JP2000019336A - 光分波器 - Google Patents
光分波器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 構造を簡単化して経済化を図る。
【解決手段】 半導体基板３上に、光ファイバ４の端末
部と、第１及び第２受光素子７’，８がこの順に、微小
間隔をもって、一直線に沿って取り付けられる。光ファ
イバ４は、波長の異なる第１及び第２の光を伝搬して、
第１受光素子７’に入射する。第１受光素子７’は、端
面受光型の光素子であって、一方の端面に入射された第
１の光を吸収して光電変換し、第２の光を透過して他方
の端面より第２受光素子８に入射する。第２受光素子８
は、入射された第２の光を光電変換する。
部と、第１及び第２受光素子７’，８がこの順に、微小
間隔をもって、一直線に沿って取り付けられる。光ファ
イバ４は、波長の異なる第１及び第２の光を伝搬して、
第１受光素子７’に入射する。第１受光素子７’は、端
面受光型の光素子であって、一方の端面に入射された第
１の光を吸収して光電変換し、第２の光を透過して他方
の端面より第２受光素子８に入射する。第２受光素子８
は、入射された第２の光を光電変換する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は波長の異なる複数
の光を分波して光電変換する光分波器に関し、特にその
構造を簡単化し、コスト低減を図ったものである。
の光を分波して光電変換する光分波器に関し、特にその
構造を簡単化し、コスト低減を図ったものである。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】従来のこ
の種の光分波器は、図７Ａ，Ｂに示すような方向性結合
器型のものと、図７Ｃ，Ｄに示すようなフィルタ型が主
流であった。このような光分波器には半導体基板３に光
導波路５，６を形成しなければならず、また光ファイバ
４と光導波路５との調芯固定を必要とする。従来の光分
波器はこのように構造が複雑で高価になる問題があっ
た。
の種の光分波器は、図７Ａ，Ｂに示すような方向性結合
器型のものと、図７Ｃ，Ｄに示すようなフィルタ型が主
流であった。このような光分波器には半導体基板３に光
導波路５，６を形成しなければならず、また光ファイバ
４と光導波路５との調芯固定を必要とする。従来の光分
波器はこのように構造が複雑で高価になる問題があっ
た。
【０００３】
【課題を解決するための手段】（１） 請求項１の光分
波器は、半導体基板上に、光ファイバの端末部と、第１
及び第２受光素子がこの順に、微小間隔をもって、一直
線に沿って取り付けられる。光ファイバは、波長の異な
る第１及び第２の光を伝搬して第１受光素子に入射す
る。第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、
第２の光を透過して他方の端面より第２受光素子に入射
する。第２受光素子は、入射された第２の光を光電変換
する。 （２）請求項２の光分波器は、半導体基板上に、光ファ
イバの端末部と、第１、第２及び第３受光素子がこの順
に、微小間隔をもって、一直線に沿って取り付けられ
る。光ファイバは波長の異なる第１、第２及び第３の光
を伝搬して第１受光素子に入射する。第１受光素子は、
端面受光型の光素子であって、一方の端面に入射された
第１の光を吸収して光電変換し、第２、第３の光を透過
して他方の端面より第２受光素子に入射する。第２受光
素子は、端面受光型の光素子であって、一方の端面に入
射された第２の光で吸収して光電変換し、第３の光を透
過して他方の端面より第３受光素子に入射する。第３受
光素子は、入射された第３の光を光電変換する。 （３）請求項３の光分波器は、半導体基板上に、光ファ
イバの端末部と第１及び第２受光素子がこの順に、微小
間隔をもって、一直線に沿って取り付けられる。光ファ
イバは、外部より一端に入射された波長λ１の第１の光
と、波長λ２（λ２≠λ１）の変調光（第２の光と言
う）または無変調光（第３の光と言う）のいずれか一方
とを伝搬して、端末部より前記第１受光素子に入射す
る。第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、
第２または第３の光を透過して他方の端面より第２受光
素子に入射する。第２受光素子は、反射変調素子であっ
て、第２の光が一方の端面に入射されたとき、その光を
吸収して光電変換し、第３の光が入射されたとき、その
光を他方の端面に設けられたミラーで反射させると共に
その反射光を変調して、一方の端面より第１受光素子に
入射する。第１受光素子は、第２受光素子より入射され
た変調光を透過して光ファイバに入射する。光ファイバ
は第１受光素子より入射された変調光を伝搬して一端よ
り外部に放射する。 （４）請求項４の発明は、前記（１）乃至（３）いずれ
かにおいて、半導体基板に光ファイバの端末部を整列さ
せるためのＶ溝が形成されているものである。 （５）請求項５の発明は、前記（３）において、第２受
光素子が前記無変調光を反射させると同時にその反射光
強度を変調するようにしたものである。
波器は、半導体基板上に、光ファイバの端末部と、第１
及び第２受光素子がこの順に、微小間隔をもって、一直
線に沿って取り付けられる。光ファイバは、波長の異な
る第１及び第２の光を伝搬して第１受光素子に入射す
る。第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、
第２の光を透過して他方の端面より第２受光素子に入射
する。第２受光素子は、入射された第２の光を光電変換
する。 （２）請求項２の光分波器は、半導体基板上に、光ファ
イバの端末部と、第１、第２及び第３受光素子がこの順
に、微小間隔をもって、一直線に沿って取り付けられ
る。光ファイバは波長の異なる第１、第２及び第３の光
を伝搬して第１受光素子に入射する。第１受光素子は、
端面受光型の光素子であって、一方の端面に入射された
第１の光を吸収して光電変換し、第２、第３の光を透過
して他方の端面より第２受光素子に入射する。第２受光
素子は、端面受光型の光素子であって、一方の端面に入
射された第２の光で吸収して光電変換し、第３の光を透
過して他方の端面より第３受光素子に入射する。第３受
光素子は、入射された第３の光を光電変換する。 （３）請求項３の光分波器は、半導体基板上に、光ファ
イバの端末部と第１及び第２受光素子がこの順に、微小
間隔をもって、一直線に沿って取り付けられる。光ファ
イバは、外部より一端に入射された波長λ１の第１の光
と、波長λ２（λ２≠λ１）の変調光（第２の光と言
う）または無変調光（第３の光と言う）のいずれか一方
とを伝搬して、端末部より前記第１受光素子に入射す
る。第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、
第２または第３の光を透過して他方の端面より第２受光
素子に入射する。第２受光素子は、反射変調素子であっ
て、第２の光が一方の端面に入射されたとき、その光を
吸収して光電変換し、第３の光が入射されたとき、その
光を他方の端面に設けられたミラーで反射させると共に
その反射光を変調して、一方の端面より第１受光素子に
入射する。第１受光素子は、第２受光素子より入射され
た変調光を透過して光ファイバに入射する。光ファイバ
は第１受光素子より入射された変調光を伝搬して一端よ
り外部に放射する。 （４）請求項４の発明は、前記（１）乃至（３）いずれ
かにおいて、半導体基板に光ファイバの端末部を整列さ
せるためのＶ溝が形成されているものである。 （５）請求項５の発明は、前記（３）において、第２受
光素子が前記無変調光を反射させると同時にその反射光
強度を変調するようにしたものである。
【０００４】
【発明の実施の形態】（１） 実地例１ 請求項１の実地例を図１に、図７と対応する部分に同じ
符号を付けて示す。この発明では、従来のＶ溝基板２を
半導体基板３と一体化し、相互の調芯固定を不要にして
いる。また、半導体基板３に光導波路を設けず、光を空
隙を介して光素子７’，８に入射させている。
符号を付けて示す。この発明では、従来のＶ溝基板２を
半導体基板３と一体化し、相互の調芯固定を不要にして
いる。また、半導体基板３に光導波路を設けず、光を空
隙を介して光素子７’，８に入射させている。
【０００５】半導体基板３上に、光ファイバ４の端末部
と、第１及び第２受光素子７’，８がこの順に、微小間
隔をもって、一直線に沿って取り付けられる。光ファイ
バ４は、波長の異なる第１及び第２の光を伝搬して、第
１受光素子７’に入射する。例えば第１の光の波長λ１
≒１．３μｍであり第２の光の波長λ２≒１．５５μｍ
とされている。第１受光素子７’は、端面受光型の光素
子（例えばフォトダイオード）であって、一方の端面に
入射された第１の光を吸収して光電変換し、第２の光を
透過して他方の端面より第２受光素子８に入射する。第
２受光素子８は、入射された第２の光を光電変換する。
と、第１及び第２受光素子７’，８がこの順に、微小間
隔をもって、一直線に沿って取り付けられる。光ファイ
バ４は、波長の異なる第１及び第２の光を伝搬して、第
１受光素子７’に入射する。例えば第１の光の波長λ１
≒１．３μｍであり第２の光の波長λ２≒１．５５μｍ
とされている。第１受光素子７’は、端面受光型の光素
子（例えばフォトダイオード）であって、一方の端面に
入射された第１の光を吸収して光電変換し、第２の光を
透過して他方の端面より第２受光素子８に入射する。第
２受光素子８は、入射された第２の光を光電変換する。
【０００６】端面受光型フォトダイオードは図２に示す
ように、底面に陰電極３１の形成されたｎ型ＩｎＰ基板
３２の上面にｎ型ＩｎＰよりなるバッファ層３３が形成
され、その上にｎ型ＩｎＰより成るクラッド層３４が形
成され、その上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰより成る光導波層
３５が形成され、その上にＩｎＧａＡｓより成る光吸収
層３６が形成される。光吸収層３６上にｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰより成る光導波層３７が形成され、その上にｐ型Ｉ
ｎＰより成るクラッド層３８が形成され、その上にｐ型
ＩｎＧａＡｓより成るコンタクト層３９が形成され、そ
の上に陽電極４０が形成される。この例ではコンタクト
層３９上の図において右端部を除く左端部及び中央部に
ＳｉＯ2 より成る絶縁膜４１が形成されているが、省略
する場合もある。
ように、底面に陰電極３１の形成されたｎ型ＩｎＰ基板
３２の上面にｎ型ＩｎＰよりなるバッファ層３３が形成
され、その上にｎ型ＩｎＰより成るクラッド層３４が形
成され、その上にｎ型ＩｎＧａＡｓＰより成る光導波層
３５が形成され、その上にＩｎＧａＡｓより成る光吸収
層３６が形成される。光吸収層３６上にｐ型ＩｎＧａＡ
ｓＰより成る光導波層３７が形成され、その上にｐ型Ｉ
ｎＰより成るクラッド層３８が形成され、その上にｐ型
ＩｎＧａＡｓより成るコンタクト層３９が形成され、そ
の上に陽電極４０が形成される。この例ではコンタクト
層３９上の図において右端部を除く左端部及び中央部に
ＳｉＯ2 より成る絶縁膜４１が形成されているが、省略
する場合もある。
【０００７】光Ｌ（Ｌ１＋Ｌ２）は積層体の図において
右側より光吸収層３６とその下側及び上側の光導波層３
５及び３７の端面に入射され、光Ｌ１は光吸収層３６で
吸収されて光電変換される。光Ｌ２はそのまま透過して
他端より放射される。光吸収層３６内にｐｎ接合が形成
され、光Ｌ１に対応する電圧Ｖが陰電極１１と陽電極４
０との間に発生する。
右側より光吸収層３６とその下側及び上側の光導波層３
５及び３７の端面に入射され、光Ｌ１は光吸収層３６で
吸収されて光電変換される。光Ｌ２はそのまま透過して
他端より放射される。光吸収層３６内にｐｎ接合が形成
され、光Ｌ１に対応する電圧Ｖが陰電極１１と陽電極４
０との間に発生する。
【０００８】光吸収層３６は、光Ｌ１を吸収し、光Ｌ２
を透過する。一方、光導波層３５，３７は、光Ｌ１とＬ
２を透過させる。光導波層３５とクラッド層３４、及び
光導波層３７とクラッド層３８は光ファイバのコアとク
ラッドにそれぞれ対応するもので、光導波層の屈折率は
高く、クラッド層の屈折率は低く、光は光導波層とクラ
ッド層との境界面で全反射され、クラッド層内に洩れな
いようにされている。光Ｌ１は光吸収層３６と光導波層
３５、３７内にとじ込められ、光吸収層３６で吸収され
る。
を透過する。一方、光導波層３５，３７は、光Ｌ１とＬ
２を透過させる。光導波層３５とクラッド層３４、及び
光導波層３７とクラッド層３８は光ファイバのコアとク
ラッドにそれぞれ対応するもので、光導波層の屈折率は
高く、クラッド層の屈折率は低く、光は光導波層とクラ
ッド層との境界面で全反射され、クラッド層内に洩れな
いようにされている。光Ｌ１は光吸収層３６と光導波層
３５、３７内にとじ込められ、光吸収層３６で吸収され
る。
【０００９】この光Ｌ１を吸収し光電変換する動作は、
積層体の図において右端部で大部分が行われるので、陽
電極４０は右端部のコンタクト層３９と接触していれば
よい。光吸収層３６のＩｎＧａＡｓの組成比を変えるこ
とにより吸収する波長を変えることができる。Ｓi 等の
半導体基板３上にＶ溝９と位置合わせマーカ１４を同一
マスクで異方性エッチングにより形成した後、電極１０
〜１３を蒸着等により形成する。電極１０，１２には受
光素子７’，８を実装するための半田バンプを形成す
る。受光素子７’，８にも電極形成時に位置合わせマー
カを形成しておく。基板３に素子７’，８を取り付ける
には、両者の間に赤外線カメラを挿入して、両者の位置
合わせマーカを同時に観察し、位置合わせを行った後、
熱加圧して、半田バンプにより接合する。これにより受
光素子７’，８の底面の電極が電極１０，１２に半田付
けされる。受光素子７’，８の上面の電極はワイヤボン
ディングにより電極１１，１３にそれぞれ接続される。
光ファイバ４，受光素子７’，８を取り付け後、図１に
示すように透明樹脂３０で保護するのが望ましい。 （２）実地例２ 請求項２の光分波器は図３に示すように、半導体基板３
上に、光ファイバ４の端末部と、第１、第２及び第３受
光素子７’，８’，９がこの順に、微小間隔をもって、
一直線に沿って取り付けらる。光ファイバ４は波長の異
なる第１、第２及び第３の光（波長をλ１，λ２，λ３
とする）を伝搬して第１受光素子７’に入射する。第１
受光素子７’は、端面受光型の光素子であって、一方の
端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、第
２、第３の光を透過して他方の端面より第２受光素子
８’に入射する。第２受講素子８’は、端面受光型の光
素子であって、一方の端面に入射された第２の光で吸収
して光電変換し、第３の光を透過して他方の端面より第
３受光素子９に入射する。第３受光素子９は、入射され
た第３の光を光電変換する。 （３）実施例３ 請求項３の光分波器は、図４に示すように、半導体基板
３上に、光ファイバ４の端末部と第１及び第２受光素子
７’，１９がこの順に、微小間隔をもって、一直線に沿
って取り付けらる。光ファイバ４は、外部より一端に入
射された波長λ１の第１の光Ｌ１と、波長λ２（λ２＋
λ１）の変調光（第２の光と言う）または無変調光（第
３の光と言う）のいずれか一方を伝搬して、端末部より
第１受光素子７’に入射する。
積層体の図において右端部で大部分が行われるので、陽
電極４０は右端部のコンタクト層３９と接触していれば
よい。光吸収層３６のＩｎＧａＡｓの組成比を変えるこ
とにより吸収する波長を変えることができる。Ｓi 等の
半導体基板３上にＶ溝９と位置合わせマーカ１４を同一
マスクで異方性エッチングにより形成した後、電極１０
〜１３を蒸着等により形成する。電極１０，１２には受
光素子７’，８を実装するための半田バンプを形成す
る。受光素子７’，８にも電極形成時に位置合わせマー
カを形成しておく。基板３に素子７’，８を取り付ける
には、両者の間に赤外線カメラを挿入して、両者の位置
合わせマーカを同時に観察し、位置合わせを行った後、
熱加圧して、半田バンプにより接合する。これにより受
光素子７’，８の底面の電極が電極１０，１２に半田付
けされる。受光素子７’，８の上面の電極はワイヤボン
ディングにより電極１１，１３にそれぞれ接続される。
光ファイバ４，受光素子７’，８を取り付け後、図１に
示すように透明樹脂３０で保護するのが望ましい。 （２）実地例２ 請求項２の光分波器は図３に示すように、半導体基板３
上に、光ファイバ４の端末部と、第１、第２及び第３受
光素子７’，８’，９がこの順に、微小間隔をもって、
一直線に沿って取り付けらる。光ファイバ４は波長の異
なる第１、第２及び第３の光（波長をλ１，λ２，λ３
とする）を伝搬して第１受光素子７’に入射する。第１
受光素子７’は、端面受光型の光素子であって、一方の
端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、第
２、第３の光を透過して他方の端面より第２受光素子
８’に入射する。第２受講素子８’は、端面受光型の光
素子であって、一方の端面に入射された第２の光で吸収
して光電変換し、第３の光を透過して他方の端面より第
３受光素子９に入射する。第３受光素子９は、入射され
た第３の光を光電変換する。 （３）実施例３ 請求項３の光分波器は、図４に示すように、半導体基板
３上に、光ファイバ４の端末部と第１及び第２受光素子
７’，１９がこの順に、微小間隔をもって、一直線に沿
って取り付けらる。光ファイバ４は、外部より一端に入
射された波長λ１の第１の光Ｌ１と、波長λ２（λ２＋
λ１）の変調光（第２の光と言う）または無変調光（第
３の光と言う）のいずれか一方を伝搬して、端末部より
第１受光素子７’に入射する。
【００１０】第１受光素子７’は、端面受光型の光素子
であって、一方の端面に入射された第１の光を吸収して
光電変換し、第２又は第３の光を透過して他方の端面よ
り第２受光素子１９に入射する。第２受光素子１９は、
後述の反射変調素子であって、第２の光が一方の端面に
入射されたとき、その光を吸収して光電変換し、第３の
光が入射されたとき、その光を他方の端面に設けられた
ミラー２１で反射させると共にその反射光強度を変調し
て、一方の端面より第１受光素子７’に入射する。第１
受光素子７’は、第２受光素子１９より入射された変調
光を透過して光ファイバ４に入射し、光ファイバ４は入
射されたその変調光を伝搬して一端より外部に放射す
る。
であって、一方の端面に入射された第１の光を吸収して
光電変換し、第２又は第３の光を透過して他方の端面よ
り第２受光素子１９に入射する。第２受光素子１９は、
後述の反射変調素子であって、第２の光が一方の端面に
入射されたとき、その光を吸収して光電変換し、第３の
光が入射されたとき、その光を他方の端面に設けられた
ミラー２１で反射させると共にその反射光強度を変調し
て、一方の端面より第１受光素子７’に入射する。第１
受光素子７’は、第２受光素子１９より入射された変調
光を透過して光ファイバ４に入射し、光ファイバ４は入
射されたその変調光を伝搬して一端より外部に放射す
る。
【００１１】図３及び図４においても、前記半導体基板
３に光ファイバ４の端末部を整列させるためのＶ溝が形
成されている。反射変調素子１９は図５に示すように、
変調部２０と光ファイバ２４等で構成される。変調部２
０の内部に変調層２２がその上下に外層２５，２６がそ
れぞれ形成される。変調層２２と外層２５，２６との界
面にバイアス電圧２３が印加される。変調部２０の光フ
ァイバ２４と反対側の端面にミラー２１が形成される。
３に光ファイバ４の端末部を整列させるためのＶ溝が形
成されている。反射変調素子１９は図５に示すように、
変調部２０と光ファイバ２４等で構成される。変調部２
０の内部に変調層２２がその上下に外層２５，２６がそ
れぞれ形成される。変調層２２と外層２５，２６との界
面にバイアス電圧２３が印加される。変調部２０の光フ
ァイバ２４と反対側の端面にミラー２１が形成される。
【００１２】図５の光ファイバ２４に入射された第２の
光（変調光）を受光する際には、図６に示すようにバイ
アス電圧２３をＶｒに上昇させると、変調光を受光（吸
収）できるようになっている。このときミラー２１によ
る反射はほとんど無い。一方、第３の光（無変調光）が
入射された場合にはバイアス電圧２３をＶ0 とし、その
Ｖ0 に変調信号Ｓ１を重畳させることにより、反射光強
度を変調させて被変調波Ｓ２を得、光ファイバ２４、受
光素子７’及び光ファイバ４を介してその一端より外部
に放射することができる。
光（変調光）を受光する際には、図６に示すようにバイ
アス電圧２３をＶｒに上昇させると、変調光を受光（吸
収）できるようになっている。このときミラー２１によ
る反射はほとんど無い。一方、第３の光（無変調光）が
入射された場合にはバイアス電圧２３をＶ0 とし、その
Ｖ0 に変調信号Ｓ１を重畳させることにより、反射光強
度を変調させて被変調波Ｓ２を得、光ファイバ２４、受
光素子７’及び光ファイバ４を介してその一端より外部
に放射することができる。
【００１３】上記の説明から分かるように図４の光分波
器を用いると、光ファイバ４を伝送路として外部との間
で双方向の光通信を行うことができる。しかも、光分波
器側には光源が不要であるので、構造が簡単となり、光
端末に適している。
器を用いると、光ファイバ４を伝送路として外部との間
で双方向の光通信を行うことができる。しかも、光分波
器側には光源が不要であるので、構造が簡単となり、光
端末に適している。
【００１４】
【発明の効果】 この発明の光分波器では従来の受光
素子を実装する半導体基板３と光ファイバ４を取り付け
るＶ溝基板２とを一体化したので、両者間の調芯或いは
位置合わせが不要となる。 半導体基板３は従来の光導波路５，６が無く、光を
光部品間の空隙に伝搬させるようにしたので、と合わ
せて構造が簡単化され、光分波器を経済化することがで
きる。 図４のように第２受光素子１９に反射変調素子を採
用することにより、双方向の光通信を経済的に行うこと
ができる。
素子を実装する半導体基板３と光ファイバ４を取り付け
るＶ溝基板２とを一体化したので、両者間の調芯或いは
位置合わせが不要となる。 半導体基板３は従来の光導波路５，６が無く、光を
光部品間の空隙に伝搬させるようにしたので、と合わ
せて構造が簡単化され、光分波器を経済化することがで
きる。 図４のように第２受光素子１９に反射変調素子を採
用することにより、双方向の光通信を経済的に行うこと
ができる。
【図１】この発明の光分波器の第１の実施例を示す図
で、Ａは正面図、ＢはＡの半導体基板３の平面図。
で、Ａは正面図、ＢはＡの半導体基板３の平面図。
【図２】図１の受光素子７’に用いる端面受光型フォト
ダイオードの一例を示す断面図。
ダイオードの一例を示す断面図。
【図３】この発明の光分波器の第２の実施例を示す正面
図。
図。
【図４】この発明の光分波器の第３の実施例を示す正面
図。
図。
【図５】図４の反射変調素子の一例を示す原理的な構成
図。
図。
【図６】図５の反射変調素子のバイアス電圧対反射光強
度特性を示すグラフ。
度特性を示すグラフ。
【図７】Ａ及びＢはそれぞれ従来の方向性結合型光分波
器の平面図及び正面図、Ｃ及びＤはそれぞれ従来のフィ
ルタ型光分波器の平面図及び正面図。
器の平面図及び正面図、Ｃ及びＤはそれぞれ従来のフィ
ルタ型光分波器の平面図及び正面図。
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に、光ファイバの端末部
と、第１及び第２受光素子がこの順に、微小間隔をもっ
て、一直線に沿って取り付けられ、 前記光ファイバは、波長の異なる第１及び第２の光を伝
搬して前記第１受光素子に入射し、 前記第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、
第２の光を透過して他方の端面より第２受光素子に入射
し、 前記第２受光素子は、入射された第２の光を光電変換す
ることを特徴とする光分波器。 - 【請求項２】 半導体基板上に、光ファイバの端末部
と、第１、第２及び第３受光素子がこの順に、微小間隔
をもって、一直線に沿って取り付けられ、 前記光ファイバは波長の異なる第１、第２及び第３の光
を伝搬して前記第１受光素子に入射し、 前記第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第１の光を吸収して光電変換し、
第２、第３の光を透過して他方の端面より第２受光素子
に入射し、 前記第２受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された第２の光を吸収して光電変換し、
第３の光を透過して他方の端面より第３受光素子に入射
し、 前記第３受光素子は、入射された第３の光を光電変換す
ることを特徴とする光分波器。 - 【請求項３】 半導体基板上に、光ファイバの端末部と
第１及び第２受光素子がこの順に、微小間隔をもって、
一直線に沿って取り付けられ、 前記光ファイバは、外部より一端に入射された波長λ１
の第１の光と、波長λ２（λ２≠λ１）の変調光（第２
の光と言う）または無変調光（第３の光と言う）のいず
れか一方とを伝搬して、端末部より前記第１受光素子に
入射し、 前記第１受光素子は、端面受光型の光素子であって、一
方の端面に入射された前記第１の光を吸収して光電変換
し、第２または第３の光を透過して他方の端面より第２
受光素子に入射し、 前記第２受光素子は、反射変調素子であって、前記第２
の光が一方の端面に入射されたとき、その光を吸収して
光電変換し、前記第３の光が入射されたとき、その光を
他方の端面に設けられたミラーで反射させると共にその
反射光を変調して、一方の端面より第１受光素子に入射
し、 前記第１受光素子は、第２受光素子より入射された変調
光を透過して光ファイバに入射し、 前記光ファイバは第１受光素子より入射された変調光を
伝搬して一端より外部に放射することを特徴とする光分
波器。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかにおいて、前
記半導体基板に前記光ファイバの端末部を整列させるた
めのＶ溝が形成されていることを特徴とする光分波器。 - 【請求項５】 請求項３において、前記第２受光素子が
前記無変調光を反射させると同時にその反射光強度を変
調することを特徴とする光分波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19028098A JP2000019336A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 光分波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19028098A JP2000019336A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 光分波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000019336A true JP2000019336A (ja) | 2000-01-21 |
Family
ID=16255547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19028098A Pending JP2000019336A (ja) | 1998-07-06 | 1998-07-06 | 光分波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000019336A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012531038A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-06 | インテル コーポレイション | 側壁光検出器 |
-
1998
- 1998-07-06 JP JP19028098A patent/JP2000019336A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012531038A (ja) * | 2009-06-30 | 2012-12-06 | インテル コーポレイション | 側壁光検出器 |
| KR101464817B1 (ko) * | 2009-06-30 | 2014-11-25 | 인텔 코오퍼레이션 | 측벽 광검출기 |
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