JP2000019362A - Optical coupling device for array type semiconductor laser and solid-state laser device using this array type semiconductor laser - Google Patents

Optical coupling device for array type semiconductor laser and solid-state laser device using this array type semiconductor laser

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JP2000019362A
JP2000019362A JP10191482A JP19148298A JP2000019362A JP 2000019362 A JP2000019362 A JP 2000019362A JP 10191482 A JP10191482 A JP 10191482A JP 19148298 A JP19148298 A JP 19148298A JP 2000019362 A JP2000019362 A JP 2000019362A
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JP
Japan
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laser
light
type semiconductor
semiconductor laser
array
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JP10191482A
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Japanese (ja)
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Terushi Tada
昭史 多田
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Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate the manufacture and packaging of a coupling device for an array type semiconductor laser and to assure long-term stable accuracy with a small size. SOLUTION: This coupling device for the array type semiconductor laser has the array type semiconductor laser 1, a cylindrical lens 3 and a light converging device 10. A plurality of LD light 4 which are radiated from the light radiation surface of the array type semiconductor laser 1 and is regulated by the cylindrical lens 3 are made incident from an incident port 5 of this light covering device 10 and progress in respective optical waveguides 6. These light rays are condensed in a coupling part 7 and are emitted as high-density LD light 9 from an exit port 8.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、アレイ型半導体レ
ーザ用光結合装置、及びアレイ型半導体レーザ励起固体
レーザに関する。
The present invention relates to an optical coupling device for an array type semiconductor laser and an array type semiconductor laser pumped solid-state laser.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザは電気から光への変換効率
が高いため、大がかりな冷却装置を必要とせず、装置を
コンパクトに構成できるため、その利用分野は広い。し
かしながら、単一ストライプ半導体レーザの高出力化に
は限界があり、レーザ加工にそのまま用いるのは困難で
ある。
2. Description of the Related Art A semiconductor laser has a high conversion efficiency from electricity to light, does not require a large-scale cooling device, and can be configured compactly. However, there is a limit in increasing the output of a single-stripe semiconductor laser, and it is difficult to use it as it is for laser processing.

【0003】一方、レーザ光を放射する活性層ストライ
プを10〜100本直線状に配列し、破線状の光源を与
えるアレイ型半導体レーザは高出力レーザとして知られ
ている。
On the other hand, an array type semiconductor laser in which 10 to 100 active layer stripes for emitting laser light are linearly arranged to provide a light source having a broken line is known as a high output laser.

【0004】図11にアレイ型半導体レーザ100から
のLD光(半導体レーザ光)102の射出の状況を示
す。
FIG. 11 shows the state of emission of LD light (semiconductor laser light) 102 from an array type semiconductor laser 100.

【0005】直列に配列された複数の光放射部101a
の各光放射面101から発光されるLD光102は発散
角を有している。各光放射面101に平行な軸をスロー
軸、各光放射面101に垂直にとったLD光進行方向軸
とスロー軸との両方に垂直な軸をファースト軸とした場
合、LD光102のスロー軸方向発散角θは半値全幅で
約10度、ファースト軸方向発散角φは半値全幅で約4
0度と極端に異なる。このようなアレイ型半導体レーザ
100からのLD光102をレーザ加工等に利用するに
は、LD光102を狭い領域に集中させることで高水準
のエネルギを得る必要がある。このため、特開平7−9
8402号公報には図12に示すようなアレイ型半導体
レーザ用光結合装置が提案されている。
[0005] A plurality of light emitting portions 101a arranged in series
LD light 102 emitted from each light emitting surface 101 has a divergence angle. When the axis parallel to each light emitting surface 101 is the slow axis, and the axis perpendicular to both the LD light traveling direction axis and the slow axis, which is perpendicular to each light emitting surface 101, is the fast axis, the slow speed of the LD light 102 is obtained. The axial divergence angle θ is about 10 degrees at full width at half maximum, and the first axial divergence angle φ is about 4 at full width at half maximum.
Extremely different from 0 degrees. In order to use the LD light 102 from such an array type semiconductor laser 100 for laser processing or the like, it is necessary to obtain a high level of energy by concentrating the LD light 102 in a narrow area. For this reason, Japanese Unexamined Patent Publication No. 7-9
No. 8402 proposes an optical coupling device for an array type semiconductor laser as shown in FIG.

【0006】図12に従来のアレイ型半導体レーザ用光
結合装置の平面図を示す。
FIG. 12 is a plan view of a conventional optical coupling device for an array type semiconductor laser.

【0007】アレイ型半導体レーザ用光結合装置はアレ
イ型半導体レーザ111と、結合光学装置117とを有
する構成となっている。
The optical coupling device for an array type semiconductor laser has a configuration including an array type semiconductor laser 111 and a coupling optical device 117.

【0008】アレイ型半導体レーザ111は直線状に配
列された複数の光放射部112aを有し、各光放射部1
12aの各光放射面112からLD光114が放射され
る。
The array type semiconductor laser 111 has a plurality of light emitting portions 112a arranged linearly.
LD light 114 is emitted from each light emitting surface 112 of 12a.

【0009】結合光学装置117は、LD光114の進
行方向に沿って順に配列された、シリンドリカルレンズ
113aと、光路変換器115と、シリンドリカルレン
ズ113bと、集光レンズ116とを有する。
The coupling optical device 117 has a cylindrical lens 113a, an optical path converter 115, a cylindrical lens 113b, and a condenser lens 116 which are arranged in order along the traveling direction of the LD light 114.

【0010】アレイ型半導体レーザ111から放射され
た各LD光114は、スロー軸方向発散角θが約10
度、ファースト軸方向発散角φが約40度の発散角を有
した状態でシリンドリカルレンズ113aに入射する。
このシリンドリカルレンズ113aにより、スロー軸方
向発散角θは約10度のままであるが、ファースト軸方
向の発散光成分が平行光に変換される。この状態で各L
D光114は光路変換器115に入射する。光路変換器
115は入射時の各LD光114の断面に対して90度
回転させて、各LD光114を射出する。次いで、シリ
ンドリカルレンズ113bでは、スロー軸方向方向の発
散光成分が平行光に変換される。以上により、スロー軸
方向及びファースト軸方向ともに平行光となった各LD
光114は集光レンズ116により結合される。以上の
ようにして、LD光114は高出力化される。
Each LD light 114 emitted from the array type semiconductor laser 111 has a divergence angle θ of about 10 in the slow axis direction.
The light enters the cylindrical lens 113a in a state where the divergence angle φ in the first axis direction is about 40 degrees.
The cylindrical lens 113a converts the divergent light component in the fast axis direction into parallel light while the divergence angle θ in the slow axis direction remains at about 10 degrees. In this state, each L
The D light 114 enters the optical path converter 115. The optical path converter 115 emits each LD light 114 by rotating it 90 degrees with respect to the cross section of each LD light 114 at the time of incidence. Next, in the cylindrical lens 113b, the divergent light component in the slow axis direction is converted into parallel light. As described above, each LD which becomes parallel light in both the slow axis direction and the fast axis direction
Light 114 is coupled by a condenser lens 116. As described above, the output of the LD light 114 is increased.

【0011】また、この他、例えば「Optics L
etters,Vol,21,(1996)p37
5」、「OSA TOPS Vol.10,Advan
cedSolid State Lasers,(19
97)p390」、「平成9年春季第44回応用物理学
関係連合講演会講演予稿集、No.3,p986」等に
も、LD光の軸方向ごとの不均一性を、ロッドレンズや
シリンドリカルレンズ、平面ミラーやプリズム等の光学
系素子の組み合わせにより均一化した後、集光レンズに
より結合させる装置が各種提案されている。
In addition, for example, "Optics L"
eters, Vol, 21, (1996) p37
5 "," OSA TOPS Vol.10, Advan
cedSolid State Lasers, (19
97) p390 ”,“ Proceedings of the 44th Joint Lecture Meeting on Applied Physics, Spring 1997, No. 3, p986 ”, etc., describes the non-uniformity of LD light in each axial direction using rod lenses and cylindrical lenses. Various devices have been proposed which are made uniform by a combination of optical system elements such as a lens, a plane mirror, and a prism, and then combined by a condenser lens.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例の光結合装置では、各種光学素子間の精密な位置合
わせが必要があったが、これら光学素子は3次元空間的
な配列がなされているため位置合わせが困難であるばか
りでなく、長期的には光学素子間の位置ずれが生じてし
まい、装置の長期的な精度の安定性が保てないという問
題があった。
However, in the above-described conventional optical coupling device, precise alignment between various optical elements was required, but these optical elements are arranged in a three-dimensional space. Therefore, not only is it difficult to perform alignment, but also there is a problem that a long-term misalignment between optical elements occurs, and the long-term stability of the accuracy of the apparatus cannot be maintained.

【0013】また、LD光の空間伝搬部を装置内に含め
なければならないことによる装置形状の複雑化及び大型
化という問題もあり、その結果、製造コストが高くなっ
てしまうという問題もあった。
In addition, there is a problem in that the spatial shape of the LD light must be included in the device, which complicates and enlarges the shape of the device. As a result, there is also a problem that the manufacturing cost increases.

【0014】そこで、本発明は、製作及び実装が容易
で、小型で、長期的に安定な精度が確保でき、製造コス
トの低いアレイ型半導体レーザ用光結合装置及び該アレ
イ型半導体レーザを用いた固体レーザ装置を提供するこ
とを目的とする。
Therefore, the present invention provides an optical coupling device for an array type semiconductor laser which is easy to manufacture and mount, is small in size, can secure stable accuracy for a long period of time, and has a low manufacturing cost, and uses the array type semiconductor laser. It is an object to provide a solid-state laser device.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のアレイ型半導体レーザ用光結合装置は、複数
の光放射部が直線状に配列され、前記各光放射部から複
数のレーザ光を放射するアレイ型半導体レーザと、前記
アレイ型半導体レーザから放射された各レーザ光をそれ
ぞれ平行光とするシリンドリカルレンズと、前記シリン
ドリカルレンズで平行光とされた各レーザ光を集束させ
る光集束器とを有するアレイ型半導体レーザ用光結合装
置において、前記光集束器は、前記各レーザ光が入射す
る入射部と、前記入射部から入射した前記各レーザ光が
進行するにしたがって前記各レーザ光間の間隔を狭める
集束部と、前記集束部で集束された前記各レーザ光を1
つに結合する結合部と、前記結合部で結合されたレーザ
光を射出する射出部とからなる光導波路を有することを
特徴とする。
In order to achieve the above object, an optical coupling device for an array type semiconductor laser according to the present invention comprises a plurality of light emitting portions arranged in a straight line, and a plurality of laser emitting portions from each of the light emitting portions. An array-type semiconductor laser that emits light, a cylindrical lens that converts each laser light emitted from the array-type semiconductor laser into parallel light, and a light concentrator that focuses each laser light that has been converted into parallel light by the cylindrical lens. In the optical coupling device for an array type semiconductor laser having the above, the light concentrator is provided between an incident portion on which the respective laser beams are incident, and the respective laser beams as the respective laser beams incident from the incident portion progress. A focusing section for narrowing the distance between the laser beams;
The optical waveguide is characterized by having an optical waveguide including a coupling portion that couples together and an emission portion that emits the laser light combined by the coupling portion.

【0016】上記の通り構成された本発明のアレイ型半
導体レーザ用光結合装置では、アレイ型半導体レーザか
ら放射された複数のレーザ光はシリンドリカルレンズで
平行光に変換され、光集束器で1つに結合されるが、光
集束器が上記入射部と、集束部と、結合部と、射出部と
が一体的に形成された光導波路を有しているので、部品
点数が削減されるとともに、レーザ光集束のための光学
系の精密な位置合わせが不必要となるばかりでなく、長
期にわたり安定的な精度が確保される。また、これに加
えて、レーザ光の空間伝搬部を装置内に設ける必要がな
くなった。
In the optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to the present invention, the plurality of laser lights emitted from the array-type semiconductor laser are converted into parallel light by a cylindrical lens, and are converted into one by a light concentrator. However, since the light concentrator has an optical waveguide in which the incident part, the focusing part, the coupling part, and the emission part are integrally formed, the number of parts is reduced, Not only does the precise alignment of the optical system for focusing the laser light become unnecessary, but also stable accuracy is ensured for a long period of time. In addition, it is no longer necessary to provide a laser beam spatial propagation section in the device.

【0017】入射部は、各光放射部の配列に1対1で対
応する位置に複数個配列され、集束部は、結合部に達す
るまで、各レーザ光が互いに干渉しない構造であっても
よいし、アレイ型半導体レーザが、各光放射部が全て直
線状に配列されるように、複数個並列に配列されたもの
であってもよい。
A plurality of incident portions are arranged at positions corresponding to the arrangement of the respective light emitting portions on a one-to-one basis, and the focusing portion may have a structure in which the laser beams do not interfere with each other until reaching the coupling portion. Alternatively, a plurality of array-type semiconductor lasers may be arranged in parallel such that all the light emitting portions are arranged in a straight line.

【0018】また、入射部は、シリンドリカルレンズか
ら放射された各レーザ光を全て入射できる開口幅を有す
るものであってもよいし、伝送用光ファイバに射出部か
ら射出されたレーザ光を集光させるための結合レンズを
有するものであってもよい。
The incident portion may have an opening width through which all the laser beams emitted from the cylindrical lens can enter, or the laser beam emitted from the emitting portion is focused on the transmission optical fiber. It may be one having a coupling lens for making it work.

【0019】本発明のアレイ型半導体レーザ用光結合装
置は、アレイ型半導体レーザ、シリンドリカルレンズ及
び光集束器がそれぞれ複数個ずつ並列に配列され、各光
集束器からそれぞれ射出された各レーザ光をさらに1つ
に結合するために、各レーザ光が入射する入射部と、入
射部から入射した前記各レーザ光が進行するにしたがっ
て各レーザ光間の間隔を狭める集束部と、集束部で集束
された各レーザ光を1つに結合する結合部と、結合部で
結合されたレーザ光を射出する射出部とからなる光導波
路を備えた、上述した各光集束器とは別の光集束器を有
するものであってもよい。
In the optical coupling device for an array type semiconductor laser according to the present invention, a plurality of array type semiconductor lasers, cylindrical lenses, and light concentrators are arranged in parallel, and each laser light emitted from each light concentrator is emitted. In order to further combine the laser beams, the laser beam is incident on the incident portion, the focusing portion narrows the interval between the laser beams as the laser beams incident from the incident portion progress, and the focusing portion focuses the laser beams. A light concentrator different from the above-mentioned light concentrators, comprising an optical waveguide comprising a coupling part for coupling the respective laser lights into one, and an emission part for emitting the laser light coupled at the coupling part. You may have.

【0020】また、伝送用光ファイバに前記光集束結合
部の射出部から射出されたレーザ光を集光させるための
結合レンズを有するものであってもよい。
Further, the transmission optical fiber may have a coupling lens for condensing the laser light emitted from the emission section of the light focusing / coupling section.

【0021】本発明のアレイ型半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置は、本発明のアレイ型半導体レーザ用光結合装
置と、前記アレイ型半導体レーザ用光結合装置から射出
されるレーザ光が入射されることで固体レーザを放射
し、前記固体レーザを増幅してから射出する固体レーザ
共振器とを有する。
An array-type semiconductor laser-excited solid-state laser device according to the present invention includes an optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to the present invention and a laser beam emitted from the optical coupling device for an array-type semiconductor laser. A solid-state laser resonator that emits a solid-state laser, amplifies the solid-state laser, and emits the amplified solid-state laser.

【0022】固体レーザ共振器は、固体レーザ結晶及び
複数のレーザ反射部材とを有するものであってもよい。
The solid-state laser resonator may include a solid-state laser crystal and a plurality of laser reflecting members.

【0023】[0023]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。 (第1の実施形態)図1に本発明の第1の実施形態のア
レイ型半導体レーザ用結合装置の平面図を、また、図2
に図1で示したアレイ型半導体レーザ用結合装置の側面
図をそれぞれ示す。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. (First Embodiment) FIG. 1 is a plan view of an array type semiconductor laser coupling device according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
2 shows side views of the coupling device for array type semiconductor laser shown in FIG.

【0024】本実施形態のアレイ型半導体レーザ用結合
装置は、アレイ型半導体レーザ1と、シリンドリカルレ
ンズ3と、光集束器10とを有する。
The coupling device for an array type semiconductor laser according to the present embodiment has an array type semiconductor laser 1, a cylindrical lens 3, and a light concentrator 10.

【0025】アレイ型半導体レーザ1は直線状に配列さ
れた複数の光放射部2aを有しており、これら各光放射
部2aの各光放射面2から複数のLD光4が発散角を有
して放射される。
The array type semiconductor laser 1 has a plurality of light emitting portions 2a arranged in a straight line, and a plurality of LD lights 4 have a divergence angle from each light emitting surface 2 of each of the light emitting portions 2a. And is radiated.

【0026】各光放射面2に平行な軸をスロー軸、各光
放射面2に垂直にとったLD光進行方向軸とスロー軸と
の両方に垂直な軸をファースト軸とした場合、各LD光
4のスロー軸方向発散角が半値全幅で約10度、ファー
スト軸方向発散角が半値全幅で約40度とファースト軸
方向に大きく発散するため、シリンドリカルレンズ3に
より、ファースト軸方向の発散光を平行光に変換させ
る。
When an axis parallel to each light emitting surface 2 is a slow axis, and an axis perpendicular to both the LD light traveling direction axis and the slow axis taken perpendicular to each light emitting surface 2 is a first axis, each LD Since the divergence angle of the light 4 in the slow axis direction is about 10 degrees in full width at half maximum and the divergence angle in the first axis direction is about 40 degrees in full width at half maximum in the first axis direction, the divergent light in the first axis direction is generated by the cylindrical lens 3. Convert to parallel light.

【0027】光集束器10は、アレイ型半導体レーザ1
の各光放射部2aの数と同数の光導波路6を有してお
り、各光導波路6はLD光4の進行方向に向かって、そ
の配列間隔が狭められて結合部7で1本に結合される。
The light concentrator 10 is an array type semiconductor laser 1
The number of the optical waveguides 6 is equal to the number of the respective light emitting portions 2a, and the arrangement intervals of the respective optical waveguides 6 are narrowed in the traveling direction of the LD light 4 and the optical waveguides 6 are combined into one by the coupling portion 7. Is done.

【0028】シリンドリカルレンズ3に対面する光導波
路6の端面は各LD光4が入射される入射口5となって
おり、その配列ピッチは各光放射面2と等間隔となるよ
うに配列されて、各光放射面2と入射口5とが平行とな
るようにアレイ型半導体レーザ1と光集束器10とが配
列されている。なお、図2に示すようにLD光4はスロ
ー軸とLD光進行方向軸とに平行な2次元方向にのみ進
行するため、ファースト軸方向の位置合わせは必要な
い。
An end face of the optical waveguide 6 facing the cylindrical lens 3 is an entrance 5 into which each LD light 4 is incident, and the arrangement pitch is arranged so as to be equidistant from each light emitting surface 2. The array type semiconductor laser 1 and the optical concentrator 10 are arranged so that each light emitting surface 2 and the entrance 5 are parallel. Note that, as shown in FIG. 2, since the LD light 4 travels only in a two-dimensional direction parallel to the slow axis and the LD light traveling direction axis, there is no need for alignment in the fast axis direction.

【0029】上述したように、シリンドリカルレンズ3
によりファースト軸方向の発散光を平行光に変換された
各LD光4は、光集束器10の入射口5に効率よく入射
することとなる。そして、各光導波路6を進行し、結合
部7で集光し、射出口8から高密度LD光9として射出
される。
As described above, the cylindrical lens 3
Thus, each LD light 4 obtained by converting the divergent light in the first axis direction into parallel light is efficiently incident on the entrance 5 of the optical concentrator 10. Then, the light travels through each of the optical waveguides 6, is condensed at the coupling section 7, and is emitted from the emission port 8 as high-density LD light 9.

【0030】次に、本実施形態のアレイ型半導体レーザ
用結合装置から射出された高密度LD光9を固体レーザ
励起用に用いたアレイ型用半導体レーザ励起固体レーザ
装置の種々の例に関して、図3ないし図6を用いて説明
する。
Next, various examples of an array-type semiconductor laser-excited solid-state laser device using the high-density LD light 9 emitted from the array-type semiconductor laser coupling device of the present embodiment for exciting a solid-state laser will be described. This will be described with reference to FIGS.

【0031】図3に示すアレイ型用半導体レーザ励起固
体レーザ装置は、高密度LD光9の進行方向に対して共
振器ミラー51a、固体レーザ結晶52、共振器ミラー
53の順で配列された構成となっている。
The semiconductor laser pumped solid-state laser device for array type shown in FIG. 3 has a configuration in which a resonator mirror 51a, a solid-state laser crystal 52, and a resonator mirror 53 are arranged in this order in the traveling direction of the high-density LD light 9. It has become.

【0032】光集束器10の射出口8から射出された高
密度LD光9は共振器ミラー51aを透過し、固体レー
ザ結晶52に入射する。高密度LD光9が固体レーザ結
晶52を励起することで、固体レーザ結晶52からは固
体レーザ光54を共振器ミラー53に向かって射出され
る。共振器ミラー51aと共振器ミラー53とは互いに
反射面が向かい合うように設置されていることでレーザ
共振器60を構成している。このレーザ共振器60で十
分増幅された固体レーザ光54は共振器ミラー53を透
過して、外部に射出されることとなる。
The high-density LD light 9 emitted from the emission port 8 of the light concentrator 10 passes through the resonator mirror 51a and enters the solid-state laser crystal 52. When the high-density LD light 9 excites the solid-state laser crystal 52, the solid-state laser crystal 54 emits the solid-state laser light 54 toward the resonator mirror 53. The resonator mirror 51a and the resonator mirror 53 constitute the laser resonator 60 by being installed such that their reflection surfaces face each other. The solid-state laser light 54 sufficiently amplified by the laser resonator 60 passes through the resonator mirror 53 and is emitted to the outside.

【0033】図3に示した例では2枚の共振器ミラー5
1a、53を用いたが、共振器ミラー51aの代わり
に、図4に示すように、共振器ミラー膜51bを固体レ
ーザ結晶52の高密度LD光9の入射面側に一体的に設
けてもよい。
In the example shown in FIG. 3, two resonator mirrors 5 are used.
Although 1a and 53 are used, instead of the resonator mirror 51a, a resonator mirror film 51b may be provided integrally on the incident surface side of the solid-state laser crystal 52 for the high-density LD light 9 as shown in FIG. Good.

【0034】この場合も、共振器ミラー膜51bと共振
器ミラー53とでレーザ共振器61を構成しているが、
共振器ミラー膜51bは固体レーザ結晶52の高密度L
D光9の入射面側に一体的に設けられているため、部品
点数を削減できる。
In this case as well, the laser resonator 61 is composed of the resonator mirror film 51b and the resonator mirror 53.
The resonator mirror film 51b is formed of the high density L of the solid-state laser crystal 52.
Since it is provided integrally on the incident surface side of the D light 9, the number of components can be reduced.

【0035】さらに、図5に示す例では、光集束器10
とレーザ共振器62との間に結合レンズ55が配置され
ている。レーザ共振器62は図3に示したレーザ共振器
60と同じ構成である。
Further, in the example shown in FIG.
A coupling lens 55 is arranged between the laser resonator 62 and the laser resonator 62. The laser resonator 62 has the same configuration as the laser resonator 60 shown in FIG.

【0036】結合レンズ55は、射出口8から射出さ
れ、発散した高密度LD光9を集光して固体レーザ結晶
52に入射させる。これにより、固体レーザ結晶52を
効率よく励起することができる。
The coupling lens 55 condenses the divergent high-density LD light 9 emitted from the exit port 8 and makes it incident on the solid-state laser crystal 52. Thereby, the solid-state laser crystal 52 can be efficiently excited.

【0037】また、図6に示す例では、光集束器10と
レーザ共振器63との間に結合レンズ55が配置されて
いる。レーザ共振器63は図4に示したレーザ共振器6
1と同じ構成である。
In the example shown in FIG. 6, a coupling lens 55 is disposed between the optical concentrator 10 and the laser resonator 63. The laser resonator 63 is the laser resonator 6 shown in FIG.
This is the same configuration as in FIG.

【0038】この他、アレイ型半導体レーザ用結合装置
から射出された高密度LD光9を図5及び図6に示した
ように、結合レンズ55を用いて集光させ固体レーザ結
晶52に入射する代わりに図7に示すように、伝送用光
ファイバ56に入射させる装置としてもよい。
In addition, as shown in FIGS. 5 and 6, the high-density LD light 9 emitted from the array type semiconductor laser coupling device is condensed using the coupling lens 55 and is incident on the solid-state laser crystal 52. Instead, as shown in FIG. 7, a device for making the light enter the transmission optical fiber 56 may be used.

【0039】以上により、アレイ型用半導体レーザ1か
らのLD光4をシリンドリカルレンズ3及び光導波路6
のみにより集光できるため、構造が簡単となる。これに
より、3次元的な位置合わせが不要となり、長期的な精
度の安定性の確保も容易となる。さらには、製造コスト
を下げられるとともに長尺な空間伝搬部を装置内に含ま
ないことによる装置の小型化が図れる。 (第2の実施形態)次に、本発明の第2の実施形態を、
図8に示すアレイ型半導体レーザ用結合装置の平面図を
用いて説明する。
As described above, the LD light 4 from the array-type semiconductor laser 1 is transferred to the cylindrical lens 3 and the optical waveguide 6.
Since the light can be condensed only by the light, the structure is simplified. This eliminates the need for three-dimensional positioning and facilitates securing long-term accuracy stability. Further, the manufacturing cost can be reduced, and the device can be downsized by not including a long space propagation section in the device. (Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described.
This will be described with reference to a plan view of the coupling device for an array type semiconductor laser shown in FIG.

【0040】基本的構成は第1の実施形態と同様である
が、第1の実施形態では光収束器10は、LD光4が結
合部7で結合された複数の光導波路6により集光される
ものであったが、これに対し、本実施形態では複数の光
導波路6の代わりに、光収束器20は射出口18に近づ
くにつれ導波路幅が狭くなっている形状の、1本の光導
波路16により集光するものである。
Although the basic configuration is the same as that of the first embodiment, in the first embodiment, the light converging device 10 condenses the LD light 4 by a plurality of optical waveguides 6 coupled by the coupling unit 7. On the other hand, in the present embodiment, instead of the plurality of optical waveguides 6, the light converging device 20 has one optical waveguide having a shape in which the waveguide width becomes narrower as approaching the emission port 18. The light is condensed by the wave path 16.

【0041】光導波路16に入射した各LD光14は進
行方向に進むにつれ、各LD光14間の間隔が光導波路
16の形状にならって狭まってゆき、射出口18近傍で
遂に結合され、射出口18より高密度LD光19として
射出される。
As the LD light 14 incident on the optical waveguide 16 advances in the traveling direction, the interval between the LD light 14 narrows according to the shape of the optical waveguide 16, and is finally coupled near the exit port 18, and the light is emitted. The light is emitted from the exit 18 as high-density LD light 19.

【0042】本実施形態の光導波路16は、光導波路1
6の入射口15の開口幅はシリンドリカルレンズ13に
より変換されたLD光14を入射できるだけの幅を有す
る1つの開口部であるため、製造時にアレイ型用半導体
レーザ11の光放射面12の配列ピッチを考慮すること
なく製造できる。 (第3の実施形態)上記実施形態では1つのアレイ型半
導体レーザ1、11に対する集光に関して説明したが、
以下に、複数のアレイ型半導体レーザ群からのLD光群
を集光するアレイ型半導体レーザ用結合装置に関して説
明する。
The optical waveguide 16 of the present embodiment is the same as the optical waveguide 1
6 is an opening having a width enough to allow the LD light 14 converted by the cylindrical lens 13 to enter, the arrangement pitch of the light emitting surface 12 of the array type semiconductor laser 11 during manufacturing. It can be manufactured without taking into account. (Third Embodiment) In the above-described embodiment, the description has been given with respect to the focusing on one array type semiconductor laser 1 or 11.
In the following, a description will be given of an array-type semiconductor laser coupling device for condensing LD light groups from a plurality of array-type semiconductor laser groups.

【0043】図9に本発明の第3の実施形態であるアレ
イ型半導体レーザ用結合装置の平面図を示す。
FIG. 9 is a plan view showing a coupling device for an array type semiconductor laser according to a third embodiment of the present invention.

【0044】本実施形態のアレイ型半導体レーザ用結合
装置は、アレイ型半導体レーザ21、シリンドリカルレ
ンズ23及び光集束器30a、すなわち、第1の実施形
態で示したアレイ型半導体レーザ用結合装置が並列に配
列されたものに、さらに、光収束器30bを加えたもの
である。光収束器30bは、2つの接続口25bと射出
口28bとからなるY字形状のY字光導波路26bを有
する構造となっている。2つの光集束器30aと追加さ
れた光集束器30bとは、光集束器30aの射出口28
aと、光集束器30bの接続口25bとで接続されてい
る。
The coupling device for an array type semiconductor laser according to the present embodiment includes an array type semiconductor laser 21, a cylindrical lens 23, and a light concentrator 30a, that is, the coupling device for an array type semiconductor laser shown in the first embodiment is connected in parallel. And a light converging device 30b is further added to those arranged in FIG. The light converging device 30b has a structure having a Y-shaped optical waveguide 26b formed of two connection ports 25b and an emission port 28b. The two light concentrators 30a and the added light concentrator 30b are connected to the exit 28 of the light concentrator 30a.
a and the connection port 25b of the optical concentrator 30b.

【0045】各アレイ型半導体レーザ21から射出され
たLD光24は、2つの第1の実施形態で示したアレイ
型半導体レーザ用結合装置によりそれぞれ結合された
後、射出口28から射出され、光収束器30bの接続口
25bからY字光導波路26bへ入射し、結合部27b
でさらに結合される。そして、高密度LD光29となっ
て、射出口28bから射出される。
The LD light 24 emitted from each array-type semiconductor laser 21 is respectively coupled by the two coupling devices for array-type semiconductor lasers shown in the first embodiment, and then is emitted from an emission port 28, and The light enters the Y-shaped optical waveguide 26b from the connection port 25b of the converging device 30b, and is connected to the coupling portion 27b.
Are further combined. Then, it becomes high-density LD light 29 and is emitted from the emission port 28b.

【0046】なお、もう1組の本実施形態のアレイ型半
導体レーザ用結合装置を並列に配列し、それぞれの光収
束器30bの射出口28bにさらに、Y字形状光導波路
を接続してさらにLD光密度を高める構成としてもよ
い。また、この構成は2組以上のアレイ型半導体レーザ
用結合装置を用い、Y字形状光導波路を直列に複数段重
ねる構成としてもよい。
It is to be noted that another set of array type semiconductor laser coupling devices of the present embodiment is arranged in parallel, and a Y-shaped optical waveguide is further connected to the emission port 28b of each light converging device 30b to further form an LD. It is good also as a structure which raises a light density. In addition, the configuration may be such that two or more sets of coupling devices for an array type semiconductor laser are used, and a plurality of Y-shaped optical waveguides are stacked in series.

【0047】また、本実施形態での説明には第1の実施
形態で示したアレイ型半導体レーザ用結合装置を用いた
が、第2の実施形態で示したアレイ型半導体レーザ用結
合装置を用いてもよい。 (第4の実施形態)図10に本発明の第4の実施形態で
あるアレイ型半導体レーザ用結合装置の平面図を示す。
In the description of this embodiment, the coupling device for array type semiconductor laser shown in the first embodiment is used, but the coupling device for array type semiconductor laser shown in the second embodiment is used. You may. (Fourth Embodiment) FIG. 10 is a plan view of an array type semiconductor laser coupling device according to a fourth embodiment of the present invention.

【0048】本実施形態のアレイ型半導体レーザ用結合
装置は、並列に配置された複数のアレイ型半導体レーザ
31と、複数のアレイ型半導体レーザ31の光放射面3
2数と同数で、配列ピッチも同じの入射口35の形成さ
れた光導波路36を有する光収束器40とで構成され
る。
The coupling device for an array type semiconductor laser according to the present embodiment includes a plurality of array type semiconductor lasers 31 arranged in parallel and a light emitting surface 3 of the plurality of array type semiconductor lasers 31.
A light converging device 40 having an optical waveguide 36 formed with an entrance 35 having the same number as two and the same arrangement pitch.

【0049】各LD光34の集光及び結合は第1の実施
形態と全く同様であるため省略するが、複数のアレイ型
半導体レーザ31に対して、本実施形態の構成とするこ
とで部品点数を削減することができる。
The collection and coupling of each LD light 34 is exactly the same as in the first embodiment, and therefore will not be described. However, the configuration of this embodiment is applied to a plurality of array type semiconductor lasers 31 to reduce the number of parts. Can be reduced.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ア
レイ型半導体レーザ用光結合装置は、アレイ型半導体レ
ーザから放射され、シリンドリカルレンズで平行光に変
換された複数のレーザ光の入射する入射部と、これら各
レーザ光が進行するにしたがってその間隔を狭める集束
部と、集束部で集束された各レーザ光を1つに結合する
結合部と、結合部で結合されたレーザ光を射出する射出
部とが一体的に形成された光導波路板を有することで、
部品点数が削減されるとともに、レーザ光集束のための
光学系の精密な位置合わせが不必要となるばかりでな
く、長期にわたり安定的な精度が確保される。また、こ
れに加えて、レーザ光の空間伝搬部を装置内に設ける必
要がなくなった。
As described above, according to the present invention, an optical coupling device for an array type semiconductor laser receives a plurality of laser beams emitted from the array type semiconductor laser and converted into parallel light by a cylindrical lens. Incident part, focusing part that narrows the interval as each of these laser lights progresses, coupling part that combines each laser light focused by the focusing part, and emits the laser light that is coupled by the coupling part By having the optical waveguide plate integrally formed with the emitting portion to be
Not only the number of parts is reduced, but also precise positioning of the optical system for focusing the laser beam is not required, and stable accuracy is secured for a long period of time. In addition, it is no longer necessary to provide a laser beam spatial propagation section in the device.

【0051】これにより、アレイ型半導体レーザ用光結
合装置の製作及び実装が容易となり、製造コストを下げ
ることができ、また、小型で、長期的に安定な精度を確
保することができる。
As a result, the manufacture and mounting of the optical coupling device for an array type semiconductor laser can be facilitated, the manufacturing cost can be reduced, and the small-sized and long-term stable accuracy can be secured.

【0052】また、本発明のアレイ型半導体レーザを用
いた固体レーザ装置も同様の効果が得られる。
Further, a solid-state laser device using the array-type semiconductor laser of the present invention can provide the same effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施形態のアレイ型半導体レー
ザ用結合装置の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of an array type semiconductor laser coupling device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1で示したアレイ型半導体レーザ用結合装置
の側面図である。
FIG. 2 is a side view of the coupling device for an array type semiconductor laser shown in FIG.

【図3】アレイ型用半導体レーザ励起固体レーザ装置の
一実施例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing one embodiment of a semiconductor laser pumped solid-state laser device for array type.

【図4】アレイ型用半導体レーザ励起固体レーザ装置の
その他の実施例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing another embodiment of the semiconductor laser pumped solid-state laser device for array type.

【図5】結合レンズを有するアレイ型用半導体レーザ励
起固体レーザ装置の一実施例を示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing an embodiment of an array type semiconductor laser pumped solid-state laser device having a coupling lens.

【図6】結合レンズを有するアレイ型用半導体レーザ励
起固体レーザ装置のその他の実施例を示す平面図であ
る。
FIG. 6 is a plan view showing another embodiment of an array type semiconductor laser-excited solid-state laser device having a coupling lens.

【図7】図1で示したアレイ型半導体レーザ用結合装置
により伝送用光ファイバへレーザ光を入射させる装置の
平面図である。
FIG. 7 is a plan view of a device that causes a laser beam to be incident on a transmission optical fiber by the array type semiconductor laser coupling device shown in FIG. 1;

【図8】本発明の第2の実施形態であるアレイ型半導体
レーザ用結合装置の平面図である。
FIG. 8 is a plan view of an array type semiconductor laser coupling device according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施形態であるアレイ型半導体
レーザ用結合装置の平面図である。
FIG. 9 is a plan view of an array type semiconductor laser coupling device according to a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第4の実施形態であるアレイ型半導
体レーザ用結合装置の平面図である。
FIG. 10 is a plan view of an array type semiconductor laser coupling device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図11】アレイ型半導体レーザの光放射面から放射さ
れる各レーザ光の発散角を説明する図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating the divergence angle of each laser beam emitted from the light emitting surface of the array type semiconductor laser.

【図12】従来のアレイ型半導体レーザ用結合装置の構
成を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a configuration of a conventional coupling device for an array type semiconductor laser.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、11、21、31、100、111 アレイ型半
導体レーザ 2、12、22、32、101、112 光放射面 2a、12a、22a、32a、101a、112a
光放射部 3,13、23、33、113a、113b シリン
ドリカルレンズ 4、14、24、34、102、114 LD光 5、15、25a、35 入射口 25b 接続口 6、16、26a、36 光導波路 26b Y字光導波路 7、17、27a、27b、37 結合部 8、18、28a、28b、38 射出口 9、19、29、39 高密度LD光 10、20、30a、30b 光集束器 51a、53 共振器ミラー 51b 共振器ミラー膜 52 固体レーザ結晶 54 固体レーザ光 55 結合レンズ 56 伝送用光ファイバ 60、61、62、63 レーザ共振器 115 光路変換器 116 集光レンズ 117 結合光学装置
1, 11, 21, 31, 100, 111 Array type semiconductor laser 2, 12, 22, 32, 101, 112 Light emitting surface 2a, 12a, 22a, 32a, 101a, 112a
Light radiating section 3, 13, 23, 33, 113a, 113b Cylindrical lens 4, 14, 24, 34, 102, 114 LD light 5, 15, 25a, 35 Entrance port 25b Connection port 6, 16, 26a, 36 Optical waveguide 26b Y-shaped optical waveguides 7, 17, 27a, 27b, 37 Couplings 8, 18, 28a, 28b, 38 Outlets 9, 19, 29, 39 High-density LD light 10, 20, 30a, 30b Optical concentrator 51a, 53 resonator mirror 51b resonator mirror film 52 solid-state laser crystal 54 solid-state laser light 55 coupling lens 56 transmission optical fiber 60, 61, 62, 63 laser resonator 115 optical path converter 116 condenser lens 117 coupling optical device

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の光放射部が直線状に配列され、前
記各光放射部から複数のレーザ光を放射するアレイ型半
導体レーザと、前記アレイ型半導体レーザから放射され
た各レーザ光をそれぞれ平行光とするシリンドリカルレ
ンズと、前記シリンドリカルレンズで平行光とされた各
レーザ光を集束させる光集束器とを有するアレイ型半導
体レーザ用光結合装置において、 前記光集束器は、前記各レーザ光が入射する入射部と、 前記入射部から入射した前記各レーザ光が進行するにし
たがって前記各レーザ光間の間隔を狭める集束部と、 前記集束部で集束された前記各レーザ光を1つに結合す
る結合部と、 前記結合部で結合されたレーザ光を射出する射出部とか
らなる光導波路を有することを特徴とするアレイ型半導
体レーザ用光結合装置。
An array type semiconductor laser in which a plurality of light emitting portions are linearly arranged, and a plurality of laser beams are emitted from each of the light emitting portions; In an optical coupling device for an array-type semiconductor laser, comprising: a cylindrical lens that forms parallel light; and a light concentrator that converges each laser light that has been converted into parallel light by the cylindrical lens. An incident part to be incident, a focusing part that narrows an interval between the laser lights as the laser light incident from the incident part progresses, and combine the laser lights focused by the focusing part into one. An optical coupling device for an array-type semiconductor laser, comprising: an optical waveguide including a coupling portion that performs coupling and an emission portion that emits the laser light coupled by the coupling portion.
【請求項2】 前記入射部は、前記各光放射部の配列に
1対1で対応する位置に複数個配列され、前記集束部
は、前記結合部に達するまで、前記各レーザ光が互いに
干渉しない構造である請求項1に記載のアレイ型半導体
レーザ用光結合装置。
2. A plurality of the incident portions are arranged at positions corresponding to the arrangement of the light emitting portions on a one-to-one basis, and the focusing portions interfere with each other until the laser beams reach the coupling portion. 2. The optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to claim 1, wherein the optical coupling device has a structure not to perform.
【請求項3】 前記アレイ型半導体レーザが、各光放射
部が全て直線状に配列されるように、複数個並列に配列
された請求項1または2に記載のアレイ型半導体レーザ
用光結合装置。
3. The optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to claim 1, wherein a plurality of the array-type semiconductor lasers are arranged in parallel such that all the light emitting portions are arranged linearly. .
【請求項4】 前記入射部は、前記シリンドリカルレン
ズから放射された前記各レーザ光を全て入射できる開口
幅を有する請求項1に記載のアレイ型半導体レーザ用光
結合装置。
4. The optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to claim 1, wherein the incident portion has an opening width through which all the laser beams emitted from the cylindrical lens can be incident.
【請求項5】 伝送用光ファイバに前記射出部から射出
されたレーザ光を集光させるための結合レンズを有する
請求項1ないし4のいずれか1項に記載のアレイ型半導
体レーザ用光結合装置。
5. The optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to claim 1, further comprising a coupling lens for converging the laser light emitted from the emission section onto the transmission optical fiber. .
【請求項6】 アレイ型半導体レーザ、シリンドリカル
レンズ及び光集束器がそれぞれ複数個ずつ並列に配列さ
れ、 前記各光集束器からそれぞれ射出された各レーザ光をさ
らに1つに結合するために、 前記各レーザ光が入射する入射部と、 前記入射部から入射した前記各レーザ光が進行するにし
たがって前記各レーザ光間の間隔を狭める集束部と、 前記集束部で集束された前記各レーザ光を1つに結合す
る結合部と、 前記結合部で結合されたレーザ光を射出する射出部とか
らなる光導波路を備えた前記各光集束器とは別の光集束
器を有する請求項1または2に記載のアレイ型半導体レ
ーザ用光結合装置。
6. A plurality of array-type semiconductor lasers, cylindrical lenses, and light concentrators are respectively arranged in parallel, and the laser light emitted from each of the light concentrators is further combined into one. An incident section on which each laser beam is incident; a focusing section for narrowing an interval between the laser beams as the laser beams incident from the incident section advance; and a laser beam focused by the focusing section. 3. The optical concentrator according to claim 1, further comprising a light concentrator different from each of the light concentrators provided with an optical waveguide including a coupling unit coupled to one and an emission unit that emits the laser light coupled by the coupling unit. 4. 4. The optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to item 1.
【請求項7】 伝送用光ファイバに前記光集束結合部の
射出部から射出されたレーザ光を集光させるための結合
レンズを有する請求項5に記載のアレイ型半導体レーザ
用光結合装置。
7. The optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to claim 5, further comprising a coupling lens for converging the laser light emitted from the emission portion of the light focusing coupling portion to the transmission optical fiber.
【請求項8】 請求項1ないし4、または6に記載のア
レイ型半導体レーザ用光結合装置と、 前記アレイ型半導体レーザ用光結合装置から射出される
レーザ光が入射されることで固体レーザを放射し、前記
固体レーザを増幅してから射出する固体レーザ共振器と
を有するアレイ型半導体レーザ励起固体レーザ装置。
8. An optical coupling device for an array-type semiconductor laser according to claim 1, wherein the solid-state laser is irradiated with a laser beam emitted from the optical coupling device for an array-type semiconductor laser. A solid-state laser resonator that emits light, amplifies the solid-state laser, and then emits the amplified solid-state laser.
【請求項9】 前記固体レーザ共振器は、固体レーザ結
晶及び複数のレーザ反射部材とを有する請求項8に記載
のアレイ型半導体レーザ励起固体レーザ装置。
9. The array-type semiconductor laser-pumped solid-state laser device according to claim 8, wherein said solid-state laser resonator includes a solid-state laser crystal and a plurality of laser reflecting members.
【請求項10】 前記固体レーザ共振器にアレイ型半導
体レーザ用光結合装置から射出されたレーザ光を集光さ
せるための結合レンズを有する請求項8または9に記載
のアレイ型半導体レーザ励起固体レーザ装置。
10. The array-type semiconductor laser-pumped solid-state laser according to claim 8, further comprising a coupling lens for condensing the laser light emitted from the optical coupling device for an array-type semiconductor laser in the solid-state laser resonator. apparatus.
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