FR3039905A1 - Source de tension - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne une source de tension dans laquelle au moins un premier interrupteur (NM1) couple un premier noeud (9) de la source de tension à un noeud (15) d'application d'au moins un potentiel d'une tension d'alimentation, et au moins un premier élément capacitif (C1) couple le premier noeud ou un deuxième noeud (11) de la source de tension à un noeud de commande (G1) du premier interrupteur.
Description
SOURCE DE TENSION
Domaine
La présente description concerne de façon générale les circuits électroniques et plus particulièrement une source de tension.
Exposé de l'art antérieur
Dans certaines applications, il existe un besoin de source de tension flottante, c'est-à-dire maintenant une tension entre deux noeuds de sortie dont les potentiels sont susceptibles de varier. Ce besoin apparait, par exemple, dans le domaine des circuits d'alimentation de moteurs électriques. Résumé
Un mode de réalisation prévoit une source de tension flottante permettant de maintenir une tension entre deux noeuds de sortie, des potentiels différents étant susceptibles d'être appliqués alternativement sur l'un des noeuds.
Un mode de réalisation prévoit une source de tension flottante permettant de maintenir une différence de potentiel entre deux noeuds de sortie, l'un des noeuds étant couplé à un potentiel de référence par l'intermédiaire d'un élément capacitif.
Ainsi, un mode de réalisation prévoit une source de tension dans laquelle au moins un premier interrupteur couple un premier noeud de la source de tension à un noeud d'application d'au moins un potentiel d'une tension d'alimentation, et au moins un premier élément capacitif couple le premier noeud ou un deuxième noeud de la source de tension à un noeud de commande du premier interrupteur.
Selon un mode de réalisation, la tension entre le premier noeud et le deuxième noeud est maintenue sensiblement constante lors d'une variation du potentiel appliqué sur le deuxième noeud.
Selon un mode de réalisation, la source de tension comporte des moyens pour maintenir sensiblement constante la tension entre le premier noeud et le deuxième noeud lors d'une variation du potentiel appliqué sur le deuxième noeud.
Selon un mode de réalisation, au moins une source auxiliaire de tension couple le noeud de commande du premier interrupteur avec le premier noeud ou le deuxième noeud de la source de tension.
Selon un mode de réalisation, la source auxiliaire de tension comprend au moins un premier élément résistif couplant au moins une première source de courant au premier noeud ou au deuxième noeud de la source de tension, le premier élément résistif étant couplé au noeud de commande du premier interrupteur.
Selon un mode de réalisation, au moins un deuxième élément résistif couple la source auxiliaire de tension et le noeud de commande du premier interrupteur.
Selon un mode de réalisation, le premier élément résistif comprend au moins un premier transistor de type MOS dont la grille est couplée au drain, le premier interrupteur comprenant au moins un deuxième transistor de type MOS formant un miroir de courant avec le premier transistor.
Selon un mode de réalisation, la première source de courant comprend un premier miroir de courant dont une première branche est couplée à un troisième noeud, et dont une deuxième branche est couplée à une première branche d'un deuxième miroir de courant dont la deuxième branche est couplée au premier noeud de la source de tension.
Selon un mode de réalisation, la source auxiliaire de tension comprend un quatrième élément résistif couplant la grille du premier transistor au premier noeud de la source de tension ; et un cinquième élément résistif couple la première branche du premier miroir de courant au troisième noeud.
Selon un mode de réalisation, au moins un deuxième interrupteur couple le noeud de commande du premier interrupteur au deuxième noeud de la source de tension, et au moins un deuxième élément capacitif couple le premier noeud de la source de tension à un noeud de commande du deuxième interrupteur.
Selon un mode de réalisation, au moins une deuxième source de courant est couplée à la commande du premier interrupteur.
Brève description des dessins
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1 représente schématiquement un exemple de dispositif du type auquel s'appliquent les modes de réalisation qui vont être décrits ; la figure 2 représente schématiquement un mode de réalisation d'une source de tension flottante ; la figure 3 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'une source de tension flottante ; et la figure 4 représente schématiquement et de manière plus détaillée un mode de réalisation d'une source de tension flottante combinant les modes de réalisation des figures 2 et 3. Description détaillée
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références aux différentes figures. Par souci de clarté, seuls les éléments qui sont utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, seuls les éléments du circuit de commande et d'alimentation utiles à la compréhension ont été représentés, ce circuit comportant par ailleurs d'autres éléments usuels.
Sauf précision contraire, les expressions "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
Dans la présente description, le terme "connecté" désigne une connexion électrique directe entre deux éléments, tandis que le terme "couplé" désigne une connexion électrique entre deux éléments qui peut être directe ou par 1'intermédiaire d'un ou de plusieurs autres composants passifs ou actifs, comme des résistances, des condensateurs, des inductances, des diodes, des transistors, etc.
Dans la description qui suit, on néglige les chutes de tension dans des éléments en série (par exemple des interrupteurs à l'état passant) par l'intermédiaire desquels sont appliqués les différents potentiels.
La figure 1 représente schématiquement un exemple de dispositif 1 de commande et d'alimentation. Le dispositif 1 fournit un potentiel sur une première borne 3 d'un bobinage de moteur M. Une deuxième borne 5 du bobinage du moteur M est connectée à un autre dispositif de commande et d'alimentation identique, non représenté. Le dispositif 1 comprend une source de tension flottante 7 ayant deux noeuds de sortie 9 et 11. Les noeuds de sortie 9 et 11 sont couplés à la borne 3 du bobinage par un circuit d'alimentation 13.
La source de tension flottante 7 est alimentée par une tension d'alimentation VCP dont un premier potentiel est appliqué sur un noeud 15. Une tension de référence VREF a un premier potentiel appliqué sur un noeud 17 de la source de tension flottante. Le deuxième potentiel de la tension d'alimentation VCP et le deuxième potentiel de la tension de référence VREF correspondent à un potentiel de référence, par exemple une masse 19 dont le potentiel est nul par convention.
La source de tension flottante 7 comprend un élément résistif 21 couplant les noeuds de sortie 9 et 11, et une source de courant 23, commandée par la tension de référence VKEF et couplant les noeuds 15 et 9. Un courant de référence IREF est fourni par la source de courant 23 en fonction de la tension de référence VREF de sorte qu'une tension V entre les noeuds de sortie 9 et 11 soit égale à la tension de référence VREF quand le courant prélevé sur le noeud 9 par le circuit 13 est nul.
Le circuit d'alimentation 13 est alimenté entre une borne 25 sur laquelle est appliqué un potentiel VBAT et une borne 27 connectée à la masse. La tension VBAT correspond à la tension d'alimentation du moteur. Cette tension est fournie, par exemple, par une batterie non représentée.
Le circuit 13 comprend : un interrupteur 29 couplant la borne 3 du bobinage et la masse, commandé par un circuit non représenté ; un interrupteur 31, couplant la borne 25 d'application du potentiel VBAT à la borne 3 du bobinage ; un circuit de commande 33 de l'interrupteur 31, couplé à la borne 25, au noeud 9 et à la masse, le circuit de commande recevant un signal de commande ON ; et une connexion entre le noeud de sortie 11 et la borne 3 du bobinage.
Le noeud 9 a des propriétés capacitives non souhaitées mais inévitables, qui sont symbolisées par un condensateur parasite 35 couplant le noeud 9 à la masse.
En fonctionnement, les interrupteurs 29 et 31 appliquent alternativement le potentiel VBAT et le potentiel nul sur la borne 3 du bobinage pour commander le positionnement ou la rotation du moteur. La commande de l'interrupteur 29 est usuelle.
Pour l'interrupteur 31, lorsque le signal de commande ON est activé, le circuit 33 applique le potentiel du noeud 9 sur le noeud de commande de l'interrupteur 31, pour le commander en tout ou rien. Dans l'exemple présenté, le courant prélevé sur le noeud 9 par le circuit 33 est considéré nul. A chaque changement de potentiel du noeud 3, le potentiel du noeud de sortie 11 de la source de tension 7 varie également. Le condensateur parasite 35 doit alors être chargé ou déchargé, ce qui nécessite des courants importants. Un inconvénient est que ces courants importants provoquent des variations de la tension V de sortie de la source de tension flottante 7. En effet, lors de l'application du potentiel VBAT sur le noeud 11, la tension V diminue, ce qui est susceptible d'induire un retard dans la montée du potentiel alimentant le moteur. A l'inverse, lors de la mise en contact du noeud 11 avec la masse, la tension V est susceptible de dépasser les valeurs maximales admissibles pour les composants du circuit de commande 33 ou pour l'interrupteur 31. Ainsi, on souhaite limiter les variations de la tension V quand le potentiel appliqué sur la borne de sortie est commuté d'une valeur à l'autre de la tension VBAT.
Dans les exemples décrits par la suite, le potentiel VCP est le plus élevé du dispositif, et les tensions VBAT et VREF sont positives.
La figure 2 représente schématiquement un mode de réalisation d'une source de tension flottante 50, susceptible de remplacer la source 7 du dispositif de la figure 1.
La source de tension flottante 50 comporte, comme en figure 1, une source de courant 60a commandée par une tension de référence VREF et couplant un noeud 15 d'application d'une tension VCP à un noeud de sortie 9, et un élément résistif 21 couplant le noeud 9 à un autre noeud de sortie 11.
Un transitor NM1, de type MOS à canal N, a sa source SI couplée au noeud 9 et son drain DI couplé au noeud 15. La grille G1 ou noeud de commande du transistor NM1 est couplée au noeud 11 par un condensateur Cl et au noeud 9 par une source auxiliaire de tension 62 en série avec une résistance RI. Dans l'exemple représenté, la résistance RI est connectée à la grille G1.
En régime permanent, la source auxiliaire de tension 62 maintient, au travers de la résistance RI, l'état de charge du condensateur Cl de sorte que le transistor NM1 soit de préférence dans un état saturé. Un courant II circule alors dans le transistor NM1. La source de courant 60a fournit un courant I60a, en fonction de la tension de référence VKEF, de sorte que la somme des courants I60a et II est égale au courant de référence IREF. Ainsi, la tension V entre les noeuds 9 et 11 est sensiblement égale à la tension de référence VKEF.
En régime transitoire, lors de l'application du potentiel VBAT sur le noeud 11 précédemment au potentiel nul, le condensateur Cl maintient la tension initiale entre la grille G1 et le noeud 11. Ainsi, la tension entre la grille G1 et la source SI du transistor NM1 augmente, ce qui provoque une forte augmentation de la valeur du courant II, chargeant rapidement le condensateur parasite 35 à partir du noeud 15 sur lequel est appliquée la tension VCP. De cette manière, le potentiel du noeud 9 suit l'augmentation du potentiel du noeud 11, de sorte que la tension V entre les noeuds 9 et 11 reste sensiblement constante.
La figure 3 représente schématiquement un autre mode de réalisation d'une source de tension flottante 70, susceptible de remplacer la source 7 du dispositif de la figure 1.
La source de tension flottante 70 comporte, comme en figure 1, une source de courant 60b commandée par la tension de référence VREF et couplant le noeud 15 au noeud 9, et un élément résistif 74 couplant les noeuds de sortie 9 et 11. L'élément résistif 74 comprend une résistance R2 couplant le noeud 9 au drain D2 d'un transistor NM2, de type MOS à canal N, dont la grille G2 est couplée au drain D2 et dont la source S2 est couplée au noeud 11.
Un transitor NM3, de type MOS à canal N, a son drain D3 couplé au noeud 9 et sa source S3 couplée au noeud 11. La grille G3 du transistor NM3 est couplée d'une part au noeud 9 par un condensateur C3, et d'autre part à la grille G2 par une résistance R3.
En régime permanent, un courant de référence IREF1 circule dans l'élément résistif 74. Le courant IREF1 est adapté pour que la tension V entre les noeuds 9 et 11 soit égale à la tension de référence VKEF. La circulation du courant IREFl dans le transistor NM2 induit une tension entre la grille G2 et la source S2. Ainsi, le transistor NM2 constitue un élément résistif, et l'élément résistif 74 constitue une source auxiliaire de tension maintenant la charge du condensateur C3 à travers la résistance R3. Lorsque le condensateur C3 est chargé, les transistors NM2 et NM3 constituent un miroir de courant et le transistor NM3, dans un état de préférence saturé, est parcouru par un courant 13. La source de courant 60b fournit un courant I60b égal à la somme du courant 13 et du courant IREF1.
En régime transitoire, lors de l'application de la masse sur le noeud 11 précédemment au potentiel VBAT, le condensateur C3 maintient la tension entre le noeud 9 et la grille G3. Ainsi, la tension entre la grille G3 et la source S3 du transistor NM3 augmente, ce qui provoque une forte augmentation du courant 13, déchargeant ainsi le condensateur parasite 35 vers le noeud 11 sur lequel est appliquée la masse. Ainsi, le potentiel du noeud 9 suit la diminution du potentiel du noeud 11, de sorte que la tension V entre les noeuds 9 et 11 reste sensiblement constante.
La figure 4 représente schématiquement, et de manière plus détaillée, un mode de réalisation d'une source de tension flottante 90 combinant les modes de réalisation des figures 2 et 3. La figure 4 présente un exemple de source auxiliaire de tension 62 (figure 2), et un exemple de source de courant 60 commandée par la tension de référence VREF et couplant le noeud 15 au noeud 9. La source de courant 60 donne un exemple de réalisation des sources de courant 60a et 60b (figures 2 et 3) . La source de tension flottante 90 est susceptible de remplacer la source 7 du dispositif de la figure 1.
La source de tension flottante 90 comprend : la résistance RI, le transistor NM1, le condensateur Cl, et la source auxiliaire de tension 62 tels que décrits en relation avec la figure 2, la source auxiliaire de tension 62 ayant un noeud d'entrée 66 et un noeud de sortie 68 ; et le transistor NM3, le condensateur C3 et la résistance R3, ainsi que l'élément résistif 74 comprenant la résistance R2 et le transistor NM2, tels que décrits en relation avec la figure 3.
Le fonctionnement est similaire à celui décrit en relation avec les figures 2 et 3, la tension V entre les noeuds de sortie 9 et 11 étant maintenue sensiblement constante lors d'un changement du potentiel appliqué sur le noeud 11.
La source de tension flottante 90 comprend en outre un transistor NM4, de type MOS à canal N, dont la source S4 est couplée au noeud 11, dont la grille G4 est couplée à la grille G3 du transistor NM3, et dont le drain D4 est couplé à la grille G1 du transistor NM1.
Lorsque la masse est appliquée sur le noeud 11 précédemment au potentiel VBAT, le condensateur C3 maintient la tension entre le noeud 9 et la grille G4. Ainsi, la tension entre la grille G4 et la source S4 du transistor NM4 augmente, ce qui provoque une augmentation du courant 14 traversant le transistor NM4. Cette augmentation décharge le condensateur Cl, ce qui annule le courant II circulant dans le transistor NM1. Ainsi, le courant de décharge du condensateur parasite 35 est augmenté de la valeur en régime permanent du courant II, ce qui contribue à maintenir la tension entre les noeuds 9 et 11 sensiblement égale à VREF lorsque le potentiel des noeuds 9 et 11 diminue.
La source de courant 60 comprend deux transistors NM5 et NM6, de type MOS à canal N, dont les sources S5 et S6 sont couplées à la masse, et dont les grilles G5 et G6 sont couplées entre elles et au drain D5 du transistor NM5, de sorte que les transistors NM5 et NM6 constituent un premier miroir de courant. Le drain D5 constitue la première branche du premier miroir de courant et est couplé par une résistance R5 au noeud 17. La source de courant 60 comprend en outre un deuxième miroir de courant comprenant deux transistors PM7 et PM8 de type MOS à canal P, dont les sources S7 et S8 sont couplées au noeud 15, et dont les grilles G7 et G8 sont couplées entre elles et au drain D7 du transistor PM7. Le drain D7 est couplé au drain D6 du transistor NM6 qui constitue une deuxième branche du premier miroir de courant. Le drain D8 du transistor PM8 fournit un courant 160 et est couplé au noeud de sortie 9.
Dans l'exemple présenté, d'une part la résistance R5 de la source de courant 60 et la résistance R2 de l'élément résistif 74 sont identiques, et d'autre part les transistors NM5 et NM2 sont identiques. De ce fait, la tension V entre les noeuds de sortie 9 et 11 est égale à la tension de référence lorsque le courant IREF1 traversant l'élément résistif 74 et un courant IREF1' traversant la résistance R5 et le transistor NM5 sont égaux. Le transistor NM 6 est par exemple tel qu'un courant égal au courant IREF1' traverse les transistors NM6 et PM7.
La source auxiliaire de tension 62 comprend un transistor PM9, constituant un miroir de courant avec le transistor PM7, la grille G9 du transistor PM9 étant couplée à la grille G7 et sa source S9 étant couplée au noeud 15. Le drain D9 du transistor PM9 est couplé au drain D10 d'un transistor NM10 dont la grille G10 est couplée au drain D10 et au noeud 68 de sortie de la source auxiliaire de tension 62. La source S10 du transistor NM10 est couplée au noeud 66 d'entrée de la source auxiliaire de tension 62. Un courant 110, fourni par le transistor PM10 qui constitue ainsi une source de courant, traverse les transistors PM9 et NM10, permettant de maintenir une tension entre les noeuds 68 et 66, le transistor NM10 constituant ainsi un élément résistif.
Un transistor PM11, de type MOS à canal P, constitue un miroir de courant avec le transistor PM7, la grille Gll du transistor PM11 étant couplée à la grille G7, et sa source SU étant couplée au noeud 15. Le transistor PM11 constitue ainsi une source de courant. Le drain DU du transistor PM11 est couplé au drain D4 du transistor NM4.
Les transistors de la source de tension 90 sont de sorte que : le courant 14 traversant le transistor NM4 soit compensé par un courant 111 de même intensité traversant le transistor PM11 ; et la somme des courants 160, 110 et II, moins le courant 13 traversant le transistor NM3, soit égale au courant IREF1.
Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, lors de l'application de deux potentiels successifs au noeud de sortie 11 de la source de tension flottante, la durée du régime transitoire est par exemple inférieure à une microseconde. Le temps caractéristique de la charge ou la décharge du condensateur Cl à travers la résistance RI, et le temps caractéristique de la charge ou la décharge du condensateur C3 à travers la résistance R3 sont de préférence supérieurs à la durée du régime transitoire.
Un avantage d'une source de tension flottante selon les modes de réalisations décrits ci-dessus est que la tension de sortie reste sensiblement constante lors des variations du potentiel appliqué à l'un des noeuds de sortie.
Un autre avantage est que la tension de sortie reste sensiblement constante en présence d'un couplage capacitif entre l'un des noeuds de sortie et un potentiel de référence.
Des modes de réalisation particuliers ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, bien que les exemples décrits ci-dessus de modes de réalisation de la source de tension flottante aient été appliqués à un dispositif 1 d'alimentation d'un bobinage de moteur, des modes de réalisation similaires peuvent être inclus dans d'autres applications nécessitant une source de tension flottante. En particulier, le fonctionnement décrit en relation avec les figures 2 à 4 reste identique pour d'autres valeurs positives ou négatives des potentiels appliqués au noeud de sortie 11.
Bien que des transistors de type MOS aient été utilisés dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, il apparaîtra à l'homme de l'art que d'autres types d'interrupteurs, par exemple des transistors bipolaires, peuvent être utilisés.
En outre, bien que des condensateurs Cl, C3 aient été décrits, il sera clair pour l'homme de l'art que d'autres types d'éléments capacitifs peuvent être utilisés. Il sera clair également que d'autres types d'éléments résistifs, comme des transistors de type MOS, peuvent être utilisés à la place des résistances RI, R2, R3, R5 décrites ci-dessus.
En outre, bien que la tension de référence VREF soit positive dans les exemples décrits en relation avec les figures 2 à 4, une tension de référence négative pourrait être utilisée, par exemple en remplaçant les transistors NM2 et MM3, de type MOS à canal N, par des transistors de type MOS à canal P.
De plus, des modes de réalisation similaires, dans lesquels : les transistors de type MOS à canal N sont remplacés par des transistors de type MOS à canal P ; les transistors de type MOS à canal P sont remplacés par des transistors de type MOS à canal N ; et les potentiels positifs sont remplacés par des potentiels négatifs de même valeur absolue, peuvent être réalisés.
Bien que le courant prélevé sur la borne 9 de la source de tension flottante par le circuit 13 soit considéré nul en régime permanent, des variantes appliquées à des dispositifs dans lesquels un courant est prélevé en régime permanent sur la borne 9 sont possibles, par exemple en ajustant les valeurs des courants fournis par les sources de courant 60 , 60a et 60b.
En outre, bien que des sources de courant 60a et 60 aient été décrites en relation avec les figures respectives 2 et 4, il apparaîtra que ces sources de courant peuvent être omises, par exemple en augmentant le courant II de la valeur des courants respectifs I60a et 160.
Divers modes de réalisation avec diverses variantes ont été décrits ci-dessus. On notera que l'homme de l'art pourra combiner divers éléments de ces divers modes de réalisation et variantes sans faire preuve d'activité inventive.
Claims (11)
- REVENDICATIONS1. Source de tension dans laquelle au moins un premier interrupteur (NM1, NM3) couple un premier noeud (9) de la source de tension à un noeud (11, 15) d'application d'au moins un potentiel d'une tension d'alimentation, et au moins un premier élément capacitif (Cl, C3) couple le premier noeud ou un deuxième noeud (11) de la source de tension à un noeud de commande (Gl, G3) du premier interrupteur.
- 2. Source de tension selon la revendication 1, dans laquelle la tension entre le premier noeud (9) et le deuxième noeud (11) est maintenue sensiblement constante lors d'une variation du potentiel appliqué sur le deuxième noeud.
- 3. Source de tension selon la revendication 1 ou 2, comportant des moyens pour maintenir sensiblement constante la tension entre le premier noeud (9) et le deuxième noeud (11) lors d'une variation du potentiel appliqué sur le deuxième noeud.
- 4. Source de tension selon l'un quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle au moins une source auxiliaire de tension (62, 74) couple le noeud de commande (Gl, G3) du premier interrupteur (NM1, NM3) avec le premier noeud (9) ou le deuxième noeud (11) de la source de tension.
- 5. Source de tension selon la revendication 4, dans laquelle la source auxiliaire de tension (62, 74) comprend au moins un premier élément résistif (NM10, NM2) couplant au moins une première source de courant (60, PM9) au premier noeud (9) ou au deuxième noeud (11) de la source de tension, le premier élément résistif étant couplé au noeud de commande (Gl, G3) du premier interrupteur.
- 6. Source de tension selon la revendication 4 ou 5, dans laquelle au moins un deuxième élément résistif (RI, R3) couple la source auxiliaire de tension (62, 74) et le noeud de commande (Gl, G3) du premier interrupteur (NM1, NM3).
- 7. Source de tension selon la revendication 5 ou 6, dans laquelle le premier élément résistif (NM10, 74) comprend au moins un premier transistor (NM10, NM2) de type MOS dont la grille (G10, G2) est couplée au drain, le premier interrupteur (NM1, NM3) comprenant au moins un deuxième transistor (NM1, NM3) de type MOS formant un miroir de courant avec le premier transistor.
- 8. Source de tension selon la revendication 5, dans laquelle la première source de courant (60) comprend un premier miroir de courant dont une première branche (D5) est couplée à un troisième noeud (17), et dont une deuxième branche (D6) est couplée à une première branche (D7) d'un deuxième miroir de courant dont la deuxième branche est couplée au premier noeud (9) de la source de tension.
- 9. Source de tension selon la revendication 8, dans laquelle la source auxiliaire de tension (74) comprend un quatrième élément résistif (R2) couplant la grille (G2) du premier transistor (NM2) au premier noeud (9) de la source de tension ; et un cinquième élément résistif (R5) couple la première branche du premier miroir de courant au troisième noeud (17).
- 10. Source de tension selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, dans laquelle au moins un deuxième interrupteur (NM4) couple le noeud de commande (Gl) du premier interrupteur (NM1) au deuxième noeud (11) de la source de tension, et au moins un deuxième élément capacitif (C3) couple le premier noeud (9) de la source de tension à un noeud de commande (G4) du deuxième interrupteur.
- 11. Source de tension selon la revendication 10, dans laquelle au moins une deuxième source de courant (PM11) est couplée à la commande (Gl) du premier interrupteur (NM1).
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1349255A2 (fr) * | 2002-03-25 | 2003-10-01 | Sila Holding Industriale S.p.A. | Circuit d'interface entre une source de tension à courant continu et un circuit pour entraíner une charge |
US20110260772A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Thierry Sicard | Open circuit detector and method therefore |
Family Cites Families (32)
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---|---|---|---|---|
US5612582A (en) * | 1996-01-02 | 1997-03-18 | Allen-Bradley Company, Inc. | Switching device |
DE19620564C1 (de) * | 1996-05-22 | 1997-07-10 | Telefunken Microelectron | Integrierte Schaltungsanordnung mit einem als npn-Transistor ausgebildeten Open-Collector-Transistor |
JP3613940B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | ソースフォロワ回路、液晶表示装置および液晶表示装置の出力回路 |
US6088206A (en) * | 1998-04-15 | 2000-07-11 | International Business Machines Corporation | Clamp circuit to limit overdrive of off chip driver |
US6072725A (en) * | 1999-01-26 | 2000-06-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of erasing floating gate capacitor used in voltage regulator |
US6806762B2 (en) * | 2001-10-15 | 2004-10-19 | Texas Instruments Incorporated | Circuit and method to facilitate threshold voltage extraction and facilitate operation of a capacitor multiplier |
ATE381148T1 (de) * | 2002-11-18 | 2007-12-15 | Nxp Bv | Einschalten eines bustreibers mit gesteuerter anstiegszeit |
US7402869B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-07-22 | Agere Systems Inc | Apparatus and method for breakdown protection of a source follower circuit |
US7660094B2 (en) * | 2004-12-14 | 2010-02-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Inverter circuit |
US7479770B2 (en) * | 2005-04-28 | 2009-01-20 | Texas Instruments Incorporated | System and method for driving a power field-effect transistor (FET) |
US7489166B2 (en) * | 2005-11-15 | 2009-02-10 | International Rectifier Corporation | Gate drive for lower switching noise emission |
JP4855197B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2012-01-18 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | シリーズレギュレータ回路 |
US7889003B2 (en) * | 2006-11-17 | 2011-02-15 | Nxp B.V. | Class-D amplifier |
US8436597B2 (en) * | 2008-02-04 | 2013-05-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Voltage regulator with an emitter follower differential amplifier |
US8593773B2 (en) * | 2008-11-05 | 2013-11-26 | Osram Gesellschaft Mit Berschraenkter Haftung | Half-bridge circuit protected against short circuits and having semiconductor switches |
JP2010193431A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-09-02 | Rohm Co Ltd | 出力回路およびモータ駆動装置 |
DE102009008047B4 (de) | 2009-02-09 | 2013-08-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Spannungsversorgung einer Ansteuerung oberer abschaltbarer Leistungshalbleiterschalter eines netzseitigen, grundfrequenz-getakteten Stromrichters |
US20110014850A1 (en) * | 2009-07-14 | 2011-01-20 | David Kennedy | Gravity Racing Car |
CN101753000A (zh) | 2009-12-17 | 2010-06-23 | 东南大学 | 栅极浮置及电平转换的功率mos管栅极驱动电路及方法 |
JP5035391B2 (ja) * | 2010-01-12 | 2012-09-26 | 株式会社デンソー | 信号出力回路 |
EP2599205B1 (fr) | 2010-07-30 | 2022-03-30 | Otis Elevator Company | Alimentation électrique à amorçage régulé |
CN202041868U (zh) * | 2011-03-11 | 2011-11-16 | 天津市盛丹电子技术发展有限公司 | 具有精密基准源的直流恒流源电路 |
US8885308B2 (en) * | 2011-07-18 | 2014-11-11 | Crane Electronics, Inc. | Input control apparatus and method with inrush current, under and over voltage handling |
JP5715525B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2015-05-07 | セイコーインスツル株式会社 | ボルテージレギュレータ |
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US9035690B2 (en) * | 2012-08-30 | 2015-05-19 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices |
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DE102013211411A1 (de) * | 2013-06-18 | 2014-12-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung und Verfahren zur Überwachung eines Leistungshalbleiterschalters |
US9595952B2 (en) * | 2013-12-13 | 2017-03-14 | Monolithic Power Systems, Inc. | Switching circuit and the method thereof |
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US20110260772A1 (en) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Thierry Sicard | Open circuit detector and method therefore |
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