IT950376B - Metodo per la formazione di uno strato semiconduttore epitassia le con una superficie liscia - Google Patents
Metodo per la formazione di uno strato semiconduttore epitassia le con una superficie lisciaInfo
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- H10P14/2911—
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- H10P14/265—
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- H10P14/3421—
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| US15482471A | 1971-06-21 | 1971-06-21 |
Publications (1)
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|---|---|
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Family
ID=22552952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| IT22092/72A IT950376B (it) | 1971-06-21 | 1972-03-18 | Metodo per la formazione di uno strato semiconduttore epitassia le con una superficie liscia |
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Families Citing this family (3)
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