FR84001E - Procédé de préparation de monocristaux de silicium et monocristaux conformes à ceux obtenus par ledit procédé ou procédé similaire - Google Patents
Procédé de préparation de monocristaux de silicium et monocristaux conformes à ceux obtenus par ledit procédé ou procédé similaireInfo
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Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR889030A FR84001E (fr) | 1961-05-16 | 1962-02-23 | Procédé de préparation de monocristaux de silicium et monocristaux conformes à ceux obtenus par ledit procédé ou procédé similaire |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES73980A DE1225148B (de) | 1961-05-16 | 1961-05-16 | Verfahren zum Niederschlagen eines halbleitenden Elementes und eines Aktivator-stoffes aus einem Reaktionsgas |
FR889030A FR84001E (fr) | 1961-05-16 | 1962-02-23 | Procédé de préparation de monocristaux de silicium et monocristaux conformes à ceux obtenus par ledit procédé ou procédé similaire |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR84001E true FR84001E (fr) | 1964-11-13 |
Family
ID=25996460
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR889030A Expired FR84001E (fr) | 1961-05-16 | 1962-02-23 | Procédé de préparation de monocristaux de silicium et monocristaux conformes à ceux obtenus par ledit procédé ou procédé similaire |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
FR (1) | FR84001E (fr) |
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1962
- 1962-02-23 FR FR889030A patent/FR84001E/fr not_active Expired
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