IT1258487B - Procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivi a semiconduttore con esse prodotti - Google Patents
Procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivi a semiconduttore con esse prodottiInfo
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Abstract
Oggetto dell'invenzione è un procedimento per migliorare il tempo di vita dei portatori di minoranza in fette di silicio o in dispositivo a semiconduttore da esse derivati, in cui le fette o i dispositivo a semiconduttore vengono sottoposti ad un trattamento termico a temperature elevate ma sufficientemente basse perché la concentrazione del ferro risulti altamente superiore alla concentrazione di saturazione, per un tempo sufficientemente lungo perché si abbia una diffusione del ferro fino a siti ove il ferro fuoriesce dalla soluzione solida in qualsiasi punto del dispositivo a semiconduttore, evitando nello stesso tempo la formazione di altri difetti.
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1992
- 1992-09-23 IT IT92RM687 patent/IT1258487B/it active IP Right Grant
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