FR3128057A1 - METHOD FOR MANUFACTURING A COMPOSITE STRUCTURE COMPRISING A THIN LAYER OF MONOCRYSTALLINE SIC ON A SUPPORT SUBSTRATE OF POLY-CRYSTALLINE SIC - Google Patents

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    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76259—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along a porous layer

Abstract

L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant : a) une étape de fourniture d’un substrat initial en carbure de silicium monocristallin, présentant une face avant et une face arrière, et d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin présentant une face avant et une face arrière, b) une étape de porosification appliquée au substrat initial, pour former une couche poreuse au moins du côté de la face avant du substrat initial, c) une étape de formation d’une couche superficielle en carbure de silicium amorphe, sur la face avant du substrat support, d) une étape d’assemblage du substrat initial et du substrat support au niveau de leurs faces avant respectives, menant à l’obtention d’une première structure intermédiaire, e) une étape de traitement thermique appliqué à la première structure intermédiaire, à une température supérieure à 900°C, pour cristalliser la couche superficielle, au moins en partie sous forme de carbure de silicium monocristallin, à partir d’une interface de contact avec la couche poreuse, pour former la couche mince, l’étape e) menant à l’obtention d’une deuxième structure intermédiaire, f) une étape de séparation dans la couche poreuse de la deuxième structure intermédiaire, pour obtenir d’une part la structure composite et d’autre part le reste du substrat initial. Figure à publier avec l’abrégé : Pas de figureThe invention relates to a method of manufacturing a composite structure comprising a thin layer of monocrystalline silicon carbide disposed on a support substrate of polycrystalline silicon carbide, the method comprising: a) a step of providing an initial substrate in monocrystalline silicon carbide, presenting a front face and a rear face, and of a support substrate in polycrystalline silicon carbide presenting a front face and a rear face, b) a step of porosification applied to the initial substrate, to form a porous layer at least on the side of the front face of the initial substrate, c) a step of forming a surface layer of amorphous silicon carbide, on the front face of the support substrate, d) a step of assembling the initial substrate and of the support substrate at their respective front faces, leading to the obtaining of a first intermediate structure, e) a heat treatment step applied to the first intermediate structure, at a temperature greater than 900°C, to crystallize the surface layer, at least partly in the form of monocrystalline silicon carbide, from a contact interface with the porous layer, to form the thin layer, step e) leading to obtaining a second intermediate structure , f) a separation step in the porous layer of the second intermediate structure, to obtain on the one hand the composite structure and on the other hand the rest of the initial substrate. Figure to be published with abstract: No figure

Description

PROCEDE DE FABRICATION D’UNE STRUCTURE COMPOSITE COMPRENANT UNE COUCHE MINCE EN SIC MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT SUPPORT EN SIC POLY-CRISTALLINMETHOD FOR MANUFACTURING A COMPOSITE STRUCTURE COMPRISING A THIN LAYER OF MONOCRYSTALLINE SIC ON A SUPPORT SUBSTRATE OF POLY-CRYSTALLINE SIC

DOMAINE DE L’INVENTIONFIELD OF THE INVENTION

La présente invention concerne le domaine des matériaux semi-conducteurs pour composants microélectroniques. Elle concerne en particulier un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin.The present invention relates to the field of semiconductor materials for microelectronic components. It relates in particular to a process for manufacturing a composite structure comprising a thin layer of monocrystalline silicon carbide on a support substrate of polycrystalline silicon carbide.

ARRIERE PLAN TECHNOLOGIQUE DE L’INVENTIONTECHNOLOGICAL BACKGROUND OF THE INVENTION

Le SiC est de plus en plus largement utilisé pour la fabrication de dispositifs de puissance innovants, pour répondre aux besoins de domaines montants de l'électronique, comme notamment les véhicules électriques.SiC is increasingly widely used for the manufacture of innovative power devices, to meet the needs of rising areas of electronics, such as electric vehicles.

Les dispositifs de puissance et les systèmes intégrés d'alimentation basés sur du carbure de silicium monocristallin peuvent gérer une densité de puissance beaucoup plus élevée par rapport à leurs homologues traditionnels en silicium, et ce avec des dimensions de zone active inférieures. Pour limiter encore les dimensions des dispositifs de puissance sur SiC, il est avantageux de fabriquer des composants verticaux plutôt que latéraux. Pour cela, une conduction électrique verticale, entre une électrode disposée en face avant de la structure SiC et une électrode disposée en face arrière, doit être autorisée par ladite structure.Power devices and integrated power systems based on monocrystalline silicon carbide can handle much higher power density compared to their traditional silicon counterparts, and this with smaller active area dimensions. To further limit the dimensions of power devices on SiC, it is advantageous to manufacture vertical rather than lateral components. For this, vertical electrical conduction, between an electrode arranged on the front face of the SiC structure and an electrode arranged on the rear face, must be permitted by said structure.

Les substrats en SiC monocristallin (c-SiC) de haute qualité, destinés à l’industrie microélectronique, restent néanmoins chers et difficiles à approvisionner en grande taille. Il est donc avantageux de recourir à des solutions de transfert de couches, pour élaborer des structures composites comprenant typiquement une couche mince en SiC monocristallin (issue du substrat en c-SiC de haute qualité) sur un substrat support plus bas coût, par exemple en SiC poly-cristallin (p-SiC).High-quality monocrystalline SiC (c-SiC) substrates, intended for the microelectronics industry, nevertheless remain expensive and difficult to supply in large sizes. It is therefore advantageous to resort to layer transfer solutions, to develop composite structures typically comprising a thin monocrystalline SiC layer (from the high quality c-SiC substrate) on a lower cost support substrate, for example in Polycrystalline SiC (p-SiC).

Une solution de transfert de couche mince bien connue est le procédé Smart Cut®, mettant en œuvre une implantation d’ions légers dans un substrat donneur monocristallin, et un assemblage, par collage direct, au niveau d’une interface de collage, sur un substrat support. Le transfert sur le substrat support de la couche mince, issue du substrat donneur, se fait grâce à une fracture le long d’un plan fragile enterré généré par l’implantation d’ions légers.A well-known thin film transfer solution is the Smart Cut® process, implementing an implantation of light ions in a monocrystalline donor substrate, and an assembly, by direct bonding, at a bonding interface, on a supporting substrate. The transfer on the support substrate of the thin layer, resulting from the donor substrate, is done thanks to a fracture along a buried fragile plane generated by the implantation of light ions.

Une autre solution de transfert connue, en particulier pour les substrats silicium, est le procédé Eltran®, qui implique une couche poreuse sur laquelle est crue par épitaxie la couche mince monocristalline, et un assemblage par collage direct sur le substrat support. Le transfert sur le substrat support de la couche mince se fait grâce à une séparation dans la couche poreuse.Another known transfer solution, in particular for silicon substrates, is the Eltran® process, which involves a porous layer on which the thin monocrystalline layer is grown by epitaxy, and assembly by direct bonding to the support substrate. The transfer to the support substrate of the thin layer takes place thanks to a separation in the porous layer.

OBJET DE L’INVENTIONOBJECT OF THE INVENTION

La présente invention concerne une solution alternative à celles de l’état de la technique. Elle concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en SiC monocristallin disposée sur un substrat support en SiC poly-cristallin. Elle concerne également une structure intermédiaire obtenue au cours dudit procédé de fabrication.The present invention relates to an alternative solution to those of the state of the art. It relates to a process for manufacturing a composite structure comprising a thin monocrystalline SiC layer placed on a polycrystalline SiC support substrate. It also relates to an intermediate structure obtained during said manufacturing process.

BREVE DESCRIPTION DE L’INVENTIONBRIEF DESCRIPTION OF THE INVENTION

L’invention concerne un procédé de fabrication d’une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant :The invention relates to a method for manufacturing a composite structure comprising a thin layer of monocrystalline silicon carbide placed on a support substrate of polycrystalline silicon carbide, the method comprising:

a) une étape de fourniture d’un substrat initial en carbure de silicium monocristallin, présentant une face avant et une face arrière, et d’un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin présentant une face avant et une face arrière,a) a step of supplying an initial substrate in monocrystalline silicon carbide, having a front face and a rear face, and a support substrate in polycrystalline silicon carbide having a front face and a rear face,

b) une étape de porosification appliquée au substrat initial, pour former une couche poreuse au moins du côté de la face avant du substrat initial,b) a porosification step applied to the initial substrate, to form a porous layer at least on the side of the front face of the initial substrate,

c) une étape de formation d’une couche superficielle en carbure de silicium amorphe, sur la face avant du substrat support,c) a step of forming a surface layer of amorphous silicon carbide, on the front face of the support substrate,

d) une étape d’assemblage du substrat initial et du substrat support au niveau de leurs faces avant respectives, menant à l’obtention d’une première structure intermédiaire,d) a step of assembling the initial substrate and the support substrate at their respective front faces, leading to obtaining a first intermediate structure,

e) une étape de traitement thermique appliqué à la première structure intermédiaire, à une température supérieure à 900°C, pour cristalliser la couche superficielle, au moins en partie sous forme de carbure de silicium monocristallin, à partir d’une interface de contact avec la couche poreuse, pour former la couche mince, l’étape e) menant à l’obtention d’une deuxième structure intermédiaire,e) a heat treatment step applied to the first intermediate structure, at a temperature above 900°C, to crystallize the surface layer, at least partly in the form of monocrystalline silicon carbide, from a contact interface with the porous layer, to form the thin layer, step e) leading to obtaining a second intermediate structure,

f) une étape de séparation dans la couche poreuse de la deuxième structure intermédiaire, pour obtenir d’une part la structure composite et d’autre part le reste du substrat initial.f) a separation step in the porous layer of the second intermediate structure, to obtain on the one hand the composite structure and on the other hand the rest of the initial substrate.

Selon d’autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l’invention, prises seules ou selon toute combinaison techniquement réalisable :According to other advantageous and non-limiting characteristics of the invention, taken alone or according to any technically feasible combination:

  • à l’issue de l’étape b), la couche poreuse présente une épaisseur comprise entre 0,5μm et 5μm ;at the end of step b), the porous layer has a thickness of between 0.5 μm and 5 μm;
  • à l’issue de l’étape b), la couche poreuse comprend des pores dont la taille est comprise entre 1nm et 50nm, et présente un taux de porosification compris entre 10% et 70% ;at the end of step b), the porous layer comprises pores whose size is between 1 nm and 50 nm, and has a porosification rate of between 10% and 70%;
  • à l’issue de l’étape c), la couche superficielle présente une épaisseur inférieure ou égale à 10μm ;at the end of step c), the surface layer has a thickness less than or equal to 10 μm;
  • à l’issue de l’étape c), la couche superficielle présente une épaisseur inférieure ou égale à 1μm, typiquement de l’ordre de cent à quelques centaines de nanomètres ;at the end of step c), the surface layer has a thickness of less than or equal to 1 μm, typically of the order of a hundred to a few hundred nanometers;
  • l’étape c) comprend le dépôt d’une couche en carbure de silicium amorphe, au moins du côté de la face avant du substrat support, pour former la couche superficielle ;step c) comprises the deposition of an amorphous silicon carbide layer, at least on the side of the front face of the support substrate, to form the surface layer;
  • la couche en carbure de silicium amorphe déposée est fortement dopée et présente une concentration en espèces dopantes supérieure à 1019/cm3, voire supérieure à 1020/cm3;the layer of amorphous silicon carbide deposited is heavily doped and has a concentration of doping species greater than 10 19 /cm 3 , or even greater than 10 20 /cm 3 ;
  • l’étape c) comprend une amorphisation d’une couche de surface du substrat support, au moins du côté de sa face avant, pour former la couche superficielle ;step c) comprises an amorphization of a surface layer of the support substrate, at least on the side of its front face, to form the surface layer;
  • l’étape d) comprend, préalablement à l’assemblage du substrat initial et du substrat support, la formation d’une couche de collage sur l’un et/ou l’autre des substrats, du côté de leurs faces avant respectives, la couche de collage présentant, après assemblage, une épaisseur totale inférieure ou égale à 10nm ;step d) comprises, prior to the assembly of the initial substrate and the support substrate, the formation of an adhesive layer on one and/or the other of the substrates, on the side of their respective front faces, the bonding layer having, after assembly, a total thickness less than or equal to 10 nm;
  • la couche de collage est composée d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le nickel et le titane ;the bonding layer is composed of at least one material chosen from silicon, nickel and titanium;
  • au cours de l’étape e), une segmentation sous forme de nodule ou une dissolution de la couche de collage autorise un contact direct, au moins localement, entre la couche superficielle et la couche poreuse ;during step e), segmentation in the form of a nodule or dissolution of the bonding layer allows direct contact, at least locally, between the surface layer and the porous layer;
  • le traitement thermique de l’étape e) est effectué à une température supérieure ou égale à 1000°C, préférentiellement supérieure ou égale à 1400°C, voire supérieure ou égale à 1850°C ;the heat treatment of step e) is carried out at a temperature greater than or equal to 1000° C., preferably greater than or equal to 1400° C., or even greater than or equal to 1850° C.;
  • à l’étape e), la cristallisation de la couche superficielle s’opère au moins en partie sous forme de carbure de silicium poly-cristallin, à partir d’une interface de contact avec le substrat support, pour former une couche intermédiaire ;in step e), the crystallization of the surface layer takes place at least partly in the form of polycrystalline silicon carbide, from a contact interface with the support substrate, to form an intermediate layer;
  • le procédé de fabrication comprend après l’étape f), une étape g) de finition comprenant des traitement(s) mécanique(s) et/ou chimique(s) de la structure composite, pour éliminer des résidus de couche poreuse de la face avant de la couche mince et/ou pour corriger l’uniformité d’épaisseur de la structure composite ;the manufacturing process comprises, after step f), a finishing step g) comprising mechanical and/or chemical treatment(s) of the composite structure, to remove porous layer residues from the face before the thin layer and/or to correct the thickness uniformity of the composite structure;
  • l’étape g) comprend un traitement thermique, appliqué à la structure composite, à une température comprise entre 1000°C et 1900°C, avant ou après les traitements mécanique(s) et/ou chimique(s) ;step g) comprises a heat treatment, applied to the composite structure, at a temperature between 1000° C. and 1900° C., before or after the mechanical and/or chemical treatment(s);
  • le procédé de fabrication comprend une étape de reconditionnement du reste du substrat initial en vue d’une réutilisation en tant que substrat initial pour la fabrication d’une nouvelle structure composite.the manufacturing process includes a step of reconditioning the rest of the initial substrate with a view to reuse as an initial substrate for the manufacture of a new composite structure.

L’invention concerne également une structure intermédiaire comprenant :The invention also relates to an intermediate structure comprising:

- un substrat support en carbure de silicium poly-cristallin,- a polycrystalline silicon carbide support substrate,

- une couche superficielle en carbure de silicium amorphe, sur le substrat support,- a surface layer of amorphous silicon carbide, on the support substrate,

- une couche poreuse disposée directement en contact ou via une couche de collage sur la couche superficielle, une interface de collage étant présente entre la couche poreuse et la couche superficielle ou au sein de ladite couche superficielle,- a porous layer arranged directly in contact or via a bonding layer on the surface layer, a bonding interface being present between the porous layer and the surface layer or within said surface layer,

- un substrat initial en carbure de silicium monocristallin sur la couche poreuse.- an initial monocrystalline silicon carbide substrate on the porous layer.

BREVE DESCRIPTION DES FIGURESBRIEF DESCRIPTION OF FIGURES

D’autres caractéristiques et avantages de l’invention ressortiront de la description détaillée de l’invention qui va suivre en référence aux figures annexées sur lesquelles :Other characteristics and advantages of the invention will emerge from the detailed description of the invention which will follow with reference to the appended figures in which:

La présente une structure composite élaborée selon un procédé de fabrication conforme à l’invention ; There has a composite structure developed according to a manufacturing method according to the invention;

Les figures 2a à 2g présentent des étapes d’un procédé de fabrication conforme à l’invention. Figures 2a to 2g show steps of a manufacturing method according to the invention.

Les figures sont des représentations schématiques qui, dans un objectif de lisibilité, ne sont pas à l’échelle. En particulier, les épaisseurs des couches selon l’axe z ne sont pas à l’échelle par rapport aux dimensions latérales selon les axes x et y ; et les épaisseurs relatives des couches entre elles ne sont pas nécessairement respectées sur les figures.The figures are schematic representations which, for the purpose of readability, are not to scale. In particular, the thicknesses of the layers along the z axis are not to scale with respect to the lateral dimensions along the x and y axes; and the relative thicknesses of the layers between them are not necessarily observed in the figures.

Claims (17)

Procédé de fabrication d’une structure composite (100) comprenant une couche mince (1) en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin, le procédé comprenant:
a)une étape de fourniture d’un substrat initial (10) en carbure de silicium monocristallin, présentant une face avant (10a) et une face arrière (10b), et d’un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin présentant une face avant (20a) et une face arrière (20b),
b)une étape de porosification appliquée au substrat initial (1), pour former une couche poreuse (11) au moins du côté de la face avant (10a) du substrat initial (10),
c )une étape de formation d’une couche superficielle (21) en carbure de silicium amorphe, sur la face avant (20a) du substrat support (20),
d)une étape d’assemblage du substrat initial (10) et du substrat support (20) au niveau de leurs faces avant respectives, menant à l’obtention d’une première structure intermédiaire (30),
e)une étape de traitement thermique appliqué à la première structure intermédiaire (30), à une température supérieure à 900°C, pour cristalliser la couche superficielle (21), au moins en partie sous forme de carbure de silicium monocristallin, à partir d’une interface de contact avec la couche poreuse (11), pour former la couche mince (1), l’étape e) menant à l’obtention d’une deuxième structure intermédiaire (40),
f )une étape de séparation dans la couche poreuse (11) de la deuxième structure intermédiaire (40), pour obtenir d’une part la structure composite (100) et d’autre part le reste (10’) du substrat initial.Method for manufacturing a composite structure (100) comprising a thin layer (1) of monocrystalline silicon carbide placed on a support substrate (20) of polycrystalline silicon carbide, the method comprising:
a) a step of supplying an initial substrate (10) in monocrystalline silicon carbide, having a front face (10a) and a rear face (10b), and a support substrate (20) in polysilicon carbide lens having a front face (20a) and a rear face (20b),
b) a porosification step applied to the initial substrate (1), to form a porous layer (11) at least on the side of the front face (10a) of the initial substrate (10),
c ) a step of forming a surface layer (21) of amorphous silicon carbide, on the front face (20a) of the support substrate (20),
d) a step of assembling the initial substrate (10) and the support substrate (20) at their respective front faces, leading to the obtaining of a first intermediate structure (30),
e) a heat treatment step applied to the first intermediate structure (30), at a temperature above 900° C., to crystallize the surface layer (21), at least partly in the form of monocrystalline silicon carbide, from a contact interface with the porous layer (11), to form the thin layer (1), step e) leading to obtaining a second intermediate structure (40),
f ) a separation step in the porous layer (11) of the second intermediate structure (40), to obtain on the one hand the composite structure (100) and on the other hand the remainder (10') of the initial substrate. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel, à l’issue de l’étape b), la couche poreuse (11) présente une épaisseur comprise entre 0,5μm et 5μm.Manufacturing process according to the preceding claim, in which, at the end of step b), the porous layer (11) has a thickness of between 0.5 μm and 5 μm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape b), la couche poreuse (11) comprend des pores dont la taille est comprise entre 1nm et 50nm, et présente un taux de porosification compris entre 10% et 70%.Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which, at the end of step b), the porous layer (11) comprises pores whose size is between 1 nm and 50 nm, and has a porosification rate between 10% and 70%. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape c), la couche superficielle (21) présente une épaisseur inférieure ou égale à 10μm.Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which, at the end of step c), the surface layer (21) has a thickness less than or equal to 10 μm. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’issue de l’étape c), la couche superficielle (21) présente une épaisseur inférieure ou égale à 1μm, typiquement de l’ordre de cent à quelques centaines de nanomètres.Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which, at the end of step c), the surface layer (21) has a thickness of less than or equal to 1 μm, typically of the order of a hundred to a few hundred of nanometers. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape c) comprend le dépôt d’une couche en carbure de silicium amorphe, au moins du côté de la face avant (20a) du substrat support (20), pour former la couche superficielle (21).Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which step c) comprises the deposition of an amorphous silicon carbide layer, at least on the side of the front face (20a) of the support substrate (20), to forming the surface layer (21). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche en carbure de silicium amorphe déposée est fortement dopée et présente une concentration en espèces dopantes supérieure à 1019/cm3, voire supérieure à 1020/cm3.Manufacturing process according to the preceding claim, in which the layer of amorphous silicon carbide deposited is heavily doped and has a concentration of doping species greater than 10 19 /cm 3 , or even greater than 10 20 /cm 3 . Procédé de fabrication selon l’une des revendications 1 à 5, dans lequel l’étape c) comprend une amorphisation d’une couche de surface du substrat support (20), au moins du côté de sa face avant (20a), pour former la couche superficielle (21).Manufacturing process according to one of Claims 1 to 5, in which step c) comprises an amorphization of a surface layer of the support substrate (20), at least on the side of its front face (20a), to form the surface layer (21). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel l’étape d) comprend, préalablement à l’assemblage du substrat initial (10) et du substrat support (20), la formation d’une couche de collage sur l’un et/ou l’autre des substrats, du côté de leurs faces avant respectives,
la couche de collage présentant, après assemblage, une épaisseur totale inférieure ou égale à 10nm.Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which step d) comprises, prior to the assembly of the initial substrate (10) and the support substrate (20), the formation of an adhesive layer on the one and/or the other of the substrates, on the side of their respective front faces,
the bonding layer having, after assembly, a total thickness less than or equal to 10 nm. Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel la couche de collage est composée d’au moins un matériau choisi parmi le silicium, le nickel et le titane.Manufacturing process according to the preceding claim, in which the bonding layer is composed of at least one material chosen from silicon, nickel and titanium. Procédé de fabrication selon l’une des deux revendications précédentes, dans lequel, au cours de l’étape e), une segmentation sous forme de nodule ou une dissolution de la couche de collage autorise un contact direct, au moins localement, entre la couche superficielle (21) et la couche poreuse (11).Manufacturing process according to one of the two preceding claims, in which, during step e), segmentation in the form of a nodule or dissolution of the bonding layer allows direct contact, at least locally, between the layer surface (21) and the porous layer (11). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, le traitement thermique de l’étape e) est effectué à une température supérieure ou égale à 1000°C, préférentiellement supérieure ou égale à 1400°C, voire supérieure ou égale à 1850°C.Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which the heat treatment of step e) is carried out at a temperature greater than or equal to 1000°C, preferably greater than or equal to 1400°C, or even greater than or equal to 1850°C. Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, dans lequel, à l’étape e), la cristallisation de la couche superficielle (21) s’opère au moins en partie sous forme de carbure de silicium poly-cristallin, à partir d’une interface de contact avec le substrat support (20), pour former une couche intermédiaire (22).Manufacturing process according to one of the preceding claims, in which, in step e), the crystallization of the surface layer (21) takes place at least partly in the form of polycrystalline silicon carbide, from 'a contact interface with the support substrate (20), to form an intermediate layer (22). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant, après l’étape f), une étape g) de finition comprenant des traitement(s) mécanique(s) et/ou chimique(s) de la structure composite (100), pour éliminer des résidus (11r) de couche poreuse (11) de la face avant (1a) de la couche mince (1) et/ou pour corriger l’uniformité d’épaisseur de la structure composite (100).Manufacturing process according to one of the preceding claims, comprising, after step f), a finishing step g) comprising mechanical and/or chemical treatment(s) of the composite structure (100) , to eliminate residues (11r) of porous layer (11) from the front face (1a) of the thin layer (1) and/or to correct the uniformity of thickness of the composite structure (100). Procédé de fabrication selon la revendication précédente, dans lequel l’étape g) comprend un traitement thermique, appliqué à la structure composite (100), à une température comprise entre 1000°C et 1900°C, avant ou après les traitements mécanique(s) et/ou chimique(s).Manufacturing process according to the preceding claim, in which step g) comprises a heat treatment, applied to the composite structure (100), at a temperature of between 1000°C and 1900°C, before or after the mechanical treatment(s). ) and/or chemical(s). Procédé de fabrication selon l’une des revendications précédentes, comprenant une étape de reconditionnement du reste (10’) du substrat initial en vue d’une réutilisation en tant que substrat initial (10) pour la fabrication d’une nouvelle structure composite (100).Manufacturing process according to one of the preceding claims, comprising a step of reconditioning the remainder (10') of the initial substrate with a view to reuse as an initial substrate (10) for the manufacture of a new composite structure (100 ). Structure intermédiaire (30) comprenant :
- un substrat support (20) en carbure de silicium poly-cristallin,
- une couche superficielle (21,12) en carbure de silicium amorphe, sur le substrat support (20),
- une couche poreuse (11) disposée directement en contact ou via une couche de collage sur la couche superficielle (21), une interface de collage (3) étant présente entre la couche poreuse (11) et la couche superficielle (21,12) ou au sein de ladite couche superficielle (21,12),
- un substrat initial (10) en carbure de silicium monocristallin sur la couche poreuse (11).
Intermediate structure (30) comprising:
- a support substrate (20) made of polycrystalline silicon carbide,
- a surface layer (21,12) of amorphous silicon carbide, on the support substrate (20),
- a porous layer (11) arranged directly in contact or via a bonding layer on the surface layer (21), a bonding interface (3) being present between the porous layer (11) and the surface layer (21,12) or within said surface layer (21,12),
- an initial substrate (10) of monocrystalline silicon carbide on the porous layer (11).
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