FR3043001A1 - Procede de polissage mecano-chimique, tampon de polissage correspondant et son procede de production - Google Patents

Procede de polissage mecano-chimique, tampon de polissage correspondant et son procede de production Download PDF

Info

Publication number
FR3043001A1
FR3043001A1 FR1660475A FR1660475A FR3043001A1 FR 3043001 A1 FR3043001 A1 FR 3043001A1 FR 1660475 A FR1660475 A FR 1660475A FR 1660475 A FR1660475 A FR 1660475A FR 3043001 A1 FR3043001 A1 FR 3043001A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
polishing
amine
curing agent
substrate
initiated polyol
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
FR1660475A
Other languages
English (en)
Inventor
Bainian Qian
Yi Guo
Marty W Degroot
George C Jacob
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Dow Global Technologies LLC
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Dow Global Technologies LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc, Dow Global Technologies LLC filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Publication of FR3043001A1 publication Critical patent/FR3043001A1/fr
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B29/00—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents
    • B24B29/02—Machines or devices for polishing surfaces on work by means of tools made of soft or flexible material with or without the application of solid or liquid polishing agents designed for particular workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D11/00—Constructional features of flexible abrasive materials; Special features in the manufacture of such materials
    • B24D11/001—Manufacture of flexible abrasive materials
    • B24D11/003—Manufacture of flexible abrasive materials without embedded abrasive particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique comprenant: la fourniture d'un substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une suspension de polissage; la fourniture d'un tampon de polissage comprenant: une couche de polissage ayant une composition qui est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: un isocyanate polyfonctionnel et un agent de durcissement de type polyol initié par une amine; où le rapport stoechiométrique de l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine à l'isocyanate polyfonctionnel est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait de la couche de polissage; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage et le substrat; la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; et le retrait d'au moins une certaine quantité de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat, et son procédé de production.

Description

ARRIERE-PLAN
[0001] La présente invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique. Plus particulièrement, la présente invention concerne un procédé de polissage mécano-chimique comprenant: la fourniture d'un substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une suspension de polissage; la fourniture d'un tampon de polissage comprenant: une couche de polissage ayant une composition qui est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: un isocyanate polyfonctionnel et un agent de durcissement de type polyol initié par une amine; où le rapport stoechiométrique de l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine à l'isocyanate polyfonctionnel est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait de la couche de polissage; la création d'un contact dynamique entre la surface de polissage et le substrat; la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; et le retrait d'au moins une certaine quantité de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat.
[0002] Dans la fabrication des circuits intégrés et d'autres dispositifs électroniques, de multiples couches de matériaux conducteurs, semiconducteurs et diélectriques sont déposées sur et retirées d'une surface d'une galette semi-conductrice. Des couches minces de matériaux conducteurs, semi-conducteurs et diélectriques peuvent être déposées par un certain nombre de techniques de dépôt. Les techniques de dépôt courantes dans le traitement moderne des galettes incluent le dépôt physique en phase vapeur (PVD), connu aussi comme étant la pulvérisation cathodique, le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) et le plaquage électrochimique, parmi d'autres. Les techniques de retrait courantes incluent la gravure isotrope et anisotrope humide et sèche, parmi d'autres.
[0003] Quand des couches de matériaux sont successivement déposées et retirées, la surface supérieure de la galette devient non plane. Du fait que le traitement subséquent des semi-conducteurs (par exemple la métallisation) exige que la galette ait une surface plane, la galette doit être planarisée. La planarisation est utile pour retirer une topographie de surface indésirable et les défauts de surface, comme les surfaces rugueuses, les matériaux agglomérés, les détériorations du réseau cristallin, les éraflures et les couches contaminées ou les matériaux contaminés.
[0004] La planarisation mécano-chimique, ou polissage mécano-chimique (CMP), est une technique courante utilisée pour planariser ou polir des pièces, comme des galettes semi-conductrices. Dans la CMP conventionnelle, un support de galette, ou tête de polissage, est monté sur un ensemble formant support. La tête de polissage maintient la galette et positionne la galette en contact avec une couche de polissage d'un tampon de polissage qui est monté sur une table ou plateau dans un appareil de CMP. L'ensemble formant support applique une pression réglable entre la galette et le tampon de polissage. En même temps, un milieu de polissage (par exemple une "suspension" ou "slurry") est distribué sur le tampon de polissage et est attiré dans l'intervalle entre la galette et la couche de polissage. Pour réaliser le polissage, le tampon de polissage et la galette typiquement tournent l'un par rapport à l'autre. Quand le tampon de polissage tourne sous la galette, la galette décrit typiquement une trajectoire de polissage annulaire, ou région de polissage, dans laquelle la surface de la galette se trouve directement en face de la couche de polissage. La surface de la galette est polie et rendue plane par l'action chimique et mécanique de la couche de polissage et du milieu de polissage sur la surface.
[0005] Les dispositifs deviennent de plus en plus complexes avec des éléments plus fins. Cette tendance exige des performances améliorées de la part des consommables de polissage afin de conférer des sélectivités réglables entre les matériaux utilisés pour créer différents éléments sur le substrat pour procurer aux concepteurs de dispositifs une flexibilité accrue dans ces configurations. Ainsi, pour soutenir le domaine dynamique des configurations de dispositifs destinées à être utilisées dans la fabrication de systèmes semi-conducteurs, il existe un besoin continu de consommables de polissage mécano-chimique qui procurent un équilibre souhaitable des propriétés de polissage pour s'adapter aux besoins changeants concernant les configurations. Par exemple, il existe un besoin continu de consommables de polissage qui présentent une sélectivité par les vitesses de retrait entre l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium.
[0006] Historiquement, les fournisseurs de consommables de polissage se sont concentrés sur les formulations de suspensions pour conférer la sélectivité par les vitesses de retrait souhaitée entre différents matériaux de substrat. Par exemple, une suspension à sélectivité réglable pour le polissage mécano-chimique est décrite par Chen et al. dans le brevet US No. 7,294,576. Chen et al. décrivent un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat, lequel procédé comprend: (a) la fourniture d'un substrat avec au moins une première couche et une seconde couche, où la première couche et la seconde couche n'ont pas été mises en contact avec une composition de polissage mécano-chimique, (b) la préparation d'une composition de polissage mécano-chimique finale comprenant les étapes de (i): fourniture d'une première composition de polissage mécano-chimique comprenant un abrasif avec une première sélectivité pour une première couche par rapport à une seconde couche, (ii) fourniture d'une seconde composition de polissage mécano-chimique comprenant un abrasif avec une seconde sélectivité pour la première couche par rapport à la seconde couche, où la seconde composition de polissage mécano-chimique est stable en présence de la première composition de polissage mécano-chimique, et où les première et seconde sélectivités sont différentes, et (iii) mélange des première et seconde compositions de polissage mécano-chimique dans un rapport permettant d'obtenir une composition de polissage mécano-chimique finale avec une sélectivité finale pour la première couche par rapport à la seconde couche, (c) mise en contact du substrat avec la composition de polissage mécano-chimique finale, (d) déplacement du tampon de polissage par rapport au substrat avec la composition de polissage mécano-chimique finale entre eux, et (e) abrasion d'au moins une partie des première et seconde couches du substrat pour polir le substrat.
[0007] Néanmoins, il existe un besoin continu d'offres de consommables de polissage qui élargissent la gamme de sélectivités par les vitesses de retrait qui sont disponibles pour les concepteurs de dispositifs. Ainsi, il serait souhaitable de fournir des tampons de polissage mécano-chimique ayant des compositions de la couche de polissage qui sont choisies pour augmenter la sélectivité par les vitesses de retrait qui est disponible pour les concepteurs de dispositifs semi-conducteurs.
EXPOSE DE L'INVENTION
[0008] La présente invention fournit un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat comprenant: la fourniture du substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une suspension de polissage comprenant: de l'eau; et un abrasif de type silice, où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique comprenant: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol Initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) éventuellement, une pluralité de microéléments; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8; la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre la surface de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat; la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage mécano-chimique au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; et le retrait d'au moins une certaine quantité de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat.
[0009] La présente invention fournit un procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat comprenant: la fourniture du substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une machine de polissage ayant un plateau rotatif, une tête rotative et un conditionneur rotatif; la fourniture d'une suspension de polissage comprenant: de l'eau; et un abrasif de type silice, où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique comprenant: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) éventuellement, une pluralité de microéléments; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8; où la couche de polissage est montée sur le plateau rotatif; où le substrat est fixé à la tête rotative; la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre la surface de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat; où le plateau rotatif est entraîné en rotation à une vitesse de plateau de 93 tours par minute; où la tête rotative est entraînée en rotation à une vitesse de tête de 87 tours par minute; où le substrat est pressé contre la surface de polissage de la couche de polissage avec une force d'appui de 20685 Pa (3 psi); la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage mécano-chimique au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; où la suspension de polissage est fournie à la surface de polissage à un débit de 200 mL/min; et le retrait d’au moins une certaine quantité de l’oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat.
[0010] La présente invention fournit un tampon de polissage mécano-chimique comprenant: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium; où la composition est un produit de réaction d’ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; et (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait. De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend en outre: un sous-tampon ayant une surface supérieure et une surface inférieure, où la surface supérieure forme une interface avec la couche de polissage sur un côté de la couche de polissage opposé à la surface de polissage; et un adhésif de plateau sensible à la pression, où l'adhésif de plateau sensible à la pression est disposé sur la surface inférieure du sous-tampon.
[0011] La présente invention fournit un procédé de production d'une couche de polissage pour un tampon de polissage mécano-chimique comprenant: la fourniture (a) d'un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; et la fourniture (b) d'un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; la combinaison de l'isocyanate polyfonctionnel et de l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine pour former une combinaison; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel dans la combinaison est 1,25 à 1,8; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) dans la combinaison est choisi pour régler une sélectivité par les vitesses de retrait du dioxyde de silicium au nitrure de silicium de la couche de polissage.
DESCRIPTION DETAILLEE
[0012] On a constaté de manière surprenante que la sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium pour une couche de polissage dans un tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente Invention peut être réglée finement par le choix judicieux, dans les matières premières utilisées pour produire la composition de couche de polissage, du rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif (c'est-à-dire la somme des groupes amine (NH2) et des groupes hydroxyle (OH)) dans l'agent de durcissement aux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel dans la plage de 1,25 à 1,8. Tandis que les substrats semi-conducteurs continuent à se développer avec une complexité croissante, la gamme souhaitée de sélectivités de polissage nécessaires pour leur fabrication impose des sélectivités par les vitesses de retrait multiples entre différents matériaux présents à la surface du substrat pendant une opération de polissage donnée. La possibilité de réglage des vitesses de retrait procurée par la présente invention offre un autre outil pour obtenir des performances accrues de sélectivité par les vitesses de retrait pour permettre la fabrication de substrats encore plus complexes.
[0013] Le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention comprend: la fourniture du substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une suspension de polissage comprenant: de l'eau; et un abrasif de type silice (de préférence, 0,1 à 6 % en poids d'abrasif de type silice; de préférence encore, 0,5 à 5 % en poids d'abrasif de type silice; de manière particulièrement préférable, 0,75 à 2 % en poids d'abrasif de type silice), où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence de 2 à 5; de préférence encore de 2,5 à 5; de manière particulièrement préférable de 2,75 à 4,75); la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique comprenant: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type poiyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) éventuellement, une pluralité de microéléments; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8 (de préférence, 1,3 à 1,8; de préférence encore; 1,40 à 1,8; de manière particulièrement préférable, 1,45 à 1,75); la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre la surface de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat; la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage mécano-chimique au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; et le retrait d'au moins une certaine quantité de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat.
[0014] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le substrat fourni comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le substrat fourni est un substrat semi-conducteur comprenant un oxyde de silicium et un nitrure de silicium. De manière particulièrement préférable, dans le procédé de polissage mécano-chimique d’un substrat de la présente invention, le substrat fourni est un substrat semi-conducteur comprenant au moins un élément en oxyde de silicium et au moins un élément en nitrure de silicium; où le au moins un élément en oxyde de silicium et le au moins un élément en nitrure de silicium sont exposés à la surface de polissage et à la suspension de polissage pendant le polissage mécano-chimique; et où au moins une certaine quantité du au moins un élément en oxyde de silicium et du au moins un élément en nitrure de silicium est retirée du substrat.
[0015] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend: de l'eau et un abrasif de type silice; où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2.5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75). De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend: de l'eau; et 0,1 à 6 % en poids d'un abrasif de type silice; où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2.5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75). De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend: de l'eau; et 0,5 à 5 % en poids d'un abrasif de type silice; où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2.5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75). De manière particulièrement préférable, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend: de l'eau; et 0,75 à 2 % en poids d'un abrasif de type silice; où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2,5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75).
[0016] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'eau contenue dans la suspension de polissage fournie est au moins une eau parmi i'eau désionisée et l'eau distillée pour limiter les impuretés accidentelles.
[0017] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'abrasif de type silice contenu dans la suspension de polissage fournie est un abrasif de type silice colloïdale; où l'abrasif de type silice colloïdale a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2,5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75). De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'abrasif de type silice contenu dans la suspension de polissage fournie est un abrasif de type silice colloïdale ayant une dimension de particule moyenne < 100 nm telle qu'elle est mesurée par des techniques de diffusion de la lumière dynamique; où l'abrasif de type silice colloïdale a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2,5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75). De manière particulièrement préférable, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, l'abrasif de type silice contenu dans la suspension de polissage fournie est un abrasif de type silice colloïdale ayant une dimension de particule moyenne de 5 à 100 nm (de préférence encore, de 10 à 60 nm; de manière particulièrement préférable, de 20 à 60 nm) telle qu'elle est mesurée par des techniques de diffusion de la lumière dynamique; où l'abrasif de type silice colloïdale a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6 (de préférence, de 2 à 5; de préférence encore, de 2,5 à 5; de manière particulièrement préférable, de 2,75 à 4,75).
[0018] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie a un pH de polissage de 1 à 6. De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie a un pH de polissage de 2 à 5, De préférence encore, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie a un pH de polissage de 2,5 à 5. De manière particulièrement préférable, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie a un pH de polissage de 2,75 à 4,75.
[00193 De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, la suspension de polissage fournie comprend en outre un additif supplémentaire choisi dans le groupe consistant en les dispersants, les tensioactifs, les tampons, les agents antimousse et les biocides.
[0020] La composition de couche de polissage de la couche de polissage dans le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention est le produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; et (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif (c'est à dire la somme des groupes amine (NH2) et des groupes hydroxyle (OH)) dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait entre l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium de la couche de polissage; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8 (de préférence, 1,3 à 1,8; de préférence encore; 1,40 à 1,8; de manière particulièrement préférable, 1,45 à 1,75). Par le choix judicieux du rapport stoechiométrique, la sélectivité par les vitesses de retrait entre l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium de la couche de polissage peut être réglée dans une plage de 5 à 60.
[0021] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) éventuellement, une pluralité de microéléments.
[0022] De préférence, l'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule est un produit de réaction d'ingrédients incluant: (i) un isocyanate polyfonctionnel aliphatique; et (ii) un polyol prépolymère. De préférence encore, l'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule est un produit de réaction d'ingrédients incluant: (i) un isocyanate polyfonctionnel aliphatique, où l'isocyanate polyfonctionnel aliphatique est choisi dans le groupe consistant en l'isophorone diisocyanate (IPDI); rhexaméthylène-l,6-diisocyanate (HDI); le 4,4-méthylènebis(cyclohexyl isocyanate) (H12MDI); le 1,4-cyclohexane diisocyanate; le 1,3-cyclohexane diisocyanate; le 1,2-cyclohexane diisocyanate; le 2,2,4-triméthyl-hexaméthylène diisocyanate; le 2,4,4-triméthylhexaméthylène diisocyanate; le l,4-bis(isocyanatométhyl)cyclohexane; le 1.3- bis(isocyanatométhyl)cyclohexane et leurs mélanges; et (ii) un polyol prépolymère, où le polyol prépolymère est choisi dans le groupe consistant en les diols, les polyols, les polyol diols, leurs copolymères et leurs mélanges. De préférence encore, l'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule est un produit de réaction d'ingrédients incluant: (i) un isocyanate polyfonctionnel aliphatique, où l'isocyanate polyfonctionnel aliphatique est le 4,4-méthylènebis(cyclohexylisocyanate) (H12-MDI); et (ii) un polyol prépolymère, où le polyol prépolymère est choisi dans le groupe consistant en les diols, les polyols, les polyol diols, leurs copolymères, et leurs mélanges.
[0023] De préférence, le polyol prépolymère est choisi dans le groupe consistant en les polyéther polyols (par exemple le poly(oxytétra-méthylène)glycol, le poly(oxypropylène)glycol, le poly(oxyéthylène)glycol); les polycarbonate polyols; les polyester polyols; les polycaprolactone polyols; leurs mélanges; et leurs mélanges avec un ou plusieurs polyols de faible masse moléculaire choisis dans le groupe consistant en l'éthylèneglycol; le 1,2-propylèneglycol; le 1,3-propylèneglycol; le 1,2-butanediol; le 1,3-butanediol; le 2-méthyl-l,3-propanediol; le 1.4- butanediol; le néopentylglycol; le 1,5-pentanediol; le 3-méthyl-l,5-pentanediol; le 1,6-hexanediol; le diéthylèneglycol; le dipropylèneglycol; et le tripropylèneglycol. De préférence encore, le polyol prépolymère est choisi dans le groupe consistant en au moins un polyol parmi le polytétraméthylène éther glycol (PTMEG); les polypropylène éther glycols (PPG), et les polyéthylène éther glycols (PEG); éventuellement, mélangé avec au moins un polyol de faible masse moléculaire choisi dans le groupe consistant en l'éthylèneglycol; le 1,2-propylènegiycol; le 1,3-propylèneglycol; le 1,2-butanediol; le 1,3-butanediol; le 2-méthyl-l,3-propanediol; le 1,4-butanediol; le néopentylglycol; le 1,5-pentanediol; le 3-méthyl-l,5-pentanediol; le 1,6-hexanediol; le diéthylèneglycol; le dipropylèneglycol; et le tripropylèneglycol.
[0024] De préférence, l'isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule est un prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate ayant 5,5 à 11,5 % en poids (de préférence, 6 à 11 % en poids; de préférence encore, 7 à 10,5 % en poids; de manière particulièrement préférable, 7,25 à 10,5 % en poids) de groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi.
[0025] De préférence, l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule. De préférence encore, l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient un à quatre (de préférence encore deux à quatre; de manière particulièrement préférable deux) atomes d'azote par molécule et une moyenne de trois à six (de préférence encore trois à cinq; de manière particulièrement préférable quatre) groupes hydroxyle par molécule.
[0026] De préférence, l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, < 700. De préférence encore, l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine utilisé a une masse moléculaire moyenne en nombre, Mn, de 150 à 650 (de préférence encore de 200 à 500; de préférence encore de 200 à 400; de manière particulièrement préférable de 250 à 300).
[0027] De préférence, l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a un indice d'hydroxyle (tel qu'il est déterminé par le procédé de test ASTM D4274-11) de 350 à 1200 mg de KOH/g. De préférence encore, l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a un indice d'hydroxyle de 400 à 1000 mg de KOH/g (de manière particulièrement préférable de 600 à 850 mg de KOH/g).
[0028] Les exemples d'agents de durcissement de type polyol initié par une amine disponibles dans le commerce incluent la famille Voranol® de polyols initiés par une amine (disponibles auprès de The Dow Chemical Company); les polyols constituant une spécialité Quadrol® (N,N,N',N'-tétrakis(2-hydroxypropyl éthylène diamine)) (disponibles auprès de BASF); les polyols à base d'amine Pluracol® (disponibles auprès de BASF); les polyols à base d'amine Multranol® (disponibles auprès de Bayer MateriaIScience LLC); la triisopropanolamine (ΉΡΑ) (disponible auprès de The Dow Chemical Company); et la triéthanolamine (TEA) (disponible auprès de Mallinckrodt Baker Inc.). Un certain nombre d'agents de durcissement de type polyol Initiés par une amine préférés sont présentés dans le tableau 1 ci-dessous. TABLEAU 1
[0029] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi
par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) une pluralité de microéléments.
[0030] De préférence, la pluralité de microéléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées, les matériaux polymériques à noyau creux, par exemple des matériaux polymériques à noyau creux rempli de gaz ou des matériaux polymériques à noyau creux rempli de liquide, les matériaux solubles dans l'eau et un matériau en phase insoluble (par exemple une huile minérale). De préférence encore, la pluralité de microéléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées et les matériaux polymériques à noyau creux. De préférence, la pluralité de microéléments a un diamètre moyen en poids inférieur à 150 pm (de préférence encore inférieur à 50 pm; de manière particulièrement préférable de 10 à 50 pm). De préférence, la pluralité de microéléments comprend des microballons polymériques avec des parois d'enveloppe en polyacrylonitrile ou en un copolymère de polyacrylonitrile (par exemple Expancel® de Akzo Nobel). De préférence, la pluralité de microéléments (par exemple, matériaux polymériques à noyau creux rempli de gaz) est incorporée dans la composition de couche de polissage à raison de 0 à 35 vol%, de préférence encore de 10 à 25 vol%, c'est-à-dire à une porosité de 0 à 35 vol%, de préférence encore à une porosité de 10 à 25 vol%. De préférence, la pluralité de microéléments est distribuée dans toute la composition de couche de polissage.
[0031] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) éventuellement, une pluralité de microéléments; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait de la couche de polissage. De préférence, le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) qui est choisi est 1,25 à 1,8. De préférence encore, le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) qui est choisi est 1,3 à 1,8 (de préférence encore; 1,40 à 1,8; de manière particulièrement préférable, 1,45 à 1,75).
[0032] De préférence, dans le procédé de polissage mécano-chimique d’un substrat de la présente invention, le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium; où la surface de polissage est adaptée pour polir le substrat.
[0033] De préférence, la surface de polissage est adaptée pour polir le substrat en conférant à la surface de polissage une macrotexture. De préférence encore, la surface de polissage est adaptée pour polir le substrat en conférant à la surface de polissage une macrotexture, où la macrotexture est choisie dans le groupe comprenant au moins une macrotexture parmi les perforations et les rainures. Les perforations peuvent s'étendre depuis la surface de polissage sur tout ou partie de l'épaisseur de la couche de polissage. De préférence, les rainures sont disposées sur la surface de polissage de telle sorte que, lors de la rotation du tampon de polissage mécano-chimique pendant le polissage, au moins une rainure balaie la surface du substrat qui est poli. De préférence, la surface de polissage a une macrotexture incluant au moins une rainure choisie dans le groupe consistant en les rainures incurvées, les rainures linéaires et leurs combinaisons.
[0034] De préférence, la surface de polissage est adaptée pour polir le substrat en conférant à la surface de polissage une macrotexture, où la macrotexture comprend un motif de rainures formé dans la couche de polissage au niveau de la surface de polissage. De préférence, le motif de rainures comprend une pluralité de rainures. De préférence encore, le motif de rainures est choisi dans une configuration de rainures. De préférence, la configuration de rainures est choisie dans le groupe consistant en les rainures concentriques (qui peuvent être circulaires ou en spirale), les rainures incurvées, les rainures croisées (par exemple disposées sous forme d'une grille X-Y sur la surface du tampon), d'autres configurations régulières (par exemple hexagones, triangles), les motifs de type bande de roulement de pneumatique, les configurations irrégulières (par exemple motifs de fractales), et leurs combinaisons. De préférence encore, la configuration de rainures est choisie dans le groupe consistant en les rainures aléatoires, les rainures concentriques, les rainures en spirale, les rainures croisées, les rainures en grille X-Y, les rainures hexagonales, les rainures triangulaires, les rainures de type fractales et leurs combinaisons. De manière particulièrement préférable, la surface de polissage a un motif de rainures en spirale formé dans celle-ci. Le profil des rainures est de préférence choisi parmi les profils rectangulaires avec des parois latérales rectilignes, ou bien la section droite des rainures peut être en forme de "V", en forme de "U", en dents de scie, et leurs combinaisons.
[0035] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une épaisseur moyenne de 0,51 à 3,81 mm (20 à 150 mils; 1 mil = 10'3 pouce = 0,0254 mm) (de préférence encore de 0,76 à 3,17 mm (30 à 125 mils); de manière particulièrement préférable de 1,02 à 3,05 mm (40 à 120 mils).
[0036] Le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui peut être fournie dans des configurations poreuses et non poreuses (c'est-à-dire non chargées). De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une masse volumique > 0,6 g/cm3 telle qu'elle est mesurée selon ASTM D1622. De préférence encore, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une masse volumique de 0,7 à 1,1 g/cm3 (de préférence encore, de 0,75 à 1,0 g/cm3; de manière particulièrement préférable, de 0,75 à 0,95 g/cm3) telle qu'elle est mesurée selon ASTM D1622.
[0037] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une dureté Shore D de 10 à 60 telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240. De préférence encore, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une dureté Shore D de 15 à 50 (de manière particulièrement préférable de 20 à 40) telle qu'elle est mesurée selon ASTM D2240.
[0038] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a un allongement à la rupture de 100 à 500% (de préférence encore, de 200 à 450%; de manière particulièrement préférable, de 300 à 400%) tel qu'il est mesuré selon ASTM D412.
[0039] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une ténacité de 10 à 50 MPa (de préférence encore, de 15 à 40 MPa; de manière particulièrement préférable, de 20 à 30 MPa) telle qu'elle est mesurée selon ASTM D1708-10.
[0040] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention a une couche de polissage qui a une résistance à la traction de 5 à 35 MPa (de préférence encore, de 7,5 à 20 MPa; de manière particulièrement préférable, de 10 à 15 MPa) telle qu'elle est mesurée selon ASTM D1708-10.
[0041] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention est adapté pour former une interface avec le plateau d'une machine de polissage. De préférence encore, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention est adapté pour être fixé au plateau d'une machine de polissage. De manière particulièrement préférable, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention est conçu pour être fixé au plateau à l'aide d'au moins un moyen parmi un adhésif sensible à la pression et le vide. De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention comprend en outre un adhésif de plateau, où l'adhésif de plateau est disposé sur un côté du tampon de polissage mécano-chimique opposé à la surface de polissage.
[0042] De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention comprend en outre au moins une couche supplémentaire formant une interface avec la couche de polissage. De préférence, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention comprend en outre une couche de base compressible amenée à adhérer à la couche de polissage. La couche de base compressible améliore de préférence la conformité de la couche de polissage avec la surface du substrat qui est polie. De préférence, la couche de base compressible est amenée à adhérer à la couche de polissage via un adhésif d'empilement disposé entre la couche de base compressible et la couche de polissage. De préférence, l'adhésif d'empilement est choisi dans le groupe consistant en un adhésif sensible à la pression, un adhésif thermofusible, un adhésif par contact et leurs combinaisons. De préférence encore, l'adhésif d'empilement est choisi dans le groupe consistant en un adhésif sensible à la pression est un adhésif thermofusible. De manière particulièrement préférable, l'adhésif d'empilement est un adhésif thermofusible réactif.
[0043] Une étape importante dans les opérations de polissage de substrats est la détermination d'un point final du procédé. Un procédé in situ populaire pour la détection du point final comprend le fait de munir un tampon de polissage d'une fenêtre qui est transparente pour des longueurs d'onde de lumière choisies. Pendant le polissage, un faisceau lumineux est dirigé à travers la fenêtre vers la surface de la galette, où il est réfléchi et traverse la fenêtre dans l'autre sens pour parvenir à un détecteur (par exemple un spectrophotomètre). Sur la base du signal de retour, les propriétés de la surface du substrat (par exemple l'épaisseur des films qui s'y trouvent) peuvent être déterminées pour la détection du point final. Pour faciliter de tels procédés de détection du point final basés sur la lumière, le tampon de polissage mécano-chimique fourni dans le procédé de la présente invention comprend éventuellement en outre une fenêtre de détection de point final. De préférence, la fenêtre de détection de point final est choisie parmi une fenêtre intégrée incorporée dans la couche de polissage; et un bloc de fenêtre de détection de point final mis en place incorporé dans le tampon de polissage mécano-chimique fourni.
[0044] De préférence, le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention comprend en outre: la fourniture d'une machine de polissage ayant un plateau rotatif, une tête rotative et un conditionneur rotatif; où la couche de polissage est montée sur le plateau rotatif; où le substrat est fixé à la tête rotative; où le plateau rotatif est entraîné en rotation à une vitesse de plateau de 93 tours par minute; où la tête rotative est entraînée en rotation à une vitesse de tête de 87 tours par minute; où le substrat est pressé contre la surface de polissage de la couche de polissage avec une force d'appui de 20685 Pa (3 psi); où la suspension de polissage est fournie à la surface de polissage à un débit de 200 mL/min.
[0045] De préférence, le procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat de la présente invention comprend en outre: la fourniture d'une machine de polissage ayant un plateau rotatif, une tête rotative et un conditionneur rotatif; où la couche de polissage est montée sur le plateau rotatif; où le substrat est fixé à la tête rotative; où le plateau rotatif est entraîné en rotation à une vitesse de plateau de 93 tours par minute; où la tête rotative est entraînée en rotation à une vitesse de tête de 87 tours par minute; où le substrat est pressé contre la surface de polissage de la couche de polissage avec une force d'appui de 20685 Pa (3 psi); où la suspension de polissage est fournie à la surface de polissage à un débit de 200 mL/min; où le conditionneur rotatif est un disque abrasif diamanté; où la surface de polissage est abrasée au moyen du conditionneur rotatif; où le conditionneur rotatif est pressé contre la surface de polissage avec une force de conditionneur de 3,18 kg (7 Ibs) perpendiculairement à la surface de polissage.
[0046] De préférence, ie procédé de production d'une couche de polissage pour un tampon de polissage mécano-chimique de la présente invention comprend: la fourniture (a) d'un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate qui n'ont pas réagi par molécule (de préférence, où le prépoiymère d'uréthane terminé par un isocyanate est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (i) un isocyanate polyfonctionnel aliphatique et (ii) un polyol prépolymère; de préférence, où l'isocyanate polyfonctionnel fourni est un prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate ayant 5,5 à 11,5 % en poids (de préférence, 6 à 11 % en poids; de préférence encore, 7 à 10,5 % en poids; de manière particulièrement préférable, 7,25 à 10,5 % en poids) de groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi); et la fourniture (b) d'un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; la combinaison de l'isocyanate polyfonctionnel et de l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine pour former une combinaison; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif (c'est à dire la somme des groupes amine (NH2) et des groupes hydroxyle (OH)) dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel dans la combinaison est 1,25 à 1,8 (de préférence, 1,3 à 1,8; de préférence encore; 1,40 à 1,8; de manière particulièrement préférable, 1,45 à 1,75); et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) dans la combinaison est choisi pour régler une sélectivité par les vitesses de retrait du dioxyde de silicium au nitrure de silicium de la couche de polissage.
[0047] Certains modes de réalisation de la présente invention vont maintenant être décrits en détail dans les exemples suivants.
Exemple comparatif Cl et exemples 1-3 [0048] Des couches de polissage ont été préparées selon les détails de formulation fournis dans le tableau 2. Spécifiquement, des gâteaux de polyuréthane ont été préparés par mélange contrôlé du prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate à 51°C pour Adiprene® LFG963A pour l'exemple comparatif Cl; et à 65°C pour Adiprene® LW570 pour les exemples 1-3; l'un et l'autre étant disponibles auprès de Chemtura Corporation, avec l'agent de durcissement indiqué dans le tableau 2. La MBOCA (4,4'-méthylènebis(2-chloroaniline) a été maintenue à une température de prémélange de 116°C. Le rapport du prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate et de l'agent de durcissement a été fixé de telle manière que la stœchiométrie, telle qu'elle est définie par le rapport des groupes à hydrogène réactif (c'est-à-dire la somme des groupes -OH et des groupes -NH2) dans l'agent de durcissement aux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans le prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate, était telle qu'indiquée dans le tableau 2.
[0049] Une porosité a été introduite dans les couches de polissage par addition de microsphères de Expancel® au prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate avant sa combinaison avec l'agent de durcissement pour obtenir la porosité souhaitée et la masse volumique souhaitée pour les couches de polissage.
[0050] Le prépolymère d'uréthane terminé par un isocyanate avec les microsphères de Expancel® incorporées et l'agent de durcissement ont été mélangés avec une tête mélangeuse à haut cisaillement. Après avoir quitté la tête mélangeuse, la combinaison a été distribuée sur une période de 5 minutes dans un moule circulaire d'un diamètre de 86,4 cm (34 pouces) pour donner une épaisseur de déversement totale d'approximativement 10 cm (4 pouces). La combinaison distribuée a été mise à gélifier pendant 15 minutes avant que le moule soit placé dans une étuve de durcissement. Le moule a ensuite été durci dans l’étuve de durcissement au moyen du cycle suivant: montée de 30 minutes de la température ambiante à un point fixé de 104°C, puis maintien pendant 15,5 heures à 104°C, puis descente pendant 2 heures de 104°C à 21°C.
[0051] Les gâteaux de polyuréthane durcis ont ensuite été retirés du moule et tranchés (coupés au moyen d'une lame mobile) à une température de 30 à 80°C en feuilles épaisses de 2,0 mm (80 mils). Le tranchage a été initié depuis le sommet de chaque gâteau. Toutes les feuilles incomplètes ont été jetées.
[0052] Les matériaux de couche de polissage non rainurés provenant de l'exemple comparatif Cl et des exemples 1-3 ont été analysés pour déterminer leurs propriétés physiques comme indiqué dans les tableaux 2 et 3. On notera que les données concernant la masse volumique indiquées ont été déterminées selon ASTM D1622; que les données concernant la dureté Shore D indiquées ont été déterminées selon ASTM D2240; et que les données concernant l'allongement à la rupture indiquées ont été déterminées selon ASTM D412. TABLEAU 2
TABLEAU 3
Expériences de polissage [0053] Des tampons de polissage mécano-chimique ont été construits au moyen de couches de polissage préparées selon l'exemple comparatif Cl et les exemples 1-3. Les couches de polissage ont été ralnurées chacune à la machine pour produire un motif de rainures dans la surface de polissage comprenant une pluralité de rainures circulaires concentriques ayant des dimensions de pas de 1,78 mm (70 mils), largeur de 0,51 mm (20 mils) et profondeur de 0,76 mm (30 mils). Les couches de polissage ont ensuite été stratifiées à une couche de sous-tampon non tissée recouverte de polymère (couches de sous-tampon Suba IV disponibles auprès de Rohm et Haas Electronic Materials CMP Inc.).
[0054] Une suspension de polissage comprenant 1 % en poids d’abrasif de type silice (disponible auprès de Fuso Chemical Co., Ltd.), ayant une positive charge mesurée au pH de polissage noté dans le tableau 4 ci-dessous, et de l'eau désionisée a été fournie.
[0055] Un polisseur de galettes Strasbaugh 6EC a été utilisé pour polir des galettes de couverture en oxyde de silicium et nitrure de silicium de 200 mm disponibles auprès de Novellus Systems, Inc. avec les tampons de polissage mécano-chimique indiqués. Les conditions de polissage utilisées dans toutes les expériences de polissage incluaient une vitesse du plateau de 93 tr/min; une vitesse du support de 87 tr/min; avec un débit de suspension de polissage de 200 mL/min et une force d'appui de 20,7 kPa. Un disque de conditionnement diamanté Kinik CG181060 (disponible dans le commerce auprès de Kinik Company) a été utilisé pour conditionner les tampons de polissage mécano-chimique. Les tampons de polissage mécano-chimique ont été rodés chacun avec le conditionneur ex situ avec une force d'appui de 3,18 kg (7 Ibs) pendant 40 minutes. Les tampons de polissage ont été conditionnés encore in situ pendant le polissage avec une force d'appui de 3,18 kg (7 Ibs). Les vitesses de retrait ont été déterminées en mesurant l'épaisseur de film avant et après le polissage au moyen d'un outil de métrologie KLA-Tencor FX200 en utilisant un balayage en spirale à 49 points avec une exclusion de bord de 3 mm. Les résultats des expériences sur les vitesses de retrait sont présentés dans le tableau 4. TABLEAU 4

Claims (10)

  1. REVENDICATIONS
    1. Procédé de polissage mécano-chimique d'un substrat caractérisé en ce qu'il comprend: la fourniture du substrat, où le substrat comprend un oxyde de silicium et un nitrure de silicium; la fourniture d'une suspension de polissage comprenant: de l'eau; et un abrasif de type silice, où l'abrasif de type silice a une charge de surface positive mesurée à un pH de polissage de 1 à 6; la fourniture d'un tampon de polissage mécano-chimique comprenant: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium, où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un Isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol Initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; et (c) éventuellement, une pluralité de microéléments; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8; la création d'un contact dynamique au niveau d'une interface entre la surface de polissage et le substrat pour polir une surface du substrat; la distribution de la suspension de polissage sur le tampon de polissage mécano-chimique au niveau de ou à proximité de l'interface entre la surface de polissage et le substrat; et le retrait d'au moins une certaine quantité de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium du substrat.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comprend en outre: la fourniture d'une machine de polissage ayant un plateau rotatif, une tête rotative et un conditionneur rotatif; où la couche de polissage est montée sur le plateau rotatif; où le substrat est fixé à la tête rotative; où le plateau rotatif est entraîné en rotation à une vitesse de plateau de 93 tours par minute; où la tête rotative est entraînée en rotation à une vitesse de tête de 87 tours par minute; où le substrat est pressé contre la surface de polissage de la couche de polissage avec une force d'appui de 20685 Pa (3 psi); où la suspension de polissage est fournie à la surface de polissage à un débit de 200 mL/min.
  3. 3. Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que le conditionneur rotatif est un disque abrasif diamanté; où la surface de polissage est abrasée au moyen du conditionneur rotatif; où le conditionneur rotatif est pressé contre la surface de polissage avec une force de conditionneur de 3,18 kg (7 Ibs) perpendiculairement à la surface de polissage.
  4. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la composition de la couche de polissage fournie est le produit de réaction d'ingrédients incluant l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine; où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient une moyenne de deux atomes d'azote par molécule et une moyenne de quatre groupes hydroxyle par molécule; et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une masse moléculaire moyenne en nombre, MN, de 200 à 400.
  5. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la composition de la couche de polissage fournie est le produit de réaction d'ingrédients incluant la pluralité de microéléments, où la pluralité de microéléments est choisie parmi les bulles de gaz piégées, les matériaux polymériques à noyau creux rempli de gaz, les matériaux polymériques à noyau creux rempli de liquide, les matériaux solubles dans l'eau et un matériau en phase insoluble.
  6. 6. Procédé selon la revendication 5 caractérisé en ce que la composition de la couche de polissage fournie est le produit de réaction d'ingrédients incluant la pluralité de microéléments, où la pluralité de microéléments sont des matériaux polymériques à noyau creux rempli de gaz.
  7. 7. Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce que la composition de la couche de polissage fournie contient 10 à 25 vol% de matériaux polymériques à noyau creux rempli de gaz.
  8. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le tampon de polissage mécano-chimique fourni comprend en outre: un sous-tampon ayant une surface supérieure et une surface inférieure, où la surface supérieure forme une interface avec la couche de polissage sur un côté de la couche de polissage opposé à la surface de polissage; et un adhésif de plateau sensible à la pression, où l'adhésif de plateau sensible à la pression est disposé sur la surface inférieure du sous-tampon.
  9. 9. Tampon de polissage mécano-chimique caractérisé en ce qu'il comprend: une couche de polissage ayant une composition, une surface de polissage et une sélectivité par les vitesses de retrait entre un matériau de type oxyde de silicium et un matériau de type nitrure de silicium; où la composition est un produit de réaction d'ingrédients comprenant: (a) un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; et (b) un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est 1,25 à 1,8; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) est choisi pour régler la sélectivité par les vitesses de retrait.
  10. 10. Procédé de production d'une couche de polissage pour un tampon de polissage mécano-chimique caractérisé en ce qu'il comprend: la fourniture (a) d'un isocyanate polyfonctionnel ayant une moyenne d'au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi par molécule; et la fourniture (b) d'un agent de durcissement de type polyol initié par une amine, où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine contient au moins un atome d'azote par molécule et où l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine a une moyenne d'au moins trois groupes hydroxyle par molécule; la combinaison de l'isocyanate polyfonctionnel et de l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine pour former une combinaison; où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel dans la combinaison est 1,25 à 1,8; et où le rapport stoechiométrique des groupes à hydrogène réactif dans l'agent de durcissement de type polyol initié par une amine de (b) aux au moins deux groupes isocyanate (NCO) qui n'ont pas réagi dans l'isocyanate polyfonctionnel de (a) dans la combinaison est choisi pour régler une sélectivité par les vitesses de retrait entre le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium de la couche de polissage.
FR1660475A 2015-10-30 2016-10-28 Procede de polissage mecano-chimique, tampon de polissage correspondant et son procede de production Pending FR3043001A1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/927,704 US9484212B1 (en) 2015-10-30 2015-10-30 Chemical mechanical polishing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
FR3043001A1 true FR3043001A1 (fr) 2017-05-05

Family

ID=57189269

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1660475A Pending FR3043001A1 (fr) 2015-10-30 2016-10-28 Procede de polissage mecano-chimique, tampon de polissage correspondant et son procede de production

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9484212B1 (fr)
JP (1) JP6849389B2 (fr)
KR (1) KR20170054266A (fr)
CN (1) CN106625031A (fr)
DE (1) DE102016012533A1 (fr)
FR (1) FR3043001A1 (fr)
TW (1) TW201715016A (fr)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180169827A1 (en) * 2016-12-16 2018-06-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Methods for making chemical mechanical planarization (cmp) polishing pads having integral windows
CN106891246B (zh) * 2017-03-30 2019-05-07 湖北鼎龙控股股份有限公司 一种用于半导体、光学材料和磁性材料表面平坦化的化学机械抛光垫
JP2019050307A (ja) * 2017-09-11 2019-03-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法、ならびに研磨用組成物およびその製造方法
US10464187B2 (en) 2017-12-01 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High removal rate chemical mechanical polishing pads from amine initiated polyol containing curatives
US10569384B1 (en) 2018-11-06 2020-02-25 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad and polishing method
US10464188B1 (en) * 2018-11-06 2019-11-05 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad and polishing method
US11772230B2 (en) 2021-01-21 2023-10-03 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. Formulations for high porosity chemical mechanical polishing pads with high hardness and CMP pads made therewith

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY114512A (en) 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
JP3925041B2 (ja) 2000-05-31 2007-06-06 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
US6649523B2 (en) 2000-09-29 2003-11-18 Nutool, Inc. Method and system to provide material removal and planarization employing a reactive pad
JP3826702B2 (ja) 2000-10-24 2006-09-27 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド用組成物及びこれを用いた研磨パッド
CN100592474C (zh) 2001-11-13 2010-02-24 东洋橡胶工业株式会社 研磨垫及其制造方法
JP4039214B2 (ja) 2002-11-05 2008-01-30 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド
US7704125B2 (en) 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
US20040224622A1 (en) 2003-04-15 2004-11-11 Jsr Corporation Polishing pad and production method thereof
JP4475404B2 (ja) 2004-10-14 2010-06-09 Ｊｓｒ株式会社 研磨パッド
US7731864B2 (en) * 2005-06-29 2010-06-08 Intel Corporation Slurry for chemical mechanical polishing of aluminum
CN101724167B (zh) 2005-07-15 2013-06-26 东洋橡胶工业株式会社 层叠片及其制造方法
US20070037491A1 (en) 2005-08-12 2007-02-15 Yuzhuo Li Chemically modified chemical mechanical polishing pad, process of making a modified chemical mechanical polishing pad and method of chemical mechanical polishing
US7445847B2 (en) * 2006-05-25 2008-11-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7294576B1 (en) 2006-06-29 2007-11-13 Cabot Microelectronics Corporation Tunable selectivity slurries in CMP applications
KR101181885B1 (ko) 2006-09-08 2012-09-11 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드
US7438636B2 (en) * 2006-12-21 2008-10-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
SG177964A1 (en) 2007-01-15 2012-02-28 Toyo Tire & Rubber Co Polishing pad and method for producing the same
US7569268B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US7828634B2 (en) * 2007-08-16 2010-11-09 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Interconnected-multi-element-lattice polishing pad
US20090062414A1 (en) 2007-08-28 2009-03-05 David Picheng Huang System and method for producing damping polyurethane CMP pads
US8052507B2 (en) 2007-11-20 2011-11-08 Praxair Technology, Inc. Damping polyurethane CMP pads with microfillers
JP4593643B2 (ja) 2008-03-12 2010-12-08 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド
WO2009131106A1 (fr) 2008-04-25 2009-10-29 トーヨーポリマー株式会社 Mousse de polyuréthane et tampon de polissage
US7820005B2 (en) * 2008-07-18 2010-10-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad manufacturing process
JP5393434B2 (ja) 2008-12-26 2014-01-22 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US8119529B2 (en) * 2009-04-29 2012-02-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing a substrate
US8257544B2 (en) * 2009-06-10 2012-09-04 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad having a low defect integral window
US8551201B2 (en) 2009-08-07 2013-10-08 Praxair S.T. Technology, Inc. Polyurethane composition for CMP pads and method of manufacturing same
CN102473622B (zh) * 2009-10-22 2013-10-16 日立化成株式会社 研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂以及基板研磨方法
US8431490B2 (en) * 2010-03-31 2013-04-30 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate with polishing composition adapted to enhance silicon oxide removal
US9156124B2 (en) 2010-07-08 2015-10-13 Nexplanar Corporation Soft polishing pad for polishing a semiconductor substrate
CN102601723B (zh) * 2011-01-20 2014-03-12 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种半导体器件的研磨方法
JP5789634B2 (ja) * 2012-05-14 2015-10-07 株式会社荏原製作所 ワークピースを研磨するための研磨パッド並びに化学機械研磨装置、および該化学機械研磨装置を用いてワークピースを研磨する方法
US9144880B2 (en) 2012-11-01 2015-09-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad
US9238295B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical window polishing pad
US9233451B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-12 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad stack
US9238296B2 (en) * 2013-05-31 2016-01-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multilayer chemical mechanical polishing pad stack with soft and conditionable polishing layer
US9102034B2 (en) * 2013-08-30 2015-08-11 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of chemical mechanical polishing a substrate
US8980749B1 (en) * 2013-10-24 2015-03-17 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method for chemical mechanical polishing silicon wafers
US9127187B1 (en) 2014-03-24 2015-09-08 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive tungsten CMP composition
US9216489B2 (en) * 2014-03-28 2015-12-22 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US9064806B1 (en) * 2014-03-28 2015-06-23 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window
US9259820B2 (en) * 2014-03-28 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with polishing layer and window
US20150306731A1 (en) * 2014-04-25 2015-10-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad
US9333620B2 (en) * 2014-04-29 2016-05-10 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with clear endpoint detection window
US9314897B2 (en) * 2014-04-29 2016-04-19 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing pad with endpoint detection window
US20150375361A1 (en) * 2014-06-25 2015-12-31 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing method
US9259821B2 (en) * 2014-06-25 2016-02-16 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Chemical mechanical polishing layer formulation with conditioning tolerance
US9481070B2 (en) * 2014-12-19 2016-11-01 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High-stability polyurethane polishing pad

Also Published As

Publication number Publication date
CN106625031A (zh) 2017-05-10
JP6849389B2 (ja) 2021-03-24
US9484212B1 (en) 2016-11-01
DE102016012533A1 (de) 2017-05-04
TW201715016A (zh) 2017-05-01
KR20170054266A (ko) 2017-05-17
JP2017139443A (ja) 2017-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR3019076B1 (fr) Feutre de polissage mecano-chimique avec couche de polissage et fenetre
FR3043001A1 (fr) Procede de polissage mecano-chimique, tampon de polissage correspondant et son procede de production
US11396081B2 (en) Chemical mechanical polishing pad
KR102117902B1 (ko) 연질 및 컨디셔닝 가능한 화학기계 연마 패드
TWI568531B (zh) 化學機械硏磨方法
FR3022814A1 (fr) Formulation de couche de polissage mecano-chimique avec tolerance de traitement
TWI705080B (zh) 化學機械拋光墊複合拋光層調配物
JP6367611B2 (ja) 軟質かつコンディショニング可能な研磨層を有する多層化学機械研磨パッドスタック
FR3020298A1 (fr) Feutre de polissage mecano-chimique avec fenetre de detection de point limite transparente
US9064806B1 (en) Soft and conditionable chemical mechanical polishing pad with window
TWI574793B (zh) 軟且可修整化學機械硏磨墊堆疊體
FR3037836A1 (fr)
US10875144B2 (en) Chemical mechanical polishing pad
TW201603956A (zh) 見窗之軟且可調質化學機械硏磨墊
FR3037837A1 (fr)
FR3037834A1 (fr)
TWI842767B (zh) 用於拋光襯底的具有正ζ電勢之化學機械拋光墊

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

RX Complete rejection

Effective date: 20200324