ITTO20100449A1 - Dispositivo dotato di incapsulamento e relativo procedimento di fabbricazione - Google Patents
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- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 9
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006223 plastic coating Substances 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229920006335 epoxy glue Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000026683 transduction Effects 0.000 description 1
- 238000010361 transduction Methods 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00222—Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
- B81C1/0023—Packaging together an electronic processing unit die and a micromechanical structure die
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
- B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
- B81C1/00325—Processes for packaging MEMS devices for reducing stress inside of the package structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0264—Pressure sensors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0109—Bonding an individual cap on the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0154—Moulding a cap over the MEMS device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/03—Bonding two components
- B81C2203/032—Gluing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Description
DESCRIZIONE
del brevetto per invenzione industriale dal titolo:
"DISPOSITIVO DOTATO DI INCAPSULAMENTO E RELATIVO PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE"
La presente invenzione è relativa ad un dispositivo dotato di incapsulamento e ad un relativo procedimento di fabbricazione. In particolare, il dispositivo può essere un sensore realizzato in tecnologia MEMS (Micro-Electro-Mechanical System), quale un sensore di pressione, un accelerometro, un microfono o un dispositivo di navigazione assistita realizzato utilizzando moduli integrati in tecnologia MEMS,
Come è noto, nuove applicazioni per dispositivi MEMS includono il GPS (Global Positioning System) assistito. Tale funzione trova tipica applicazione nelle situazioni in cui viene perduto il segnale di posizionamento GPS, ad esempio fra grattacieli (canyon urbani) o all'interno di edifici. In questo caso, interviene un sistema di calcolo al buio ("dead reckoning System") che aiuta nella localizzazione, fino a quando non viene recuperato il segnale del GPS.
Il sistema di calcolo al buio è utile anche nel caso di due strade sovrapposte, in strutture su due o più livelli, o per permettere la localizzazione all'interno di edifici, per distinguere i piani (si veda ad esempio l'articolo "Pressure sensors provide indoor competency for navigation" di Gerhard Lammel and Julia Patzelt, Bosch SensorTech su Small times http://www.smalltimes.com/articles/article_display.cfm?ARTICLE_ID=3656 18&p=109).
I sistemi di calcolo al buio utilizzati in tali applicazioni comprendono un sensore di pressione per misurare l'altitudine, un accelerometro per misurare la distanza e un magnetometro o una bussola elettronica per misurare la direzione.
In particolare, un sensore di pressione collegato ad un circuito integrato di lettura, formato tipicamente da un ASIC ("Application Specific Integrated Circuit"), per l'amplificazione e il trattamento del segnale del sensore di pressione, si è dimostrato in grado di distinguere i vari piani in edifici (si veda, oltre all'articolo di Small Times sopra citato, l'articolo presentato alla conferenza ECTC "Package Design of Pressure Sensors for High Volume Consumer Applications" Mark Shaw, Federico Ziglioli, Chantal Combi, Lorenzo Baldo, pag. 62008 58th Electronic Components and Technology Conference pages 834 - 840 ISSN 0569-5503.
I componenti del sistema di calcolo al buio citati vengono attualmente realizzati e incapsulati separatamente, in quanto il sensore di pressione richiede accesso diretto all'ambiente circostante per poter misurare la pressione ambiente e quindi non può essere inserito in un incapsulamento standard con altri componenti. Per chiarire tale problematica, si faccia riferimento alla fig. 1, mostrante un esempio di realizzazione di un sensore di pressione MEMS, utilizzabile in un sistema GPS assistito e descritto in EP 1577 656, a nome della stessa richiedente. In dettaglio, il sensore di pressione, indicato con 1, è integrato in un substrato 2 di materiale semiconduttore, in particolare silicio monocristallino, avente una superficie superiore 2a. All'interno del substrato 2 è realizzata una cavità sepolta 3, che risulta separata dalla superficie superiore 2a da una membrana 4, flessibile e deformabile, sospesa al di sopra della cavità sepolta 3. La cavità sepolta 3 è isolata ed interamente contenuta all'interno del substrato 2. Elementi di trasduzione 5, in particolare piezoresistori realizzati per diffusione o impiantazione di atomi droganti, sono disposti all'interno della membrana 4, rilevano deformazioni della membrana 4 stessa (dovute ad una pressione applicata), e generano corrispondenti segnali elettrici in funzione della pressione da rilevare.
Le dimensioni dei sensori descritti sono particolarmente ridotte, in particolare dell'ordine di 0.8 mm x 0.8 mm x 0,3 mm (lunghezza x larghezza x spessore), o dell'ordine di 2 mm x 2 mm x 0,3 mm, per cui non risultano vantaggiose tecniche di incapsulamento (packaging) tradizionali, ed in particolare contenitori di tipo tradizionale, di tipo stampato (molded) o pre-stampato (pre-molded), risultano essere troppo ingombranti ed in ogni caso non ottimizzati per applicazioni.
Inoltre, come sopra discusso, benché sia stato già proposto di racchiudere gli altri componenti in un incapsulamento ("package") unico, finora non è stato possibile includere anche il sensore di pressione.
Per risolvere tale problema, in WO 2007/042336 e nell'articolo "Package Design of Pressure Sensors for High Volume Consumer Applications" sopra citato è proposto un sistema di incapsulamento a livello di substrato che prevede la realizzazione di un substrato costituente un cappuccio che viene incollato ("bonded") al substrato attivo che integra il sensore MEMS. Il substrato attivo è a sua volta incollato ad corpo di base, ad esempio un substrato organico multistrato di dimensioni maggiori, eventualmente con l'interposizione di un ASIC.
L'incapsulamento viene quindi completato stampando un rivestimento plastico, ad esempio di resina, che copre lateralmente il cappuccio e la parte sporgente del corpo di base ed eventualmente dell'ASIC, coprendo anche i fili di interconnessione del sensore MEMS. Lo stampaggio può avvenire ad esempio usando la tecnica di stampaggio assistita da film "film assisted moulding technique", descritta nell'articolo "Package Design of Pressure Sensors for High Volume Consumer Applications" sopra citato.
Il rivestimento plastico può coprire completamente eventuali altre piastrine formanti moduli di un sensore di altitudine (per esempio giroscopi, accelerometri, memorie, magnetometri) che non richiedono l'esposizione diretta all'ambiente circostante.
Con questo tipo di soluzione, esiste tuttavia il problema che, in alcune situazioni, la lettura può variare a seconda della temperatura di lavoro. Infatti, il composto di stampaggio, a contatto diretto con parte della piastrina o substrato incorporante il sensore di pressione, può essere soggetto ad espansione termica e provocare una deformazione dell'incapsulamento e della piastrina di silicio, interferendo con il funzionamento corretto e le prestazioni del sensore stesso. In particolare, a causa dell'espansione del composto di stampaggio, la membrana sensibile del sensore di pressione si può flettere, provocando falsi cambiamenti nella lettura in pressione (si veda ad es. "A Tiny Plastic Package of Pressure Sensors Fabricated Using thè Lithographic Dam-ring Approach", Lung-Tai Chen et al, 2009 Electronic Components and Technology Conference, pagg. 1676-1681, IEEE/2009, 978-1-4244-4476-2/09) . Effetti simili sulle prestazioni del sensore si possono verificare anche per l'espansione del composto dovuta all'assorbimento di umidità, si veda "Effect of Nonlinear Hygro-thermal and Residuai Stresses on thè Interfacial Fracture in Plastic IC Packages", M.H. Shirangi et al., 2009 Electronic Components and Technology Conference, pagg. 232-238, IEEE/2009, 978-1-4244-4476-2/09) .
In alcune applicazioni, a seconda che i cambiamenti siano rapidi o lenti, eventuali errori di lettura dovuti alle deformazioni sopra indicate possono essere compensate tramite un apposito circuito di calibrazione, ma ciò non è sempre possibile.
Scopo della presente invenzione è pertanto quello di realizzare un incapsulamento che superi i problemi presentati dalle soluzioni note.
Secondo la presente invenzione vengono pertanto forniti un dispositivo incapsulato, ed un relativo procedimento di fabbricazione, come definiti rispettivamente nelle rivendicazioni 1 e il.
Per una migliore comprensione della presente invenzione, ne vengono ora descritte forme di realizzazione preferite, a puro titolo di esempio non limitativo e con riferimento ai disegni allegati, nei quali:
- la figura 1 mostra una sezione trasversale di un sensore di pressione di tipo noto;
- la figura 2 mostra una sezione trasversale di una forma di realizzazione del presente dispositivo incapsulato;
- la figura 3 è una vista prospettica del dispositivo di figura 2;
- le figure 4 e 5 mostrano sezioni trasversali di diverse forme di realizzazione del presente dispositivo incapsulato;
- la figura 6 mostra una vista dall'alto di un'altra forma di realizzazione del presente dispositivo incapsulato;
- la figura 7 mostra una sezione trasversale del dispositivo incapsulato di fig. 6;
- la figura 8 mostra una sezione trasversale di una differente forma di realizzazione del presente dispositivo incapsulato; e
- le figure 8-11 mostrano sezioni trasversali attraverso il dispositivo incapsulato di fig. 2, in successive fasi di fabbricazione.
Le figure 2 e 3 mostrano un dispositivo incapsulato 10 comprendente una base 11, una piastrina 100 incollata alla base 11 attraverso una prima regione adesiva 12, un cappuccio di protezione 13, incollato alla base 11 attraverso una seconda regione adesiva 14, ed una regione isolante 15.
In dettaglio, la base 11 è formata ad es. da un substrato organico mono- o multistrato, ad esempio di resina epossidica, quale un laminato di BT (Bismaleimide Triazina) o FR-4 o altro materiale analogo con cui viene realizzato un circuito stampato, e ha forma parallelepipeda piastriforme, avente una superficie superiore Ila ed una superficie inferiore llb.
La piastrina 100 può formare un circuito integrato di qualunque tipo, un sensore o un attuatore MEMS o qualunque altro elemento microintegrato che richiede un incapsulamento. In particolare, la piastrina 100 può essere costituita da un componente per il quale è vantaggioso o necessario mantenere una connessione fluidica con l'ambiente esterno o per il quale non si desidera che il materiale di incapsulamento si estenda a contatto con la piastrina 100. Ad esempio, la piastrina 100 può formare un sensore di pressione di tipo MEMS del tipo mostrato in fig.
1.
La regioni adesive 12, 14 possono essere fra loro uguali e applicate contemporaneamente, o essere realizzate di differente materiale, applicate in tempi diversi e/o applicate direttamente alla piastrina 100 e al cappuccio di protezione 13. Materiali adatti sono, ad esempio, colla epossidica o acrilica. Le regioni adesive 12, 14 possono anche essere formate da strati laminati formati da uno dei materiali sopra indicati.
Il cappuccio di protezione 13 è di un materiale simile a quello usato per la fabbricazione del nucleo ("core") dei substrati tipo FR4 o BT (Bismaleimide Triazina) o di materiale analogo. In alternativa, esso può essere fatto di materiale semiconduttore, vetro, materiale ceramico. Il cappuccio di protezione 13 ha forma a semiguscio, generalmente parallelepipeda, e presenta internamente una cavità 16 che circonda lateralmente e superiormente il piastrina 100. Le dimensioni del cappuccio di protezione 13 dipendono in generale dalle dimensioni della piastrina 100; ad esempio, nel caso di una singola piastrina avente dimensioni di 0,8 mm x 0,8 mm e altezza 0,2mm, il cappuccio di protezione 13 potrebbe avere area esterna di 2 x 2 mm e altezza complessiva di circa 0,5 mm. Il bordo inferiore del cappuccio di protezione 13, che qui si estende lungo i lati di un rettangolo, appoggia completamente sulla prima superficie ila della base il in modo che la cavità 16 forma, insieme alla base il, una camera 18 di copertura e protezione del piastrina 100.
La cavità 16 è realizzata ad esempio tramite sovrapposizione di due strati di BT incollati insieme, in uno dei quali la cavità 16 viene realizzata tramite lavorazione meccanica (foratura o "drilling"), oppure deriva da un processo di stampaggio, nel caso di cappuccio di protezione 13 realizzato di materiale polimerico, e presenta area di ad esempio 1,5 x 1,5 mm e una profondità che dipende anch'essa dalle dimensioni della piastrina 100, ma potrebbe essere compresa tra 200 pm e 600 pm, ad esempio di circa 0,4 mm.
Un foro 19 nella parete superiore del cappuccio di protezione 13 ha lo scopo di mettere in comunicazione fluidica la camera 18 con l'esterno, in particolare nel caso che la piastrina 100 costituisca un sensore di pressione 1, in modo da consentire a quest'ultimo di rilevare la pressione ambiente.
Connessioni elettriche di ingresso/uscita sono inoltre previste per il collegamento elettrico della piastrina 100 con l'esterno, sotto forma di connessioni passanti ("through vias") 20, che attraversano la base 11 fra la superficie superiore Ila e la superficie posteriore llb. Una o più regioni conduttive 21 e piste conduttive (non mostrate) possono essere previste sulla superficie superiore Ila della base, all'interno della camera 18, per la connessione elettrica con la piastrina 100 attraverso fili 22 (uno solo mostrato), anch'essi alloggiati all'interno della camera 18. Le connessioni passanti 20 possono essere formate tramite qualunque tecnica nota, ad esempio attaccando la base il, in modo da formare fori passanti riempiti o rivestiti successivamente con un materiale conduttivo, ad esempio con un materiale metallico, quale rame, in modo di per sé noto. Regioni di connessione esterna 23 possono inoltre essere previste sulla superficie inferiore llb della base, realizzate in modo noto, ad esempio mediante deposito di uno strato metallico e sagomatura ( "patterning").
La regione isolante 15 è di materiale plastico, ad esempio comprendente resina e circonda lateralmente il cappuccio di protezione 13, estendendosi superiormente approssimativamente allineata a questo, in modo da formare un lato superiore del dispositivo incapsulato 10, a meno di un eventuale gradino di circa 20 μπι dovuto al processo di fabbricazione, come sotto descritto con riferimento alle figg. 9-11. Inoltre, la regione isolante 15 si estende lateralmente a filo con i bordi laterali della base il. La regione isolante 15 forma quindi, insieme al cappuccio di protezione 13 e la base il, un incapsulamento ("package") di forma generalmente parallelepipeda, avente come lato inferiore la superficie inferiore llb della base, lati verticali formati essenzialmente dalla regione isolante 15 e lato superiore formato in parte dalla regione isolante 15 e in parte dal cappuccio di protezione 13.
Il dispositivo incapsulato 10 viene realizzato come segue. Inizialmente, una fetta di materiale semiconduttore viene lavorata in modo noto e quindi tagliata in modo da formare una pluralità di piastrine 100. Inoltre, la base 11 viene dotata delle regioni conduttive 21, delle piste conduttive non mostrate e delle regioni di connessione esterna 23. Ad esempio, una matrice di basi 50 comprende una pluralità di basi 11 unite fra loro e quindi lavorate contemporaneamente. In seguito, le piastrine 100 vengono incollate ciascuna sulla superficie superiore Ila di una rispettiva base 11 attraverso una rispettiva prima regione adesiva 12 e collegate elettricamente alle proprie regioni conduttive 21 tramite fili 22, fig. 9.
Separatamente, viene realizzata una pluralità di cappucci di protezione 13, ad esempio tramite incollaggio di due nuclei, di cui uno preventivamente forato per formare le cavità 16, foratura per formare i fori 19 (fig.
10) e successivo taglio per la separazione dei singoli cappucci di protezione 13. In alternativa, i singoli cappucci di protezione 13 vengono stampati.
Successivamente, i cappucci di protezione 13 vengono incollati ciascuno alla superficie superiore Ila di una rispettiva base 11 attraverso una rispettiva seconda regione adesiva 14. Infine, le regioni isolanti 15 vengono stampate lateralmente a rispettivi cappucci di protezione 13, eventualmente usando la tecnica di stampa assistita da film, sopra indicata e rappresentata schematicamente in fig. 11. In questo caso, sono presenti stampi inferiori 51, uno stampo superiore 52 e un nastro di ausilio stampaggio 53, preferibilmente di materiale cedevole (ad esempio PTFE - Politetrafluoroetilene). In dettaglio, ciascun stampo inferiore 51 presenta una cavità 54 destinata ad alloggiare una base 11, con la rispettiva piastrina 100 e il relativo cappuccio di protezione 13, e a delimitare lateralmente la zona in cui deve essere realizzata la regione stampata 15. Il nastro di ausilio stampaggio 53 aderisce alla superficie inferiore dello stampo superiore 52 grazie ad aperture 55 formate nello stampo superiore 52 e collegate ad una sorgente di vuoto (non mostrata) che creano una depressione sul lato posteriore del nastro 53. La cavità 54 di ciascuno stampo inferiore 51 ha profondità leggermente inferiore all'altezza totale della base 11 più il cappuccio di protezione 13 in modo che, dopo la chiusura degli stampi 51, 52 e grazie alla cedevolezza del nastro di ausilio stampaggio 53, i cappucci di protezione 13 penetrano leggermente in quest'ultimo, garantendo la chiusura ermetica dei fori 19 nella successiva fase di stampaggio.
Quindi, il materiale delle regioni stampate 15 viene iniettato in forma liquida all'interno delle cavità 54, formando le regioni stampate 15. In questa fase, i cappucci di protezione 13 delimitano lateralmente la zona di stampaggio, impedendo, insieme al nastro di ausilio stampaggio 53, che il materiale della regione isolante 15 penetri all'interno delle camere 18.
Infine, la matrice di basi 50 viene tagliata, per ottenere i singoli dispositivi incapsulati 10.
In questo modo, il cappuccio di protezione 13 garantisce la protezione della piastrina 100 e impedisce che il materiale della regione isolante 15 sia a contatto con la piastrina pregiudicandone il funzionamento a causa di stress meccanici, per variazioni di temperatura, umidità o altro. In pratica, anche piastrine sensibili a stress, quali sensori di pressione, accelerometri e giroscopi, possono essere dotati di un incapsulamento analogo a quello di altri dispositivi integrati, eventualmente insieme ad essi, protetti dall'ambiente esterno senza che il materiale stampato dell'incapsulamento li danneggi o ne pregiudichi il funzionamento.
Nella figura 4, la piastrina 100 alloggia un dispositivo MEMS dotato di una cavità posteriore 30. Ad esempio, la piastrina 100 forma un microfono, dotato di una cavità sepolta 31 definente, con la cavità posteriore 30, una membrana ( "diaphragm") 32, in modo di per sé noto. Qui, il cappuccio di protezione 13 non è forato e la membrana 32 viene connessa all'ambiente esterno attraverso un foro 33 attraversante la base 11 e la prima regione adesiva 12. In questo caso, la realizzazione della regione isolante 15 non richiede la tecnica di stampaggio assistita da film sopra descritta con riferimento alla fig. 11, dato che non è presente il foro 19 e quindi non vi è rischio di penetrazione del materiale di stampaggio all'interno del cappuccio di protezione 13.
Inoltre, in questo caso, uno strato di metallo può essere previsto intorno alla camera 18 per formare una gabbia di Faraday, ad esempio come descritto nella domanda di brevetto italiana T02010A000380 depositata il 6 maggio 2010 a nome della stessa richiedente.
In una differente forma di realizzazione, non mostrata, la piastrina 100 può alloggiare un accelerometro, le cui prestazioni possono essere migliorate usando il cappuccio di protezione 13 circondante l'intera piastrina 100 e la regione isolante 15 esterna al cappuccio di protezione 13. In tal caso, non è presente alcun foro, né nel cappuccio di protezione 13, né nella base 11.
La figura 5 mostra un'altra forma di realizzazione in cui la camera 18 alloggia una prima ed una seconda piastrina 101 e 102. Ad esempio, la prima piastrina 101 può essere costituita dal sensore di pressione 1 di figura 1 e la seconda piastrina 102 può essere costituita un circuito integrato di lettura dei segnali forniti dal sensore di pressione, tipicamente un ASIC.
In questo caso, le piastrine 101 e 102 sono disposte affiancate, incollate alla prima superficie della base 11 tramite una rispettiva regione adesiva 12, fili 22 collegano reciprocamente le piastrine 101 e 102 e a regioni conduttive 21. Anche qui, il foro 19 mette in comunicazione fluidica la camera 18 con l'ambiente esterno e una connessione passante 20 consente il collegamento elettrico delle piastrine 101 e 102 con il retro llb della base 11.
Le figure 6 e 7 mostrano una forma di realizzazione in cui la base 11 porta anche altri sensori e relativi circuiti di elaborazione segnali atti a formare un sistema GPS assistito realizzato come SiP ( "System-in-Package") 200. In dettaglio, il SiP 200 comprende la piastrina 100, qui realizzata come il sensore di pressione 1; il cappuccio di protezione 13 circondante lateralmente e superiormente la piastrina 100; ed una pluralità di componenti formanti uno stadio di lettura 201 del sensore di pressione 1; un magnetometro biassiale 202, per il rilevamento di componenti di campo magnetico parallele alle superfici Ila e llb della base 11; un magnetometro monoassiale 203, per il rilevamento di componenti di campo magnetico perpendicolari alle superfici Ila e llb della base 11; un'interfaccia magnetometri 204, per la lettura dei segnali provenienti dai magnetometri biassiale 202 e monoassiale 203; un accelerometro 205; un'interfaccia accelerometro 206; un giroscopio 207 ed un'interfaccia giroscopio 208. Le piastrine formanti lo stadio di lettura 201, il magnetometro biassiale 202, il magnetometro monoassiale 203, l'interfaccia magnetometri 204 e l'interfaccia giroscopio 208 sono incollati direttamente sulla faccia superiore Ila della base 11, mentre 1'accelerometro 205 e il giroscopio 207 sono incollati alle rispettive interfacce 206, 208, in configurazione impilata o "stacked".
Anche qui, la regione isolante 15 si estende lateralmente al cappuccio di protezione 13, a filo con questo, e copre tutte le piastrine 201-208, proteggendole meccanicamente ed elettricamente da influenze esterne.
Qui la connessione elettrica fra la piastrina 100 e lo stadio di lettura 201 avviene in modo non mostrato, analogamente alla figura 2, tramite fili, regioni di contatto previste su entrambe le facce della base 11 e connessioni passanti.
La figura 8 mostra una variante della forma di realizzazione delle figure 6 e 7, in cui la piastrina 100 è incollata sullo stadio di lettura 201 e questo è incollato alla base 11, in configurazione impilata. Fili 22 collegano il sensore di pressione 1 allo stadio di lettura 201 e quest'ultimo a regioni e piste conduttive, nonché connessioni passanti non mostrate. Il cappuccio di protezione 13 è qui incollato allo stadio di lettura 201 tramite una regione adesiva non mostrata e circonda lateralmente e superiormente la piastrina 100.
Secondo un'altra forma di realizzazione mostrata con tratteggio in fig. 8, il cappuccio di protezione 13 si estende all'esterno sia della piastrina 100 sia dello stadio di lettura 201.
Ovviamente, le soluzioni mostrate nelle figure 6-8 possono essere applicate per realizzare SiP di differente tipo.
Il dispositivo incapsulato 10 consente quindi di incapsulare una o più piastrine sensibili a stress in modo da proteggerle dall'ambiente esterno, a meno eventualmente del foro 19 o 33. Inoltre, nel caso che altri componenti siano fissati alla base 11 esternamente al cappuccio di protezione 13, essi vengono completamente isolati, elettricamente e meccanicamente, dall'esterno. Prove effettuate dalla richiedente hanno inoltre dimostrato che la regione isolante 15 costampata non subisce delaminazione nel tempo.
Risulta infine chiaro che al dispositivo incapsulato qui descritto ed illustrato e al relativo procedimento di fabbricazione possono essere apportate modifiche e varianti senza per questo uscire dall'ambito di protezione della presente invenzione, come definito nelle rivendicazioni allegate.
Claims (14)
- RIVENDICAZIONI 1. Dispositivo (10; 200) dotato di incapsulamento comprendente una base (11), una piastrina (100; 101, 102; 201) portata dalla base (11), un cappuccio di protezione (13), accoppiato alla base ed avente una cavità (16); ed una regione isolante (15) coprente la base (11) lateralmente al cappuccio di protezione (13), in cui la piastrina si estende all'interno della cavità (16) del cappuccio di protezione (13) e il cappuccio di protezione (13) circonda almeno lateralmente la piastrina.
- 2. Dispositivo secondo la rivendicazione 1, in cui il cappuccio di protezione (13) copre superiormente la piastrina (100; 101, 102) e la regione isolante (15) forma, insieme con il cappuccio di protezione, un lato superiore del dispositivo.
- 3. Dispositivo secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui il cappuccio di protezione (13) ha forma a semiguscio dotato di un bordo inferiore incollato alla base (11) e la cavità (16) definisce, insieme alla base (11), una camera (18) alloggiante la piastrina (100; 101, 102).
- 4. Dispositivo secondo la rivendicazione 1 o 2, comprendente inoltre un circuito integrato (201) incollato alla base (11), in cui la piastrina (100) è incollata sul circuito integrato e il cappuccio di protezione (13) ha forma a semiguscio dotato di un bordo inferiore incollato sul circuito integrato e la cavità (16) definisce, insieme con il circuito integrato, una camera (18) alloggiante la piastrina.
- 5. Dispositivo secondo la rivendicazione 3 o 4, comprendente un foro passante (19) estendentesi attraverso il cappuccio di protezione (13) o la base (il) e collegante fluidicamente la piastrina (100; 101, 102) all'esterno del dispositivo.
- 6. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la base (il) presenta una connessione passante (20) accoppiante elettricamente regioni di connessione (21, 23) estendentisi su lati opposti (ila, llb) della base (il) e la piastrina (100; 101, 102) è accoppiata elettricamente alla connessione passante (20) attraverso un filo di bonding (22) alloggiato nella camera (18).
- 7. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la regione isolante (15) copre completamente la base (il) e forma, insieme al cappuccio di protezione (13) e alla base (il), un incapsulamento generalmente parallelepipedo.
- 8. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui la piastrina (100) forma un sensore di pressione (1), un microfono, un accelerometro o altro dispositivo MEMS.
- 9. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1-7, in cui la piastrina (100) forma un sensore di pressione (1), la base (11) porta ulteriori componenti di un sistema GPS assistito, detti ulteriori componenti includendo un magnetometro (202, 203), un accelerometro (205) e eventualmente un giroscopio (207) ed essendo ricoperti dalla regione isolante (15).
- 10. Dispositivo secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, in cui il cappuccio di protezione (13) è di un materiale scelto fra materiale semiconduttore, vetro, materiale ceramico, materiale polimerico, core di circuito stampato mono- o multistrato, la base (11) è un substrato organico mono- o multistrato e la regione isolante (15) è di materiale plastico quale resina.
- 11. Procedimento per la fabbricazione di un dispositivo dotato di incapsulamento comprendente le fasi di: disporre una base (11), fissare una piastrina (100; 101, 102) alla base (11); fissare alla base un cappuccio di protezione (13) dotato di una cavità (16) in modo da circondare almeno lateralmente la piastrina; e formare una regione isolante (15) lateralmente al cappuccio di protezione (13).
- 12. Procedimento secondo la rivendicazione 11, in cui il cappuccio di protezione (13) ha forma a semiguscio e la fase di fissare un cappuccio di protezione (13) comprende incollare il cappuccio di protezione (13) alla base (11) in modo che la cavità (16) del cappuccio di protezione (13) definisce, insieme alla base (11), una camera (18) alloggiante la piastrina (10; 101, 102).
- 13. Procedimento secondo la rivendicazione 11, in cui il cappuccio di protezione (13) ha forma a semiguscio, la fase di fissare la piastrina (100; 101, 102) alla base (11) comprende incollare un circuito integrato (201) alla base (11), incollare la piastrina sul circuito integrato, e incollare il cappuccio di protezione (13) sul circuito integrato in modo che la cavità (16) definisce, insieme con il circuito integrato, una camera (18) alloggiante la piastrina.
- 14. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 11-13, in cui la fase di formare una regione isolante (15) comprende stampare in modo assistito da film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| IT (1) | ITTO20100449A1 (it) |
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