ITTO20000494A1 - METHOD FOR THE MANUFACTURE OF AN EJECTION HEAD OF LIQUID DROPS, PARTICULARLY SUITABLE FOR OPERATING WITH CHEMICALLY AGGLE LIQUIDS - Google Patents

METHOD FOR THE MANUFACTURE OF AN EJECTION HEAD OF LIQUID DROPS, PARTICULARLY SUITABLE FOR OPERATING WITH CHEMICALLY AGGLE LIQUIDS Download PDF

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Abstract

A method for manufacturing an ejection head ( 10 ) or ejector suitable for ejecting in the form of droplets ( 16 ) a liquid ( 14 ) conveyed inside the ejection head ( 10 ), comprising a step of producing, from a silicon wafer, a nozzle plate ( 12 ) having at least one ejection nozzle ( 13 ); a step of producing, from another silicon wafer, a substrate ( 11 ) having at least one actuator ( 15 ) for activating the ejection of the droplets of liquid through the nozzle ( 13 ); and a step of joining the nozzle plate ( 12 ) and the substrate ( 11 ) together to form the ejection head, wherein this joining step comprises the production of a junction ( 25 ), made by means of the anodic bonding technology, between the substrate ( 11 ) and the nozzle plate ( 12 ), in such a way that, in the area of this junction ( 25 ), the ejection head ( 10 ) does not present structural discontinuities, and also possesses a resistance to chemical corrosion by the liquid ( 14 ) contained in the ejection head ( 10 ) at least equal to that of the silicon constituting both the substrate ( 11 ) and the nozzle plate ( 12 ). The method of the invention may be applied for manufacturing an ink jet printhead ( 110 ), having one or more nozzles ( 113 a , 113 b, etc.), which has the advantage, with respect to the known printheads, of also being suitable for working with special inks characterized by high level chemical aggressiveness. In general, the ejection head of the invention, thanks to its structure which is globally highly robust and also chemically inert in the area of the junction ( 25 ), can be used advantageously with various types of liquids, even with marked chemical aggressiveness, in different sectors of the art, for example for ejecting paints on various types of media, generally not paper, in the industrial marking sector; or for ejecting in a controlled way droplets of fuel, such as petrol, in an internal combustion engine.

Description

Descrizione dell'invenzione industriale avente per titolo: Description of the industrial invention entitled:

“METODO PER LA FABBRICAZIONE DI UNA TESTINA DI EIEZIONE DI GOCCE DI LIQUIDO PARTICOLARMENTE ADATTA PER OPERARE CON LIQUIDI CHIMICAMENTE AGGRESSIVI, E RELATIVA TESTINA DI EIEZIONE" "METHOD FOR MANUFACTURING A LIQUID DROPS EJECTION HEAD PARTICULARLY SUITABLE FOR WORKING WITH CHEMICALLY AGGRESSIVE LIQUIDS, AND RELATED EJECTION HEAD"

TESTO DELLA DESCRIZION TEXT OF THE DESCRIPTION

Area dell'invenzione Area of the invention

La presente invenzione si riferisce in generale al settore delle testine di eiezione per eiettare liquidi in forma di gocce, e in particolare ad una testina di eiezione provvista di una struttura tale da rendere questa testina di eiezione molto adatta ad operare con liquidi aventi una elevata aggressività dal punto di vista chimico. The present invention relates in general to the sector of ejection heads for ejecting liquids in the form of drops, and in particular to an ejection head provided with a structure such as to make this ejection head very suitable for operating with liquids having a high degree of aggressiveness. from the chemical point of view.

La presente invenzione si riferisce anche ad un metodo per fabbricare una testina di eiezione dotata di una speciale resistenza a liquidi chimicamente molto aggressivi, così da potere essere vantaggiosamente impiegata in combinazione con tale categorìa di liquidi. The present invention also refers to a method for manufacturing an ejection head having a special resistance to chemically very aggressive liquids, so as to be advantageously used in combination with this category of liquids.

Sfondo tecnico dell'invenzione Technical background of the invention

La testina di eiezione, nel seguito anche chiamata semplicemente eiettore o iniettore, secondo l’invenzione presenta caratteristiche tali che ne rendono vantaggioso l’utilizzo in molteplici settori industriali, anche con specificità, caratteristiche e problematiche completamente diverse da un settore all'altro. The ejection head, hereinafter also referred to simply as an ejector or injector, according to the invention has such characteristics that make it advantageous to use it in many industrial sectors, even with completely different specificities, characteristics and problems from one sector to another.

In particolare, fra questi possibili settori di applicazione, si citano, a puro scopo esemplificativo, quello della stampa a getto d’inchiostro, oppure quello dell’iniezione del combustibile in un motore endotermico. In particular, among these possible fields of application, we cite, purely by way of example, that of ink jet printing, or that of fuel injection in an internal combustion engine.

Come apparirà chiaro nel seguito della descrizione, la testina di eiezione dell’invenzione presenta notevoli analogie, sia strutturali che di funzionamento, con una testina di stampa termica a getto d'inchiostro, del tipo operante in base alla cosiddetta tecnologia di stampa a getto d’inchiostro a bolle. Questo tipo di testine di stampa sono ampiamente note nei settore delie tecnologie di stampa a getto d’inchiostro, dove esse sono state applicate in molteplici soluzioni, e continuano ad essere oggetto di rilevanti sviluppi. As will become clear in the following description, the ejection head of the invention has remarkable similarities, both structural and functional, with a thermal ink-jet printing head, of the type operating on the basis of the so-called jet printing technology. bubble ink. This type of print heads are widely known in the field of inkjet printing technologies, where they have been applied in multiple solutions, and continue to be the subject of significant developments.

Pertanto, per completezza e al fine di agevolare la comprensione della presente descrizione, ed anche in considerazione del fatto che il settore della stampa a getto d'inchiostro costituisce, come già detto, uno dei possibili e principali campi di applicazione della presente invenzione, le caratteristiche generali di queste testine termiche di stampa a getto d'inchiostro del tipo a bolle ed alcuni dei loro più recenti sviluppi verranno sinteticamente esposti nel seguito. Come è noto, nelle testine di stampa operanti con la tecnologia a getto d'inchiostro del tipo a bolle, l'inchiostro contenuto nella testina di stampa viene portato ad ebollizione da attuatori termici costituiti da resistenze elettriche che vengono alimentate con opportuni impulsi di corrente per attivare, all'interno dell'inchiostro stesso, il sorgere di una bolla di vapore, che, espandendosi, causa l'eiezione delle gocce attraverso una pluralità di ugelli della testina di stampa. Therefore, for completeness and in order to facilitate the understanding of the present description, and also in consideration of the fact that the ink jet printing sector constitutes, as already mentioned, one of the possible and main fields of application of the present invention, general characteristics of these bubble-type thermal inkjet printing heads and some of their most recent developments will be briefly described below. As is known, in the print heads operating with bubble-type ink jet technology, the ink contained in the print head is brought to the boil by thermal actuators consisting of electrical resistances which are fed with suitable current pulses to activating, within the ink itself, the rise of a vapor bubble, which, expanding, causes the ejection of the drops through a plurality of nozzles of the print head.

Le testine di stampa operanti con la tecnologia a bolle si possono suddividere in due grandi categorie, in funzione della loro struttura, che vengono indicate rispettivamente con le espressioni inglesi "top shooter", e "edge shooter". Nella prima tipologia l'ugello è costituito da un'apertura disposta immediatamente sopra l'attuatore termico e separata da quest'ultimo da una cameretta riempita con inchiostro, per cui l'espansione della bolla di vapore viene utilizzata in senso perpendicolare all'attuatore termico per emettere la goccia attraverso tale apertura. Nella seconda tipologia, l’attuatore termico è disposto lungo la parete di un condotto a breve distanza dalla sezione di uscita verso l’esterno dello stesso condotto, per cui l’espansione della bolla di vapore viene utilizzata in senso trasversale rispetto all'attuatore per emettere la goccia lateralmente attraverso la sezione di uscita del condotto. The print heads operating with bubble technology can be divided into two broad categories, according to their structure, which are indicated respectively with the English expressions "top shooter" and "edge shooter". In the first type, the nozzle consists of an opening placed immediately above the thermal actuator and separated from the latter by a chamber filled with ink, so that the expansion of the vapor bubble is used perpendicular to the thermal actuator. to emit the drop through that opening. In the second type, the thermal actuator is arranged along the wall of a duct a short distance from the outlet section towards the outside of the duct itself, so that the expansion of the vapor bubble is used transversely with respect to the actuator to emit the drop laterally through the outlet section of the duct.

Questa tecnologia a bolle si è imposta ormai da molti anni nei settore della stampa, ed è applicata con successo su molteplici modelli di testine di stampa a getto d'inchiostro, sia per la stampa in bianco e nero, sia per la stampa a colori. In particolare le testine di stampa a getto d'inchiostro che operano secondo questa tecnologia si stanno evolvendo verso una sempre maggiore integrazione e complessità, nell'obiettivo di comprendere un numero crescente di circuiti, di ugelli e di funzioni, così da raggiungere velocità e definizioni di stampa sempre più elevate. Uno degli esempi più recenti di questo sviluppo tecnico è costituito dalle cosiddette testine di stampa monolitiche, ovvero da testine termiche a getto d’inchiostro in cui la piastra ugelli viene realizzata, non come una parte a sé stante, ma congiuntamente con le altre parti della testina di stampa, in particolare con quelle parti che costituiscono i circuiti di pilotaggio degli attuatoli e la rete idraulica per convogliare l'inchiostro all'interno della testina di stampa. This bubble technology has been established in the printing industry for many years now, and is successfully applied to multiple models of inkjet printheads for both black and white and color printing. In particular, inkjet print heads that operate according to this technology are evolving towards ever greater integration and complexity, with the aim of including an increasing number of circuits, nozzles and functions, so as to achieve speed and definitions. increasingly high printing. One of the most recent examples of this technical development is constituted by the so-called monolithic print heads, i.e. thermal inkjet heads in which the nozzle plate is made, not as a separate part, but jointly with the other parts of the print head, in particular with those parts which constitute the driving circuits of the actuators and the hydraulic network for conveying the ink inside the print head.

Pertanto in queste testine monolitiche la piastra ugelli non costituisce un pezzo che viene realizzato separatamente e montato alia fine del processo di fabbricazione delle testine di stampa, ma piuttosto una parte che viene progressivamente formata nel’ambito di tale processo di fabbricazione, per cui ogni testina di stampa acquisisce una struttura tipicamente monolitica integrante le varie parti. Therefore, in these monolithic heads, the nozzle plate is not a piece that is made separately and assembled at the end of the print head manufacturing process, but rather a part that is progressively formed as part of this manufacturing process, whereby each head of printing acquires a typically monolithic structure integrating the various parts.

Parallelamente alla continua evoluzione delle testine di stampa termiche a getto d'inchiostro a bolle, anche gli inchiostri utilizzabili su queste testine hanno avuto una notevole evoluzione, che li ha portati a migliorare costantemente la loro qualità ed affidabilità. Parallel to the continuous evolution of bubble inkjet thermal print heads, the inks that can be used on these heads have also undergone a significant evolution, which has led them to constantly improve their quality and reliability.

In linea generale, l’evoluzione delle testine di stampa si è accompagnata con una corrispondente evoluzione degli inchiostri allo scopo di ricercare combinazioni sempre migliori fra i supporti di stampa destinati a ricevere le gocce di inchiostro, le caratteristiche strutturali della testina, e le caratteristiche chimiche degli inchiostri. In general, the evolution of the print heads has been accompanied by a corresponding evolution of the inks in order to seek ever better combinations between the print media intended to receive the ink drops, the structural characteristics of the head, and the chemical characteristics. of the inks.

Tipicamente questa ricerca sugli inchiostri si è evoluta con l'obiettivo di formulare inchiostri che fossero in grado sia di migliorare la qualità di stampa su una gamma sempre più vasta di supporti di stampa, che di accoppiarsi in modo ottimale con le nuove strutture di testine di stampa che venivano nel tempo introdotte. Typically this ink research has evolved with the aim of formulating inks that are capable of both improving print quality on an ever-growing range of substrates, and optimally coupling with new print head structures. press that were introduced over time.

In questo modo sono stati formulati inchiostri, sia neri che colorati, in grado di minimizzare il problema dell'otturazione degli ugelli, a causa della sedimentazione dei pigmenti contenuti negli inchiostri, nonostante la miniaturizzazione sempre più spinta delle testine di stampa e la riduzione del diametro degli ugelli per ottenere gocce sempre più piccole. In this way, both black and colored inks were formulated, capable of minimizing the problem of nozzle clogging, due to the sedimentation of the pigments contained in the inks, despite the ever-increasing miniaturization of the print heads and the reduction in diameter. nozzles to get smaller and smaller drops.

Inoltre la ricerca ha consentito di definire combinazioni ottimali fra inchiostri e materiali utilizzati nella fabbricazione delle testine, con inchiostri e materiali compatibili fra loro, ovvero capaci di non attivare reazioni indesiderate, e di mantenere nel tempo le loro caratteristiche nominali, così da non avere effetti negativi sul funzionamento e suH'affidabilità delle testine di stampa. In particolare questa ricerca diretta, come detto, a migliorare costantemente la combinazione fra inchiostri, supporti di stampa, e testine di stampa, si è ovviamente indirizzata verso la formulazione di inchiostri aventi un basso o pressoché nullo grado di aggressività chimica, ovvero verso inchiostri privi di sostanze capaci di aggredire, corrodere e reagire, anche solo minimamente, con i vari materiali impiegati nella fabbricazione della testine e lambiti dagli stessi inchiostri. Furthermore, the research has made it possible to define optimal combinations between inks and materials used in the manufacture of the heads, with inks and materials compatible with each other, i.e. capable of not activating unwanted reactions, and of maintaining their nominal characteristics over time, so as not to have any effects. negative effects on the operation and reliability of the print heads. In particular, this research directed, as mentioned, to constantly improve the combination between inks, print media, and print heads, has obviously been directed towards the formulation of inks having a low or almost zero degree of chemical aggressiveness, or towards inks without of substances capable of attacking, corroding and reacting, even minimally, with the various materials used in the manufacture of the heads and lapped by the same inks.

Ad esempio si è cercato di evitare quegli inchiostri contenenti sostanze che potessero interagire con i composti organici usualmente impiegati per realizzare le giunzioni fra le parti della testina. Però, in questo modo, la ricerca recente sugli inchiostri ha di fatto determinato un certo consolidamento, per l’impiego sulle testine di stampa, di inchiostri caratterizzati da un livello nullo o pressoché nullo di aggressività chimica. For example, we tried to avoid those inks containing substances that could interact with the organic compounds usually used to make the junctions between the parts of the head. However, in this way, recent research on inks has actually resulted in a certain consolidation, for the use on print heads, of inks characterized by a zero or almost zero level of chemical aggressiveness.

Parallelamente, si è trascurata la possibilità di impiegare queste testine di stampa in combinazione con particolari tipi di inchiostro e/o in generale liquidi che, pur essendo ampiamente applicati ed in grado di dare ottimi risultati in certi campi, anche diversi dalla stampa vera e propria, presentavano però caratteristiche di aggressività chimica incompatibili con la struttura della testine di stampa che venivano sviluppate, ed in particolare contenevano sostanze aggressive certamente in grado di corroderle e di compromettere nel tempo il loro funzionamento. At the same time, the possibility of using these print heads in combination with particular types of ink and / or liquids in general has been neglected which, despite being widely applied and able to give excellent results in certain fields, even different from actual printing. , however, they had characteristics of chemical aggressiveness incompatible with the structure of the print heads that were developed, and in particular they contained aggressive substances certainly able to corrode them and compromise their functioning over time.

D'altra parte, come è facile immaginare, potrebbe essere molto utile e vantaggioso poter disporre di una nuova testina di stampa a getto d’inchiostro, sia del tipo basato sulla tecnologia a bolle che anche su altre tecnologie, avente la capacità di operare con inchiostri, magari già impiegati con successo in varie applicazioni, anche dissimili dalla stampa su carta, ma purtroppo contenenti sostanze corrosive e/o aggressive tali da danneggiare nel tempo la struttura ed i materiali delle testine termiche a getto d’inchiostro del tipo a bolle, attualmente note. Infatti, in questo modo si potrebbero ampliare notevolmente le possibilità di applicazione per queste testine di stampa, considerando le nuove proprietà, le caratteristiche salienti ed i vantaggi prestazionali che queste sostanze corrosive potrebbero conferire agli inchiostri impiegati con esse. Però purtroppo, come detto, nella realtà le testine di stampa a getto d'inchiostro note non hanno una struttura capace di resistere ad agenti corrosivi che fossero eventualmente presenti negli inchiostri impiegati con le stesse testine di stampa, per cui in tale ipotetico caso esse andrebbero incontro ad un rapido decadimento. On the other hand, as you can easily imagine, it could be very useful and advantageous to have a new inkjet print head, both of the type based on bubble technology and also on other technologies, having the ability to operate with inks, perhaps already successfully used in various applications, even dissimilar to printing on paper, but unfortunately containing corrosive and / or aggressive substances such as to damage the structure and materials of the bubble-type thermal inkjet heads over time, currently known. In fact, in this way the application possibilities for these print heads could be considerably expanded, considering the new properties, the salient characteristics and the performance advantages that these corrosive substances could confer on the inks used with them. Unfortunately, as mentioned, in reality the known inkjet print heads do not have a structure capable of resisting corrosive agents that may be present in the inks used with the same print heads, so in this hypothetical case they should be encountering rapid decay.

Ad esempio, come è noto, inchiostri noti come tipicamente aggressivi, ad esempio contenenti urea, e/o aventi determinati PH acidi, non possono certamente essere utilizzati sulle attuali testine termiche, perché danneggerebbero sicuramente le giunzioni e le zone di incollamento fra i vari stati che compongono la struttura della testina. For example, as is known, inks known to be typically aggressive, for example containing urea, and / or having certain acid PHs, certainly cannot be used on current thermal heads, because they would certainly damage the junctions and the bonding areas between the various states. that make up the head structure.

Ancora nella tecnica vi sono settori, anche completamente diversi da quello della stampa a getto d’inchiostro e delle relative testine di stampa, in cui è necessario eiettare liquidi in forma di gocce, preferibilmente anche molto piccole, ed in cui questi liquidi da eiettare sono particolarmente aggressivi dal punto di vista chimico, ed hanno comunque una composizione incompatibile con la struttura delle testine di stampa attualmente conosciute. Still in the art there are sectors, even completely different from that of inkjet printing and the related print heads, in which it is necessary to eject liquids in the form of drops, preferably even very small ones, and in which these liquids to be ejected are particularly aggressive from the chemical point of view, and in any case have a composition incompatible with the structure of the currently known print heads.

Uno importante di questi settori, a cui si è già fatto cenno in precedenza, è quello dell'iniezione di un combustibile, quale gasolio o benzina, nella camera di scoppio di un motore endotermico. In questo settore le soluzioni normalmente adottate per l’iniezione del combustibile prevedono iniettori di tipo meccanico, che però presentano l'inconveniente di non raggiungere un sufficiente grado di miniaturizzazione delle gocce, o meglio quel grado di miniaturizzazione che consentirebbe un miglior e più preciso dosaggio del combustibile, e pertanto di ottenere migliori prestazioni del motore, come ad esempio un più elevato rendimento termico. One important of these sectors, which has already been mentioned above, is that of the injection of a fuel, such as diesel or petrol, into the combustion chamber of an internal combustion engine. In this sector, the solutions normally adopted for fuel injection include mechanical injectors, which however have the drawback of not reaching a sufficient degree of miniaturization of the drops, or rather that degree of miniaturization that would allow a better and more precise dosage. fuel, and therefore to obtain better engine performance, such as a higher thermal efficiency.

Pertanto, almeno potenzialmente, questo settore potrebbe giovarsi della tecnologia a getto d’inchiostro che, rispetto agli eiettori tradizionali per combustibile, si presenta capace di ottenere gocce di liquido molto più piccole in volume, come anche di ottenere in generale un miglior e più efficiente controllo della quantità di volume di liquido eiettato in forma di gocce. Therefore, at least potentially, this sector could benefit from inkjet technology which, compared to traditional fuel ejectors, is capable of obtaining much smaller liquid droplets in volume, as well as obtaining a better and more efficient control of the volume quantity of liquid ejected in the form of drops.

Ancora un ulteriore settore, in cui può sorgere l'esigenza di dosare in modo preciso e controllato dei liquidi particolarmente aggressivi dal punto di vista chimico, è quello biomedicale. Still another sector, in which the need to dose in a precise and controlled way of particularly aggressive liquids from the chemical point of view may arise, is the biomedical one.

Sommario dell’invenzione Summary of the invention

Pertanto lo scopo generale della presente invenzione è quello di realizzare una nuova testina di eiezione che, pur presentando alcune somiglianze con le testine di stampa note a getto d’inchiostro, innovi sostanzialmente rispetto ad esse, ed in particolare possieda caratteristiche tali da renderne possibile e vantaggioso l’impiego in combinazione con liquidi particolarmente aggressivi dal punto di vista chimico, anche in settori industriali molto diversi dalla stampa a getto d'inchiostro, e ad esempio nel settore dell’iniezione di un combustibile in un motore endotermico. Therefore, the general purpose of the present invention is that of realizing a new ejection head which, while presenting some similarities with the known inkjet print heads, substantially innovates with respect to them, and in particular possesses characteristics such as to make it possible and It is advantageous to use it in combination with particularly aggressive liquids from the chemical point of view, even in industrial sectors very different from ink jet printing, and for example in the sector of injection of a fuel in an internal combustion engine.

Questo scopo viene raggiunto dalla testina di eiezione e dal corrispondente metodo di fabbricazione aventi le caratteristiche definite nelle rivendicazioni principali indipendenti. This object is achieved by the ejection head and by the corresponding manufacturing method having the characteristics defined in the main independent claims.

Uno scopo più specifico della presente invenzione è quello di realizzare una testina di stampa a getto d'inchiostro, del tipo operante sia con la tecnologia a bolle sia con altre tecnologie, che possa essere impiegata senza inconvenienti con inchiostri aggressivi notoriamente capaci di reagire chimicamente con e/o di corrodere i materiali, tipicamente quelli a base organica, attualmente impiegati nella fabbricazione delle testine di stampa, così da consentire, almeno potenzialmente, un allargamento delle possibilità di applicazione industriale delle tecnologie e dei concetti sviluppati in connessione con queste testine di stampa note a settori finora esclusi da tali tecnologie e concetti. A more specific object of the present invention is to provide an ink jet print head, of the type operating both with bubble technology and with other technologies, which can be used without drawbacks with aggressive inks known to be capable of reacting chemically with and / or to corrode the materials, typically organic-based ones, currently used in the manufacture of print heads, so as to allow, at least potentially, an expansion of the possibilities of industrial application of the technologies and concepts developed in connection with these print heads known to sectors hitherto excluded from such technologies and concepts.

Questi ed altri scopi, caratteristiche e vantaggi dell'invenzione risulteranno evidenti sulla base della seguente descrizione di una sua forma preferita di realizzazione, fatta a titolo esemplificativo e non limitativo, con riferimento agli annessi disegni, di cui: These and other objects, characteristics and advantages of the invention will become evident on the basis of the following description of a preferred embodiment thereof, given by way of non-limiting example, with reference to the attached drawings, of which:

Fig. 1 è una vista schematica in sezione di una testina per l'eiezione di gocce di liquido conforme alla presente invenzione; Fig. 1 is a schematic sectional view of a head for ejection of drops of liquid according to the present invention;

Fig. 2 è un diagramma di flusso sintetico di un metodo secondo la presente invenzione per fabbricare la testina di eiezione di Fig. 1; Fig. 2 is a synthetic flow chart of a method according to the present invention for manufacturing the ejection head of Fig. 1;

Fig. 3 (sez. a-g), composta dalla Fig. 3a e dalla Fig. 3b, è una vista in sezione che mostra in sequenza le varie fasi per fabbricare una piastra con ugello della testina di eiezione di Fig. 1; Fig. 3 (section a-g), composed of Fig. 3a and Fig. 3b, is a sectional view showing in sequence the various steps for manufacturing a plate with nozzle of the ejection head of Fig. 1;

Fig. 4 (sez. a-c) è una vista in sezione che mostra le fasi finali per realizzare la struttura di un substrato portante un attuatore della testina di eiezione di Fig. 1; Fig. 4 (section a-c) is a sectional view showing the final steps for making the structure of a substrate carrying an actuator of the ejection head of Fig. 1;

Fig. 5 è uno schema operativo che si riferisce ad un’operazione di fissaggio, realizzata mediante la tecnologia del tipo “anodic bonding", per saldare la piastra ugello di Fig. 3 con il substrato di Fig. 4; Fig. 5 is an operating diagram that refers to a fixing operation, carried out using the "anodic bonding" type technology, to weld the nozzle plate of Fig. 3 with the substrate of Fig. 4;

Fig. 6 mostra un primo esempio di applicazione dell'invenzione concernente una testina di stampa provvista di una molteplicità di ugelli ed idonea ad eiettare gocce di inchiostro; Fig. 6 shows a first example of application of the invention concerning a print head provided with a plurality of nozzles and suitable for ejecting ink drops;

Fig. 7 mostra un wafer di silicio utilizzato per fabbricare una pluralità di piastre ugelli della testina di stampa di Fig. 6; Fig. 7 shows a silicon wafer used to manufacture a plurality of nozzle plates of the print head of Fig. 6;

Fig. 8 mostra un altro wafer di silicio utilizzato per fabbricare una pluralità di substrati della testina di stampa di Fig. 6; e Fig. 8 shows another silicon wafer used to fabricate a plurality of substrates of the print head of Fig. 6; And

Fig. 9 mostra una secondo esempio di applicazione della testina di eiezione fabbricata con il metodo dell'invenzione, in cui la testina di eiezione è prevista per eiettare gocce di combustibile in un motore termico a combustione interna. Fig. 9 shows a second example of application of the ejection head manufactured with the method of the invention, in which the ejection head is provided for ejecting fuel drops in an internal combustion engine.

Descrizione di una forma preferita di realizzazione dell’invenzione Description of a preferred embodiment of the invention

Con riferimento alle Figg. 1 e 2, una testina per l'eiezione di gocce di liquido, anche in seguito chiamata testina di eiezione, o dispositivo di eiezione, oppure più semplicemente eiettore, fabbricata secondo il metodo della presente invenzione, viene genericamente indicata con 10, e comprende un substrato 11, anche chiamato supporto di attuazione, che porta almeno un attuatore 15, anche chiamato nel seguito attuatore di eiezione; una piastra ugello 12, anche chiamata con terminologia inglese "orifice piate", che è provvista di almeno un ugello 13 ed è rigidamente collegata con il substrato 11 lungo una zona di giunzione 25; e un circuito idraulico 21, disposto all'interno della testina 10, che ha la funzione di contenere e convogliare un liquido 14 nella zona 10 fra l’attuatore 15 e l’ugello 13, in modo che siano entrambi lambiti dal liquido 14. With reference to Figs. 1 and 2, a head for ejection of drops of liquid, also hereinafter referred to as an ejection head, or ejection device, or more simply an ejector, manufactured according to the method of the present invention, is generically indicated with 10, and comprises a substrate 11, also called actuation support, which carries at least one actuator 15, also called ejection actuator hereinafter; a nozzle plate 12, also called with English terminology "orifice piate", which is provided with at least one nozzle 13 and is rigidly connected with the substrate 11 along a junction area 25; and a hydraulic circuit 21, arranged inside the head 10, which has the function of containing and conveying a liquid 14 in the area 10 between the actuator 15 and the nozzle 13, so that they are both lapped by the liquid 14.

La testina di eiezione 10 è rigidamente fissata lungo il substrato 11 su un supporto 30. L'attuatore 15 è posizionato, lungo il substrato 11, in una zona adiacente al’ugello 13, ed è atto ad attivare periodicamente, nel volume di liquido 14 che lo separa dall'ugello 13, un'onda di pressione, o in generale un effetto di pompaggio, tale da causare l'emissione di una pluralità di gocce 16 formate dal liquido 14, attraverso l’ugello 13. The ejection head 10 is rigidly fixed along the substrate 11 on a support 30. The actuator 15 is positioned, along the substrate 11, in an area adjacent to the nozzle 13, and is adapted to periodically activate, in the volume of liquid 14 which separates it from the nozzle 13, a pressure wave, or in general a pumping effect, such as to cause the emission of a plurality of drops 16 formed by the liquid 14, through the nozzle 13.

A questo scopo, l'attuatore 15 è previsto per essere pilotato direttamente mediante opportuni impulsi o segnali elettrici, ciascuno corrispondente ad una goccia eiettata, i quali sono governati da un'unità elettronica di controllo 19 della testina di eiezione 10. For this purpose, the actuator 15 is designed to be piloted directly by means of suitable electrical impulses or signals, each corresponding to an ejected droplet, which are governed by an electronic control unit 19 of the ejection head 10.

L'attuatore 15 può anche essere anche associato con dei circuiti di attuazione, disposti fra l’attuatore e l'unità di controllo 19, i quali, sotto il governo dell’unità di controllo 19, hanno la specifica funzione di generare gli impulsi che comandano direttamente l’attuatore 15 per generare le gocce 16. The actuator 15 can also be associated with actuation circuits, arranged between the actuator and the control unit 19, which, under the control of the control unit 19, have the specific function of generating the pulses which they directly control the actuator 15 to generate the drops 16.

In Fig. 1, la linea 18 rappresenta schematicamente il collegamento elettrico, fra l'unità di controllo 19 e l'attuatore 15, che ha la funzione di trasmettere i segnali diretti a comandare l’attuatore 15 per causare l'eiezione delle gocce 16. In Fig. 1, the line 18 schematically represents the electrical connection, between the control unit 19 and the actuator 15, which has the function of transmitting the direct signals to control the actuator 15 to cause the ejection of the drops 16 .

In particolare, il circuito idraulico 21 comprende un primo condotto di adduzione 24, per convogliare il liquido 14, che si sviluppa attraverso il substrato 11; un secondo condotto di adduzione 22 che è formato lungo la piastra ugello 12 e che è in comunicazione con un'estremità del primo condotto 22; ed almeno una camera 20, anch'essa formata sulla piastra ugello 12, la quale è adiacente sia all'attuatore 15 e sia all’ugello 13. In particular, the hydraulic circuit 21 comprises a first supply duct 24, for conveying the liquid 14, which develops through the substrate 11; a second supply conduit 22 which is formed along the nozzle plate 12 and which is in communication with one end of the first conduit 22; and at least one chamber 20, also formed on the nozzle plate 12, which is adjacent to both the actuator 15 and the nozzle 13.

La camera 20 è atta ad essere alimentata con il liquido 14 attraverso il condotto di adduzione 22, e definisce uno spazio interno nel quale il liquido 14 è sottoposto all’onda di pressione generata dall’attuatore 15 per essere eiettato attraverso l'ugello 13. The chamber 20 is adapted to be fed with the liquid 14 through the adduction duct 22, and defines an internal space in which the liquid 14 is subjected to the pressure wave generated by the actuator 15 to be ejected through the nozzle 13.

Inoltre la testina di eiezione 10 è associata con un serbatoio 17, contenente una certa quantità del liquido 14, che costituisce una riserva per il liquido 14 da alimentare alla camera 20 della testina di eiezione 10, e che a questo scopo è in comunicazione con il circuito idraulico 21, attraverso un condotto di alimentazione 23. Furthermore, the ejection head 10 is associated with a tank 17, containing a certain quantity of the liquid 14, which constitutes a reserve for the liquid 14 to be fed to the chamber 20 of the ejection head 10, and which for this purpose is in communication with the hydraulic circuit 21, through a supply duct 23.

In questo modo la testina di eiezione 10 può ricevere in continuazione il liquido 14 dal serbatoio 17, affinché venga eiettato in forma di gocce 16 verso l'esterno della testina di eiezione 10 attraverso l’ugello 13. In this way the ejection head 10 can continuously receive the liquid 14 from the tank 17, so that it is ejected in the form of drops 16 towards the outside of the ejection head 10 through the nozzle 13.

La tecnologie utilizzata par generare, nel liquido 14, il citato effetto di pompaggio che determina l'eiezione delle gocce 16 di liquido possono essere di vari tipi e basarsi su differenti principi. Per semplicità, nella presente descrizione, si farà preferìbilmente riferimento alla tecnologia di eiezione del tipo a bolle, ampiamente nota ed utilizzata nel settore delle stampanti, la quale è basata sulla generazione da parte dell'attuatore 15, nella zona dell'ugello 13. di una microbolla di vapore di liquido, che espandendosi causa l'eiezione di una goccia di liquido attraverso l'ugello 13. È comunque chiaro che la descrizione che verrà fatta non deve essere intesa come tendente a limitare l’ambito della presente invenzione a questa particolare tecnologia di eiezione delle gocce di liquido. The technologies used to generate, in the liquid 14, the aforementioned pumping effect which determines the ejection of the drops 16 of liquid can be of various types and are based on different principles. For the sake of simplicity, in the present description, reference will preferably be made to the bubble type ejection technology, widely known and used in the printer sector, which is based on the generation by the actuator 15, in the area of the nozzle 13. of a microbubble of liquid vapor, which expanding causes the ejection of a drop of liquid through the nozzle 13. It is however clear that the description to be made should not be understood as tending to limit the scope of the present invention to this particular liquid drop ejection technology.

Ad esempio, in alternativa alla tecnologia a bolle, l'effetto di pompaggio per l'eiezione delle gocce potrebbe essere ottenuto tramite la deformazione di un attuatore di tipo piezoelettrico. For example, as an alternative to bubble technology, the pumping effect for ejection of the drops could be obtained through the deformation of a piezoelectric type actuator.

Ora, nell'ambito della citata tecnologia a bolle, l’attuatore 15 è costituito da un resistore che, nell'uso, viene pilotato dall'unità di controllo 19 con un breve impulso di corrente tale da determinare, per effetto joule, un rapido riscaldamento dello stesso resistere 15. Now, in the context of the aforementioned bubble technology, the actuator 15 is constituted by a resistor which, in use, is driven by the control unit 19 with a short current pulse such as to determine, due to the joule effect, a rapid heating of the same resist 15.

In questo modo il liquido 14 disposto nelle immediate vicinanze del resistere 15 viene portato ad evaporazione, e causa pertanto il sorgere di una bolla di vapore, derivato dallo stesso liquido 14, che espandendosi esercita un effetto di pompaggio in direzione dell'ugello 13 per determinare, attraverso quest'ultimo, l'eiezione di una goccia 16. In this way the liquid 14 disposed in the immediate vicinity of the resistor 15 is brought to evaporation, and therefore causes the rise of a vapor bubble, derived from the same liquid 14, which expanding exerts a pumping effect in the direction of the nozzle 13 to determine through the latter, the ejection of a drop 16.

Poi, al termine dell'impulso, a causa del concomitante raffreddamento del resistere 15, la bolla di vapore collassa, per modo che il liquido 14 adiacente al resistere 15 ritorna nelle condizioni iniziali, ed il resistere 15 può essere nuovamente attivato con un nuovo impulso per causare l'eiezione di una nuova goccia 16. In sintesi, questo ciclo si ripete periodicamente, pilotando il resistere 15 con una successione predeterminata di impulsi che determinano la generazione di altrettante bolle di vapore adiacentemente al resistere 15, e l’eiezione di corrispondenti gocce 16 attraverso l'ugello 13. Then, at the end of the impulse, due to the concomitant cooling of the resistor 15, the vapor bubble collapses, so that the liquid 14 adjacent to the resistor 15 returns to its initial conditions, and the resistor 15 can be activated again with a new impulse. to cause the ejection of a new drop 16. In summary, this cycle is repeated periodically, driving the resist 15 with a predetermined succession of pulses which determine the generation of as many bubbles of vapor adjacent to the resist 15, and the ejection of corresponding drops 16 through the nozzle 13.

Come mostrato in Fig. 1, l’ugello 13 è disposto frontalmente rispetto al resistere 15, per modo che l'espansione della bolla di vapore viene utilizzata in senso normale al resistere 15 per eiettare la goccia 16. Questa disposizione, come già detto, è spesso chiamata con terminologia inglese "top shooter", ed è tipica di una importante categoria delle testine di eiezione che sono basate sulla tecnologia a bolle. Comunque la disposizione relativa fra l’attuatore di eiezione, e l’ugello possono essere anche diverse da quella rappresentata in Fig. 1, senza per questo uscire dalla presente invenzione. As shown in Fig. 1, the nozzle 13 is arranged in front of the resistor 15, so that the expansion of the vapor bubble is used in the normal sense of the resistor 15 to eject the drop 16. This arrangement, as already mentioned, it is often called "top shooter" in English terminology, and is typical of an important category of ejection heads which are based on bubble technology. However, the relative arrangement between the ejection actuator and the nozzle may also be different from that shown in Fig. 1, without thereby departing from the present invention.

Come più avanti dettagliatamente descritto, anche il lìquido 14 utilizzato sulla testina di eiezione 10 per essere eiettato in forma di gocce può essere di differenti tipi, ed avere composizioni completamente diverse da un tipo di liquido ad un altro, in dipendenza dello specifico settore in cui la testina di eiezione 10 è applicata, e pertanto delle specifiche caratteristiche che il liquido deve possedere in relazione a quel determinato settore. La piastra ugelli 12 ed il substrato 11 costituiscono le parti fondamentali della presente testina di eiezione 1 1 , e vengono realizzati attraverso due procedimenti distinti, indicati in Fig. 2 rispettivamente con 31 e 32, per essere successivamente assemblate e collegate rigidamente fra loro, durante una fase 33, in modo da formare la testina di eiezione 10. As described in detail below, also the liquid 14 used on the ejection head 10 to be ejected in the form of drops can be of different types, and have completely different compositions from one type of liquid to another, depending on the specific sector in which the ejection head 10 is applied, and therefore specific characteristics that the liquid must possess in relation to that particular sector. The nozzle plate 12 and the substrate 11 constitute the fundamental parts of the present ejection head 11, and are made through two distinct procedures, indicated in Fig. 2 respectively with 31 and 32, to be subsequently assembled and rigidly connected to each other, during a step 33, so as to form the ejection head 10.

Per chiarezza i due procedimenti di fabbricazione 31 e 32, rispettivamente della piastra ugelli 12 e del substrato 11, verranno descritti separatamente, iniziando da quello relativo alla piastra ugelli 12. For clarity, the two manufacturing processes 31 and 32, respectively of the nozzle plate 12 and of the substrate 11, will be described separately, starting with that relating to the nozzle plate 12.

Con riferimento alla Fig. 3, tale procedimento comprende una fase iniziale, rappresentata nella sez. (a) di Fig. 3a, in cui una piastrina di silicio 51, anche chiamata in inglese "wafer' ed avente due facce opposte indicate rispettivamente con 51 a e 51, viene incollata mediante una sostanza adesiva su un supporto 52, ad esempio lungo il lato 51 b. With reference to Fig. 3, this process comprises an initial step, shown in section (a) of Fig. 3a, in which a silicon plate 51, also called in English "wafer 'and having two opposite faces indicated respectively with 51 a and 51, is glued by means of an adhesive substance on a support 52, for example along the side 51 b.

Il wafer 51 è facilmente reperìbile in commercio ed ha una forma normalizzata, ad esempio rotonda a disco con un diametro di 3" ed uno spessore indicativo di 75 pm. The wafer 51 is readily available on the market and has a normalized shape, for example round disk with a diameter of 3 "and an indicative thickness of 75 µm.

Anche il supporto 52 può essere costituito da un wafer di tipo noto, anche se sensibilmente più spesso del wafer 51 usato per fabbricare la piastra ugello 12. The support 52 can also consist of a known type of wafer, although significantly thicker than the wafer 51 used to manufacture the nozzle plate 12.

Ad esempio il supporto 52 può essere realizzato con un wafer rotondo da 4" di diametro, con uno spessore di 0,5 mm, sia di tipo standard di silicio, oppure di vetro o di ceramica. For example, the support 52 can be made with a 4 "diameter round wafer, with a thickness of 0.5 mm, either of the standard type of silicon, or of glass or ceramic.

Il wafer 51 è esternamente ossidato, in modo da presentare lungo le sue due facce opposte, 51 a e 51b, un sottile strato 55 di ossido di silicio SiO2. ad esempio The wafer 51 is externally oxidized, so as to present along its two opposite faces, 51a and 51b, a thin layer 55 of silicon oxide SiO2. for example

spesso 0,3 0,4 pm. often 0.3 0.4 pm.

Dopo il fissaggio sul supporto 52, il wafer 51 viene ricoperto in modo noto, lungo la faccia libera 51 a opposta a quella 51 b incollata sul supporto 52, con un sottile strato 53 di una sostanza sensibile alla luce, anche chiamata in inglese “fotoresist”, spesso 1-3 pm. After fixing on the support 52, the wafer 51 is covered in a known way, along the free face 51 a opposite to that 51 b glued on the support 52, with a thin layer 53 of a light-sensitive substance, also called in English "photoresist ”, Often 1-3 pm.

In particolare il fotoresist che costituisce lo strato 53 è di tipo positivo, ovvero è tale da essere in condizioni normali resistente a e non intaccabile da determinate sostanze, e da diventare invece facilmente scioglibile e rimovibile da parte di queste sostanze, se esposto ad una radiazione luminosa. In particular, the photoresist that constitutes the layer 53 is of the positive type, that is, it is such as to be resistant to and not attackable by certain substances under normal conditions, and on the other hand to become easily dissolvable and removable by these substances, if exposed to light radiation. .

Secondo tecniche note e come mostrato in Fig. 3a - sez. (b), dopo la stesura sul wafer 51 questo strato 53 di fotoresist positivo viene successivamente illuminato con una luce 49 attraverso una apposita maschera 50 avente una determinata configurazione che corrisponde all'immagine positiva di quelle parti del circuito idraulico 21, ovvero il condotto di adduzione 22 e la camera 20, che verranno formate sulla piastra ugelli 12. According to known techniques and as shown in Fig. 3a - sect. (b), after spreading on the wafer 51 this positive photoresist layer 53 is subsequently illuminated with a light 49 through a special mask 50 having a specific configuration which corresponds to the positive image of those parts of the hydraulic circuit 21, i.e. the supply 22 and chamber 20, which will be formed on the nozzle plate 12.

In questo modo lo strato 53 viene impressionato in modo da diventare rimovibile durante la successiva operazione solo nelle zone illuminate dalla luce 49. In this way the layer 53 is impressed so as to become removable during the subsequent operation only in the areas illuminated by the light 49.

Convenientemente, al fine di realizzare economie di scala e migliorare l'efficienza del processo produttivo, il wafer 51 può essere utilizzato per la fabbricazione di una pluralità di piastre ugello 12, ognuna corrispondente ad un'area elementare del wafer 51. Conveniently, in order to achieve economies of scale and improve the efficiency of the production process, the wafer 51 can be used for the manufacture of a plurality of nozzle plates 12, each corresponding to an elementary area of the wafer 51.

A questo scopo, la maschera 50 è predisposta con una configurazione che è costituita da una pluralità di profili uguali, ognuno riproducente un circuito idraulico 21 da realizzare su una corrispondente area elementare del wafer 51. Pertanto il fotoresist positivo 53 viene illuminato attraverso la maschera 50, e quindi diventa rimovibile, lungo una pluralità di zone uguali fra loro, una per ogni area elementare del wafer 51, che corrispondono ai profili della maschera 50. For this purpose, the mask 50 is arranged with a configuration which is constituted by a plurality of identical profiles, each reproducing a hydraulic circuit 21 to be created on a corresponding elementary area of the wafer 51. Therefore the positive photoresist 53 is illuminated through the mask 50 , and therefore it becomes removable, along a plurality of identical areas, one for each elementary area of the wafer 51, which correspond to the profiles of the mask 50.

Per semplicità, la Fig. 3a - sez. (b), come anche le seguenti, si riferiscono a e rappresentano le modifiche strutturali che si verificano solo in un'area elementare del wafer 51, essendo comunque chiaro che quanto mostrato in ciascuna di queste figure è da considerarsi ripetuto esattamente in ciascuna delle altre aree elementari del wafer 51. For simplicity, Fig. 3a - sect. (b), as well as the following ones, refer to and represent the structural changes that occur only in an elementary area of the wafer 51, it being however clear that what is shown in each of these figures is to be considered repeated exactly in each of the other areas wafer elements 51.

Quindi, utilizzando tecniche note, lo strato 53 di fotoresist viene sviluppato, rimuovendo da esso le zone impressionate dalla luce e quindi non resistenti, in modo da scoprire, in corrispondenza di tali zone, lo strato sottostante 55 di SiO2, come mostrato in Fig. 3a - sez. (c). Then, using known techniques, the photoresist layer 53 is developed, removing from it the areas exposed to the light and therefore not resistant, so as to discover, in correspondence with these areas, the underlying layer 55 of SiO2, as shown in Fig. 3a - section (c).

In seguito, il wafer 51 viene sottoposto ad una operazione di incisione, che ha lo scopo di rimuovere, in corrispondenza delle aree non protette dallo strato superiore 53 di fotoresist, lo spessore superficiale 55 di SiO2, in modo da scoprire la sottostante parte di silicio. Subsequently, the wafer 51 is subjected to an etching operation, which has the purpose of removing, in correspondence with the areas not protected by the upper photoresist layer 53, the surface thickness 55 of SiO2, so as to uncover the underlying silicon part. .

Tipicamente questa operazione di incisione per rimuovere il SiO2 viene effettuata in un bagno liquido, o comunque in un ambiente umido, e per questo viene spesso anche identificata con l'espressione inglese "wet etching" o semplicemente "wet". Poi lo strato esterno 53 di fotoresist viene rimosso. In questo modo lo strato 55 di SiO2 forma la maschera protettiva per la successiva operazione di incisione del silicio costituente il wafer 51. Typically this etching operation to remove SiO2 is carried out in a liquid bath, or in any case in a humid environment, and for this reason it is often also identified with the English expression "wet etching" or simply "wet". Then the outer photoresist layer 53 is removed. In this way the SiO2 layer 55 forms the protective mask for the subsequent etching operation of the silicon constituting the wafer 51.

Secondo una variante del procedimento fin qui descritto, il wafer iniziale può essere privo, lungo le sue facce, dello strato superficiale di SiO2, ed essere pertanto costituito solo da silicio puro. In quest'ultimo caso, lo strato di fotoresist viene depositato direttamente sul silicio del wafer e sottoposto alle stesse operazioni di illuminamento, sviluppo, e rimozione già descritte in relazione al caso precedente del wafer ossidato in superficie, in modo da formare una maschera di protezione, per la successiva fase di incisione del silicio del wafer, che è esattamente equivalente a quella, realizzata tramite lo strato di S1O2, relativa al caso precedente. Per semplicità, solamente il caso del wafer 51 provvisto dei due strati superficiali di SiO2 viene rappresentato in Fig. 3. According to a variant of the process described up to now, the initial wafer can be devoid, along its faces, of the surface layer of SiO2, and therefore consist only of pure silicon. In the latter case, the photoresist layer is deposited directly on the silicon of the wafer and subjected to the same operations of illumination, development, and removal already described in relation to the previous case of the oxidized wafer on the surface, so as to form a protective mask , for the subsequent step of etching the silicon of the wafer, which is exactly equivalent to that, carried out by means of the S1O2 layer, relating to the previous case. For simplicity, only the case of the wafer 51 provided with the two SiO2 surface layers is shown in Fig. 3.

In entrambi i casi sopra descritti, dopo la formazione della maschera di protezione per il silicio del wafer 51, come detto, o mediante lo strato di S1O2, oppure mediante uno strato di fotoresist, il wafer 51 viene sottoposto ad una o più ulteriori operazioni di incisione, che hanno lo scopo di asportare selettivamente il silicio del wafer 51 fino ad una determinata profondità, in modo da formare le camera 20 ed il condotto di adduzione 22, del circuito idraulico 21, che sono presenti sulla piastra ugello 12. In both cases described above, after the formation of the protective mask for the silicon of the wafer 51, as mentioned, either by means of the S1O2 layer, or by means of a photoresist layer, the wafer 51 is subjected to one or more further operations of incision, which have the purpose of selectively removing the silicon of the wafer 51 up to a certain depth, so as to form the chamber 20 and the supply duct 22, of the hydraulic circuit 21, which are present on the nozzle plate 12.

Questa fase di incisione, mostrata in Fig. 3a - sez. (d), viene realizzata mediante apposite apparecchiature in un ambiente sotto vuoto, dove il wafer 51 è soggetto all’azione di agenti allo stato gassoso o di plasma che si combinano con il silicio non protetto del wafer 51 per corroderlo ed asportarlo fino alla profondità voluta. This incision phase, shown in Fig. 3a - sect. (d), is made by means of special equipment in a vacuum environment, where the wafer 51 is subject to the action of agents in the gaseous state or plasma which combine with the unprotected silicon of the wafer 51 to corrode it and remove it to the depth desired.

Pertanto, per contrasto con la fase di incisione prima citata e realizzata in ambiente umido, o "wet etching", questa fase di incisione è spesso identificata con la parola inglese “dry etching”. Therefore, in contrast to the etching phase mentioned above and carried out in a wet environment, or "wet etching", this etching phase is often identified with the English word "dry etching".

Ad esempio in questo fase il wafer 51 viene scavato per una profondità di circa 10÷25 μm, in modo da formare una rientranza 54 costituita da due porzioni 54a e 54b, corrispondenti rispettivamente alla camera 20 ed al condotto di adduzione 22, in cui la porzione 54a ha una forma in pianta circa quadrata. For example, in this phase the wafer 51 is hollowed to a depth of about 10 ÷ 25 μm, so as to form a recess 54 consisting of two portions 54a and 54b, corresponding respectively to the chamber 20 and to the supply duct 22, in which the portion 54a has an approximately square shape in plan.

In seguito, uno strato spesso 56 di fotoresist negativo, costituito ad esempio da fotoresist negativo tipo SU8, dal nome della casa costruttrice, viene depositato, con un procedimento noto, lunga l'intera estensione del lato 51 a non incollato del wafer 51, in modo da ricoprire completamente anche la rientranza 54. Indicativamente questo strato 56 ha uno spessore di circa 15 ÷30 μm , per consentire di coprire il gradino definito dalla rientranza 54. Subsequently, a thick layer 56 of negative photoresist, consisting for example of negative photoresist type SU8, named after the manufacturer, is deposited, with a known method, along the entire extension of the non-glued side 51 a of the wafer 51, in so as to completely cover the recess 54 as well. This layer 56 has a thickness of approximately 15 ÷ 30 μm, to allow covering the step defined by the recess 54.

Si precisa che questo fotoresist negativo costituente lo strato 56 ha un comportamento opposto a quello del fotoresist positivo costituente il precedente strato 53, e quindi in condizioni normali è scioglibile a contatto di determinate sostanze, mentre, se illuminato, acquisisce una certa resistenza a queste sostanze. It should be noted that this negative photoresist constituting the layer 56 has an opposite behavior to that of the positive photoresist constituting the previous layer 53, and therefore in normal conditions it can be dissolved in contact with certain substances, while, if illuminated, it acquires a certain resistance to these substances. .

Poi, come mostrato in Fig. 3b - sez. (e), questo strato spesso 56 viene illuminato, attraverso una determinata maschera 59, in modo tale da non ricevere la luce 49 in corrispondenza di quella porzione, dello stesso strato 56, indicata con 58 ed avente in pianta una forma quadrata, che riempie la porzione 54a, della rientranza 54, corrispondente all'incirca alla camera 20. Then, as shown in Fig. 3b - sect. (e), this thick layer 56 is illuminated, through a determined mask 59, so as not to receive the light 49 in correspondence with that portion, of the same layer 56, indicated with 58 and having a square shape in plan, which fills the portion 54a, of the recess 54, corresponding approximately to the chamber 20.

Successivamente, secondo quanto illustrato in Fig. 3b - sez. (f), lo strato 56 di fotoresist negativo viene sviluppato e scavato, con tecniche note, in modo da rimuovere la porzione non illuminata 58 e delimitare cosi, lungo il fondo della rientranza 54, adiacentemente alla camera 20, una ristretta area 61 , a forma quadrata e non protetta dallo strato 56, corrispondente alla zona dell’ugello 13 che verrà formato. Subsequently, according to what is illustrated in Fig. 3b - sect. (f), the negative photoresist layer 56 is developed and excavated, with known techniques, so as to remove the unlit portion 58 and thus delimit, along the bottom of the recess 54, adjacent to the chamber 20, a narrow area 61, to square shape and not protected by the layer 56, corresponding to the area of the nozzle 13 that will be formed.

A questo punto, come mostrato in Fig. 3b - sez. (g), il wafer 51, viene sottoposto ad un ulteriore processo di incisione, che ha lo scopo di scavare il silicio del wafer 51 solo in corrispondenza dell'area ristretta 61 , quadrata, definita lungo il fondo della rientranza 54. At this point, as shown in Fig. 3b - sect. (g), the wafer 51 is subjected to a further etching process, which has the purpose of hollowing out the silicon of the wafer 51 only in correspondence with the restricted area 61, square, defined along the bottom of the recess 54.

Questa incisione è di tipo wet, essendo eseguita in ambiente umido ad esempio utilizzando un composto quale KOH, ed è chiamata anche anisotropa, poiché essa si sviluppa lungo gli assi cristallografici del silicio che costituisce il wafer 51. This etching is of the wet type, being performed in a humid environment, for example using a compound such as KOH, and is also called anisotropic, since it develops along the crystallographic axes of the silicon that constitutes the wafer 51.

In particolare questa incisione causa la formazione di un foro cieco 62, avente una forma piramidale, come mostrato nella vista in pianta della stessa Fig. 3b - sez. (g). In particular, this incision causes the formation of a blind hole 62, having a pyramidal shape, as shown in the plan view of the same Fig. 3b - sect. (g).

Più in dettaglio, tenendo conto del lato dell’area quadrata scoperta 61, dello spessore, pari a arca 50 μm , della parete di silicio da incidere, e dell'inclinazione, pari a circa 54°, degli assi cristallografici dei silicio, l'incisione si sviluppa in modo tale da formare su tale parete un fora cieco piramidale 62, lasciando un sottile strato residuo di silicio, indicato con 60, al fondo del foro cieco 62. More in detail, taking into account the side of the uncovered square area 61, the thickness, equal to 50 μm, of the silicon wall to be engraved, and the inclination, equal to about 54 °, of the crystallographic axes of the silicon, the The incision develops in such a way as to form a pyramidal blind hole 62 on this wall, leaving a thin residual layer of silicon, indicated with 60, at the bottom of the blind hole 62.

A questo punto, dopo aver rimosso lo strato spesso 56 di fotoresist, il wafer 51 viene scollato, lungo il lato 51 b, dal supporto 52, e quindi pulito e successivamente rincollato lungo il lato opposto 51 a sullo stesso supporto 51 o su un altro sopporto simile. At this point, after removing the thick layer 56 of photoresist, the wafer 51 is unglued, along the side 51 b, from the support 52, and then cleaned and subsequently glued along the opposite side 51 a on the same support 51 or on another support similar.

Successivamente, come mostrato in Fig. 3b - sez. (h), il wafer 51 viene ricoperto lungo il lato 51 b, ora libero, con uno strato 57 di fotoresist positivo, rappresentato con linea a tratto e punto, che viene successivamente illuminato con una apposita maschera, impressionato e sviluppato, con le stesse tecniche già viste in precedenza, in modo da proteggere l'intera estensione dello strato 55 di ossido di silicio SiO2 disposto lungo il lato 51 b, ad eccezione di una ristretta area circolare adiacente alla parete 60 e corrispondente all'ugello 13. Subsequently, as shown in Fig. 3b - sect. (h), the wafer 51 is covered along the side 51 b, now free, with a layer 57 of positive photoresist, represented by a dotted line, which is subsequently illuminated with a special mask, impressed and developed, with the same techniques already seen above, so as to protect the entire extension of the layer 55 of silicon oxide SiO2 arranged along the side 51b, with the exception of a narrow circular area adjacent to the wall 60 and corresponding to the nozzle 13.

Poi il wafer 51 è sottoposto ad un ulteriore processo di incisione tipo "wet", cioè tramite un bagno chimico, per rimuovere l'area circolare, non protetta, dello strato 55 di ossido di silicio SiO2, e scoprire una sottostante e corrispondente zona circolare del silicio del wafer 51. Then the wafer 51 is subjected to a further "wet" type etching process, ie through a chemical bath, to remove the circular, unprotected area of the SiO2 silicon oxide layer 55, and uncover an underlying and corresponding circular area wafer silicon 51.

In questo modo lo strato 55 forma una maschera protettiva per il silicio del wafer 51 durante la successiva operazione di incisione di tipo dry. In this way the layer 55 forms a protective mask for the silicon of the wafer 51 during the subsequent dry etching operation.

Naturalmente se il wafer 51 originalmente non era provvisto dello strato di SiO2 , questa maschera di protezione viene realizzata con uno strato di fotoresist, in modo analogo a quanto già visto in precedenza. Naturally, if the wafer 51 was not originally provided with the SiO2 layer, this protection mask is made with a photoresist layer, in a similar way to what has already been seen previously.

In particolare, in questo caso, lo spessore di fotoresist viene scelto con uno spessore adeguato, in rapporto allo spessore di silicio da incidere nella fase successiva, per consentire una corretta realizzazione di tale fase di incisione. In particular, in this case, the photoresist thickness is chosen with an adequate thickness, in relation to the thickness of silicon to be engraved in the subsequent phase, to allow a correct realization of this etching phase.

Poi, durante un processo di incisione tipo "dry", l'area circolare scoperta del silicio del wafer 51 , ovvero non protetta dallo strato 55, viene incisa, in modo da scavare la parete 60 e formare attraverso essa un foro passante 63 corrispondente all'ugello 13. Then, during a "dry" etching process, the uncovered circular area of the silicon of the wafer 51, that is, not protected by the layer 55, is engraved, so as to hollow out the wall 60 and form through it a through hole 63 corresponding to the 'nozzle 13.

Infine il wafer 51, che, si ricorda, ha subito le operazioni prima descrìtte per ciascuna delle sue aree elementari, viene tagliato in singole unità corrispondenti a queste aree, e costituenti ognuna una piastra ugello 12. Finally, the wafer 51, which, it should be remembered, has undergone the operations described above for each of its elementary areas, is cut into individual units corresponding to these areas, and each constituting a nozzle plate 12.

In seguito le singole piastre ugello 12 sono lavate e controllate per verificare che non contengano difetti, e siano state formate correttamente. In questo modo si ottiene, a partire dal wafer 51, la struttura, costituente la piastra ugello 12, che è mostrata in Fig. 3b - sez. (i), sia lateralmente in sezione che in pianta. Subsequently, the individual nozzle plates 12 are washed and checked to verify that they do not contain defects, and that they have been formed correctly. In this way, starting from the wafer 51, the structure constituting the nozzle plate 12, which is shown in Fig. 3b - sect. (i), both laterally in section and in plan.

Il procedimento 32 per fabbricare il substrato 11 segue in massima parte una sequenza nota ed adotta tecnologie anch'esse note, e pertanto non verrà descrìtto in modo dettagliato. The process 32 for manufacturing the substrate 11 largely follows a known sequence and adopts technologies which are also known, and therefore will not be described in detail.

Si ricorda unicamente che questo procedimento 32 parte dalla disponibilità di un supporto o wafer di silicio 70, analogo a quello utilizzato per fabbricare la piastra ugelli 12, ma di spessore sensibilmente maggiore, ad esempio 0,5 mm, ed ha lo scopo di realizzare su tale supporto 70, oltre all'attuatore 15, determinati strati di protezione aventi la funzione di proteggere lo stesso attuatore 15 in modo da prolungarne la vita operativa. It is only recalled that this process 32 starts from the availability of a silicon support or wafer 70, similar to that used to manufacture the nozzle plate 12, but with a considerably greater thickness, for example 0.5 mm, and has the purpose of making a this support 70, in addition to the actuator 15, certain protective layers having the function of protecting the actuator 15 itself so as to prolong its operating life.

Durante il procedimento 32 vengono anche realizzate la opportuna pista, o piste, per il collegamento elettrico dell’attuatore 15 con i circuiti adibiti a pilotarlo. During the process 32 the appropriate track, or tracks, are also made for the electrical connection of the actuator 15 with the circuits used to drive it.

In particolare, come già anticipato, il procedimento 32 può anche comprendere la realizzazione, sul wafer di silicio 70, di specifici circuiti ausiliari, spesso chiamati con il termine inglese "drìver", atti ad essere condizionati dall'unità di controllo 19 per generare gli impulsi da inviare direttamente all’attuatore 15 per attivare l'eiezione delle gocce 16. In particular, as already mentioned, the process 32 can also comprise the realization, on the silicon wafer 70, of specific auxiliary circuits, often called with the English term "driver", adapted to be conditioned by the control unit 19 to generate the pulses to be sent directly to the actuator 15 to activate the ejection of the drops 16.

In modo analogo alla piastra ugello 12, e al fine di realizzare economie di scale e migliorare l'efficienza del ciclo produttivo del substrato 11, un unico wafer di silicio 70 può essere utilizzato per realizzare contemporaneamente una pluralità di substrati 11, eguali fra loro, ed ognuno corrispondente ad un'area o porzione elementare del wafer di silicio originale 70. Similarly to the nozzle plate 12, and in order to achieve economies of scale and improve the efficiency of the production cycle of the substrate 11, a single silicon wafer 70 can be used to simultaneously produce a plurality of substrates 11, identical to each other, and each corresponding to an elemental area or portion of the original silicon wafer 70.

Per chiarezza, la struttura del substrato 11 che viene realizzata mediante le operazioni note prima citate e che corrisponde ad una porzione elementare del wafer 70 è rappresentata in Fig. 4 - sez. (a). For clarity, the structure of the substrate 11 which is made by means of the known operations mentioned above and which corresponds to an elementary portion of the wafer 70 is shown in Fig. 4 - section. (to).

In particolare questa struttura comprende uno strato di base 71 di silicio corrispondente sostanzialmente allo spessore del wafer 70 iniziale di partenza; una zona 72, realizzata con la tecnologia MOS, che comprende una serie di circuiti o driver per controllare il funzionamento della testina di eiezione 10; un sottile strato 73 di ossido di silicio S1O2 accresciuto selettivamente sopra lo strato di silicio 71, ed in particolare mancante lungo la zona 72 con i circuiti MOS; un sottile film resistivo di limitata estensione o resistore 74, costituente l'attuatore 15; una o più piste, non rappresentate nel disegni ed estendentesi in senso normale al piano di Fig. 4, per collegare elettricamente il resistore 74 con i arcuiti della zona 72; uno strato di protezione 76 composto da nitruro di silicio e carburo di silicio e depositato sopra il resistore 74; ed uno strato 77, costituito da tantalio Ta, disposto sopra lo strato di nitruro/carburo 76 nell'area del resistore 15. In particular, this structure comprises a base layer 71 of silicon substantially corresponding to the thickness of the initial starting wafer 70; a zone 72, made with MOS technology, which comprises a series of circuits or drivers for controlling the operation of the ejection head 10; a thin layer 73 of silicon oxide S1O2 selectively grown over the silicon layer 71, and in particular missing along the zone 72 with the MOS circuits; a thin resistive film of limited extension or resistor 74, constituting the actuator 15; one or more tracks, not shown in the drawings and extending in the direction normal to the plane of Fig. 4, to electrically connect the resistor 74 with the arcades of the zone 72; a protection layer 76 composed of silicon nitride and silicon carbide and deposited over the resistor 74; and a layer 77, consisting of tantalum Ta, arranged over the nitride / carbide layer 76 in the area of the resistor 15.

Lo strato 77 di Ta ha essenzialmente la funzione di proteggere il resistore 74 contro l'usura provocata dalle sollecitazioni meccaniche, a cui il resistore 74 è sottoposto, durante il funzionamento della testina di eiezione 10. The Ta layer 77 essentially has the function of protecting the resistor 74 against wear caused by the mechanical stresses to which the resistor 74 is subjected during the operation of the ejection head 10.

Tipicamente queste sollecitazioni sono causate dal fenomeno di cavitazione che si verifica per effetto del pompaggio del liquido 14, determinato dal resistore 74, per eiettare le gocce 16, Typically these stresses are caused by the cavitation phenomenon which occurs due to the pumping of the liquid 14, determined by the resistor 74, to eject the drops 16,

Come si vedrà meglio in seguito, questo strato 77 di tantalio è previsto per essere vantaggiosamente utilizzato anche durante la successiva operazione di giunzione del substrato 11 con la piastra ugello 12, per formare la testina di eiezione 10, ed ha questo scopo lo strato 77 di tantalio viene depositato sopra il wafer di silicio 70 in modo da coprire non solo l’area del resistore 74, ma da estendersi lateralmente lungo la zona dove la giunzione sarà realizzata. As will be seen better below, this tantalum layer 77 is intended to be advantageously used also during the subsequent joining operation of the substrate 11 with the nozzle plate 12, to form the ejection head 10, and this purpose is the layer 77 of tantalum is deposited over the silicon wafer 70 so as not only to cover the area of the resistor 74, but to extend laterally along the area where the junction will be made.

Inoltre, sempre a questo scopo, lo strato 77 è formato in modo da avere, lungo il suo bordo, una porzione 77a, che è disposta esternamente rispetto a tale zona di giunzione. Furthermore, again for this purpose, the layer 77 is formed in such a way as to have, along its edge, a portion 77a, which is arranged externally with respect to this junction area.

Differentemente dalla tecnica nota e al fine di predisporne il substrato 11 per la successiva operazione, più avanti descritta, di giunzione con la piastra ugello 12, la struttura del substrato 11 comprende anche, lungo determinate zone di giunzione, uno strato superficiale esterno 78 di vetro borosilicato, depositato sopra lo strato 77 di tantalio. Differently from the known art and in order to prepare the substrate 11 for the subsequent operation, described below, of joining with the nozzle plate 12, the structure of the substrate 11 also comprises, along certain junction areas, an external surface layer 78 of glass borosilicate, deposited on top of the tantalum layer 77.

Come mostrato in Fig. 4 - sez. (b), questo strato 78 di vetro borosilicato viene inizialmente depositato in modo continuo su tutto le aree del wafer originale 70, in modo da coprire completamente lo strato 77 di tantalio realizzato su tali aree. As shown in Fig. 4 - sect. (b), this layer 78 of borosilicate glass is initially deposited in a continuous manner over all the areas of the original wafer 70, so as to completely cover the tantalum layer 77 made on these areas.

In particolare lo strato 78 ha uno spessore di 1 ÷ 5 μm, ed è costituito da vetro borisilicato del tipo Pyrex 7740, o del tipo Schott 8329, contenente ioni di sodio e litio, con un coefficiente di dilatazione termica pari a e pertanto molto vicino a quello del silicio che è di In particular, layer 78 has a thickness of 1 ÷ 5 μm, and is made of borisilicate glass of the Pyrex 7740 type, or of the Schott 8329 type, containing sodium and lithium ions, with a thermal expansion coefficient equal to and therefore very close to that of silicon which is of

In questo modo lo strato 78 di vetro borosilicato ed il silicio del wafer 70 si accoppiano in modo ottimale senza determinare il sorgere di sollecitazioni meccaniche nellarea di giunzione. In this way, the layer 78 of borosilicate glass and the silicon of the wafer 70 are coupled in an optimal way without causing mechanical stresses to arise in the junction area.

La deposizione delle strato esterno 78 di vetro borosilicato sul substrato 11 viene realizzata in modo noto, ad esempio tramite il procedimento conosciuto con il termine inglese di “sputtering RF”, in cui il vetro borosilicato viene atomizzato e spruzzato sul substrato 11. The deposition of the outer layer 78 of borosilicate glass on the substrate 11 is carried out in a known way, for example by means of the process known by the English term of "sputtering RF", in which the borosilicate glass is atomized and sprayed on the substrate 11.

La deposizione dello strato 78 può anche essere effettuata tramite il procedimento noto con il termine inglese di “electron-beam evaporation”, in cui un raggio elettronico viene irradiato su un elettrodo costituito da vetro borosilicato, affinché il vetro borosilicato evapori e si depositi sul substrato 11. The deposition of layer 78 can also be carried out by means of the procedure known by the English term of "electron-beam evaporation", in which an electronic ray is irradiated on an electrode made of borosilicate glass, so that the borosilicate glass evaporates and deposits on the substrate 11.

Rispetto allo sputterìng, il procedimento di electron-beam evaporation presenta il vantaggio di essere più rapido, ovvero di essere in grado di depositate una maggiore quantità di materiale nel'unità' di tempo, ed inoltre di assicurare un migliore controllo stechiometrico dello strato 78 depositato di vetro borosilicato. Compared to sputtering, the electron-beam evaporation process has the advantage of being faster, that is, of being able to deposit a greater quantity of material in the unit of time, and also of ensuring a better stoichiometric control of the deposited layer 78. of borosilicate glass.

Poi questo strato continuo 78 di vetro borosilicato viene inciso con tecniche note in modo da scoprire l'area del resistere 74, e da restringere lo strato 78 all’area del substrato 11 destinata ad essere accoppiata con la piastra ugello 12. Then this continuous layer 78 of borosilicate glass is etched with known techniques in order to uncover the resist area 74, and to restrict the layer 78 to the area of the substrate 11 intended to be coupled with the nozzle plate 12.

In questo modo, lo strato di vetro borosilicato 78 forma una specie di cornice attorno al resistere 74. A questo scopo, lo strato continuo 78 viene prima ricoperto con uno strato di fotoresist positivo, che poi viene illuminato in modo selettivo, ed infine rimosso in corrispondenza delle zone illuminate, in modo da definire una maschera di protezione per il sottostante strato 78. In this way, the borosilicate glass layer 78 forms a kind of frame around the resist 74. For this purpose, the continuous layer 78 is first covered with a layer of positive photoresist, which is then selectively illuminated, and finally removed in a correspondence of the illuminated areas, so as to define a protection mask for the underlying layer 78.

Successivamente, ancora con tecniche note e ad esempio mediante una fase di incisione tipo dry, lo strato 78 di vetro borosilicato viene rimosso lungo le aree non protette superiormente dal fotoresist. Subsequently, still with known techniques and for example by means of a dry etching step, the layer 78 of borosilicate glass is removed along the areas not protected above by the photoresist.

In questo modo si ottiene la struttura, rappresentata in Fig. 4 - sez. (c), che costituisce il substrato 11. In this way the structure is obtained, represented in Fig. 4 - sect. (c), which constitutes the substrate 11.

Naturalmente, nel caso si utilizzi un unico wafer originale 70 per realizzare più substrati 11, questa struttura è duplicata nelle varie aree elementari del wafer di silicio 70. Naturally, if a single original wafer 70 is used to make several substrates 11, this structure is duplicated in the various elementary areas of the silicon wafer 70.

In sintesi tale struttura comprende esemplificativamente uno strato residuo 78a di vetro borosilicato, il quale è ottenuto per incisione selettiva delio strato originale contìnuo 78 ed è disposto lateralmente rispetto al resistere 74, in modo da scoprire la porzione dello strato 77 di tantalio che protegge il resistere 74, e da definire inoltre una superficie di giunzione o saldatura 79 per l’accoppiamento del substrato 11 con la piastra ugello 12. In summary, this structure comprises by way of example a residual layer 78a of borosilicate glass, which is obtained by selective etching of the original continuous layer 78 and is arranged laterally with respect to the resist 74, so as to reveal the portion of the layer 77 of tantalum which protects the resist. 74, and a joint or welding surface 79 for coupling the substrate 11 with the nozzle plate 12 is also to be defined.

Allo scopo di assicurare i migliori risultati durante la successiva fase di giunzione del substrato 11 con la piastra ugello 12, fase che viene realizzata mediante la cosiddetta tecnologia di saldatura anodica come più avanti dettagliatamente descritto, preferìbilmente lo strato 78 di vetro borosilicato è sottoposto ad un'operazione di planarìzzazione lungo la superficie libera destinata ad accoppiarsi con la piastra ugello 12. In order to ensure the best results during the subsequent step of joining the substrate 11 with the nozzle plate 12, a step which is carried out by means of the so-called anodic welding technology as described in detail below, preferably the layer 78 of borosilicate glass is subjected to a planarization operation along the free surface intended to couple with the nozzle plate 12.

Questa operazione ha lo scopo di ridurre al minimo la rugosità della superficie dello strato 78 ed è ad esempio effettuata impiegando un procedimento di planarìzzazione chiamato CMP, dall'espressione inglese "Chemical-Mechanical Polishing". This operation has the purpose of reducing to a minimum the roughness of the surface of the layer 78 and is carried out for example by using a planarization process called CMP, from the English expression "Chemical-Mechanical Polishing".

Infatti, come è noto, il procedimento di saldatura anodica richiede un eccezionale grado di planarità delle superfici che devono essere accoppiate con questo procedimento. In fact, as is known, the anodic welding process requires an exceptional degree of planarity of the surfaces which must be coupled with this process.

Purtroppo il wafer 70, durante le operazioni, per la formazione del substrato 11 , che precedono il deposito dello strato di vetro borosilicato 78, acquisisce inevitabilmente un certo grado di rugosità, che lo stesso strato 78 di vetro borosilicato necessariamente riproduce ed amplifica. Unfortunately the wafer 70, during the operations, for the formation of the substrate 11, which precede the deposition of the borosilicate glass layer 78, inevitably acquires a certain degree of roughness, which the same layer 78 of borosilicate glass necessarily reproduces and amplifies.

Pertanto il procedimento di planarizzazione CMP ha lo scopo di porre rimedio a questo progressivo aumento di rugosità sul wafer 70, assicurando un elevatissimo grado di planarità della superficie dello strato 78 di vetro borosilicato destinata ad accoppiarsi a contatto con la piastra ugello 12. Therefore, the CMP planarization process has the purpose of remedying this progressive increase in roughness on the wafer 70, ensuring a very high degree of planarity of the surface of the layer 78 of borosilicate glass intended to couple in contact with the nozzle plate 12.

In particolare questo procedimento di planarìzzazione tipo CMP può essere effettuato dopo la stesura dello strato continuo 78 di vetro borosilicato, e prima della sua incisione per definire lo strato residuo 78a e la corrispondente superficie di giunzione 79. In particular, this CMP-type planarization process can be carried out after the spreading of the continuous layer 78 of borosilicate glass, and before its etching to define the residual layer 78a and the corresponding junction surface 79.

Come già anticipato, e secondo una caratteristica della presente invenzione, la piastra 12 con l'ugello 13 ed il substrato 11, dopo essere stati fabbricati separatamente l'uno dall'altro come prima descrìtto, vengono uniti rigidamente mediante un procedimento di giunzione basato sulla cosiddetta tecnologia di saldatura anodica, frequentemente chiamata anche con il corrispondente termine inglese "anodic bonding". As already anticipated, and according to a characteristic of the present invention, the plate 12 with the nozzle 13 and the substrate 11, after having been manufactured separately from each other as described above, are rigidly joined by means of a joining process based on the so-called anodic bonding technology, frequently also called with the corresponding English term "anodic bonding".

Per informazione, si precisa che la saldatura anodica costituisce una tecnologia di giunzione che si è sviluppata e perfezionata negli ultimi anni, e che attualmente viene applicata in misura sempre più vasta in molteplici settori della tecnica, in particolare nel campo delle microstrutture, anche indicato con la sigla MEMS dall'espressione inglese "Micro ElectroMechanical System”, allo scopo di realizzare una stabile ed efficace giunzione fra due parti che compongono una microstruttura. For information, it should be noted that anodic welding is a joining technology that has been developed and perfected in recent years, and which is currently being applied to an ever-increasing extent in many fields of technology, in particular in the field of microstructures, also indicated with the acronym MEMS from the English expression "Micro ElectroMechanical System", in order to create a stable and effective junction between two parts that make up a microstructure.

Ad esempio questa tecnologia di giunzione a saldatura anodica viene vantaggiosamente utilizzata per unire strutturalmente fra loro due wafer di silicio, nel qual caso essa viene anche indicata con l'espressione inglese "silicon-to-silicon anodic bonding". For example, this anodic welding joining technology is advantageously used to structurally join two silicon wafers together, in which case it is also indicated with the English expression "silicon-to-silicon anodic bonding".

Come è noto, la tecnologia di saldatura anodica viene impiegata per unire due superfici aventi un elevato grado di pianarità, e si basa essenzialmente sul principio di porre in reciproco contatto ad una opportuna pressione e temperatura le due superfici da unire, e di applicare quindi un certo potenziale esse. As is known, the anodic welding technology is used to join two surfaces having a high degree of flatness, and is essentially based on the principle of placing the two surfaces to be joined in mutual contact at a suitable pressure and temperature, and therefore applying a certain potential they.

In questo modo infatti la zona di giunzione diventa sede di opportune cariche elettrostatiche tendenti ad attrarre reciprocamente e compenetrare le molecole delle due superfici, in modo da realizzare una coesione strutturale fra esse. In this way, in fact, the junction area becomes the seat of suitable electrostatic charges which tend to mutually attract and penetrate the molecules of the two surfaces, so as to achieve structural cohesion between them.

Sovente questa tecnologia richiede che le superfici destinate ad accoppiarsi a contatto siano adeguatamente predisposte, ad esempio tramite il deposito su almeno una di esse di un opportuno strato di materiale. Often this technology requires that the surfaces intended to be coupled in contact are adequately prepared, for example by depositing on at least one of them a suitable layer of material.

Inoltre, come già detto, tale tecnologia richiede anche che le due superfici da accoppiare siano estremamente piane e prive di rugosità, ovvero perfettamente combacianti lungo la zona di contatto, affinché il fenomeno della compenetrazione e coesione strutturale fra le rispettive molecole possa avere luogo. Furthermore, as already mentioned, this technology also requires that the two surfaces to be coupled are extremely flat and free of roughness, i.e. perfectly matching along the contact area, so that the phenomenon of interpenetration and structural cohesion between the respective molecules can take place.

Ulteriori dettagli e informazioni sulla tecnologia di anodic bonding sono reperibili nelle seguenti pubblicazioni qui sotto citate a scopo di riferimento : Further details and information on anodic bonding technology can be found in the following publications cited below for reference purposes:

“Field Assisted Glass-Metal Sealing”, pubblicato a pag. 3946, del volume 40, No. 10, Settembre 1969, della rivista “Journal of applied phisics”; “Field Assisted Glass-Metal Sealing”, published on p. 3946, of volume 40, No. 10, September 1969, of the journal “Journal of applied phisics”;

“Fabrication of a silicon-Pyrex-silicon stack by a.c. anodic bonding pubblicato a pag. "Fabrication of a silicon-Pyrex-silicon stack by a.c. anodic bonding published on p.

219 e seguenti, del No. A 55, 1996, della rivista "sensore and Actuatore"; 219 and following, of No. A 55, 1996, of the magazine "sensor and actuator";

"Anodic bonding technique under low temperature and low voltage using evaporateti glass”, pubblicato al Voi. 15, No. 2, Marzo/Aprile 1997, della rivista "Journal Vacuum Science Technology'’; "Anodic bonding technique under low temperature and low voltage using evaporateti glass", published in Vol. 15, No. 2, March / April 1997, of the "Journal Vacuum Science Technology '';

“Silicon-to-silicon wafer bonding using evaporateti glass", pubblicato a pag. 179 e seguenti, del No. A 70, 1998, della rivista "Sensore and Actuatore”. "Silicon-to-silicon wafer bonding using evaporateti glass", published on page 179 and following, of No. A 70, 1998, of the magazine "Sensor and Actuator".

Per completezza, la Fig. 5 rappresenta schematicamente la fase di giunzione della piastra ugello 12 con il substrato 11 mediante la tecnica di anodic bonding, e l'apparecchiatura o macchina di saldatura anodica, indicata generalmente con 85, che viene utilizzata per eseguire tale giunzione. For completeness, Fig. 5 schematically represents the step of joining the nozzle plate 12 with the substrate 11 by means of the anodic bonding technique, and the anodic welding apparatus or machine, generally indicated with 85, which is used to perform this joint .

In particolare la macchina di saldatura anodica 85 comprende due contro-elettrodi, indicati con 81 e 82, previsti per operare rispettivamente da anodo e da catodo durante la fase della saldatura anodica. Nel dettaglio, inizialmente la piastra ugello 12 ed il substrato 11 vengono disposti in reciproco contatto lungo la superficie liscia 79 definita dallo strato di vetro borosilicato 78a, ed inoltre allineate con precisione l'uno rispetto all'altro. Quindi, durante un'operazione di puntatura, la piastra ugello 12 ed il substrato 11 sono collegati in modo provvisorio l'uno con l'altro, ad esempio mediante un raggio laser, oppure mediante un opportuno adesivo, affinché siano tenuti insieme, almeno fino alla realizzazione della giunzione definitiva. Poi il gruppo formato dalla piastra ugello 12 e dal substrato 11 viene caricato sulla macchina di saldatura anodica 85, appoggiando il substrato 11 su un elemento riscaldatore 83 che ha la funzione di riscaldare e mantenere il substrato 11 ad una temperatura compresa fra 200 e 400°C, durante la saldatura anodica. In particular, the anodic welding machine 85 comprises two counter-electrodes, indicated with 81 and 82, provided to operate respectively as anode and cathode during the anodic welding phase. In detail, initially the nozzle plate 12 and the substrate 11 are arranged in mutual contact along the smooth surface 79 defined by the borosilicate glass layer 78a, and furthermore precisely aligned with respect to each other. Then, during a spot welding operation, the nozzle plate 12 and the substrate 11 are temporarily connected to each other, for example by means of a laser beam, or by means of a suitable adhesive, so that they are held together, at least until to the realization of the final joint. Then the group formed by the nozzle plate 12 and the substrate 11 is loaded onto the anodic welding machine 85, placing the substrate 11 on a heating element 83 which has the function of heating and maintaining the substrate 11 at a temperature between 200 and 400 ° C, during anodic welding.

inoltre il gruppo formato dalla piastra ugello 12 e dal substrato 11 viene predisposto sulla macchina di saldatura 85 appoggiando l'anodo 81 di quesfultima sopra la piastra ugello 12, con una certa pressione, ed inoltre collegando elettricamente il catodo 82 della stessa macchina di saldatura anodica 85 con la porzione 77a, dello strato di tantalio 77, che si estende esternamente alla zona di contatto fra il substrato 11 e la piastra ugello 12. In particolare l'anodo 81 ha una forma a piastra tale da coprire praticamente la piastra ugello 12 per l'intera sua estensione. furthermore, the unit formed by the nozzle plate 12 and the substrate 11 is arranged on the welding machine 85 by placing the anode 81 of the latter on the nozzle plate 12, with a certain pressure, and further electrically connecting the cathode 82 of the same anodic welding machine 85 with the portion 77a, of the tantalum layer 77, which extends externally to the contact area between the substrate 11 and the nozzle plate 12. In particular, the anode 81 has a plate shape such as to practically cover the nozzle plate 12 for its entire extension.

Il catodo 82 della macchina di saldatura 85 viene anche collegato allo strato principale di silicio del substrato 11, ed al riscaldatore 83, per mantenerli allo stesso potenziale durante l’operazione di saldatura. A questo punto, la macchina di saldatura anodica 85 applica, ad esempio durante un periodo di 15 minuti, un potenziale definito da una tensione V, compresa indicativamente fra 50 e 500 volt, fra l’anodo 81 ed il catodo 82, attivando così quel fenomeno chiamato, come detto, saldatura anodica che determina la coesione strutturale fra il vetro borosilicato dello strato 78a e l’ossido di silicio SiO2 presente lungo la superficie della piastra ugello 12. The cathode 82 of the welding machine 85 is also connected to the main silicon layer of the substrate 11, and to the heater 83, to keep them at the same potential during the welding operation. At this point, the anodic welding machine 85 applies, for example during a period of 15 minutes, a potential defined by a voltage V, indicatively comprised between 50 and 500 volts, between the anode 81 and the cathode 82, thus activating that phenomenon called, as mentioned, anodic welding which determines the structural cohesion between the borosilicate glass of the layer 78a and the silicon oxide SiO2 present along the surface of the nozzle plate 12.

Essendo il tantalio conduttivo, lo strato 77 opera durante questa fase di saldatura anodica come una vera e propria piastra di catodo che distribuisce la differenza di potenziale generata dalla macchina di saldatura anodica 85 attraverso la zona di giunzione, affinché la saldatura assuma caratteristiche uniformi lungo la sua estensione. Since the tantalum is conductive, the layer 77 operates during this phase of anodic welding as a real cathode plate which distributes the potential difference generated by the anodic welding machine 85 through the joint area, so that the welding takes on uniform characteristics along the its extension.

Pertanto il substrato 11 e la piastra ugello 12 sono uniti rigidamente e strutturalmente mediante una giunzione, indicata con 25, che si estende lungo una corrispondente zona di giunzione definita dallo strato 78a di vetro borosilicato depositato sul substrato 11, . Therefore the substrate 11 and the nozzle plate 12 are rigidly and structurally joined by means of a joint, indicated with 25, which extends along a corresponding joint area defined by the layer 78a of borosilicate glass deposited on the substrate 11,.

In questo modo si forma la testina di eiezione 10, con il relativo circuito idraulico interno 21 destinato a convogliare all'interno della stessa testina di eiezione 10 il liquido 14. In this way the ejection head 10 is formed, with the relative internal hydraulic circuit 21 intended to convey the liquid 14 inside the ejection head 10.

La testina di eiezione 10 fabbricata nel modo suddetto con la giunzione 25 presenta numerosi e rilevanti aspetti di innovazione rispetto alla tecnica nota. The ejection head 10 manufactured in the aforesaid manner with the junction 25 has numerous and important aspects of innovation with respect to the known art.

Per prima cosa, a differenza di quanto avviene nella tecnica nota, il substrato 11 e la piastra ugello 12 della testina di eiezione 10 sono intimamente uniti fra loro con un processo di giunzione che non comporta l'impiego di sostanze aggiuntive, quali collanti od altri composti, in genere di tipo organico, tali da creare una certa discontinuità strutturale nella zona di giunzione. First of all, unlike what happens in the known art, the substrate 11 and the nozzle plate 12 of the ejection head 10 are intimately joined together with a joining process that does not involve the use of additional substances, such as adhesives or other compounds, generally of an organic type, such as to create a certain structural discontinuity in the junction area.

Infatti la tecnologia di anodic bonding, mediante la quale la giunzione 25 ò realizzata, si caratterizza proprio per la sua capacità di realizzare una completa continuità e compenetrazione strutturale fra i materiali delle parti che vengono unite, nel caso specifico fra il silicio costituente la piastra ugello 12 ed il vetro borosilicato depositato sul substrato 11. In fact, the anodic bonding technology, by which the junction 25 is made, is characterized precisely by its ability to achieve complete continuity and structural interpenetration between the materials of the parts that are joined, in this specific case between the silicon constituting the nozzle plate 12 and the borosilicate glass deposited on the substrate 11.

In particolare la struttura della testina di eiezione 10 ottenuta attraverso il presente metodo non presenta, né nelle parti che la compongono, né lungo la giunzione 25, sostanze di tipo organico, o altri materiali simili, per cui la testina di eiezione 10 può essere vantaggiosamente impiegata, senza subire danni, quali ad esempio corrosioni, e/o scollamenti, che ne comprometterebbero il funzionamento, anche con liquidi particolarmente aggressivi nei confronti dei composti organici. In particular, the structure of the ejection head 10 obtained through the present method does not present, neither in the parts that compose it, nor along the junction 25, substances of an organic type, or other similar materials, so that the ejection head 10 can be advantageously used, without suffering damage, such as corrosion, and / or detachment, which would compromise its operation, even with liquids that are particularly aggressive towards organic compounds.

Come concetto generale, si può affermare che la testina di eiezione 10 dell'invenzione è caratterizzata dal fatto di comprendere, fra la piastra ugello 12 ed il substrato 11 portante l’attuatore di eiezione 15, una giunzione 25 che ha la proprietà di essere sostanzialmente inerte sotto l'aspetto chimico. As a general concept, it can be stated that the ejection head 10 of the invention is characterized in that it comprises, between the nozzle plate 12 and the substrate 11 carrying the ejection actuator 15, a junction 25 which has the property of being substantially inert from a chemical point of view.

In altre parole questa giunzione 25, in rapporto con il liquido 14 che è contenuto nel circuito idraulico 21 della testina di eiezione 10 e che pertanto lambisce la zona della giunzione 25 per essere eiettato in forma di gocce dalla stessa testina di eiezione 10, presenta speciali proprietà di resistenza alia corrosione chimica da parte di tale liquido 14, come anche di non combinabilità chimica con quest'ultimo, che sono almeno pari ed equivalenti, e comunque non inferiori, a quelle dei materiali, in particolare il silicio, e/o delle parti che compongono la struttura della piastra ugello 12 e del substrato 11, e che sono anch’essi lambiti dal liquido 14. In other words, this junction 25, in relation to the liquid 14 which is contained in the hydraulic circuit 21 of the ejection head 10 and which therefore laps the area of the junction 25 to be ejected in the form of drops from the ejection head 10, has special properties of resistance to chemical corrosion by this liquid 14, as well as chemical non-combinability with the latter, which are at least equal and equivalent, and in any case not inferior, to those of the materials, in particular silicon, and / or of the parts that make up the structure of the nozzle plate 12 and of the substrate 11, and which are also lapped by the liquid 14.

Descrizione di un primo esempio di applicazione dell’invenzione per realizzare una testina di stampa a getto d'inchiostro Description of a first example of application of the invention to make an inkjet print head

La Fig. 6 mostra in sezione una testina di stampa a getto d’inchiostro, indicata genericamente con 110 ed atta ad essere alimentata con inchiostro 140, la quale è realizzata in conformità con il metodo dell'invenzione. Laddove possibile, le parti della testina di stampa 110 corrispondenti a quelle della testina di eiezione 10 sono indicate con riferimenti numerici incrementati di 100 rispetto alla testina di eiezione 10. Fig. 6 shows in section an ink jet print head, generically indicated with 110 and suitable to be fed with ink 140, which is made in accordance with the method of the invention. Where possible, the parts of the print head 110 corresponding to those of the ejection head 10 are indicated with numerical references increased by 100 with respect to the ejection head 10.

In particolare la testina di stampa 110 comprende una piastra ugelli 112 ed un substrato 111, anche chiamato in inglese “die", che sono fabbricati, distintamente l’uno dall’altro, e poi uniti rigidamente insieme mediante una giunzione 125, in modo analogo al procedimento di fabbricazione descritto in connessione con la testina di eiezione 10. In particolare la giunzione 125 è realizzata mediante la tecnologia di saldatura anodica, dopo avere opportunamente predisposto il substrato 111 depositando su esso uno strato 178 di vetro borosilicato. In particular, the print head 110 comprises a nozzle plate 112 and a substrate 111, also called in English "die", which are manufactured, distinctly from each other, and then rigidly joined together by means of a junction 125, in a similar way. to the manufacturing process described in connection with the ejection head 10. In particular, the junction 125 is made by means of the anodic welding technology, after having suitably prepared the substrate 111 by depositing on it a layer 178 of borosilicate glass.

Il substrato 111 e la piastra ugelli 112 definiscono una pluralità di unità di eiezione, indicate con 110a, 110b, 111c, ecc. , che sono disposte lungo un lato di eiezione 150 della testina di stampa 110 ed hanno, ognuna di esse, una struttura corrispondente a quella della testina di eiezione 10,. The substrate 111 and the nozzle plate 112 define a plurality of ejection units, indicated with 110a, 110b, 111c, etc. , which are arranged along an ejection side 150 of the print head 110 and each have a structure corresponding to that of the ejection head 10.

Ogni unità di eiezione 110a, 110b, 110c, ecc., comprende un rispettivo ugello, in ordine indicato con 113a, 113b, 113c, ecc. ; un rispettivo attuatore 115a, 115b, 115c, ecc. ; e una rispettiva camera di eiezione 120a, 120b, 120c, ecc.. Each ejection unit 110a, 110b, 110c, etc., comprises a respective nozzle, in the order indicated with 113a, 113b, 113c, etc. ; a respective actuator 115a, 115b, 115c, etc. ; and a respective ejection chamber 120a, 120b, 120c, etc.

La testina di stampa 110 è inoltre provvista al suo interno di un circuito idraulico 121 che ha la funzione di alimentare l’inchiostro 140 da un unico serbatoio 117 alle varie unità di eiezione 110a, 110b, 110c, ecc. , e che comprende, oltre alle camere 120a, 120b, 120c, ecc. , una pluralità di canaletti di adduzione 122, ognuno comunicante con una rispettiva camera di eiezione 120a, 120b, 120c, ecc. , ed un'asola centrate 123 formata attraverso il substrato 111. The print head 110 is also provided internally with a hydraulic circuit 121 which has the function of feeding the ink 140 from a single tank 117 to the various ejection units 110a, 110b, 110c, etc. , and which includes, in addition to chambers 120a, 120b, 120c, etc. , a plurality of supply channels 122, each communicating with a respective ejection chamber 120a, 120b, 120c, etc. , and a centered slot 123 formed through the substrate 111.

In particolare l'asola centrale 123 comunica ad una estremità con il serbatoio 117, ed all'estremità opposta con la pluralità di canaletti di adduzione 122, che a loro volta sono disposti sia da una parte che dall’altra dell’asola 123 per mettere in comunicazione l’asola 123 con le camere di eiezione 120a, 120b, 120c, ecc. , delle varie unità di eiezione 110a, 110b, 110c, ecc.. In particular, the central slot 123 communicates at one end with the tank 117, and at the opposite end with the plurality of supply channels 122, which in turn are arranged both on one side and on the other of the slot 123 to put the slot 123 communicates with the ejection chambers 120a, 120b, 120c, etc. , of the various ejection units 110a, 110b, 110c, etc.

In questo modo l'inchiostro 140 può fluire dal serbatoio 117 ad ogni singola unità di eiezione 110a, 110b, 110c, ecc. , attraverso il circuito idraulico 121. Come già accennato, il metodo per fabbricare la testina di stampa 110 è sostanzialmente simile a quello per fabbricare l’eiettore 10. In this way the ink 140 can flow from the tank 117 to each single ejection unit 110a, 110b, 110c, etc. , through the hydraulic circuit 121. As already mentioned, the method for manufacturing the print head 110 is substantially similar to that for manufacturing the ejector 10.

Anche in questo caso, al fine di migliorare l'efficienza della produzione industriale di massa di queste testine di stampa 110, un unico wafer di silicio può essere utilizzato sia per fabbricare una molteplicità di substrati 111 , e sia per fabbricare una molteplicità di piastre ugelli 112, con ovvi vantaggi in termini di minori costi nella produzione industriale. Again, in order to improve the efficiency of the industrial mass production of these print heads 110, a single silicon wafer can be used both to manufacture a multiplicity of substrates 111, and to manufacture a multiplicity of nozzle plates. 112, with obvious advantages in terms of lower costs in industrial production.

Nel dettaglio, come rappresentato schematicamente in Fig. 7, una molteplicità di piastre ugelli 112, corrispondenti a porzioni elementari 112a, 112b, 112c, ecc. ,di un wafer originale di silicio 151, vengono realizzate insieme su tale wafer originale di silicio, attraverso le fasi descritte con riferimento alla piastra ugello 12, in modo da formare per ciascuna piastra ugelli 112 le rispettive camere di eiezione 120a, 120b, 120c, ecc. , ed i rispettivi ugelli 113a, 113b, 113c, ecc. .. In detail, as schematically represented in Fig. 7, a plurality of nozzle plates 112, corresponding to elementary portions 112a, 112b, 112c, etc. , of an original silicon wafer 151, are made together on this original silicon wafer, through the steps described with reference to the nozzle plate 12, so as to form for each nozzle plate 112 the respective ejection chambers 120a, 120b, 120c, etc. , and the respective nozzles 113a, 113b, 113c, etc. ..

Infine, in conformità a quanto indicato dalla freccia 160, questo wafer 151 viene tagliato o singolarizzato in unità ognuna delle quali costituisce una piastra ugelli 112. Finally, in accordance with what is indicated by the arrow 160, this wafer 151 is cut or singularized into units, each of which constitutes a nozzle plate 112.

Analogamente e come mostrato in Fig. 8, una molteplicità di substrati 111, ognuno corrispondente ad una porzione elementare 111a, 111 b, 111c, ecc. , di un singolo wafer originale di silicio 170, vengono formati contemporaneamente su quest’ultimo tramite le fasi già descritte con riferimento al substrato 11. Similarly and as shown in Fig. 8, a plurality of substrates 111, each corresponding to an elementary portion 111a, 111b, 111c, etc. , of a single original wafer of silicon 170, are formed simultaneously on the latter through the steps already described with reference to the substrate 11.

In particolare queste porzioni o aree elementari 111 a, 111 b, 111 c, ecc. del wafer di silicio 170 sono sottoposte ad una serie di operazioni in modo da realizzare, in corrispondenza di ognuna di esse, una struttura del tipo di quella raffigurata in Fig. 4 - sez. (c), con uno strato di vetro borosilicato 178 che definisce una zona di giunzione per la successiva operazione di saldatura anodica. In particular these elementary portions or areas 111 a, 111 b, 111 c, etc. of the silicon wafer 170 are subjected to a series of operations so as to provide, in correspondence with each of them, a structure of the type shown in Fig. 4 - sect. (c), with a layer of borosilicate glass 178 which defines a joint area for the subsequent anodic welding operation.

Convenientemente, al fine di predisporre il wafer di silicio 170 per la successiva operazione di giunzione con la saldatura anodica, gli strati conduttivi di tantalio delle varie aree 111 a, 111 b, 111 c, ecc. sono interconnessi l’uno con l'altro e con un anello conduttivo 177a realizzato lungo il bordo del wafer 170, così da formare, lungo la superficie dello stesso wafer 170, una maglia 177, che viene anche chiamata maglia o rete equipotenziale per la sua capacità di mantenere ad uno stesso potenziale le varie aree elementari 111 a, 111 b, 111 c, ecc. durante la giunzione con le piastre ugelli 112. Conveniently, in order to prepare the silicon wafer 170 for the subsequent joining operation with the anodic welding, the conductive layers of tantalum of the various areas 111 a, 111 b, 111 c, etc. are interconnected with each other and with a conductive ring 177a made along the edge of the wafer 170, so as to form, along the surface of the wafer 170 itself, a mesh 177, which is also called mesh or equipotential network due to its ability to keep the various elementary areas 111 a, 111 b, 111 c, etc. at the same potential. when joining with nozzle plates 112.

Una rete equipotenziale del tipo della maglia 177 è descritta nella domanda di brevetto italiano No. T099A000987, depositata il 15 novembre 1999 a nome della Richiedente, la quale domanda viene qui citata a scopo di riferimento per ogni dettaglio, non esposto nella presente descrizione, sulla configurazione e le caratteristiche della maglia 77. An equipotential network of the type of the mesh 177 is described in the Italian patent application No. T099A000987, filed on November 15, 1999 in the name of the Applicant, which application is cited here for reference purposes for every detail, not shown in the present description, on the configuration and characteristics of the mesh 77.

In questo modo il wafer di silicio 170 acquisisce una struttura che integra una pluralità di aree elementari 111a, 111b, 111c, ecc. , ognuna corrispondente ad un substrato 111, le quali sono già predisposte per la giunzione con le rispettive piastre ugelli 112. In this way the silicon wafer 170 acquires a structure which integrates a plurality of elementary areas 111a, 111b, 111c, etc. , each corresponding to a substrate 111, which are already prearranged for joining with the respective nozzle plates 112.

Poi le singole piastre ugelli 112, che, come detto, sono state fabbricate a parte, vengono montate, allineate, e provvisoriamente fissate, ad una ad una, sulle varie aree elementari 111 a, 111b, 111c, ecc. , definite sul wafer di silicio 170 e pertanto ancora rìgidamente collegate fra loro. A questo punto è possibile procedere con la fase vera e propria di saldatura anodica, in cui ciascuna piastra ugelli 112 viene unita con la corrispondente area elementare 111a, 111 b. Then the individual nozzle plates 112, which, as mentioned, have been manufactured separately, are mounted, aligned, and temporarily fixed, one by one, on the various elementary areas 111a, 111b, 111c, etc. , defined on the silicon wafer 170 and therefore still rigidly connected to each other. At this point it is possible to proceed with the actual anodic welding step, in which each nozzle plate 112 is joined with the corresponding elementary area 111a, 111 b.

111c, ecc. del wafer di silicio 170, applicando un determinato potenziale fra essi tramite un'apposita macchina di saldatura anodica. 111c, etc. of the silicon wafer 170, by applying a certain potential between them by means of a suitable anodic welding machine.

Allo scopo di consentire un corretto appoggio dell'anodo sulle varie piastre ugelli 112 e pertanto una loro saldatura ottimale con le rispettive aree 111a, 111b, 111c, ecc. del wafer di silicio 170, questa macchina di saldatura anodica presenta un anodo opportunamente modificato, ed in particolare suddiviso in una pluralità di elementi, ognuno corrispondente ad una piastra ugelli 112, i quali sono montati su una struttura molleggiata tale da consentire limitati movimenti fra un elemento di anodo ed un altro. In order to allow a correct support of the anode on the various nozzle plates 112 and therefore their optimal welding with the respective areas 111a, 111b, 111c, etc. of the silicon wafer 170, this anodic welding machine has a suitably modified anode, and in particular divided into a plurality of elements, each corresponding to a nozzle plate 112, which are mounted on a sprung structure such as to allow limited movements between a anode element and another.

Infatti, in questo modo, ciascuno di questi elementi di anodo è in grado di adattarsi, indipendentemente dagli altri, alla corrispondente piastra ugelli 112, così da appoggiarsi perfettamente su quest'ultima con la corretta pressione, quando l’anodo della macchina di saldatura anodica viene globalmente portato a contatto contro le varie piastre ugelli 112. In fact, in this way, each of these anode elements is able to adapt, independently of the others, to the corresponding nozzle plate 112, so as to rest perfectly on the latter with the correct pressure, when the anode of the anodic welding machine it is generally brought into contact against the various nozzle plates 112.

A sua volta, il catodo della macchina di saldatura viene messo a contatto, eventualmente in più punti, con l’anello esterno conduttivo 177a, con il quale i vari strati di tantalio, formanti la maglia 177 e disposti sulle areole elementari del wafer di silicio 170, sono collegati. In turn, the cathode of the welding machine is put into contact, possibly in several points, with the conductive outer ring 177a, with which the various layers of tantalum, forming the mesh 177 and arranged on the elementary areoles of the silicon wafer 170, are connected.

In questo modo tutti questi strati di tantalio sono portati e mantenuti allo stesso potenziale, durante la fase di saldatura anodica. In this way all these tantalum layers are brought and maintained at the same potential during the anodic welding phase.

In particolare tale fase di saldatura anodica consiste, come già detto, nel porre in reciproco contatto ad una determinata pressione e temperatura ciascuna piastra ugelli 112 con la rispettiva area 11 a, 111b, 111c, ecc. , e nell’applicare un opportuno potenziale fra essi, mediante l’anodo che preme con i suoi elementi su ciascuna piastra ugelli 112, ed il catodo che è collegato, attraverso la maglia 177, con gli strati di tantalio disposti su ciascuna area 111a, 111b, 111 c, ecc. . In particular, this anodic welding step consists, as already mentioned, in placing each nozzle plate 112 in mutual contact at a given pressure and temperature with the respective area 11a, 111b, 111c, etc. , and in applying a suitable potential between them, by means of the anode which presses with its elements on each nozzle plate 112, and the cathode which is connected, through the mesh 177, with the tantalum layers disposed on each area 111a, 111b, 111c, etc. .

In questo modo si realizza quell’intima coesione strutturale, tipica della tecnologia di saldatura anodica, fra ciascuna piastra ugelli 112 e la corrispondente area elementare 111a, 111 b, 111 c, ecc. del wafer di silicio 170. In this way, that intimate structural cohesion, typical of anodic welding technology, is achieved between each nozzle plate 112 and the corresponding elementary area 111a, 111 b, 111 c, etc. of the silicon wafer 170.

Infine, dopo la realizzazione della giunzione, il wafer di silicio 170 viene tagliato o singolarizzato in singoli blocchetti, ognuno dei quali è formato da una piastra ugelli 112 e da un substrato 111 rigidamente e strutturalmente collegati fra loro, e costituisce un gruppo di eiezione atto ad essere successivamente assemblato con un serbatoio per formare una testina di stampa 110 come quella mostrata in Fig. 6. Finally, after making the junction, the silicon wafer 170 is cut or singularized into individual blocks, each of which is formed by a nozzle plate 112 and by a substrate 111 rigidly and structurally connected to each other, and constitutes an ejection assembly which is suitable for to be subsequently assembled with a reservoir to form a print head 110 like the one shown in Fig. 6.

Il metodo dell'invenzione consente di realizzare una testina di stampa in grado di operare con inchiostri decisamente più aggressivi rispetto a quelli neutri, in genere a base acqua o alcool, utilizzati sulle testina tradizionali a getto d'inchiostro. Infatti i cosiddetti inchiostri aggressivi, mentre sono del tutto innocui in rapporto con la testina dell’invenzione, hanno la capacità, se usati con le testine di stampa tradizionali, di danneggiarne irreparabilmente la struttura in un tempo molto breve, in particolare nella zona o nelle zone di giunzione fra le parti che compongono le testine di stampa tradizionali, essendo, come noto, tali giunzioni realizzate con sostanze facilmente attaccabili da e/o combinabili con questi inchiostri aggressivi. Inoltre questo metodo che adotta la tecnologia di saldatura anodica ha l'ulteriore vantaggio, rispetto ai metodi tradizionali, di comportare l'insorgere di minori dilazioni termiche e in generale minori deformazioni durante la fase di giunzione fra la piastra ugello ed il substrato, entrambi di silicio, per formare la testina di stampa a getto d’inchiostro. The method of the invention makes it possible to produce a print head capable of operating with decidedly more aggressive inks than the neutral ones, generally based on water or alcohol, used on traditional ink jet heads. In fact, the so-called aggressive inks, while they are completely harmless in relation to the head of the invention, have the ability, if used with traditional print heads, to irreparably damage their structure in a very short time, in particular in the area or in the junction areas between the parts that make up the traditional print heads, being, as known, these junctions made with substances that can be easily attacked by and / or can be combined with these aggressive inks. Furthermore, this method, which adopts the anodic welding technology, has the further advantage, compared to traditional methods, of entailing the occurrence of less thermal expansion and in general less deformations during the joining phase between the nozzle plate and the substrate, both of which silicon, to form the inkjet print head.

Al contrario, nel metodo tradizionale, la piastra ugello ed il substrato, come pure il circuito idraulico sono normalmente costituiti di materiali diversi, quali ad esempio: metallo, silicio, e plastica, per cui queste parti, quando vengono collegate insieme per formare la testina di stampa, possono dare luogo a reciproche deformazioni tali da influire negativamente sulla precisione di fabbricazione della testina di stampa. On the contrary, in the traditional method, the nozzle plate and the substrate, as well as the hydraulic circuit are normally made of different materials, such as for example: metal, silicon, and plastic, so these parts, when connected together to form the head printing, can give rise to reciprocal deformations such as to adversely affect the manufacturing precision of the print head.

Pertanto, in sintesi, il metodo dell'Invenzione consente di rispettare tolleranze di fabbricazione e montaggio estremamente basse, e pertanto di raggiungere precisioni costruttive nella produzione di testine di stampa decisamente più elevate rispetto al metodo tradizionale. Therefore, in summary, the method of the invention makes it possible to respect extremely low manufacturing and assembly tolerances, and therefore to achieve construction accuracies in the production of print heads which are much higher than the traditional method.

Descrizione di un secondo esempio di applicazione dell'invenzione concernente un iniettore per motori endotermici Description of a second example of application of the invention concerning an injector for internal combustion engines

La Fig. 8 illustra schematicamente un’applicazione in cui la testina di eiezione dell'invenzione costituisce un iniettore di combustibile per un motore endotermico, indicato genericamente con 200, e comprendente almeno un cilindro 201 con un pistone 202 ed una camera di scoppio 203; un condotto di adduzione 204 dell’aria fresca alla camera di scoppio 203, ed un condotto di scarico 206 dei fumi dalia camera di scoppio 203. Fig. 8 schematically illustrates an application in which the injection head of the invention constitutes a fuel injector for an internal combustion engine, generically indicated with 200, and comprising at least a cylinder 201 with a piston 202 and a combustion chamber 203; a duct 204 for the fresh air supply to the combustion chamber 203, and an exhaust duct 206 for the fumes from the combustion chamber 203.

Per semplicità un solo cilindro 201 è rappresentato in Fig. 9. anche se è chiaro che il motore 200 può comprendere una molteplicità di cilindri, secondo tipologie ampiamente note nella tecnica. For simplicity, a single cylinder 201 is shown in Fig. 9. even if it is clear that the engine 200 can comprise a plurality of cylinders, according to typologies widely known in the art.

Una valvola 207 è disposta in corrispondenza della zona di sbocco di ciascuno dei condotti 204 e 206 nella camera di scoppio 203, al fine di escludere o meno il flusso d'aria verso ed il flusso dei fumi da quest’ultima. Il condotto di adduzione 204 è atto a ricevere l'aria da zona di filtraggio 208, dove l’aria fresca viene opportunamente filtrata, ed alloggia al suo interno una valvola a farfalla 209 che ha la funzione di controllare il flusso di aria filtrata diretto secondo il senso della freccia 205 verso la camera di scoppio 203. A valve 207 is arranged at the outlet area of each of the ducts 204 and 206 in the combustion chamber 203, in order to exclude or not the flow of air to and the flow of fumes from the latter. The supply duct 204 is able to receive the air from the filtering area 208, where the fresh air is suitably filtered, and houses inside it a butterfly valve 209 which has the function of controlling the flow of direct filtered air according to the direction of the arrow 205 towards the combustion chamber 203.

L’iniettore, indicato con 210, ha la funzione di eiettare gocce di combustibile, quale benzina o gasolio, nel condotto di adduzione 204, in quantità esattamente controllate da una unità di controllo 211, associata con l’eiettore 210, in modo da formare con l'aria filtrata proveniente dalla zona di filtraggio 206 una miscela aria-carburante che alimenta la camera di scoppio 203. The injector, indicated with 210, has the function of ejecting drops of fuel, such as petrol or diesel, into the supply duct 204, in quantities exactly controlled by a control unit 211, associated with the ejector 210, so as to form with the filtered air coming from the filtering zone 206 an air-fuel mixture which feeds the combustion chamber 203.

In particolare le quantità ottimali di combustibile da eiettare in forma di gocce sono determinate dall'unità di controllo 211 sulla base di dati inviati a questultima, tramite linee 212, da opportuni sensori del motore. In particular, the optimal quantities of fuel to be ejected in the form of drops are determined by the control unit 211 on the basis of data sent to the latter, via lines 212, by suitable sensors of the engine.

L'iniettore può essere montato nella posizione indicata con A, dopo la valvola a farfalla 209, nel caso di iniezione Multipoint (anche indicata con MPI dall'espressione inglese “Multi Point Injection"), cioè con un iniettore per ciascun cilindro ; oppure anche, in alternativa, nella posizione indicata con B, prima della farfalla 209, nel caso di iniezione single point ( SPI ), cioè con un unico iniettore che genera la miscela aria-carburante che viene poi ripartita tra i vari cilindri. In quest’ultimo caso il condotto di adduzione dell’ana si divide in più condotti corrispondenti ai cilindri del motore, subito dopo la farfalla 209. The injector can be mounted in the position indicated with A, after the butterfly valve 209, in the case of Multipoint injection (also indicated with MPI from the English expression "Multi Point Injection"), that is, with an injector for each cylinder; or also , alternatively, in the position indicated with B, before the throttle 209, in the case of single point injection (SPI), ie with a single injector that generates the air-fuel mixture which is then distributed among the various cylinders. case the ana adduction duct divides into several ducts corresponding to the engine cylinders, immediately after the throttle 209.

In questo modo l'iniettore 210 dell'invenzione consente di dosare con grande precisione la quantità di combustibile erogata al cilindro, od ai cilindri, del motore, così da ottenere migliori prestazioni dello stesso motore, come ad esempio un più elevato rendimento termico, rispetto ai motori tradizionali. In this way, the injector 210 of the invention allows the quantity of fuel delivered to the cylinder (s) of the engine to be metered with great precision, so as to obtain better performance of the same engine, such as for example a higher thermal efficiency, compared to to traditional engines.

Inoltre l'iniettore presenta una struttura particolarmente robusta ed idonea a resistere efficacemente al sistema di sollecitazioni termiche, meccaniche, nonché alle azioni corrosive di natura chimica dipendenti dai combustibili utilizzati, che sono tipicamente presenti nei motori endotermici. Furthermore, the injector has a particularly robust structure and suitable for effectively resisting the system of thermal and mechanical stresses, as well as the corrosive actions of a chemical nature dependent on the fuels used, which are typically present in endothermic engines.

Altre possibili applicazioni della testina di iniezione conforme all'invenzione Other possible applications of the injection head according to the invention

Le forme di applicazione della testina di eiezione fabbricata in conformità al presente metodo non sono limitate a quelle precedentemente descritte. The forms of application of the ejection head manufactured in accordance with the present method are not limited to those previously described.

Infatti questa testina di eiezione, in virtù della sua struttura chimicamente inerte nella zona di giunzione fra il supporto di attuazione e la piastra ugello, si presta per essere usata in una molteplictà di settori che richiedono un'iniezione precisa di liquidi speciali, a volte specificatamente sviluppati per questi settori, e decisamente più aggressivi dal punto di vista chimico rispetto agli inchiostri, a base acqua od anche a base alcool, che vengono usualmente impiegati per la stampa su supporti cartacei mediante le convenzionali testine di stampa a getto d'inchiostro. In fact, this ejection head, by virtue of its chemically inert structure in the junction area between the actuation support and the nozzle plate, is suitable for use in a variety of sectors that require precise injection of special liquids, sometimes specifically developed for these sectors, and decidedly more aggressive from a chemical point of view than water-based or even alcohol-based inks, which are usually used for printing on paper supports using conventional inkjet print heads.

In particolare si cita il campo della marcatura industriale in genere, in cui questa testina di eiezione potrebbe essere vantaggiosamente utilizzatata per eiettare liquidi, quali vernici od inchiostri speciali, in grado di aderire stabilmente anche a supporti non cartacei, quali laminati plastici o metallici, al fine di realizzare particolari grafie su tali supporti. In particular, the field of industrial marking in general is mentioned, in which this ejection head could be advantageously used to eject liquids, such as paints or special inks, able to adhere stably even to non-paper supports, such as plastic or metal laminates, to in order to create particular graphics on these supports.

Ad esempio la testina di eiezione potrebbe essere impiegata per realizzare immagini personalizzate su supporti plastici, come quelli che vengono genericamente chiamati con la parola "badge", oppure su numerosi prodotti di largo consumo, quali sci, caschi, piastrelle, oggetti regalo, ed altri ancora. Infatti i liquidi già attualmente impiegati per queste applicazioni di marcatura, e probabilmente anche quelli che verranno sviluppati in futuro, sono incompatibili con l'uso sulle testine di stampa tradizionali, in quanto sono preparati con sostanze o solventi che danneggerebbero irrimediabilmente la struttura di tali testine tradizionali, mentre al contrario essi potrebbero essere impiegati senza alcun inconveniente con la presente testina di eiezione . For example, the ejection head could be used to create customized images on plastic supports, such as those that are generically called with the word "badge", or on numerous consumer products, such as skis, helmets, tiles, gift items, and others. still. In fact, the liquids currently used for these marking applications, and probably also those that will be developed in the future, are incompatible with the use on traditional print heads, as they are prepared with substances or solvents that would irreparably damage the structure of these heads. traditional, while on the contrary they could be used without any inconvenience with the present ejection head.

A puro titolo esemplificativo si citano nel seguito alcuni tipi di solventi che già oggi trovano ampia applicazione in prodotti quali combustibili, vernici e inchiostri da stampa, e che potrebbero essere utilizzati per preparare liquidi da utilizzare, senza inconvenienti, in combinazione con la testina di eiezione dell'invenzione, grazie alla struttura chimicamente inerte di questiultima : idrocarburi alitatici e aromatici quali: paraffine liquide, toluene, xilene; By way of example, some types of solvents are mentioned below which are already widely used in products such as fuels, paints and printing inks, and which could be used to prepare liquids to be used, without problems, in combination with the ejection head. of the invention, thanks to the chemically inert structure of the latter: alitatic and aromatic hydrocarbons such as: liquid paraffins, toluene, xylene;

alcooli alitatici e aromatici quali: metanolo, alcool isopropilico, alcool n-propilico, alcool secbutilico, alcool isobutilico, alcool n-butilico, alcool benzilico, cicloesanolo; alitatic and aromatic alcohols such as: methanol, isopropyl alcohol, n-propyl alcohol, secbutyl alcohol, isobutyl alcohol, n-butyl alcohol, benzyl alcohol, cyclohexanol;

esteri quali: metti acetato, etti acetato, isopropil acetato, n-propil acetato, sec-butil acetato, isobutil acetato, n-butil acetato, amil acetato, 2-etossietilacetato; esters such as: put acetate, ectacetate, isopropyl acetate, n-propyl acetate, sec-butyl acetate, isobutyl acetate, n-butyl acetate, amyl acetate, 2-ethoxyethyl acetate;

glicoeteri quali: 2-metossietanolo, 2-etossietanolo, 2-butossietanolo; glycoethers such as: 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol;

chetoni quali: acetone, metil etil chetane, metti isobutil chetane, metil isoamil chetane, ketones such as: acetone, methyl ethyl ketane, put isobutyl ketane, methyl isoamyl ketane,

cicloesanone; cyclohexanone;

lattoni quali: 6-caprolattone monomero. lactones such as: 6-caprolactone monomer.

Un altra possibile applicazione della presente testina di eiezione è quello della microdosatura, in particolare ma non esclusivamente nel settore biomedicale. Infatti questa testina di eiezione, grazie alla sua struttura chimicamente inerte e priva di sostanze organiche, può essere impiegata senza inconvenienti per eiettare e dosare una vasta gamma di liquidi impiegati nel campo medico, ad esempio in generale liquidi organici e più in particolare liquidi contenenti urea, oppure liquidi del tipo dell'insulina, od ancora altri liquidi medicali che necessitano di essere dosati con particolare precisione in determinate funzioni mediche. Anche l'impiego della presente testina di eiezione per eiettare in modo controllato liquidi edibili, ovvero di tipo alimentare, può rientrare fra le possibili forme di applicazione dell'invenzione. In generale si può affermare che questa testina di eiezione ha una struttura, inerte chimicamente, che, oltre al vantaggio di non essere corrodibile da una vasta gamma di liquidi impiegati nel campo medico, ha anche l'ulteriore vantaggio di non combinarsi con tali liquidi, e quindi di non alterarne ed offenderne anche minimamente le caratteristiche mentre sono conservati in tale testina di eiezione. Another possible application of the present ejection head is that of microdosing, in particular but not exclusively in the biomedical sector. In fact, this ejection head, thanks to its chemically inert structure and free of organic substances, can be used without problems to eject and dose a wide range of liquids used in the medical field, for example in general organic liquids and more particularly liquids containing urea. , or liquids such as insulin, or still other medical liquids that need to be dosed with particular precision in certain medical functions. The use of the present ejection head for ejecting edible liquids, that is food-grade liquids, in a controlled manner, can also be included among the possible forms of application of the invention. In general it can be said that this ejection head has a structure, chemically inert, which, in addition to the advantage of not being corrodible by a wide range of liquids used in the medical field, also has the further advantage of not combining with such liquids, and therefore not to alter and offend even minimally their characteristics while they are stored in this ejection head.

Resta inteso che al metodo per fabbricare una testina di eiezione di un liquido in forma di gocce, come pure alla testina di eiezione fabbricata in conformità a tale metodo, fin qui descrìtti, possono apportarsi modifiche e/o perfezionamenti, senza per questo uscire dall'ambito della presente invenzione. It is understood that modifications and / or improvements may be made to the method for manufacturing a liquid ejection head in the form of drops, as well as to the ejection head manufactured in accordance with this method, described up to now, without departing from the scope of the present invention.

Claims (31)

RIVENDICAZIONI 1. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione (10; 110), o eiettore, atta ad eiettare un liquido (14; 140} in forma di gocce (16), ed avente al suo interno un circuito idraulico (21; 121) per contenere e convogliare detto liquido (14; 140), comprendente le seguenti fasi : fabbricare una piastra ugello (12; 112) avente almeno un ugello di eiezione (13; 113a, 113b, 113c); fabbricare un substrato (11; 111) o supporto di attuazione avente almeno un attuatore (15; 115a, 115b, 115c) per attivare l'eiezione di dette gocce (16) di liquido attraverso detto almeno un ugello (13; 113a, 113b, 113c); e unire solidalmente detta piastra ugello (12; 112) e detto substrato (11; 111) fra loro per formare detta testina di eiezione (10; 110) insieme con il relativo circuito idraulico (21; 121), in cui detta fase di unire comprende la realizzazione di una giunzione (25; 125), fra detta piastra ugello (12) e detto substrato (11), prevista per essere lambita da detto liquido (14; 140) contenuto nel circuito idraulico (25; 125), caratterizzato da ciò che detta giunzione (25; 125) è inerte chimicamente in rapporto a detto liquido (14; 140) in misura almeno pari, e comunque non inferiore, ai materiali e/o alle parti, di detta piastra ugello (12; 112) e di detto substrato (11; 111), che sono previste per essere lambite da detto liquido (14; 140). CLAIMS 1. Method for manufacturing an ejection head (10; 110), or ejector, suitable for ejecting a liquid (14; 140} in the form of drops (16), and having a hydraulic circuit inside it (21; 121 ) for containing and conveying said liquid (14; 140), comprising the following steps: manufacturing a nozzle plate (12; 112) having at least one ejection nozzle (13; 113a, 113b, 113c); manufacturing a substrate (11; 111) or actuation support having at least one actuator (15; 115a, 115b, 115c) for activating the ejection of said drops (16) of liquid through said at least one nozzle (13; 113a, 113b, 113c); And integrally joining said nozzle plate (12; 112) and said substrate (11; 111) to each other to form said ejection head (10; 110) together with the relative hydraulic circuit (21; 121), in which said joining step comprises the realization of a junction (25; 125), between said nozzle plate (12) and said substrate (11), designed to be lapped by said liquid (14; 140) contained in the hydraulic circuit (25; 125), characterized in that said junction (25; 125) is chemically inert in relation to said liquid (14; 140) to an extent at least equal to, and in any case not less than, the materials and / or parts of said nozzle plate (12; 112) ) and of said substrate (11; 111), which are intended to be lapped by said liquid (14; 140). 2. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 1, caratterizzato da ciò che sia detta piastra ugello (12; 112) e sia detto substrato (11; 111) sono costituiti essenzialmente di silicio, ciascuno di essi essendo realizzato a partire da un rispettivo wafer di silicio (51, 70; 151, 170). 2. Method for manufacturing an ejection head according to claim 1, characterized in that both said nozzle plate (12; 112) and said substrate (11; 111) consist essentially of silicon, each of them being made of starting from a respective silicon wafer (51, 70; 151, 170). 3. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 1,, caratterizzato da ciò che detta giunzione (25; 125) è realizzata mediante la cosiddetta tecnologia di saldatura anodica o "anodic bonding". 3. Method for manufacturing an ejection head according to claim 1, characterized in that said joint (25; 125) is made by means of the so-called anodic bonding technology. 4. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 3, caratterizzato da ciò che comprende, allo scopo di predisporre detto substrato (11; 111) e detta piastra ugello (12; 112) per essere uniti mediante detta tecnologia di saldatura anodica, una fase preliminare di depositare uno strato di vetro borosilicato (78; 178) sulla superficie esterna o di detto substrato o di detta piastra ugello. 4. Method for manufacturing an ejection head according to claim 3, characterized in that it comprises, for the purpose of preparing said substrate (11; 111) and said nozzle plate (12; 112) to be joined by said welding technology anodic, a preliminary step of depositing a layer of borosilicate glass (78; 178) on the outer surface of either said substrate or said nozzle plate. 5. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 4, caratterizzato da ciò detto strato di vetro borosilicato (78) ò costituito da Pyrex contenente sodio. 5. Method for the manufacture of an ejection head according to claim 4, characterized in that said layer of borosilicate glass (78) is constituted by Pyrex containing sodium. 6. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 4, caratterizzato da ciò che comprende una fase di planarizzazione (CMP) per planarizzare detto strato di vetro borosilicato (78) lungo la superficie libera destinata ad accoppiarsi con detta piastra ugello (12). 6. Method for manufacturing an ejection head according to claim 4, characterized in that it comprises a planarization step (CMP) for planarizing said layer of borosilicate glass (78) along the free surface intended to couple with said nozzle plate ( 12). 7. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 4, caratterizzato da ciò che comprende, successivamente a detta fase preliminare, una fase di incidere detto strato di vetro borosilicato (78; 178) per scoprire la zona di detto attuatore (15; 115a, 115b, 115c) e definire le aree di giunzione (78a) fra detto substrato (11; 111) e detta piastra ugello (12; 112). 7. Method for manufacturing an ejection head according to claim 4, characterized in that it comprises, following said preliminary step, a step of etching said layer of borosilicate glass (78; 178) to uncover the area of said actuator ( 15; 115a, 115b, 115c) and define the junction areas (78a) between said substrate (11; 111) and said nozzle plate (12; 112). 8. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 7, in cui detto substrato (11; 111) è provvisto di uno strato condutivo (77; 177) di protezione, che si estende sopra la zona di detto attuatore (15; 115a, 115b, 115c), e sul quale detto strato di vetro borosilicato (78; 178) è depositato, caratterizzato da ciò la saldatura anodica fra detta piastra ugello (12; 112) e detto substrato (11; 111) è realizzata collegando deta piastra ugello (12) e detto strato condutivo (77) rispettivamente ad un primo (81) e ad un secondo controelettrodo (82) di una apposita macchina (85) di saldatura anodica, e poi applicando mediante detta macchina (85) una determinata tensione fra detti controelettrodi (81, 82). Method for manufacturing an ejection head according to claim 7, wherein said substrate (11; 111) is provided with a protective conductive layer (77; 177), which extends over the region of said actuator (15 ; 115a, 115b, 115c), and on which said layer of borosilicate glass (78; 178) is deposited, characterized by this the anodic welding between said nozzle plate (12; 112) and said substrate (11; 111) is achieved by connecting said nozzle plate (12) and said conductive layer (77) respectively to a first (81) and to a second counter electrode (82) of a suitable anodic welding machine (85), and then applying a specific voltage between said counterelectrodes (81, 82). 9. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 8, caratterizzato da ciò che detto primo controelettrodo (81) è formato da una piastra appoggiata su detta piastra ugelli (12) lungo il lato recante detto ugello di eiezione (13) e da ciò che, durante la fase di saldatura anodica, detto primo controelettrodo (81) opera da anodo, mentre detto secondo controelettrodo (82) opera da catodo. 9. Method for manufacturing an ejection head according to claim 8, characterized in that said first counter electrode (81) is formed by a plate resting on said nozzle plate (12) along the side bearing said ejection nozzle (13) and from what, during the anodic welding step, said first counter electrode (81) operates as an anode, while said second counter electrode (82) operates as a cathode. 10. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 8, caratterizzato da ciò che, durante detta saldatura anodica, detto substrato (11) ò mantenuto ad una prefissata temperatura mediante un elemento riscaldatore (83). 10. Method for manufacturing an ejection head according to claim 8, characterized in that, during said anodic welding, said substrate (11) is kept at a predetermined temperature by means of a heating element (83). 11. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 8 o 9, in cui detto attuatore (15; 115a, 115b, 115c) è del tipo termico ed in particolare è costituito da una resistenza (74) che è atta a riscaldarsi rapidamente per generare, all'interno di detto liquido, una bolla di vapore tale da causare l'eiezione di dette gocce, caratterizzato da ciò che detto strato conduttivo di protezione (77; 177) è realizzato con tantalio (Ta). 11. Method for manufacturing an ejection head according to claim 8 or 9, wherein said actuator (15; 115a, 115b, 115c) is of the thermal type and in particular consists of a resistor (74) which is adapted to heating rapidly to generate, inside said liquid, a vapor bubble such as to cause the ejection of said drops, characterized by what said conductive protective layer (77; 177) is made with tantalum (Ta). 12. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione secondo la rivendicazione 8, caratterizzato da ciò che detto strato conduttivo (77) è realizzato con una porzione (77a) che si estende, lungo detto substrato (11), all’esterno della zona di giunzione fra quest’ultimo e detta piastra ugello (12), e che ha lo scopo di consentire il collegamento fra detto strato conduttivo (77) e detto secondo contro-elettrodo (82) di detta apposita macchina (85) di saldatura anodica. Method for manufacturing an ejection head according to claim 8, characterized in that said conductive layer (77) is made with a portion (77a) extending, along said substrate (11), outside the area of junction between the latter and said nozzle plate (12), and which has the purpose of allowing the connection between said conductive layer (77) and said second counter-electrode (82) of said special anodic welding machine (85). 13. Testina di eiezione (10; 110), o eiettore, atta ad eiettare un liquido (14; 140) in forma di gocce (16), comprendente ; una piastra ugello (12; 112) avente almeno un ugello di eiezione (13; 113a, 113b, 113c); un substrato (11; 111) o supporto di attuazione avente almeno un attuatore (15; 115a, 115b, 115c) per attivare l'eiezione di dette gocce (16) di liquido attraverso detto almeno un ugello (13; 113a, 113b, 113c); un circuito idraulico (21; 121) per contenere e convogliare detto liquido all’interno di detta testina di eiezione (10; 110); e una giunzione (25; 125) che unisce detta piastra ugello (12; 112) e detto substrato (11; 111) solidalmente fra loro e che è prevista per essere lambita dai liquido (14) contenuto in detto circuito idraulico (25; 125), caratterizzata da ciò che detta giunzione (25; 125) è inerte chimicamente in rapporto a detto liquido in misura almeno pari, e comunque non inferiore, ai materiali e/o alle parti che compongono la struttura di detta piastra ugello (12; 112) e di detto substrato (11; 111) e che sono previste per essere lambite da detto liquido (14; 140). 13. Ejection head (10; 110), or ejector, adapted to eject a liquid (14; 140) in the form of drops (16), comprising; a nozzle plate (12; 112) having at least one ejection nozzle (13; 113a, 113b, 113c); a substrate (11; 111) or actuation support having at least one actuator (15; 115a, 115b, 115c) for activating the ejection of said drops (16) of liquid through said at least one nozzle (13; 113a, 113b, 113c) ); a hydraulic circuit (21; 121) to contain and convey said liquid inside said ejection head (10; 110); And a junction (25; 125) which joins said nozzle plate (12; 112) and said substrate (11; 111) integrally with each other and which is designed to be lapped by the liquid (14) contained in said hydraulic circuit (25; 125) , characterized in that said junction (25; 125) is chemically inert in relation to said liquid to an extent at least equal to, and in any case not less than, the materials and / or parts that make up the structure of said nozzle plate (12; 112) and of said substrate (11; 111) and which are intended to be lapped by said liquid (14; 140). 14. Testina di eiezione secondo la rivendicazione 13, caratterizzata da ciò che sia detta piastra ugello (12) e sia detto substrato (11) sono costituiti essenzialmente di silicio, ciascuno di essi essendo realizzato a partire da un rispettivo wafer di silicio (51, 70). 14. Ejection head according to claim 13, characterized in that both said nozzle plate (12) and said substrate (11) are essentially constituted of silicon, each of them being made starting from a respective silicon wafer (51, 70). 15. Testina di eiezione secondo la rivendicazione 13 o 14, caratterizzata da ciò che detta giunzione (25; 125) è realizzata mediante la cosiddetta tecnologia di saldatura anodica o “anodic bonding". 15. Ejection head according to claim 13 or 14, characterized in that said joint (25; 125) is made by means of the so-called anodic bonding technology. 16. Testina di eiezione secondo la rivendicazione 15, caratterizzata da ciò che comprende, nella zona di giunzione fra detto substrato (11) e detta piastra ugello (12), una strato di vetro borosilicato (78, 78a) che è stato preliminarmente depositato sulla superficie esterna o di detto substrato (11) o di detta piastra ugello (12) per predisporli alla giunzione mediante detta saldatura anodica. 16. Ejection head according to claim 15, characterized in that it comprises, in the junction area between said substrate (11) and said nozzle plate (12), a layer of borosilicate glass (78, 78a) which has been previously deposited on the external surface either of said substrate (11) or of said nozzle plate (12) to prepare them for the junction by means of said anodic welding. 17. Testina di eiezione secondo la rivendicazione 15, in cui detto substrato (11) è provvisto di uno strato conduttivo (77) di protezione per proteggere detto attuatore (15), caratterizzata da ciò detto strato conduttivo (77) si estende, oltre che lungo la zona di attuatore (15), anche lungo la giunzione (25) fra detto substrato (11) e detta piastra ugello (12), e comprende inoltre una porzione (77a) disposta esternamente rispetto alla zona di tale giunzione (25), in cui tale porzione (77a) ha la funzione di consentire, durante la fabbricazione di detta testina di eiezione (10), il collegamento elettrico fra détto strato conduttivo (77) ed un contro-elettrodo (82) di una apposita macchina (85) adibita a realizzare detta giunzione (25) tramite detta tecnologia di saldatura anodica, applicando un opportuno potenziale (V) fra detto substrato e detta piastra ugello. 17. Ejection head according to claim 15, wherein said substrate (11) is provided with a protective conductive layer (77) to protect said actuator (15), characterized by this said conductive layer (77) extends, as well as along the actuator zone (15), also along the junction (25) between said substrate (11) and said nozzle plate (12), and further comprises a portion (77a) disposed externally with respect to the area of said junction (25), in which this portion (77a) has the function of allowing, during the manufacture of said ejection head (10), the electrical connection between said conductive layer (77) and a counter-electrode (82) of a suitable machine (85) used to realize said joint (25) by means of said anodic welding technology, applying a suitable potential (V) between said substrate and said nozzle plate. 18. Testina di eiezione secondo la rivendicazione 13, caratterizzato da ciò che presenta una struttura inerte chimicamente in rapporto ad un liquido preparato con un solvente selezionabile da un gruppo costitituito : idrocarburi alitatici e aromatici quali : paraffine liquide, o toluene, o xilene; alcooli alifatico e aromatico quale: metanolo, o alcool isopropilico, o alcool n-propilico, o alcool sec-butilico, o alcool isobutilico, o alcool n-butilico, o alcool benzilico, o cicoesanolo; esteri quale: metil acetato, o etil acetato, o isopropil acetato, o n-propil acetato, o sec-butil acetato, o isobutil acetato, o n-butil acetato, o amil acetato, o 2-etossietilacetato; glicoeteri quali: 2-metossietanolo, o 2 -etossietanolo, o 2-butossietanolo; chetoni quale: acetone, o metil etil chetone, o metil isobutil chetone, o metil isoamil chetane, o dcloesanone; e lattoni quale β-caprolattone monomero. 18. Ejection head according to claim 13, characterized in that it has a structure that is chemically inert in relation to a liquid prepared with a solvent which can be selected from a group consisting of: alitatic and aromatic hydrocarbons such as: liquid paraffins, or toluene, or xylene; aliphatic and aromatic alcohols such as: methanol, or isopropyl alcohol, or n-propyl alcohol, or sec-butyl alcohol, or isobutyl alcohol, or n-butyl alcohol, or benzyl alcohol, or cicohexanol; esters such as: methyl acetate, or ethyl acetate, or isopropyl acetate, or n-propyl acetate, or sec-butyl acetate, or isobutyl acetate, or n-butyl acetate, or amyl acetate, or 2-ethoxyethyl acetate; glycoethers such as: 2-methoxyethanol, or 2-ethoxyethanol, or 2-butoxyethanol; ketones such as: acetone, or methyl ethyl ketone, or methyl isobutyl ketone, or methyl isoamyl ketane, or dclohexanone; And lactones such as β-caprolactone monomer. 19. Testina di stampa per l'eiezione di gocce di inchiostro caratterizzata da ciò che è costituita da una testina di eiezione (110) secondo la rivendicazione 13, per cui detta testina di stampa (110), in virtù di detta giunzione (125) chimicamente inerte, si presenta come particolarmente adatta per essere impiegata con inchiostri (140) aventi una elevata aggressività chimica. 19. Print head for ejection of ink drops characterized in that it consists of an ejection head (110) according to claim 13, whereby said print head (110), by virtue of said junction (125) chemically inert, it is particularly suitable for use with inks (140) having a high chemical aggressiveness. 20. Iniettore (210) per gocce di combustibile, quale ad esempio benzina o gasolio, in un motore endotermico, caratterizzato da ciò che è costituito da una testina di eiezione secondo la rivendicazione 13. 20. Injector (210) for drops of fuel, such as for example petrol or diesel, in an internal combustion engine, characterized in that it consists of an ejection head according to claim 13. 21. Iniettore (210) per gocce di combustibile secondo la rivendicazione 20, in cui detto motore comprende almeno un cilindro, un condotto di adduzione dell'aria per detto cilindro, ed una valvola di regolazione del flusso dell’arìa attraverso detto condotto di adduzione, caratterizzato da ciò che detto iniettore di combustibile è disposto lungo detto condotto di adduzione a valle di detto valvola di regolazione, qualora uno specifico iniettore sia associato con ogni cilindro di detto motore per generare la miscela aria-combustibile alimentata ad ogni singolo cilindro; oppure è disposto a monte di detta valvola di regolazione, qualora un unico iniettore sia previsto per generare centralmente la miscela aria-combustibile da distribuire successivamente ai vari cilindri di detto motore. A fuel droplet injector (210) according to claim 20, wherein said engine comprises at least one cylinder, an air supply duct for said cylinder, and a valve for regulating the flow of air through said supply duct. , characterized in that said fuel injector is arranged along said supply duct downstream of said regulating valve, if a specific injector is associated with each cylinder of said engine to generate the air-fuel mixture fed to each single cylinder; or it is arranged upstream of said regulating valve, if a single injector is provided to centrally generate the air-fuel mixture to be subsequently distributed to the various cylinders of said engine. 22. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto di inchiostro avente internamente un circuito idraulico (121) per contenere e convogliare detto inchiostro (140), comprendente le seguenti fasi : fabbricare una piastra ugelli (112) avente almeno un ugello di eiezione (113a, 113b, 113c); fabbricare un substrato (111) avente almeno un attuatore (115a, 115b, 115c) per attivare l'eiezione di detto inchiostro (140), in forma di gocce, attraverso detto almeno un ugello (113a, 113b, 113c) ; e unire solidalmente detta piastra ugelli (112) e detto substrato (111) fra loro per formare detta testina di stampa (110), insieme con detto circuito idraulico (121), in cui detta fase di unire comprende la realizzazione di una giunzione (125), fra detta piastra ugelli (112) e detto substrato (111), prevista per essere lambita dall’Inchiostro (140) contenuto nel circuito idraulico (121), caratterizzata da ciò che detta giunzione (125) è inerte chimicamente in rapporto a detto liquido In misura almeno pari, e comunque non inferiore, ai materiali e/o alle parti, componenti la struttura di detta piastra ugelli (112) e di detto substrato (11; 111), che sono previste per essere (ambite da detto inchiostro (140). 22. Method for manufacturing an ink jet print head (110) having internally a hydraulic circuit (121) for containing and conveying said ink (140), comprising the following steps: manufacturing a nozzle plate (112) having at least one ejection nozzle (113a, 113b, 113c); manufacturing a substrate (111) having at least one actuator (115a, 115b, 115c) for activating the ejection of said ink (140), in the form of drops, through said at least one nozzle (113a, 113b, 113c); And integrally joining said nozzle plate (112) and said substrate (111) together to form said print head (110), together with said hydraulic circuit (121), in which said joining step comprises making a joint (125) , between said nozzle plate (112) and said substrate (111), designed to be lapped by the Ink (140) contained in the hydraulic circuit (121), characterized in that said junction (125) is chemically inert in relation to said liquid To an extent at least equal to, and in any case not less than, the materials and / or parts, making up the structure of said nozzle plate (112) and of said substrate ( 11; 111), which are expected to be (coveted by said ink (140). 23. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d’inchiostro secondo la rivendicazione 22, caratterizzato da ciò che detta giunzione (125) è realizzata mediante la cosiddetta tecnologia di saldatura anodica o “anodic bonding”. 23. Method for manufacturing an ink jet print head (110) according to claim 22, characterized by what said junction (125) is made by means of the so-called anodic bonding technology or "anodic bonding". 24. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d’inchiostro secondo la rivendicazione 23, caratterizzato da ciò che comprende, allo scopo di predisporre detto substrato (111) e detta piastra ugelli (112) per essere uniti mediante detta tecnologia di saldatura anodica, una fase preliminare di depositare uno strato di vetro borosilicato (178) sulla superficie esterna o di detto substrato o di detta piastra ugelli, in corrispondenza della zona di giunzione (125). Method for manufacturing an inkjet print head (110) according to claim 23, characterized in that it comprises, in order to prepare said substrate (111) and said nozzle plate (112) to be joined by said anodic welding technology, a preliminary step of depositing a layer of borosilicate glass (178) on the external surface either of said substrate or of said nozzle plate, in correspondence with the junction area (125). 25. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d'inchiostro secondo la rivendicazione 23, caratterizzato da ciò che comprende una fase (CMP) per planarizzare le superfici di detto substrato e/o di detto piastra ugelli in modo da predisporle alla fase di giunzione mediante detta tecnologia di saldatura anodica. Method for manufacturing an inkjet print head (110) according to claim 23, characterized in that it comprises a step (CMP) for planarizing the surfaces of said substrate and / or said nozzle plate in a manner to be prepared for the joining phase by means of said anodic welding technology. 26. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d’inchiostro secondo la rivendicazione 23, caratterizzato da ciò che detta fase di fabbricare una piastra ugelli (112) comprende le seguenti fasi : provvedere un wafer di silicio (151) comprendente una pluralità di aree elementari (112a, 112b, 112b) ognuna corrispondente ad una piastra ugelli; formare per incisione, su ognuna di dette aree, almeno una camera (120a; 120b; 120c) e un condotto di adduzione (122) del circuito idraulico (121) della corrispondente piastra ugelli (112), detto condotto di adduzione (122) essendo previsto per alimentare l'inchiostro (140) a detta camera (120a; 120b; 120c); e suddividere detto wafer di silicio in unità elementari ognuna costituente una piastra ugelli (112). 26. Method for manufacturing an inkjet print head (110) according to claim 23, characterized in that said step of manufacturing a nozzle plate (112) includes the following steps: providing a silicon wafer (151) comprising a plurality of elementary areas (112a, 112b, 112b) each corresponding to a nozzle plate; forming by incision, on each of said areas, at least one chamber (120a; 120b; 120c) and a supply duct (122) of the hydraulic circuit (121) of the corresponding nozzle plate (112), said supply duct (122) being provided for supplying the ink (140) to said chamber (120a; 120b; 120c); And dividing said silicon wafer into elementary units each constituting a nozzle plate (112). 27. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d'inchiostro secondo la rivendicazione 26, caratterizzato da ciò che detto wafer di silicio è di tipo sottile ed ha uno spessore indicativo di 75 μm . Method for manufacturing an inkjet print head (110) according to claim 26, characterized in that said silicon wafer is of the thin type and has an indicative thickness of 75 μm. 28. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d’inchiostro secondo la rivendicazione 23, caratterizzato da ciò che comprende le seguenti fasi : provvedere un wafer di silicio (170) comprendente una pluralità di aree elementari (111a, 11 b, 111 c) ognuna corrispondente ad un substrato (111); predisporre, su detto wafer di silicio (170), uno strato di protezione di materiale conduttivo costituito da una pluralità di porzioni reciprocamente interconnesse in modo da formare una maglia o rete equipotenziale (177), in cui ciascuna porzione di detto strato conduttivo è depositata sopra una rispettiva area elementare (111 a, 11b, 111c) di detto wafer di silicio (170), e si estende sia lungo l'area di detto attuatore (115a, 115b, 115c) alio scopo di proteggerlo, sia lungo la zona della giunzione (125) che verrà successivamente realizzata fra il substrato (111) e la piastra ugelli (112), ed inoltre anche esternamente a tale zona di giunzione (125); disporre una pluralità di piastre ugelli (112), fabbricate separatamente rispetto a detto substrato (111), lungo detto wafer di silicio (170), con ciascuna piastra ugelli (112) a contatto di una corrispondente area elementare di detto wafer di silicio (170); collegare detta rete equipotenziale con un contro-elettrodo di una apposita macchina di saldatura anodica; applicare, mediante detto contro-elettrodo, un opportuno potenziale fra detta rete equipotenziale e ciascuna piastra ugelli (112) per realizzare detta giunzione (125), basata sulla tecnologia di saldatura anodica, fra ciascuna area elementare (111 a, 11b, 111c) di detto wafer di silicio (170), e la corrispondente piastra ugelli (112), e suddividere detto wafer di silicio (170) in una pluralità di unità, ciascuna formata da un singolo substrato ed una singola piastra ugelli, e costituente una testina di stampa a getto d’inchiostro. 28. Method for the manufacture of an ink jet print head (110) according to claim 23, characterized in that it comprises the following steps: providing a silicon wafer (170) comprising a plurality of elementary areas (111a, 11 b, 111 c) each corresponding to a substrate (111); arrange, on said silicon wafer (170), a protective layer of conductive material consisting of a plurality of mutually interconnected portions so as to form an equipotential mesh or network (177), in which each portion of said conductive layer is deposited on top a respective elementary area (111a, 11b, 111c) of said silicon wafer (170), and extends both along the area of said actuator (115a, 115b, 115c) for the purpose of protecting it, and along the junction area (125) which will be subsequently formed between the substrate (111) and the nozzle plate (112), and furthermore also externally to said junction area (125); arrange a plurality of nozzle plates (112), manufactured separately with respect to said substrate (111), along said silicon wafer (170), with each nozzle plate (112) in contact with a corresponding elementary area of said silicon wafer (170 ); connecting said equipotential network with a counter-electrode of a suitable anodic welding machine; apply, by means of said counter-electrode, a suitable potential between said equipotential network and each nozzle plate (112) to realize said junction (125), based on the anodic welding technology, between each elementary area (111a, 11b, 111c) of said silicon wafer (170), and the corresponding nozzle plate (112), e divide said silicon wafer (170) into a plurality of units, each formed by a single substrate and a single nozzle plate, and constituting an ink jet print head. 29. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d'inchiostro secondo la rivendicazione 28, caratterizzato da ciò che detto strato di protezione è realizzato con tantalio (Ta). Method for manufacturing an inkjet print head (110) according to claim 28, characterized in that said protective layer is made with tantalum (Ta). 30. Metodo per la fabbricazione di una testina di stampa (110) a getto d’inchiostro secondo la rivendicazione 28, caratterizzato da ciò che comprende, dopo detta fase di disporre una pluralità di piastre ugelli (112) su detto wafer di silicio (170), una fase di coilegare in modo provvisorio con un adesivo ciascuna di dette piastre ugelli (112) con la corrispondente area elementare (111 a, 11b, 111c) di detto wafer di silicio (170). Method for manufacturing an inkjet print head (110) according to claim 28, characterized in that it comprises, after said step, arranging a plurality of nozzle plates (112) on said silicon wafer (170 ), a step of temporarily bonding with an adhesive each of said nozzle plates (112) with the corresponding elemental area (111a, 11b, 111c) of said silicon wafer (170). 31. Metodo per la fabbricazione di una testina di eiezione e di una testina di stampa a getto d’inchiostro, e corrispondente testina di eiezione (10) e testina di stampa (110) sostanzialmente come descritti con riferimento agli annessi disegni. 31. Method for manufacturing an ejection head and an inkjet print head, and corresponding ejection head (10) and print head (110) substantially as described with reference to the attached drawings.
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