JP2000021786A - 半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法Info
- Publication number
- JP2000021786A JP2000021786A JP19050998A JP19050998A JP2000021786A JP 2000021786 A JP2000021786 A JP 2000021786A JP 19050998 A JP19050998 A JP 19050998A JP 19050998 A JP19050998 A JP 19050998A JP 2000021786 A JP2000021786 A JP 2000021786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum
- aluminum material
- sandpaper
- semiconductor manufacturing
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置用のアルミニニウム電極の保護
被膜の密着性を向上する。 【解決手段】半導体ウエハ載置用アルミニウム材１をサ
ンドぺーパを用いてサンドブラスト研磨し、表面平均粗
さ２０〜５０μｍの梨地状表面を形成し、次いで超音波
洗浄後、フッ素含有プラズマガスにてアルミニウム材１
表面にフッ化層２を形成する。
被膜の密着性を向上する。 【解決手段】半導体ウエハ載置用アルミニウム材１をサ
ンドぺーパを用いてサンドブラスト研磨し、表面平均粗
さ２０〜５０μｍの梨地状表面を形成し、次いで超音波
洗浄後、フッ素含有プラズマガスにてアルミニウム材１
表面にフッ化層２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はアルミニウム電極の
製造方法に関し、特に半導体製造のプラズマＣＶＤ装置
等の半導体ウエハ載置用のアルミニウム電極の表面処理
方法に関するものである。
製造方法に関し、特に半導体製造のプラズマＣＶＤ装置
等の半導体ウエハ載置用のアルミニウム電極の表面処理
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置のプラズマＣＶＤ装置
は、塩素ガス等の腐食性の高いガスが使用されるため
に、プラズマＣＶＤ装置のウエハ載置用電極のアルミニ
ム電極材料（本明細書のアルミニウム材料は、純のアル
ミニウム及びアルミニウム合金をさすものとする。）の
表面をＡｌＦ3 のようなフッ素化合物で被覆して腐食性
ガスから保護することがなされている。ＡｌＦ3 をアル
ミニウム材料表面に被覆する方法としては、再公表特許
ＷＯ９５／３１８２２号公報のフッ素原子を含むガス
（ＣＨＦ3、ＳＦ6など）のプラズマガス中でアルミニウ
ム表面を処理する方法や、特開平８−９１８３２号公報
のようなＡｌＦ３を加熱昇華させてアルミニウム表面に
再凝集させて被覆する方法がある。
は、塩素ガス等の腐食性の高いガスが使用されるため
に、プラズマＣＶＤ装置のウエハ載置用電極のアルミニ
ム電極材料（本明細書のアルミニウム材料は、純のアル
ミニウム及びアルミニウム合金をさすものとする。）の
表面をＡｌＦ3 のようなフッ素化合物で被覆して腐食性
ガスから保護することがなされている。ＡｌＦ3 をアル
ミニウム材料表面に被覆する方法としては、再公表特許
ＷＯ９５／３１８２２号公報のフッ素原子を含むガス
（ＣＨＦ3、ＳＦ6など）のプラズマガス中でアルミニウ
ム表面を処理する方法や、特開平８−９１８３２号公報
のようなＡｌＦ３を加熱昇華させてアルミニウム表面に
再凝集させて被覆する方法がある。
【０００３】プラズマＣＶＤ装置のウエハ載置用のアル
ミニウム電極は、プラズマＣＶＤ工程で室温から５００
℃程度の温度変化する環境にサイクル的に曝されるため
に、ＡｌＦ３被膜の密着性が徐々に低下し、ついにはＡ
ｌＦ3 被膜がアルミニウム電極表面から剥離することが
起きやすい。そのためにＡｌＦ3 被膜を被覆する前に、
アルミニウム電極表面の密着向上処理を行う必要があ
る。
ミニウム電極は、プラズマＣＶＤ工程で室温から５００
℃程度の温度変化する環境にサイクル的に曝されるため
に、ＡｌＦ３被膜の密着性が徐々に低下し、ついにはＡ
ｌＦ3 被膜がアルミニウム電極表面から剥離することが
起きやすい。そのためにＡｌＦ3 被膜を被覆する前に、
アルミニウム電極表面の密着向上処理を行う必要があ
る。
【０００４】従来のアルミニウム上のＡｌＦ3 やその他
の被膜の密着性を向上する方法としては、次のような方
法が開示されている。
の被膜の密着性を向上する方法としては、次のような方
法が開示されている。
【０００５】第１の方法は、アルミニウムの表面をダイ
ヤモンドカッター等により機械研削した後、脱脂し、そ
の後フッ素含をむガス（ＮＦ3 等）でプラズマ処理を行
いアルミニウム表面にフッ化層を形成する方法である。
ヤモンドカッター等により機械研削した後、脱脂し、そ
の後フッ素含をむガス（ＮＦ3 等）でプラズマ処理を行
いアルミニウム表面にフッ化層を形成する方法である。
【０００６】第２の方法は、特開昭６３−１４１７２２
号公報のように、アルミニウムまたは合金の冷間圧延板
の表面にアランダム粉を１０ｋｇ／ｃｍ2 のエアー圧力
で吹き付けて機械的に粗面化（最大粗さ２〜１５μｍ、
平均粗さ０．２〜２μｍ）し、次いで塩化ナトリウム水
溶液中で電解研磨で一辺２〜５μｍの角型開口のミクロ
ピットを形成して、１５０〜３６０℃で加熱して焼き戻
し、次いでポリ塩化ビニルやポリエステル等を接着剤や
溶融接着法で接着する方法である。
号公報のように、アルミニウムまたは合金の冷間圧延板
の表面にアランダム粉を１０ｋｇ／ｃｍ2 のエアー圧力
で吹き付けて機械的に粗面化（最大粗さ２〜１５μｍ、
平均粗さ０．２〜２μｍ）し、次いで塩化ナトリウム水
溶液中で電解研磨で一辺２〜５μｍの角型開口のミクロ
ピットを形成して、１５０〜３６０℃で加熱して焼き戻
し、次いでポリ塩化ビニルやポリエステル等を接着剤や
溶融接着法で接着する方法である。
【０００７】第３の方法は、特開平５−２６１８５６号
公報のように、アルミニウム圧延板をサンドブラスト処
理して表面粗さ１０〜２０μｍに粗面化後、水酸化ナト
リウム水溶液と、硝酸水溶液で順次処理して水洗後、フ
ッ素高分子樹脂フィルムを圧着する方法である。
公報のように、アルミニウム圧延板をサンドブラスト処
理して表面粗さ１０〜２０μｍに粗面化後、水酸化ナト
リウム水溶液と、硝酸水溶液で順次処理して水洗後、フ
ッ素高分子樹脂フィルムを圧着する方法である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図２（ａ）および
（ｂ）はそれぞれ上記の従来の第１の方法によるアルミ
ニウム表面の研磨後と研磨後プラズマ処理した状態を示
す断面模式図である。
（ｂ）はそれぞれ上記の従来の第１の方法によるアルミ
ニウム表面の研磨後と研磨後プラズマ処理した状態を示
す断面模式図である。
【０００９】図２（ａ）で明らかなように、ダイヤモン
ドカッター等により機械研削した半導体ウエハ載置用ア
ルミニウム材１の表面粗さは制御されず、ヘアライン状
の緩やかな研削面となっている。従って、図２（ｂ）の
ようにプラズマ処理によって形成されたフッ化層２は層
状の連続結晶粒となり、フッ化層のアンカー効果が小さ
いためにプラズマダメージやヒートサイクルに対する耐
性が弱くすぐにフッ化層が剥がれる問題があった。
ドカッター等により機械研削した半導体ウエハ載置用ア
ルミニウム材１の表面粗さは制御されず、ヘアライン状
の緩やかな研削面となっている。従って、図２（ｂ）の
ようにプラズマ処理によって形成されたフッ化層２は層
状の連続結晶粒となり、フッ化層のアンカー効果が小さ
いためにプラズマダメージやヒートサイクルに対する耐
性が弱くすぐにフッ化層が剥がれる問題があった。
【００１０】上記の従来の第２の方法においては比較的
大きなエアー圧力でアランダムをアルミニウム表面に吹
き付けるために平均粗さで０．２〜２μｍの凹凸面を得
ることができ、さらに電解研磨するために比較的深いピ
ットを形成でき、アルミニウム上の被膜の密着性向上に
ある程度効果があるが、電解研磨のアルミニウム表面の
電流密度の均一性管理が難しくピット深さとピット分布
にバラツキが生じやすく、アルミニウム上の被膜の密着
性に場所によってバラツキが生じやすい。
大きなエアー圧力でアランダムをアルミニウム表面に吹
き付けるために平均粗さで０．２〜２μｍの凹凸面を得
ることができ、さらに電解研磨するために比較的深いピ
ットを形成でき、アルミニウム上の被膜の密着性向上に
ある程度効果があるが、電解研磨のアルミニウム表面の
電流密度の均一性管理が難しくピット深さとピット分布
にバラツキが生じやすく、アルミニウム上の被膜の密着
性に場所によってバラツキが生じやすい。
【００１１】上記の第３の方法は、サンドブラスト（研
磨剤を高圧で吹き付け）するためにアルミニウム表面に
比較的粗い凹凸を形成できるが、サンドブラスト後、さ
らに水酸化ナトリウム水溶液でエッチングするために凸
面が丸み表面積が減少するために、アンカー効果が低下
し、被膜の密着性が低下する問題がある。
磨剤を高圧で吹き付け）するためにアルミニウム表面に
比較的粗い凹凸を形成できるが、サンドブラスト後、さ
らに水酸化ナトリウム水溶液でエッチングするために凸
面が丸み表面積が減少するために、アンカー効果が低下
し、被膜の密着性が低下する問題がある。
【００１２】本発明は、上記の従来のアルミニウムの表
面処理技術の問題点を解決し、半導体製造用のアルミニ
ウム電極の製造方法を提供することを目的とする。
面処理技術の問題点を解決し、半導体製造用のアルミニ
ウム電極の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
用のアルミニウム電極の製造方法の第１の構成は、半導
体ウエハ載置用アルミニウム材の表面をアルミナ粒又は
ＳｉＣ粒が塗布されたサンドぺーパでサンドブラスト研
磨する工程と、前記アルミニウム材を超音波洗浄する工
程と、前記アルミニウム材をフッ素含有プラズマガスで
処理し、前記前記アルミニウム材の表面ににフッ化層を
形成する工程とを含むことを特徴とする。
用のアルミニウム電極の製造方法の第１の構成は、半導
体ウエハ載置用アルミニウム材の表面をアルミナ粒又は
ＳｉＣ粒が塗布されたサンドぺーパでサンドブラスト研
磨する工程と、前記アルミニウム材を超音波洗浄する工
程と、前記アルミニウム材をフッ素含有プラズマガスで
処理し、前記前記アルミニウム材の表面ににフッ化層を
形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】本発明の半導体製造装置用のアルミニウム
電極の製造方法の第２の構成は、半導体ウエハ載置用ア
ルミニウム材の表面をアルミナ粒又はＳｉＣ粒が塗布さ
れたサンドぺーパでサンドブラスト研磨する工程と、前
記アルミニウム材を超音波洗浄する工程と、前記アルミ
ニウム材表面に陽極酸化層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
電極の製造方法の第２の構成は、半導体ウエハ載置用ア
ルミニウム材の表面をアルミナ粒又はＳｉＣ粒が塗布さ
れたサンドぺーパでサンドブラスト研磨する工程と、前
記アルミニウム材を超音波洗浄する工程と、前記アルミ
ニウム材表面に陽極酸化層を形成する工程とを含むこと
を特徴とする。
【００１５】本発明では、前記アルミニウム材表面をサ
ンドペーパによるサンドブラスト研磨により梨地状表面
が得られ、その後の超音波洗浄とプラズマ処理または陽
極酸化処理により、不連続結晶状で密着性の優れた保護
被膜を前記アルミニウム材表面に形成できる。
ンドペーパによるサンドブラスト研磨により梨地状表面
が得られ、その後の超音波洗浄とプラズマ処理または陽
極酸化処理により、不連続結晶状で密着性の優れた保護
被膜を前記アルミニウム材表面に形成できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態の半導体
製造装置用のアルミニウム電極の製造方法について図面
を参照して説明する。
製造装置用のアルミニウム電極の製造方法について図面
を参照して説明する。
【００１７】図１（ａ）〜（ｂ）は本発明の第１の実施
の形態を説明するための工程順に示したアルミニウム電
極要部の断面模式図である。
の形態を説明するための工程順に示したアルミニウム電
極要部の断面模式図である。
【００１８】はじめに図１（ａ）に示すように、半導体
ウエハ載置用アルミニウム材１（断面形状：直径２２０
ｍｍの円、厚さ：１０ｍｍ）にアルミナ粒又はＳｉＣ粒
が塗布された番手＃４００〜＃８００のサンドぺーパを
用いて圧力５〜１０ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラスト機械
研磨する。
ウエハ載置用アルミニウム材１（断面形状：直径２２０
ｍｍの円、厚さ：１０ｍｍ）にアルミナ粒又はＳｉＣ粒
が塗布された番手＃４００〜＃８００のサンドぺーパを
用いて圧力５〜１０ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラスト機械
研磨する。
【００１９】こここで、アルミニウム表面は平均粗さ２
０〜５０μｍの梨地状になる。
０〜５０μｍの梨地状になる。
【００２０】次いで、エタノールやイソプロピルアルコ
ール等のアルコール系溶剤、またはパーフルオロカーボ
ンやハイドロフルオロカーボン等のフッ素系溶剤中で超
音波をかけながら洗浄（脱脂）する。サンドペーパによ
る研磨圧力が５ｋｇ／ｃｍ2より小さくなると表面粗さ
が小さくなりすぎ、被膜の密着性が低下する。またその
研磨圧力が１０ｋｇ／ｃｍ2 を越えると研磨剤のアルミ
ニウム表面に混入されやすくなるために、上記の研磨圧
力５〜１０ｋｇ／ｃｍ2 に制御する必要がある。サンド
ペーパ研磨後の超音波洗浄は、上記のアルコール系やフ
ッ素系の溶剤中で行う方法がアルミニウム表面に洗浄残
差が残りにくく、密着性の良好な被膜をうることができ
る。
ール等のアルコール系溶剤、またはパーフルオロカーボ
ンやハイドロフルオロカーボン等のフッ素系溶剤中で超
音波をかけながら洗浄（脱脂）する。サンドペーパによ
る研磨圧力が５ｋｇ／ｃｍ2より小さくなると表面粗さ
が小さくなりすぎ、被膜の密着性が低下する。またその
研磨圧力が１０ｋｇ／ｃｍ2 を越えると研磨剤のアルミ
ニウム表面に混入されやすくなるために、上記の研磨圧
力５〜１０ｋｇ／ｃｍ2 に制御する必要がある。サンド
ペーパ研磨後の超音波洗浄は、上記のアルコール系やフ
ッ素系の溶剤中で行う方法がアルミニウム表面に洗浄残
差が残りにくく、密着性の良好な被膜をうることができ
る。
【００２１】次に図１（ｂ）に示すように、前記アルミ
ニウム材にフッ化層形成のためのプラズマ処理行う。こ
のときの条件は、圧力：０．８Ｔｏｒｒ，ＲＦパワー：
０．７Ｗ／ｃｍ2 ，ガスＮＦ3 ：１００ｓｃｃｍ，処理
時間：６０分である。これにより約２５μｍのフッ化層
２が半導体ウエハ載置用アルミニウム材１表面に形成さ
れる。この様にして形成されたフッ化層２は結晶構造が
不連続結晶状（アンカー効果が得られやすい凹凸表面）
になりアルミニウム母材と強力に密着しているため、こ
れを半導体装置の電極として使用した場合に、プラズマ
照射やヒートサイクル（室温〜５００℃）を受けてもフ
ッ化層２が剥がれることなく、耐久性に富む電極を提供
できる。
ニウム材にフッ化層形成のためのプラズマ処理行う。こ
のときの条件は、圧力：０．８Ｔｏｒｒ，ＲＦパワー：
０．７Ｗ／ｃｍ2 ，ガスＮＦ3 ：１００ｓｃｃｍ，処理
時間：６０分である。これにより約２５μｍのフッ化層
２が半導体ウエハ載置用アルミニウム材１表面に形成さ
れる。この様にして形成されたフッ化層２は結晶構造が
不連続結晶状（アンカー効果が得られやすい凹凸表面）
になりアルミニウム母材と強力に密着しているため、こ
れを半導体装置の電極として使用した場合に、プラズマ
照射やヒートサイクル（室温〜５００℃）を受けてもフ
ッ化層２が剥がれることなく、耐久性に富む電極を提供
できる。
【００２２】次に本発明の第２の実施の形態の半導体製
造装置用のアルミニウム電極の製造方法について説明す
る。本実施の形態では、上記の第１の実施の形態におけ
ると同様に半導体ウエハ載置用アルミニウム材（断面形
状：直径２２０ｍｍの円、厚さ：１０ｍｍ）にアルミナ
粒又はＳｉＣ粒が塗布された番手＃４００〜＃８００の
サンドぺーパを用いて圧力５Ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラ
スト機械研磨し、アルミニウム材のを表面を平均粗さ２
０〜５０μｍの梨地状に処理した。
造装置用のアルミニウム電極の製造方法について説明す
る。本実施の形態では、上記の第１の実施の形態におけ
ると同様に半導体ウエハ載置用アルミニウム材（断面形
状：直径２２０ｍｍの円、厚さ：１０ｍｍ）にアルミナ
粒又はＳｉＣ粒が塗布された番手＃４００〜＃８００の
サンドぺーパを用いて圧力５Ｋｇ／ｃｍ2 でサンドブラ
スト機械研磨し、アルミニウム材のを表面を平均粗さ２
０〜５０μｍの梨地状に処理した。
【００２３】次いで、上記のアルコール系溶剤またはフ
ッ素系溶剤中で超音波をかけながら脱脂した。次いで、
アルミニウム材表面に温度１０℃の１５重量％の硫酸水
溶液中で電圧１０〜２０Ｖを３０分間印加して約１０μ
ｍの陽極酸化層を形成した。本実施の形態で製造された
アルミニウム電極上の陽極酸化被膜はプラズマダメージ
やヒートサイクルに対し耐久性のあることが判明した。
ッ素系溶剤中で超音波をかけながら脱脂した。次いで、
アルミニウム材表面に温度１０℃の１５重量％の硫酸水
溶液中で電圧１０〜２０Ｖを３０分間印加して約１０μ
ｍの陽極酸化層を形成した。本実施の形態で製造された
アルミニウム電極上の陽極酸化被膜はプラズマダメージ
やヒートサイクルに対し耐久性のあることが判明した。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、アルミニ
ウム材にサンドブラストを施し、アルミニウム材表面を
ある一定の表面荒さにした後、フッ素を含むガスブラズ
マにてフッ化処理や陽極酸化処理を行うことで不連続状
結晶のフッ化層または陽極酸化被膜をアルミニウム材表
層に形成する。これにより、このアルミニウム材電極を
用いた半導体製造装置は半導体装置製造過程にてあたえ
られるプラズマダメージやヒートサイクルに対し非常に
耐性に富み、フッ化層または陽極酸化被膜はがれによる
パーテイクルでの半導体装置の歩留まり低下や半導体製
造装置の不安定稼働を防止することができる。
ウム材にサンドブラストを施し、アルミニウム材表面を
ある一定の表面荒さにした後、フッ素を含むガスブラズ
マにてフッ化処理や陽極酸化処理を行うことで不連続状
結晶のフッ化層または陽極酸化被膜をアルミニウム材表
層に形成する。これにより、このアルミニウム材電極を
用いた半導体製造装置は半導体装置製造過程にてあたえ
られるプラズマダメージやヒートサイクルに対し非常に
耐性に富み、フッ化層または陽極酸化被膜はがれによる
パーテイクルでの半導体装置の歩留まり低下や半導体製
造装置の不安定稼働を防止することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための工
程順に示したアルミニウム電極要部の断面模式図であ
る。
程順に示したアルミニウム電極要部の断面模式図であ
る。
【図２】従来の第１の方法によるアルミニウム表面の研
磨後と研磨後プラズマ処理した状態を示す断面模式図で
ある。
磨後と研磨後プラズマ処理した状態を示す断面模式図で
ある。
１ 半導体ウエハ載置用アルミニウム材 ２ フッ化層
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体ウエハ載置用アルミニウム材の表
面をアルミナ粒又はＳｉＣ粒が塗布されたサンドぺーパ
でサンドブラスト研磨する工程と、前記アルミニウム材
を超音波洗浄する工程と、前記アルミニウム材をフッ素
含有プラズマガスで処理し、前記前記アルミニウム材の
表面ににフッ化層を形成する工程とを含むことを特徴と
する導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法。 - 【請求項２】 前記サンドブラスト研磨する工程とし
て、アルミナまたはＳｉＣ粒の塗布されたサンドペーパ
を使用した請求項１記載の半導体製造装置用アルミニウ
ム電極の製造方法。 - 【請求項３】 前記サンドペーパの研磨圧力が５〜１０
ｋｇ／ｃｍ2 でかつ前記アルミニウム材の研磨平均表面
粗さを２０〜５０μｍである請求項１または２記載の半
導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法。 - 【請求項４】 前記フッ化層がＡｌＦ3 であり且つその
厚さが２０μｍ以上である請求項１，２または３記載の
半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法。 - 【請求項５】 半導体ウエハ載置用アルミニウム材の表
面をアルミナ粒又はＳｉＣ粒が塗布されたサンドぺーパ
でサンドブラスト研磨する工程と、前記アルミニウム材
を超音波洗浄する工程と、前記アルミニウム材表面に陽
極酸化層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導
体製造装置用アルミニウム電極の製造方法。 - 【請求項６】 前記サンドブラスト研磨する工程とし
て、アルミナまたはＳｉＣ粒の塗布されたサンドペーパ
を使用した請求項５記載の半導体製造装置用アルミニウ
ム電極の製造方法。 - 【請求項７】 前記サンドペーパの研磨圧力が５〜１０
ｋｇ／ｃｍ2 でかつ前記アルミニウム材の研磨平均表面
粗さを２０〜５０μｍである請求項５または６記載の半
導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19050998A JP2000021786A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19050998A JP2000021786A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000021786A true JP2000021786A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16259283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19050998A Pending JP2000021786A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000021786A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6682958B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-01-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
| EP1962075A3 (de) * | 2007-02-23 | 2010-12-01 | Silicon Micro Sensors GmbH | Drucksensorverbindung |
| KR102055483B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2019-12-16 | 최 윤 | 반도체 웨이퍼용 고효율 히터블럭 및 그 제조방법 |
| CN114774918A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-07-22 | 苏州众芯联电子材料有限公司 | 一种半导体干刻设备部件的制作工艺 |
-
1998
- 1998-07-06 JP JP19050998A patent/JP2000021786A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6682958B2 (en) | 2001-03-27 | 2004-01-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device by using sealing apparatus |
| US7309919B2 (en) | 2001-03-27 | 2007-12-18 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US7800221B2 (en) | 2001-03-27 | 2010-09-21 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| US8044507B2 (en) | 2001-03-27 | 2011-10-25 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Sealing apparatus for semiconductor wafer, mold of sealing apparatus, and semiconductor wafer |
| EP1962075A3 (de) * | 2007-02-23 | 2010-12-01 | Silicon Micro Sensors GmbH | Drucksensorverbindung |
| KR102055483B1 (ko) * | 2017-09-19 | 2019-12-16 | 최 윤 | 반도체 웨이퍼용 고효율 히터블럭 및 그 제조방법 |
| CN114774918A (zh) * | 2022-04-25 | 2022-07-22 | 苏州众芯联电子材料有限公司 | 一种半导体干刻设备部件的制作工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2020007643A (ja) | 半導体製造コンポーネント用高純度金属トップコート | |
| KR102098926B1 (ko) | 반도체 적용을 위한 희토류 옥사이드 기반 내침식성 코팅 | |
| US20140076354A1 (en) | Removing residues from substrate processing components | |
| JP3160229B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置用サセプタ及びその製造方法 | |
| TWI629167B (zh) | 電漿腔室元件上之抗腐蝕鋁塗布 | |
| TWI223347B (en) | Electrochemically roughened aluminum semiconductor processing apparatus surfaces and method of preparing such surfaces | |
| TWI386984B (zh) | 藉酸性溶液進行矽電極組件表面去污作用 | |
| CN101380636B (zh) | 用于阳极化腔室部件的湿法清洁工艺 | |
| KR20180118696A (ko) | 염소 및 불소 플라즈마 내식성을 가진 코팅된 반도체 처리 부재 및 그 복합 산화물 코팅 | |
| JP2016529404A (ja) | 電気メッキ接着用の陽極酸化アーキテクチャ | |
| JP2014194080A (ja) | プラズマ処理チャンバの高密度酸化物コーティングされた構成要素およびその製造方法 | |
| JP2004523894A5 (ja) | ||
| JP2017031457A (ja) | イットリウム系溶射皮膜、及びその製造方法 | |
| TW200949013A (en) | Ceramic sprayed member, making method, abrasive medium for use therewith | |
| US20240026515A1 (en) | Yttrium-fluoride-based sprayed coating, sprayed member, and method for producing yttrium-fluoride-based sprayed coating | |
| JP2825383B2 (ja) | 改良された酸素発生用陽極 | |
| JP4453995B2 (ja) | フッ素系樹脂被覆石英ガラス製キャリアボート | |
| JPH09129563A (ja) | シャワープレート | |
| JP2000021786A (ja) | 半導体製造装置用アルミニウム電極の製造方法 | |
| JP2007506282A (ja) | プラズマ処理システムにおいて酸化イットリウムを含む構造体の一組を洗浄する方法 | |
| JPH11340143A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4287140B2 (ja) | 半導体製造装置用アルミニウム製部品の再生方法 | |
| JP2008527106A (ja) | チキソトロピーエッチング剤のランダムアプリケーションを使用する選択的表面テクスチャリング | |
| JP2018197400A (ja) | イットリウム系溶射皮膜の製造方法 | |
| JP2004346374A (ja) | 溶射膜の剥離方法及び溶射膜で被覆された部材の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001212 |