JP2000004139A - Structure and method for sealing surface acoustic wave device - Google Patents

Structure and method for sealing surface acoustic wave device

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JP2000004139A
JP2000004139A JP16804198A JP16804198A JP2000004139A JP 2000004139 A JP2000004139 A JP 2000004139A JP 16804198 A JP16804198 A JP 16804198A JP 16804198 A JP16804198 A JP 16804198A JP 2000004139 A JP2000004139 A JP 2000004139A
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Japan
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sheet
piezoelectric substrate
sealing
base substrate
acoustic wave
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Masayuki Sawano
正之 沢野
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the structure and method for sealing a surface acoustic wave device which can easily and surely form an air gap and reduce the pack age cost. SOLUTION: The sealing structure for a surface acoustic wave device which forms an air gap 14 by forming a join member 16 surrounding a function surface 11a of a piezoelectric substrate 11 and mounting it facedown on a base substrate 13 with the function surface 11a under is equipped with a sheet 20 which is adhered and fixed to the base substrate 13 and a sealing material 19 which seals the piezoelectric substrate 11 covered with the sheet 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、弾性表面波デバイ
スの封止構造及びその封止方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device sealing structure and a sealing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、携帯電話やPHS(Person
al Handyphone System)の普及が
著しく、さらに電子機器のパーソナル通信化が進んでお
り、それに伴い無線通信に必要な高周波アナログ部品が
非常に重要となっている。その中でも弾性表面波(また
はレイリー波、以下SAW:Surface Acou
stic Wave)を利用したデバイスは、小型化、
低コスト化などの面から非常に有効であり、共振子やフ
ィルタなどに使用されている。
2. Description of the Related Art In recent years, portable telephones and PHS (Person)
al Handyphone System) has become remarkably widespread, and personalization of electronic devices has been progressing. Accordingly, high-frequency analog components required for wireless communication have become very important. Among them, a surface acoustic wave (or Rayleigh wave, hereinafter referred to as SAW: Surface Acou)
Stick Wave) devices are smaller,
It is very effective in terms of cost reduction and is used for resonators and filters.

【0003】一般的なSAWデバイスにおいては、電気
信号から弾性波への変換、あるいはその逆の変換を行う
変換器(トランスデューサ)が必要であり、そのための
材料としては圧電体が使われる。圧電体に電界を印加す
ると、歪み、すなわち変形が生じ、逆に応力を加えると
電気変位が変化する、いわゆる圧電効果が発生するた
め、上記した電気信号及び弾性波のトランスデューサ
は、この圧電効果を利用して電気及び弾性波の変換を行
っている。圧電単結晶材料としては、水晶やニオブ酸リ
チウム(LiNbO3 )、タンタル酸リチウム(LiT
aO3 )などが多く使われている。
[0003] A general SAW device requires a transducer for converting an electric signal into an elastic wave or vice versa, and a piezoelectric material is used as a material therefor. When an electric field is applied to the piezoelectric body, distortion, that is, deformation occurs, and conversely, when a stress is applied, the electrical displacement changes, that is, a so-called piezoelectric effect occurs. Utilizing it to convert electric and elastic waves. As the piezoelectric single crystal material, quartz, lithium niobate (LiNbO 3 ), lithium tantalate (LiT
aO 3 ) is widely used.

【0004】例えば、図15は従来のSAWトランスバ
ーサル型のフィルタの構成図であり、図15(a)はそ
のフィルタの平面図、図15(b)はそのフィルタの側
面図である。図16はその弾性表面波デバイスの封止構
造を示す断面図である。これらの図に示すように、SA
Wトランスバーサル型のフィルタは、圧電効果を有する
圧電体基板1とIDT(Interdigidal T
ransducer:すだれ状電極トランスデューサ)
2から構成されている。
For example, FIG. 15 is a configuration diagram of a conventional SAW transversal filter, FIG. 15A is a plan view of the filter, and FIG. 15B is a side view of the filter. FIG. 16 is a sectional view showing a sealing structure of the surface acoustic wave device. As shown in these figures, SA
The W transversal type filter is composed of a piezoelectric substrate 1 having a piezoelectric effect and an IDT (Interdigital T).
(transducer: interdigital transducer)
2 is comprised.

【0005】そこで、入力信号6がIDT2に印加され
ると、IDT2部に印加電界分布に対応して、圧電効果
により圧電体基板1表面近傍に周期的な歪みが生じ、S
AWを励振する。さらにSAWは圧電体基板1表面を伝
搬した後、IDT2より再度電気信号に変換されて出力
信号7となる。また、SAWの波長λはIDT2の電極
周期2dに一致する周波数f0(=v/2d、v:表面
波速度)で、各電極脂から励起されたSAWが同相に加
わるので、送受間の感度が最も高くなる。
Therefore, when the input signal 6 is applied to the IDT 2, a periodic distortion is generated in the vicinity of the surface of the piezoelectric substrate 1 due to the piezoelectric effect in accordance with the applied electric field distribution in the IDT 2 part,
Excite the AW. Further, the SAW propagates on the surface of the piezoelectric substrate 1 and is converted into an electric signal again by the IDT 2 to become an output signal 7. Further, the wavelength λ of the SAW is a frequency f0 (= v / 2d, v: surface wave velocity) corresponding to the electrode period 2d of the IDT 2, and the SAW excited from each electrode is added to the same phase, so that the sensitivity between transmission and reception is reduced. Will be the highest.

【0006】このようなSAWデバイスの実装方法は、
図16に示すように、ワイヤボンディングによる接続を
用いて電気的に接続するなど一般的なLSIと同様な実
装方法が適用可能である。しかし、SAWデバイスは、
圧電体基板1表面をSAWが伝搬するため、圧電体基板
1表面にエアギャップ4が必要不可欠であり、従って、
キャビティを有するベース基板3へ封止リッド5を搭載
して封止し、圧電体基板1表面のSAW伝搬部分にエア
ギャップ4を形成するようにしたものが、現在最も一般
的なSAWデバイスのパッケージ構造である(例えば、
通信用フィルタ回路の設計とその応用、総合電子出版社
参照)。
[0006] The mounting method of such a SAW device is as follows.
As shown in FIG. 16, a mounting method similar to that of a general LSI, such as electrical connection using connection by wire bonding, can be applied. However, SAW devices
Since the SAW propagates on the surface of the piezoelectric substrate 1, the air gap 4 is indispensable on the surface of the piezoelectric substrate 1.
A package in which a sealing lid 5 is mounted on a base substrate 3 having a cavity and sealed to form an air gap 4 in a SAW propagation portion on the surface of the piezoelectric substrate 1 is a package of the most common SAW device at present. Structure (for example,
Design of communication filter circuit and its application, see Sogo Denshi Publisher).

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来のSAWデバイスの実装方法では、一般的なL
SIパッケージ(例えば、トランスファモールドなど)
に比較して、エアギャップを確保するための構造上の問
題から、パッケージサイズの小型化が難しく、さらにパ
ッケージコストが非常に高価になるなどの問題点があっ
た。
However, in the above-described conventional mounting method of a SAW device, a general LW device is used.
SI package (eg, transfer mold)
In comparison with the above, there is a problem that it is difficult to reduce the package size and the package cost becomes extremely high due to a structural problem for securing the air gap.

【0008】本発明は、上記問題点を除去し、エアギャ
ップを容易に、かつ確実に形成するとともに、パッケー
ジコストを安価にすることができる弾性表面波デバイス
の封止構造及びその封止方法を提供することを目的とす
る。
The present invention eliminates the above-mentioned problems, and provides a sealing structure and a sealing method for a surface acoustic wave device capable of easily and reliably forming an air gap and reducing the package cost. The purpose is to provide.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕弾性表面波デバイスの封止構造において、圧電体
基板の機能面を囲むように接合部材を形成し、前記圧電
体基板の機能面を下方にしてベース基板にフェースダウ
ン実装してエアギャップを形成する弾性表面波デバイス
の封止構造において、前記圧電体基板を包み込むととも
に、前記ベース基板へ密着固定されるシートと、このシ
ートによりカバーされた圧電体基板を封止する封止材を
具備するようにしたものである。
According to the present invention, in order to achieve the above object, [1] a joining member is formed so as to surround a functional surface of a piezoelectric substrate in a sealing structure of a surface acoustic wave device; In a surface acoustic wave device sealing structure in which an air gap is formed by mounting the piezoelectric substrate face down on a base substrate with the functional surface of the piezoelectric substrate facing down, the piezoelectric substrate is wrapped and closely fixed to the base substrate. A sheet and a sealing material for sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet are provided.

【0010】〔2〕弾性表面波デバイスの封止構造にお
いて、圧電体基板の機能面を上方にして、該機能面側の
周囲に形成される接続パッドとベース基板の接続部間を
接続するボンディングワイヤと、前記機能面との間にエ
アギャップを形成するように、前記ボンディングワイヤ
を覆うとともに、前記ベース基板へ密着固定されるシー
トと、このシートによりカバーされた圧電体基板を封止
する封止材を具備するようにしたものである。
[2] In a sealing structure of a surface acoustic wave device, bonding in which a functional surface of a piezoelectric substrate is directed upward and a connection pad formed around the functional surface side and a connection portion of a base substrate are connected. A sheet that covers the bonding wires and is tightly fixed to the base substrate so as to form an air gap between the wires and the functional surface; and a seal that seals the piezoelectric substrate covered by the sheet. A stop member is provided.

【0011】〔3〕弾性表面波デバイスの封止構造にお
いて、圧電体基板の機能面を上方にして、この機能面側
の周囲に形成される接続パッドとベース基板の接続部間
を接続するボンディングワイヤと、このボンディングワ
イヤを囲むように形成される枠と、前記機能面との間に
エアギャップを形成するように、前記枠を包み込むとと
もに、前記ベース基板へ密着固定されるシートと、この
シートによりカバーされた圧電体基板を封止する封止材
を具備するようにしたものである。
[3] In the sealing structure of the surface acoustic wave device, bonding in which the function surface of the piezoelectric substrate is directed upward and connection pads formed around the function surface side and connection portions of the base substrate are connected. A wire, a frame formed so as to surround the bonding wire, and a sheet that wraps the frame so as to form an air gap between the functional surface and is tightly fixed to the base substrate; And a sealing material for sealing the piezoelectric substrate covered by.

【0012】〔4〕弾性表面波デバイスの封止構造にお
いて、圧電体基板の機能面を上方にして、この機能面側
の周囲に形成される接続パッドとベース基板の接続部間
を接続するボンディングワイヤと、このボンディングワ
イヤによる接続領域の少なくとも4隅に形成される柱
と、前記機能面との間にエアギャップを形成するよう
に、前記柱を包み込むとともに、前記ベース基板へ密着
固定されるシートと、このシートによりカバーされた圧
電体基板を封止する封止材を具備するようにしたもので
ある。
[4] In the sealing structure of the surface acoustic wave device, bonding in which the functional surface of the piezoelectric substrate is directed upward and connection pads formed around the functional surface side are connected to connection portions of the base substrate. A sheet enclosing the column and tightly fixed to the base substrate so as to form an air gap between the wire, the column formed at at least four corners of the connection region by the bonding wire, and the functional surface; And a sealing material for sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet.

【0013】〔5〕上記〔1〕、〔2〕、〔3〕又は
〔4〕記載の弾性表面波デバイスの封止構造において、
前記シートの外側面に形成される導電部と、この導電部
が接続されるグランドパターンとを具備するようにした
ものである。 〔6〕弾性表面波デバイスの封止方法において、圧電体
基板の機能面を囲むように接合部材を形成し、前記圧電
体基板の機能面を下方にしてベース基板にフェースダウ
ン実装してエアギャップを形成する弾性表面波デバイス
の封止方法において、シートを前記圧電体基板に被せる
とともに、前記ベース基板へ仮固定する工程と、前記シ
ートを加熱して前記圧電体基板を包み込むとともに、前
記ベース基板へ密着固定する工程と、前記シートにより
カバーされた圧電体基板を封止材により封止する工程と
を施すようにしたものである。
[5] In the sealing structure for a surface acoustic wave device according to the above [1], [2], [3] or [4],
A conductive portion formed on the outer surface of the sheet and a ground pattern to which the conductive portion is connected are provided. [6] In the method for sealing a surface acoustic wave device, a bonding member is formed so as to surround a functional surface of a piezoelectric substrate, and the functional surface of the piezoelectric substrate is face-down mounted on a base substrate with an air gap. In the method for encapsulating a surface acoustic wave device, a step of covering a sheet on the piezoelectric substrate and temporarily fixing the sheet to the base substrate, and heating the sheet to wrap the piezoelectric substrate and the base substrate And a step of sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material.

【0014】〔7〕弾性表面波デバイスの封止方法にお
いて、圧電体基板の機能面を上方にして、この機能面側
の周囲に形成される接続パッドとベース基板の接続部間
をボンディングワイヤにより接続するワイヤボンディン
グ工程と、前記機能面との間にエアギャップを形成する
ようにシートを前記ボンディングワイヤに被せるととも
に、前記ベース基板へ仮固定する工程と、前記シートを
加熱して前記ボンディングワイヤを覆うとともに、前記
ベース基板へ密着固定する工程と、前記シートによりカ
バーされた圧電体基板を封止材により封止する工程とを
施すようにしたものである。
[7] In the method of sealing a surface acoustic wave device, the functional surface of the piezoelectric substrate is directed upward, and a bonding wire is formed between a connection pad formed around the functional surface and a connection portion of the base substrate with a bonding wire. A wire bonding step for connecting, a step of covering a sheet on the bonding wire so as to form an air gap between the functional surface and a step of temporarily fixing the sheet to the base substrate, and heating the sheet to bond the bonding wire. A step of covering and closely fixing the piezoelectric substrate to the base substrate and a step of sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material are performed.

【0015】〔8〕弾性表面波デバイスの封止方法にお
いて、圧電体基板の機能面を上方にして、この機能面側
の周囲に形成される接続パッドとベース基板の接続部間
をボンディングワイヤにより接続するワイヤボンディン
グ工程と、前記ボンディングワイヤ領域を囲む枠を形成
する工程と、前記機能面との間にエアギャップを形成す
るようにシートを前記枠に被せるとともに、前記ベース
基板へ仮固定する工程と、前記シートを加熱して前記枠
を包み込むとともに、前記ベース基板へ密着固定する工
程と、前記シートによりカバーされた圧電体基板を封止
材により封止する工程とを施すようにしたものである。
[8] In the method of sealing a surface acoustic wave device, the bonding surface is formed between a connection pad formed around the function surface side and a connection portion of the base substrate with a bonding wire with the function surface of the piezoelectric substrate facing upward. A wire bonding step of connecting, a step of forming a frame surrounding the bonding wire region, and a step of covering a sheet on the frame so as to form an air gap between the functional surface and temporarily fixing the sheet to the base substrate. And a step of heating the sheet to wrap the frame and tightly fixing the sheet to the base substrate, and a step of sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material. is there.

【0016】[0016]

〔9〕弾性表面波デバイスの封止方法にお
いて、圧電体基板の機能面を上方にして、この機能面側
の周囲に形成される接続パッドとベース基板の接続部間
をボンディングワイヤにより接続するワイヤボンディン
グ工程と、このボンディングワイヤによる接続領域の少
なくとも4隅に柱を形成する工程と、前記機能面との間
にエアギャップを形成するようにシートを前記柱に被せ
るとともに、前記ベース基板へ仮固定する工程と、前記
シートを加熱して前記機能面との間にエアギャップを形
成するように、前記柱を包み込むとともに、前記ベース
基板へ密着固定する工程と、前記シートによりカバーさ
れた圧電体基板を封止材で封止する工程とを施すように
したものである。
[9] In the method for sealing a surface acoustic wave device, a wire for connecting a connection pad formed around the functional surface side and a connection portion of a base substrate with a bonding wire with the functional surface of the piezoelectric substrate facing upward. A bonding step, a step of forming pillars in at least four corners of a connection region by the bonding wires, and a step of covering the pillars with a sheet so as to form an air gap between the functional surfaces and temporarily fixing the sheet to the base substrate. Heating the sheet to form an air gap between the functional surface, and wrapping the pillars, and closely fixing the pillars to the base substrate; and a piezoelectric substrate covered by the sheet. With a sealing material.

【0017】〔10〕上記〔6〕、〔7〕、〔8〕又は
[10] The above [6], [7], [8] or

〔9〕記載の弾性表面波デバイスの封止方法において、
前記シートの外側面に導電処理を施すとともに、ベース
基板のグランドパターンへ接続するようにしたものであ
る。
[9] The method for sealing a surface acoustic wave device according to the above,
The outer surface of the sheet is subjected to a conductive treatment and is connected to a ground pattern of a base substrate.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。図1は本発明の第1実施例を示す弾
性表面波デバイスの封止構造を示す断面図、図2は図1
のA部拡大図、図3はその弾性表面波デバイスの封止構
造を示す平面図である。
Embodiments of the present invention will be described below in detail. FIG. 1 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention, and FIG.
3 is a plan view showing a sealing structure of the surface acoustic wave device.

【0019】これらの図に示すように、圧電体基板11
の機能面11aをベース基板13へ対向させるように接
合部材16で圧電体基板11とベース基板13を接続す
る。これは一般的に行われるバンプ接続技術を用いて行
い、接合部材16にはハンダやAuの材料が多く使用さ
れている。次に、接続された圧電体基板11を封止材1
9で覆うように封止し、エアギャップ14を形成する。
As shown in these figures, the piezoelectric substrate 11
The piezoelectric substrate 11 and the base substrate 13 are connected by the joining member 16 so that the functional surface 11 a of the piezoelectric substrate 11 faces the base substrate 13. This is performed by using a commonly used bump connection technique, and a material such as solder or Au is often used for the bonding member 16. Next, the connected piezoelectric substrate 11 is
Then, sealing is performed so as to cover with an air gap 9, and an air gap 14 is formed.

【0020】この時に重要なのは、封止材19が機能面
11aまで流れ込まないようにすることである。そのた
めに、封止材19で封止する前に、圧電体基板11をシ
ート20で完全に包み込み、加熱してベース基板13へ
密着固定する。これにより、圧電体基板11とベース基
板13の間に封止材19が浸入することがなくなり、エ
アギャップ14は確実に確保される。また、生産性を考
慮すると、加熱前にシート20がベース基板13へ仮固
定されている方が、加熱工程までの間にシート20が動
く心配がなくなるので、初期的に粘着性のあるシートを
使用するか、もしくはシート20の外周とベース基板1
3面を熱圧着しておく方が良い。つまり、仮固定してお
く。
What is important at this time is to prevent the sealing material 19 from flowing into the functional surface 11a. For this purpose, before sealing with the sealing material 19, the piezoelectric substrate 11 is completely wrapped in the sheet 20, heated and adhered to the base substrate 13. Thereby, the sealing material 19 does not enter between the piezoelectric substrate 11 and the base substrate 13, and the air gap 14 is reliably secured. In consideration of productivity, when the sheet 20 is temporarily fixed to the base substrate 13 before heating, there is no need to worry about movement of the sheet 20 before the heating step. Use or use the outer periphery of the sheet 20 and the base substrate 1
It is better to heat-press three surfaces. That is, they are temporarily fixed.

【0021】ここで、シート20に使用する材料は、熱
を加えると軟化、収縮する樹脂材料が良く、加熱温度は
シート20が液化しない程度の温度が良い。例えば、ビ
ニル樹脂などは、その熱変形温度が50℃程度であり、
少なくとも60〜70℃の加熱温度で十分にベース基板
13へ密着固定することができる。また、初期的にある
程度の粘着性を有するものでは、一般的に市販されてい
る接着剤シートなどが良い。例えば、ポリエステル製の
不織布にアクリル系樹脂を浸透させたシート状の接着剤
では、硬化温度が100℃前後であり十分にベース基板
13へ密着固定することができる。
Here, the material used for the sheet 20 is preferably a resin material which softens and shrinks when heat is applied, and the heating temperature is preferably such that the sheet 20 does not liquefy. For example, vinyl resin has a heat deformation temperature of about 50 ° C.
At least at a heating temperature of 60 to 70 ° C., it can be sufficiently adhered and fixed to the base substrate 13. In addition, those having a certain degree of tackiness at the beginning may be generally commercially available adhesive sheets. For example, in the case of a sheet-like adhesive in which an acrylic resin is impregnated into a nonwoven fabric made of polyester, the curing temperature is around 100 ° C., and the adhesive can be sufficiently fixed to the base substrate 13.

【0022】さらに、不織布を有する構造であるため、
シート20の接着剤自体が圧電体基板11とベース基板
13の間へ浸入することはない。なお、図2において、
17は入出力端子、18は接続パッドである。このよう
に、第1実施例によれば、容易に、かつ確実にエアギャ
ップを形成することが可能なことから、パッケージコス
トを非常に安価にすることができ、さらに、バンプ接続
技術を用いたフェイスダウンした実装を併用しているた
め、パッケージサイズの小型化が容易になる。
Furthermore, since the structure has a nonwoven fabric,
The adhesive itself of the sheet 20 does not enter between the piezoelectric substrate 11 and the base substrate 13. In FIG. 2,
17 is an input / output terminal, and 18 is a connection pad. As described above, according to the first embodiment, since the air gap can be formed easily and surely, the package cost can be extremely reduced, and further, the bump connection technique is used. Since a face-down mounting is also used, it is easy to reduce the package size.

【0023】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。図4は本発明の第2実施例を示す弾性表面波デバイ
スの封止構造を示す断面図、図5は図4のB部拡大図で
ある。なお、第1実施例と同様の部分には同じ符合を付
してそれらの説明は省略する。この実施例においても、
第1実施例のように、シート31を配置するようにして
いるが、このシート31の外側面、つまり、圧電体基板
11と逆側に位置するシート31の片側表面に導電処理
を施し導電部32を形成し、加熱後、ベース基板33の
グランドパターン34と接地するか、もしくは封止材3
5で封止した後、封止材35表面に導電処理を施し導電
部36を形成し、ベース基板33のグランドパターン3
4へ接地するようにする。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 5 is an enlarged view of a portion B in FIG. The same parts as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Also in this example,
As in the first embodiment, the sheet 31 is arranged. However, the outer surface of the sheet 31, that is, one surface of the sheet 31 located on the opposite side to the piezoelectric substrate 11 is subjected to a conductive process, and a conductive portion is formed. 32, and after heating, is grounded to the ground pattern 34 of the base substrate 33 or the sealing material 3
5, the surface of the sealing material 35 is subjected to a conductive process to form a conductive portion 36, and the ground pattern 3 of the base substrate 33 is formed.
Connect to ground.

【0024】ここで施す導電処理は、導電塗料を吹き付
けたり、無電界メッキ処理を行ったりすることにより、
シート引の導電部32を容易に形成することができる。
また、封止材35への導電処理36は、蒸着方法やスパ
ッタ法などでも行うことが可能であり、熱的に問題なく
行える。このように、第2実施例によれば、シート31
によるシールとともに、シート31の外側面には導電部
32を形成し、ベース基板33のグランドパターン34
へ接地することができる。
The conductive treatment applied here is performed by spraying a conductive paint or performing electroless plating.
The conductive portion 32 of the sheet pull can be easily formed.
In addition, the conductive treatment 36 for the sealing material 35 can be performed by a vapor deposition method, a sputtering method, or the like, and can be performed without a thermal problem. Thus, according to the second embodiment, the sheet 31
The conductive portion 32 is formed on the outer surface of the sheet 31 together with the sealing by the ground pattern 34 of the base substrate 33.
To ground.

【0025】次に、本発明の第3実施例について説明す
る。図6は本発明の第3実施例を示す弾性表面波デバイ
スの封止構造を示す断面図、図7は図6のC部拡大図、
図8は本発明の第3実施例を示す弾性表面波デバイスの
シート部の封止工程断面図である。これらの図に示すよ
うに、圧電体基板41との電気的接続にボンディングワ
イヤ42によるW/B(Wire−Bonding)を
施す構造に、シート46を用いてエアギャップ40を形
成することができる。なお、図6、図7において、44
は圧電体基板41の機能面側の周囲に形成される接続パ
ッド(1stボンディング部)、45はベース基板43
の接続部(2ndボンディング部)、47,50は導電
部、48はグランドパターン、49は封止材である。
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 6 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 7 is an enlarged view of a portion C in FIG.
FIG. 8 is a sectional view showing a sealing step of a sheet portion of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention. As shown in these figures, the air gap 40 can be formed using the sheet 46 in a structure in which electrical connection with the piezoelectric substrate 41 is performed by W / B (Wire Bonding) using bonding wires 42. 6 and 7, 44
Is a connection pad (first bonding portion) formed around the functional surface side of the piezoelectric substrate 41, and 45 is a base substrate 43
, A conductive portion, 47 and 50 are ground patterns, and 49 is a sealing material.

【0026】以下、弾性表面波デバイスのシート部の形
成方法について図8を参照しながら説明する。 (1)まず、図8(a)に示すように、圧電体基板41
の機能面41a上方に凸状のシート46′を位置決めす
る。 (2)次に、図8(b)に示すように、圧電体基板41
の機能面41aへエアギャップを形成するために、圧電
体基板41の外周部に設けられたボンディングワイヤ4
2とともに、凸状のシート46′で圧電体基板41を覆
い囲み、仮固定する。
Hereinafter, a method of forming the sheet portion of the surface acoustic wave device will be described with reference to FIG. (1) First, as shown in FIG.
The convex sheet 46 'is positioned above the functional surface 41a. (2) Next, as shown in FIG.
In order to form an air gap on the functional surface 41a of the piezoelectric substrate 41, a bonding wire 4
Along with 2, the piezoelectric substrate 41 is covered with a convex sheet 46 'and temporarily fixed.

【0027】(3)次に、図8(c)に示すように、凸
状のシート46′を加熱してベース基板43へ密着さ
せ、シート46を形成する。図示しないが、その後、封
止材で圧電体基板を封止する。ここで、シート46によ
り圧電体基板41を包む時に、ボンディングワイヤ42
が潰れないようにボンディングワイヤ42に接触しない
ような凸状のシート46′を用い、凸状のシート46′
の外周とベース基板43面を熱圧着した後で加熱するよ
うにした。そうすれば、加熱により軟化する凸状のシー
ト46′は全体的に収縮していくので、ボンディングワ
イヤ42が潰れることはない。しかし、そのような恐れ
がない場合には、凸状のシートでなくてもよい。
(3) Next, as shown in FIG. 8C, the convex sheet 46 'is heated and brought into close contact with the base substrate 43 to form the sheet 46. Although not shown, the piezoelectric substrate is then sealed with a sealing material. Here, when the piezoelectric substrate 41 is wrapped by the sheet 46, the bonding wires 42
A convex sheet 46 'which does not come into contact with the bonding wire 42 so as not to be crushed is used.
After the outer periphery of the base substrate 43 and the surface of the base substrate 43 are thermocompression-bonded, heating is performed. Then, since the convex sheet 46 'which is softened by heating contracts as a whole, the bonding wire 42 does not collapse. However, when there is no such fear, the sheet need not be a convex sheet.

【0028】また、圧電体基板41のシールド性に関し
ては、第2実施例と同様な構成とすることが当然可能で
ある。このように、第3実施例によれば、容易に、かつ
確実にエアギャップを形成することが可能であることか
ら、パッケージコストを非常に安価にすることができ
る。
As for the shielding property of the piezoelectric substrate 41, it is of course possible to adopt the same configuration as in the second embodiment. As described above, according to the third embodiment, since the air gap can be easily and reliably formed, the package cost can be extremely reduced.

【0029】さらに、従来の封止構造では、ワイヤボン
ディング部と封止リッドを接触させないよう、間隙を設
けて封止していたが、本発明の構造ではその必要がない
ので、高さを抑えたパッケージサイズの小型化が容易に
なる。次に、本発明の第4実施例について説明する。図
9は本発明の第4実施例を示す弾性表面波デバイスの封
止構造を示す断面図、図10は図9のD部拡大図、図1
1はその弾性表面波デバイスの封止構造を示す平面図で
ある。
Further, in the conventional sealing structure, a gap is provided so as to prevent the wire bonding portion and the sealing lid from coming into contact with each other. However, in the structure of the present invention, this is not necessary. It is easy to reduce the package size. Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 9 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 10 is an enlarged view of a portion D in FIG.
FIG. 1 is a plan view showing a sealing structure of the surface acoustic wave device.

【0030】これらの図に示すように、50はエアギャ
ップ、51は圧電体基板、51aは機能面、51bは圧
電体基板の外形部、52はホンディングワイヤ、53は
ベース基板、54は圧電体基板51の機能面側の周囲に
形成される接続パッド(1stボンディング部)、55
はベース基板53の接続部(2ndボンディング部)、
56は2ndボンディング部55を囲むように配置され
る枠、57はシート、58はシート57の外側面、つま
り、圧電体基板51と逆側に位置するシート57の片側
表面に形成される導電部、この導電部58により、加熱
後、ベース基板53のグランドパターン59と接地する
か、もしくは封止材60で封止した後、封止材60表面
に導電処理を施した導電部61により、グランドパター
ン59へ接地するようにする。
As shown in these figures, 50 is an air gap, 51 is a piezoelectric substrate, 51a is a functional surface, 51b is an outer portion of the piezoelectric substrate, 52 is a bonding wire, 53 is a base substrate, and 54 is a piezoelectric substrate. Connection pads (1st bonding portion) formed around the functional surface side of the body substrate 51, 55
Denotes a connection portion (2nd bonding portion) of the base substrate 53,
Reference numeral 56 denotes a frame disposed so as to surround the second bonding portion 55, 57 denotes a sheet, and 58 denotes an outer surface of the sheet 57, that is, a conductive portion formed on one surface of the sheet 57 located on the opposite side to the piezoelectric substrate 51. After heating by the conductive portion 58, the ground portion is grounded to the ground pattern 59 of the base substrate 53, or after being sealed with the sealing material 60, the conductive portion 61 having the surface of the sealing material 60 subjected to a conductive process is used to ground. The pattern 59 is grounded.

【0031】このように、圧電体基板51の機能面51
aへエアギャップ50を形成するために、2ndボンデ
ィング部55を囲むように枠56を設けておき、封止材
60で封止する前に圧電体基板51を含めた枠56部を
シート57で覆い囲み、加熱してシート57を枠56へ
密着させ、最後に、封止材60で圧電体基板51を封止
する。
As described above, the functional surface 51 of the piezoelectric substrate 51
A frame 56 is provided so as to surround the second bonding portion 55 in order to form the air gap 50 in the area a. The frame 56 including the piezoelectric substrate 51 is sealed with a sheet 57 before sealing with the sealing material 60. The sheet 57 is enclosed and heated so that the sheet 57 is in close contact with the frame 56. Finally, the piezoelectric substrate 51 is sealed with the sealing material 60.

【0032】したがって、この枠56の高さは、ベース
基板53からホンディングワイヤ52のループの最高位
置までの高さ程度とするのが良い。このように、第4実
施例によれば、シートの荷重を枠で受けることができる
ので、ワイヤホンディングが潰れることがなくなる。ま
た、圧電体基板のシールド性に関しては、第2実施例と
同様に構成することが当然可能であり、さらに、圧電体
基板とベース基板の電位的接続に、接合材料などのバン
プ接続技術を用いた構造に適用可能なことは言うまでも
ない。
Therefore, the height of the frame 56 is preferably about the height from the base substrate 53 to the highest position of the loop of the bonding wire 52. As described above, according to the fourth embodiment, since the load of the seat can be received by the frame, the wire hiding does not collapse. Further, as for the shielding property of the piezoelectric substrate, it is naturally possible to configure the same as in the second embodiment, and further, a bump connection technique such as a bonding material is used for the potential connection between the piezoelectric substrate and the base substrate. Needless to say, it is applicable to the existing structure.

【0033】次に、本発明の第5実施例について説明す
る。図12は本発明の第5実施例を示す弾性表面波デバ
イスの封止構造を示す断面図、図13は図12のE部拡
大図、図14はその弾性表面波デバイスの封止構造を示
す平面図である。これらの図に示すように、70はエア
ギャップ、71は圧電体基板、71aは機能面、71b
は圧電体基板の外形部、72はホンディングワイヤ、7
3はベース基板、74は圧電体基板71の機能面側の周
囲に形成される接続パッド(1stボンディング部)、
75はベース基板73の接続部(2ndボンディング
部)である。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described. 12 is a cross-sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 13 is an enlarged view of a portion E in FIG. 12, and FIG. 14 shows a sealing structure of the surface acoustic wave device. It is a top view. As shown in these figures, 70 is an air gap, 71 is a piezoelectric substrate, 71a is a functional surface, 71b
Is the outer portion of the piezoelectric substrate, 72 is a bonding wire, 7
3 is a base substrate, 74 is a connection pad (1st bonding part) formed around the functional surface side of the piezoelectric substrate 71,
Reference numeral 75 denotes a connection portion (2nd bonding portion) of the base substrate 73.

【0034】更に、76は第4実施例に示した枠に代え
て、少なくとも圧電体基板71のボンディング領域の4
隅に形成される柱、77はシート、78はシート77の
外側面、つまり、圧電体基板71と逆側に位置するシー
ト77の片側表面に形成される導電部である。この導電
部78により、加熱後、ベース基板73のグランドパタ
ーン79と接地するか、もしくは封止材80で封止した
後、封止材80表面に導電処理を施した導電部81によ
り、グランドパターン79へ接地するようにする。
Further, reference numeral 76 designates at least the bonding area of the piezoelectric substrate 71 instead of the frame shown in the fourth embodiment.
Columns 77 formed at the corners, 77 is a sheet, and 78 is a conductive portion formed on the outer surface of the sheet 77, that is, on one surface of the sheet 77 located on the side opposite to the piezoelectric substrate 71. After heating by the conductive portion 78, the ground pattern is grounded to the ground pattern 79 of the base substrate 73, or after sealing with the sealing material 80, the conductive portion 81 having the surface of the sealing material 80 subjected to a conductive treatment is used to form the ground pattern. Ground to 79.

【0035】このように、第5実施例は、第4実施例に
示した枠56に代えて、少なくとも圧電体基板71のボ
ンディング領域の4隅に形成される柱76を配置するよ
うにする。圧電体基板71の機能面71aへ、エアギャ
ップ70を形成するために、2ndボンディング部75
を囲むように柱76を設けておき、封止材80で封止す
る前に圧電体基板71を含めた柱76部をシート77で
覆い囲み、加熱してシート77を柱76へ密着させ、最
後に封止材80で圧電体基板71を封止する。この柱7
6の高さは、ベース基板73からホンディングワイヤ7
2のループの最高位置までの高さ程度とするのが良い。
As described above, in the fifth embodiment, the columns 76 formed at least at the four corners of the bonding region of the piezoelectric substrate 71 are arranged instead of the frame 56 shown in the fourth embodiment. In order to form the air gap 70 on the functional surface 71a of the piezoelectric substrate 71, the second bonding portion 75
Is provided so as to surround the column 76, and before sealing with the sealing material 80, the column 76 including the piezoelectric substrate 71 is covered with a sheet 77, and heated to make the sheet 77 adhere to the column 76, Finally, the piezoelectric substrate 71 is sealed with a sealing material 80. This pillar 7
The height of the connecting wire 7 is
The height is preferably about the height of the maximum position of the second loop.

【0036】更に、柱76はワイヤボンディング部を囲
む4隅に配置しているが、これは任意の位置に配置する
ことができる。つまり、ボンディングワイヤの接続位置
や圧電体基板の外形サイズに対応して、最適な配置を行
うことができる。また、圧電体基板71のシールド性に
関しては、第2実施例と同様な構成とすることができ
る。さらに、圧電体基板71とベース基板73の電気的
接続に、接合材料などのバンプ接続技術を用いた構造に
適用可能なことは言うまでもない。
Further, although the columns 76 are arranged at the four corners surrounding the wire bonding portion, they can be arranged at any positions. In other words, an optimal arrangement can be performed according to the connection position of the bonding wires and the outer size of the piezoelectric substrate. In addition, the shielding property of the piezoelectric substrate 71 can be the same as that of the second embodiment. Further, it is needless to say that the electrical connection between the piezoelectric substrate 71 and the base substrate 73 can be applied to a structure using a bump connection technique such as a bonding material.

【0037】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。 (1)請求項1又は6記載の発明によれば、容易に、か
つ確実にエアギャップを形成するとともに、パッケージ
コストを大幅に低減にすることができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained. (1) According to the first or sixth aspect of the present invention, the air gap can be easily and reliably formed, and the package cost can be significantly reduced.

【0039】さらに、バンプ接続技術を用いたフェイス
ダウンした実装を併用しているため、パッケージサイズ
の小型化が容易になる。 (2)請求項2又は7記載の発明によれば、容易に、か
つ確実にエアギャップを形成することができるので、パ
ッケージコストを非常に安価にすることができる。
Further, since a face-down mounting using a bump connection technique is also used, it is easy to reduce the package size. (2) According to the second or seventh aspect of the invention, the air gap can be easily and reliably formed, so that the package cost can be extremely reduced.

【0040】さらに、従来の封止構造では、ワイヤボン
ディング部と封止リッドを接触させないよう、間隙を設
けて封止していたが、本発明の構造ではその必要がない
ので、高さを抑えたパッケージサイズの小型化が容易に
なる。 (3)請求項3又は8記載の発明によれば、シートの荷
重を枠で受けることができるので、ワイヤホンディング
が潰れることがなくなる。
Further, in the conventional sealing structure, a gap is provided so as to prevent the wire bonding portion and the sealing lid from contacting with each other. However, in the structure of the present invention, this is not necessary, and the height is reduced. It is easy to reduce the package size. (3) According to the third or eighth aspect of the present invention, since the load of the seat can be received by the frame, the wire hiding does not collapse.

【0041】(4)請求項4又は9記載の発明によれ
ば、上記(3)における枠を柱に置き替えるようにした
ので、枠に要する材料を低減することができる。 (5)請求項5又は10記載の発明によれば、シートに
よるシールとともに、シールの外側面には導電部を形成
し、ベース基板のグランドパターンへ接地することがで
きる。
(4) According to the fourth or ninth aspect of the invention, the frame in (3) is replaced with a pillar, so that the material required for the frame can be reduced. (5) According to the fifth or tenth aspect of the present invention, it is possible to form a conductive portion on the outer surface of the seal together with the seal using the sheet, and connect the ground to the ground pattern of the base substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施例を示す弾性表面波デバイス
の封止構造を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のA部拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a portion A in FIG.

【図3】本発明の第1実施例を示す弾性表面波デバイス
の封止構造を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing a sealing structure of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施例を示す弾性表面波デバイス
の封止構造を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】図4のB部拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view of a portion B in FIG. 4;

【図6】本発明の第3実施例を示す弾性表面波デバイス
の封止構造を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.

【図7】図6のC部拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view of a portion C in FIG. 6;

【図8】本発明の第3実施例を示す弾性表面波デバイス
のシート部の封止工程断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of a sheet portion of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention in a sealing step.

【図9】本発明の第4実施例を示す弾性表面波デバイス
の封止構造を示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図10】図9のD部拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view of a portion D in FIG. 9;

【図11】本発明の第4実施例を示す弾性表面波デバイ
スの封止構造を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第5実施例を示す弾性表面波デバイ
スの封止構造を示す断面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図13】図12のE部拡大図である。FIG. 13 is an enlarged view of a portion E in FIG. 12;

【図14】本発明の第5実施例を示す弾性表面波デバイ
スの封止構造を示す平面図である。
FIG. 14 is a plan view showing a sealing structure of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図15】従来のSAWトランスバーサル型のフィルタ
の構成図である。
FIG. 15 is a configuration diagram of a conventional SAW transversal type filter.

【図16】従来の弾性表面波デバイスの封止構造を示す
断面図である。
FIG. 16 is a sectional view showing a sealing structure of a conventional surface acoustic wave device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11,41,51,71 圧電体基板 11a,41a,51a,71a 機能面 13,33,53,73 ベース基板 14,40,50,70 エアギャップ 16 接合部材 19,35,49,60,80 封止材 20,31,46,57,77 シート 32,36,47,50,58,61,78,81
導電部 34,48,59,79 グランドパターン 42,52,72 ボンディングワイヤ 44,54,74 接続パッド(1stボンディング
部) 45,55,75 ベース基板の接続部(2ndボン
ディング部) 46′ 凸状のシート 51b,71b 圧電体基板の外形部 56 枠 76 柱
11, 41, 51, 71 Piezoelectric substrate 11a, 41a, 51a, 71a Functional surface 13, 33, 53, 73 Base substrate 14, 40, 50, 70 Air gap 16 Joining member 19, 35, 49, 60, 80 Sealing Stoppers 20, 31, 46, 57, 77 Sheets 32, 36, 47, 50, 58, 61, 78, 81
Conductive portions 34, 48, 59, 79 Ground patterns 42, 52, 72 Bonding wires 44, 54, 74 Connection pads (1st bonding portion) 45, 55, 75 Connection portion of base substrate (2nd bonding portion) 46 ' Sheets 51b, 71b External part of piezoelectric substrate 56 Frame 76 Column

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電体基板の機能面を囲むように接合部
材を形成し、前記圧電体基板の機能面を下方にしてベー
ス基板にフェースダウン実装してエアギャップを形成す
る弾性表面波デバイスの封止構造において、(a)前記
圧電体基板を包み込むとともに、前記ベース基板へ密着
固定されるシートと、(b)該シートによりカバーされ
た圧電体基板を封止する封止材を具備することを特徴と
する弾性表面波デバイスの封止構造。
1. A surface acoustic wave device in which a bonding member is formed so as to surround a functional surface of a piezoelectric substrate, and the functional surface of the piezoelectric substrate is face-down mounted on a base substrate to form an air gap. The sealing structure includes: (a) a sheet that encloses the piezoelectric substrate and is tightly fixed to the base substrate; and (b) a sealing material that seals the piezoelectric substrate covered by the sheet. A sealing structure for a surface acoustic wave device.
【請求項2】(a)圧電体基板の機能面を上方にして該
機能面側の周囲に形成される接続パッドとベース基板の
接続部間を接続するボンディングワイヤと、(b)前記
機能面との間にエアギャップを形成するように、前記ボ
ンディングワイヤを覆うとともに、前記ベース基板へ密
着固定されるシートと、(c)該シートによりカバーさ
れた圧電体基板を封止する封止材を具備することを特徴
とする弾性表面波デバイスの封止構造。
2. A bonding wire which connects between a connection pad formed around the functional surface side with the functional surface of the piezoelectric substrate facing upward and a connecting portion of the base substrate, and (b) the functional surface. And (c) a sealing material that seals the piezoelectric substrate covered by the sheet while covering the bonding wires so as to form an air gap therebetween. A sealing structure for a surface acoustic wave device, comprising:
【請求項3】(a)圧電体基板の機能面を上方にして該
機能面側の周囲に形成される接続パッドとベース基板の
接続部間を接続するボンディングワイヤと、(b)該ボ
ンディングワイヤを囲むように形成される枠と、(c)
前記機能面との間にエアギャップを形成するように、前
記枠を包み込むとともに、前記ベース基板へ密着固定さ
れるシートと、(d)該シートによりカバーされた圧電
体基板を封止する封止材を具備することを特徴とする弾
性表面波デバイスの封止構造。
3. A bonding wire for connecting between a connection pad formed around the functional surface side of the piezoelectric substrate with the functional surface thereof facing upward and a connecting portion of the base substrate, and (b) the bonding wire. (C) a frame formed so as to surround
A sheet enclosing the frame and tightly fixed to the base substrate so as to form an air gap with the functional surface; and (d) sealing for sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet. A sealing structure for a surface acoustic wave device, comprising a material.
【請求項4】(a)圧電体基板の機能面を上方にして該
機能面側の周囲に形成される接続パッドとベース基板の
接続部間を接続するボンディングワイヤと、(b)該ボ
ンディングワイヤによる接続領域の少なくとも4隅に形
成される柱と、(c)前記機能面との間にエアギャップ
を形成するように、前記柱を包み込むとともに、前記ベ
ース基板へ密着固定されるシートと、(d)該シートに
よりカバーされた圧電体基板を封止する封止材を具備す
ることを特徴とする弾性表面波デバイスの封止構造。
4. A bonding wire for connecting between a connection pad formed around the functional surface side of the piezoelectric substrate with the functional surface of the piezoelectric substrate facing upward and a connecting portion of the base substrate, and (b) the bonding wire. And (c) a sheet enclosing the columns and tightly fixed to the base substrate so as to form an air gap between the functional surfaces, d) A sealing structure for a surface acoustic wave device, comprising a sealing material for sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet.
【請求項5】 請求項1、2、3又は4記載の弾性表面
波デバイスの封止構造において、前記シートの外側面に
形成される導電部と、該導電部が接続されるグランドパ
ターンとを具備することを特徴とする弾性表面波デバイ
スの封止構造。
5. The surface acoustic wave device sealing structure according to claim 1, wherein the conductive portion formed on the outer surface of the sheet and a ground pattern to which the conductive portion is connected. A sealing structure for a surface acoustic wave device, comprising:
【請求項6】 圧電体基板の機能面を囲むように接合部
材を形成し、前記圧電体基板の機能面を下方にしてベー
ス基板にフェースダウン実装してエアギャップを形成す
る弾性表面波デバイスの封止方法において、(a)シー
トを前記圧電体基板に被せるとともに、前記ベース基板
へ仮固定する工程と、(b)前記シートを加熱して前記
圧電体基板を包み込むとともに、前記ベース基板へ密着
固定する工程と、(c)前記シートによりカバーされた
圧電体基板を封止材により封止する工程とを施すことを
特徴とする弾性表面波デバイスの封止方法。
6. A surface acoustic wave device in which a joining member is formed so as to surround a functional surface of a piezoelectric substrate, and the functional surface of the piezoelectric substrate is face-down mounted face down on a base substrate to form an air gap. In the sealing method, (a) a step of covering the piezoelectric substrate with a sheet and temporarily fixing the sheet to the base substrate; and (b) heating the sheet to wrap the piezoelectric substrate and adhere to the base substrate. A method for sealing a surface acoustic wave device, comprising: a step of fixing; and (c) a step of sealing a piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material.
【請求項7】(a)圧電体基板の機能面を上方にして該
機能面側の周囲に形成される接続パッドとベース基板の
接続部間をボンディングワイヤにより接続するワイヤボ
ンディング工程と、(b)前記機能面との間にエアギャ
ップを形成するようにシートを前記ボンディングワイヤ
に被せるとともに、前記ベース基板へ仮固定する工程
と、(c)前記シートを加熱して前記ボンディングワイ
ヤを覆うとともに、前記ベース基板へ密着固定する工程
と、(d)前記シートによりカバーされた圧電体基板を
封止材により封止する工程とを施すことを特徴とする弾
性表面波デバイスの封止方法。
7. A wire bonding step of connecting a connection pad formed around the functional surface side of the piezoelectric substrate with the functional surface of the piezoelectric substrate upward and a connecting portion of the base substrate by a bonding wire; A) covering the bonding wire with a sheet so as to form an air gap with the functional surface, and temporarily fixing the sheet to the base substrate; and (c) heating the sheet to cover the bonding wire. A method of sealing a surface acoustic wave device, comprising the steps of: adhering and fixing to a base substrate; and (d) sealing a piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material.
【請求項8】(a)圧電体基板の機能面を上方にして該
機能面側の周囲に形成される接続パッドとベース基板の
接続部間をボンディングワイヤにより接続するワイヤボ
ンディング工程と、(b)前記ボンディングワイヤ領域
を囲む枠を形成する工程と、(c)前記機能面との間に
エアギャップを形成するようにシートを前記枠に被せる
とともに、前記ベース基板へ仮固定する工程と、(d)
前記シートを加熱して前記枠を包み込むとともに、前記
ベース基板へ密着固定する工程と、(e)前記シートに
よりカバーされた圧電体基板を封止材により封止する工
程とを施すことを特徴とする弾性表面波デバイスの封止
方法。
8. A wire bonding step of connecting a connection pad formed around the function surface side of the piezoelectric substrate with the function surface of the piezoelectric substrate upward and a connection portion of the base substrate by a bonding wire; (C) forming a frame surrounding the bonding wire region; and (c) covering a sheet on the frame so as to form an air gap between the functional surface and temporarily fixing the sheet to the base substrate. d)
A step of heating the sheet to wrap the frame and closely fixing the frame to the base substrate; and (e) sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material. Method for sealing a surface acoustic wave device.
【請求項9】(a)圧電体基板の機能面を上方にして該
機能面側の周囲に形成される接続パッドとベース基板の
接続部間をボンディングワイヤにより接続するワイヤボ
ンディング工程と、(b)該ボンディングワイヤによる
接続領域の少なくとも4隅に柱を形成する工程と、
(c)前記機能面との間にエアギャップを形成するよう
にシートを前記柱に被せるとともに、前記ベース基板へ
仮固定する工程と、(d)前記シートを加熱して前記機
能面との間にエアギャップを形成するように、前記柱を
包み込むとともに、前記ベース基板へ密着固定する工程
と、(e)前記シートによりカバーされた圧電体基板を
封止材で封止する工程とを施すことを特徴とする弾性表
面波デバイスの封止方法。
9. A wire bonding step of connecting a connection pad formed around the function surface side of the piezoelectric substrate with the function surface of the piezoelectric substrate upward and a connection portion of the base substrate with a bonding wire; Forming a pillar in at least four corners of a connection region by the bonding wire;
(C) a step of covering the pillar with a sheet so as to form an air gap with the functional surface and temporarily fixing the sheet to the base substrate; and (d) heating the sheet to form a gap between the functional surface and the functional surface. Enclosing the column and closely fixing the column to the base substrate so as to form an air gap, and (e) sealing the piezoelectric substrate covered by the sheet with a sealing material. A method for sealing a surface acoustic wave device.
【請求項10】 請求項6、7、8又は9記載の弾性表
面波デバイスの封止方法において、前記シートの外側面
に導電処理を施すとともに、ベース基板のグランドパタ
ーンへ接続することを特徴とする弾性表面波デバイスの
封止方法。
10. The method for sealing a surface acoustic wave device according to claim 6, wherein the outer surface of the sheet is subjected to a conductive treatment and is connected to a ground pattern of a base substrate. Method for sealing a surface acoustic wave device.
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