JP2000024910A - Grinding method and device for wafer and manufacturing of wafer by using it - Google Patents

Grinding method and device for wafer and manufacturing of wafer by using it

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JP2000024910A
JP2000024910A JP18950198A JP18950198A JP2000024910A JP 2000024910 A JP2000024910 A JP 2000024910A JP 18950198 A JP18950198 A JP 18950198A JP 18950198 A JP18950198 A JP 18950198A JP 2000024910 A JP2000024910 A JP 2000024910A
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JP
Japan
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wafer
polishing
dummy
wafers
head
Prior art date
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Application number
JP18950198A
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Japanese (ja)
Inventor
Jiro Kajiwara
治郎 梶原
Kenji Fujimoto
憲司 藤本
Hitoshi Adachi
仁 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To surely grind a wafer under the same grinding condition by sending a dummy wafer to each wafer retaining head. SOLUTION: A head loading module 16 receives a wafer W and a dummy wafer W' adsorbed and conveyed by a convey robot 14 on its loading part 161 at a point of a rotatable arm 160 in the delivery position A from the convey robot 14. A grinding part 17 for grinding the surfaces of the wafer W and the dummy wafer W' is mounted in adjacent to the head loading module 16. The grinding part 17 comprises a rotatable platen 170 comprising a grinding pad on its upper surface, a rotatable carousel at an upper part of the platen 170, and a plurality of heads rotatably mounted at a lower outer edge part of the carousel at specific intervals. The wafer W and the dummy wafer W' of the loading part 161 of the head loading module 16 are pressed to a lower surface part of the head.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路を形成す
る半導体ウェーハ等の表面を研磨するためのウェーハ研
磨方法及び研磨装置並びにこの研磨装置を用いたウェー
ハの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing method and a polishing apparatus for polishing a surface of a semiconductor wafer or the like forming an integrated circuit, and a method of manufacturing a wafer using the polishing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のウェーハ研磨装置としては、表
面に研磨パッドが貼付された円盤状のプラテンと、研磨
すべきウェーハの一面を保持して研磨パッドにウェーハ
の他面を当接させる複数のウェーハ保持ヘッドとを具備
し、これらのウェーハ保持ヘッドと上記プラテンとを相
対運動させつつ研磨パッドとウェーハの間に研磨砥粒を
含むスラリーを供給することにより研磨を行うものが広
く知られている。
2. Description of the Related Art A wafer polishing apparatus of this type includes a disk-shaped platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and a plurality of wafer polishing apparatuses for holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. It is widely known to provide a wafer holding head and perform polishing by supplying a slurry containing abrasive grains between a polishing pad and a wafer while relatively moving these wafer holding heads and the platen. I have.

【0003】その一例として、研磨パッドに対するウェ
ーハの当接圧力を均一化することができるといった利点
を有するフローティングヘッド構造を採用したウェーハ
保持ヘッドが開示されている(米国特許5,205,0
82号)。
As one example, there is disclosed a wafer holding head adopting a floating head structure having an advantage that a contact pressure of a wafer against a polishing pad can be made uniform (US Pat. No. 5,205,0).
No. 82).

【0004】このウェーハ保持ヘッドは、図4に示すよ
うに、中空のヘッド本体1と、ヘッド本体1内に水平に
張られたダイアフラム2と、ダイアフラム2の下面に固
定されたキャリア3とを備え、ダイアフラム2によって
画成された空気室4に、シャフト5を通じて加圧空気源
6から加圧空気を供給することにより、キャリア3を下
方へ押圧する構成とされている。
As shown in FIG. 4, the wafer holding head includes a hollow head main body 1, a diaphragm 2 stretched horizontally in the head main body 1, and a carrier 3 fixed to the lower surface of the diaphragm 2. The carrier 3 is pressed downward by supplying pressurized air from a pressurized air source 6 through a shaft 5 to an air chamber 4 defined by the diaphragm 2.

【0005】また、キャリア3の外周には、下端がキャ
リア3よりも下方に突出するようにリテーナリング7が
配置され、キャリア3の下面に付着したウェーハの外周
を保持するとともに研磨中のウェーハがキャリア3から
外れるといった不具合を防止するようなっている。
[0005] A retainer ring 7 is arranged on the outer periphery of the carrier 3 so that the lower end protrudes below the carrier 3. The retainer ring 7 holds the outer periphery of the wafer attached to the lower surface of the carrier 3, and holds the wafer being polished. A problem such as detachment from the carrier 3 is prevented.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
研磨装置において研磨されるウェーハは厳密な製品管理
を行うことが必要であり、一般に、ウェーハカセットに
所定数(例えば25枚)収納されて、このウェーハカセ
ット単位で管理されている。そして、上記従来の研磨装
置において、ウェーハを保持して同時に研磨するウェー
ハ保持ヘッドの数が、上記ウェーハカセットのウェーハ
収納数の公約数に一致していない場合(例えば6基設け
てある場合)には、順次ウェーハを研磨していくと、最
後に上記ウェーハ保持ヘッドの数より少ない端数のウェ
ーハが残るという問題がある。この場合、この端数のウ
ェーハのみをそのまま研磨装置にかけると、研磨条件が
他のウェーハと異なるという問題が生じる。
By the way, wafers to be polished in the above-mentioned conventional polishing apparatus require strict product management. Generally, a predetermined number of wafers (for example, 25 wafers) are stored in a wafer cassette. It is managed on a wafer cassette basis. In the conventional polishing apparatus, when the number of wafer holding heads that hold and simultaneously polish wafers does not match the common divisor of the number of wafers stored in the wafer cassette (for example, when six wafers are provided). However, there is a problem in that, when the wafers are sequentially polished, a fractional number of wafers is left at the end in number of the wafer holding heads. In this case, if only this fractional wafer is directly used in the polishing apparatus, there is a problem that polishing conditions are different from those of other wafers.

【0007】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、ウェーハ収納部に収納さ
れている多数のウェーハを同一の研磨条件にて確実に研
磨することができ、かつ多数のウェーハの研磨を中断す
ることなく円滑に継続することができるウェーハの研磨
方法及び研磨装置並びにこの研磨装置を用いたウェーハ
の製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to reliably polish a large number of wafers stored in a wafer storage section under the same polishing conditions. Another object of the present invention is to provide a wafer polishing method and a polishing apparatus capable of smoothly continuing polishing of a large number of wafers without interruption, and a method of manufacturing a wafer using the polishing apparatus.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の請求項1は、表
面に研磨パッドが貼付されたプラテンと、研磨すべきウ
ェーハの一面を保持して上記研磨パッドにウェーハの他
面を当接させる複数のウェーハ保持ヘッドとを具備し、
これらのウェーハ保持ヘッドと上記プラテンとの相対運
動により上記研磨パッドでウェーハの他面を研磨するウ
ェーハの研磨方法において、多数のウェーハを収納する
ウェーハ収納部から順次各ウェーハ保持ヘッドにウェー
ハを供給して、これらのウェーハの研磨を行うととも
に、上記ウェーハ収納部の、残余の未研磨ウェーハが、
上記ウェーハ保持ヘッドの数より少なくなった場合に、
上記残余の未研磨ウェーハとともに上記ウェーハと同形
状かつ同材質のダミーウェーハを上記各ウェーハ保持ヘ
ッドに供給してウェーハの研磨を行うものである。
According to a first aspect of the present invention, a platen having a polishing pad adhered to a surface thereof and one surface of a wafer to be polished are held, and the other surface of the wafer is brought into contact with the polishing pad. A plurality of wafer holding heads,
In a wafer polishing method of polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by the relative motion between the wafer holding head and the platen, the wafer is sequentially supplied to each wafer holding head from a wafer storage unit that stores a large number of wafers. Then, while polishing these wafers, the remaining unpolished wafers in the wafer storage section,
When it becomes less than the number of wafer holding heads,
A dummy wafer having the same shape and the same material as the wafer is supplied to each of the wafer holding heads together with the remaining unpolished wafer to polish the wafer.

【0009】本発明の請求項2は、研磨終了後のウェー
ハ及びダミーウェーハを洗浄しかつ乾燥させてウェーハ
収納部及びダミーウェーハ収納部に戻すものである。
According to a second aspect of the present invention, the wafer and the dummy wafer after polishing are washed and dried and returned to the wafer storage section and the dummy wafer storage section.

【0010】本発明の請求項3は、表面に研磨パッドが
貼付されたプラテンと、研磨すべきウェーハの一面を保
持して上記研磨パッドにウェーハの他面を当接させる複
数のウェーハ保持ヘッドとを具備し、これらのウェーハ
保持ヘッドと上記プラテンとの相対運動により上記研磨
パッドでウェーハの他面を研磨するウェーハの研磨装置
において、多数のウェーハを収納するウェーハ収納部
と、上記ウェーハと同形状かつ同材質のダミーウェーハ
を収納するダミーウェーハ収納部と、これらのウェーハ
収納部及びダミーウェーハ収納部と上記各ウェーハ保持
ヘッドとの間に設けられ、かつ上記ウェーハ及びダミー
ウェーハを搬送する搬送手段とを具備したものである。
A third aspect of the present invention is a platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and a plurality of wafer holding heads holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. In a wafer polishing apparatus for polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by the relative movement between the wafer holding head and the platen, a wafer storage section for storing a large number of wafers, and the same shape as the wafer And a dummy wafer storage unit that stores dummy wafers of the same material, and a transfer unit that is provided between the wafer storage unit and the dummy wafer storage unit and each of the wafer holding heads, and that transfers the wafer and the dummy wafer. It is provided with.

【0011】本発明の請求項4は、ウェーハ保持ヘッド
とウェーハ収納部及びダミーウェーハ収納部との間に、
ウェーハ及びダミーウェーハを洗浄しかつ乾燥させる洗
浄乾燥部が設けられたものである。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a method comprising the steps of:
A cleaning and drying unit for cleaning and drying the wafer and the dummy wafer is provided.

【0012】上記請求項1及び請求項3のウェーハの研
磨方法及び研磨装置にあっては、ウェーハ収納部の、残
余の未研磨ウェーハが、ウェーハ保持ヘッドの数より少
なくなった場合に、上記残余の未研磨ウェーハとともに
上記ウェーハと同形状かつ同材質のダミーウェーハを上
記各ウェーハ保持ヘッドに供給してウェーハの研磨を行
うことにより、ウェーハ収納部に収納されている全ての
ウェーハが同一の研磨条件にて確実に研磨されるととも
に、多数のウェーハの研磨が中断することなく円滑に継
続される。
In the method and apparatus for polishing a wafer according to the first and third aspects, when the number of remaining unpolished wafers in the wafer accommodating portion becomes smaller than the number of wafer holding heads, the remaining number of unpolished wafers is reduced. By supplying a dummy wafer of the same shape and the same material as the above wafer together with the unpolished wafer to each of the above wafer holding heads and polishing the wafer, all the wafers stored in the wafer storage unit have the same polishing conditions. And the polishing of a large number of wafers is smoothly continued without interruption.

【0013】上記請求項2及び請求項4のウェーハの研
磨方法及び研磨装置にあっては、研磨終了後のウェーハ
及びダミーウェーハを洗浄しかつ乾燥させて元のウェー
ハ収納部及びダミーウェーハ収納部に戻すことにより、
ウェーハの品質管理に配慮しつつ研磨工程にともなう一
連の工程が円滑に実施される。さらに、本発明の請求項
5は、上記請求項3または4記載の研磨装置を用いてウ
ェーハの表面を研磨することにより、ウェーハを製造す
るものである。この請求項5のウェーハの製造方法にあ
っては、所定数のウェーハが、たとえ、研磨工程におい
て端数が生じる場合であっても同一条件で連続して研磨
されることにより、多数の同品質のウェーハが円滑にか
つ容易に製造される。
In the method and apparatus for polishing a wafer according to the second and fourth aspects of the present invention, the wafer and the dummy wafer after polishing are washed and dried to return to the original wafer storage section and the dummy wafer storage section. By returning,
A series of steps involved in the polishing step are smoothly performed while taking into account the quality control of the wafer. According to a fifth aspect of the present invention, a wafer is manufactured by polishing the surface of the wafer using the polishing apparatus according to the third or fourth aspect. In the method of manufacturing a wafer according to the fifth aspect, a predetermined number of wafers are continuously polished under the same conditions even if a fraction occurs in the polishing step, so that a large number of wafers of the same quality can be obtained. Wafers are manufactured smoothly and easily.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図1
〜図3を参照しながら説明する。これらの図中符号10
は多数のウェーハWを収納するウェーハ収納部であり、
このウェーハ収納部10に隣接して、上記ウェーハWと
同形状かつ同材質のダミーウェーハW′を収納するダミ
ーウェーハ収納部11が設置されている。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.
This will be described with reference to FIG. Reference numeral 10 in these figures
Is a wafer storage unit that stores a large number of wafers W,
A dummy wafer storage unit 11 for storing a dummy wafer W ′ having the same shape and the same material as the wafer W is provided adjacent to the wafer storage unit 10.

【0015】これらのウェーハ収納部10及びダミーウ
ェーハ収納部11には、それぞれ、例えば、25枚収納
可能なウェーハカセットが載置されるようになってお
り、ウェーハ収納部10には2個のウェーハカセット
が、かつダミーウェーハ収納部11には1個のウェーハ
カセットがそれぞれ載置されるようになっている。
In each of the wafer storage unit 10 and the dummy wafer storage unit 11, for example, a wafer cassette capable of storing 25 wafers is mounted, and two wafers are stored in the wafer storage unit 10. A cassette is mounted, and one wafer cassette is placed in the dummy wafer storage unit 11, respectively.

【0016】上記ウェーハ収納部10及びダミーウェー
ハ収納部11に隣接して、これらのウェーハ収納部1
0、11のウェーハWあるいはダミーウェーハW′を載
置台12に載置する1基の多関節ロボット13が設置さ
れている。この多関節ロボット13は、一対の支持爪1
30により上記各ウェーハ収納部10、11のウェーハ
WあるいはダミーウェーハW′の外縁部を支持して搬送
するものである。
Adjacent to the wafer storage section 10 and the dummy wafer storage section 11, these wafer storage sections 1
A single articulated robot 13 that mounts the wafers 0 and 11 or the dummy wafer W ′ on the mounting table 12 is provided. The articulated robot 13 has a pair of support claws 1.
Reference numeral 30 is used to support and transport the outer edge of the wafer W or the dummy wafer W 'in each of the wafer storage sections 10 and 11.

【0017】また、上記載置台12は、上記各ウェーハ
収納部10、11から送られてきたウェーハWあるいは
ダミーウェーハW′を互いに所定間隔を開けた状態で多
段(例えば6段)に積み重ねておくように構成されてい
る。さらに、上記載置台12に隣接して、この載置台1
2上のウェーハWあるいはダミーウェーハW′を搬送す
る1基の搬送ロボット14が設置されている。この搬送
ロボット14は、前進、後退可能でかつ回転自在なアー
ム140の二股分岐した先端部によりウェーハWあるい
はダミーウェーハW′の中心部を吸着するようになって
おり、直線搬送路141を有し、かつ研磨室15内の受
け渡し位置Aまで上記ウェーハWあるいはダミーウェー
ハW′を搬送するようになっている。
In the mounting table 12, the wafers W or the dummy wafers W 'sent from the respective wafer storage sections 10 and 11 are stacked in multiple stages (for example, six stages) with a predetermined interval therebetween. It is configured as follows. Further, adjacent to the mounting table 12, the mounting table 1
A transfer robot 14 for transferring the wafer W or the dummy wafer W 'on the second wafer 2 is provided. The transfer robot 14 is configured to adsorb the center of the wafer W or the dummy wafer W ′ by a forked bifurcated end of an arm 140 that can move forward and backward, and is rotatable, and has a linear transfer path 141. The wafer W or the dummy wafer W 'is transported to the transfer position A in the polishing chamber 15.

【0018】上記研磨室15内には、上記搬送ロボット
14からウェーハWあるいはダミーウェーハW′を受け
取るヘッド装填モジュール16が設置されている。この
ヘッド装填モジュール16は、上記搬送ロボット14と
の受け渡し位置Aにおいて、搬送ロボット14が吸着搬
送してきたウェーハWあるいはダミーウェーハW′を、
回転可能なアーム160の先端の載置部161で受け取
るものである。
In the polishing chamber 15, a head loading module 16 for receiving the wafer W or the dummy wafer W 'from the transfer robot 14 is provided. The head loading module 16 transfers the wafer W or the dummy wafer W ′ sucked and transferred by the transfer robot 14 at the transfer position A with the transfer robot 14.
It is received by the mounting portion 161 at the tip of the rotatable arm 160.

【0019】そして、上記ヘッド装填モジュール16に
隣接して、上記ウェーハWあるいはダミーウェーハW′
の表面を研磨する研磨部17が配設されている。この研
磨部17は、上面に研磨パッドが貼付された回転自在な
プラテン170と、このプラテン170の上方に回転自
在に設けられたカルーセル171と、このカルーセル1
71の下面外縁部に所定間隔をあけて回転自在に設けら
れた複数(例えば6個)のヘッド(ウェーハ保持ヘッ
ド)172とから概略構成され、このヘッド172の下
面部に上記ヘッド装填モジュール16の載置部161の
ウェーハWあるいはダミーウェーハW′が押し付けられ
るようになっている。
Then, adjacent to the head loading module 16, the wafer W or the dummy wafer W '
There is provided a polishing section 17 for polishing the surface. The polishing unit 17 includes a rotatable platen 170 having a polishing pad adhered to an upper surface thereof, a carousel 171 rotatably provided above the platen 170, and a carousel 1
A plurality of (for example, six) heads (wafer holding heads) 172 rotatably provided at predetermined intervals on the outer edge of the lower surface of the head 71, and the head loading module 16 The wafer W or the dummy wafer W ′ of the mounting portion 161 is pressed.

【0020】また、研磨部17に隣接して、研磨後のウ
ェーハWあるいはダミーウェーハW′を受け渡し位置B
まで搬出するヘッド装填モジュール18が設置されてい
る。このヘッド装填モジュール18は、上記ヘッド装填
モジュール16と同様の構成を有しており、回転可能な
アーム180の先端の載置部181上に研磨終了後のウ
ェーハWあるいはダミーウェーハW′を載置して上記受
け渡し位置Bまで搬出するものである。
Further, adjacent to the polishing section 17, a transfer position B
A head loading module 18 for carrying out the head is provided. The head loading module 18 has a configuration similar to that of the head loading module 16 and places a polished wafer W or a dummy wafer W ′ on a placement section 181 at the tip of a rotatable arm 180. Then, it is carried out to the delivery position B.

【0021】そして、上記受け渡し位置Bにおいて、上
記ヘッド装填モジュール18からウェーハWあるいはダ
ミーウェーハW′を受け取る搬送ロボット19が、研磨
室15に隣接して設けられている。この搬送ロボット1
9は、前進、後退可能でかつ回転自在なアーム190の
二股分岐した先端部によりウェーハWあるいはダミーウ
ェーハW′の中心部を吸着するようになっており、これ
らのウェーハWあるいはダミーウェーハW′を持ち上げ
て、洗浄部20のウェーハ待機部21に搬出するように
なっている。
At the transfer position B, a transfer robot 19 for receiving the wafer W or the dummy wafer W ′ from the head loading module 18 is provided adjacent to the polishing chamber 15. This transfer robot 1
Numeral 9 is adapted to adsorb the central portion of the wafer W or the dummy wafer W 'by the forked bifurcated end of the arm 190 which can be moved forward and backward, and which is rotatable. The wafer is lifted and carried out to the wafer standby unit 21 of the cleaning unit 20.

【0022】このウェーハ待機部21には、多数(例え
ば、6枚+非常用6枚)のウェーハWあるいはダミーウ
ェーハW′を収容する空間が確保されており、ウェーハ
WあるいはダミーウェーハW′に純水をかけて洗浄し、
かつウェーハWあるいはダミーウェーハW′の乾燥を防
ぐようになっている。
The wafer waiting section 21 has a space for accommodating a large number (for example, 6 + emergency 6) wafers W or dummy wafers W '. Wash with water
Further, drying of the wafer W or the dummy wafer W 'is prevented.

【0023】さらに、上記ウェーハ待機部21の下方に
は、アンモニアを含むアルカリ洗浄液を用いウェーハW
あるいはダミーウェーハW′の両面にブラシなどを押し
当てて洗浄する第1スクラブ部22が設置されている。
そして、これらのウェーハ待機部21と第1スクラブ部
22に隣接して、純水を用いウェーハWあるいはダミー
ウェーハW′の両面にブラシなどを押し当てて洗浄する
第2スクラブ部23と、ふっ酸を用いウェーハWあるい
はダミーウェーハW′を洗浄する薬液洗浄部24とが、
上下に配置されている。
Further, below the wafer waiting section 21, a wafer W
Alternatively, a first scrub portion 22 for cleaning by pressing a brush or the like against both surfaces of the dummy wafer W 'is provided.
A second scrubbing part 23, which is adjacent to the wafer waiting part 21 and the first scrubbing part 22 and is cleaned by pressing a brush or the like against both surfaces of the wafer W or the dummy wafer W 'using pure water, and hydrofluoric acid. And a chemical cleaning unit 24 for cleaning the wafer W or the dummy wafer W ′ using
It is arranged up and down.

【0024】これらのウェーハ待機部21、第1、第2
スクラブ部22、23、薬液洗浄部24間において、ウ
ェーハWあるいはダミーウェーハW′を搬送する2基の
搬送ロボット25が、ウェーハ待機部21、第1、第2
スクラブ部22、23、薬液洗浄部24に対向して配置
されている。
These wafer standby units 21, the first and second
Two transfer robots 25 for transferring the wafer W or the dummy wafer W ′ are provided between the scrubbing units 22 and 23 and the chemical cleaning unit 24 by the wafer standby unit 21 and the first and second wafers.
The scrubbing parts 22 and 23 and the chemical cleaning part 24 are arranged to face each other.

【0025】上記薬液洗浄部24に隣接して、この薬液
洗浄部24において薬液洗浄を完了したウェーハWある
いはダミーウェーハW′をリンス乾燥部26に搬送する
搬送ロボット27が設置されている。そして、上記各搬
送ロボット25、27は、ウェーハWあるいはダミーウ
ェーハW′の外縁部を支持して搬送するようになってい
る。
Adjacent to the chemical cleaning section 24, a transfer robot 27 for transferring the wafer W or the dummy wafer W 'which has completed the chemical cleaning in the chemical cleaning section 24 to the rinse drying section 26 is provided. The transfer robots 25 and 27 support and transfer the outer edge of the wafer W or the dummy wafer W '.

【0026】上記リンス乾燥部26は、上記薬液洗浄後
のウェーハWあるいはダミーウェーハW′を純水により
洗浄しかつ遠心力によりスピン乾燥するものである。ま
た、スピン乾燥完了後のウェーハWあるいはダミーウェ
ーハW′は、上記多関節ロボット13によりウェーハ収
納部10あるいはダミーウェーハ収納部11に戻される
ようになっている。
The rinsing drying section 26 cleans the wafer W or the dummy wafer W 'after the chemical cleaning with pure water and spin-drys it by centrifugal force. Further, the wafer W or the dummy wafer W ′ after the spin drying is completed is returned to the wafer storage section 10 or the dummy wafer storage section 11 by the articulated robot 13.

【0027】そして、上記多関節ロボット13と、搬送
ロボット14と、ヘッド装填モジュール16、18と、
搬送ロボット19、25、27とにより、ウェーハW及
びダミーウェーハW′を搬送する搬送手段が概略構成さ
れている。
The articulated robot 13, the transfer robot 14, the head loading modules 16 and 18,
Transfer means for transferring the wafer W and the dummy wafer W ′ is schematically configured by the transfer robots 19, 25, and 27.

【0028】また、ウェーハW及びダミーウェーハW′
を洗浄しかつ乾燥させる洗浄乾燥部は、上記洗浄部20
内のウェーハ待機部21と、第1、第2スクラブ洗浄部
22、23と、薬液洗浄部24と、リンス乾燥部26と
を主体として構成されている。
Further, the wafer W and the dummy wafer W '
The washing and drying section for washing and drying the
, A main part includes a wafer standby unit 21, first and second scrub cleaning units 22 and 23, a chemical cleaning unit 24, and a rinsing drying unit 26.

【0029】なお、上記ウェーハ収納部10は、ウェー
ハWを収納したウェーハカセットを搬出入するクリーン
ルームに隣接しており、クリーンルームより低圧に保持
されているとともに、上記洗浄部20はさらに低圧に、
また、上記研磨室15内が最も低圧に保持されている。
The wafer storage unit 10 is adjacent to a clean room for loading and unloading a wafer cassette storing the wafers W, and is maintained at a lower pressure than the clean room.
The inside of the polishing chamber 15 is maintained at the lowest pressure.

【0030】次に、上記のように構成された研磨装置に
おいて、ウェーハWを研磨する場合について説明する。
まず、ウェーハ収納部10に、多数のウェーハWを収納
した2個のウェーハカセットが搬入されてくると、多関
節ロボット13を操作して該ウェーハカセットからウェ
ーハWを取り出して、順次、載置台12上に載置する。
次いで、載置台12上のウェーハWを搬送ロボット14
のアーム140の先端に吸着して、研磨室15内の受け
渡し位置Aまで搬送する。
Next, a case where the wafer W is polished by the polishing apparatus configured as described above will be described.
First, when two wafer cassettes accommodating a large number of wafers W are carried into the wafer accommodating section 10, the articulated robot 13 is operated to take out the wafers W from the wafer cassettes, and sequentially place the mounting tables 12 Place on top.
Next, the transfer robot 14 transfers the wafer W on the mounting table 12.
And transported to the transfer position A in the polishing chamber 15.

【0031】そして、この受け渡し位置Aにおいて、上
記搬送ロボット14のアーム140の先端下方に位置す
るヘッド装填モジュール16のアーム160の先端の載
置部161上に、該搬送ロボット14のアーム140の
先端に吸着されているウェーハWを受け渡す。
At the transfer position A, the tip of the arm 140 of the transfer robot 14 is placed on the mounting portion 161 at the tip of the arm 160 of the head loading module 16 located below the tip of the arm 140 of the transfer robot 14. Is transferred to the wafer W.

【0032】続いて、このヘッド装填モジュール16の
アーム160を回転させて、該アーム160の先端の載
置部161を、研磨部17のカルーセル171の下部に
回転自在に設けられたヘッド172の一つの下方に位置
させる。そして、上記アーム160の載置部161を上
昇させて、載置部161に載置されているウェーハWを
ヘッド172の下面に押し付けて水貼りする。
Subsequently, the arm 160 of the head loading module 16 is rotated, and the mounting portion 161 at the tip of the arm 160 is mounted on one of the heads 172 rotatably provided below the carousel 171 of the polishing portion 17. Located one below. Then, the mounting portion 161 of the arm 160 is raised, and the wafer W mounted on the mounting portion 161 is pressed against the lower surface of the head 172 and water-adhered.

【0033】さらに、カルーセル171を所定角度回転
させるとともに、上述したウェーハWの搬送操作を繰り
返すことにより、搬送ロボット14によって搬送されて
きたウェーハWを、ヘッド装填モジュール16を介して
順次各ヘッド172の下面に貼り付ける。
Further, by rotating the carousel 171 by a predetermined angle and repeating the above-described transfer operation of the wafer W, the wafer W transferred by the transfer robot 14 is sequentially transferred to each head 172 via the head loading module 16. Paste on the underside.

【0034】このようにして、6個のヘッド172に全
てウェーハWが装填されると、カルーセル171を各ヘ
ッド172とともに下降させ、プラテン170に接近さ
せた後、プラテン170、カルーセル171及び各ヘッ
ド172をそれぞれ回転させることにより、各ヘッド1
72とプラテン170との相対運動によって、各ウェー
ハWの研磨を開始する。
When the wafers W are all loaded into the six heads 172 in this way, the carousel 171 is lowered together with the heads 172 and approaches the platen 170, and then the platen 170, the carousel 171 and each head 172 are moved. By rotating each head, each head 1
The polishing of each wafer W is started by the relative movement between the plate 72 and the platen 170.

【0035】そして、上記研磨部17における6枚のウ
ェーハWの研磨が完了すると、ヘッド装填モジュール1
8のアーム180の回転操作とカルーセル171の回転
操作を繰り返すことにより、上記各ヘッド172の下面
に貼り付けられているウェーハWを、ヘッド装填モジュ
ール18のアーム180の先端の載置部181上に順次
受け渡し、受け渡し位置Bまで搬出する。
When the polishing of the six wafers W in the polishing section 17 is completed, the head loading module 1
8 by repeating the rotation operation of the arm 180 and the rotation operation of the carousel 171, the wafer W stuck on the lower surface of each head 172 is placed on the mounting portion 181 at the tip of the arm 180 of the head loading module 18. Delivered sequentially and carried out to the delivery position B.

【0036】次いで、上記受け渡し位置Bにおいて、上
記ヘッド装填モジュール18のアーム180の先端の載
置部181上のウェーハWは、搬送ロボット19のアー
ム190の先端に吸着されて持ち上げられ、洗浄部20
のウェーハ待機部21に送られる。
Next, at the transfer position B, the wafer W on the mounting portion 181 at the tip of the arm 180 of the head loading module 18 is sucked up by the tip of the arm 190 of the transfer robot 19 and lifted up.
Is sent to the wafer standby unit 21.

【0037】そして、このウェーハ待機部21において
純水をかけられたウェーハWは、2基の搬送ロボット2
5によって、第1スクラブ部22、第2スクラブ部2
3、薬液洗浄部24に順次送られて、両面スクラブ洗浄
処理、薬液洗浄処理を順次施される。
Then, the wafer W to which pure water has been applied in the wafer standby section 21 is transferred to the two transfer robots 2.
5, the first scrub section 22 and the second scrub section 2
3. The cleaning solution is sequentially sent to the chemical cleaning section 24, where the double-sided scrub cleaning processing and the chemical cleaning processing are sequentially performed.

【0038】続いて、薬液洗浄処理が完了したウェーハ
Wは、搬送ロボット27によって、リンス乾燥部26に
送られて、純水による洗浄を行い、さらに、遠心力によ
るスピン乾燥を行った後、多関節ロボット13によっ
て、元のウェーハカセット内に戻される。
Subsequently, the wafer W that has been subjected to the chemical cleaning process is sent to the rinse drying unit 26 by the transfer robot 27, where the wafer W is cleaned with pure water, and further subjected to spin drying by centrifugal force. The wafer is returned to the original wafer cassette by the joint robot 13.

【0039】この操作を連続して行うことにより、一つ
のウェーハカセット内のウェーハWが6枚ずつ順に研磨
処理されていく。そして、該ウェーハカセット内のウェ
ーハWが6枚に満たない状態になると、足りない分のウ
ェーハWの代わりにダミーウェーハ収納部11からダミ
ーウェーハW′を取り出し、研磨部17に搬送して、ウ
ェーハWとともに研磨処理を行う。
By performing this operation continuously, six wafers W in one wafer cassette are sequentially polished. When the number of wafers W in the wafer cassette is less than six, the dummy wafer W 'is taken out of the dummy wafer storage unit 11 in place of the insufficient wafer W and transported to the polishing unit 17, Polishing is performed together with W.

【0040】これにより、研磨部17において、常に同
一の研磨条件でウェーハWを研磨することができて、全
てのウェーハWに同様の研磨処理を施すことができる。
次いで、研磨完了後のウェーハW及びダミーウェーハ
W′は、上述したのと同様の操作により、洗浄、乾燥処
理を施された後、ウェーハWはウェーハ収納部10に、
かつダミーウェーハW′はダミーウェーハ収納部11
に、それぞれ、多関節ロボット13によって戻される。
Thus, in the polishing section 17, the wafers W can always be polished under the same polishing conditions, and the same polishing process can be performed on all the wafers W.
Next, the wafer W after completion of polishing and the dummy wafer W ′ are subjected to cleaning and drying processes by the same operation as described above, and then the wafer W is stored in the wafer storage unit 10.
In addition, the dummy wafer W 'is
Are returned by the articulated robot 13 respectively.

【0041】このようにして、ウェーハ収納部10の2
個のウェーハカセット内の全てのウェーハWの研磨処理
が完了すると、これらのウェーハカセットを搬出すると
ともに、新たに研磨処理の必要な2個のウェーハカセッ
トを搬入して、上述した操作を繰り返す。このような研
磨処理を施した各ウェーハWは、それぞれ、同一の研磨
条件によって確実に研磨されるから、この研磨工程を経
て製造された各ウェーハWは、それぞれ同等の高品質を
確保することができる。
In this manner, the wafer storage unit 10
When the polishing processing of all the wafers W in the individual wafer cassettes is completed, these wafer cassettes are unloaded, and two new wafer cassettes requiring polishing processing are newly loaded, and the above-described operation is repeated. Since each wafer W subjected to such a polishing treatment is reliably polished under the same polishing conditions, each wafer W manufactured through this polishing step can ensure the same high quality. it can.

【0042】なお、本実施形態において説明したウェー
ハカセット内に収納できるウェーハWの数、あるいは研
磨部17において同時に研磨処理できるウェーハWの数
は、これに限られるものではなく、要は、研磨部17に
おいて順次研磨処理していく過程で、一つのウェーハカ
セット内の残余のウェーハWが端数になった場合に、ダ
ミーウェーハ収納部11から、研磨部17の研磨同時処
理に必要な数のダミーウェーハW′を供給すれば、本実
施形態と同様の効果を奏することができる。
The number of wafers W that can be accommodated in the wafer cassette described in this embodiment or the number of wafers W that can be simultaneously polished in the polishing section 17 is not limited to this. When the remaining wafers W in one wafer cassette become fractional in the course of the polishing process sequentially at 17, the dummy wafer storage unit 11 removes the number of dummy wafers necessary for simultaneous polishing of the polishing unit 17. If W 'is supplied, the same effect as in the present embodiment can be obtained.

【0043】また、上記ダミーウェーハ収納部11のダ
ミーウェーハW′は、本実施形態の研磨システムの運転
立上げ時等に使用して、試運転あるいは運転再開時のモ
ニター用としても使うことができる。この場合には、製
品となるウェーハWを用いることがないから、該ウェー
ハWを損なうことがないとともに、運転の確認を円滑に
かつ容易に行うことができる。
Further, the dummy wafer W 'in the dummy wafer storage section 11 can be used at the time of starting up the operation of the polishing system of the present embodiment or the like, and can also be used for monitoring at the time of trial operation or operation restart. In this case, since the wafer W as a product is not used, the wafer W is not damaged, and the operation can be smoothly and easily confirmed.

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の請求項1及び請求項3のウェー
ハの研磨方法及び研磨装置によれば、ウェーハ収納部
の、残余の未研磨ウェーハが、ウェーハ保持ヘッドの数
より少なくなった場合に、上記残余の未研磨ウェーハと
ともに上記ウェーハと同形状かつ同材質のダミーウェー
ハを上記各ウェーハ保持ヘッドに供給してウェーハの研
磨を行うことにより、ウェーハ収納部に収納されている
全てのウェーハを同一の研磨条件にて確実に研磨するこ
とができ、かつ多数のウェーハの研磨を中断することな
く円滑に継続することができる。
According to the method and apparatus for polishing a wafer according to the first and third aspects of the present invention, when the number of remaining unpolished wafers in the wafer storage portion becomes smaller than the number of wafer holding heads. By supplying a dummy wafer of the same shape and the same material as the wafer together with the remaining unpolished wafer to each of the wafer holding heads and polishing the wafer, all the wafers stored in the wafer storage unit are made the same. Can be reliably performed under the above polishing conditions, and the polishing of a large number of wafers can be smoothly continued without interruption.

【0045】また、本発明の請求項3によれば、ダミー
ウェーハ収納部のダミーウェーハを使用することによ
り、研磨工程の運転立上げ時等において、試運転あるい
は運転再開時のモニター用としても使うことができる。
これにより、製品となるウェーハを用いることがないか
ら、該ウェーハを損なうことがないとともに、運転の確
認を円滑にかつ容易に行うことができる。
Further, according to the third aspect of the present invention, by using the dummy wafer in the dummy wafer storage section, the dummy wafer can be used as a monitor for a trial operation or a restart of the operation at the time of starting up the operation of the polishing process. Can be.
Accordingly, since a wafer serving as a product is not used, the wafer is not damaged, and the operation can be smoothly and easily confirmed.

【0046】本発明の請求項2及び請求項4のウェーハ
の研磨方法及び研磨装置によれば、研磨終了後のウェー
ハ及びダミーウェーハを洗浄しかつ乾燥させて元のウェ
ーハ収納部及びダミーウェーハ収納部に戻すことによ
り、ウェーハの品質管理に配慮しつつ研磨工程にともな
う一連の工程を円滑に実施することができる。さらに、
本発明の請求項5のウェーハの製造方法によれば、所定
数のウェーハが、たとえ、研磨工程において端数が生じ
る場合であっても同一条件で連続して研磨されることに
より、この研磨工程を経て多数の同品質のウェーハを円
滑にかつ容易に製造することができる。
According to the method and apparatus for polishing a wafer according to the second and fourth aspects of the present invention, the original wafer storage section and the dummy wafer storage section are obtained by cleaning and drying the polished wafer and the dummy wafer. By returning to the above, a series of steps accompanying the polishing step can be smoothly performed while taking into account the quality control of the wafer. further,
According to the method of manufacturing a wafer according to claim 5 of the present invention, a predetermined number of wafers are continuously polished under the same conditions, even if a fraction occurs in the polishing step. Thus, a large number of wafers of the same quality can be manufactured smoothly and easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施の一形態を示す正面図である。FIG. 1 is a front view showing an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の平面図である。FIG. 2 is a plan view of FIG.

【図3】 図1の側面図である。FIG. 3 is a side view of FIG. 1;

【図4】 従来のウェーハ研磨装置におけるウェーハ保
持ヘッドを示す断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a wafer holding head in a conventional wafer polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ウェーハ収納部 11 ダミーウェーハ収納部 170 プラテン 172 ヘッド(ウェーハ保持ヘッド) W ウェーハ W′ ダミーウェーハ Reference Signs List 10 wafer storage unit 11 dummy wafer storage unit 170 platen 172 head (wafer holding head) W wafer W 'dummy wafer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 足立 仁 兵庫県朝来郡生野町口銀谷字猪野々985番 地1 三菱マテリアル株式会社生野製作所 内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA11 AA16 AB01 AB03 AB06 AB08 AC01 CB01 DA17 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Hitoshi Adachi 985 Ino-no-ino, Ginya, Ikuno-cho, Asago-gun, Hyogo Pref. AC01 CB01 DA17

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に研磨パッドが貼付されたプラテン
と、研磨すべきウェーハの一面を保持して上記研磨パッ
ドにウェーハの他面を当接させる複数のウェーハ保持ヘ
ッドとを具備し、これらのウェーハ保持ヘッドと上記プ
ラテンとの相対運動により上記研磨パッドでウェーハの
他面を研磨するウェーハの研磨方法において、 多数のウェーハを収納するウェーハ収納部から順次各ウ
ェーハ保持ヘッドにウェーハを供給して、これらのウェ
ーハの研磨を行うとともに、上記ウェーハ収納部の、残
余の未研磨ウェーハが、上記ウェーハ保持ヘッドの数よ
り少なくなった場合に、上記残余の未研磨ウェーハとと
もに上記ウェーハと同形状かつ同材質のダミーウェーハ
を上記各ウェーハ保持ヘッドに供給してウェーハの研磨
を行うことを特徴とするウェーハの研磨方法。
A platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and a plurality of wafer holding heads holding one surface of a wafer to be polished and bringing the other surface of the wafer into contact with the polishing pad. In a wafer polishing method for polishing the other surface of the wafer with the polishing pad by the relative movement between the wafer holding head and the platen, the wafer is sequentially supplied to each wafer holding head from a wafer storage unit that stores a large number of wafers, While performing the polishing of these wafers, when the remaining unpolished wafers in the wafer storage section are smaller than the number of the wafer holding heads, the same shape and the same material as the wafers together with the remaining unpolished wafers Supplying the dummy wafer to each of the wafer holding heads and polishing the wafer. The polishing method of Doha.
【請求項2】 研磨終了後のウェーハ及びダミーウェー
ハを洗浄しかつ乾燥させてウェーハ収納部及びダミーウ
ェーハ収納部に戻すことを特徴とする請求項1記載のウ
ェーハの研磨方法。
2. The method for polishing a wafer according to claim 1, wherein the wafer and the dummy wafer after polishing are washed and dried and returned to the wafer storage section and the dummy wafer storage section.
【請求項3】 表面に研磨パッドが貼付されたプラテン
と、研磨すべきウェーハの一面を保持して上記研磨パッ
ドにウェーハの他面を当接させる複数のウェーハ保持ヘ
ッドとを具備し、これらのウェーハ保持ヘッドと上記プ
ラテンとの相対運動により上記研磨パッドでウェーハの
他面を研磨するウェーハの研磨装置において、 多数のウェーハを収納するウェーハ収納部と、上記ウェ
ーハと同形状かつ同材質のダミーウェーハを収納するダ
ミーウェーハ収納部と、これらのウェーハ収納部及びダ
ミーウェーハ収納部と上記各ウェーハ保持ヘッドとの間
に設けられ、かつ上記ウェーハ及びダミーウェーハを搬
送する搬送手段とを具備したことを特徴とするウェーハ
の研磨装置。
3. A platen having a polishing pad attached to a surface thereof, and a plurality of wafer holding heads for holding one surface of a wafer to be polished and for abutting the other surface of the wafer on the polishing pad. In a wafer polishing apparatus for polishing the other surface of a wafer with the polishing pad by a relative movement between a wafer holding head and the platen, a wafer storage section for storing a large number of wafers, and a dummy wafer having the same shape and the same material as the wafer And a transfer means for transferring the wafer and the dummy wafer provided between the wafer storage section and the dummy wafer storage section and each of the wafer holding heads, and for transferring the wafer and the dummy wafer. Wafer polishing equipment.
【請求項4】 ウェーハ保持ヘッドとウェーハ収納部及
びダミーウェーハ収納部との間に、ウェーハ及びダミー
ウェーハを洗浄しかつ乾燥させる洗浄乾燥部が設けられ
たことを特徴とする請求項3記載のウェーハの研磨装
置。
4. The wafer according to claim 3, wherein a cleaning / drying unit for cleaning and drying the wafer and the dummy wafer is provided between the wafer holding head and the wafer storage unit and the dummy wafer storage unit. Polishing equipment.
【請求項5】 請求項3または4記載の研磨装置を用い
てウェーハの表面を研磨することにより、ウェーハを製
造することを特徴とするウェーハの製造方法。
5. A method for manufacturing a wafer, comprising manufacturing a wafer by polishing the surface of the wafer using the polishing apparatus according to claim 3.
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