HUT76992A - Method of making radio frequency identification tags - Google Patents

Method of making radio frequency identification tags Download PDF

Info

Publication number
HUT76992A
HUT76992A HU9701699A HU9701699A HUT76992A HU T76992 A HUT76992 A HU T76992A HU 9701699 A HU9701699 A HU 9701699A HU 9701699 A HU9701699 A HU 9701699A HU T76992 A HUT76992 A HU T76992A
Authority
HU
Hungary
Prior art keywords
wire
semiconductor chip
substrate
connection
cut
Prior art date
Application number
HU9701699A
Other languages
Hungarian (hu)
Inventor
Michael John Brady
Thomas Anthony Cofino
Harley Kent Heinrich
Glen Walden Johnson
Paul Andrew Moskowitz
Philip Murhpy
George Frederick Walker
Original Assignee
International Business Machines Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corporation filed Critical International Business Machines Corporation
Publication of HUT76992A publication Critical patent/HUT76992A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06KGRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K7/00Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns
    • G06K7/08Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes
    • G06K7/082Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors
    • G06K7/083Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors inductive
    • G06K7/086Methods or arrangements for sensing record carriers, e.g. for reading patterns by means detecting the change of an electrostatic or magnetic field, e.g. by detecting change of capacitance between electrodes using inductive or magnetic sensors inductive sensing passive circuit, e.g. resonant circuit transponders
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12Supports; Mounting means
    • H01Q1/22Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2208Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems
    • H01Q1/2225Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems used in active tags, i.e. provided with its own power source or in passive tags, i.e. deriving power from RF signal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01QANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q7/00Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0555Shape
    • H01L2224/05552Shape in top view
    • H01L2224/05554Shape in top view being square
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015Cross-sectional shape being circular
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48475Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48639Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48655Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48739Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48744Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48747Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48755Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48817Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48824Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48839Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48844Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48847Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485Material
    • H01L2224/48505Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48855Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7855Mechanical means, e.g. for severing, pressing, stamping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512Aligning
    • H01L2224/85148Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518Translational movements
    • H01L2224/85181Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85203Thermocompression bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85385Shape, e.g. interlocking features
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85417Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/85424Aluminium (Al) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85439Silver (Ag) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85444Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85447Copper (Cu) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399Material
    • H01L2224/854Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85455Nickel (Ni) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/98Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01015Phosphorus [P]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901Structure
    • H01L2924/1904Component type
    • H01L2924/19041Component type being a capacitor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20Parameters
    • H01L2924/207Diameter ranges
    • H01L2924/20752Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/30107Inductance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)

Abstract

A radio frequency tag and its antenna structure are manufactured using wire bonding. A semiconductor chip is placed and attached upon an organic film substrate. The antenna consisting of one or more thin wires is created on the substrate and connected to contacts on the chip using a wire bonding machine. Alternate embodiments using a plurality of semiconductors on a strip of substrate are also disclosed. The chip may be protected with encapsulant and the chip and antenna combination may be sealed between layers of organic film.

Description

PÉLDÁNY^COPIES ^

Eljárás rádiófrekvenciás azonosító toldalék előállítására huzalkötő technológia alkalmazásával. Egy félvezető csipet szerves film hordozóra helyezünk és azon rögzítünk. Az antenna egy vagy több vékony huzalból áll, amelyet a hordozón hozunk létre és a félvezető csipen lévő csatlakozásokhoz csatlakoztatunk huzalkötő gép alkalmazásúval. Alternatív kiviteli alakok egyetlen hordozó szalagon több félvezető csipet használnak fel. A félvezető csípek tokozó anyaggal védhetők, és a félvezető csip-antenna kombinációt szerves filmrétegek közé tömören betokozhatjuk.A method for producing a radio frequency identification tag using wire binding technology. A semiconductor chip is placed and fixed on an organic film carrier. The antenna consists of one or more thin wires, which are formed on a substrate and connected to the connections on the semiconductor chip using a wire binding machine. Alternative embodiments utilize multiple semiconductor chips on a single carrier tape. Semiconductor chips can be protected by a wrapping material and the semiconductor chip antenna combination can be encapsulated between organic film layers.

• · · ρ9701699• · · ρ9701699

Eljárás rádiófrekvenciás azonosító toldalék előállításáraMethod for Generating a Radio Frequency Identification Tag

KÖZZÉTÉTELIDISCLOSURE

PÉLDÁNYCOPIES

A találmány tárgya rádiófrekvenciás (RF) toldalékolásra vonatkozik, pontosabban olyan kisméretű, olcsó, rádiófrekvenciás toldalék előállítására alkalmas eljárásra, mely toldalék információs bitsorozat átvitelére szolgál.BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to radio frequency (RF) tagging, more particularly to a method for producing a small, cheap radio frequency tag that transmits a tag information bit sequence.

Az elektronikus áramköröket általában nyomtatott áramköri lapokon vagy flexibilis hordozókon építik fel. A nyomtatott áramköri lapok epoxi műgyanta vagy epoxi üveg anyagú lapok lehetnek, ahol az ilyen lapokra vonatkozó egyik általános osztály közismert nevén az FR4-es osztály. Egy másik lehetséges megoldás szerint flexibilis hordozókat használnak, amelyek poliamidon lévő réz struktúrákat foglalnak magukban. Ezeket az áramköröket elsősorban gépjárművekben, szórakoztató elektronikai berendezésekben és általában kapcsolatok megvalósításánál használják.Electronic circuits are usually built on printed circuit boards or flexible media. Printed circuit boards may be made of epoxy resin or epoxy glass, where one of the generic classes for such boards is commonly known as class FR4. Alternatively, flexible substrates which include copper structures on a polyamide are used. These circuits are used primarily in automotive, consumer electronics, and generally for connecting.

A félvezető áramköri elemek közismert néven csípek jól ismert technológia szerint ún. huzalkötéssel (wirebonding) csatlakoznak a nyomtatott áramköri laphoz vagy flexibilis hordozóhoz. Ezek a huzalkötések igen vékony, 25 gm nagyságrendű átmérőjű és igen rövid huzalokból állnak. A huzalkötésekhez használt egyes huzal hossza általában 1 mm nagyságrendű, és ezt a hosszúságot több, alább felsorolt ok indokolja:Semiconductor circuits are commonly known as chips, according to well-known technology known as "chips". wirebonding to a printed circuit board or a flexible substrate. These wires consist of very thin wires of 25 gm diameter and very short wires. The length of each wire used for wire joints is generally of the order of 1 mm and this length is justified by several reasons listed below:

1) A kis huzal átmérő erősen legyengíti a huzalt.1) The small wire diameter strongly weakens the wire.

2) Általában egy áramköri elemet sok huzallal kell bekötni, és a hosszabb huzalok megnövelnék a villamos rövidzár veszélyét.2) Generally, a circuit element must be wired with many wires, and longer wires would increase the risk of electrical short circuit.

3) A huzalok hosszúságának a megnövelése mind a huzalok önindukcióját mind kölcsönös indukcióját megnöveli, ami csökkenti az áramkör villamos teljesítményét.3) Increasing the length of the wires increases both the self-induction and mutual induction of the wires, which reduces the electrical power of the circuit.

A rádiófrekvenciás azonosítás (Rádió Frequency Identification, RFID) csupán az egyik technológia a tárgyak azonosítására szolgáló számos ismert technológia közül. A rádiófrekvenciás azonosító rendszer lelke egy információ hordozó toldalékban van, amely egy bázisállomástól kapott kódolt rádiófrekvenciás jelre válaszolva lép működésbe. A toldalék a beeső rádiófrekvenciás vivőjelet visszaveri, pontosabban visszaküldi a bázisállomáshoz. Az • · ·Radio Frequency Identification (RFID) is just one of many known technologies for identifying objects. The heart of the radio frequency identification system is an information carrier tag that operates in response to an encoded radio frequency signal received from a base station. The tag reflects the incoming radio frequency carrier signal, and more accurately sends it back to the base station. The • · ·

-2információ úgy kerül átvitelre, hogy a toldalék a visszavert szignált előre programozott információs protokolljának megfelelően modulálja.-2 information is transmitted such that the tag modulates the reflected signal according to a pre-programmed information protocol.

A toldalék rádiófrekvenciás áramköri elemeket, logikát és memóriát tartalmazó félvezető csipből áll. A toldalékhoz tartozik továbbá antenna, gyakran különálló alkatrészek, kapacitások, diódák, aktív toldalékok esetében telep, az alkatrészeket tartó hordozó, az alkatrészek közötti kapcsolatot megvalósító kötések, valamint valamilyen fizikai védelmet biztosító burok. A toldalékok egy másik csoportja, nevezetesen a passzív toldalékok nem rendelkeznek teleppel, hanem energiájukat a lekérdezésükre használt rádiófrekvenciás jelből nyerik. A rádiófrekvenciás azonosító toldalékokat általában a különálló elemek nyomtatott áramköri lapra történő szerelésével gyártják. Ezt vagy rövid huzalkötésekkel vagy a lap és az áramköri elemek közötti forrasztott kötésekkel valósítják meg. A nyomtatott áramköri lap vagy kerámia, vagy epoxi-üvegszál összetételű lehet. Az antennát általában az áramköri lapra forrasztott vezetékhurkok alkotják, vagy a nyomtatott áramköri lapon kimart vagy felvitt fém minta. Az egész szerelvényt műanyag házba tokozzák, vagy háromdimenziós műanyag tömbbe kiöntik.The tag consists of a semiconductor chip containing radio frequency circuitry, logic, and memory. The attachment also includes an antenna, often with separate parts, capacities, diodes, active attachments, a battery, a carrier for the parts, joints between the parts, and a cover that provides some physical protection. Another group of tags, namely passive tags, do not have a battery, but derive their energy from the radio frequency signal used to query them. Radio frequency identification tags are usually manufactured by mounting individual elements on a printed circuit board. This is accomplished either by short wire joints or by solder joints between the board and the circuit elements. The printed circuit board may be either ceramic or epoxy glass fiber. The antenna is usually made up of wire loops soldered to the circuit board, or a metal pattern etched or applied to the printed circuit board. The whole assembly is encased in a plastic housing or molded into a three-dimensional plastic block.

Jóllehet a rádiófrekvenciás azonosító technológia még nem terjedt el olyan széles körben, mint más azonosító technológiák, például a vonalkód rendszer, néhány jelentős területen, elsősorban mozgó objektumok, gépjárművek azonosításánál rohamos elterjedésére lehet számítani.Although RFID technology is not as widespread as other identification technologies, such as the bar code system, it can be expected to spread rapidly in some significant areas, primarily for identifying moving objects and vehicles.

A rádiófrekvenciás azonosító módszer elterjedését elsősorban a toldalékok gyártását szolgáló infrastruktúra hiánya, a toldalékok viszonylag magas önköltsége, a legtöbb toldalék terjedelmessége, az érzékenységgel és a hatósugárral kapcsolatos problémák, valamint sok toldalék egyidejű olvasási igénye gátolták. Egy jelenlegi ismereteink szerinti toldalék megközelítőleg 900-1800 forintba kerül. A gyártó cégek elsősorban célorientált alkalmazásokra helyezték a gyártás során a fö hangsúlyt. Néhány ismert megoldást vasúti kocsi azonosítására használnak, és előszeretettel kezdik alkalmazni a rádiófrekvenciás azonosító toldalékokat napjainkban az automatikus díjlerovó iparágakban, például fizető útszakaszoknál, hidaknál, stb. A rádiófrekvenciás toldalékokat jelenleg is tesztelik, érintkezés nélküli menetjegyek szerepkörében, amelyeket a tömegközlekedésben lehetne tömegesen használni. Ugyancsak rá• ·The lack of infrastructure for the production of tags, the relatively high cost of tags, the bulk of most tags, sensitivity and range issues, and the need to read many tags at the same time, have hampered the spread of RFID. According to our current knowledge, the tag will cost approximately 900-1800 HUF. The manufacturing companies focused primarily on goal-oriented applications during production. Some known solutions are used to identify railcars, and are now beginning to be used in RFID tags in automated tolling industries, such as toll roads, bridges, and the like. Radio frequency tags are currently being tested in the role of contactless tickets, which could be used massively in public transport. Also • ·

-3diófrekvenciás azonosító toldalékokat használnak alkalmazottak azonosító és beléptető jelvényeként valamint biztonsági jelvényekként. Ugyancsak kereskedelmi forgalomban kaphatók olyan rádiófrekvenciás azonosító rendszerek, amelyek például állatok azonosítására szolgálnak, vagy termékeknek a gyártósoron való nyomon követését teszik lehetővé.-3directory frequency identification tags are used as employee identification and access badges and security badges. Radio frequency identification systems are also commercially available, such as those used for animal identification or for tracking products on the production line.

A rádiófrekvenciás azonosító toldalékok nyomtatott áramköri lapokból vagy rugalmas hordozóból történő gyártásának egyik nem elhanyagolható korlátja az, hogy előbb mindenképpen a flexibilis hordozót vagy a nyomtatott áramköri lapot kell előállítani. Nagyon nagy mennyiségű toldalékokhoz, például százmilliót meghaladó darabszámú toldalékhoz előbb új gyárakat kell építeni ahhoz, hogy ki lehessen elégíteni a toldalék gyártók nyomtatott áramköri lap vagy hordozó igényét. Ezen túlmenően az ezzel a technológiával előállított rádiófrekvenciás toldalékok számos alkalmazáshoz túlságosan drágának bizonyulnak. Például a vonalkódos azonosító rendszer olyan technológia, amelyek a létező és ismert rádiófrekvenciás toldalékos azonosító technológia bekerülési költségénél sokkal olcsóbban meg lehet valósítani és alkalmazni lehet.One of the not-insignificant limitations of manufacturing RFID tags from printed circuit boards or flexible substrates is that they must first produce a flexible substrate or printed circuit board. For very large volumes of attachments, such as over a hundred million pieces of attachments, new factories must first be built to meet the needs of the printed circuit board or carrier manufacturers of the attachments. In addition, radio frequency tags produced by this technology prove too expensive for many applications. For example, a barcode identification system is a technology that can be implemented and deployed at a much lower cost than existing and known RFID tagging technology.

A WO 93/18 493 számú szabadalmi leírás olyan rádiófrekvenciás detektáló vagy azonosító címke előállítására vonatkozó eljárást ismertet, mely címkével viszonylag nagy észlelési távolságot érik el a lehető legkevesebb alkatrész felhasználásával. Ez azt jelenti, hogy adott esetben ferromágneses antenna tekercsre valamint integrált áramkört tartalmazó lapkára van szükség. Az antennatekercs szigetelt huzalmenetekből áll, melyek közvetlenül, hordozó vagy átvezető keret nélkül a lapkához vannak csatlakoztatva.WO 93/18493 discloses a method for producing a radio frequency detection or identification tag that achieves a relatively long detection distance using as few components as possible. This means that a ferromagnetic antenna coil and an integrated circuit chip may be required. The antenna coil consists of insulated wire threads that are directly connected to the insert without a carrier or conductor frame.

Célunk ezért egy a jelenleginél lényegesen jobb képességekkel és tulajdonságokkal rendelkező rádiófrekvenciás azonosító rendszer, pontosabban azonosító toldalék létrehozása. Ezen belül célunk egy javított, olcsó rádiófrekvenciás azonosító toldalék előállítása, amely közönséges tömegtermelési anyagokból gyártható. Célunk továbbá olyan javított rádiófrekvenciás azonosító toldalék létrehozása, amelyet gazdaságosan és nagyon nagy mennyiségben tudunk gyártani.It is therefore our intention to provide a radio frequency identification system with significantly better capabilities and properties than the present one, more specifically an identification tag. Within this, we aim to provide an improved, inexpensive radio frequency identification tag that can be manufactured from ordinary mass-produced materials. It is also our object to provide an improved RFID tag that can be manufactured economically and in very large quantities.

Találmányunk összefoglalva olyan újszerű rádiófrekvenciás toldalék, amely logikai áramkört, memóriát és rádiófrekvenciás áramköröket magában foglaló félvezető áramkört , tar-4talmaz. A félvezető áramkör hordozón van felerősítve és alkalmas rádiófrekvenciás jelek vételére a fövezető áramkörhöz az azon kiképzett csatlakozásokon keresztül kapcsolódó antennájával.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a novel radio frequency tag which contains a semiconductor circuit comprising logic, memory, and radio frequency circuits. The semiconductor circuitry is mounted on a carrier and is capable of receiving radio frequency signals through an antenna connected to the main circuit by means of its dedicated connections.

A kitűzött feladat megoldása során olyan eljárást vettünk alapul rádiófrekvenciás azonosító toldalék előállítására, amelynek során a találmány értelmében szerves hordozóhoz félvezető csipet erősítünk, a félvezető csip első és második csatlakozást, memóriát és egy rádiófrekvenciás jel meghatározott frekvenciával történő modulálásához logikai fokozatot tartalmaz, egy első huzal egyik végét huzalkötöző berendezéssel a félvezető csip első csatlakozásához erősítjük, az első huzalt a huzalkötöző géppel egy első hosszúságra letekercseljük, az első huzalt a szerves hordozóhoz hozzáerősítjük, az első huzal első végét egy első hosszúságnál levágjuk, majd egy második huzal első végét a félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző gép felhasználásával, a második huzalt a huzalkötöző géppel egy második hosszúságúra letekercseljük, a második huzalt a szerves hordozóhoz hozzáerősítjük, és a második huzalt második hosszúságnál levágjuk, és az első huzallal és a második huzallal a meghatározott frekvenciájú jelet vevő antennát képez, ahol a jelet a félvezető csip logikai fokozata modulálja és a modulált jelet az antenna kisugározza.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a radio frequency identification tag comprising attaching a semiconductor chip to an organic carrier according to the present invention, comprising a first and a second connection, memory and a logic step for modulating a radio frequency signal attaching its end to a first length of the semiconductor chip by means of a wire binding device, winding the first wire to a first length with the wire binding machine, attaching the first wire to the organic substrate, cutting the first end of the first wire at a first length, and securing it using a wire binding machine, winding the second wire to a second length with the wire binding machine, the second wire to the organic substrate and the second wire is cut off at a second length and forms with the first wire and the second wire an antenna for receiving a signal having a specific frequency, where the signal is modulated by the logic stage of the semiconductor chip and radiated by the antenna.

A találmány szerinti eljárás egy előnyös foganatosítási módja értelmében az első és második huzal első és második hosszúsága megegyezik a meghatározott frekvencia negyed hullámhosszúságával.In a preferred embodiment of the method according to the invention, the first and second lengths of the first and second wires are equal to a quarter wavelength of the specified frequency.

A találmány szerinti eljárás egy további előnyös kiviteli alakja értelmében a félvezető csipet és az első és második csatlakozást tokozó anyaggal bevonjuk, amelynek során tokozóanyagként epoxit, szilikont vagy polimer anyagot magában foglaló bármilyen tokozó anyagot használunk.According to a further preferred embodiment of the process according to the invention, the semiconductor chip and the first and second connections are coated with a encapsulating material using any encapsulating material comprising epoxy, silicone or polymeric material.

Ugyancsak előnyös a találmány értelmében, ha a félvezető csipet csiprögzítő ragasztóval erősítjük a hordozóhoz, ahol a csiprögzítő ragasztó akrilt, szilikont és uretánokat magában foglaló bármilyen ragasztó lehet.It is also advantageous according to the invention to attach the semiconductor chip to the substrate using adhesive, whereby the adhesive can be any adhesive comprising acrylic, silicone and urethanes.

Előnyös a találmány értelmében továbbá, ha a félvezető csipet a hordozó hevítésével vagy a félvezető csip hevítésével erősítjük a hordozóhoz, és a huzalokat huzalrögzítő ragasztóval ··· ·It is also advantageous according to the invention to attach the semiconductor chip to the substrate by heating the substrate or by heating the semiconductor chip and the wires with a wire fixing adhesive ··· ·

-5vagy a hordozó hevítésével vagy a huzalok hevítésével erősítjük a hordozóhoz, ahol a huzalrögzítő ragasztó epoxit, szilikont és fenolos vajsavat magában foglaló bármely ragasztó is lehet.-5 either attached to the substrate by heating the substrate or by heating the wires, wherein the wire fixing adhesive may be any adhesive comprising epoxy, silicone and phenolic butyric acid.

Ugyancsak előnyös, ha a hordozót, a félvezető csipet és az első és második huzalt poliésztert és polietilént is magában foglaló bármilyen szerves filmként előállított egyetlen rétegű szerves felső burkolattal borítunk, és a hordozóhoz, a félvezető csiphez és az első és második huzalhoz hevítéssel van rögzítve.It is also preferred that the substrate, the semiconductor chip and the first and second wire polyesters and polyethylene are covered with a single layer organic topcoat made of organic film and bonded to the substrate, the semiconductor chip and the first and second wires by heating.

Fentieken túlmenően előnyös, ha a szerves felső burkolatnak egy külső rétege és egy belső rétege van, ahol a külső réteget szerves film, a belső réteget pedig fedő ragasztó alkotja, és az utóbbi nyomásérzékeny fedőragasztó és a szerves felső burkolat hevítéssel valamint nyomással van a hordozóhoz, a félvezető csiphez és a huzalokhoz erősítve, és a fedő ragasztó etilvinilacetátot tartalmazó kopolimer vagy akrilokat, szilikonokat és uretánokat tartalmazó ragasztó.In addition, it is advantageous for the organic topsheet to have an outer layer and an inner layer, wherein the outer layer is an organic film and the inner layer is a cover adhesive and the latter is pressure sensitive topsheet and the organic topsheet is heated and pressurized to the substrate, attached to semiconductor chips and wires, and the topcoat adhesive is a copolymer containing ethyl vinyl acetate or an acrylic, silicone and urethane adhesive.

Előnyös továbbá a találmány értelmében, ha a hordozó tetejét hozzáerősített szerves felső burkolattal takarjuk le, és a hordozó alját hozzáerősített alsó fedéllel borítjuk be.It is also preferred according to the invention to cover the top of the support with an attached organic top cover and to cover the bottom of the support with an attached lower cover.

A kitűzött feladat megoldása során továbbá olyan eljárást vettünk alapul, rádiófrekvenciás toldalék előállítására, amelynél a találmány értelmében szerves hordozóhoz félvezető csipet erősítünk, a félvezető csip első és második csatlakozást, memóriát és egy rádiófrekvenciás jel meghatározott frekvenciával történő modulálásához logikai fokozatot tartalmaz, egy első huzal első végét huzalkötöző berendezéssel félvezető csip első csatlakozásához erősítjük, az első huzalt a huzalkötöző géppel egy első hosszúságra letekercseljük, az első huzalt a szerves hordozóhoz hozzáerősítjük, az első huzal első végét egy első hosszúságnál levágjuk, majd egy második huzal második végét a félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző gép felhasználásával, a második huzalt a huzalkötöző géppel egy második hosszúságúra letekercseljük, a második huzal másik levágott végén a hordozón lévő második csatlakozási helyhez erősítjük, és a második huzalt a második hosszúságnál levágjuk, és az első huzallal és a második huzallal meghatározott frekvenciájú jelet vevő antennát képe• · ·The present invention further provides a method for producing a radio frequency tag comprising attaching a semiconductor chip to an organic carrier in accordance with the present invention, comprising a first and a second connection of a semiconductor chip, memory and a logic step for modulating a radio frequency signal securing the end to a first connection of a semiconductor chip with a wire binding device, winding the first wire to a first length with the wire binding machine, securing the first wire to the organic substrate, cutting off the first end of the first wire at a first length and then securing the second using a wire wrapping machine, the second wire is wound with the wire wrapping machine to a second length, the other cut end of the second wire being is attached to the second connection point on the support, and the second wire is cut off at the second length, and the antenna receives a signal having a specific frequency with the first wire and the second wire.

-6zünk, ahol a jelet a félvezető csip logikai fokozata moduláljuk és a modulált jelet az antenna kisugározzuk.-6, wherein the signal is modulated by the logic degree of the semiconductor chip and the modulated signal is radiated by the antenna.

A kitűzött feladat megoldása során fentieken túlmenően olyan eljárást vettünk alapul rádiófrekvenciás toldalék előállítására, amelynek során a találmány értelmében szerves hordozóból készült szalaghoz legalább három félvezető csipet erősítünk, ahol mindegyik félvezető csípnek első és második csatlakozása, memóriája valamint rádiófrekvenciás jelet meghatározott frekvenciával moduláló logikai fokozata van, egy első huzal első végét huzalkötöző géppel egy első félvezető csipen kialakított első csatlakozáshoz erősítünk, az első huzalt a huzalkötöző géppel első hosszúságúra kiengedjük, az első huzal első levágott végét huzalkötöző géppel egy második félvezető csipen lévő második csatlakozáshoz erősítjük, a huzalt első hosszánál első levágott végénél elvágjuk, majd egy második huzal második végét az első félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző géppel és a huzalkötöző géppel a második huzalt második hosszúságúra letekercseljük, továbbá a második huzal másik levágott végét huzalkötöző géppel egy harmadik félvezető csipen kiképzett első csatlakozáshoz erősítjük, és a második huzalt a második hosszúságon második levágott végénél levágjuk és az első huzalt az első félvezető csip és a második félvezető csip között elvágjuk és a második huzalt az első félvezető csip és a harmadik félvezető csip között elvágjuk, ahol az első és második huzal a meghatározott frekvencián jelet fogadó antennát alkot, és a jelet a félvezető csip logikai fokozata modulálja és a modulált jelet az antennán át kisugározza.In addition, the present invention is based on a method for producing a radio frequency tag comprising attaching at least three semiconductor chips to an organic carrier tape according to the present invention, wherein each of the semiconductor chips has first and second terminals, memory, and log frequency modulated RF signals. securing the first end of a first wire to a first connection on a first semiconductor chip with a wire binding machine, releasing the first wire to a first length with the wire binding machine, and securing the first cut end of the first wire to a first connection on a second terminal on a second semiconductor chip; cut and then secure the second end of a second wire to the second connection of the first semiconductor chip with a wire binding machine and winding the second wire to a second length with the wire wrapping machine, and securing the other cut end of the second wire to a first connection on a third semiconductor chip, and cutting the second wire at the second cut end at the second length and the first wire at the first semiconductor cutting between the second semiconductor chip and the second wire between the first semiconductor chip and the third semiconductor chip, wherein the first and second wires form an antenna receiving a signal at a specific frequency, and the signal is modulated by the logic stage of the semiconductor chip and radiate through.

A kitűzött feladat megoldása során továbbá olyan eljárást vettünk alapul rádiófrekvenciás toldalék előállítására, amelynek során a találmány értelmében első és második csatlakozást, memóriát valamint rádiófrekvenciás jelet meghatározott frekvenciával moduláló logikai fokozatot tartalmazó félvezető csipet szerves hordozóhoz erősítünk, egy huzal első végét a félvezető csipen kiképzett első csatlakozáshoz erősítjük huzalkötöző géppel, a huzalkötöző géppel az első huzalt egy vagy több huzalvezető körül vezetve letekercseljük, a huzal levágott végét huzalkötöző géppel a félvezetőn kialakított második csatlakozáshoz erősítjük, és a huzalt a második csatlakozásnál elhelyezkedő levágott vége távolságában levágjuk, ahol a huzallal a megadott frekvencián jelet vevő hajtogatott dipólus antennát alakítunk ki, és a jelet a félvezető csip logikai fokozatával moduláljuk és a modulált jelet az antennával kisugározzuk.The present invention further provides a method for making a radio frequency tag, the first and second terminals of a wire being attached to an organic substrate according to the present invention by attaching a first semiconductor chip to an organic substrate comprising a first and a second connection, memory and a logic stage modulating a frequency. securing with a wire binding machine, winding the first wire through one or more wire guides with a wire binding machine, securing the cut end of the wire to a second connection in the semiconductor, and terminating the wire at the second connection in receiving a folded dipole antenna and modulating the signal with the logic stage of the semiconductor chip and modulating the signal with the ant we radiate it with food.

• ΊΑ. találmány szerinti eljárás egy előnyös foganatosítási módja értelmében a félvezető csípnek két vagy több pár első és második csatlakozása van, és a félvezető csip hordozóhoz erősítésétől a huzal levágásáig teijedő lépéseket minden egyes csatlakozás pár esetében megismételjük egynél több hajtogatott dipólus antenna létrehozása céljából.• ΊΑ. According to a preferred embodiment of the method according to the invention, the semiconductor chip has two and more pairs of first and second connections, and the steps from attaching the semiconductor chip to the carrier to cutting the wire are repeated for each pair of connections to create more than one folded dipole antenna.

A találmány szerinti eljárás egy további előnyös foganatosítási módja értelmében a huzalt megvezető vezetőcsap a hordozóból kiemelkedő vezetőcsap, vagy a hordozóval ideiglenesen kapcsolatban álló vezetőcsap vagy a hordozóba bevágott fül, amelyet levegőáram vagy mechanikus csap emel ki a hordozó síkjából a huzalkötöző géppel alávezetett huzal rögzítésére.In another preferred embodiment of the method of the invention, the wire guide pin is a guide pin protruding from the substrate, or a guide pin temporarily engaged with the substrate or raised in the substrate by an air stream or mechanical pin to secure the wire guided down the wire.

A kitűzött feladat megoldása során fentieken túlmenően olyan eljárást vettünk alapul több rádiófrekvenciás toldalék előállítására, amelynek során a találmány szerint legalább négy félvezető csipet szerves hordozó szalagra erősítünk tömbszerűen, ahol mindegyik félvezető csípnek első, második, harmadik és negyedik csatlakozása van, valamint memóriát és meghatározott frekvenciájú rádiófrekvenciás jelet moduláló logikai fokozatot tartalmaz, egy első huzal első végét egy első félvezető csip első csatlakozásához rögzítünk huzalkötöző géppel, az első huzalt a huzalkötöző géppel első hosszúságra leengedjük, az első huzal első levágott végét egy második félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző géppel, a huzalt az első levágott végéig érő első távolságnál levágjuk, egy második huzal második végét az első félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző géppel, a második huzalt a huzalkötöző géppel egy második hosszúságúra leengedjük, és a második huzal második levágott végét egy harmadik félvezető csipen lévő első csatlakozáshoz erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, és a második huzalt a második levágott végénél lévő második távolságban levágjuk, egy harmadik huzal harmadik végét az első csip harmadik csatlakozásához erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, és a harmadik huzalt a huzalkötöző géppel egy harmadik hosszúságra leengedjük, és a harmadik huzal harmadik levágott végét egy negyedik félvezető csip negyedik csatlakozásához erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, és a harmadik huzalt a harmadik levágott végénél harmadik hosszúságnál levágjuk, majd egy negyedik huzal negyedik végét az első félvezető csip negyedik csatlakozásához erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, a negyedik huzalt a huzalkötöző gép segítségével negyedik hosszúságúra letekercseljük, a negyedik huzal negyedik levágott végét a hordozó összekötő . ···. ......In addition, the present invention is based on a method for producing a plurality of radio frequency tags in which at least four semiconductor chips according to the present invention are arrayed on an organic carrier tape, each of the semiconductor chips having first, second, third and fourth connections, memory and comprising a logic stage modulating the RF signal, securing the first end of a first wire to a first connection of a first semiconductor chip with a wire binding machine, lowering the first wire to a first length with the wire binding machine, securing the first cut end of the first wire to the second connection of a second semiconductor chip cutting at the first distance to the first cut end, securing the second end of a second wire to the second connection of the first semiconductor chip the second wire is lowered to a second length by the wire wrapping machine, and the second cut end of the second wire is secured to the first connection on a third semiconductor chip by the wire wrapping machine, and the second wire is cut at a second distance at the second cut end, securing the third end to the third connection of the first chip with the wire-binding machine and lowering the third wire with the wire-binding machine to a third length and securing the third cut end of the third wire to the fourth connection of a fourth semiconductor chip using the wire-binding machine; cut at the cut end at a third length, and then fix the fourth end of a fourth wire to the fourth connection of the first semiconductor chip using a wire rope machine, the fourth wire to the wire rope machine using the fourth length is unwound, the fourth wire fourth cut end of the carrier connector. ···. ......

•......... . · ;• .......... ·;

-8csatlakozásához erősítjük, és a negyedik huzalt negyedik hosszúságban negyedik levágott végénél levágjuk, és az első huzalt az első és a második félvezető csip között elvágjuk, a második huzalt az első és a harmadik félvezető csip között elváguk, és a harmadik huzalt az első és negyedik félvezető csip között elvágjuk, ahol az első, második, harmadik és negyedik huzalok két antennát (1020, 1030) képeznek, amelyekkel a meghatározott frekvencián jeleket veszünk, a félvezető csip logikai fokozatával a jeleket moduláljuk, és a modulált jeleket az antennával kisugározzuk.-8, and cutting the fourth wire at the fourth cut end of the fourth length and cutting the first wire between the first and second semiconductor chips, the second wire between the first and third semiconductor chips, and the third wire at the first and fourth cutting between semiconductor chips, the first, second, third and fourth wires forming two antennas (1020, 1030) for receiving signals at a specified frequency, modulating the signals with the logic stage of the semiconductor chip and transmitting the modulated signals with the antenna.

Előnyös a találmány szerinti eljárás olyan foganatosítási módja, mely szerint a hordozón az összekötő csatlakozás egy ötödik félvezető csipen lévő csatlakozás, és a negyedik huzalt az első és az ötödik félvezető csip között vágjuk el.A preferred embodiment of the method according to the invention is that the connecting connection on the substrate is a connection on a fifth semiconductor chip and the fourth wire is cut between the first and fifth semiconductor chips.

Előnyös végül, ha mindkét antenna azonos hosszúságú két-két huzalból áll.Finally, it is preferred that both antennas consist of two wires of the same length.

A találmányt az alábbiakban a csatolt rajz segítségével ismertetjük részletesebben, amelyen a rádiófrekvenciás azonosító toldalék előállítására javasolt eljárás példakénti foganatosítási módját és az azzal előállított toldalék néhány példakénti kiviteli alakját tüntettük fel. A rajzon azThe invention will now be described in more detail with reference to the accompanying drawing, which illustrates an exemplary embodiment of a method for producing a radio frequency identification tag and some exemplary embodiments of the tag produced by it. In the drawing it is

1. ábra a találmány szerinti eljárás egy lehetséges foganatosítási módjának lépéseit mutatja be folyamatábra segítségével, aFigure 1 illustrates the steps of a possible embodiment of the process of the invention by means of a flowchart, a

2A-2K. ábrán az 1. ábra kapcsán ismertetett eljárással létrehozott rádiófrekvenciás toldalék különböző gyártási fázisai, illetve a toldalék különböző készültségi fokozatai láthatók, a2A-2K. Figures 1A and 2 illustrate the various stages of manufacture of the radio frequency tag created by the method described in Figure 1 and the various stages of completion of the tag;

3A-3E. ábrák3A-3E. Figures

4A-4B. ábrákon az eljárás különböző lépéseinek lehetséges megvalósításaira adnak példát, a olyan rádiófrekvenciás toldalék felülnézete ill. oldalnézete, amelyet az antennavezetékek felöli végén fém csatlakozással láttunk el, az4A-4B. FIGS. 6A to 5B illustrate possible embodiments of the various steps of the method, a top plan view and an embodiment of a radio frequency tag. A side view of the antenna wires with a metal connector at the end

A és 5B. ábrán folyamatos szalagként kialakított rádiófrekvenciás toldalékokat mutatunk be egyszeres illetve az 5B. ábrán többszörös kivitelben,A and 5B. Figure 5B illustrates radio frequency tags formed as continuous strips in single and in Figure 5B. Figure 2 is a multiple embodiment,

·· · ··· · ·

-9amelyeket keresztirányú elvágással képezhetünk ki különálló rádiófrekvenciás azonosító toldalékokká, a-9, which can be formed by transverse cut-off into individual RFID tags,

6. ábra késpenge sorral különálló rádiófrekvenciás azonosító toldalék szegmensekké vágandó legyártott toldalék szalag oldalnézete, aFigure 6 is a side view of a manufactured tag strip to be cut into individual RFID tag segments with a knife blade row,

7. ábrán hurokantenna gyártásánál gyártási segédletként alkalmazott csap látható, amely körül az antennát hurokalakban elvezetjük, aFigure 7 illustrates a pin used for manufacturing a loop antenna, around which the antenna is guided in a loop shape,

8. ábra a hordozóba bemunkált, ugyancsak a hurokantenna megvezetésére szolgáló csapot mutat, aFig. 8 shows a pin inserted into the carrier and also for guiding the loop antenna;

9. ábrán a hordozó anyagából kihajlított fület mutatunk be, amely alá tudjuk az antennát alkotó huzalt beszorítani, és aFig. 9 shows a tab bent out of the carrier material under which the wire forming the antenna can be clamped and

10. ábra szerves burkolatok közé laminált, két hurokantennával ellátott rádiófrekvenciás toldalék szendvicsszerű felépítését mutatja.Fig. 10 shows a sandwich structure of a radio frequency extension with two loop antennas laminated between organic enclosures.

Az 1. ábrán a találmány szerinti javasolt eljárás egy általunk előnyösnek vélt foganatosítási módjának lépéseit tüntettük fel, amely magában foglalja a 205 félvezető csip előkészítését, a huzalkötést és a tokozást is.Figure 1 illustrates the steps of an embodiment of the preferred method of the present invention which includes preparation of the semiconductor chip 205, wire bonding and enclosure.

110 lépésben félvezető csipet helyezünk szerves 210 hordozóra, és ahhoz hozzáerősítjük (lásd a 2. ábrát is). Egy előnyös foganatosítási mód értelmében 205 félvezető csip rádiófrekvenciás 205 félvezető csip. Ehhez hasonló szerkezeti kialakítások ismerhetők meg az US 08/303,976 bejelentési számú szabadalmi leírásból, amelyet Rádió azonosító toldalék címen 1994. szeptember 9-én jelentettünk be és jelen leírásunkban teljes tartalmát referenciaként tekintjük.In step 110, a semiconductor chip is placed on and attached to the organic substrate 210 (see also FIG. 2). In a preferred embodiment, the semiconductor chip 205 is a radio frequency semiconductor chip 205. Similar structures are known from U.S. Patent Application Serial No. 08 / 303,976, filed September 9, 1994, entitled Radio Identification Tag, the entire contents of which are hereby incorporated by reference.

A 205 félvezető csip (2A. ábra) alkatrész-behelyező 202 berendezéssel kerül a 210 hordozóra. A 202 berendezés a félvezető gyártó iparban ismert és elterjedten használt berendezés, részletesebb bemutatást nem igényel. A 205 félvezető csipet a 110 lépésben különféle előnyös eljárásokkal tudjuk a 210 hordozóhoz erősíteni. Elsősorban a 205 félvezető csipet ragasztóval rögzíthetjük a 210 hordozóhoz. Erre a célra javasolt ragasztók közé soroljuk aThe semiconductor chip 205 (Fig. 2A) is applied to the substrate 210 by a component insertion device 202. Equipment 202 is a well-known and widely used equipment in the semiconductor manufacturing industry and does not require any further description. The semiconductor chip 205 can be attached to the substrate 210 by various preferred methods. In particular, the semiconductor chip 205 may be glued to the substrate 210. Recommended adhesives for this purpose are:

-10nyomásérzékeny ragasztóanyagokat, például az akrilokat, szilikonokat, uretánokat, és stb. A ragasztót ragasztóadagoló géppel visszük fel a 210 hordozóra. Egy másik lehetséges megoldás értelmében a 205 félvezető csip és a 210 hordozó közé epoxi csöppet juttathatunk el. A 205 félvezető csípnek a 210 hordozóhoz való hozzáerősítésére egy másik előnyös eljárás szerint a 210 hordozót céleszközzel, például 212 hevítőbakkal melegíthetjük. A 212 hevítőbakot közvetlenül hozzáérintkeztethetjük a 210 hordozó aljához, amely a 210 hordozó másik oldalán helyezkedik el, mint ahová a 205 félvezető csipet rögzíteni szeretnénk. Dy módon a 210 hordozó hevítése során részben megfolyik, ragacsossá válik úgy, hogy a 205 félvezető csipet könnyen be tudjuk rögzíteni a megfolyt területbe. Egy másik ugyancsak előnyös megvalósítás szerint magát a 205 félvezető csipet hevítjük. Ezt megvalósíthatjuk úgy is, hogy a 205 félvezető csipet ráhelyezzük a 210 hordozóra, majd magát a 205 félvezető csipet hevítjük lokálisan, minek hatására a 210 hordozó a 205 félvezető csip alatt megfolyik vagy megolvad, és hozzáragad a 205 félvezető csiphez. A 205 félvezető csip hevítését például 206 lézer berendezéssel vagy más ismert megoldás szerint oldhatjuk meg. A 205 félvezető csip felerősítésére szolgáló ragasztó a 210 hordozón kialakított 211 rétegként is kiképezhető. Az adott szakterületen ilyen célra használt más összeerősítési módokat is felhasználhatunk az említett két elem összeerősítésére.-10 pressure sensitive adhesives such as acrylics, silicones, urethanes, and the like. The adhesive is applied to the substrate 210 by an adhesive dispensing machine. Alternatively, an epoxy drop may be introduced between the semiconductor chip 205 and the substrate 210. According to another preferred method of attaching the semiconductor pin 205 to the substrate 210, the substrate 210 may be heated by a target means, such as a heating block 212. The heating rod 212 may be directly contacted with the bottom of the substrate 210 located on the other side of the substrate 210 where the semiconductor chip 205 is to be mounted. Thus, during heating of the substrate 210, it partially flows and becomes sticky so that semiconductor chip 205 can be easily fixed in the flow region. In another equally preferred embodiment, the semiconductor chip 205 itself is heated. This may also be accomplished by placing the semiconductor chip 205 on the substrate 210 and then heating the semiconductor chip 205 locally, causing the substrate 210 to flow or melt under the semiconductor chip 205 and adhere to the semiconductor chip 205. The heating of the semiconductor chip 205 may be effected, for example, by a laser device 206 or by other known means. The adhesive for attaching the semiconductor chip 205 may also be formed as a layer 211 formed on the substrate 210. Other joining methods used in the art for this purpose may also be used to join the two elements together.

A 200 félvezető csípnek legalább két villamos 207, 208 csatlakozása van, amelyeket egy rádiófrekvenciás antennával való kapcsolat létrehozására használunk. Az antennát az elektromos 207, 208 csatlakozásokhoz erősítjük hozzá, és újszerű módon huzalkötéssel állítjuk elő, (lásd a 2B. ábrát). Egy előnyös antenna kialakításnál 120 lépésben huzalkötözö szerszámot használva egy első antenna csatlakozást erősítünk az első 207 csatlakozáshoz. Az ennél a műveletnél használt szerszámok alkalmasak ultrahangos kötések, golyós kötések, lézeres kötések, termokompressziós kötések, forrasztásos kötések, vagy ezek kombinációja megvalósítására.The semiconductor pin 200 has at least two electrical connections 207, 208 which are used to establish a connection to a radio frequency antenna. The antenna is attached to the electrical terminals 207, 208 and is fabricated in a novel way by wire bonding (see Figure 2B). In a preferred antenna configuration, a first antenna connection is secured to the first connection 207 in step 120 using a wire binding tool. The tools used in this operation are suitable for performing ultrasonic joints, ball joints, laser joints, thermocompression joints, solder joints, or a combination thereof.

130 lépésben az antennaként felhasznált 131, 132 huzalt a 2C. ábrán látható módon kiegyenesítjük, miután létrehoztuk az első csatlakozást. Ebben a lépésben több 131, 132 huzalt tekerünk le illetve egyenesítünk ki, mint a korábbi ismert megoldásoknál, mivel a letekert 131, 132 huzalt magát használjuk fel a találmány szerinti toldalék antenna alkatrészeként. A letekert 131, 132 huzal hosszát a rezonáns antenna frekvencia határozza meg.In step 130, the wires 131, 132 used as the antenna are shown in FIG. 4a, after the first connection has been made. In this step, more wires 131, 132 are unwound or straightened than in the prior art because the unwound wire 131, 132 itself is used as part of the extension antenna according to the invention. The length of the unwound wire 131, 132 is determined by the frequency of the resonant antenna.

··'. S· Σ” .·' ··*.·· '. S · Σ ”. ·’ ·· *.

·' ·’*- ’·«·-» ·«. <er * . * ·· '·' * - '· «· -» · «. < er *. * ·

-11 Még mindig a 130 lépésben a 131, 132 huzalt a huzalkötöző szerszám fejének mozgásával és mozgási sebességének figyelembe vételével kell szabályozott módon letekemünk úgy, hogy a letekert 131, 132 huzal nehogy túlságosan megnyúljon. Ez a huzalkötözés területén rövid, azaz 1-3 mm-nyi feltekercselt 131, 132 huzal esetében általános gyakorlat, találmányunk esetében azonban ez a szabályozás megkívánja, hogy nagyobb távolságokon is kifogástalanul menjen végbe. Ezen túlmenően bizonyos esetekben a fejet le kell lassítanunk a 131, 132 huzal betápláláshoz képest úgy, hogy az antenna komponens kialakítása során görbét vagy hurkot tudjunk kialakítani. Ez a megoldás 10-1000 mm közötti hosszúságú antennák létrehozására alkalmas.11 In step 130, the wire 131, 132 still has to be wound in a controlled manner by the movement and speed of the head of the wire binding tool so that the unwound wire 131, 132 is not stretched too far. This is a common practice in the field of wire bonding, that is to say, 1-3 mm of coiled wire 131, 132, but in the present invention, this control requires that it be performed over longer distances. In addition, in some cases, the head may need to be retarded relative to the wire feed 131, 132 so that a curve or loop can be formed during the design of the antenna component. This solution is suitable for antennas with a length of 10-1000 mm.

140 lépésben az első 131, 132 huzal másik végét levágjuk és a 131, 132 huzal levágott végét csatlakoztatás nélkül szabadon hagyjuk. A levágást bármilyen ismert módszerrel végrehajthatjuk, beleértve a 213 késes, a pengés elvágást, mechanikus elszakítást, mechanikus lecsípést, lézeres átvágást, stb. Az 1. ábra 150, 160 és 170 lépéseiben a második 131, 132 huzalnál megismételjük az eddig ismertetett 120, 130 és 140 lépéseket.In step 140, the other end of the first wire 131, 132 is cut off and the cut end of the wire 131, 132 is left unattached. Cutting can be accomplished by any known method, including 213 blades, blade cutting, mechanical tearing, mechanical cutting, laser cutting, and the like. In Steps 150, 160 and 170 of Figure 1, the second wire 131, 132 repeats steps 120, 130 and 140 previously described.

A 131, 132 huzalok levágott végét különböző módokon tudjuk a kívánt helyeken megtartani illetve rögzíteni (130 és 160 lépések). A 131, 132 huzal levágott vége például az alá beiktatott kis 169 ragasztócsöppel rögzíthető a 210 hordozón (lásd a 2D. és 2G. ábrákat is). A 169 ragasztócsöppet 168 fúvókával adagoljuk ki. A 131, 132 huzal másik végét úgy is rögzíthetjük, hogy magát a 210 hordozót helyileg felmelegítjük azon a helyen, ahol a 131, 132 huzal vége elhelyezkedik, és az ebben az állapotban egyszerűen beragad a 210 hordozó anyagába. A 210 hordozó helyi hevítése jól ismert módszer, és hevítőszerszámmal vagy fókuszált 236 lézersugárral csupán kis, meghatározott területen valósítható meg. A ragasztáshoz használt ragasztók ugyancsak ismertek, ezek közé tartoznak a különböző epoxi anyagok, szilikonok és a fenolos vajsav. Leszögezzük, hogy a 131, 132 huzalt a 130 és a 160 lépésben a 140 és 170 lépésben végrehajtott levágást megelőzően, vagy más azt követően is rögzíteni tudjuk. Ha a 131, 132 huzal végét a levágást követően rögzítjük, a 131, 132 huzal levágott végét ideiglenesen rá tudjuk nyomni a 210 hordozóra, mielőtt ahhoz hozzáerösítenénk.The cut ends of the wires 131, 132 can be held or secured in various ways at desired locations (steps 130 and 160). For example, the cut end of the wire 131, 132 may be secured to the substrate 210 by a small adhesive drop 169 attached thereto (see also Figures 2D and 2G). The adhesive drop 169 is dispensed with 168 nozzles. The other end of the wire 131, 132 may also be secured by heating the substrate 210 itself locally at the point where the end of the wire 131, 132 simply sticks to the substrate 210 material. Local heating of substrate 210 is a well-known technique and can only be accomplished with a heating tool or focused laser beam 236 in a small, defined area. Adhesives used for gluing are also known, including various epoxy materials, silicones and phenolic butyric acid. It is noted that the wires 131, 132 can be fastened in steps 130 and 160 before or after steps 140 and 170. If the end of the wire 131, 132 is fixed after being cut off, the cut end of the wire 131, 132 can be temporarily pressed onto the substrate 210 before being attached thereto.

• ·• ·

- 12Α 131, 132 huzal levágott végének a 210 hordozón való rögzítésére alkalmas további módszer értelmében a 131, 132 huzalt felhevíthetjük úgy, hogy (2E. ábra), hogy a levágott vég forrósodik fel annyira, hogy a 210 hordozóval éritkezve abba beleolvad. A 131, 132 huzalt 231 helyen 237 induktív fűtéssel hevíthetjük, de melegíthetjük 235 ellenállás fűtéssel, 236 lézer fűtéssel vagy bármely más, erre a célra alkalmas módon. Egy alternatív megoldás szerint a 210 hordozónak a 131, 132 huzal alatti részét hevíthetjük fel úgy, hogy a 131, 132 huzal egy része, vagy pedig egésze ennek hatására beágyazódik a 210 hordozóba. Ezt a hatást úgy is elérhetjük, hogy magát a 131, 132 huzalt melegítjük, és a felmelegített 131, 132 huzalt 246 nyomás kifejtésével részben vagy teljesen benyomjuk a 210 hordozóba. Ezt a 2F. ábra tanúsága szerint úgy is elérhetjük, hogy a 210 hordozót alulról 212 hevítőbakkal felmelegítjük úgy, hogy a 131, 132 huzal hozzáragad a 210 hordozónak a meglágyult részéhez. Ezen túlmenően természetesen a 246 nyomáskifejtő eszközt is melegíthetjük, például 235 ellenállás fűtéssel úgy, hogy a 131, 132 huzalra nyomás és hő egyidejűleg hat, és ennek hatására ágyazódik be a 210 hordozóba.According to a further method of fixing the cut end of the wire 12Α 131, 132 on the substrate 210, the wire 131, 132 may be heated so that the cut end becomes hot so that it melts on contact with the substrate 210. Wire 131, 132 may be heated at position 231 by inductive heating 237, but may be heated by resistance heating 235, laser heating 236, or any other suitable means. Alternatively, a portion of the substrate 210 below the wire 131, 132 may be heated so that some or all of the wire 131, 132 is thereby embedded in the substrate 210. This effect can also be achieved by heating the wire 131, 132 itself and pushing the heated wire 131, 132 into the substrate 210, partially or completely, by applying pressure 246. This is illustrated in FIG. It can also be achieved by heating the substrate 210 from below with a heating block 212 such that the wire 131, 132 adheres to the softened portion of the substrate 210. In addition, of course, the pressure relief device 246 may be heated, for example by heating the resistor 235, so that the wire 131, 132 is simultaneously subjected to pressure and heat and is thereby embedded in the substrate 210.

Megjegyezzük, hogy a fenti lépések végrehajtása során egynél több 131 vagy 132 huzalt is hozzá tudunk egyetlen 208 vagy 207 csatlakozáshoz erősíteni, le tudunk tekerni, hozzá tudjuk erősíteni a 210 hordozóhoz majd a felesleges részt le tudjuk vágni. Ebben az esetben a különböző 131, 132 huzalok egymáshoz képest különböző irányokban húzódnak a 210 hordozón.Note that in carrying out the above steps, more than one wire 131 or 132 may be attached to a single connection 208 or 207, unwound, attached to the substrate 210, and the excess portion may be trimmed. In this case, the different wires 131, 132 extend on the substrate 210 in different directions relative to one another.

Az 1. ábra 180 lépésében a 205 félvezető csipet a 2H ábrán bemutatott módon védő tokozással látjuk el. 281 adagoló fuvóka 282 tokozóanyag csöppet juttat a 205 félvezető csip felületére, amely így védő 283 bevonatot hoz létre. A 282 tokozóanyag lehet valamilyen epoxi anyag, szilikon vagy más polimer anyag. Egy előnyös kiviteli alak értelmében a 282 tokozóanyag áttetsző, ezzel védi a 205 félvezető csip fényre érzékeny áramköri részeit.In step 180 of Figure 1, the semiconductor chip 205 is provided with a protective housing as shown in Figure 2H. The dispensing nozzle 281 applies a drop of encapsulant 282 to the surface of the semiconductor chip 205, thereby forming a protective coating 283. The encapsulating material 282 may be an epoxy material, silicone material or other polymeric material. In a preferred embodiment, the encapsulant 282 is translucent, thereby protecting the photosensitive circuit portions of the semiconductor chip 205.

190 lépésben az elkészített 205 félvezető csip és antenna struktúrát szerves (alsó) 293 burkolat és (felső) 294 burkolat közé tokozzuk (21. ábra) görgős laminátor használatával, amely a szendvicsszerűen összeállított szerkezetet fűtött 295 és 296 görgők között vezeti át. A szerves 293, 294 fedél egyetlen poliészter, polietilén vagy más, hő hatására meglágyítható szerves filmből álló réteg. Egy előnyös kiviteli alak értelmében a film két rétegből áll- 13 hat, méghozzá kopolimer etilvinilacetátból készült belső 297 rétegből, valamint egy poliészterből készült külső 298 rétegből. Egy alternatív kiviteli alak értelmében csupán egyetlen réteget, például felső 294 burkolatot alakítjuk ki.In step 190, the finished semiconductor chip and antenna structure 205 is encapsulated between an organic (lower) housing 293 and an (upper) housing 294 (Fig. 21) using a roller laminator which passes the sandwich assembly between heated rollers 295 and 296. The organic lid 293, 294 is a single layer of polyester, polyethylene or other thermoplastic organic film. In a preferred embodiment, the film may consist of two layers, namely an inner layer 297 made of copolymer ethyl vinyl acetate and an outer layer 298 made of polyester. In an alternative embodiment, only a single layer, such as an upper cover 294, is provided.

A 3. ábrán a 331 huzal elhelyezését (3 A. ábra), kötését (3B. és 3C. ábrák, letekerését (3D. ábra) valamint levágását (3E. ábra) mutatjuk be. A 3A. ábrán a 331 huzalt 305 félvezető csip 307 érintkezésére helyezzük, amely a 210 hordozóhoz kötődik. A 3B. ábrán a 331 huzalt 334 ultrahangos energia felhasználásával hozzákötjük a 307 csatlakozáshoz. A 3C. ábrán a 333 kötést befejeztük, és a 332 kötözőfejet visszahúzzuk a felülettől, miközben a 3D. ábrán látható módon 331 huzalt tekerünk ki belőle. A 3E. ábrán a 331 huzalt az előre meghatározott hosszánál 340 késpengével levágjuk.Figure 3 illustrates the positioning (Fig. 3A), binding (Figures 3B and 3C, unwinding (Fig. 3D) and cutting (Fig. 3E) of wire 331. In Fig. 3A, wire 331 is a semiconductor chip 305. 307, which is bonded to substrate 210. In Figure 3B, wire 331 is bonded to connection 307 using ultrasonic energy 334. In Figure 3C, bond 333 is completed and retractor 332 is withdrawn from the surface, as shown in Figure 3D. Wire 331 is wound therefrom, and in Figure 3E, wire 331 is cut at a predetermined length with a blade 340.

A 4A. és 4B. ábrán a találmány szerinti 400 toldalék olyan kialakítását tüntettük fel, amelynél a 431 és 432 huzalok fémes 445 és 446 csatlakozásokhoz kapcsolódnak. A 4A. ábrán bemutatott felülnézet azt mutatja, ahogy a szerves 410 hordozón a 405 félvezető csip 431 és 432 huzalokkal hogyan van a 445 és 446 csatlakozókhoz kapcsolva, a 4B. ábra ugyanezt mutatja, de oldalnézetben.4A. 4B and 4B. 4A and 4B illustrate an embodiment of an extension 400 according to the present invention wherein the wires 431 and 432 are connected to metallic connections 445 and 446. 4A. Fig. 4B illustrates how semiconductor chip 405 on organic substrate 410 is connected to terminals 445 and 446 by means of wires 431 and 432; Figure 4A shows the same but in side view.

A 445 és 446 csatlakozások az antennaként használt 431 és 432 huzalok levágott végeinek rögzítésére szolgál. A 445 és 446 csatlakozók aranyból, ezüstből, alumíniumból, rézből, nikkelből vagy ezek ötvözeteiből készülhetnek. Ezek a 410 hordozón vagy más megfelelő anyagon, (például szilíciumon vagy más fémen) vékony rétegként helyezhetők el, amely a 410 hordozó felületéhez van rögzítve. Egy előnyös kiviteli alak értelmében a 445 és 446 csatlakozókhoz az antenna 431 és 432 huzalvégeken kívül semmi más nem kapcsolódik.Connections 445 and 446 serve to fix the cut ends of wires 431 and 432 used as antennas. Connectors 445 and 446 can be made of gold, silver, aluminum, copper, nickel or alloys thereof. They may be applied to the substrate 410 or other suitable material (e.g., silicon or other metal) as a thin layer affixed to the surface of the substrate 410. In a preferred embodiment, nothing other than the antenna wire ends 431 and 432 is connected to the connectors 445 and 446.

Az 5A. ábra szerves 502 hordozón elrendezett 505, 515, 525 félvezető csipekből álló folyamatos 500 szalagot mutat, amelyek első és második 507, 508 csatlakozásaihoz antennaként használt 531, 532 huzalok kapcsolódnak. Az 531, 532 huzalok mindegyike fél hullámhosszúság hosszú. A 2. és 3. ábrákon bemutatott csatlakoztatási és lezárási műveleteket követően az 501 toldalékokból álló 500 szalagot 541, 542, 543, stb. szegmensekké vágjuk 561 késpenge segítségével, 551 és 552 szaggatott vonalakkal bejelölt határolóvonalak mentén. Egy előnyös kiviteli alak esetében az 561 késpengével végzett metszések félúton helyezked-5A. Fig. 6A shows a continuous strip 500 of semiconductor chips 505, 515, 525 arranged on an organic substrate 502, the wires 531, 532 being used as antennas for the first and second terminals 507, 508. The wires 531, 532 are each half wavelength long. Following the attachment and closure operations shown in FIGS. 2 and 3, the tape 500 500 of the extensions 501 is 541, 542, 543, and so on. cut into segments using knife blades 561 along the boundary lines marked with dashed lines 551 and 552. In a preferred embodiment, the blades 561 are bladed midway-

- 14nek el az 505, 515, 525 félvezető csípek között, így a közöttük maradó és kettévágott 533, 534, 535, 536, stb. huzaldarabok mindegyike negyed hullámhosszúság hosszú lesz.14 between the semiconductor chips 505, 515, 525, such as 533, 534, 535, 536, etc., which are interrupted and cut between them. each piece of wire will be a quarter wavelength.

Az 5B. ábrán gyakorlatilag az 5A. ábrán bemutatott 500 szalag olyan változatát tüntettük fel, amelyen egymás mellett szerves 502 hordozón 550, 560, 570, 580, 590 félvezető csípek húzódnak hármas sorban, melyek első és második 551 és 553, 561 és 563, 571 és 573, 574 és 575, 577 és 578 csatlakozásokhoz valamint harmadik és negyedik 552 és 554, 562 és 564, 594 és 595, 581 és 583, 591 és 593 csatlakozásukhoz a már ismertetett módon huzalok csatlakoznak. Egy előnyös kiviteli alak esetében az511,512, 513 és 514 huzalok mindegyike fél hullámhosszúság hosszú. A 2. és 3. ábrán bemutatott rögzítési és lezárási műveleteket követően az 501 toldalékokból álló félkész terméket 561 késpengével 522, 523, 524, stb. szaggatott vonalak mentén különálló 517, 518, 519, 520, 521, stb. szegmensekké daraboljuk. Egy ugyancsak előnyös kiviteli alak esetében az 561 késpengével létrehozott vágási vonalak az 550, 560, 570, 580, 590 félvezető csípek között félúton helyezkednek el, és így a közöttük húzódó, ily módon elvágott 556, 565, 566, 576, 567, 568 stb. huzal szegmensek mindegyike negyed hullámhosszúság hosszú lesz. Egy másik előnyös kiviteli alak esetében az 52, 523, 524, stb. vágásokat egyidejűleg, több, összerendezett 561 késpenge segítségével képezhetjük ki.5B. FIG. 5A, 5A, 5B, 510, 570, 570, 590, 590 are illustrated in a series of strips 500, 550, 560, 570, 580, 590 on organic substrate 50 in triples of first and second 551 and 553, 561 and 563, 571 and 573, 574 and 575, respectively. Wires 577 and 578 as well as third and fourth connections 552 and 554, 562 and 564, 594 and 595, 581 and 583, 591 and 593 are connected as described above. In a preferred embodiment, the wires 511,512, 513 and 514 each have a half wavelength. Following the fastening and closing operations shown in Figures 2 and 3, the semi-finished product 501 of the extensions 501 is blade 522, 523, 524, and so on. separate dashed lines 517, 518, 519, 520, 521, etc. along dashed lines. segments. In a further preferred embodiment, the cutting lines formed by the blade blade 561 are located halfway between the semiconductor chips 550, 560, 570, 580, 590 and thus cut 556, 565, 566, 576, 567, 568 and so on between them. . each wire segment will be a quarter wavelength long. In another preferred embodiment, 52, 523, 524, and so on. cuts can be made simultaneously by means of a plurality of aligned knife blades 561.

A félvezető csípek (pl. az 590 félvezető csip) mindegyike rendelkezik egy olyan huzallal (jellemzően az 593A huzallal), amely sem valamilyen csatlakozáshoz, sem másik félvezető csiphez nem kapcsolódik. Dyen esetekben ennek az 593A huzalnak a vége bármely korábban ismertetett módszerrel rögzíthető az 502 hordozón. Egy előnyös kiviteli alak értelmében az 593A huzalt az 502 hordozón 4. ábrán látható módon kialakított csatlakozáshoz (jellemzően 593B csatlakozáshoz) csatlakoztathatjuk. Figyeljük meg továbbá, hogy az 5B. ábrán három csipsort találunk, (melyek közül egyetlen sor megegyezik az 5 A. ábrán bemutatott szalaggal), azonban az egyes sorok száma aszerint változhat, hogy az 502 hordozóra egymás mellé hány ilyen szalagot tudunk kiképezni.Each of the semiconductor chips (e.g., the 590 semiconductor chip) has a wire (typically the 593A wire) that is not connected to any connection or other semiconductor chip. In such cases, the end of this 593A wire may be secured to substrate 502 by any of the methods previously described. In a preferred embodiment, the wire 593A may be connected to a connector (typically connector 593B) formed on carrier 502 as shown in Figure 4. Note also that FIG. 3A, three rows (one of which is the same as the ribbon shown in FIG. 5A), but the number of each row may vary according to the number of such ribbons that can be formed side by side on the carrier 502.

A 6. ábrán rádiófrekvenciás toldalék 610 szalag oldalnézete látható, amelyet 640 és 641 késpengék 650 vágási síkokban különálló 611, 612, 613 szegmensekké darabolnak fel.Fig. 6 is a side view of a radio frequency tag strip 610, which is cut into individual segments 611, 612, 613 by cutting blades 640 and 641 in cutting planes 650.

• · · • · · * ·· · ♦• · · • · · * ·· · ♦

-15Α 7. ábrán hurokantenna 700 gyártásának azt a részletét tüntettük fel, amikor ideiglenes megvezető 720 csap segítségével hurokantennát képezünk ki. A 720 vezetőcsap 750 Iesülylyesztéssel simul rá a 710 hordozó felületére. Miután a 730 huzalt előbb összekötöttük a 2. ábrán bemutatott 207 csatlakozással, a 730 huzalt 130 lépésnek megfelelően 740 huzalkötöző fejjel leeresztjük és eközben a 730 huzalt a 740 huzalkötöző fej végigvezeti az ideiglenes 720 vezetöcsap körül. Ezt a műveletet a 710 hordozó másik végénél tükörszerűen megismételjük, és a 730 huzalt egyik végével hozzákötjük a 2. ábrán bemutatott 208 csatlakozáshoz, hogy ily módon teljesen létrehozzuk a kívánt hurokantennát. Ezt az ideiglenes 720 vezetöcsapot ezután 751 lépésben elemeljük a 710 hordozótól, és ezzel a műveletet befejezzük. A 730 huzal a korábban leírt módszerek valamelyikével rögzíthető a 710 hordozóhoz.Fig. 7 shows a detail of the manufacture of a loop antenna 700 when a loop antenna is formed using a temporary guide pin 720. The guide pin 720 is flush with the recess 750 on the surface of the carrier 710. After the wire 730 has been previously connected to the connection 207 shown in Figure 2, the wire 730 is lowered by the wire tie head 740 in accordance with step 130, while the wire 730 is guided around the temporary guide pin 720. This operation is repeated mirrored at the other end of the carrier 710 and connected to one end of the wire 730 to the connector 208 shown in FIG. 2 to completely create the desired loop antenna. This temporary guide pin 720 is then lifted in step 751 from the carrier 710 to complete the operation. The wire 730 may be secured to the substrate 710 by one of the methods described above.

A 8. ábrán hurokantenna 800 megvalósítását tüntettük fel, azzal az eltéréssel, hogy a 7. ábrán látható ideiglenes 720 vezetőcsap helyett a 810 hordozóba beültetett 820 vezetőcsapot használunk. Miután 830 huzalt a 2. ábrán bemutatott 207 csatlakozáshoz erősítettük, 840 huzalkötözö fejjel lecsévéljük, ennek során megkerüljük vele a 810 hordozóból kiemelkedő 820 vezetőcsapot. Ezt a műveletet a 810 hordozó másik végén tükörszerűen megismételjük, majd a lecsévélt 830 huzal másik, szabad végét hozzákötjük a 2. ábra 208 csatlakozásához és ezzel létrehozzuk a kívánt hurokantennát. A 7. ábrán bemutatott kiviteli alakhoz képest eltérés az is, hogy a 820 vezetőcsap a 810 hordozón a hurokantenna létrehozása után is helyén marad.Figure 8 illustrates an embodiment of a loop antenna 800 except that the guide pin 820 implanted in the carrier 810 is used instead of the temporary guide pin 720 shown in Figure 7. After the wire 830 is secured to the connection 207 shown in Figure 2, it is unwound with a wire binding head 840, thereby bypassing the guide pin 820 protruding from the carrier 810. This operation is repeated mirror-like at the other end of the carrier 810, and the other free end of the unwound wire 830 is connected to the connection 208 of FIG. 2 to form the desired loop antenna. It is also a difference from the embodiment shown in Fig. 7 that the guide pin 820 remains in place on the carrier 810 even after the loop antenna is formed.

A 9. ábrán ugyancsak hurokantenna 900 létrehozásának vázlatát tüntettük fel, amelynél 910 hordozóba előzetesen bevágott és annak síkjából kiemelkedően kinyomott 920 vezetőfulet használunk. A 920 vezetőfulet hagyományosan, például 925 légfúvókával vagy 926 csappal hajlítjuk ki a 910 hordozó síkjából. Miután 930 huzal első végén hozzáerősítettük a 2. ábrán látható 207 csatlakozáshoz a 930 huzalt a 940 huzalkötöző fejjel lecsévéljük, és mozgatása során átvezetjük a kiemelkedő 920 vezetőnyelv alatt is. Ezt a műveletet a 910 hordozó másik végénél tükörszerűen megismételjük, és a 930 huzal másik, szabad végét a 2. ábra 208 csatlakozásához kötjük, létrehozva ily módon a hurokantennát. Ha ezt követően a 920 vezetőfuiet felnyomó mechanikus 925 fúvókát vagy 926 csapot eltávolítjuk, a 920 vezetőnyelv rugalmasan visszasüllyed, és a 930 huzalt szorosan helyzetben tartja a 910 hordozón.Figure 9 is also a schematic diagram of the construction of a loop antenna 900 using a pre-cut conductor core 920 pre-cut into the carrier 910 and protruding from its plane. Conventionally, the guide groove 920 is deflected from the plane of the carrier 910 by, for example, an air nozzle 925 or a pin 926. After attaching the wire 930 at the first end to the connection 207 of Figure 2, the wire 930 is unwound by the wire tie head 940 and is guided through the raised guide tongue 920 as it is moved. This operation is repeated mirrored at the other end of the carrier 910, and the other free end of the wire 930 is connected to the connection 208 of Figure 2, thereby forming a loop antenna. Subsequently, if the mechanical nozzle 925 or pin 926 which pushes the guide flap 920 away is removed, the guide tongue 920 is resiliently retracted and the wire 930 is held firmly in position on the support 910.

- 16Α 7-9. ábrák segítségével bemutatott eljárások némely előnyös foganatosítási módjánál a huzalt bármely más, korábban említett vagy ismertetett módon, például hő és/vagy nyomás alkalmazásával is hozzáerősíthetjük a hordozóhoz.- 16Α 7-9. In some preferred embodiments of the methods illustrated in Figures 1 to 4, the wire may be attached to the substrate by any other means, such as heat and / or pressure, as mentioned or described above.

A 10. ábrán rádiófrekvenciás 100 toldalék gyártásának befejező lépését tüntettük fel, amelynek során 1064 és 1065 nyomás alkalmazásával előbb több 1020 (és 1030) antennát hoztunk létre 1025 (és 1035) huzalok 1006 és 1008 (1007 és 1009) csatlakozásokhoz rögzítésével 1010 félvezető csipen. Ezt követően 1030 tokozó anyagot adagolunk ki, hogy az 1005 félvezető csipet és az 1006 és 1009 csatlakozásokat azzal lefedjük. Az 1040 hordozót szerves 1045 fedél alá helyezzük. Egy előnyös kiviteli alak esetében a szerves 1045 fedél külső polietilén 1060 rétegből valamint belső etilvinilacetát 1050 rétegből áll. Az összeállított csomag tömített lezárására 1064 hőt és 1065 nyomást fejtünk ki rá. Egy másik előnyös kiviteli alaknál az 1000 toldalék alá alsó 1046 fedelet helyezünk és azt az 1045 fedéllel együtt lamináljuk.Figure 10 illustrates the final step in the manufacture of a radio frequency tag 100, whereby a plurality of antennas 1020 (and 1030) were first created using 1064 and 1065 pressures by attaching wires 1025 (and 1035) to connections 1006 and 1008 (1007 and 1009). Subsequently, encapsulant material 1030 is dispensed to cover semiconductor chip 1005 and connections 1006 and 1009. The carrier 1040 is placed under an organic lid 1045. In a preferred embodiment, the organic lid 1045 comprises an outer layer of polyethylene 1060 and an inner layer of ethyl vinyl acetate 1050. 1064 heat and 1065 pressures were applied to seal the assembled package. In another preferred embodiment, a lower lid 1046 is placed underneath the splice 1000 and laminated with the lid 1045.

A fenti ismertetés alapján a szakterületen jártas, átlagos felkészültségű szakember találmányunk számos olyan ekvivalens változatát megvalósíthatja, melyek mindegyike az általunk igényelt oltalmi körbe esik. így például a 2., 3. és 5. ábrákon bemutatott módszereket olyan rádiófrekvenciás toldalékok létrehozására is felhasználhatjuk, melyek mindegyike egymáshoz képest különböző szögben (azaz nem ortogonálisán) húzódó több antennához kapcsolódik).Based on the above description, one of ordinary skill in the art will realize many equivalent embodiments of the invention, each of which is within the scope of the invention claimed. For example, the methods shown in Figures 2, 3 and 5 can also be used to generate radio frequency tags, each of which is connected to multiple antennas at different angles (i.e., non-orthogonal) to each other.

• · ·• · ·

- 17Szabadalmi igénypontok- 17 Patent claims

Claims (16)

1. Eljárás rádiófrekvenciás azonosító toldalék előállítására, azzal jellemezve, hogy szerves hordozóhoz (210) félvezető csipet (205) erősítünk, a félvezető csip (205) első és második csatlakozást (207, 208), memóriát és egy rádiófrekvenciás jel meghatározott frekvenciával történő modulálásához logikai fokozatot tartalmaz, egy első huzal (131) egyik végét huzalkötöző berendezéssel a félvezető csip (205) első csatlakozásához (208) erősítjük, az első huzalt (131) a huzalkötöző géppel egy első hosszúságra letekercseljük, az első huzalt (131) a szerves hordozóhoz (210) hozzáerősítjük, az első huzal (131) első végét egy első hosszúságnál levágjuk, majd egy második huzal (132) első végét a félvezető csip (205) második csatlakozásához (207) erősítjük huzalkötöző gép felhasználásával, a második huzalt (132) a huzalkötöző géppel egy második hosszúságúra letekercseljük, a második huzalt (132) a szerves hordozóhoz (210) hozzáerösítjük, és a második huzalt (132) második hosszúságnál levágjuk, és az első huzallal (131) és a második huzallal (132) a meghatározott frekvenciájú jelet vevő antennát képez, ahol a jelet a félvezető csip (205) logikai fokozata modulálja és a modulált jelet az antenna kisugározza.A method for producing a radio frequency identification tag, comprising: attaching a semiconductor chip (205) to an organic carrier (210), modulating the first and second connections (207, 208), memory and a frequency of a radio frequency signal with a specific frequency. comprising: stepping one end of a first wire (131) to a first connection (208) of a semiconductor chip (205) by means of a wire binding device, winding the first wire (131) with the wire binding machine to a first length, the first wire (131) 210) is attached, the first end of the first wire (131) is cut off at a first length, and the first end of a second wire (132) is secured to the second connection (207) of the semiconductor chip using a wire binding machine. machine, unwind the second wire (Fig. 13) 2) affixed to the organic substrate (210) and cut off the second wire (132) at a second length and form with the first wire (131) and the second wire (132) an antenna for receiving a signal of a specified frequency, wherein the signal is 205) is modulated by its logic stage and radiated by the antenna. 2. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy az első és második huzal (131, 132) első és második hosszúsága megegyezik a meghatározott frekvencia negyed hullámhosszúságával.Method according to claim 1, characterized in that the first and second lengths of the first and second wires (131, 132) are equal to a quarter wavelength of the specified frequency. 3. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető csipet (205) és az első és második csatlakozást (207, 208) tokozó anyaggal (283) bevonjuk, amelynek során tokozóanyagként (283) epoxit, szilikont vagy polimer anyagot magában foglaló bármilyen tokozó anyagot (283) használunk.The method of claim 1, wherein the semiconductor chip (205) and the first and second connections (207, 208) are coated with a encapsulating material (283), wherein the encapsulating material (283) comprises an epoxy, silicone or polymeric material. any encapsulating material (283) is used. 4. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető csipet (205) csiprögzítő ragasztóval erősítjük a hordozóhoz (210), ahol a csiprögzítő ragasztó akrilt, szilikont és uretánokat magában foglaló bármilyen ragasztó lehet.The method of claim 1, wherein the semiconductor chip (205) is bonded to the substrate (210), wherein the adhesive adhesive can be any adhesive comprising acrylic, silicone, and urethanes. 5. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető csipet (205) a hordozó (210) hevítésével vagy a félvezető csip (205) hevítésével erősítjük a hordozóhoz (210), és a huzalokat huzalrögzítő ragasztóval (169) vagy a hordozó (210) hevítésével vagy a huzalokThe method of claim 1, wherein the semiconductor chip (205) is bonded to the substrate (210) by heating the substrate (210) or by heating the semiconductor chip (205), and the wires are bonded with a wire fixing adhesive (169) or (210) by heating or wiring - 18(131, 132) hevítésével erősítjük a hordozóhoz (210), ahol a huzalrögzítő ragasztó (169) epoxit, szilikont és fenolos vaj savat magában foglaló bármely ragasztó is lehet.Heating (18, 131, 132) to the substrate (210), wherein the wire fixing adhesive (169) can be any adhesive comprising epoxy, silicone and phenolic butyric acid. 6. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a hordozót (210), a félvezető csipet (205) és az első és második huzalt (131, 132) poliésztert és politeilént is magában foglaló bármilyen szerves filmként előállított egyetlen rétegű szerves felső burkolattal (294) borítunk, és a hordozóhoz (210), a félvezető csiphez (205) és az első és második huzalhoz (131, 132) hevítéssel van rögzítve.The method of claim 1, wherein the substrate (210), the semiconductor chip (205), and the first and second wires (131, 132) are provided with a single layer organic topcoat which is formed as any organic film including polyester and polylene. Covered (294) and heated to the substrate (210), the semiconductor chip (205) and the first and second wires (131, 132). 7. A 6. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a szerves felső burkolatnak (294) egy külső rétege (298) és egy belső rétege (297) van, ahol a külső réteget (298) szerves film, a belső réteget (297) pedig fedő ragasztó alkotja, és az utóbbi nyomásérzékeny fedőragasztó és a szerves felső burkolat (294) hevítéssel valamint nyomással van a hordozóhoz (210), a félvezető csiphez (205) és a huzalokhoz (131, 132) erősítve, és a fedő ragasztó etilvinilacetátot tartalmazó kopolimer vagy akrilokat, szilikonokat és uretánokat tartalmazó ragasztó.The method of claim 6, wherein the organic topsheet (294) has an outer layer (298) and an inner layer (297), wherein the outer layer (298) is an organic film, the inner layer (297). comprising a topcoat adhesive, the latter pressure-sensitive topcoat and the organic topsheet (294) being heated and pressurized to the substrate (210), the semiconductor chip (205) and the wires (131, 132), and the topcoat containing ethyl vinyl acetate copolymer or adhesive containing acrylics, silicones and urethanes. 8. Az 1. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a hordozó (210) tetejét hozzáerősített szerves felső burkolattal (294) takarjuk le, és a hordozó (210) alját hozzáerősített alsó fedéllel (293) borítjuk be.The method of claim 1, wherein the top of the substrate (210) is covered by an attached organic top cover (294) and the bottom of the substrate (210) is covered by an attached lower lid (293). 9. Eljárás rádiófrekvenciás toldalék előállítására, azzal jellemezve, hogy szerves hordozóhoz (210) félvezető csipet (205) erősítünk, a félvezető csip (205) első és második csatlakozást (207, 208), memóriát és egy rádiófrekvenciás jel meghatározott frekvenciával történő modulálásához logikai fokozatot tartalmaz, egy első huzal (131) első végét huzalkötöző berendezéssel félvezető csip (205) első csatlakozásához (208) erősítjük, az első huzalt (131) a huzalkötöző géppel egy első hosszúságra letekercseljük, az első huzalt (131) a szerves hordozóhoz (210) hozzáerősítjük, az első huzal (131) első végét egy első hosszúságnál levágjuk, majd egy második huzal (132) második végét a félvezető csip (205) második csatlakozásához (207) erősítjük huzalkötöző gép felhasználásával, a második huzalt (132) a huzalkötöző géppel egy második hosszúságúra letekercseljük, a második huzal (32) másik levágott végén a hordozón (210) lévő második csatlakozási helyhez erősítjük, és a második hu··« *· • · · ·A method for producing a radio frequency tag, comprising: attaching a semiconductor chip (205) to an organic carrier (210), a first and a second connection (207, 208), a memory, and a logic stage for modulating a radio frequency signal. comprising: securing the first end of a first wire (131) to a first connection (208) of a semiconductor chip (205) by means of a wire binding device, winding the first wire (131) with a wire binding machine, the first wire (131) to the organic substrate (210) securing, cutting the first end of the first wire (131) at a first length, and securing the second end of a second wire (132) to the second connection (207) of the semiconductor chip using a wire binding machine, the second wire (132) the second wire (32) is a second sheet at its end, it is secured to the second junction on the substrate (210) and the second junction. - 19zalt (132) a második hosszúságnál levágjuk, és az első huzallal (131) és a második huzallal (132) meghatározott frekvenciájú jelet vevő antennát képezünk, ahol a jelet a félvezető csip (205) logikai fokozata moduláljuk és a modulált jelet az antenna kisugározzuk.- cutting 19 (132) at the second length and forming an antenna receiving a signal at a specified frequency with the first wire (131) and the second wire (132), wherein the signal is modulated by the logic degree of the semiconductor chip (205) and radiated. . 10. Eljárás rádiófrekvenciás toldalék előállítására, azzal jellemezve, hogy szerves hordozóból (502) készült szalaghoz (500) legalább három félvezető csipet (505, 515, 525) erősítünk, ahol mindegyik félvezető csípnek (505, 515, 525) első és második csatlakozása (507, 508), memóriája valamint rádiófrekvenciás jelet meghatározott frekvenciával moduláló logikai fokozata van, egy első huzal (531) első végét huzalkötöző géppel egy első félvezető csipen (505) kialakított első csatlakozáshoz (508) erősítünk, az első huzalt (531) a huzalkötöző géppel első hosszúságúra kiengedjük, az első huzal (531) első levágott végét huzalkötöző géppel egy második félvezető csipen (515) lévő második csatlakozáshoz (507) erősítjük, a huzalt (531) első hosszánál első levágott végénél elvágjuk, majd egy második huzal második végét az első félvezető csip (505) második csatlakozásához (507) erősítjük huzalkötöző géppel és a huzalkötöző géppel a második huzalt második hosszúságúra letekercseljük, továbbá a második huzal (532) másik levágott végét huzalkötöző géppel egy harmadik félvezető csipen (525) kiképzett első csatlakozáshoz (507) erősítjük, és a második huzalt (532) a második hosszúságon második levágott végénél levágjuk és az első huzalt (531) az első félvezető csip (505) és a második félvezető csip (515) között elvágjuk és a második huzalt (532) az első félvezető csip (505) és a harmadik félvezető csip (525) között elvágjuk, ahol az első és második huzal (531, 532) a meghatározott frekvencián jelet fogadó antennát alkot, és a jelet a félvezető csip (505, 515, 525) logikai fokozata modulálja és a modulált jelet az antennán át kisugározza.A method for producing a radio frequency tag, comprising attaching to the tape (500) of an organic carrier (502) at least three semiconductor chips (505, 515, 525), the first and second connections (505, 515, 525) of each of the semiconductor chips (505, 515, 525). 507, 508), memory, and logic stage modulating a radio frequency signal at a specific frequency, the first end of a first wire (531) is attached to a first connection (508) formed by a first semiconductor chip (505), the first wire (531) being releasing the first cut end of the first wire (531) to a second connection (507) on a second semiconductor chip (515) by a wire binding machine, cutting the wire (531) at a first cut end at a first length, and then cutting the second end of a second wire For the second connection (507) of the semiconductor chip (505), a wire rope is attached winding the second wire to a second length with a forcing machine and a wire binding machine, and securing the other cut end of the second wire (532) to a first connection (507) on a third semiconductor chip (525), and a second wire (532) cutting at the second cut end and cutting the first wire (531) between the first semiconductor chip (505) and the second semiconductor chip (515) and the second wire (532) the first semiconductor chip (505) and the third semiconductor chip (525). wherein the first and second wires (531, 532) form an antenna receiving a signal at a specified frequency, and the signal is modulated by a logic stage of the semiconductor chip (505, 515, 525) and radiates the modulated signal through the antenna. 11. Eljárás rádiófrekvenciás toldalék előállítására, azzal jellemezve, hogy első és második csatlakozást, memóriát valamint rádiófrekvenciás jelet meghatározott frekvenciával moduláló logikai fokozatot tartalmazó félvezető csipet szerves hordozóhoz erősítünk, egy huzal első végéi a félvezető csipen kiképzett első csatlakozáshoz erősítjük huzalkötöző géppel, a huzalkötözd géppel az első huzalt egy vagy több huzalvezető körül vezetve letekercseljük, a huzal levágott végét huzalkötöző géppel a félvezetőn kialakított második csatlakozáshoz erősítjük, és a huzalt a második csatlakozásnál elhelyezkedő levágott vége távolságában levágjuk, ahol a huzallal a megadott frekvencián jelet vevő hajtogatott dipólus antennát ala-20kítunk ki, és a jelet a félvezető csip logikai fokozatával moduláljuk és a modulált jelet az antennával kisugározzuk.11. A method for producing a radio frequency tag, the method comprising: attaching a first and second connection, a memory and a logic stage modifying a frequency with a specific frequency to modulating a radio frequency signal to an organic carrier, attaching the first end of a wire to the first connection formed by the semiconductor chip; winding the first wire around one or more wire guides, securing the cut end of the wire to a second connection formed on the semiconductor, and cutting the wire away from the cut end of the second connection, where the wire is output at a frequency 20 and modulating the signal by the logic stage of the semiconductor chip and radiating the modulated signal to the antenna. 12. A 11. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a félvezető csípnek két vagy több pár első és második csatlakozása van, és a félvezető csip hordozóhoz erősítésétől a huzal levágásáig terjedő lépéseket minden egyes csatlakozás pár esetében megismételjük egynél több hajtogatott dipólus antenna létrehozása céljából.The method of claim 11, wherein the semiconductor chip has two or more pairs of first and second connections, and the steps from attaching the semiconductor chip to the carrier to cutting the wire are repeated for each pair of connections to create more than one folded dipole antenna. 13. A 11. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a huzalt megvezető vezetőcsap a hordozóból kiemelkedő vezetőcsap (820), vagy a hordozóval ideiglenesen kapcsolatban álló vezetőcsap (720) vagy a hordozóba bevágott fül (920), amelyet levegőáram vagy mechanikus csap emel ki a hordozó síkjából a huzalkötöző géppel alávezetett huzal rögzítésére.The method of claim 11, wherein the wire guide pin is a guide pin (820) protruding from the carrier, or a guide pin (720) temporarily engaged with the carrier, or a tab (920) cut into the carrier and raised by an air stream or mechanical pin. for fastening wire guided down from the plane of the substrate by a wire binding machine. 14. Eljárás több rádiófrekvenciás toldalék előállítására azzal jellemezve, hogy legalább négy félvezető csipet szerves hordozó szalagra erősítünk tömbszerűen, ahol mindegyik félvezető csípnek első, második, harmadik és negyedik csatlakozása van, valamint memóriát és meghatározott frekvenciájú rádiófrekvenciás jelet moduláló logikai fokozatot tartalmaz, egy első huzal első végét egy első félvezető csip első csatlakozásához rögzítünk huzalkötöző géppel, az első huzalt a huzalkötöző géppel első hosszúságra leengedjük, az első huzal első levágott végét egy második félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző géppel, a huzalt az első levágott végéig érő első távolságnál levágjuk, egy második huzal második végét az első félvezető csip második csatlakozásához erősítjük huzalkötöző géppel, a második huzalt a huzalkötöző géppel egy második hosszúságúra leengedjük, és a második huzal második levágott végét egy harmadik félvezető csipen lévő első csatlakozáshoz erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, és a második huzalt a második levágott végénél lévő második távolságban levágjuk, egy harmadik huzal harmadik végét az első csip harmadik csatlakozásához erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, és a harmadik huzalt a huzalkötöző géppel egy harmadik hosszúságra leengedjük, és a harmadik huzal harmadik levágott végét egy negyedik félvezető csip negyedik csatlakozásához erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, és a harmadik huzalt a harmadik levágott végénél harmadik hosszúságnál levágjuk, majd egy negyedik huzal negyedik végét az első félvezető csip negyedik csatlakozásához erősítjük a huzalkötöző gép segítségével, a negyedik huzalt a huzalkötöző gép segítségével negyedik14. A method for producing a plurality of radio frequency tags, wherein at least four semiconductor chips are affixed to an organic carrier tape, each of the semiconductor chips having first, second, third, and fourth terminals, and memory and a first frequency modulation logic stage modulating securing the first end to a first connection of a first semiconductor chip with a wire binding machine, lowering the first wire to a first length with the wire binding machine, securing the first cut end of the first wire to a second connection of a second semiconductor chip using a wire binding machine; securing the second end of the second wire to the second connection of the first semiconductor chip with a wire binding machine, lowering the second wire with the wire binding machine to a second length and securing the second cut end of the second wire to a first connection on a third semiconductor chip by means of the wire binding machine, and cutting the second wire at a second distance at the second cut end, securing the third end of a third wire to the third connection of the first chip. and lowering the third wire with the wire wrapping machine to a third length and securing the third cut end of the third wire to the fourth connection of a fourth semiconductor chip using the wire wrapping machine and cutting the third wire at the third cut end at a third length and then the fourth end of a fourth wire attach the fourth wire to the fourth connection of the first semiconductor chip using the wire binding machine, the fourth wire using the wire binding machine -21 hosszúságúra letekercseljük, a negyedik huzal negyedik levágott végét a hordozó összekötő csatlakozásához erősítjük, és a negyedik huzalt negyedik hosszúságban negyedik levágott végénél levágjuk, és az első huzalt az első és a második félvezető csip között elvágjuk, a második huzalt az első és a harmadik félvezető csip között elvágjuk, és a harmadik huzalt az első és negyedik félvezető csip között elvágjuk, ahol az első, második, harmadik és negyedik huzalok két antennát (1020, 1030) képeznek, amelyekkel a meghatározott frekvencián jeleket veszünk, a félvezető csip logikai fokozatával a jeleket moduláljuk, és a modulált jeleket az antennával kisugározzuk.-Wound to -21, fasten the fourth cut end of the fourth wire to the carrier joint and cut the fourth wire at the fourth cut end of the fourth wire, and cut the first wire between the first and second semiconductor chips, the second wire between the first and third cut between the semiconductor chip and cut the third wire between the first and fourth semiconductor chips, wherein the first, second, third and fourth wires form two antennas (1020, 1030) for receiving signals at a specified frequency, signals are modulated and the modulated signals are transmitted by the antenna. 15. A 14. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy a hordozón az összekötő csatlakozás egy ötödik félvezető csipen lévő csatlakozás, és a negyedik huzalt az első és az ötödik félvezető csip között vágjuk el.15. The method of claim 14, wherein the connector on the substrate is a connector on a fifth semiconductor chip and the fourth wire is cut between the first and fifth semiconductor chips. 16. A 14. igénypont szerinti eljárás azzal jellemezve, hogy mindkét antenna (1020, 1030) azonos hosszúságú két-két huzalból áll.The method of claim 14, wherein each antenna (1020, 1030) comprises two wires of the same length. Imazott:Imazott: Dr. Bq^sch Attilán 4, ügyvédDr. Bq ^ sch Attilán 4, Attorney at Law DR. BOGSCH ATTILA ügyvéd flogsc/ί <fc Partnerg 1051 Budapest Bajcsy-Zsilinszky út 16.DR. ATTILA BOGSCH lawyer flogsc / ί <fc Partnerg 1051 Budapest Bajcsy-Zsilinszky út 16. Tel 118-1111, Fax: 137-7828 ·Tel 118-1111, Fax: 137-7828 · P970P970 16991699 1/101/10 KÖZZÉTÉTELIDISCLOSURE PÉLDÁNYCOPIES FIG.FIG. 4·« .q KÖZZÉTÉTELI ρ97θ10* PÉLDÁNY4 · «.q PUBLICATIONS ρ97θ 10 * EXAMPLE 9T0i°9T0i ° 3/103/10 KÖZZÉTÉTELIDISCLOSURE PÉLDÁNYCOPIES FIG. 2E coFIG. 2E co C\J co t-LC \ J co t-L 4/104/10 PÉLDÁíMVY*PÉLDÁíMVY * FIG. 2HFIG. 2 H I • * · · · * ···· »»♦ ·«. » · ίΐ9θI • * · · · * ···· »» ♦ · «. »· Ίΐ9θ 5/105/10 KÖZZÉTÉTELIDISCLOSURE PÉLDÁNYCOPIES FIG, 3BFIG. 3B QQ CDCD CO U- oUO 6/106/10 KÖZZÉTÉTELIDISCLOSURE PÉLDÁNY^ vEXAMPLE ^ v CD • »«·CD • »« · KÖZZÉTÉTELI 7 /10 PÉLDÁNY z PUBLISHING 7/10 EDITORIAL z VS '9 ISVS '9 IS 593Λ ·»·593Λ · »· KÖZZÉTÉTELIDISCLOSURE PÉLDÁNY 3 EXAMPLE 3 FIG.FIG. ί ÖZZÉTÉTELIί PRESENTATION FIG. 8 PÉLDÁNY^ *»» ·*»FIG. EXAMPLE 8 ^ * »» · * » FIG. 9FIG. 9 910 z910 z
HU9701699A 1994-10-27 1995-09-20 Method of making radio frequency identification tags HUT76992A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US33028894A 1994-10-27 1994-10-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
HUT76992A true HUT76992A (en) 1998-01-28

Family

ID=23289095

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
HU9701699A HUT76992A (en) 1994-10-27 1995-09-20 Method of making radio frequency identification tags

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP2818392B2 (en)
KR (1) KR100192728B1 (en)
HU (1) HUT76992A (en)
TW (1) TW280897B (en)
WO (1) WO1996013793A1 (en)
ZA (1) ZA957085B (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6107920A (en) * 1998-06-09 2000-08-22 Motorola, Inc. Radio frequency identification tag having an article integrated antenna
JP2000216188A (en) 1999-01-22 2000-08-04 Seiko Epson Corp Wire bonding method, semiconductor device, circuit board, electronic apparatus, and wire bonder
US6472747B2 (en) * 2001-03-02 2002-10-29 Qualcomm Incorporated Mixed analog and digital integrated circuits
US6732923B2 (en) * 2001-04-04 2004-05-11 Ncr Corporation Radio frequency identification system and method
US7692545B2 (en) * 2004-05-18 2010-04-06 Hitachi, Ltd. Wireless IC tag and process for manufacturing the same
US7295161B2 (en) 2004-08-06 2007-11-13 International Business Machines Corporation Apparatus and methods for constructing antennas using wire bonds as radiating elements
KR101038493B1 (en) * 2004-11-12 2011-06-01 삼성테크윈 주식회사 UHF RFID tag and Manufacturing method thereof
CN101147295B (en) 2005-03-25 2012-10-03 东丽株式会社 Planar antenna and method for manufacturing same
US7586193B2 (en) 2005-10-07 2009-09-08 Nhew R&D Pty Ltd Mm-wave antenna using conventional IC packaging
JP4316607B2 (en) 2006-12-27 2009-08-19 株式会社東芝 ANTENNA DEVICE AND WIRELESS COMMUNICATION DEVICE
WO2011083502A1 (en) 2010-01-05 2011-07-14 株式会社 東芝 Antenna and wireless device
JP5172925B2 (en) 2010-09-24 2013-03-27 株式会社東芝 Wireless device
JP5417389B2 (en) 2011-07-13 2014-02-12 株式会社東芝 Wireless device
JP5414749B2 (en) 2011-07-13 2014-02-12 株式会社東芝 Wireless device
TW201325842A (en) * 2011-12-16 2013-07-01 hong-ren Li Tool box structure
JP6121705B2 (en) 2012-12-12 2017-04-26 株式会社東芝 Wireless device
JP6823893B2 (en) * 2014-12-19 2021-02-03 グロ アーベーGlo Ab How to generate a light emitting diode array on the backplane

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2519054C3 (en) * 1974-04-30 1978-08-03 Central Glass Co., Ltd., Ube, Yamaguchi (Japan) Device for applying a wire to a carrier film made of thermoplastic according to a predetermined pattern
NL9200396A (en) * 1992-03-03 1993-10-01 Nedap Nv RADIO FREQUENT IDENTIFICATION LABEL WITH RELATIVELY LARGE DETECTION DISTANCE AND A MINIMUM NUMBER OF ELECTRONIC COMPONENTS.
DE4345610B4 (en) * 1992-06-17 2013-01-03 Micron Technology Inc. Method for producing a radio-frequency identification device (HFID)

Also Published As

Publication number Publication date
ZA957085B (en) 1996-03-11
KR100192728B1 (en) 1999-06-15
WO1996013793A1 (en) 1996-05-09
TW280897B (en) 1996-07-11
JP2818392B2 (en) 1998-10-30
JPH08213419A (en) 1996-08-20
KR960016656A (en) 1996-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5972156A (en) Method of making a radio frequency identification tag
HUT76992A (en) Method of making radio frequency identification tags
KR100553412B1 (en) Method of connecting microchips to antenna arranged on a support strip for producing a transponder
US6891110B1 (en) Circuit chip connector and method of connecting a circuit chip
US5826328A (en) Method of making a thin radio frequency transponder
US7581308B2 (en) Methods of connecting an antenna to a transponder chip
US5786626A (en) Thin radio frequency transponder with leadframe antenna structure
US6259408B1 (en) RFID transponders with paste antennas and flip-chip attachment
US6886246B2 (en) Method for making an article having an embedded electronic device
CA2302957C (en) Circuit chip connector and method of connecting a circuit chip
KR100191975B1 (en) Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
US20110017833A1 (en) RFID tag and method of manufacturing the same
US20020179721A1 (en) Electronic module or label with a fixing adhesive forming a barrier for coating resin, and a medium including a module or label of this kind
AU661460B2 (en) Automated method for the manufacture of transponder devices
US20080129455A1 (en) Method for forming rfid tags
CN103026371B (en) Chip electronic device and carry out the method that manufactures by winding
JPH11251509A (en) Radio ic card and manufacture therefor
CN113950688A (en) Self-adhesive connecting tape for radio frequency identification device

Legal Events

Date Code Title Description
DFD9 Temporary prot. cancelled due to non-payment of fee