ITMI20080385U1 - Camera di reazione di un reattore epitassiale - Google Patents

Description

DESCRIZIONE

Il presente trovato riguarda una camera di reazione di un reattore epitassiale.

I reattori epitassiali sono macchine che servono a depositare in modo regolare ed uniforme strati monocristallini o policristallini di materiali su substrati; i substrati così trattati vengono utilizzat i per realizzare disposit ivi elettrici (ad esempio celle solari), disposit ivi elettronici (ad esempio MOSFET e LED) e dispositivi microelettronici (ad esempio circuit i integrati).

I substrati sono dischi molto sottili (tipicamente nell’intervallo da 100 µm a 1'500 µm) e di diametro assai variabile (tipicamente nell’intervallo da 1”=25mm a 18”=450mm), e possono essere fatti ad esempio di silicio [SI], carburo di silicio [SiC], germanio [Ge], arseniuro di gallio [GaAs], ossido di alluminio o zaffiro [Al2O3], nitruro di gallium [GaN].

I materiali depositati sono tipicamente materiali conduttori e semiconduttori, ad esempio silicio [Si], carburo di silicio [SiC], germanio [Ge], arseniuro di gallio [GaAs], nitruro di alluminio [AlN], nitruro di gallio [GaN].

Lo strato depositato ed il substrato sottostante possono essere fatti dello stesso materiale o di diversi materiali.

Lo spessore dello strato depositato può essere in un ampio intervallo da alcuni nanometri a svariati millimetri; quando lo spessore dello strato depositato è superiore a 1 mm il processo di deposizione è chiamato in genere “crescita bulk”.

I reattori epitassiali noti comprendono una camera di reazione che consiste in genere essenzialmente di un pezzo cavo di quarzo; tale pezzo cavo di quarzo comprende una parte di pezzo di quarzo avente forma di cilindro o prisma o cono o piramide ed un foro passante assiale; tale parte di pezzo di quarzo è atta a definire secondo due di tre direzioni una zona di reazione e deposizione e ad alloggiare almeno un suscettore da riscaldare all’interno del foro passante assiale; il suscettore serve a supportare e spesso anche riscaldare i substrati.

Vi sono reattori di molt i t ipi; a seconda del tipo, la camera può essere disposta verticalmente oppure orizzontalmente (raramente obliquamente); a seconda del t ipo, il suscettore può avere forma di disco, prisma, cilindro, piramide, cono e può essere pieno o cavo; a seconda del tipo, il suscettore può essere riscaldato mediante resistori, induttori, lampade (raramente bruciatori interni); a seconda del tipo, il reattore può essere a “pareti fredde” oppure a “pareti calde” (con questi termini ci si riferisce alle pareti che definiscono lo spazio dove avviene la reazione e la deposizione).

I processi dei reattori epitassiali vengono effettuati a temperature elevate, cioè da parecchie cent inaia di gradi Celsius a alcune migliaia di gradi Celsius (ad esempio, la deposizione di silicio poli-cristallino si effettua a temperature comprese tipicamente tra 450°C e 800°C, la deposizione di silicio mono-cristallino su substrati di silicio si effettua a temperature comprese t ipicamente tra 850°C e 1’250°C, la deposizione di carburo di silicio mono-cristallino su substrati di silicio si effettua a temperature comprese tipicamente tra 1’200°C e 1’400°C, la deposizione di carburo di silicio mono-cristallino su substrati di carburo di silicio si effettua a temperature comprese tipicamente tra 1’500°C e 1’700°C per la cosiddetta “crescita epitassiale” e a temperature comprese t ipicamente tra 1’900°C e 2’400°C per la cosiddetta “crescita bulk”), e utilizzano molta energia (decine di KW) per il riscaldamento; pertanto, è importante evitare di disperdere nell’ambiente l’energia termica generata.

A tale scopo, è stata prassi comune per molti decenni applicare un sottile (meno di 100µm) strato di materiale a base d’oro alla superficie esterna della camera di reazione dei reattori epitassiali; tale strato d’oro viene realizzato mediante un certo numero di cicli di verniciatura ed essiccatura (non è facile ottenere uno strato regolare, uniforme e non-poroso) e riflette bene le radiazioni infrarosse emesse dal suscettore.

Nei reattori epitassiali dove il suscettore è l’elemento principale che riscalda i substrati (ad esempio nei reattori epitassiali con riscaldamento ad induzione), una appropriata riflessione porta ad una piccola differenza di temperatura tra il fronte ed il retro dei substrati durante i processi di crescita.

Un inconveniente di tale soluzione è che, dopo un certo tempo (ad esempio alcuni mesi), lo strato d’oro si stacca dalla superficie di quarzo della camera di reazione – tanto più calda è la superficie di quarzo tanto più veloce è il distacco dello strato d’oro anche a causa del fatto che la dilatazione termica dell’oro è maggiore di quella del quarzo; tale fenomeno è più rapido se la camera di reazione è raffreddata per mezzo di un flusso gassoso (il che è abbastanza comune) anche a causa dell’azione meccanica del flusso gassoso sullo strato; inoltre, tale fenomeno è aumentato da tracce di acidi sulla superficie della camera di reazione che derivano da precedenti cicli di lavaggio della camera di reazione.

Il distacco dello strato d’oro porta ad un aumento del consumo di potenza elettrica del reattore epitassiale poiché parte delle radiazioni infrarosse emesse dal suscettore si disperde nell’ambiente.

Inoltre, poiché il distacco dello strato d’oro non è regolare ed uniforme, questo porta anche ad una riduzione della qualità dei substrati cresciut i.

Pertanto, quando si verifica il distacco, è necessario smontare la camera di reazione dal reattore epitassiale, asportare completamente lo strato d’oro (in parte già staccato), applicare nuovamente lo strato d’oro e rimontare la camera di reazione dal reattore epitassiale; tali operazioni richiedono del tempo, sono costose e possono essere fatte solo un numero limitato di volte.

Scopo generale del presente trovato è quello di superare gli inconvenient i sopra citati.

Questo e altri scopi sono raggiunt i attraverso la camera di reazione avente le caratterist iche espresse nelle rivendicazioni qui annesse che formano parte integrante della presente descrizione.

Dopo avere considerato varie soluzioni alternat ive, la Richiedente ha avuto l’idea di dotare la camera di reazione di uno strato riflettente fatto di un materiale che fosse compat ibile dal punto di vista chimico (proprietà chimiche uguali o simili, ad esempio resistenza), dal punto di vista meccanico (proprietà meccaniche uguali o simili) e dal punto di vista termico (proprietà termiche uguali o simili, ad esempio CTE [Coefficient of Thermal Expansion]) con il materiale della camera di reazione.

La Richiedente ha deciso di usare un materiale riflettente a base di quarzo.

In questo modo, è anche possibile raggiungere una riflessione simile a quella dello strato d’oro secondo l’arte nota.

Questo approccio apre la strada ad un posizionamento più flessibile, efficace ed efficiente dello strato riflettente in relazione alla camera di reazione ed al suscettore, come poi diverrà chiaro.

In generale, la camera di reazione di un reattore epitassiale secondo il presente trovato consiste essenzialmente di un pezzo cavo di quarzo; detto pezzo cavo di quarzo comprende una parte di pezzo di quarzo avente forma di cilindro o prisma o cono o piramide ed un foro passante assiale ricavato in detta parte di pezzo di quarzo; detta parte di pezzo di quarzo è atta a definire secondo due di tre direzioni una zona di reazione e deposizione e ad alloggiare almeno un suscettore da riscaldare all’interno di detto foro passante assiale. La camera secondo il presente trovato comprende inoltre uno strato riflettente atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse da detto suscettore nell’intervallo di lunghezza d’onda da 1'000 nm a 10'000 nm, preferibilmente da 1'500 nm a 3'000 nm; detto strato riflettente è fatto di un materiale a base di quarzo ed è applicato a detta parte di pezzo di quarzo e/o ad un componente di quarzo di detta camera di reazione.

Detto strato riflettente può essere situato sull’interno e/o sull’esterno di detta parte di pezzo di quarzo.

Detto strato riflettente può ricoprire in tutto o in parte detta parte di pezzo di quarzo.

Detto strato riflettente può essere ricoperto in tutto o in parte da uno strato di quarzo vetrificato.

Detta parte di pezzo di quarzo può essere dotata di uno altro strato riflettente atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse da detto suscettore; detto altro strato riflettente è fatto di un materiale a base di oro.

Detti strati riflettenti possono ricoprire detta parte di pezzo di quarzo in aree distinte.

Detta parte di pezzo di quarzo può essere fatta di quarzo trasparente. La camera secondo il presente trovato può comprendere flange in corrispondenza degli estremi di detto pezzo cavo di quarzo; dette flange sono fatte di quarzo opaco.

La camera secondo il presente trovato può essere atta ad essere raffreddata mediante almeno un flusso gassoso o liquido.

Secondo un ulteriore aspetto, il presente trovato riguarda anche un reattore epitassiale che comprendere una camera di reazione avente una o più delle caratterist iche appena esposte.

Il presente trovato verrà descritto in dettaglio nel seguito congiuntamente ai disegni qui annessi in cui:

Fig.1 mostra una prima camera di reazione secondo l’arte nota in tre differenti viste (Fig.1A è una vista laterale, Fig.1B è una vista dall’alto, Fig.1C è una vista frontale),

Fig.2 mostra una seconda camera di reazione secondo l’arte nota in vista laterale,

Fig.3 mostra una terza camera di reazione secondo l’arte nota in vista laterale,

Fig.4 mostra una quarta camera di reazione secondo l’arte nota in vista laterale,

Fig.5 mostra un primo esempio di realizzazione della camera di reazione secondo il presente trovato in tre differenti viste in sezione (Fig.5A è una vista laterale, Fig.5B è una vista dall’alto, Fig.5C è una vista frontale) – la camera di Fig.5 corrisponde alla camera di Fig.1 a cui sono state aggiunte caratteristiche tecniche secondo il presente trovato, e

Fig.6 mostra un secondo esempio di realizzazione della camera di reazione secondo il presente trovato in vista laterale in sezione – la camera di Fig.6 corrisponde alla camera di Fig.4 a cui sono state aggiunte caratterist iche tecniche secondo il presente trovato.

Tale descrizione e tali disegni sono esemplificat ivi e non limitativi; inoltre, sono schematici e semplificat i.

In Fig.1, è mostrata una camera di reazione di un reattore epitassiale che consiste essenzialmente di un pezzo cavo di quarzo; tale pezzo cavo di quarzo comprende una parte 1 di pezzo di quarzo avente forma di prisma (con spigoli longitudinali arrotondati) ed un foro 2 passante assiale ricavato nella parte 1; la parte 1 è atta a definire secondo due di tre direzioni (ossia larghezza ed altezza – si veda Fig.1C) una zona 3 di reazione e deposizione (non evidenziata in Fig.1) e ad alloggiare almeno un suscettore (non mostrato in Fig.1) da riscaldare all’interno del foro 2; il foro 2 ha sezione rettangolare (con angoli arrotondati) di forma corrispondente alla sezione della parte 1 e, in tal modo, la parte 1 costituisce un tubo con pareti a sezione sostanzialmente costante.

La camera di Fig.1 è atta ad essere disposta orizzontalmente, ad alloggiare un suscettore a forma di disco, ad essere associata a mezzi di riscaldamento ad induzione, e ad essere utilizzata in un reattore a “pareti fredde” (ossia la temperatura della parte 1 del pezzo cavo di quarzo non supera 400-600°C durante i processi di crescita epitassiale e quindi è molto inferiore rispetto a quella del suscettore). In Fig.2, è mostrata una camera di reazione di un reattore epitassiale che consiste essenzialmente di un pezzo cavo di quarzo; tale pezzo cavo di quarzo comprende una parte di pezzo di quarzo avente forma di cilindro ed un foro passante assiale ricavato in detta parte. Anche in questo caso, come nel caso di Fig.1, la parte del pezzo cavo di quarzo è atta a definire secondo due di tre direzioni una zona di reazione e deposizione (a forma di cilindro) e ad alloggiare almeno un suscettore (a forma di cilindro) da riscaldare all’interno del foro; il foro ha sezione circolare corrispondente alla sezione circolare della parte di pezzo di quarzo e, in tal modo, la parte di pezzo di quarzo costituisce un tubo con pareti a sezione costante.

La camera di Fig.2 è atta ad essere disposta orizzontalmente, ad alloggiare un suscettore a forma di cilindro con opportuno isolamento termico, e ad essere associata a mezzi di riscaldamento ad induzione.

La camera di Fig.2 comprende due flange in corrispondenza degli estremi del pezzo cavo di quarzo.

In Fig.3, è mostrata una camera di reazione di un reattore epitassiale molto simile a quella di Fig.2; l’unica differenza sostanziale è che non vi sono flange; inoltre, la camera di Fig.3 è atta ad essere disposta verticalmente anche se è mostrata orizzontalmente in questa figura.

In Fig.4, è mostrata una camera di reazione di un reattore epitassiale che consiste essenzialmente di un pezzo cavo di quarzo; tale pezzo cavo di quarzo comprende una prima parte 11 di pezzo di quarzo avente forma di cilindro ed una seconda parte 19 di pezzo di quarzo avente forma di imbuto arrotondato e rovesciato ed unita alla prima parte 11 (le parti 11 e 19 costituiscono assieme un pezzo unico di quarzo e la linea orizzontale tratteggiata in Fig.4 serve solo per indicare il confine tra le due parti); inoltre vi è un foro 12 passante assiale ricavato nella prima parte 11 (che si estende anche nella seconda parte 19, ma cambia sezione); la prima parte 11 è atta a definire secondo due di tre direzioni (ossia due direzioni orizzontali perpendicolari tra loro) una zona 13 di reazione e deposizione (non evidenziata in Fig.4) e ad alloggiare almeno un suscettore (non mostrato in Fig.4) da riscaldare all’interno del foro 12; il foro 12 ha sezione circolare di forma corrispondente alla sezione circolare della prima parte 11 e, in tal modo, la prima parte 11 costituisce un tubo con pareti a sezione costante; la forma complessiva della camera di Fig.4 è chiamata “campana”.

La camera di Fig.4 è atta ad essere disposta verticalmente, ad alloggiare un suscettore a forma di tronco di piramide, ad essere associata a mezzi di riscaldamento ad induzione, e ad essere utilizzata in un reattore a “pareti fredde” (ossia la temperatura della parte 1 del pezzo cavo di quarzo non supera 400-600°C durante i processi di crescita e quindi è molto inferiore rispetto a quella del suscettore).

La camera di Fig.4 comprende due flange 17 in corrispondenza degli estremi del pezzo cavo di quarzo.

In Fig.5, è mostrato un suscettore 4 a forma di disco montato su un albero verticale 8 per supportarlo e farlo ruotare; il suscettore 4 presenta dei lievi recessi (in particolare cinque recessi) sulla sua faccia superiore atti ad alloggiare substrati sui cui effettuare crescita epitassiale; l’albero 8 passa attraverso un foro circolare ricavato in una delle pareti della camera (sono previst i dei mezzi di tenuta non mostrati in questa figura); inoltre, questa figura evidenzia la zona 3 di reazione e deposizione; è da notare infine che né il suscettore 4 né l’albero 8 fanno parte della camera.

La camera di Fig.5 differisce da quella di Fig.1 per il fatto di comprendere uno strato 5 riflettente atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse dal suscettore 4 nell’intervallo di lunghezza d’onda da 1'000 nm a 10'000 nm, preferibilmente da 1'500 nm a 3'000 nm; lo strato 5 riflettente è fatto di un materiale a base di quarzo ed è applicato alla parte 1.

Lo spessore dello strato 5 riflettente è compreso tipicamente nell’intervallo da 0,5 mm a 1,5 mm ed è preferibilmente circa 1 mm. Lo strato 5 riflettente si può ottenere secondo il seguente processo: - applicando alla camera di reazione in quarzo trasparente un impasto semi-liquido con un elevato contenuto (ad esempio superiore al 80% ed inferiore al 95%) di particelle di quarzo amorfo in dispersione (il liquido di dispersione può essere acqua o ad esempio alcool), poi

- essiccando l’impasto applicato, poi

- sinterizzando a caldo l’impasto essiccato.

In tal modo, si riesce ad ottenere uno strato in grado di riflettere mediamente più del 80-90% delle radiazioni infrarosse (negli intervalli di lunghezza d’onda sopra menzionati) che colpiscono lo strato.

Nell’esempio di Fig.5, lo strato 5 riflettente è situato sull’esterno della parte 1 e la ricopre per poco meno del 50%, in part icolare in corrispondenza della metà superiore; alternativamente, la ricopertura potrebbe essere ad esempio totale o quasi totale.

Nell’esempio di Fig.5, la parte 1 è dotata anche di uno altro strato 6 riflettente (opzionale, ma vantaggioso) atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse dal suscettore 4; lo strato 6 riflettente è fatto di un materiale a base di oro, in particolare una vernice d’oro; lo spessore dello strato 6 riflettente è minore di 100 µm.

Nell’esempio di Fig.5, lo strato 6 riflettente è situato sull’esterno della parte 1 e la ricopre per poco meno del 50%, in part icolare in corrispondenza della metà inferiore.

Nell’esempio di Fig.5, gli strati 5 e 6 non sono mai sovrapposti, ossia ricoprono la parte di pezzo di quarzo in aree distinte.

Da questa figura può sembrare che vi sia un’area della superficie esterna della parte 1 che non è ricoperta, ma ciò è dovuto solo al fatto che il disegno è schematico; infatti, secondo il presente trovato, è preferibile che l’intera superficie della parte di pezzo di quarzo sia ricoperta di uno strato riflettente, di quarzo e/o d’oro, per limitare al massimo che energia termica sia dispersa nell’ambiente; peraltro, potrebbe essere necessario lasciare scoperte piccole finestre ad esempio per misure di temperature da parte di un pirometro.

Per quanto riguarda il raffreddamento, la metà inferiore della camera di Fig.5 è raffreddata per mezzo di un flusso liquido, tipicamente acqua (in particolare è immersa in una vasca d’acqua), e la metà superiore è raffreddata per mezzo di un flusso gassoso, tipicamente aria; naturalmente, sono possibili different i disposizioni e combinazioni.

Lo strato 5 riflettente può essere ricoperto in tutto o in parte da uno strato di quarzo vetrificato; tale strato vetrificato può avere uno spessore compreso tipicamente nell’intervallo da 0,5 mm a 1,5 mm. Lo strato riflettente in quarzo e il sovrastante strato di quarzo vetrificato possono essere ottenuti con il seguente solo processo: - applicando alla camera di reazione in quarzo trasparente un impasto semi-liquido con un elevato contenuto (ad esempio superiore al 80% ed inferiore al 95%) di particelle di quarzo amorfo in dispersione (il liquido di dispersione può essere acqua o ad esempio alcool), poi

- essiccando l’impasto applicato, poi

- sinterizzando a caldo l’impasto essiccato, poi

- vetrificando superficialmente l’impasto sinterizzato solo fino ad una predeterminata profondità ad esempio mediante una fiamma o un laser;

naturalmente, occorrerà applicare abbastanza impasto per realizzare sia lo strato riflettente in quarzo che lo strato di quarzo vetrificato. Lo strato vetrificato permette di proteggere lo strato riflettente sottostante sia dal punto di vista chimico che dal punto di vista meccanico; pertanto, se si realizza uno strato vetrificato di ottima qualità, è anche possibile porre lo strato riflettente sull’interno della parte di pezzo cavo di quarzo, il che riduce ulteriormente l’energia termica dispersa nell’ambiente.

La camera di Fig.5 comprende anche due flange 7 in corrispondenza degli estremi del pezzo cavo di quarzo, in particolare della parte 1. La parte 1 è fatta di quarzo trasparente, in particolare trasparente alla luce visibile, ma anche a quella infrarossa.

Le flange 7 sono fatte di quarzo opaco, in particolare opaco (ossia che non lascia passare e quindi che in parte riflette ed in parte assorbe) alla luce visibile, ma anche a quella infrarossa.

In Fig.6, è mostrato un suscettore 14 a forma di tronco di piramide; il suscettore 14 è supportato e fatto ruotare da opportuni mezzi non mostrati in questa figura; il suscettore 14 presenta dei lievi recessi sulle sue facce laterali atti ad alloggiare substrati e non mostrati in questa figura; inoltre, questa figura evidenzia la zona 13 di reazione e deposizione; è da notare infine che il suscettore 14 non fa parte della camera.

La camera di Fig.6 differisce da quella di Fig.4 per il fatto di comprendere uno strato 15 riflettente atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse dal suscettore 14 nell’intervallo di lunghezza d’onda da 1'000 nm a 10'000 nm, preferibilmente da 1'500 nm a 3'000 nm; lo strato 15 riflettente è fatto di un materiale a base di quarzo ed è applicato alla parte 11; lo strato 15 riflettente si estende parzialmente anche sulla parte 19.

Lo strato 15 di Fig.6 ha le stesse caratterist iche dello strato 5 di Fig.5 e può essere realizzato nello stesso modo.

Nell’esempio di Fig.6, lo strato 15 riflettente è situato sull’esterno della parte 11 e la ricopre completamente.

Per quanto riguarda il raffreddamento, la camera di Fig.6 è raffreddata solo per mezzo di un flusso gassoso, tipicamente aria. La camera di Fig.6 comprende anche due flange 17 in corrispondenza degli estremi del pezzo cavo di quarzo, in particolare in corrispondenza dell’estremo inferiore della parte 11 e dell’estremo superiore della parte 19.

La parte 11 e la parte 19 sono fatte di quarzo trasparente, in particolare trasparente alla luce visibile, ma anche a quella infrarossa.

Le flange 17 sono fatte di quarzo opaco, in part icolare opaco alla luce visibile, ma anche a quella infrarossa.

Nei due esempi di realizzazione descrizione con riferimento a Fig.5 e Fig.6, lo strato riflettente in quarzo è applicato ad una parte del pezzo cavo di quarzo che costituisce essenzialmente la camera di reazione. In alternativa o in aggiunta, secondo il presente trovato, lo strato riflettente in quarzo può essere applicato ad un componente di quarzo della camera con lo scopo di riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse dal suscettore; ad esempio, nel caso di Fig.5, potrebbe essere previsto un componente di quarzo costituito da un disco forato posto all’interno della zona 3 sotto al suscettore 4 e dotato di uno strato riflettente in quarzo.

Da quanto detto, è evidente che vi sono molte possibilità di posizionare lo strato riflettente.

Le camere di reazione come quelle appena descritte sono vantaggiosamente utilizzate e comprese soprattutto nei reattori epitassiali.

Claims (10)

1. RIVENDICAZIONI 1. Camera di reazione di un reattore epitassiale che consiste essenzialmente di un pezzo cavo di quarzo, in cui detto pezzo cavo di quarzo comprende una parte (1; 11) di pezzo di quarzo avente forma di cilindro o prisma o cono o piramide ed un foro (2; 12) passante assiale ricavato in detta parte (1; 11) di pezzo di quarzo, in cui detta parte (1; 11) di pezzo di quarzo è atta a definire secondo due di tre direzioni una zona (3; 13) di reazione e deposizione e ad alloggiare almeno un suscettore (4; 14) da riscaldare all’interno di detto foro (2; 12) passante assiale, detta camera essendo caratterizzata dal fatto di comprendere uno strato (5; 15) riflettente atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse da detto suscettore (4; 14) nell’intervallo di lunghezza d’onda da 1'000 nm a 10'000 nm, preferibilmente da 1'500 nm a 3'000 nm, in cui detto strato (5; 15) riflettente è fatto di un materiale a base di quarzo ed in cui detto strato (5; 15) riflettente è applicato a detta parte (1; 11) di pezzo di quarzo e/o ad un componente di quarzo di detta camera di reazione.
2. 2. Camera di reazione secondo la rivendicazione 1, in cui detto strato (5; 15) riflettente è situato sull’interno e/o sull’esterno di detta parte (1; 11) di pezzo di quarzo.
3. 3. Camera di reazione secondo la rivendicazione 1 o 2, in cui detto strato (5; 15) riflettente ricopre in tutto o in parte detta parte (1; 11) di pezzo di quarzo.
4. 4. Camera di reazione secondo la rivendicazione 1 o 2 o 3, in cui detto strato riflettente è ricoperto in tutto o in parte da uno strato di quarzo vetrificato.
5. 5. Camera di reazione secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 4, caratterizzata dal fatto che detta parte (1) di pezzo di quarzo è dotata di uno altro strato (6) riflettente atto a riflettere indietro le radiazioni infrarosse emesse da detto suscettore (4), detto altro strato (6) riflettente essendo fatto di un materiale a base di oro.
6. 6. Camera di reazione secondo la rivendicazione 5, in cui detti strati riflettenti (5, 6) ricoprono detta parte (1) di pezzo di quarzo in aree dist inte.
7. 7. Camera di reazione secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 6, in cui detta parte (1; 11) di pezzo di quarzo è fatta di quarzo trasparente.
8. 8. Camera di reazione secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 7, caratterizzata dal fatto di comprendere flange (7; 17) in corrispondenza degli estremi di detto pezzo cavo di quarzo, in cui dette flange (7; 17) sono fatte di quarzo opaco.
9. 9. Camera di reazione secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 8, caratterizzata da essere atta ad essere raffreddata mediante almeno un flusso gassoso o liquido.
10. 10. Reattore epitassiale caratterizzato dal fatto di comprendere una camera di reazione secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti da 1 a 9.