FR2994255A1

FR2994255A1 - INTERNAL WALL ELEMENT

Info

Publication number: FR2994255A1
Application number: FR1354774A
Authority: FR
Inventors: Shigemi Furukawa; Toshihiro Kodera; Masanari Tokoro
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2012-08-02
Filing date: 2013-05-27
Publication date: 2014-02-07
Anticipated expiration: 2033-05-27
Also published as: JP2014031938A; JP6058941B2; FR2994255B1

Abstract

La présente invention propose un élément de paroi intérieure (1) dont le gauchissement est difficile et qui possède une résistance plus importante et ne se rompt pas de manière significative même lorsque l'élément subit une silicification. L'élément de paroi intérieure (1) est fait de graphite et constitue un four de cuisson (10) pour cuire un corps moulé de carbure de silicium. L'élément de paroi intérieure (1) comporte au moins une partie épaulée (2) sur une surface intérieure (1S) faisant face à un espace pour contenir le corps moulé.The present invention provides an inner wall member (1) which is difficult to buckle and has greater strength and does not break significantly even when the element undergoes silicification. The inner wall member (1) is made of graphite and constitutes a baking oven (10) for firing a silicon carbide molded body. The inner wall member (1) has at least one shouldered portion (2) on an inner surface (1S) facing a space for containing the molded body.

Description

ÉLÉMENT DE PAROI INTÉRIEURE La présente invention concerne un élément de paroi intérieure constituant un four de cuisson pour cuire un corps moulé fait de carbure de silicium. Dans un four de cuisson (à savoir, moufle) pour cuire un corps moulé fait de carbure de silicium, lorsque la température à l'intérieur du four augmente dans une plage de 1500 °C à 1800 °C, le dioxyde de silicium (SiO2) contenu dans la matière brute du corps moulé de carbure de silicium commence à se transformer en gaz et est convertie en monoxyde de silicium (SiO). Alors, si l'atmosphère à l'intérieur du moufle est remplie avec du monoxyde de silicium, un élément en carbone, tel qu'un montage ou un moufle, est oxydé.The present invention relates to an inner wall member constituting a baking oven for baking a molded body made of silicon carbide. In a baking oven (ie, muffle) for baking a molded body made of silicon carbide, when the temperature inside the furnace increases in a range of 1500 ° C to 1800 ° C, the silicon dioxide (SiO2 ) contained in the raw material of the silicon carbide molded body begins to transform into gas and is converted to silicon monoxide (SiO). Then, if the atmosphere inside the muffle is filled with silicon monoxide, a carbon element, such as a fixture or muffle, is oxidized.

Afin de résoudre ce problème, un four de cuisson a été proposé comprenant : un moufle comportant, à une extrémité, une entrée pour introduire un corps moulé de carbure de silicium et, à l'autre extrémité, une sortie pour extraire le corps moulé de carbure de silicium ; des moyens de transport pour transporter le corps moulé de carbure de silicium de l'entrée à la sortie ; des moyens de chauffage pour chauffer le corps moulé de carbure de silicium déplacé dans le moufle, et un passage d'échappement pour faire sortir un gaz dans le moufle, dans lequel des moyens d'élimination pour éliminer du monoxyde de silicium contenu dans un gaz à l'intérieur du moufle sont installés sur le passage d'échappement (voir le document brevet 1).In order to solve this problem, a baking oven has been proposed comprising: a muffle having at one end an inlet for introducing a silicon carbide molded body and at the other end an outlet for extracting the molded body from silicon carbide ; transport means for transporting the silicon carbide molded body from the inlet to the outlet; heating means for heating the molded body of silicon carbide displaced in the muffle, and an exhaust passage for exhausting a gas into the muffle, wherein removal means for removing silicon monoxide contained in a gas inside the muffle are installed on the exhaust passage (see patent document 1).

Document brevet 1 : JP 2002-249385 A. Selon la technique décrite dans le document brevet 1, bien qu'un effet permettant de retarder la détérioration d'un élément en carbone puisse être obtenu, il est impossible d'arrêter la détérioration elle-même. Si un élément en carbone, tel qu'un élément de paroi intérieure, est oxydé ou détérioré, un gauchissement, à savoir une détérioration, se produit en raison d'une différence de dilatation thermique entre le graphite en tant que matériau de base de l'élément de paroi intérieure et la couche de carbure de silicium formée en raison d'une silicification. S'il est utilisé pendant une période prolongée, l'élément de paroi intérieure peut se rompre et puis tomber. La présente invention a été réalisée au vu des circonstances ci-dessus, et un objet de l'invention est de proposer un élément de paroi intérieure qui soit difficile à gauchir et qui possède une résistance plus importante et ne se rompe pas de manière significative même lorsqu'il subit une silicification. Afin de résoudre les problèmes, l'élément de paroi intérieure suivant est proposé. (1) Un élément de paroi intérieure fait de graphite et constituant un four de cuisson pour cuire un corps moulé de carbure de silicium comporte au moins une partie épaulée sur une surface intérieure faisant face à un espace pour contenir le corps moulé. (2) Par exemple, la partie épaulée peut être configurée par une partie convexe formée sur la surface intérieure. (3) Par exemple, la partie convexe est formée, dans ledit élément de paroi intérieure, avec une pluralité de parties concaves, présentant une forme identique, les parties étant agencées consécutivement. (4) Par exemple, chacune parmi la pluralité de parties concaves comporte une ouverture de forme polygonale, et les côtés adjacents de parties concaves adjacentes sont parallèles l'un à l'autre. (5) Par exemple, les parties de coin définies aux intersections des surfaces de paroi de chacune des parties concaves sont formées par une surface incurvée arrondie. (6) Par exemple, la profondeur des parties concaves représente 30 % à 70 % de l'épaisseur de l'élément de paroi intérieure. (7) Par exemple, le rapport de la superficie des ouvertures des parties concaves par rapport à la superficie de la région entourée par la ligne de bordure extérieure de la partie convexe est compris entre 60 % et 90 %. (8) Par exemple, l'élément de paroi intérieure est fait de graphite possédant un coefficient de dilatation thermique de 4,0 x 10-6/K à 6,0 x 10-6/K. Selon la présente invention, comme la surface intérieure de l'élément de paroi intérieure comporte une partie épaulée, la couche de carbure de silicium qui est dure et possède une résistance plus importante peut être formée sur la surface intérieure en trois dimensions lorsque l'élément de paroi intérieure est utilisé pendant une longue période. Comme la couche de carbure de silicium possédant une résistance plus importante peut être formée en trois dimensions, l'élément de paroi intérieure vient à posséder une structure de carcasse couverte dans laquelle la carcasse est dure et possède une résistance plus importante. La couche de carbure de silicium formée, à savoir la carcasse, est orientée dans diverses directions, telles qu'une direction perpendiculaire à la surface intérieure, et ainsi, même lorsque des gauchissements sont entraînés par la silicification, de tels gauchissements peuvent être mutuellement compensés de sorte que le gauchissement total puisse être limité à une faible quantité.Patent Document 1: JP 2002-249385 A. According to the technique described in patent document 1, although an effect allowing to delay the deterioration of a carbon element can be obtained, it is impossible to stop the deterioration itself. even. If a carbon element, such as an inner wall element, is oxidized or deteriorated, warpage, ie deterioration, occurs due to a difference in thermal expansion between the graphite as the base material of the graphite. inner wall element and the silicon carbide layer formed due to silicification. If used for a prolonged period, the inner wall element may break and then fall. The present invention has been realized in view of the above circumstances, and an object of the invention is to provide an inner wall element which is difficult to warp and which has greater strength and does not break significantly even when it undergoes silicification. In order to solve the problems, the following inner wall element is proposed. (1) An inner wall member made of graphite and constituting a baking oven for baking a silicon carbide molded body has at least one shouldered portion on an interior surface facing a space for containing the molded body. (2) For example, the shoulder portion may be configured by a convex portion formed on the inner surface. (3) For example, the convex portion is formed in said inner wall member with a plurality of concave portions having an identical shape, the portions being arranged consecutively. (4) For example, each of the plurality of concave portions has a polygonal opening, and the adjacent sides of adjacent concave portions are parallel to each other. (5) For example, the corner portions defined at the intersections of the wall surfaces of each of the concave portions are formed by a rounded curved surface. (6) For example, the depth of the concave portions is 30% to 70% of the thickness of the inner wall member. (7) For example, the ratio of the area of openings of the concave portions to the area of the region surrounded by the outer edge line of the convex portion is between 60% and 90%. (8) For example, the inner wall member is made of graphite having a coefficient of thermal expansion of 4.0 x 10-6 / K at 6.0 x 10-6 / K. According to the present invention, since the inner surface of the inner wall member has a shoulder portion, the silicon carbide layer which is hard and has greater strength can be formed on the inner surface in three dimensions when the element Inner wall is used for a long time. Since the silicon carbide layer having a higher strength can be formed in three dimensions, the inner wall member has a covered carcass structure in which the carcass is hard and has a higher strength. The formed silicon carbide layer, namely the carcass, is oriented in various directions, such as a direction perpendicular to the inner surface, and thus, even when warping is caused by silicification, such warpage may be mutually compensated. so that the total warpage can be limited to a small amount.

La couche de carbure de silicium est orientée dans diverses directions, telles qu'une direction perpendiculaire à la surface intérieure, pour qu'il soit difficile pour une fissure de se propager, à savoir, la couche de carbure de silicium sert à bloquer la propagation de fissures. Donc, même lorsqu'une fissure se produit, la couche de carbure de silicium bloque la propagation de la fissure, pour que la totalité de l'élément de paroi intérieure ne puisse pas se rompre. En raison de ce mécanisme, l'élément de paroi intérieure qui est difficile à gauchir et qui possède une résistance plus importante et ne se rompt pas de manière significative, même lorsqu'il subit une silicification, peut être proposé. La figure 1 est une vue en coupe représentant un exemple d'un four de cuisson à carbure de silicium utilisant un élément de paroi intérieure selon la présente invention. La figure 2 est une vue en perspective représentant un élément de paroi intérieure selon un premier mode de réalisation de l'invention. La figure 3 est une vue schématique représentant des variantes de parties concaves formées dans l'élément de paroi intérieure selon le premier mode de réalisation de l'invention, sur laquelle (a) représente une variante 1, (b) représente une variante 2, (c) représente une variante 3, (d) représente une variante 4 et (e) représente une variante 5. La figure 4 est une vue représentant un état dans lequel une couche de carbure de silicium est formée à l'intérieur du four de cuisson utilisant l'élément de paroi intérieure selon le premier mode de réalisation de l'invention, sur laquelle (a) est une vue en coupe prise le long d'un trait A-A sur la figure 2, (b) est une vue agrandie d'une section B dans (a) avant l'utilisation, et (c) est une vue agrandie d'une section B dans (a) après l'utilisation.The silicon carbide layer is oriented in various directions, such as a direction perpendicular to the inner surface, to make it difficult for a crack to propagate, ie, the silicon carbide layer serves to block the propagation cracks. Thus, even when a crack occurs, the silicon carbide layer blocks the propagation of the crack, so that the entire inner wall member can not break. Because of this mechanism, the inner wall member which is difficult to warp and which has greater strength and does not break significantly, even when silicified, may be provided. Fig. 1 is a sectional view showing an example of a silicon carbide baking oven using an inner wall member according to the present invention. Fig. 2 is a perspective view showing an inner wall element according to a first embodiment of the invention. FIG. 3 is a schematic view showing concave part variants formed in the inner wall element according to the first embodiment of the invention, in which (a) represents a variant 1, (b) represents a variant 2, (c) represents a variant 3, (d) represents a variant 4 and (e) represents a variant 5. FIG. 4 is a view showing a state in which a layer of silicon carbide is formed inside the furnace of baking using the inner wall element according to the first embodiment of the invention, wherein (a) is a sectional view taken along a line AA in Fig. 2, (b) is an enlarged view of a section B in (a) before use, and (c) is an enlarged view of a section B in (a) after use.

La figure 5 est une vue en perspective représentant un élément de paroi intérieure selon un second mode de réalisation de l'invention. La figure 6 est une vue représentant une variante de l'élément de paroi intérieure selon le second mode de réalisation de l'invention, sur laquelle (a) est une vue en perspective de celui-ci et (b) est une vue explicative illustrant l'usage de celui-ci. La figure 1 est une vue explicative représentant un exemple d'un four de cuisson à carbure de silicium utilisant un élément de paroi intérieure selon la présente invention. L'élément de paroi intérieure 1 est utilisé à l'intérieur du four de cuisson à carbure de silicium 10. Le four de cuisson 10 comporte une structure à double couche constituée d'une paroi extérieure 11 et d'une paroi intérieure 12 et comprend un élément chauffant 13 à l'intérieur de la paroi intérieure 12 et un plateau 15. Un corps moulé de carbure de silicium 14, qui est un objet destiné à être traité, est placé sur le plateau 15. Le four de cuisson à carbure de silicium 10 est configuré pour fritter du SiC et est un four à atmosphère non oxydante à une température de traitement maximum de 2000 °C à 2300 °C. Le four de cuisson 10 peut être un four tunnel ou peut être un four discontinu, à savoir, non particulièrement limité à un type de four. La paroi extérieure 11 est faite, par exemple, d'un métal et peut comporter un matériau isolant, tel qu'une fibre de céramique ou une fibre de carbone, sur un côté de la paroi intérieure 12. L'espace entouré par la paroi intérieure 12 passe à une température plus élevée que celle de l'espace à l'extérieur de la paroi intérieure 12, et ainsi, l'espace entouré par la paroi intérieure 12 est appelé zone chaude. La paroi intérieure 12 est configurée en associant une pluralité d'éléments de paroi intérieure 1 selon la présente invention. Autrement dit, l'élément de paroi intérieure 1 est un élément entourant la zone chaude utilisée dans la cuisson de SiC. En outre, l'élément de paroi intérieure 1 peut couvrir l'un quelconque des côtés latéraux, le côté supérieur et le côté inférieur de la zone chaude. L'élément de paroi intérieure 1, l'élément chauffant 13 et le plateau 15 sont faits de graphite et servent d'éléments isolants (à savoir, un matériau graphite). Comme ils sont faits de graphite, l'élément de paroi intérieure 1, l'élément chauffant 13 et le plateau 15 peuvent être utilisés de façon stable même lorsqu'ils sont exposés à une température de 2000 °C à 2300 °C ou plus requise pour cuire le corps moulé de carbure de silicium 14. Le matériau graphite peut être un matériau quelconque tel qu'un matériau électrode ou un matériau graphite isotrope. L'élément chauffant 13 est une source calogène et peut utiliser un chauffage par induction, des microondes, un rayonnement ou analogues. De même, l'élément chauffant 13 peut être prévu sur le côté intérieur et/ou le côté extérieur de l'élément de paroi intérieure 1. L'intérieur du four de cuisson à carbure de silicium 10 comporte une atmosphère d'un gaz inerte, tel que de l'argon ou de l'azote gazeux, pour que le corps moulé de carbure de silicium 14 et l'élément de paroi intérieure 1 fait de graphite ne puissent pas être oxydés. L'atmosphère à l'intérieur du four de cuisson 10 n'est pas limitée à ces gaz, mais peut comprendre une variété de gaz inertes et gaz réducteurs, et peut même être vide. La figure 2 est une vue en perspective représentant un élément de paroi intérieure selon un premier mode de réalisation de l'invention. L'élément de paroi intérieure 1 fait de graphite comporte une partie épaulée 2 sur une surface intérieure 1S de l'élément de paroi intérieure 1. La partie épaulée 2 est constituée d'une première surface plate 21, d'une surface verticale 22 et d'une seconde surface plate 23. La seconde surface plate 23 forme une partie convexe. Une pluralité de parties concaves 24 est formée pour que ces parties soient agencées consécutivement dans la seconde surface plate 23 (à savoir, la partie convexe). La surface intérieure 1S comportant de telles parties concaves 24 formées dans celle-ci est orientée vers l'intérieur du four de cuisson 10, et le côté opposé (à savoir, la surface arrière) est orienté vers l'extérieur. Le côté opposé est de préférence une surface plate qui ne comporte pas de parties concaves ou convexes. Un exemple spécifique de la forme détaillée est expliqué comme suit. À savoir, les parties concaves 24 présentent une forme de motif de 4 x 8. La première surface plate 21 possède une longueur de 950 mm et une largeur de 500 mm, la surface verticale 22 possède une hauteur de 10 mm, la seconde surface plate 23 possède une longueur de 910 mm et une largeur de 460 mm, et l'épaisseur totale de l'élément de paroi intérieure est de 20 mm. Chacune des parties concaves 24 comporte une ouverture tétragonale de 80 x 80 mm et une profondeur de 10 mm, et une arête 25 formée entre les parties concaves 24 possède une largeur de 24 mm. Bien que ces dimensions soient ici décrites, l'élément de paroi intérieure 1 n'est pas limité à ces dimensions spécifiques. Les parties de coin définies aux intersections des surfaces de paroi des parties concaves 24 peuvent présenter une forme arrondie, à savoir, peuvent être formées en une surface uniformément incurvée. Par exemple, les surfaces de paroi peuvent être raccordées les unes aux autres dans une surface incurvée ayant un rayon de courbure de 10 mm. L'élément de paroi intérieure 1 est formé, par exemple, d'un matériau graphite isotrope, et, par exemple, ET-10 produit par IBIDEN CO., LTD. peut être utilisé en tant que matériau constituant l'élément de paroi. ET-10 possède les propriétés suivantes, par exemple : une densité apparente de 1,74 g/cm3, un coefficient de dilatation thermique de 4,5 x 10-6/K, un module élastique de 10 GPa, une résistance à la traction de 30 GPa, et un nombre de Poisson de 0,2. L'élément de paroi intérieure 1 tel qu'il est décrit ci-dessus est utilisé en tant qu'élément de paroi intérieure 1 couvrant la zone chaude du four de cuisson 10 pour un article en carbure de silicium, qui est un filtre d'épuration de gaz d'échappement, par exemple. L'élément de paroi intérieure 1 est utilisé en tant que couvercle, mais, en plus de ceci, est utilisé de façon similaire sur les côtés latéraux et le côté inférieur. La forme de l'élément de paroi intérieure 1 utilisé sur les côtés latéraux et inférieur peut être identique à ou différente de celle de l'élément de paroi intérieure 1 utilisé en tant que couvercle. Le nombre des parties concaves 24 peut être égal à un ou supérieur à un. La taille de la surface inférieure des parties concaves 24 n'est pas particulièrement limitée. Lorsque le nombre des parties concaves 24 est supérieur à un, leurs profondeurs respectives peuvent être identiques ou peuvent être différentes. En outre, les parties concaves 24 sont de préférence des trous non débouchant. Si les parties concaves 24 sont des trous débouchant, un gaz, tel que du SiO, s'écoule de la zone chaude à l'extérieur de l'élément de paroi intérieure 1, entraînant ainsi une détérioration d'éléments à l'extérieur de l'élément de paroi intérieure 1. La figure 3 est une vue schématique représentant des variantes des parties concaves 24 formées dans la paroi intérieure selon le premier mode de réalisation de l'invention, sur laquelle (a) représente une variante 1, (b) représente une variante 2, (c) représente une variante 3, (d) représente une variante 4 et (e) représente une variante 5. La variante 1 sur la figure 3(a) est un motif de structure en nid d'abeille dans lequel des hexagones sont associés. La variante 2 sur la figure 3(b) est un motif dans lequel des hexagones et des losanges sont associés. La variante 3 sur la figure 3(c) est un motif dans lequel des octogones et des tétragones sont associés en alternance. La variante 4 sur la figure 3(d) est un motif dans lequel des tétragones sont associés et les coins de ceux-ci sont formés dans une surface incurvée. À savoir, les parties de coin définies aux intersections entre les surfaces de paroi des parties concaves sont formées par une surface uniformément incurvée d'une forme arrondie. La variante 5 sur la figure 3(e) est un motif dans lequel des octogones sont agencés et des tétragones sont agencés dans des espaces entre les octogones agencés. Selon la présente invention, de préférence, les parties concaves 24 comportent une ouverture de forme polygonale, et les côtés adjacents des parties concaves adjacentes 24 sont parallèles l'un à l'autre. Autrement dit, les parties concaves adjacentes 24 sont espacées les unes des autres par l'arête 25 possédant une 10 largeur constante. De même, les parties concaves 24 peuvent comporter une ouverture de forme polygonale. Si les côtés adjacents des parties concaves adjacentes 24 sont parallèles l'un à l'autre, les parties concaves 24 peuvent être effectivement formées et la superficie des parties concaves 24 peut être augmentée. Dans le premier mode de réalisation, y compris les variantes, les parties 15 concaves 24 sont régulièrement agencées et consécutivement formées en un certain motif, mais ne sont pas particulièrement limitées à de tels agencements. L'invention n'est pas limitée à des structures dans lesquelles des formes identiques sont associées comme cela est représenté dans les variantes, mais peut utiliser une association de formes rondes, une association d'octogones et de tétragones, une association 20 d'hexagones et de tétragones, une association de polygones et analogues. Dans de telles structures, en plus d'une structure en nid d'abeille dans laquelle des hexagones sont associés, une structure en treillis, dans laquelle des rectangles et des carrés sont associés et analogues, peut être utilisée. La figure 4 est une vue représentant un état dans lequel une couche de 25 carbure de silicium est formée à l'intérieur du four de cuisson 10 utilisant l'élément de paroi intérieure 1 selon le premier mode de réalisation de l'invention, sur laquelle (a) est une vue en coupe prise le long d'un trait A-A sur la figure 2, (b) est une vue agrandie d'une section B dans (a) avant l'utilisation, et (c) est une vue agrandie d'une section B dans (a) après l'utilisation. 30 L'élément de paroi intérieure 1 avant l'utilisation (voir figure 4(b)) est entièrement constitué de graphite. Après l'utilisation (voir figure 4(c)), la surface intérieure 1S de l'élément de paroi intérieure constituant le four de cuisson 10 vient à posséder une couche de carbure de silicium 30 formée sur celui-ci, à savoir, vient à posséder une structure de carcasse couverte, dans laquelle la carcasse est formée par la couche 30. La couche de carbure de silicium 30 possède, par exemple, les propriétés physiques suivantes : une densité apparente de 2,17 g/cm3, un coefficient de dilatation thermique de 5,0 x 10-6/K, un module élastique de 46 GPa, et un nombre de Poisson de 0,23. Par conséquent, la couche de carbure de silicium 30 possède une résistance plus importante et un module élastique plus important que ceux d'un matériau à base de graphite, et possède un coefficient de dilatation thermique généralement égal à celui du matériau de base. La couche de carbure de silicium 30 peut être obtenue dans une plage de 1 à 5 mm par réaction de conversion du graphite. Dans le four de cuisson à carbure de silicium 10, lorsqu'un traitement à haute température est réalisé, une faible quantité de monoxyde de silicium est générée en décomposant le dioxyde de silicium dans une matière brute. Le monoxyde de silicium réagit avec un élément en graphite, formant ainsi une couche de SiC sur une surface de l'élément en graphite (voir équation chimique 1). Si(,)+2C-*SiC+COI (1) En raison de la réaction selon l'équation chimique 1, l'élément en graphite est converti en SiC et ainsi se détériore. La vitesse de réaction de cette réaction chimique est plus lente dans une plage de température plus basse (1500 °C à 1800 °C) (réaction contrôlée par diffusion), la détérioration de l'élément en graphite peut être réduite ou empêchée en évacuant le SiO gazeux à partir du four de cuisson 10. Cependant, la vitesse de réaction de cette réaction chimique devient plus rapide dans une plage de température plus élevée supérieure à 1800 °C (à savoir, réaction contrôlée par réaction), du SiO gazeux réagit avec l'élément en graphite avant que le SiC gazeux ne soit évacué du four de cuisson 10. Par conséquent, avec le procédé d'art antérieur pour empêcher la réaction de l'élément de paroi intérieure 1 en évacuant le SiO gazeux il est difficile d'obtenir un effet suffisant de réduction de déformation de l'élément de paroi intérieure 1. Le four de cuisson 10 (par exemple le four de cuisson 10 pour un filtre d'épuration de gaz d'échappement) utilisant l'élément de paroi intérieure 1 selon le premier mode de réalisation de la présente invention est, par exemple, un four continu et la température maximum de celui-ci atteint une plage de 2000 °C à 2300 °C. L'élément de paroi intérieure 1 selon le premier mode de réalisation de l'invention est un élément en graphite, dans lequel la partie épaulée 2 est prévue sur la surface intérieure 1S, et également une pluralité de parties concaves est prévue dans la seconde surface plate 23 (à savoir, la partie convexe) pour former un motif en forme de nid d'abeille. Lorsque l'élément de paroi intérieure 1 du premier mode de réalisation est utilisé dans le four de cuisson 10, la réaction selon l'équation chimique 1 se produit sur la surface intérieure 1S de l'élément de paroi intérieure 1, et ainsi la couche de carbure de silicium 30 en forme de nid d'abeille est formée sur la surface intérieure 1S. Ainsi, la couche de carbure de silicium possédant une résistance plus importante peut être formée en trois dimensions, et donc, l'élément de paroi intérieure 1 comporte une structure de carcasse dans laquelle la carcasse est couverte par la couche 30 est dure et possède une résistance plus importante. En outre, la couche de carbure de silicium 30 est orientée dans diverses directions, telles qu'une direction perpendiculaire à la surface intérieure 1S, et donc, même lorsque des gauchissements sont entraînés par une différence de dilatation de réaction en raison d'une silicification et de dilatation thermique entre la couche de carbure de silicium et le graphite, de tels gauchissements peuvent être mutuellement compensés, pour que le gauchissement total puisse être limité à une faible quantité.Fig. 5 is a perspective view showing an inner wall element according to a second embodiment of the invention. FIG. 6 is a view showing a variant of the inner wall element according to the second embodiment of the invention, in which (a) is a perspective view thereof and (b) is an explanatory view illustrating the use of it. Fig. 1 is an explanatory view showing an example of a silicon carbide baking oven using an inner wall member according to the present invention. The inner wall element 1 is used inside the silicon carbide baking oven 10. The baking oven 10 has a double layer structure consisting of an outer wall 11 and an inner wall 12 and comprises a heating element 13 inside the inner wall 12 and a plate 15. A molded body of silicon carbide 14, which is an object to be treated, is placed on the plate 15. The carbide baking oven silicon 10 is configured to sinter SiC and is a non-oxidizing atmosphere furnace at a maximum processing temperature of 2000 ° C to 2300 ° C. The baking oven 10 may be a tunnel oven or may be a batch oven, i.e., not particularly limited to a type of oven. The outer wall 11 is made, for example, of a metal and may comprise an insulating material, such as a ceramic fiber or a carbon fiber, on one side of the inner wall 12. The space surrounded by the wall Inner 12 passes at a higher temperature than the space outside the inner wall 12, and thus the space surrounded by the inner wall 12 is called the hot zone. The inner wall 12 is configured by combining a plurality of inner wall members 1 according to the present invention. In other words, the inner wall element 1 is an element surrounding the hot zone used in cooking SiC. In addition, the inner wall member 1 may cover any of the lateral sides, the upper side and the lower side of the hot zone. The inner wall element 1, the heating element 13 and the plate 15 are made of graphite and serve as insulating elements (ie, a graphite material). As they are made of graphite, the inner wall element 1, the heating element 13 and the tray 15 can be used stably even when exposed to a temperature of 2000 ° C to 2300 ° C or higher required for firing the silicon carbide molded body 14. The graphite material may be any material such as an electrode material or an isotropic graphite material. The heating element 13 is a heat source and may use induction heating, microwaves, radiation or the like. Similarly, the heating element 13 may be provided on the inner side and / or the outer side of the inner wall member 1. The interior of the silicon carbide cooking furnace 10 has an inert gas atmosphere such as argon or nitrogen gas, so that the molded body of silicon carbide 14 and the inner wall member 1 made of graphite can not be oxidized. The atmosphere within the baking oven 10 is not limited to these gases, but may include a variety of inert gases and reducing gases, and may even be empty. Fig. 2 is a perspective view showing an inner wall element according to a first embodiment of the invention. The inner wall member 1 made of graphite has a shouldered portion 2 on an inner surface 1S of the inner wall member 1. The shouldered portion 2 is formed of a first flat surface 21, a vertical surface 22, and a second flat surface 23. The second flat surface 23 forms a convex portion. A plurality of concave portions 24 are formed such that these portions are arranged consecutively in the second flat surface 23 (i.e., the convex portion). The inner surface 1S having such concave portions 24 formed therein is oriented towards the inside of the baking oven 10, and the opposite side (i.e., the rear surface) faces outwardly. The opposite side is preferably a flat surface which does not have concave or convex parts. A specific example of the detailed form is explained as follows. Namely, the concave portions 24 have a pattern shape of 4 × 8. The first flat surface 21 has a length of 950 mm and a width of 500 mm, the vertical surface 22 has a height of 10 mm, the second flat surface 23 has a length of 910 mm and a width of 460 mm, and the total thickness of the inner wall element is 20 mm. Each of the concave portions 24 has a tetragonal opening 80 x 80 mm and a depth of 10 mm, and an edge 25 formed between the concave portions 24 has a width of 24 mm. Although these dimensions are here described, the inner wall element 1 is not limited to these specific dimensions. The corner portions defined at the intersections of the wall surfaces of the concave portions 24 may have a rounded shape, ie, may be formed into a uniformly curved surface. For example, the wall surfaces may be connected to each other in a curved surface having a radius of curvature of 10 mm. The inner wall member 1 is formed, for example, of an isotropic graphite material, and, for example, ET-10 produced by IBIDEN CO., LTD. can be used as the material constituting the wall element. ET-10 has the following properties, for example: a bulk density of 1.74 g / cm3, a thermal expansion coefficient of 4.5 x 10-6 / K, a 10 GPa elastic modulus, a tensile strength of 30 GPa, and a Poisson number of 0.2. The inner wall member 1 as described above is used as an inner wall member 1 covering the hot zone of the baking oven 10 for a silicon carbide article, which is a filter of exhaust gas cleaning, for example. The inner wall member 1 is used as the cover, but in addition to this is similarly used on the lateral and the lower side. The shape of the inner wall member 1 used on the side and bottom sides may be the same as or different from that of the inner wall member 1 used as the cover. The number of concave portions 24 may be one or greater than one. The size of the lower surface of the concave portions 24 is not particularly limited. When the number of the concave portions 24 is greater than one, their respective depths may be the same or may be different. In addition, the concave portions 24 are preferably non-through holes. If the concave portions 24 are through holes, a gas, such as SiO, flows from the hot zone outside the inner wall member 1, thereby causing deterioration of elements outside the the inner wall element 1. FIG. 3 is a schematic view showing variants of the concave portions 24 formed in the inner wall according to the first embodiment of the invention, in which (a) represents a variant 1, (b ) represents a variant 2, (c) represents a variant 3, (d) represents a variant 4 and (e) represents a variant 5. The variant 1 in Figure 3 (a) is a honeycomb structure pattern in which hexagons are associated. Variant 2 in Figure 3 (b) is a pattern in which hexagons and lozenges are associated. Variant 3 in Figure 3 (c) is a pattern in which octagons and tetragon are alternately associated. Variant 4 in Fig. 3 (d) is a pattern in which tetragones are associated and the corners thereof are formed in a curved surface. That is, the corner portions defined at the intersections between the wall surfaces of the concave portions are formed by a uniformly curved surface of rounded shape. Variant 5 in Fig. 3 (e) is a pattern in which octagons are arranged and tetragons are arranged in spaces between the arranged octagons. According to the present invention, preferably, the concave portions 24 comprise a polygonal opening, and the adjacent sides of the adjacent concave portions 24 are parallel to each other. In other words, the adjacent concave portions 24 are spaced from each other by the edge 25 having a constant width. Similarly, the concave portions 24 may include an opening of polygonal shape. If the adjacent sides of the adjacent concave portions 24 are parallel to each other, the concave portions 24 may be effectively formed and the area of the concave portions 24 may be increased. In the first embodiment, including the variants, the concave portions 24 are regularly arranged and consecutively formed in a certain pattern, but are not particularly limited to such arrangements. The invention is not limited to structures in which identical forms are associated as shown in the variants, but may use an association of round shapes, an association of octagons and tetragones, a combination of hexagons and tetragon, an association of polygons and the like. In such structures, in addition to a honeycomb structure in which hexagons are associated, a lattice structure, in which rectangles and squares are associated and the like, may be used. Fig. 4 is a view showing a state in which a silicon carbide layer is formed inside the baking oven using the inner wall member 1 according to the first embodiment of the invention, on which (a) is a sectional view taken along a line AA in Figure 2, (b) is an enlarged view of a section B in (a) before use, and (c) is an enlarged view a section B in (a) after use. The inner wall member 1 prior to use (see Fig. 4 (b)) is entirely made of graphite. After use (see Fig. 4 (c)), the inner surface 1S of the inner wall member constituting the baking oven 10 has a silicon carbide layer 30 formed thereon, i.e. to have a covered carcass structure, wherein the carcass is formed by the layer 30. The silicon carbide layer 30 has, for example, the following physical properties: a bulk density of 2.17 g / cm3, a coefficient of thermal expansion of 5.0 x 10-6 / K, an elastic modulus of 46 GPa, and a Poisson count of 0.23. As a result, the silicon carbide layer 30 has greater strength and elastic modulus than those of a graphite material, and has a coefficient of thermal expansion generally equal to that of the base material. The silicon carbide layer 30 can be obtained in a range of 1 to 5 mm by conversion reaction of the graphite. In the silicon carbide baking furnace 10, when a high temperature treatment is performed, a small amount of silicon monoxide is generated by decomposing the silicon dioxide in a raw material. Silicon monoxide reacts with a graphite element, thus forming a SiC layer on a surface of the graphite element (see Chemical Equation 1). If (,) + 2C- * SiC + COI (1) Due to the reaction according to chemical equation 1, the graphite element is converted to SiC and thus deteriorates. The reaction rate of this chemical reaction is slower in a lower temperature range (1500 ° C to 1800 ° C) (diffusion controlled reaction), the deterioration of the graphite element can be reduced or prevented by evacuating the However, the reaction rate of this chemical reaction becomes faster in a higher temperature range above 1800 ° C (i.e., reaction-controlled reaction), gaseous SiO reacts with the graphite element before the gaseous SiC is removed from the baking oven 10. Therefore, with the prior art method to prevent the reaction of the inner wall member 1 by evacuating the gaseous SiO it is difficult to obtain a sufficient deformation reduction effect of the inner wall element 1. The cooking oven 10 (for example, the cooking oven 10 for an exhaust gas cleaning filter) The inner wall element 1 according to the first embodiment of the present invention is, for example, a continuous furnace and the maximum temperature thereof reaches a range of 2000 ° C to 2300 ° C. The inner wall element 1 according to the first embodiment of the invention is a graphite element, in which the shoulder portion 2 is provided on the inner surface 1S, and also a plurality of concave portions is provided in the second surface. plate 23 (ie, the convex portion) to form a honeycomb pattern. When the inner wall member 1 of the first embodiment is used in the baking oven 10, the reaction according to the chemical equation 1 occurs on the inner surface 1S of the inner wall member 1, and thus the diaper of silicon carbide 30 in the form of a honeycomb is formed on the inner surface 1S. Thus, the silicon carbide layer having a higher strength can be formed in three dimensions, and thus, the inner wall element 1 has a carcass structure in which the carcass is covered by the layer 30 is hard and has a greater resistance. In addition, the silicon carbide layer 30 is oriented in various directions, such as a direction perpendicular to the inner surface 1S, and thus even when warping is caused by a difference in reaction expansion due to silicification. and thermal expansion between the silicon carbide layer and the graphite, such warpage can be mutually compensated so that the total warpage can be limited to a small amount.

La couche de carbure de silicium 30 formée sur la surface intérieure 1S de l'élément de paroi intérieure 1 fait de carbone est orientée dans diverses directions, pour qu'il soit difficile pour une fissure de se propager, à savoir, la couche de carbure de silicium 30 sert à bloquer la propagation de fissures. Donc, même lorsqu'une fissure se produit, la couche de carbure de silicium 30 bloque la propagation de la fissure, pour que la totalité de l'élément de paroi intérieure 1 ne puisse pas se rompre. En raison de ce mécanisme, l'élément de paroi intérieure 1, qui possède une résistance plus importante et dont la rupture et la chute sont difficiles, même lorsque l'élément de paroi intérieure 1 est utilisé pendant une longue période, peut être proposé.The silicon carbide layer 30 formed on the inner surface 1S of the inner wall member 1 made of carbon is oriented in various directions, so that it is difficult for a crack to propagate, namely, the carbide layer. Silicon 30 serves to block the propagation of cracks. Thus, even when a crack occurs, the silicon carbide layer 30 blocks crack propagation, so that the entire inner wall member 1 can not break. Due to this mechanism, the inner wall element 1, which has a greater strength and whose breakage and falling are difficult, even when the inner wall element 1 is used for a long time, can be proposed.

Les parties de coin définies aux intersections des surfaces de paroi des parties concaves sont de préférence raccordées uniformément par une surface incurvée arrondie. Si les surfaces de paroi adjacentes 26 constituant les parties concaves 24 sont raccordées par la surface incurvée arrondie, même lorsqu'une déformation sous l'effet de la température est provoquée par une différence de dilatation thermique entre le graphite et la couche de carbure de silicium 30, une concentration de contraintes entre les surfaces de paroi adjacentes 26 constituant les parties concaves 24 peut être réduite et ainsi une rupture peut être réduite ou empêchée. Le rayon de courbure préféré pour la surface incurvée arrondie est compris entre 3 mm et 50 mm. Si le rayon de courbure est inférieur à 3 mm, la concentration de contraintes se produit facilement et ainsi la rupture des joints entre les surfaces de paroi adjacentes 26 est facile. Si le rayon de courbure de la surface incurvée arrondie est supérieur à 50 mm, la superficie des surfaces de paroi 26 est réduite, et, ainsi, il devient difficile de profiter de l'effet d'augmentation de résistance par la mise en structure tridimensionnelle de la couche de carbure de silicium 30. En outre, de façon similaire, les surfaces de paroi 26 et la surface inférieure constituant les parties concaves 24 sont de préférence uniformément raccordées par une surface incurvée arrondie. Si les surfaces de paroi 26 et la surface inférieure constituant les parties concaves 24 sont de préférence uniformément raccordées par la surface incurvée arrondie, même lorsque la déformation sous l'effet de la température est provoquée par une différence de dilatation thermique entre le graphite et la couche de carbure de silicium 30, la concentration de contraintes entre les surfaces de paroi 26 et la surface inférieure constituant les parties concaves 24 peut être réduite, et ainsi, la rupture est difficile. Le rayon de courbure préféré pour la surface incurvée arrondie est compris entre 3 mm et 50 mm. Si le rayon de courbure est inférieur à 3 mm, la concentration de contraintes se produit facilement, et ainsi, la rupture des joints entre les surfaces de paroi 26 et la surface inférieure est facile. Si le rayon de courbure de la surface incurvée arrondie est supérieur à 50 mm, le rayon de courbure de la surface incurvée arrondie est trop important pour former les surfaces de paroi, par rapport à l'épaisseur de l'élément de paroi intérieure, et ainsi, il est difficile de profiter d'un effet de résistance plus importante par la mise en structure tridimensionnelle de la couche de carbure de silicium 30. La profondeur des parties concaves 24 représente de préférence 30 % à 70 % de l'épaisseur de l'élément de paroi intérieure 1. Dans les présentes, « épaisseur de l'élément de paroi intérieure 1 » fait référence à la distance entre l'extrémité avant (à savoir, la seconde surface plate 23) de la partie convexe et la surface arrière. Lorsque la profondeur des parties concaves 24 représente 30 % à 70 % de l'épaisseur de l'élément de paroi intérieure 1, des surfaces de paroi 26 comportant la couche de carbure de silicium 30 d'une hauteur suffisante par rapport à l'épaisseur de l'élément de paroi intérieure 1 peuvent être prévues, permettant ainsi à la couche de carbure de silicium 30 de maintenir une résistance plus importante.The corner portions defined at the intersections of the wall surfaces of the concave portions are preferably uniformly connected by a rounded curved surface. If the adjacent wall surfaces 26 constituting the concave portions 24 are connected by the rounded curved surface, even when a deformation under the effect of temperature is caused by a thermal expansion difference between the graphite and the silicon carbide layer 30, a stress concentration between the adjacent wall surfaces 26 constituting the concave portions 24 can be reduced and thus a break can be reduced or prevented. The preferred radius of curvature for the rounded curved surface is between 3 mm and 50 mm. If the radius of curvature is less than 3 mm, stress concentration occurs easily and thus joint failure between adjacent wall surfaces 26 is easy. If the radius of curvature of the rounded curved surface is greater than 50 mm, the area of the wall surfaces 26 is reduced, and thus it becomes difficult to take advantage of the effect of increasing strength by setting three-dimensional structure In addition, similarly, the wall surfaces 26 and the bottom surface constituting the concave portions 24 are preferably uniformly connected by a rounded curved surface. If the wall surfaces 26 and the bottom surface constituting the concave portions 24 are preferably uniformly connected by the rounded curved surface, even when the deformation under the effect of the temperature is caused by a difference in thermal expansion between the graphite and the Silicon carbide layer 30, the stress concentration between the wall surfaces 26 and the bottom surface constituting the concave portions 24 can be reduced, and thus, the rupture is difficult. The preferred radius of curvature for the rounded curved surface is between 3 mm and 50 mm. If the radius of curvature is less than 3 mm, the stress concentration occurs easily, and thus, the fracture of the joints between the wall surfaces 26 and the bottom surface is easy. If the radius of curvature of the rounded curved surface is greater than 50 mm, the radius of curvature of the rounded curved surface is too large to form the wall surfaces, relative to the thickness of the inner wall member, and thus, it is difficult to take advantage of a greater resistance effect by placing the silicon carbide layer 30 in three-dimensional structure. The depth of the concave portions 24 preferably represents 30% to 70% of the thickness of the Inner wall element 1. Herein, "thickness of inner wall member 1" refers to the distance between the front end (i.e., the second flat surface 23) of the convex portion and the rear surface . When the depth of the concave portions 24 represents 30% to 70% of the thickness of the inner wall element 1, wall surfaces 26 having the silicon carbide layer 30 of sufficient height relative to the thickness of the inner wall member 1 may be provided, thereby allowing the silicon carbide layer 30 to maintain a higher strength.

De préférence, le rapport de la superficie des ouvertures des parties concaves 24 par rapport à la superficie de la région entourée par la ligne de bordure extérieure de la partie convexe est compris entre 60 % et 90 %. Dans les présentes, « superficie de la région entourée par la ligne de bordure extérieure de la partie convexe » signifie la somme de la superficie des ouvertures et de la superficie de la partie convexe (à savoir, la seconde surface plate), et, si la partie convexe présente, par exemple, une forme rectangulaire, la superficie de la région entourée par la ligne de bordure extérieure de la partie convexe est le produit du côté long par le côté court de la forme rectangulaire. Si le rapport de la superficie des ouvertures des parties concaves 24 est inférieur à 60 %, les surfaces de paroi 26 de la couche de carbure de silicium 30 formée dans les parties concaves 24 ne sont pas de taille suffisante, et ainsi, il est difficile de profiter de l'effet de résistance plus importante par la mise en structure tridimensionnelle de la couche de carbure de silicium 30. Si le rapport de la superficie des ouvertures est supérieur à 90 %, la largeur de l'arête 25 entre les parties concaves adjacentes 24 est réduite, et ainsi, l'arête 25 se rompra vraisemblablement. De préférence, l'élément de paroi intérieure 1 est fait de graphite possédant un coefficient de dilatation thermique de 4,0 x 10-6/K à 6,0 x 10-6/K. La couche de carbure de silicium 30, en laquelle le graphite est converti et formé, possède un coefficient de dilatation thermique de 5,0 x 10-6/K, et ainsi la contrainte thermique et la déformation survenant sous l'effet de la température peuvent être réduites. La figure 5 est une vue en perspective représentant un élément de paroi intérieure selon un second mode de réalisation de l'invention. L'élément de paroi intérieure 1 fait de graphite comporte une partie épaulée 2. La partie épaulée 2 est constituée d'une première surface plate 21, d'une surface verticale 22 et d'une seconde surface plate 23. La seconde surface plate 23 située sur une surface de l'élément de paroi intérieure 1 forme une partie convexe. De même, le côté, sur lequel la partie épaulée 2 est formée, est orienté vers l'intérieur du four de cuisson 10, et le côté opposé (à savoir, la surface arrière) est orienté vers l'extérieur.Preferably, the ratio of the area of the openings of the concave portions 24 to the area of the region surrounded by the outer edge line of the convex portion is between 60% and 90%. Herein "area of the area surrounded by the outer border line of the convex portion" means the sum of the area of the openings and the area of the convex portion (ie, the second flat surface), and, if the convex portion has, for example, a rectangular shape, the area of the region surrounded by the outer edge line of the convex portion is the product of the long side by the short side of the rectangular shape. If the ratio of the aperture area of the concave portions 24 is less than 60%, the wall surfaces 26 of the silicon carbide layer 30 formed in the concave portions 24 are not of sufficient size, and thus, it is difficult to take advantage of the greater resistance effect by setting three-dimensional structure of the silicon carbide layer 30. If the ratio of the area of the openings is greater than 90%, the width of the edge 25 between the concave parts adjacent 24 is reduced, and thus, the edge 25 is likely to break. Preferably, the inner wall member 1 is made of graphite having a coefficient of thermal expansion of 4.0 x 10-6 / K at 6.0 x 10-6 / K. The silicon carbide layer 30, in which the graphite is converted and formed, has a coefficient of thermal expansion of 5.0 x 10-6 / K, and thus thermal stress and strain under the effect of temperature. can be reduced. Fig. 5 is a perspective view showing an inner wall element according to a second embodiment of the invention. The inner wall member 1 made of graphite has a shouldered portion 2. The shouldered portion 2 is formed of a first flat surface 21, a vertical surface 22 and a second flat surface 23. The second flat surface 23 located on a surface of the inner wall member 1 forms a convex portion. Similarly, the side, on which the shouldered portion 2 is formed, is oriented towards the inside of the baking oven 10, and the opposite side (i.e., the rear surface) faces outwardly.

Le côté opposé est de préférence une surface plate qui ne comporte pas de parties concaves ou convexes. Un exemple spécifique de la forme détaillée est expliqué comme suit. À savoir, la première surface plate 21 possède une longueur de 500 mm et une largeur de 500 mm, la surface verticale 22 est prévue sur la première surface plate 21 et possède une hauteur de 10 mm, et la seconde surface plate 23 possède une longueur de 450 mm et une largeur de 450 mm. L'épaisseur totale de l'élément de paroi intérieure est de 20 mm. Lorsque l'élément de paroi intérieure 1 est utilisé dans le four de cuisson à carbure de silicium 10, une couche de carbure de silicium est formée sur une surface intérieure 1S de l'élément de paroi intérieure 1, formant ainsi une couche de carbure de silicium 30 présentant une forme convexe en trois dimensions. Donc, la couche de carbure de silicium possédant une résistance plus importante peut être formée en trois dimensions, pour que l'élément de paroi intérieure 1 vienne à posséder une structure de carcasse couverte par la couche 30, qui est dure et possède une résistance plus importante. En outre, la couche de carbure de silicium 30 est orientée dans diverses directions, telles qu'une direction perpendiculaire à la surface intérieure 1S, et donc, même lorsque des gauchissements sont provoqués par silicification, de tels gauchissements peuvent être mutuellement compensés, pour que le gauchissement total puisse être limité à une faible quantité. De même, la couche de carbure de silicium 30 est orientée dans diverses directions, et donc, la couche de carbure de silicium 30 sert à bloquer la propagation de fissures lorsque la propagation de fissures atteint la couche de carbure de silicium 30. Donc, même lorsqu'une fissure se produit, la couche de carbure de silicium 30 bloque la propagation de la fissure, pour qu'il soit impossible que la totalité de l'élément de paroi intérieure 1 ne se rompe. En raison de ce mécanisme, l'élément de paroi intérieure 1, qui possède une résistance plus importante et dont la rupture et la chute ne sont pas faciles, même lorsque l'élément de paroi intérieure 1 est utilisé pendant une longue période, peut être proposé. La figure 6 est une vue représentant une variante de l'élément de paroi intérieure 1 selon le second mode de réalisation de l'invention, sur laquelle (a) est une vue en perspective de celui-ci et (b) est une vue explicative illustrant un état d'utilisation d'une pluralité d'éléments de paroi intérieure 1.The opposite side is preferably a flat surface which does not have concave or convex parts. A specific example of the detailed form is explained as follows. That is, the first flat surface 21 has a length of 500 mm and a width of 500 mm, the vertical surface 22 is provided on the first flat surface 21 and has a height of 10 mm, and the second flat surface 23 has a length 450 mm and a width of 450 mm. The total thickness of the inner wall element is 20 mm. When the inner wall member 1 is used in the silicon carbide baking oven 10, a silicon carbide layer is formed on an inner surface 1S of the inner wall member 1, thereby forming a layer of carbide of silicon 30 having a convex shape in three dimensions. Thus, the silicon carbide layer having a higher strength can be formed in three dimensions, so that the inner wall member 1 comes to have a carcass structure covered by the layer 30, which is hard and has a higher resistance. important. In addition, the silicon carbide layer 30 is oriented in various directions, such as a direction perpendicular to the inner surface 1S, and therefore, even when warping is caused by silicification, such warp can be mutually compensated so that total warpage may be limited to a small amount. Similarly, the silicon carbide layer 30 is oriented in various directions, and thus, the silicon carbide layer 30 serves to block the propagation of cracks when the crack propagation reaches the silicon carbide layer 30. Therefore, even when a crack occurs, the silicon carbide layer 30 blocks the propagation of the crack, so that it is impossible for the entire inner wall member 1 to break. Due to this mechanism, the inner wall element 1, which has a greater strength and whose breakage and fall are not easy, even when the inner wall element 1 is used for a long time, can be offers. FIG. 6 is a view showing a variant of the inner wall element 1 according to the second embodiment of the invention, in which (a) is a perspective view thereof and (b) is an explanatory view. illustrating a state of use of a plurality of inner wall elements 1.

Un exemple de cette variante comporte une structure dans laquelle la seconde surface plate 23 constituant la partie convexe fait saillie latéralement (voir figure 6(a)). Les éléments de paroi intérieure 1 sont retournés pour être utilisés en tant que couvercle, et fixés sur un corps principal formé par la paroi intérieure 12.An example of this variant comprises a structure in which the second flat surface 23 constituting the convex part projects laterally (see FIG. 6 (a)). The inner wall elements 1 are turned over to be used as a cover, and fixed on a main body formed by the inner wall 12.

Les éléments de paroi intérieure 1 sont ceux qui forment la paroi intérieure 12, et ainsi peuvent être utilisés sur des côtés latéraux et le côté inférieur. En outre, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation précédents, mais peut de façon appropriée être modifiée ou changée. En outre, les matériaux, les formes, les dimensions, les valeurs numériques, les types, les nombres, les emplacements de disposition et analogues pour chacun des composants selon les modes de réalisation précédents peuvent être différents de ceux présentés ci-avant, du moment que l'invention puisse être obtenue, et ne sont pas limitatifs. L'élément de paroi intérieure selon la présente invention constitue une paroi intérieure d'un four de cuisson à carbure de silicium, par exemple, et peut être appliqué à des applications pour une utilisation stable pendant une longue période. Numéros de références : 1 : élément de paroi intérieure 1S : surface intérieure 2 : partie épaulée 10 : four de cuisson 12 : paroi intérieure 21 : première surface plate 22 : surface verticale 23 : seconde surface plate 24 : partie concave 25 : arête 26 : surface de paroi : couche (couche de carbure de silicium ; carcasse)The inner wall elements 1 are those which form the inner wall 12, and thus can be used on lateral sides and the lower side. In addition, the present invention is not limited to the foregoing embodiments, but may suitably be modified or changed. In addition, the materials, shapes, dimensions, numerical values, types, numbers, locations of disposition and the like for each of the components according to the preceding embodiments may be different from those presented above, from the moment that the invention can be obtained, and are not limiting. The inner wall element according to the present invention constitutes an inner wall of a silicon carbide baking oven, for example, and can be applied to applications for stable use for a long time. Reference numerals: 1: inner wall element 1S: inner surface 2: shoulder portion 10: baking oven 12: inner wall 21: first flat surface 22: vertical surface 23: second flat surface 24: concave portion 25: edge 26: wall surface: layer (silicon carbide layer, carcass)

Claims

REVENDICATIONS1. Inner wall element (1) made of graphite and constituting a baking oven (10) for baking a silicon carbide molded body, the inner wall element (1) having at least one shouldered portion (2) on a surface interior (1S) facing a space to contain the molded body.

An inner wall member (1) according to claim 1, wherein the shouldered portion (2) is configured by a convex portion formed on the inner surface (1S).

An inner wall member (1) according to claim 2, wherein the convex portion is formed in said inner wall member (1) with a plurality of concave portions (24) having an identical shape which are arranged consecutively. .

An inner wall member (1) according to claim 3, wherein each of the plurality of concave portions (24) has a polygonal opening, and the adjacent sides of adjacent concave portions (24) are parallel to each other. the other.

An inner wall member (1) according to claim 4, wherein the corner portions defined at the intersections of the wall surfaces of each of the concave portions (24) are formed by a rounded curved surface.

Inner wall element (1) according to any one of claims 3 to 5, wherein the depth of the concave portions (24) is 30% to 70% of the thickness of the inner wall element (1). .

An interior wall element (1) according to any one of claims 3 to 6, wherein the ratio of the area of the openings of the concave portions (24) to the area of the region surrounded by the outer edge line. the convex portion is between 60% and 90%.

An inner wall member (1) according to any one of claims 1 to 7, wherein the inner wall member (1) is made of graphite having a coefficient of thermal expansion of 4.0 x 10-6 / K at 6.0 x 10-6 / K.