JP2000011700A - Method and circuit for test of rom - Google Patents

Method and circuit for test of rom

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JP2000011700A
JP2000011700A JP10179127A JP17912798A JP2000011700A JP 2000011700 A JP2000011700 A JP 2000011700A JP 10179127 A JP10179127 A JP 10179127A JP 17912798 A JP17912798 A JP 17912798A JP 2000011700 A JP2000011700 A JP 2000011700A
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Japan
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rom
address
test
signature
circuit
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Japanese (ja)
Inventor
Yasumitsu Makita
泰光 牧田
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a method and a circuit in which an increase in the scale of hardware is suppressed to a minumum and in which whether memory data in a ROM is good or not can be judged at high speed. SOLUTION: In a ROM 10, a clock digit 15 as a numerical value in which a signature is set as 0 at a time when memory data MD on all addresses 0000H to FFFFH containing the address FFFFH is logic-compressed to the address FFFFH is stored in advance. In a test, the memory data MD on all the addresses 0000H to FFFFH is read out so as to be logic-compressed, and signature bits CD1 to CD4 are output. When values of the signature bits CD1 to CD4 are 0, they are judged to be good. When they are other than 0, they are judged to be defective.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はROM(Read
Only Memory:読出専用メモリ)のテスト方
法及びROMのテスト回路に関し、特に大規模なROM
のテストを効率的に実施するためのROMのテスト方法
及びROMのテスト回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a ROM (Read
More specifically, the present invention relates to a test method for an only memory (read only memory) and a ROM test circuit, and particularly relates to a large-scale ROM.
The present invention relates to a ROM test method and a ROM test circuit for efficiently executing a test.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、マイクロプロセッサ等に内蔵した
この種のROMのテスト方法としては、ROMメモリデ
ータをダンプするための命令とハードウェアを設け、1
語ずつチップ外部に出力して期待値との比較を行う従来
の第1のROMのテスト方法と、ROMの出力部にデー
タ圧縮器を接続し、制御回路で制御することにより、複
数語のメモリデータを圧縮してチップ外部に出力して期
待値との比較を行う従来の第2のROMのテスト方法な
どがあった。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of testing a ROM of this type incorporated in a microprocessor or the like, an instruction and hardware for dumping ROM memory data are provided.
A conventional first ROM test method in which words are output to the outside of the chip for comparison with an expected value, and a data compressor is connected to an output section of the ROM and controlled by a control circuit, so that a memory of a plurality of words is output. There is a second conventional ROM test method in which data is compressed and output to the outside of the chip to compare with an expected value.

【0003】また、特開昭64−50145号公報(文
献1)記載の従来の第3のROMのテスト方法及びRO
Mのテスト回路は、ROMコード(メモリデータ)の全
ての有効記憶データを加算したものの補数をメモリデー
タの空き領域中に配置し、残りの空き領域は全て0とし
て、ROMコード全体の加算を行なった結果が0になる
ことにより良否を判定するというものである。
Further, a third conventional ROM test method and RO method disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No.
The M test circuit arranges the complement of the sum of all the effective storage data of the ROM code (memory data) in the free area of the memory data, sets all remaining free areas to 0, and adds the entire ROM code. When the result becomes 0, pass / fail is determined.

【0004】文献1記載の従来の第3のROMのテスト
方法におけるROMのメモリデータ及びチエックサムデ
ータを模式的に示す図3を参照すると、この従来のテス
ト対象のROM100は、メモリアドレス101と、メ
モリデータのビット102と、有効記憶データ103
と、無効記憶データ104と、チエックサムデータ10
5とを有する。
Referring to FIG. 3, which schematically shows memory data and checksum data of a ROM in a third conventional ROM test method described in Document 1, the conventional ROM 100 to be tested has a memory address 101, Bit 102 of the memory data and valid storage data 103
, Invalid storage data 104, and checksum data 10
And 5.

【0005】次に、図3を参照して、従来の第3のRO
Mのテスト方法について説明すると、まず、アドレス0
000からFFFF番地までの全記憶データを読み出し
加算する。次に、加算結果の“1”の補数をとり、それ
をチエックサムデータ105として、FFFF番地に書
き込む。実際にメモリの記憶データの良否を判定するた
めには、アドレス0000からFFFF番地までの全デ
ータを読み出し、その総和を求める。その総和がFF即
ち11111111になれば、そのメモリのデータを
「良」と判定し、それ以外の値であれば「否」と判定す
る。
[0005] Next, referring to FIG.
The method of testing M will be described first.
All stored data from 000 to FFFF are read and added. Next, the complement of "1" of the addition result is taken and written as the checksum data 105 at the address FFFF. In order to actually determine the quality of the data stored in the memory, all data from the address 0000 to the address FFFF is read, and the total sum is obtained. If the sum is FF, that is, 11111111, the data in the memory is determined to be "good", and if the value is any other value, it is determined to be "fail".

【0006】なお、この例では8ビット幅で、アドレス
0000からFFFF番地の容量を持つメモリについて
説明したが、メモリのビット数、容量の制限はなく自由
に設定できるものである。
In this example, a memory having an 8-bit width and having a capacity from address 0000 to FFFF has been described. However, the number of bits and the capacity of the memory are not limited and can be freely set.

【0007】しかし、この従来の第3のROMのテスト
方法及びROMのテスト回路は、メモリ容量が大きくな
るとテスト対象のデータの増加に伴い加算器やデータを
一時保持するレジスタ等の周辺回路のハードウェアが増
加し、また、データ転送数の増加によりテスト時間が増
加する。
However, this conventional third ROM test method and ROM test circuit require a hardware capacity of peripheral circuits such as an adder and a register for temporarily retaining data as the data to be tested increases as the memory capacity increases. The number of hardware increases, and the test time increases due to the increase in the number of data transfers.

【0008】Sだらに、テスト対象ROMの良否判別回
路の構成や動作が示されておらず、具体性に欠けるもの
である。
The configuration and operation of the pass / fail judgment circuit of the ROM to be tested are not shown, and the specificity is lacking.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の第1の
ROMのテスト方法及びROMのテスト回路は、ROM
のメモリデータを1語ずつ逐一比較チエックするためR
OMが大規模になると期待値の数も膨大となるという欠
点があった。また、ROMとテストシステムとの間のデ
ータ転送回数の増加を招きテスト時間の増大要因となる
という欠点があった。
The above-described first conventional ROM test method and the conventional ROM test circuit are described as follows.
To check the memory data of each word one by one
There is a drawback that when the OM is large-scale, the number of expected values also becomes enormous. Further, there is a drawback that the number of times of data transfer between the ROM and the test system is increased, which causes an increase in test time.

【0010】また、従来の第2のROMのテスト方法及
びROMのテスト回路は、メモリデータを圧縮した後比
較チエックするため、期待値の数も少なく、上記転送回
数も低減し、テスト時間の短縮が期待できるが、メモリ
データを圧縮してしまうため、誤りを生じた物理的な場
所の特定が困難となるという欠点があった。
In the second conventional ROM test method and ROM test circuit, since the comparison check is performed after compressing the memory data, the number of expected values is small, the number of transfers is reduced, and the test time is reduced. However, since the memory data is compressed, it is difficult to specify the physical location where the error has occurred.

【0011】また、従来の第3のROMのテスト方法及
びROMのテスト回路は、ROMの全てのメモリデータ
をそのまま加算するので、ROMが大規模になると、加
算器やデータの一時保持用のレジスタ等の周辺回路を含
むハードウェア規模が増加するとともに、ROMとテス
トシステムとの間のデータ転送数の増加がテスト時間の
増大要因となるという欠点があった。
In the third conventional ROM test method and ROM test circuit, all the memory data in the ROM are added as they are. Therefore, when the ROM becomes large-scale, an adder and a register for temporarily holding data are used. However, there is a drawback that the scale of hardware including peripheral circuits such as the above increases, and the increase in the number of data transfers between the ROM and the test system causes an increase in test time.

【0012】本発明の目的は、ハードウェア規模の増加
を最小限に抑制するとともに高速にROMのメモリデー
タの良否を判定可能なROMのテスト方法及びROMの
テスト回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a ROM test method and a ROM test circuit capable of minimizing an increase in hardware scale and determining the quality of memory data of a ROM at a high speed.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明のROMのテスト
方法は、テスト時にテスト対象の読出専用メモリ(RO
M)から各々のアドレス対応のメモリデータを読み出し
このROMをの良否を判定するROMのテスト方法にお
いて、前記ROMが、予め定めたチエックアドレスのメ
モリ領域にこのチエックアドレスを含む所定範囲の全て
のアドレス対応の前記メモリデータを所定の論理圧縮し
たときその圧縮結果であるシグネチャを0とする数値で
あるチエックデジットを予め格納し、テスト時に前記全
てのアドレスの前記メモリデータを読み出して前記論理
圧縮を行って前記シグネチャを出力し、前記シグネチャ
の値が0のとき良、それ以外のとき不良と判定すること
を特徴とするものである。
According to the ROM test method of the present invention, a read-only memory (RO) to be tested during a test is provided.
M) by reading memory data corresponding to each address from the M), and determining whether the ROM is good or not, wherein the ROM stores all addresses in a predetermined range including the check address in a memory area of a predetermined check address. When the corresponding memory data is subjected to a predetermined logical compression, a check digit, which is a numerical value that sets the signature as a result of the compression to 0, is stored in advance, and the memory data at all the addresses is read out during the test to perform the logical compression. The signature is output, and when the value of the signature is 0, it is determined to be good, and otherwise, it is determined to be bad.

【0014】本発明のROMのテスト回路は、テスト時
にテスト対象の読出専用メモリ(ROM)から各々のア
ドレス対応のメモリデータを読み出しこのROMをの良
否を判定するROMのテスト回路において、前記ROM
が、予め定めたチエックアドレスのメモリ領域にこのチ
エックアドレスを含む所定範囲の全てのアドレス対応の
前記メモリデータを所定の論理圧縮したときその圧縮結
果であるシグネチャを0とする数値であるチエックデジ
ットを予め格納し、テストモード信号の供給に応答して
テスト用アドレスを生成するアドレス生成回路と、前記
ROMから読み出した前記テスト用アドレス対応のメモ
リデータをパラレルシリアル変換しシリアルメモリデー
タを出力するパラレルシリアル変換回路と、前記シリア
ルメモリデータを論理圧縮し圧縮データであるシグネチ
ャを出力する論理圧縮手段と、前記シグネチャの各ビッ
トの論理和演算によりテスト結果出力を出力する論理和
回路とを備えて構成されている。
A ROM test circuit according to the present invention is a ROM test circuit for reading memory data corresponding to each address from a read-only memory (ROM) to be tested during a test and judging the quality of the ROM.
However, when a predetermined logical address of the memory data corresponding to all addresses in a predetermined range including the check address is subjected to a predetermined logical compression in a memory area of a predetermined check address, a check digit which is a numerical value with a signature of 0 as a compression result is set to 0. An address generation circuit that stores in advance and generates a test address in response to the supply of a test mode signal, and a parallel serial that converts memory data corresponding to the test address read from the ROM into parallel-serial data and outputs serial memory data A conversion circuit, logical compression means for logically compressing the serial memory data and outputting a signature as compressed data, and an OR circuit for outputting a test result output by a logical OR operation of each bit of the signature. ing.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態をブロ
ックで示す図1を参照すると、この図に示す本実施の形
態のROMのテスト回路は、テストモード信号TMの供
給に応答してテスト用のアドレスADを生成するアドレ
ス生成回路1と、テスト対象のROM10から読み出し
たアドレスAD対応のメモリデータMDをパラレルシリ
アル変換しシリアルデータSDを出力するパラレルシリ
アル変換回路2と、シリアルデータSDを論理圧縮し圧
縮データ(以下シグネチャ)のビットCD1〜CD4を
出力するリニアフイードバックシフトレジスタ(LFS
R)3と、シグネチャCD1〜CD4の論理和演算によ
りテスト結果出力TOを出力する論理和回路4とを備え
る。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 1, a ROM test circuit according to the present embodiment shown in FIG. 1 responds to the supply of a test mode signal TM. An address generation circuit 1 for generating a test address AD, a parallel-serial conversion circuit 2 for converting the memory data MD corresponding to the address AD read from the ROM 10 to be tested into parallel-serial data and outputting serial data SD; And a linear feedback shift register (LFS) for logically compressing and outputting bits CD1 to CD4 of compressed data (hereinafter, signature).
R) 3 and an OR circuit 4 that outputs a test result output TO by an OR operation of the signatures CD1 to CD4.

【0016】LFSR3は、縦続接続されそれぞれシグ
ネチャのビットCD1〜CD4を出力するフリップフロ
ップ31〜34と、シリアルメモリデータSDとシグネ
チャビットCD4との排他的論理和演算により信号EX
2を出力する排他的論理和回路36と、シグネチャビッ
トCD3と信号EX2との排他的論理和演算により信号
EX1を出力する排他的論理和回路35とを備える。
The LFSR 3 is a cascade-connected flip-flop 31-34 for outputting the signature bits CD1-CD4, respectively, and a signal EX by an exclusive OR operation of the serial memory data SD and the signature bit CD4.
2 and an exclusive OR circuit 35 that outputs a signal EX1 by performing an exclusive OR operation of the signature bit CD3 and the signal EX2.

【0017】ROM10は、メモリアドレス11として
アドレス0000HからFFFFHまでを有し、アドレ
ス0000HからFFFEHまでは任意のメモリデータ
を格納することができるが、最終アドレスのFFFFH
の格納データは、チエックデジット15として、アドレ
ス0000HからFFFEHまでのメモリデータと併せ
て、すなわち、アドレス0000HからFFFFHまで
の全てのメモリデータMDをLFSR3による論理圧縮
を行なった結果であるシグネチャが0となるような値と
する。
The ROM 10 has addresses 0000H to FFFFH as memory addresses 11 and can store arbitrary memory data from addresses 0000H to FFFEH.
Is stored as the check digit 15 together with the memory data from the address 0000H to the FFFEH, that is, the signature obtained as a result of logically compressing all the memory data MD from the address 0000H to the FFFFH by the LFSR3 is 0. Value.

【0018】LFSRの出力のシグネチャを0とするよ
うな値を、そのLFSRに固有な演算により求めること
ができることは、例えば、特開平4−33134号公報
等に記載されており、公知である。
It is known, for example, from Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-33134 that a value that makes the signature of the output of the LFSR zero can be obtained by an operation unique to the LFSR.

【0019】次に、図1を参照して本実施の形態の動作
について説明すると、まず、テストモード信号TMが1
になると、アドレス生成回路1が活性化して、アドレス
ADを0000HからFFFFHまでの範囲で昇順に生
成し、ROM10のメモリアドレス11として供給す
る。ROM10は、アドレスADの上記昇順に全てのメ
モリデータMDを出力して、パラレルシリアル変換回路
2に供給する。パラレルシリアル変換回路2はメモリデ
ータMDをシリアルデータSDに変換し、LFSR3に
供給する。LFSR3は、ROM10の全てのメモリデ
ータMD対応のシリアルデータSDの論理圧縮を行い、
シグネチャビットCD1〜CD4を出力する。
Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to FIG.
Then, the address generation circuit 1 is activated to generate the addresses AD in ascending order in the range from 0000H to FFFFH, and to supply them as the memory address 11 of the ROM 10. The ROM 10 outputs all the memory data MD in the ascending order of the address AD and supplies it to the parallel-serial conversion circuit 2. The parallel-serial conversion circuit 2 converts the memory data MD into serial data SD and supplies the serial data SD to the LFSR 3. The LFSR 3 performs logical compression of all the serial data SD corresponding to the memory data MD of the ROM 10,
The signature bits CD1 to CD4 are output.

【0020】ROM10は、アドレス0000HからF
FFFHまでの全てのメモリデータMDをLFSR3に
より論理圧縮を行った結果のシグネチャを0とするよう
な値を、最終アドレスであるFFFFHにチエックデジ
ット15として予め格納しておく。メモリデータMDが
全て正常であった場合、LFSR3の全てのシグネチャ
ビットCD1〜CD4の出力は0となる。したがって、
論理和回路4のこれらシグネチャビットCD1〜CD4
の論理和演算結果であるテスト結果出力TOも0とな
る。
The ROM 10 stores addresses 0000H to F
A value such that the signature obtained as a result of logically compressing all the memory data MD up to FFFH by LFSR3 is set to 0 is stored in advance as a check digit 15 in FFFFH which is the final address. When all the memory data MD are normal, the output of all the signature bits CD1 to CD4 of the LFSR3 becomes 0. Therefore,
These signature bits CD1 to CD4 of the OR circuit 4
Is also 0.

【0021】メモリデータMDが正常に出力されなかっ
た場合は、LFSR3の出力するシグネチャビットCD
1〜CD4のいずれかあるいは全部が0にならないた
め、テスト結果出力TOは1になる。
If the memory data MD is not normally output, the signature bit CD output from the LFSR 3 is output.
Since any or all of 1 to CD4 do not become 0, the test result output TO becomes 1.

【0022】このように、全アドレスADのメモリデー
タMDを出力後、ROM10のメモリデータMDが全て
正常であった場合にテスト結果出力TOは0となり、正
常でなかった場合にテスト結果出力TOは1になるた
め、テスト対象の正常なROMと正常でないROMとを
判別することができる。
As described above, after outputting the memory data MD of all addresses AD, the test result output TO becomes 0 when all the memory data MD of the ROM 10 are normal, and the test result output TO becomes 0 when the memory data MD is not normal. Since it is set to 1, it is possible to distinguish between a normal ROM to be tested and a non-normal ROM.

【0023】また、本実施の形態のROMテスト回路
は、端子T1を経由してテストモード信号TMと端子T
2を経由してクロックCLKを外部から供給することに
より、ROM10のテストを自動で行なうBIST(B
uilt In Self Test)回路である。こ
のため、ROM10のメモリデータの一部あるいは全て
を変更した場合でも、ROM10をテストするために、
外部からの入力信号、及び外部への出力信号の期待値を
変更する必要はない。
The ROM test circuit according to the present embodiment is configured such that the test mode signal TM and the terminal T
BIST (B) for automatically testing the ROM 10 by supplying the clock CLK from outside via
(Wilt In Self Test) circuit. Therefore, even when some or all of the memory data in the ROM 10 is changed, the ROM
It is not necessary to change the expected values of the external input signal and the external output signal.

【0024】本実施の形態では、圧縮手段としてLFS
Rを用いたが、他の圧縮手段を用いることも同様な効果
を奏することは明らかである。
In this embodiment, LFS is used as compression means.
Although R is used, it is apparent that the use of other compression means has the same effect.

【0025】次に、本発明の第2の実施の形態を図1と
共通の構成要素には共通の参照文字/数字を付して同様
にブロックで示す図2を参照すると、この図に示す本実
施の形態の前述の第1の実施の形態との相違点は、テス
ト対象のROM10の代わりにアドレスFFFFHに配
置したチエックデジット15に加えて、アドレスFFF
EHに配置したチエックデジット16を有するROM1
0Aを備えることである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 2 in which constituent elements common to those in FIG. The difference of the present embodiment from the above-described first embodiment is that, in addition to the check digit 15 arranged at the address FFFFH instead of the ROM 10 to be tested, the address FFF
ROM 1 with check digit 16 located in EH
0A.

【0026】チエックデジット16は、メモリデータM
Dのうち0000Hから7FFFHまでをLFSR3に
より論理圧縮した結果であるシグネチャをOとするもの
である。
The check digit 16 contains the memory data M
The signature obtained as a result of logically compressing 0000H to 7FFFH of D by LFSR3 is set to O.

【0027】チエックデジット15は、第1の実施の形
態と同様に、メモリデータMDの全体をLFSR3によ
り圧縮したシグネチャをOとするものである。
The check digit 15 is such that the signature obtained by compressing the entire memory data MD by the LFSR 3 is O, as in the first embodiment.

【0028】動作について説明すると、テストモード信
号TMが1になると、アドレス生成回路1が活性化し
て、アドレスADを0000Hから7FFFHまでの範
囲で昇順に生成し、次にFFFEHを生成し、次に80
00HからFFFDHまで昇順に生成し、最後にFFF
FHを生成して、ROM10に供給する。
In operation, when the test mode signal TM becomes 1, the address generation circuit 1 is activated to generate addresses AD in the range from 0000H to 7FFFH in ascending order, then generate FFFEH, and then generate FFFEH. 80
00H to FFFDH are generated in ascending order.
FH is generated and supplied to the ROM 10.

【0029】第1の実施の形態では、アドレスADがメ
モリデータのチエックデジット15が存在するアドレ
ス、すなわち、FFFFHまで到達しないとROM10
の良否を判定できないため、ROM10の規模が大きい
場合はテスト時間が長くなる。
In the first embodiment, if the address AD does not reach the address where the check digit 15 of the memory data exists, that is, FFFFH, the ROM 10
Cannot be determined, the test time becomes longer when the size of the ROM 10 is large.

【0030】本実施の形態では、メモリデータ中に複数
のチエックデジットを設けることにより、テスト時間を
短縮できる。
In this embodiment, the test time can be reduced by providing a plurality of check digits in the memory data.

【0031】[0031]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のROMの
テスト方法及びROMのテスト回路は、ROMが、予め
定めたチエックアドレスのメモリ領域に全アドレス対応
のメモリデータを論理圧縮したときその圧縮結果のシグ
ネチャを0とするチエックデジットを予め格納し、テス
ト時に全アドレスのメモリデータを読み出し論理圧縮を
行ってシグネチャを出力し、シグネチャの値が0のとき
良、それ以外のとき不良と判定するので、ROMが正常
であるかどうかの判別回路が簡単な論理和回路のみで済
むという効果がある。
As described above, the ROM test method and the ROM test circuit according to the present invention provide a ROM test method for logically compressing memory data corresponding to all addresses in a memory area of a predetermined check address. A check digit with the resulting signature set to 0 is stored in advance, the memory data of all addresses is read out at the time of testing, logical compression is performed, and a signature is output. If the value of the signature is 0, it is determined to be good; otherwise, it is determined to be defective. Therefore, there is an effect that a circuit for determining whether or not the ROM is normal is only a simple OR circuit.

【0032】また、メモリデータがどのような値であっ
ても論理圧縮した結果は0になるようなチエックデジッ
トを格納することにより、良否の判別は論理和回路のみ
で行うので、ROMのメモリデータの一部あるいは全て
を変更した場合でも、回路の変更は不要となるという効
果がある。
Also, by storing a check digit such that the result of logical compression becomes 0 regardless of the value of the memory data, the pass / fail judgment is made only by the OR circuit. Even if some or all of the above are changed, there is an effect that the circuit does not need to be changed.

【0033】さらに、ROMのメモリデータの一部ある
いは全てを変更した場合でも、テスト用の外部入力信
号、及び外部出力信号の期待値を変更する必要がないと
いう効果がある。
Further, even when part or all of the memory data of the ROM is changed, there is an effect that it is not necessary to change the expected values of the external input signal for test and the external output signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のROMのテスト回路の第1の実施の形
態を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of a ROM test circuit according to the present invention.

【図2】本発明のROMのテスト回路の第2の実施の形
態を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a ROM test circuit according to a second embodiment of the present invention;

【図3】従来の第3のROMのテスト方法におけるRO
Mのメモリデータ及びチエックサムデータの一例を模式
的に示す説明図である。
FIG. 3 shows RO in a conventional third ROM test method.
FIG. 4 is an explanatory diagram schematically showing an example of M memory data and checksum data.

【符号の説明】 1 アドレス生成回路 2 パラレルシリアル変換回路 3 リニアフイードバックシフトレジスタ(LFS
R) 4 論理和回路 10,10A,100 ROM 11,101 メモリアドレス 15,16 チエックデジット 31〜34 フリップフロップ 35,36 排他的論理和回路
[Description of Signs] 1 address generation circuit 2 parallel-serial conversion circuit 3 linear feedback shift register (LFS)
R) 4 OR circuit 10, 10A, 100 ROM 11, 101 Memory address 15, 16 Check digit 31-34 Flip-flop 35, 36 Exclusive OR circuit

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テスト時にテスト対象の読出専用メモリ
(ROM)から各々のアドレス対応のメモリデータを読
み出しこのROMをの良否を判定するROMのテスト方
法において、 前記ROMが、予め定めたチエックアドレスのメモリ領
域にこのチエックアドレスを含む所定範囲の全てのアド
レス対応の前記メモリデータを所定の論理圧縮したとき
その圧縮結果であるシグネチャを0とする数値であるチ
エックデジットを予め格納し、 テスト時に前記全てのアドレスの前記メモリデータを読
み出して前記論理圧縮を行って前記シグネチャを出力
し、 前記シグネチャの値が0のとき良、それ以外のとき不良
と判定することを特徴とするROMのテスト方法。
1. A ROM test method of reading memory data corresponding to each address from a read-only memory (ROM) to be tested at the time of a test and judging whether the ROM is good or not, wherein the ROM has a predetermined check address. When the memory data corresponding to all addresses in a predetermined range including this check address is logically compressed in a predetermined area, a check digit, which is a value obtained by setting a signature as a compression result to 0, is stored in advance in the memory area. Reading out the memory data at the address of (i), performing the logical compression and outputting the signature, and determining that the value of the signature is 0 is good, and that otherwise, it is bad.
【請求項2】 前記論理圧縮を、リニアフイードバック
レジスタを用いて行うことを特徴とする請求項1記載の
ROMのテスト方法。
2. The ROM testing method according to claim 1, wherein said logical compression is performed using a linear feedback register.
【請求項3】 前記チエックデジットが1個であり、前
記所定範囲の全てのアドレスが前記ROMの全てのアド
レスであることを特徴とするROMのテスト方法。
3. The method of testing a ROM, wherein the number of the check digits is one, and all addresses in the predetermined range are all addresses of the ROM.
【請求項4】 前記ROMが、第1及び第2の前記チエ
ックデジットを有し、前記ROMの全てのアドレスを分
割した第1のアドレス範囲を前記第1のチエックデジッ
ト対応の第1の所定範囲の全てのアドレスとし、第2の
アドレス範囲を前記第2のチエックデジット対応の第2
の所定範囲の全てのアドレスとすることを特徴とする請
求項1記載のROMのテスト方法。
4. The ROM has first and second check digits, and a first address range obtained by dividing all addresses of the ROM is a first predetermined range corresponding to the first check digit. , And the second address range is the second address corresponding to the second check digit.
2. The ROM testing method according to claim 1, wherein all addresses in a predetermined range are set.
【請求項5】 テスト時にテスト対象の読出専用メモリ
(ROM)から各々のアドレス対応のメモリデータを読
み出しこのROMをの良否を判定するROMのテスト回
路において、 前記ROMが、予め定めたチエックアドレスのメモリ領
域にこのチエックアドレスを含む所定範囲の全てのアド
レス対応の前記メモリデータを所定の論理圧縮したとき
その圧縮結果であるシグネチャを0とする数値であるチ
エックデジットを予め格納し、 テストモード信号の供給に応答してテスト用アドレスを
生成するアドレス生成回路と、 前記ROMから読み出した前記テスト用アドレス対応の
メモリデータをパラレルシリアル変換しシリアルメモリ
データを出力するパラレルシリアル変換回路と、 前記シリアルメモリデータを論理圧縮し圧縮データであ
るシグネチャを出力する論理圧縮手段と、 前記シグネチャの各ビットの論理和演算によりテスト結
果出力を出力する論理和回路とを備えることを特徴とす
るROMのテスト回路。
5. A ROM test circuit which reads memory data corresponding to each address from a read-only memory (ROM) to be tested at the time of a test and determines whether or not the ROM is good or not, wherein the ROM has a predetermined check address. When the memory data corresponding to all addresses in a predetermined range including the check address is logically compressed in a predetermined area, a check digit, which is a numerical value with a signature of 0 as a compression result, is stored in advance in a memory area, and a test mode signal An address generation circuit that generates a test address in response to the supply, a parallel-to-serial conversion circuit that performs parallel-to-serial conversion on the memory data corresponding to the test address read from the ROM, and outputs serial memory data; Is logically compressed to be compressed data A logical compressing means for outputting the signatures, test circuit ROM, characterized in that it comprises an OR circuit for outputting a test result output by the logical OR operation of each bit of the signature.
【請求項6】 前記論理圧縮手段が、予め定めたビット
数の前記シグネチャを出力するリニアフイードバックシ
フトレジスタを備えることを特徴とする請求項5記載の
ROMのテスト回路。
6. The ROM test circuit according to claim 5, wherein said logical compression means includes a linear feedback shift register for outputting said signature of a predetermined number of bits.
【請求項7】 前記リニアフイードバックシフトレジス
タが、それぞれ前記シグネチャの第1〜第4ビットを出
力する第1〜第4のフリップフロップと、 入力シリアルメモリデータと前記シグネチャの第4ビッ
トとの排他的論理和演算により第1の排他的論理和信号
を出力する第1の排他的論理和回路と、 前記シグネチャの第3ビットと前記第1の排他的論理和
信号との排他的論理和演算により第2の排他的論理和信
号を出力する第2の排他的論理和回路とを備えることを
特徴とする請求項6記載のROMのテスト回路。
7. The linear feedback shift register is configured to output first to fourth flip-flops respectively outputting the first to fourth bits of the signature, and exclusive control of input serial memory data and a fourth bit of the signature. A first exclusive OR circuit that outputs a first exclusive OR signal by a logical OR operation; and a first exclusive OR circuit that performs an exclusive OR operation on a third bit of the signature and the first exclusive OR signal. 7. The ROM test circuit according to claim 6, further comprising: a second exclusive OR circuit that outputs two exclusive OR signals.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6282134B1 (en) * 1999-09-30 2001-08-28 Stmicroelectronics S.R.L. Memory test method and nonvolatile memory with low error masking probability
CN107886991A (en) * 2016-09-29 2018-04-06 瑞萨电子株式会社 Semiconductor device and its diagnostic method

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