端部から突
出してコンタクトピンとされてなるコンタクトプローブ
において、フィルムの先端部近傍には、パターン配線間
にフィルムの先端縁に開口しない孔部が設けられている
ことを特徴とする。孔部によって先端部近傍のパターン
配線間におけるフィルムの可撓性が向上するために、被
検査部材の電極端子に高さばらつきがあったとしても、
オーバードライブをかけてコンタクトピンを接触させれ
ば、電極端子の高さばらつきに応じてコンタクトピン近
傍のフィルムが孔部で撓んで上下方向即ちフィルムの延
在する平面方向に直交する方向に変位して波状に湾曲す
るために、高さばらつきに追従して各コンタクトピンが
上下方向に変位して高さばらつきを吸収でき、それぞれ
適切なオーバードライブ量を以て接触できる。しかもそ
のために、ファーストコンタクトからラストコンタクト
までのコンタクトプローブの相対的移動量が少なくて済
むために他のコンタクトピンに過大なオーバードライブ
がかかることがない。また、フィルムの孔部と先端縁と
の間が除去されておらず、梁部を構成することで、コン
タクトの際に各コンタクトピンが相互に張架され、コン
タクトピンが上下方向に変位しても平面方向に位置ずれ
を起こすことを抑制できる。
According to the present invention, there is provided a contact probe in which a plurality of pattern wirings are provided on a film, and the leading ends of the pattern wirings project from the leading end of the film to form contact pins. A hole that does not open at the leading edge of the film is provided between the pattern wirings near the leading end of the film. Because the hole improves the flexibility of the film between the pattern wirings near the tip, even if the electrode terminals of the inspected member have height variations,
If the contact pins are brought into contact with each other by overdriving, the film near the contact pins is bent in the hole in accordance with the height variation of the electrode terminals and displaced in the vertical direction, that is, the direction perpendicular to the plane direction in which the film extends. Since the contact pins are distorted in a wavy manner, the contact pins can be displaced in the vertical direction following the height variations to absorb the height variations, and can be contacted with an appropriate overdrive amount. Moreover, because of this, the relative movement amount of the contact probe from the first contact to the last contact can be small, so that excessive overdrive is not applied to other contact pins. In addition, the gap between the hole and the leading edge of the film is not removed, and by forming a beam, each contact pin is stretched mutually at the time of contact, and the contact pin is displaced in the vertical direction. Also, it is possible to suppress the occurrence of displacement in the plane direction.

【0008】また、フィルムは、パターン配線が被着さ
れた樹脂フィルムと金属フィルムとが積層されてなり、
孔部は樹脂フィルムと金属フィルムとを貫通して形成さ
れていてもよい。孔部がフィルムの厚み方向全体を貫通
して形成されることで、フィルムの可撓性が高く、電極
端子の高さばらつきに対するコンタクトピンの追従性が
一層高くなる。また、フィルムは、パターン配線が被着
された樹脂フィルムと金属フィルムとが積層されてな
り、孔部は金属フィルムを貫通して形成されていてもよ
い。金属フィルムを積層することでインピーダンスマッ
チングをとることができる上に、比較的剛性の高い金属
フィルムにのみ孔部が形成されることでフィルムの可撓
性を向上でき、可撓性の高い樹脂フィルムに孔部を形成
しないことでコンタクトピンの平面方向の位置ずれを一
層抑制できる。尚、孔部はフィルム上でパターン配線に
沿って複数個が断続的にまたは連続して略直線状に形成
されている。また、孔部は好ましくは全てのパターン配
線間にそれぞれ配列されている。
The film is formed by laminating a resin film on which pattern wiring is adhered and a metal film,
The hole may be formed through the resin film and the metal film. Since the hole is formed so as to penetrate the entire thickness direction of the film, the flexibility of the film is high, and the followability of the contact pin to the height variation of the electrode terminal is further improved. Further, the film may be formed by laminating a resin film on which pattern wiring is adhered and a metal film, and the hole may be formed penetrating the metal film. In addition to being able to achieve impedance matching by laminating metal films, the flexibility of the film can be improved by forming holes only in a relatively rigid metal film, and a resin film having high flexibility By not forming a hole in the contact pin, the positional displacement of the contact pin in the planar direction can be further suppressed. A plurality of holes are formed on the film in a substantially linear manner intermittently or continuously along the pattern wiring. The holes are preferably arranged between all the pattern wirings.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明するが、上述の従来技術と同一の部分ま
たは部材には同一の符号を用いてその説明を省略する。
図1乃至図5は実施の形態に関するもので、図1はコン
タクトプローブの平面図、図2は図1に示すコンタクト
プローブのA−A線断面図、図3は図1に示すコンタク
トプローブの先端部の部分拡大図、図4は図3に示すコ
ンタクトプローブのB−B線断面図、図5は実施の形態
によるコンタクトプローブをバンプに接触させた状態を
示す部分斜視図である。図1及び図2に示すコンタクト
プローブ20は、例えばICプローブを示すものであ
り、フィルム21の片面にNiまたはNi合金等で形成
されるパターン配線22が接着剤で張り付けられた構成
とされ、フィルム21の先端部21aから複数のパター
ン配線22の各先端が突出してコンタクトピン22aと
されている。尚、フィルム21の両側には位置決め孔2
5a,25a、25b,25bが穿孔されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, in which the same reference numerals are used for the same parts or members as in the above-mentioned prior art, and the description thereof will be omitted.
1 to 5 relate to an embodiment, FIG. 1 is a plan view of a contact probe, FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of the contact probe shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a tip of the contact probe shown in FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of the contact probe shown in FIG. 3 along the line BB, and FIG. 5 is a partial perspective view showing a state where the contact probe according to the embodiment is brought into contact with bumps. The contact probe 20 shown in FIGS. 1 and 2 is, for example, an IC probe, and has a structure in which a pattern wiring 22 formed of Ni or a Ni alloy is adhered to one surface of a film 21 with an adhesive. Each tip of the plurality of pattern wirings 22 protrudes from the tip 21a of 21 to form a contact pin 22a. The positioning holes 2 are provided on both sides of the film 21.
5a, 25a, 25b, 25b are perforated.

【0010】フィルム21は、パターン配線22が被着
されるポリイミド樹脂等の樹脂フィルムPIに金属フィ
ルム(銅箔)26が一体に積層された二層テープであ
る。この金属フィルム26はグラウンドとして用いるこ
とができ、これにより、プローブ装置5の先端近くまで
インピーダンスマッチングをとる設計が可能となり、高
周波域でのテストを行う場合にも悪影響を防ぐことがで
きる。またフィルム21には、パターン配線22から得
られた信号を引き出し用配線22bを介してプリント基
板6に伝えるための窓27が設けられている。
The film 21 is a two-layer tape in which a metal film (copper foil) 26 is integrally laminated on a resin film PI such as a polyimide resin on which the pattern wiring 22 is adhered. The metal film 26 can be used as a ground, which makes it possible to design the impedance matching up to the vicinity of the tip of the probe device 5, and can prevent the adverse effect even when performing a test in a high frequency range. Further, the film 21 is provided with a window 27 for transmitting a signal obtained from the pattern wiring 22 to the printed circuit board 6 via the lead-out wiring 22b.

【0011】また図1に示すコンタクトプローブ20に
おいて、複数のパターン配線22は窓27のあるフィル
ム21の基部21bでは比較的間隔の広い平行線とさ
れ、先端側で漸次間隔が狭まるよう曲げられて、フィル
ム21の先端部21aの領域で複数のパターン配線22
はその間隔が狭められて平行となる直線部29を構成
し、その延長線上でフィルム21の先端縁21cから突
出するコンタクトピン22aとなっている。このフィル
ム21上の直線部29の領域において、隣接する各パタ
ーン配線22,22の間にフィルム21を貫通する略直
線状の長孔30がそれぞれ形成されている(図3及び図
4参照)。尚、実施の形態では、直線部29における全
てのパターン配線22の間に長孔30がそれぞれ設けら
れている。特に図3に示すように、長孔30…はフィル
ム21のコンタクトピン22aが突出する先端縁21c
に開口せず、先端縁21cから窓27側に若干後退した
位置から始まって窓27方向に延在して形成されてい
る。長孔30はその長手方向の両端が略円弧状に形成さ
れていることが好ましい。長孔30は図1では直線部2
9の領域にのみ形成されているが、基部21b側まで延
びていても良い。
Further, in the contact probe 20 shown in FIG. 1, the plurality of pattern wirings 22 are formed as parallel lines having relatively wide intervals at the base 21b of the film 21 having the window 27, and are bent so that the intervals gradually become narrower at the distal end side. , A plurality of pattern wirings 22 in the region of the leading end 21 a of the film 21.
Constitutes a straight portion 29 whose interval is narrowed and parallel to each other, and is a contact pin 22a protruding from the leading edge 21c of the film 21 on an extension of the straight portion 29. In the region of the linear portion 29 on the film 21, substantially linear long holes 30 penetrating the film 21 are formed between the adjacent pattern wirings 22, 22 (see FIGS. 3 and 4). In the embodiment, the elongated holes 30 are provided between all the pattern wirings 22 in the linear portion 29. In particular, as shown in FIG. 3, the long holes 30 are formed at the front edge 21c from which the contact pins 22a of the film 21 project.
The opening 27 is formed so as to extend from the front edge 21 c to the window 27 side toward the window 27 and extend toward the window 27. It is preferable that both ends in the longitudinal direction of the long hole 30 are formed in a substantially arc shape. The long hole 30 is the straight portion 2 in FIG.
9, but may extend to the base 21b side.

【0012】長孔30は例えばフィルム21のパターン
配線22間にレーザー光線などを用いて形成し、その後
にパターン配線22を接着剤などで被着する。或いはフ
ィルム21にパターン配線22が被着された状態で、パ
ターン配線22,22間に長孔30のパターンをレーザ
ー光線などで形成してもよい。またフィルム21から突
出するコンタクトピン22aは従来のものよりも長さを
長く形成するものとし、これによってコンタクトピン2
2a自体の可撓性を高めることができ、より均一なコン
タクト圧を得ることができる。
The long holes 30 are formed, for example, between the pattern wirings 22 of the film 21 by using a laser beam or the like, and then the pattern wirings 22 are attached with an adhesive or the like. Alternatively, the pattern of the long holes 30 may be formed between the pattern wirings 22 and 22 with a laser beam or the like in a state where the pattern wiring 22 is attached to the film 21. The contact pins 22a protruding from the film 21 are formed to be longer than conventional ones.
The flexibility of 2a itself can be increased, and a more uniform contact pressure can be obtained.

【0013】また図3に示すフィルム21の先端部21
aにおいて、フィルム21のコンタクトピン22aが突
出する先端縁21cと長孔30の先端との間にはフィル
ム21が先端縁21cの全長に亘って残されており、こ
れを梁部31とする。フィルム21は先端部21aに長
孔30を形成することで、先端部21aにおいてパター
ン配線22の両側で他の部分と比較して可撓性を増大さ
せることができる。長孔30をパターン配線22と平行
に直線状に平成することで、長孔30の領域で、各パタ
ーン配線22と平行な方向であってフィルム21の平面
に直交する方向(上下方向即ち図5でZ方向)への可撓
性が大きくなる。またコンタクトピン22aが突出する
フィルム先端縁21c近傍に梁部31が残されているこ
とで、各コンタクトピン22aの配列方向(図3,5で
示すX方向)の位置ずれを防止できることになる。
Further, a leading end 21 of the film 21 shown in FIG.
5A, the film 21 is left over the entire length of the distal end edge 21c between the distal end edge 21c of the film 21 from which the contact pins 22a protrude and the distal end of the long hole 30, and this is referred to as a beam portion 31. By forming the long hole 30 in the front end 21a of the film 21, the flexibility of the front end 21a on both sides of the pattern wiring 22 can be increased as compared with other portions. By forming the long holes 30 in a straight line parallel to the pattern wirings 22, in the region of the long holes 30, a direction parallel to each pattern wiring 22 and perpendicular to the plane of the film 21 (the vertical direction, ie, FIG. To the Z direction). Further, since the beam portion 31 is left near the leading edge 21c of the film from which the contact pins 22a protrude, displacement of the contact pins 22a in the arrangement direction (X direction shown in FIGS. 3 and 5) can be prevented.

【0014】本実施の形態によるコンタクトプローブ2
0は上述のような構成を備えており、このコンタクトプ
ローブ20を上述のプローブ装置5に装着して、被検査
部材の電極端子、例えばICチップ13のバンプ13a
と接触させて電気的テストを行う。この場合、例えばI
Cチップ13に配列された多数のバンプ13a…の高さ
にミクロン単位のばらつきがあったとしても、コンタク
トピン22aはバンプ13aの高さばらつきに追従して
Z方向に変位して適切なコンタクト圧を以て接触でき
る。即ち、プローブ装置5をICチップ13に対して位
置決めして、ICチップ13を相対的に上昇させてオー
バードライブをかけると、いずれかのコンタクトピン2
2aが対応するバンプ13aにファーストコンタクト
し、ついで他のバンプ13a…にもコンタクトしてオー
バードライブがかけられる。
Contact probe 2 according to the present embodiment
No. 0 has the above-described configuration. The contact probe 20 is mounted on the above-described probe device 5 and the electrode terminals of the member to be inspected, for example, the bumps 13a of the IC chip 13
And perform an electrical test. In this case, for example, I
Even if the heights of a large number of bumps 13a arranged on the C chip 13 vary in units of microns, the contact pins 22a are displaced in the Z direction according to the height variations of the bumps 13a and have an appropriate contact pressure. Can be contacted. That is, when the probe device 5 is positioned with respect to the IC chip 13 and the IC chip 13 is relatively raised and overdriven, any one of the contact pins 2
2a makes first contact with the corresponding bump 13a, and then contacts other bumps 13a.

【0015】同時に図5に示すように高さの比較的低い
バンプ13a−2に隣接するバンプ13a−1に対応す
るコンタクトピン22aー1にオーバードライブがかけ
られ、この応力を受けることで、高さの比較的低いバン
プ13a−2に対応するコンタクトピン22a−2は、
その両側に設けられた長孔30,30の領域でフィルム
21の先端部21aが撓んで相対的にZ方向に湾曲す
る。これによって、コンタクトピン22a−2は、隣接
するコンタクトピン22a−1よりも下方に変位するこ
とになる。そのため、コンタクトピン22a−2も高さ
の低いバンプ13a−2に大きなコンタクト圧を以て接
触し、十分なオーバードライブ量を確保できる。しか
も、フィルム21の先端は梁部31によって連結されて
いるために横方向にフィルム21が伸びることが少な
く、フィルム21に被着されているコンタクトピン22
a−2は、他のコンタクトピン22aやバンプ13a−
2に対して横方向に位置ズレを起こすことが抑制され
る。そのため、このコンタクトプローブ22を用いれ
ば、各コンタクトピン22aに過大なコンタクト圧をか
けることなく、バンプ13a…間の高さばらつきを吸収
して従来と比較して短い距離の相対移動でファーストコ
ンタクトからラストコンタクトまで到達でき、より小さ
な負荷で十分なオーバードライブ量を確保できる。
At the same time, as shown in FIG. 5, overdrive is applied to the contact pin 22a-1 corresponding to the bump 13a-1 adjacent to the bump 13a-2 having a relatively low height. The contact pin 22a-2 corresponding to the relatively low bump 13a-2 is
The distal end portion 21a of the film 21 bends in the region of the long holes 30 provided on both sides thereof and relatively curves in the Z direction. As a result, the contact pin 22a-2 is displaced below the adjacent contact pin 22a-1. Therefore, the contact pin 22a-2 also contacts the bump 13a-2 having a low height with a large contact pressure, and a sufficient overdrive amount can be secured. In addition, since the leading end of the film 21 is connected by the beam portion 31, the film 21 hardly extends in the lateral direction, and the contact pins 22 attached to the film 21 are not extended.
a-2 is the other contact pin 22a or bump 13a-
2 is suppressed from being displaced in the lateral direction. Therefore, if this contact probe 22 is used, without applying excessive contact pressure to each contact pin 22a, the height variation between the bumps 13a can be absorbed and the relative movement from the first contact can be made by a short distance relative to the conventional one. It is possible to reach the last contact and secure a sufficient overdrive amount with a smaller load.

【0016】上述のように本実施の形態によれば、各コ
ンタクトピン22aに過大なコンタクト圧をかけること
なく、バンプ13a…間の高さばらつきを吸収して従来
と比較してより小さなオーバードライブ量で十分なオー
バードライブを確保できる。そのため各コンタクトピン
22aにかかる負荷を低減できてより均一なオーバード
ライブをかけることができ、コンタクトピン22a…に
付着するゴミなどの異物の量を少なくでき、また寿命を
向上できる。
As described above, according to the present embodiment, without applying an excessive contact pressure to each contact pin 22a, the height variation between the bumps 13a is absorbed and a smaller overdrive compared to the prior art is achieved. A sufficient amount of overdrive can be secured. Therefore, the load applied to each contact pin 22a can be reduced, a more uniform overdrive can be applied, the amount of foreign substances such as dust adhering to the contact pins 22a can be reduced, and the life can be improved.

【0017】次に本実施の形態の変形例を、上述の実施
の形態と同一の部分には同一の符号を用いて説明する。
図6は実施の形態によるコンタクトプローブ20の第一
の変形例を示すものであり、図に示すコンタクトプロー
ブ34において、フィルム21の先端部21aにおける
パターン配線22の直線部29では、隣接するパターン
配線22,22の間に、長孔30に代えて複数の適宜形
状、例えば略円形または楕円形の孔35が略直線状に配
列形成されている。この孔35は例えばフィルム21の
樹脂フィルムPIと金属フィルム26とを貫通して形成
されている。また相互に間隔をおいて略直線状に形成さ
れる複数の孔35において、隣接する孔35,35間に
連結部36が形成される。フィルム21上の最も先端側
の孔35とフィルム21の先端縁21cとの間には梁部
31が残されている。この構成によっても、オーバード
ライブをかけた際、コンタクトピン22a…近傍のフィ
ルム21に可撓性を持たせて各コンタクトピン22aに
ついてZ方向の微少変位を許容すると共に平面方向には
フィルム21の梁部31と連結部36によってその位置
ずれを防止できることになる。
Next, a modified example of this embodiment will be described by using the same reference numerals for the same parts as those in the above-described embodiment.
FIG. 6 shows a first modification of the contact probe 20 according to the embodiment. In the contact probe 34 shown in FIG. In place of the long holes 30, a plurality of holes 35 having an appropriate shape, for example, a substantially circular or elliptical hole are formed between the holes 22 and 22 in a substantially straight line. This hole 35 is formed, for example, through the resin film PI of the film 21 and the metal film 26. In addition, in a plurality of holes 35 formed in a substantially linear shape at an interval from each other, a connecting portion 36 is formed between the adjacent holes 35. The beam portion 31 is left between the most distal hole 35 on the film 21 and the distal edge 21c of the film 21. According to this structure, when the overdrive is applied, the film 21 near the contact pins 22a is made flexible to allow a slight displacement in the Z direction for each contact pin 22a, and the beam 21 of the film 21 extends in the plane direction. The position shift can be prevented by the portion 31 and the connecting portion 36.

【0018】図7は本実施の形態の第二の変形例を示す
コンタクトプローブ37の縦断面図であり、図7におい
て、フィルム21の先端部21aにおけるパターン配線
22の直線部29では、隣接するパターン配線22,2
2の間に直線状の長孔38がそれぞれ形成されている。
この長孔38はフィルム21の金属フィルム26を貫通
して形成されているが、樹脂フィルムPIには形成され
ていない。この場合でも、樹脂フィルムPIは可撓性が
高いために柔軟性があり、剛性の高い金属フィルム26
に長孔38を形成することで、フィルム21の先端部2
1aの可撓性が向上する。そのため、オーバードライブ
をかけた際にコンタクトピン22aをバンプ13a…の
高さばらつきに追従させてこれを吸収でき、高さの低い
バンプ13a−2にも十分なコンタクト圧を以て押圧接
触できる。しかも金属フィルム26をグラウンドとする
ことで、プローブ装置5の先端までインピーダンスマッ
チングをとることができる。このようなコンタクトプロ
ーブ37を製造するには、フィルム21にマスキングを
施して金属フィルム26にエッチングすることで長孔3
8を形成するようにしてもよい。
FIG. 7 is a vertical sectional view of a contact probe 37 showing a second modification of the present embodiment. In FIG. 7, a straight line portion 29 of the pattern wiring 22 at the leading end 21a of the film 21 is adjacent. Pattern wiring 22, 2
A straight long hole 38 is formed between the two.
The long holes 38 are formed through the metal film 26 of the film 21, but are not formed in the resin film PI. Even in this case, the resin film PI is flexible because of its high flexibility, and has high rigidity.
By forming a long hole 38 in the front end 2 of the film 21
The flexibility of 1a is improved. Therefore, when the overdrive is performed, the contact pins 22a can follow the height variation of the bumps 13a and absorb the variation, and can press and contact the bump 13a-2 having a small height with a sufficient contact pressure. In addition, by using the metal film 26 as the ground, impedance matching can be performed up to the tip of the probe device 5. In order to manufacture such a contact probe 37, masking the film 21 and etching the metal film 26 to form
8 may be formed.

【0019】尚、フィルム21の先端部21aにおい
て、パターン配線22,22間に形成する孔の形状は、
上述の実施の形態に限定されることなく各種の形状を採
用できる。例えば、図8に示すように複数の円形または
楕円形の孔35が配列されたものと、長孔30とが交互
に配列されていてもよい。また長孔30または孔35は
必ずしも全てのパターン配線22,22間に配設する必
要はなく、例えば1つおき等適宜の間隔でフィルム21
に穿孔してもよい。
The shape of the hole formed between the pattern wirings 22 at the leading end 21a of the film 21 is as follows.
Various shapes can be adopted without being limited to the above embodiment. For example, as shown in FIG. 8, a plurality of circular or elliptical holes 35 may be arranged and the long holes 30 may be alternately arranged. Further, it is not always necessary to dispose the long holes 30 or the holes 35 between all the pattern wirings 22, 22.
It may be perforated.

【0020】[0020]

【発明の効果】上述のように、本発明に係るコンタクト
プローブは、フィルムの先端部近傍にパターン配線間に
フィルムの先端縁に開口しない孔部が設けられているか
ら、孔部によって先端部近傍のパターン配線間における
フィルムの可撓性が向上するために、被検査部材の電極
端子に高さばらつきがあったとしても、オーバードライ
ブをかけた際、電極端子の高さに応じてコンタクトピン
近傍のフィルムが孔部で変位して湾曲するために、各コ
ンタクトピンがフィルムに直交する方向に変位して高さ
ばらつきを吸収でき、適切なオーバードライブ量を以て
接触できる。しかもそのために、ファーストコンタクト
からラストコンタクトを得るまでの電極端子またはコン
タクトプローブの相対的移動量が少なくて済むために他
のコンタクトピンに過大なオーバードライブがかかるこ
とがない。そのためコンタクトピンへの異物の付着を抑
制できて寿命を向上できる。また、フィルムの孔部と先
端縁との間が除去されていないから、コンタクトの際に
各コンタクトピンが平面方向に位置ずれを起こすことを
抑制できる。
As described above, in the contact probe according to the present invention, the hole which does not open at the leading edge of the film is provided between the pattern wiring near the leading end of the film. In order to improve the flexibility of the film between the pattern wirings, even if there is a variation in the height of the electrode terminals of the inspected member, when overdrive is applied, the vicinity of the contact pins according to the height of the electrode terminals Since the film is displaced and curved at the hole, each contact pin is displaced in a direction perpendicular to the film, thereby absorbing height variations and making contact with an appropriate overdrive amount. In addition, since the relative movement amount of the electrode terminal or the contact probe from the first contact to the last contact is small, excessive overdrive is not applied to other contact pins. Therefore, adhesion of foreign matter to the contact pins can be suppressed, and the life can be improved. In addition, since the gap between the hole and the leading edge of the film is not removed, it is possible to prevent each contact pin from being displaced in the planar direction at the time of contact.

【0021】また、フィルムは、パターン配線が被着さ
れた樹脂フィルムと金属フィルムとが積層されてなり、
孔部は樹脂フィルムと金属フィルムとを貫通して形成さ
れているから、フィルムの可撓性が高く、電極端子の高
さばらつきに対するコンタクトピンの追従性が一層高く
なる。また、フィルムは、パターン配線が被着された樹
脂フィルムと金属フィルムとが積層されてなり、孔部は
金属フィルムを貫通して形成されているから、インピー
ダンスマッチングをとることができると共に、フィルム
の可撓性を向上できる上に、可撓性の高い樹脂フィルム
に孔部を形成しないことでコンタクトピンの平面方向の
位置ずれを一層抑制できる。
The film is formed by laminating a resin film on which pattern wiring is adhered and a metal film,
Since the hole is formed through the resin film and the metal film, the flexibility of the film is high, and the followability of the contact pin to the height variation of the electrode terminal is further improved. In addition, the film is formed by laminating a resin film and a metal film on which the pattern wiring is adhered, and since the holes are formed through the metal film, impedance matching can be achieved and the film can be formed. In addition to being able to improve the flexibility, since the holes are not formed in the highly flexible resin film, the positional displacement of the contact pins in the planar direction can be further suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の形態によるコンタクトプロー
ブの平面図である。
FIG. 1 is a plan view of a contact probe according to an embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示すコンタクトプローブのA−A線断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the contact probe shown in FIG.

【図3】 図1に示すコンタクトプローブの先端部の部
分拡大図である。
FIG. 3 is a partially enlarged view of a distal end portion of the contact probe shown in FIG.

【図4】 図3に示すコンタクトプローブのB−B線断
面図である。
FIG. 4 is a sectional view taken along line BB of the contact probe shown in FIG.

【図5】 オーバードライブをかけた状態を示すバンプ
とコンタクトプローブの要部斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of essential parts of a bump and a contact probe showing a state where overdrive is applied.

【図6】 実施の形態によるコンタクトプローブの第一
の変形例を示す図3と同様な要部拡大平面図である。
FIG. 6 is an enlarged plan view of a main part, similar to FIG. 3, showing a first modified example of the contact probe according to the embodiment.

【図7】 実施の形態によるコンタクトプローブの第二
の変形例を示す図4と同様な断面図である。
FIG. 7 is a sectional view similar to FIG. 4, showing a second modified example of the contact probe according to the embodiment;

【図8】 実施の形態によるコンタクトプローブの第三
の変形例を示す図3と同様な要部拡大平面図である。
FIG. 8 is an enlarged plan view of a principal part similar to FIG. 3, showing a third modification of the contact probe according to the embodiment.

【図9】 従来のコンタクトプローブの先端部の斜視図
である。
FIG. 9 is a perspective view of a tip portion of a conventional contact probe.

【図10】 従来のプローブ装置の分解斜視図である。FIG. 10 is an exploded perspective view of a conventional probe device.

【図11】 従来のプローブ装置の中央縦断面図であ
る。
FIG. 11 is a central longitudinal sectional view of a conventional probe device.

【図12】 従来のプローブ装置においてオーバードラ
イブをかけた状態を示すバンプとコンタクトプローブの
要部斜視図である。
FIG. 12 is a perspective view of a main part of a bump and a contact probe showing a state where overdrive is applied in a conventional probe device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20,34,37 コンタクトプローブ 21 フィルム 22 パターン配線 22a,22a−1,22a−2 コンタクトピン PI 樹脂フィルム 26 金属フィルム 30 長孔 31 梁部 35,38 孔 20, 34, 37 Contact probe 21 Film 22 Pattern wiring 22a, 22a-1, 22a-2 Contact pin PI resin film 26 Metal film 30 Slot 31 Beam 35, 38

フロントページの続き Fターム(参考) 2G011 AA15 AA21 AB06 AB08 AC14 AE03 AE22 2H092 MA57 NA30 4M106 AA02 BA01 DD05 DD06 DD10 DD11 5E077 BB12 BB32 CC06 DD14 HH02 HH04 HH10 JJ24 JJ27 Continued on the front page F term (reference) 2G011 AA15 AA21 AB06 AB08 AC14 AE03 AE22 2H092 MA57 NA30 4M106 AA02 BA01 DD05 DD06 DD10 DD11 5E077 BB12 BB32 CC06 DD14 HH02 HH04 HH10 JJ24 JJ27

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のパターン配線がフィルム上に設け
られ、該パターン配線の先端部がフィルムの先端部から
突出してコンタクトピンとされてなるコンタクトプロー
ブにおいて、 前記フィルムの先端部近傍には、前記パターン配線間に
フィルムの先端縁に開口しない孔部が設けられているこ
とを特徴とするコンタクトプローブ。
1. A contact probe in which a plurality of pattern wirings are provided on a film, and a tip of the pattern wiring projects from a tip of the film to form a contact pin. A contact probe, wherein a hole that does not open at the leading edge of the film is provided between the wirings.
【請求項2】 前記フィルムは、パターン配線が被着さ
れた樹脂フィルムと金属フィルムとが積層されてなり、
前記孔部は樹脂フィルムと金属フィルムとを貫通して形
成されていることを特徴とする請求項1記載のコンタク
トプローブ。
2. The film is formed by laminating a resin film on which pattern wiring is adhered and a metal film,
2. The contact probe according to claim 1, wherein the hole is formed through the resin film and the metal film.
【請求項3】 前記フィルムは、パターン配線が被着さ
れた樹脂フィルムと金属フィルムとが積層されてなり、
前記孔部は金属フィルムを貫通して形成されていること
を特徴とする請求項1記載のコンタクトプローブ。
3. The film is formed by laminating a resin film on which pattern wiring is adhered and a metal film,
2. The contact probe according to claim 1, wherein the hole is formed through the metal film.
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