JP2000006454A - Insulating substrate for thermal head - Google Patents

Insulating substrate for thermal head

Info

Publication number
JP2000006454A
JP2000006454A JP17824698A JP17824698A JP2000006454A JP 2000006454 A JP2000006454 A JP 2000006454A JP 17824698 A JP17824698 A JP 17824698A JP 17824698 A JP17824698 A JP 17824698A JP 2000006454 A JP2000006454 A JP 2000006454A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
common electrode
insulating substrate
thermal head
projection
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP17824698A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4158231B2 (en
Inventor
Atsushi Hanaki
敦司 花木
Takashi Kubota
隆志 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Co Ltd filed Critical Shinko Electric Co Ltd
Priority to JP17824698A priority Critical patent/JP4158231B2/en
Publication of JP2000006454A publication Critical patent/JP2000006454A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4158231B2 publication Critical patent/JP4158231B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the subject insulating substrate preventing the separation of a formed membrane after cooling and enhanced in yield and productivity in a membrane forming process. SOLUTION: An insulating substrate is constituted of the projection 22 for a common electrode formed on the surface of an alumina substrate 21 by a thick film process, projected glaze glass layers 24a1, 24a2 having the projection 22 as apexes and the glaze glass layers 24a, 24b formed on the alumina substrate 21. In this case, if the lower part of each of the projected glaze glass layers 24a1, 24a2 having the projection 22 for the common electrode as apexes comprises a crystallized glass layer and the upper part thereof comprises a non-crystalline layer, the baking temp. of the glaze glass layer of the upper part can be set high and the surface roughness of the glaze glass layer can be reduced and this constitution is still more effective from an aspect of the elimination of separation in a film forming process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、カラープリンタ等
の印刷部の主要構成であるサーマルヘッドに用いられる
サーマルヘッド用絶縁基板の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a thermal head insulating substrate used for a thermal head, which is a main component of a printing section of a color printer or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の技術としては、本件出願人による
関連技術の特許出願として、特願平9−186021号
(従来例1)、特願平10−155591号(従来例
2)の特許出願が出願されている。以下、この従来例に
ついて、夫々の概略を説明する。
2. Description of the Related Art As prior art, the applicant of the present invention has applied for patents of related arts such as Japanese Patent Application No. 9-186021 (conventional example 1) and Japanese Patent Application No. 10-155591 (conventional example 2). Has been filed. Hereinafter, each of the conventional examples will be briefly described.

【0003】(1)従来例1(特願平9−186021
号)の基本的な請求項1は、Crを10〜30重量%、
Alを0.1〜6重量%含む鉄合金からなる金属基板
と、この金属基板の表面に形成された共通電極部となる
突起と、この金属基板の表面に形成されたアルミニウム
酸化物に富む酸化被膜と、この酸化被膜上に形成された
結晶性ガラス層と、この結晶性ガラス層上に形成された
グレーズガラス層とを具備したサーマルヘッド用絶縁基
板において、前記結晶性ガラス及びグレーズガラスの熱
膨張率が、前記金属基板の熱膨張率よりも小さくなるよ
うにしたサーマルヘッド用絶縁金属基板である。
(1) Conventional Example 1 (Japanese Patent Application No. 9-186021)
No. 1) claims that Cr is 10 to 30% by weight,
A metal substrate made of an iron alloy containing 0.1 to 6% by weight of Al, a projection serving as a common electrode portion formed on the surface of the metal substrate, and an oxidation rich in aluminum oxide formed on the surface of the metal substrate A thermal head insulating substrate comprising a coating, a crystalline glass layer formed on the oxide film, and a glaze glass layer formed on the crystalline glass layer; An insulating metal substrate for a thermal head, wherein an expansion coefficient is smaller than a thermal expansion coefficient of the metal substrate.

【0004】また、請求項2に記載のものでは、結晶性
ガラスの焼成温度をその融点よりも10℃以上低くし、
かつ、上記グレーズガラスの軟化点が前記結晶性ガラス
の軟化点より50℃以上低くなるようにしたサーマルヘ
ッド用絶縁金属基板である。
[0004] In the second aspect, the firing temperature of the crystalline glass is set to be lower than its melting point by 10 ° C. or more,
In addition, the insulating metal substrate for a thermal head is such that the softening point of the glaze glass is lower than the softening point of the crystalline glass by 50 ° C. or more.

【0005】共通電極部となる突起を有する絶縁基板と
して、金属基板を用いるようにすると、電気伝導性の点
で有効であり、従来例1に示したもの以前から用いられ
ていた。しかし、従来例1以前のものでは、金属基板表
面の共通電極部となる突起を加工形成する際、加工歪み
が発生し、後工程の加熱により基板の反りが生じるとい
う問題があった。
The use of a metal substrate as an insulating substrate having a projection serving as a common electrode portion is effective in terms of electrical conductivity, and has been used before the one shown in Conventional Example 1. However, prior to the first conventional example, there was a problem in that when processing a projection serving as a common electrode portion on the surface of a metal substrate, processing distortion was generated, and the substrate was warped by heating in a later step.

【0006】そこで、従来例1の請求項1に記載したよ
うに、ガラス層の熱膨張係数を金属基板の熱膨張係数よ
りも小さく設定することで、加工表面に残留した応力を
相殺し、基板を平坦化することができるようになった。
Therefore, as described in the first aspect of the prior art, by setting the thermal expansion coefficient of the glass layer to be smaller than the thermal expansion coefficient of the metal substrate, the stress remaining on the processed surface is offset, and Can be flattened.

【0007】一方、従来例1以前の絶縁基板では、金属
基板上面に形成したガラス層の表面には、微細な欠陥が
見られ、この微細な表面欠陥は薄膜パターンの断線の原
因になっていた。
On the other hand, in the insulating substrate before Conventional Example 1, fine defects were observed on the surface of the glass layer formed on the upper surface of the metal substrate, and the fine surface defects caused disconnection of the thin film pattern. .

【0008】そこで、従来例1の請求項2に記載したよ
うに、第1層を結晶性ガラス、第2層をそれよりも軟化
点が50℃以上低いグレーズガラスの2層構造とするこ
とで、耐ヒートショック性を損なうことなく表面欠陥を
減少できた。
Therefore, as described in claim 2 of Conventional Example 1, the first layer has a two-layer structure of crystalline glass, and the second layer has a two-layer structure of glaze glass having a softening point lower than that of the glass by 50 ° C. or more. Surface defects could be reduced without impairing heat shock resistance.

【0009】このように、サーマルヘッド用基板に従来
例1に記載したような絶縁基板を用いるようにすると、
基板の反りがなくなり、表面欠陥が減少し、薄膜パター
ンの断線をなくすことができる。
As described above, when an insulating substrate as described in Conventional Example 1 is used for a thermal head substrate,
The warpage of the substrate is eliminated, surface defects are reduced, and disconnection of the thin film pattern can be eliminated.

【0010】(2)従来例2(特願平10−15559
1号)の基本的な請求項1は、鉄合金からなる金属基板
と、この金属基板の表面に形成された共通電極部となる
突起と、この金属基板の表面に形成された鉄酸化物を含
まない酸化物層と、この酸化物層上に形成されたガラス
層とを具備したサーマルヘッド用絶縁基板において、鉄
合金組成が、Crを1〜10重量%含む鉄合金であるよ
うに構成したサーマルヘッド用絶縁金属基板である。こ
のようにすることにより、サーマルヘッド用絶縁基板の
固有抵抗値が小さくなり、サーマルヘッド駆動時におけ
る消費電力を低減することができる。
(2) Conventional Example 2 (Japanese Patent Application No. 10-15559)
The first aspect of the present invention relates to a metal substrate made of an iron alloy, a projection serving as a common electrode formed on the surface of the metal substrate, and an iron oxide formed on the surface of the metal substrate. In an insulating substrate for a thermal head including an oxide layer not containing and a glass layer formed on the oxide layer, the iron alloy composition was configured to be an iron alloy containing 1 to 10% by weight of Cr. This is an insulating metal substrate for a thermal head. By doing so, the specific resistance value of the thermal head insulating substrate is reduced, and power consumption during driving of the thermal head can be reduced.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来例1及び2に示した絶縁基板の製造工程において、ス
パッター、化学蒸着(CVD:chemical vapor deposit
ion)での成膜中に絶縁基板が高温にさらされるため
に、基板は熱変形し、冷却後に、成膜した薄膜の剥離が
生じるという問題が生じた。
Incidentally, in the manufacturing process of the insulating substrate shown in the above-mentioned prior art examples 1 and 2, spattering and chemical vapor deposition (CVD) are performed.
Since the insulating substrate is exposed to a high temperature during the film formation by (ion), the substrate is thermally deformed, and there is a problem that the formed thin film is separated after cooling.

【0012】また、金属基板ではチョコレートブレーク
が困難なために、多数個取りが難しく、生産性が低いと
いう問題がある。本発明は、上記課題(問題点)を解決
し、成膜した薄膜の冷却後の剥離を防止し、成膜工程で
の歩留まりと生産性を向上させたサーマルヘッド用絶縁
基板を提供することを目的とする。
[0012] In addition, since chocolate breakage is difficult with a metal substrate, it is difficult to take a large number of pieces, and there is a problem that productivity is low. An object of the present invention is to provide an insulating substrate for a thermal head which solves the above problems (problems), prevents peeling of a formed thin film after cooling, and improves the yield and productivity in a film forming process. Aim.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明のサーマルヘッド
用絶縁基板では、上記課題を解決するために、請求項1
に記載のものでは、セラミック基板の表面に厚膜プロセ
スで形成された共通電極用突起と、この突起を頂点とす
る凸状のグレーズガラス層と、セラミック基板上に形成
されたグレーズガラス層とを備えた構成とした。このよ
うに、絶縁基板の基材をセラミック基板とし、厚膜技術
で基板表面に共通電極用突起を形成することで、スパッ
ター、CVD等の成膜中に発生する高温による基板の熱
変形を抑制し、成膜パターンの剥離を防止することがで
きる。また、絶縁基板の基材がセラミックであるため
に、チョコレートブレークが容易で多数個取りが可能に
なり、サーマルヘッド用絶縁基板の生産性が向上する。
According to the present invention, there is provided an insulating substrate for a thermal head for solving the above problems.
The common electrode projections formed on the surface of the ceramic substrate by a thick film process, a convex glaze glass layer having the projections as vertices, and a glaze glass layer formed on the ceramic substrate. A configuration was provided. In this way, by using a ceramic substrate as the base material of the insulating substrate and forming the projections for the common electrode on the surface of the substrate using a thick film technique, the thermal deformation of the substrate due to the high temperature generated during film formation such as sputtering or CVD is suppressed. In addition, peeling of the film formation pattern can be prevented. Further, since the base material of the insulating substrate is made of ceramic, chocolate break is easy and a large number of pieces can be obtained, thereby improving the productivity of the thermal head insulating substrate.

【0014】請求項2に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板では、上記共通電極用突起を頂点とする凸状のグレー
ズガラス層において、下部が結晶化ガラス層で、上部が
非晶質ガラス層であるように構成した。このように、下
部を結晶性ガラス層とすれば、焼成後、セラミック化す
るための軟化点が上昇する。これにより上部のグレーズ
ガラス層の焼成温度を高く設定することが可能となり、
グレーズガラス層の表面粗さを小さくすることができ、
これは後の成膜工程での剥離を解消する上で一層効果的
である。
In the insulating substrate for a thermal head according to the present invention, in the convex glaze glass layer having the projection for the common electrode as an apex, a lower portion is a crystallized glass layer and an upper portion is an amorphous glass layer. It was configured as follows. As described above, if the lower portion is made of a crystalline glass layer, the softening point for turning into a ceramic after firing increases. This makes it possible to set the firing temperature of the upper glaze glass layer high,
The surface roughness of the glaze glass layer can be reduced,
This is more effective in eliminating separation in a later film forming step.

【0015】請求項3に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の形成工程が、厚膜印刷工
程、乾燥工程、焼成工程、フォトリソグラフィー工程、
エッチング工程、レジスト除去工程の順となるように構
成した。製作工程をこのように構成することにより、先
ず、セラミック基板焼成後に突起を形成する側の表面に
スピンコーターによりレジストを塗布する。または、フ
ィルム状のドライレジスト膜を用いることも可能であ
る。そして、所望の幅にフォトリソグラフィーでパター
ンニングする。次に、ウェットエッチング若しくはドラ
イエッチングにより、共通電極を所望の突起形状に加工
した後、レジスト層を剥離する。以上の工程により実際
に、本発明のサーマルヘッド用絶縁基板を形成できる。
According to a third aspect of the present invention, in the thermal head insulating substrate, the step of forming the common electrode projection includes a thick film printing step, a drying step, a baking step, a photolithography step,
The etching step and the resist removing step were performed in this order. By configuring the manufacturing process as described above, first, a resist is applied to the surface on the side on which the protrusions are to be formed after firing the ceramic substrate by using a spin coater. Alternatively, a film-like dry resist film can be used. Then, patterning is performed to a desired width by photolithography. Next, after processing the common electrode into a desired projection shape by wet etching or dry etching, the resist layer is peeled off. Through the above steps, the insulating substrate for a thermal head of the present invention can be actually formed.

【0016】請求項4に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の形成工程が、厚膜印刷工
程、乾燥工程、焼成工程、フォトリソグラフィー工程、
ショットブラスト工程、レジスト除去工程の順となるよ
うに構成した。製作工程をこのように構成することによ
り、セラミック基板焼成後に突起を形成する側の表面に
スピンコーターによりレジストを塗布する。または、フ
ィルム状のドライレジスト膜を用いることも可能であ
る。そして、所望の幅にフォトリソグラフィーでパター
ンニングする。次に、ショットブラストで余分な金属部
分を除去し、共通電極を所望の突起形状に加工した後、
レジスト層を剥離することにより、本発明のサーマルヘ
ッド用絶縁基板を形成できる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the thermal head insulating substrate, the step of forming the common electrode projection includes a thick film printing step, a drying step, a baking step, a photolithography step,
The shot blast process and the resist removal process were performed in this order. By configuring the manufacturing process in this manner, a resist is applied to the surface on the side on which the projections are to be formed after firing the ceramic substrate by a spin coater. Alternatively, a film-like dry resist film can be used. Then, patterning is performed to a desired width by photolithography. Next, after removing excess metal parts by shot blasting and processing the common electrode into a desired projection shape,
By peeling off the resist layer, the insulating substrate for a thermal head of the present invention can be formed.

【0017】請求項5に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の形成工程が、厚膜印刷工
程、乾燥工程、焼成工程、切削工程の順となるように構
成した。製作工程をこのように構成することにより、セ
ラミック基板焼成後に、ダイヤモンドトリューがコーテ
ィングされた円盤状の外周刃により余分な金属部分を除
去し、共通電極を所望の突起形状に加工した後、本発明
のサーマルヘッド用絶縁基板を形成できる。
According to a fifth aspect of the present invention, the insulating substrate for a thermal head is configured such that the step of forming the projection for the common electrode is performed in the order of a thick film printing step, a drying step, a firing step, and a cutting step. By structuring the manufacturing process in this way, after firing the ceramic substrate, an extra metal portion is removed by a disk-shaped outer peripheral blade coated with diamond truss, and the common electrode is processed into a desired projection shape. The thermal head insulating substrate of the invention can be formed.

【0018】請求項6に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の形状が、高さが5〜150
μm、幅が10〜100μmであるように構成した。共
通電極用突起の高さを5μm以上とすることにより、共
通電極用突起の盛り上がりが小さくなり、プラテンロー
ラとの接触面積が大きくなり、サーマルヘッドの抑え圧
が大きくなりすぎて、プリント速度が低下する事態を防
止することができる。また、共通電極用突起の高さを1
50μm以下とすることにより、後の成膜工程で必要と
なるレジスト形成が難しくなり、エッチング中の破断が
増加する事態を防止することができる。更に、共通電極
用突起の幅も上記範囲が実用可能なレンジである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the thermal head insulating substrate, the common electrode protrusion has a height of 5 to 150 mm.
μm and a width of 10 to 100 μm. By setting the height of the common electrode protrusion to 5 μm or more, the bulge of the common electrode protrusion is reduced, the contact area with the platen roller is increased, and the suppression pressure of the thermal head is too large, and the printing speed is reduced. Can be prevented. Also, the height of the common electrode projection is set to 1
By setting the thickness to 50 μm or less, it is difficult to form a resist required in a subsequent film forming step, and it is possible to prevent a situation in which breakage during etching increases. Further, the width of the common electrode protrusion is also in the above-mentioned practical range.

【0019】請求項7に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の上部表面に溝を設けるよう
に構成した。この溝は、基板表面上に形成した突起を共
通電極として使用するプレヒートサーマルヘッド、ダブ
ルラインサーマルヘッド、ドットシフトサーマルヘッド
において、共通電極用突起直上での熱伝導を遮断し、こ
れによりエネルギー効率の低下を防止したサーマルヘッ
ドとすることができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an insulating substrate for a thermal head, wherein a groove is provided on an upper surface of the common electrode projection. This groove blocks heat conduction just above the common electrode protrusion in preheat thermal heads, double line thermal heads, and dot shift thermal heads that use the protrusion formed on the substrate surface as a common electrode, thereby improving energy efficiency. A thermal head in which a drop is prevented can be obtained.

【0020】請求項8に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の主成分が、Au、Ag、N
iの中から選択された少なくとも1つであるように構成
した。これらの金属微粉を用いることにより、共通電極
の酸化を抑制し、電気伝導性が良くなる。
In the thermal head insulating substrate according to the present invention, the main component of the common electrode protrusion is preferably Au, Ag, or N.
i is configured to be at least one selected from i. By using these metal fine powders, oxidation of the common electrode is suppressed and electric conductivity is improved.

【0021】請求項9に記載のサーマルヘッド用絶縁基
板は、上記共通電極用突起の形成工程において、厚膜の
焼成工程を減圧下で行うように構成した。このようにす
ると、金属微粉が焼成温度で収縮し、その真密度が10
0%に近づき、共通電極用突起のエッチング特性、機械
特性が良くなり、所望の形状に仕上げることが容易とな
る。
According to a ninth aspect of the present invention, in the thermal head insulating substrate, the thick film baking step is performed under reduced pressure in the step of forming the common electrode projection. In this case, the metal fine powder shrinks at the firing temperature, and its true density becomes 10%.
When the value approaches 0%, the etching characteristics and mechanical characteristics of the projection for the common electrode are improved, and it is easy to finish to a desired shape.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】本発明のサーマルヘッド用絶縁基
板の一実施の形態を図1乃至図4を用いて説明する。図
1は、本実施の形態のサーマルヘッド用絶縁基板を使用
したダブルヒートラインサーマルヘッドの外観構成を示
す一部を切り欠いて示した斜視図である。図2は、本発
明のサーマルヘッド用絶縁基板を示す縦断側面図であ
る。図3は、本発明のサーマルヘッド用絶縁基板の製造
の一工程を示す縦断側面図である。図4は、本発明のサ
ーマルヘッド用絶縁基板を用いたサーマルヘッドの一部
を切り欠いて示した平面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of an insulating substrate for a thermal head according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing an external configuration of a double heat line thermal head using the thermal head insulating substrate of the present embodiment. FIG. 2 is a vertical sectional side view showing the insulating substrate for a thermal head of the present invention. FIG. 3 is a vertical sectional side view showing one process of manufacturing the insulating substrate for a thermal head of the present invention. FIG. 4 is a plan view in which a part of a thermal head using the thermal head insulating substrate of the present invention is cut away.

【0023】図1に示すサーマルヘッド20において、
21は、例えば厚さが0.8mmのセラミック基板とし
てのアルミナ基板である。このアルミナ基板21の表面
には長尺状の共通電極用突起22が突出形成されてい
る。この共通電極用突起22の高さは、50μmとされ
ている。
In the thermal head 20 shown in FIG.
Reference numeral 21 denotes an alumina substrate as a ceramic substrate having a thickness of, for example, 0.8 mm. On the surface of the alumina substrate 21, a long common electrode projection 22 is formed so as to protrude. The height of the common electrode projection 22 is 50 μm.

【0024】24aは、図2に示す共通電極用突起22
より同図左側のアルミナ基板21の左表面に形成された
第1のグレーズガラスであり、その共通電極用突起22
近傍の部分は、盛り上がりが形成されており、盛り上が
り部24a1とされている。24bは、共通電極用突起
22より同図右側のアルミナ基板21の右表面に形成さ
れた第2のグレーズガラスであり、その共通電極用突起
22近傍の部分は、盛り上がりが形成されており、盛り
上がり部24a2とされている。
24a is a common electrode projection 22 shown in FIG.
The first glaze glass formed on the left surface of the alumina substrate 21 on the left side of FIG.
A bulge is formed in the vicinity, and is a bulge 24a1. Reference numeral 24b denotes a second glaze glass formed on the right surface of the alumina substrate 21 on the right side of the drawing with respect to the common electrode protrusion 22, and a portion near the common electrode protrusion 22 is formed with a swell. The portion 24a2 is provided.

【0025】25は、発熱抵抗体であり、第1のグレー
ズガラス24aから共通電極用突起22を介して第2の
グレーズガラス24bまでに亙る各表面に形成されてい
る。この発熱抵抗体25は、1ドットに対応して設けら
れており、実際には一定間隔をおいて複数設けられてい
る。この発熱抵抗体25において、共通電極用突起22
の表面22aに当接する部分は該表面22aと電気的に
接合されている。
A heating resistor 25 is formed on each surface extending from the first glaze glass 24a to the second glaze glass 24b via the common electrode projection 22. The heating resistors 25 are provided corresponding to one dot, and a plurality of the heating resistors 25 are provided at regular intervals. In the heating resistor 25, the common electrode protrusion 22
The portion that contacts the surface 22a is electrically connected to the surface 22a.

【0026】26aは、第1のグレーズガラス24aの
表面に形成された第1の個別電極であり、その一端部は
発熱抵抗体25aの一端部と電気的に接合されている。
この第1の個別電極26aの他端は、図4に示す第1の
コントロールIC12aの端子に接続されている。な
お、ここで、図2と図4に示した構成の対応関係を補足
説明すると、図4の8aと8bは、図2の第1と第2の
発熱抵抗体25a、25bに、9aと9bは同じく第1
と第2の個別電極26a、26bに対応し、図4の10
は、図2に示す共通電極27である。
Reference numeral 26a denotes a first individual electrode formed on the surface of the first glaze glass 24a, one end of which is electrically connected to one end of the heating resistor 25a.
The other end of the first individual electrode 26a is connected to a terminal of the first control IC 12a shown in FIG. Here, the correspondence between the configurations shown in FIGS. 2 and 4 will be supplementarily described. 8a and 8b in FIG. 4 correspond to 9a and 9b in the first and second heating resistors 25a and 25b in FIG. Is also the first
And the second individual electrodes 26a and 26b,
Is a common electrode 27 shown in FIG.

【0027】図2において、26bは、第2のグレーズ
ガラス24bの表面に形成された第2の個別電極であ
り、その一端部は発熱抵抗体25bの一端部と電気的に
接合されている。この第2の個別電極26bの他端部
は、図4に示す第2のコントロールIC12bの端子に
接続される。
In FIG. 2, reference numeral 26b denotes a second individual electrode formed on the surface of the second glaze glass 24b, one end of which is electrically connected to one end of the heating resistor 25b. The other end of the second individual electrode 26b is connected to a terminal of the second control IC 12b shown in FIG.

【0028】27は、図1に示す共通電極用突起22に
沿って配置された共通電極であり、その裏面が図2に示
す発熱抵抗体25の表面に電気的に接合され、かつ設置
されている。即ち、図2に示す発熱抵抗体25において
は、第1の個別電極26a及び共通電極27と接合して
いない部分が、実際に発熱抵抗体として作用し、以下、
この部分を第1の発熱抵抗体25aと称する。
Numeral 27 designates a common electrode arranged along the common electrode projection 22 shown in FIG. 1. The back surface of the common electrode is electrically connected to the surface of the heating resistor 25 shown in FIG. I have. That is, in the heating resistor 25 shown in FIG. 2, a portion that is not joined to the first individual electrode 26a and the common electrode 27 actually acts as a heating resistor.
This portion is referred to as a first heating resistor 25a.

【0029】また、発熱抵抗体25においては、第2の
個別電極26b及び共通電極27と接合していない部分
が、実際に発熱抵抗体として作用し、以下、この部分を
第2の発熱抵抗体25bと称する。即ち、図1に示すサ
ーマルヘッド20は、複数の第1の発熱抵抗体25a・
・・25a、及び、複数の第2の発熱抵抗体25b・・
・25bを有している。図2に示す28は、第1の個別
電極26a等の表面全体を覆う保護層である。なお、図
1においては、上記保護層28の図示が省略されてい
る。
In the heating resistor 25, a portion not joined to the second individual electrode 26b and the common electrode 27 actually acts as a heating resistor. Hereinafter, this portion is referred to as a second heating resistor. 25b. That is, the thermal head 20 shown in FIG. 1 has a plurality of first heating resistors 25a.
.. 25a and a plurality of second heating resistors 25b
・ It has 25b. Reference numeral 28 shown in FIG. 2 is a protective layer covering the entire surface of the first individual electrode 26a and the like. In FIG. 1, illustration of the protective layer 28 is omitted.

【0030】次に、本実施の形態による共通電極用突起
22を有する絶縁基板の製造方法について、図3を参照
して説明する。初めに、図3に示すアルミナ基板21
は、n−プロピルブロマイドのような有機溶剤により、
脱脂洗浄された後、スクラバーにより洗浄される。これ
により、アルミナ基板21の表面及び裏面に夫々付着し
ていたゴミ等が除去される。
Next, a method of manufacturing the insulating substrate having the common electrode projections 22 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. First, the alumina substrate 21 shown in FIG.
Is an organic solvent such as n-propyl bromide,
After being degreased and washed, it is washed with a scrubber. As a result, dust and the like adhering to the front and back surfaces of the alumina substrate 21 are removed.

【0031】次に、アルミナ基板21は、臭化メチルの
洗浄液中に浸された後、超音波洗浄される。これによ
り、アルミナ基板21の表面及び裏面における微小な凹
凸部に吸着されていたゴミが除去される。
Next, the alumina substrate 21 is ultrasonically cleaned after being immersed in a cleaning solution of methyl bromide. As a result, dust adsorbed on the minute uneven portions on the front and back surfaces of the alumina substrate 21 is removed.

【0032】その後、所望の開口幅を有するメタルマス
ク、又は、スクリーンマスクを使用し、金属微粉と有機
物を混練した印刷ペーストをアルミナ基板21の表面に
印刷塗布することで共通電極用突起を形成する。金属微
粉としては、酸化し難く、電気伝導性の良い、Au、A
g、Niを主成分とする合金、又は、これらの内の単体
金属が望ましい。印刷終了後、アルミナ基板21の表面
平坦化のために10分程度レベリングを行い、その後1
50℃、20分間の大気乾燥を行う。
Thereafter, using a metal mask or a screen mask having a desired opening width, a printing paste obtained by kneading a metal fine powder and an organic substance is printed on the surface of the alumina substrate 21 to form a projection for a common electrode. . Au, A which is hard to be oxidized and has good electric conductivity as metal fine powder.
An alloy containing g and Ni as main components, or a single metal thereof is desirable. After printing, leveling is performed for about 10 minutes to flatten the surface of the alumina substrate 21, and then
Air drying is performed at 50 ° C. for 20 minutes.

【0033】次に、焼却炉にて大気中300℃の加熱を
行うことで、印刷ペースト中の有機物をバーンアウトす
る。続いて金属微粉が焼結し、高密度化する温度(大気
中600℃程度)で焼成する。この焼成工程の雰囲気環
境としては、水素雰囲気、更には減圧雰囲気でも良く、
このようにすると共通電極用突起の更なる高密度化が期
待できる。
Next, the organic matter in the printing paste is burned out by heating at 300 ° C. in the atmosphere in an incinerator. Subsequently, the metal fine powder is sintered and fired at a temperature for increasing the density (about 600 ° C. in the atmosphere). As the atmosphere environment of this firing step, a hydrogen atmosphere, or even a reduced pressure atmosphere may be used.
By doing so, it is expected that the common electrode projections will be further densified.

【0034】次に、図3に示す共通電極用突起22よ
り、同図左側の、アルミナ基板21の左表面には、グレ
ーズガラスペースト24b1が20μmの厚さでスクリ
ーン印刷される。これと同様にして、共通電極用突起2
2より、同図右側の、アルミナ基板21の右表面には、
グレーズガラスペースト24b2が20μmの厚さでス
クリーン印刷される。ここで、上述した第1のグレーズ
ガラスペースト24b1及び第2のグレーズガラスペー
スト24b2とは、溶剤と非晶質ガラスの粉末との混合
物をいう。そして、上述した第1のグレーズガラスペー
スト24b1及び第2のグレーズガラスペースト24b2
のスクリーン印刷が終了すると、これらの表面はレベリ
ングにより平坦化される。
Next, a glaze glass paste 24b1 is screen-printed to a thickness of 20 μm on the left surface of the alumina substrate 21 on the left side of the figure from the common electrode projection 22 shown in FIG. Similarly, the common electrode protrusion 2
2, the right side of the alumina substrate 21 on the right side of FIG.
Glaze glass paste 24b2 is screen-printed to a thickness of 20 μm. Here, the above-mentioned first glaze glass paste 24b1 and second glaze glass paste 24b2 refer to a mixture of a solvent and amorphous glass powder. Then, the above-mentioned first glaze glass paste 24b1 and second glaze glass paste 24b2
When the screen printing is completed, these surfaces are flattened by leveling.

【0035】次に、レベリングにより平坦化された印刷
基板を真空容器中にて1Pa以下の真空度で15分以上
放置することで、ペーストが含有している空気をスクリ
ーン印刷表面より放出させる。次に、グレーズガラスペ
ースト24b1、24b2を、炉内において比較的低温の
140℃に加熱するというプリベーキング処理が行われ
る。140℃でプリベーキングをするのは、ガラスペー
ストに含まれる溶剤を突沸することなく徐々に揮発させ
るためである。
Next, the printed board flattened by the leveling is left in a vacuum container at a degree of vacuum of 1 Pa or less for 15 minutes or more, so that the air contained in the paste is released from the screen printing surface. Next, a pre-baking process of heating the glaze glass pastes 24b1 and 24b2 to a relatively low temperature of 140 ° C. in a furnace is performed. The reason why the prebaking is performed at 140 ° C. is to evaporate the solvent contained in the glass paste gradually without bumping.

【0036】このプリベーキング処理が終了すると、ア
ルミナ基板21を炉外に取り出し、上記140℃から室
温まで自然冷却する。次いで、アルミナ基板21は80
0℃で10分間焼成された後、室温になるまで自然冷却
される。次に、スクリーン印刷により、図3に示す共通
電極用突起22の両側部及び共通電極用突起22の両側
のグレーズガラス層の各表面に第1のグレーズガラスペ
ースト24c1及び第2のグレーズガラスペースト24
c2の表面が整えられる。本グレーズガラスは、先のグ
レーズガラス層より融点が約100℃低い。
When the pre-baking process is completed, the alumina substrate 21 is taken out of the furnace and naturally cooled from 140 ° C. to room temperature. Next, the alumina substrate 21
After baking at 0 ° C. for 10 minutes, it is naturally cooled to room temperature. Next, the first glaze glass paste 24c1 and the second glaze glass paste 24 are applied to both sides of the common electrode protrusion 22 and both surfaces of the common electrode protrusion 22 shown in FIG.
The surface of c2 is prepared. The present glaze glass has a melting point lower by about 100 ° C. than the above glaze glass layer.

【0037】次に、グレーズガラスペースト24c1、
24c2等が140℃において、上記同様にプリベーキ
ング処理され、グレーズガラスペーストペースト24c
1、24c2等に含まれる溶剤が徐々に揮発される。この
プレベーキング処理後、アルミナ基板21は、700℃
の温度とされた炉内において、10分間の焼成処理が施
される。これにより、グレーズガラスペースト24c1
とその下のグレーズガラスとが一体となり、この結果、
図4に示す盛り上がり部24a1を有する第1のグレー
ズガラス24aが形成される。
Next, the glaze glass paste 24c1,
24c2 etc. are prebaked at 140 ° C. in the same manner as above,
The solvent contained in 1, 24c2 and the like is gradually evaporated. After this pre-baking process, the alumina substrate 21
A baking treatment is performed for 10 minutes in a furnace at a temperature of. Thereby, the glaze glass paste 24c1
And the glaze glass underneath are integrated, and as a result,
A first glaze glass 24a having a raised portion 24a1 shown in FIG. 4 is formed.

【0038】また、これと同時に、グレーズガラスペー
スト24c2とその下のグレーズガラスとが一体とな
り、この結果、図4に示す盛り上がり部24a2を有す
る第2のグレーズガラス24bが形成される。ここで必
要に応じて、図3に示す共通電極用突起22を含む表面
Hが研磨される。これにより、余分なグレーズガラス及
び共通電極用突起22の表面酸化膜が除去される。
At the same time, the glaze glass paste 24c2 and the glaze glass thereunder are integrated, and as a result, a second glaze glass 24b having a raised portion 24a2 shown in FIG. 4 is formed. Here, the surface H including the common electrode projections 22 shown in FIG. 3 is polished as necessary. Thereby, the extra glaze glass and the surface oxide film of the common electrode protrusion 22 are removed.

【0039】上述した実施の形態によれば、絶縁基板の
基材をセラミック基板であるアルミナ基板とし、厚膜技
術で基板表面に共通電極用の突起を形成することで、ス
パッター、CVD等の成膜中に発生する高温にる基板の
熱変形を抑制し、成膜パターンの剥離を防止することが
できる。また、絶縁基板の基材がセラミックであるため
に、チョコレートブレークが容易で多数個取りが可能に
なり、サーマルヘッド用絶縁基板の生産性が向上する。
更に、ガラス絶縁層の第1層をグレーズガラス、第2層
を第1層より融点が50℃以上低いグレーズガラスとす
ると共に、ガラスペースト塗布後に脱泡処理を行い、第
1層の焼成温度を溶融温度よりも数10℃低くすること
で剥離強度、耐エッチング性を低下させることなく表面
欠陥が解消できる。
According to the above-described embodiment, the base material of the insulating substrate is an alumina substrate, which is a ceramic substrate, and the projections for the common electrode are formed on the substrate surface by the thick film technique, so that sputtering, CVD or the like can be performed. Thermal deformation of the substrate at a high temperature generated in the film can be suppressed, and peeling of the film formation pattern can be prevented. Further, since the base material of the insulating substrate is made of ceramic, chocolate break is easy and a large number of pieces can be obtained, thereby improving the productivity of the thermal head insulating substrate.
Further, the first layer of the glass insulating layer is made of glaze glass, the second layer is made of glaze glass having a melting point lower than that of the first layer by 50 ° C. or more. By lowering the melting temperature by several tens of degrees Celsius, surface defects can be eliminated without lowering the peel strength and the etching resistance.

【0040】また、共通電極用突起の上部表面に、1〜
2μm程度の溝を設けるようにすると、この溝は、基板
表面上に形成した突起を共通電極として使用するプレヒ
ートサーマルヘッド、ダブルラインサーマルヘッド、ド
ットシフトサーマルヘッドにおいて、共通電極用突起直
上での熱伝導を遮断し、これによりエネルギー効率の低
下を防止したサーマルヘッドとすることができる。
In addition, 1 to 1
When a groove of about 2 μm is provided, this groove can be used for a preheat thermal head, a double-line thermal head, and a dot shift thermal head that use the protrusion formed on the substrate surface as a common electrode. A thermal head can be obtained in which conduction is cut off, thereby preventing a decrease in energy efficiency.

【0041】[0041]

【発明の効果】本発明のサーマルヘッド用絶縁基板は、
上述のように構成したために以下のような優れた効果を
有する。 (1)請求項1に記載したように、絶縁基板の基材をセ
ラミック基板とし、厚膜技術で基板表面に共通電極用突
起を形成することで、スパッター、CVD等の成膜中に
発生する高温による基板の熱変形を抑制し、成膜パター
ンの剥離を防止することができる。 (2)また、絶縁基板の基材がセラミックであるため
に、チョコレートブレークが容易で多数個取りが可能に
なり、サーマルヘッド用絶縁基板の生産性が向上する。
The insulating substrate for a thermal head of the present invention comprises:
The configuration as described above has the following excellent effects. (1) As described in claim 1, the substrate of the insulating substrate is made of a ceramic substrate, and the common electrode protrusion is formed on the substrate surface by a thick film technique, which is generated during film formation such as sputtering or CVD. Thermal deformation of the substrate due to high temperature can be suppressed, and peeling of a film formation pattern can be prevented. (2) In addition, since the base material of the insulating substrate is made of ceramic, chocolate breaks are easy and a large number of pieces can be obtained, thereby improving the productivity of the thermal head insulating substrate.

【0042】(3)請求項2に記載したように、下部を
結晶性ガラス層とすれば、焼成後、セラミック化するた
めの軟化点が上昇する。これにより上部のグレーズガラ
ス層の焼成温度を高く設定することが可能となり、グレ
ーズガラス層の表面粗さを小さくすることができ、これ
は後の成膜工程での剥離を解消する上で一層効果的であ
る。
(3) As described in the second aspect, if the lower portion is made of a crystalline glass layer, the softening point for making a ceramic after firing increases. As a result, the firing temperature of the upper glaze glass layer can be set higher, and the surface roughness of the glaze glass layer can be reduced, which is more effective in eliminating peeling in a later film forming process. It is a target.

【0043】(4)請求項3に記載したように構成する
と、先ず、セラミック基板焼成後に突起を形成する側の
表面にスピンコーターによりレジストを塗布する。また
は、フィルム状のドライレジスト膜を用いることも可能
である。そして、所望の幅にフォトリソグラフィーでパ
ターンニングする。次に、ウェットエッチング若しくは
ドライエッチングにより、共通電極を所望の突起形状に
加工した後、レジスト層を剥離する。以上の工程により
実際に、本発明のサーマルヘッド用絶縁基板を形成でき
る。
(4) With the structure as described in claim 3, first, a resist is applied to the surface on the side on which the projections are to be formed after firing the ceramic substrate by a spin coater. Alternatively, a film-like dry resist film can be used. Then, patterning is performed to a desired width by photolithography. Next, after processing the common electrode into a desired projection shape by wet etching or dry etching, the resist layer is peeled off. Through the above steps, the insulating substrate for a thermal head of the present invention can be actually formed.

【0044】(5)請求項4に記載したように構成する
と、セラミック基板焼成後に突起を形成する側の表面に
スピンコーターによりレジストを塗布する。または、フ
ィルム状のドライレジスト膜を用いることも可能であ
る。そして、所望の幅にフォトリソグラフィーでパター
ンニングする。次に、ショットブラストで余分な金属部
分を除去し、共通電極を所望の突起形状に加工した後、
レジスト層を剥離することにより、本発明のサーマルヘ
ッド用絶縁基板を形成できる。
(5) According to the structure of the fourth aspect, a resist is applied by a spin coater to the surface on which the projections are to be formed after firing the ceramic substrate. Alternatively, a film-like dry resist film can be used. Then, patterning is performed to a desired width by photolithography. Next, after removing excess metal parts by shot blasting and processing the common electrode into a desired projection shape,
By peeling off the resist layer, the insulating substrate for a thermal head of the present invention can be formed.

【0045】(6)請求項5に記載したように構成する
ことにより、セラミック基板焼成後に、ダイヤモンドト
リューがコーティングされた円盤状の外周刃により余分
な金属部分を除去し、共通電極を所望の突起形状に加工
した後、本発明のサーマルヘッド用絶縁基板を形成でき
る。
(6) With the configuration as described in claim 5, after firing the ceramic substrate, an extra metal portion is removed by a disk-shaped outer peripheral blade coated with diamond truss, and a common electrode is formed as desired. After processing into the projection shape, the insulating substrate for a thermal head of the present invention can be formed.

【0046】(7)請求項6に記載したように、共通電
極用突起の高さを5μm以上とすることにより、共通電
極用突起の盛り上がりが小さくなり、プラテンローラと
の接触面積が大きくなり、サーマルヘッドの抑え圧が大
きくなりすぎて、プリント速度が低下する事態を防止す
ることができる。 (8)また、共通電極用突起の高さを150μm以下と
することにより、後の成膜工程で必要となるレジスト形
成が難しくなり、エッチング中の破断が増加する事態を
防止することができる。
(7) As described in claim 6, by setting the height of the common electrode projection to 5 μm or more, the swelling of the common electrode projection is reduced, and the contact area with the platen roller is increased. It is possible to prevent a situation in which the printing pressure is reduced due to too large a pressure for suppressing the thermal head. (8) Further, by setting the height of the common electrode projection to 150 μm or less, it is difficult to form a resist required in a subsequent film forming step, and it is possible to prevent a situation in which breakage during etching increases.

【0047】(9)請求項7に記載したように、共通電
極用突起の上部表面に溝を設けるように構成すると、こ
の溝は共通電極用突起直上での熱伝導を遮断し、これに
よりエネルギー効率の低下を防止したサーマルヘッドと
することができる。
(9) When the groove is provided on the upper surface of the common electrode projection as described in claim 7, the groove blocks heat conduction immediately above the common electrode projection, thereby providing energy. A thermal head in which a decrease in efficiency is prevented can be obtained.

【0048】(10)請求項8に記載したように、共通
電極用突起の主成分が、Au、Ag、Niの中から選択
された少なくとも1つであるように構成すると、共通電
極の酸化を抑制し、電気伝導性が良くなる。
(10) When the main component of the common electrode projection is at least one selected from Au, Ag, and Ni, the oxidation of the common electrode is prevented. Suppress and the electric conductivity is improved.

【0049】(11)請求項9に記載したように、共通
電極用突起の形成工程において、厚膜の焼成工程を減圧
下で行うように構成すると、金属微粉が焼成温度で収縮
し、その真密度が100%に近づき、共通電極用突起の
エッチング特性、機械特性が良くなり、所望の形状に仕
上げることが容易となる。
(11) As described in the ninth aspect, in the step of forming the projection for the common electrode, if the firing step of the thick film is performed under reduced pressure, the metal fine powder shrinks at the firing temperature, and the true As the density approaches 100%, the etching properties and mechanical properties of the common electrode projections are improved, and it is easy to finish the projection into a desired shape.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のサーマルヘッド用絶縁基板を用いたサ
ーマルヘッドを示す一部を切り欠いて示した斜視図であ
る。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing a thermal head using an insulating substrate for a thermal head of the present invention.

【図2】本発明のサーマルヘッド用絶縁基板を示す縦断
側面図である。
FIG. 2 is a vertical sectional side view showing an insulating substrate for a thermal head according to the present invention.

【図3】本発明のサーマルヘッド用絶縁基板の製造の一
工程を示す縦断側面図である。
FIG. 3 is a vertical sectional side view showing one process of manufacturing the insulating substrate for a thermal head of the present invention.

【図4】本発明のサーマルヘッド用絶縁基板を用いたサ
ーマルヘッドの一部を切り欠いて示した平面図である。
FIG. 4 is a partially cutaway plan view showing a thermal head using the thermal head insulating substrate of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

20:サーマルヘッド 21:アルミナ基板(セラミック基板) 22:共通電極用突起 24a、24b:グレーズガラス 20: thermal head 21: alumina substrate (ceramic substrate) 22: projection for common electrode 24a, 24b: glaze glass

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 セラミック基板の表面に厚膜プロセスで
形成された共通電極用突起と、 この突起を頂点とする凸状のグレーズガラス層と、 セラミック基板上に形成されたグレーズガラス層とを備
えたことを特徴とするサーマルヘッド用絶縁基板。
1. A projection for a common electrode formed on a surface of a ceramic substrate by a thick film process, a convex glaze glass layer having the projection as an apex, and a glaze glass layer formed on the ceramic substrate. An insulating substrate for a thermal head.
【請求項2】 上記共通電極用突起を頂点とする凸状の
グレーズガラス層において、 下部が結晶化ガラス層で、上部が非晶質ガラス層である
ことを特徴とする請求項1に記載のサーマルヘッド用絶
縁基板。
2. The convex glaze glass layer having the projections for the common electrode as vertices, wherein a lower part is a crystallized glass layer and an upper part is an amorphous glass layer. Insulating substrate for thermal head.
【請求項3】 上記共通電極用突起の形成工程が、 厚膜印刷工程、乾燥工程、焼成工程、フォトリソグラフ
ィー工程、エッチング工程、レジスト除去工程の順とな
るように構成したことを特徴とする請求項1又は2に記
載のサーマルヘッド用絶縁基板。
3. The method according to claim 1, wherein the step of forming the common electrode projection comprises a thick film printing step, a drying step, a baking step, a photolithography step, an etching step, and a resist removing step. Item 3. The thermal head insulating substrate according to item 1 or 2.
【請求項4】 上記共通電極用突起の形成工程が、 厚膜印刷工程、乾燥工程、焼成工程、フォトリソグラフ
ィー工程、ショットブラスト工程、レジスト除去工程の
順となるように構成したことを特徴とする請求項1又は
2に記載のサーマルヘッド用絶縁基板。
4. The method according to claim 1, wherein the step of forming the projection for the common electrode is performed in the order of a thick film printing step, a drying step, a baking step, a photolithography step, a shot blast step, and a resist removing step. The insulating substrate for a thermal head according to claim 1.
【請求項5】 上記共通電極用突起の形成工程が、 厚膜印刷工程、乾燥工程、焼成工程、切削工程の順とな
るように構成したことを特徴とする請求項1又は2に記
載のサーマルヘッド用絶縁基板。
5. The thermal device according to claim 1, wherein the step of forming the common electrode projection is performed in the order of a thick film printing step, a drying step, a baking step, and a cutting step. Insulating substrate for head.
【請求項6】 上記共通電極用突起の形状が、高さが5
〜150μm、幅が10〜100μmとなるように形成
したことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載
のサーマルヘッド用絶縁基板。
6. A shape of the common electrode projection having a height of 5
The insulating substrate for a thermal head according to any one of claims 1 to 5, wherein the insulating substrate is formed to have a width of 10 to 150 m and a width of 10 to 100 m.
【請求項7】 上記共通電極用突起の上部表面に溝を設
けるようにしたことを特徴とする請求項1乃至6のいず
れかに記載のサーマルヘッド用絶縁基板。
7. The insulating substrate for a thermal head according to claim 1, wherein a groove is provided on an upper surface of said common electrode projection.
【請求項8】 上記共通電極用突起の主成分が、Au、
Ag、Niの中から選択された少なくとも1つであるこ
とを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載のサー
マルヘッド用絶縁基板。
8. The main component of the common electrode projection is Au,
8. The insulating substrate for a thermal head according to claim 1, wherein the insulating substrate is at least one selected from Ag and Ni.
【請求項9】 上記共通電極用突起の形成工程におい
て、 厚膜の焼成工程を減圧下で行うようにしたことを特徴と
する請求項1乃至8のいずれかに記載のサーマルヘッド
用絶縁基板。
9. The thermal head insulating substrate according to claim 1, wherein in the step of forming the common electrode projection, the thick film baking step is performed under reduced pressure.
JP17824698A 1998-06-25 1998-06-25 Insulating substrate for thermal head Expired - Fee Related JP4158231B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17824698A JP4158231B2 (en) 1998-06-25 1998-06-25 Insulating substrate for thermal head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17824698A JP4158231B2 (en) 1998-06-25 1998-06-25 Insulating substrate for thermal head

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000006454A true JP2000006454A (en) 2000-01-11
JP4158231B2 JP4158231B2 (en) 2008-10-01

Family

ID=16045150

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17824698A Expired - Fee Related JP4158231B2 (en) 1998-06-25 1998-06-25 Insulating substrate for thermal head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4158231B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001253104A (en) * 2000-03-09 2001-09-18 Shinko Electric Co Ltd Thermal head
JP2002370399A (en) * 2001-06-14 2002-12-24 Shinko Electric Co Ltd Thermal head

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001253104A (en) * 2000-03-09 2001-09-18 Shinko Electric Co Ltd Thermal head
JP2002370399A (en) * 2001-06-14 2002-12-24 Shinko Electric Co Ltd Thermal head

Also Published As

Publication number Publication date
JP4158231B2 (en) 2008-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1212924B1 (en) Aluminum substrate thick film heater
JP6446155B1 (en) Double-sided circuit non-oxide ceramic substrate and manufacturing method thereof
JP3124873B2 (en) Thermal head and method of manufacturing the same
JPH0760849B2 (en) Electrostatic chuck plate
JP4158231B2 (en) Insulating substrate for thermal head
JP2018524816A (en) Manufacturing method of ceramic circuit board
JPH09129115A (en) Chip fuse
JPS6260662A (en) Manufacture of thermal heads
JP2000037877A (en) Manufacture of actuator in ink jet printer head
JP4359927B2 (en) Wafer heating apparatus and manufacturing method thereof
JP3172623B2 (en) Thermal head
JP2002011899A (en) Method of making thermal head
JPH1170681A (en) Insulated metal substrate for thermal head
JPH11348331A (en) Insulating metal substrate for thermal head
JP2781043B2 (en) Manufacturing method of glazed ceramic substrate
JP2580633Y2 (en) Thermal head
JP2000246929A (en) Manufacture of thermal head
JP2731453B2 (en) Thermal head substrate and method of manufacturing the same
JPH04169249A (en) Thermal printing head
JPH05330107A (en) Thermal printing head
JP2804288B2 (en) High temperature operating element
JPH0839855A (en) Thermal head and production thereof
JPH06287088A (en) Glazed ceramic base plate and its production
JP2000190542A (en) Thermal head
JPH02273251A (en) Thermal printing head

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050519

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071016

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071213

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080624

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080707

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110725

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120725

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130725

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees