IT1258487B - Procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivi a semiconduttore con esse prodotti - Google Patents

Procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivi a semiconduttore con esse prodotti

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IT1258487B
IT1258487B ITRM920687A IT1258487B IT 1258487 B IT1258487 B IT 1258487B IT RM920687 A ITRM920687 A IT RM920687A IT 1258487 B IT1258487 B IT 1258487B
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Oggetto dell'invenzione è un procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivo a semiconduttore da esse derivati, in cui le fette o i dispositivo a semiconduttore vengono sottoposti ad un trattamento termico a temperature elevate ma sufficientemente basse perché la concentrazione del ferro risulti altamente superiore alla concentrazione di saturazione, per un tempo sufficientemente lungo perché si abbia una diffusione del ferro fino a siti ove il ferro fuoriesce dalla soluzione solida in qualsiasi punto del dispositivo a semiconduttore, evitando nello stesso tempo la formazione di altri difetti.
IT92RM687 1992-09-23 1992-09-23 Procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivi a semiconduttore con esse prodotti IT1258487B (it)

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