GR20010100079A - Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους - Google Patents

Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους

Info

Publication number
GR20010100079A
GR20010100079A GR20010100079A GR20010100079A GR20010100079A GR 20010100079 A GR20010100079 A GR 20010100079A GR 20010100079 A GR20010100079 A GR 20010100079A GR 20010100079 A GR20010100079 A GR 20010100079A GR 20010100079 A GR20010100079 A GR 20010100079A
Authority
GR
Greece
Prior art keywords
window
silicon
diaphragm
fabrication
wafer
Prior art date
Application number
GR20010100079A
Other languages
English (en)
Inventor
Pascal Normand
Δημητριος Γουστουριδης
Δημητριος Τσουκαλας
Σταυρος Χατζανδρουλης
Original Assignee
Pascal Normand
Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων (Ε.Κ.Ε.Φ.Ε.) "Δημοκριτος"
Δημητριος Τσουκαλας
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pascal Normand, Εθνικο Κεντρο Ερευνας Φυσικων Επιστημων (Ε.Κ.Ε.Φ.Ε.) "Δημοκριτος", Δημητριος Τσουκαλας filed Critical Pascal Normand
Priority to GR20010100079A priority Critical patent/GR20010100079A/el
Priority to AU2001232165A priority patent/AU2001232165A1/en
Priority to EP01904253A priority patent/EP1259976A2/en
Priority to PCT/IB2001/000208 priority patent/WO2001063645A2/en
Priority to US10/204,738 priority patent/US6704185B2/en
Priority to IL15127701A priority patent/IL151277A0/xx
Priority to IL151277A priority patent/IL151277A/en
Publication of GR20010100079A publication Critical patent/GR20010100079A/el

Links

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

ποκαλύπτεται μια μέθοδος για την κατασκευή αισθητήρων πίεσης τύπου χωρητικότητας και διακοπτών πίεσης σε πυρίτιο με υψηλή μακροχρόνια σταθερότητα και η οποία περιλαμβάνει την συγκόλληση ενός δισκιδίου πυριτίου υπόβαθρου με ένα άλλο δισκίδιο πυριτίου, στο οποίο καθορίζεται ένα διάφραγμα υψηλής νόθευσης με βόριο με χρήση μιάς αυτο-ευθυγραμμιζόμενης διαδικασίας νόθευσης μέσα απο ένα άνοιγμα σε ένα μονωτικό στρώμα. Η μακροχρόνια σταθερότητα της διάταξης επιτυγχάνεται μόνο εάν το άνοιγμα έχει εγχαραθεί με ανισοτροπική εγχάραξη, για παράδειγμα με εγχάραξη ενεργών ιόντων, σχηματίζοντας έτσι κάθετα πλάγια τοιχώματα. Η επιπεδότητα του διαφράγματος εξασφαλίζεται με την παρουσία ενός μονωτικού υμενίου στην πίσω πλευρά του υπόβαθρου δισκιδίου, το οποίο αντοσταθμίζει την μηχανική τάση στο διάφραγμα πυριτίου που δημιουργείται απο το μονωτικό υμένιο ανάμεσα στα δύο δισκίδια. Η κοιλότητα που σχηματίζεται από το άνοιγμα μπορεί να περιέχει αέριο ή μπορεί να είναι κενωμένη οπότε στην περίπτωση αυτή η μέθοδος κατασκευής μπορεί να περιλαμβάνει ένα βήμα το οποίο να διευκολύνει την εκκένωση της κοιλότητας και το σφράγισμα της χρησιμοποιώντας το μέταλλο που χρησιμοποιείται και για τις ηλεκτρικές συνδέσεις . ΰ
GR20010100079A 2000-02-23 2001-02-13 Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους GR20010100079A (el)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20010100079A GR20010100079A (el) 2001-02-13 2001-02-13 Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους
AU2001232165A AU2001232165A1 (en) 2000-02-23 2001-02-19 Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication
EP01904253A EP1259976A2 (en) 2000-02-23 2001-02-19 Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication
PCT/IB2001/000208 WO2001063645A2 (en) 2000-02-23 2001-02-19 Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication
US10/204,738 US6704185B2 (en) 2000-02-23 2001-02-19 Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication
IL15127701A IL151277A0 (en) 2000-02-23 2001-02-19 Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication
IL151277A IL151277A (en) 2000-02-23 2002-08-15 Capacitive devices that respond to pressure and their production

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GR20010100079A GR20010100079A (el) 2001-02-13 2001-02-13 Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους

Publications (1)

Publication Number Publication Date
GR20010100079A true GR20010100079A (el) 2002-11-13

Family

ID=10944652

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
GR20010100079A GR20010100079A (el) 2000-02-23 2001-02-13 Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους

Country Status (1)

Country Link
GR (1) GR20010100079A (el)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3426165A1 (de) * 1983-09-16 1985-04-04 Mettler Instrumente AG, Greifensee Kraftmesser
US4586109A (en) * 1985-04-01 1986-04-29 Bourns Instruments, Inc. Batch-process silicon capacitive pressure sensor
US4960177A (en) * 1988-06-03 1990-10-02 University Of Hawaii Silicon membrane micro-scale
JPH043929A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Sony Corp シリコン系材料層のエッチング方法
US5157973A (en) * 1989-03-16 1992-10-27 Process Automation Business, Inc. Pressure sensor with integral overpressure protection
US5744725A (en) * 1994-04-18 1998-04-28 Motorola Inc. Capacitive pressure sensor and method of fabricating same
EP1128175A1 (en) * 2000-02-23 2001-08-29 Ethniko Kentro Erevnas Fisikon Epistimon "Dimokritos" Long-term stable capacitive pressure sensor made with self-aligned process

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3426165A1 (de) * 1983-09-16 1985-04-04 Mettler Instrumente AG, Greifensee Kraftmesser
US4586109A (en) * 1985-04-01 1986-04-29 Bourns Instruments, Inc. Batch-process silicon capacitive pressure sensor
US4960177A (en) * 1988-06-03 1990-10-02 University Of Hawaii Silicon membrane micro-scale
US5157973A (en) * 1989-03-16 1992-10-27 Process Automation Business, Inc. Pressure sensor with integral overpressure protection
JPH043929A (ja) * 1990-04-20 1992-01-08 Sony Corp シリコン系材料層のエッチング方法
US5744725A (en) * 1994-04-18 1998-04-28 Motorola Inc. Capacitive pressure sensor and method of fabricating same
EP1128175A1 (en) * 2000-02-23 2001-08-29 Ethniko Kentro Erevnas Fisikon Epistimon "Dimokritos" Long-term stable capacitive pressure sensor made with self-aligned process

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 016, no. 146 (E - 1188) 10 April 1992 (1992-04-10) *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2001063645A3 (en) Capacitive pressure-responsive devices and their fabrication
US6445053B1 (en) Micro-machined absolute pressure sensor
Bartek et al. Vacuum sealing of microcavities using metal evaporation
US20160370242A1 (en) Pressure sensor generating a transduced signal with reduced ambient temperature dependence, and manufacturing method thereof
JPH0750789B2 (ja) 半導体圧力変換装置の製造方法
CN105486435A (zh) 一种mems多晶硅纳米膜压力传感器芯片及其制作方法
WO2001046066A3 (de) Sensor mit zumindest einer mikromechanischen struktur und verfahren zur herstellung
US8247253B2 (en) MEMS package structure and method for fabricating the same
WO2007024731A3 (en) Hermetic interconnect structure and method of fabrication
CN103604538A (zh) 基于soi技术的mems压力传感器芯片及其制造方法
WO2007040752A3 (en) Process and system for etching doped silicon using sf6-based chemistry
TWI724558B (zh) 麥克風及其製造方法
SG155041A1 (en) Method of forming contact plug on silicide structure
US7528000B2 (en) Method of fabricating optical device caps
TWI257128B (en) Retrograde trench isolation structures
CN205449349U (zh) 一种mems多晶硅纳米膜压力传感器芯片
US20150122039A1 (en) Silicon on nothing pressure sensor
CN113636521A (zh) 带腔体器件的气密封装结构和制造方法
KR100904994B1 (ko) 압력센서 제조방법 및 그 구조
GR20010100079A (el) Διαταξεις με αποκριση σε πιεση τυπου χωρητικοτητας και η κατασκευη τους
JP3359871B2 (ja) 容量型圧力センサ及びその製造方法
JP4250868B2 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
CN216303266U (zh) 带腔体器件的气密封装结构
CN113830724B (zh) 带腔体器件的气密封装结构和制造方法
CN110683509B (zh) 一种抗干扰mems器件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
ML Lapse due to non-payment of fees