FR2989835A1 - Procede de preparation d'une couche mince a caractere photovoltaique a heterojonction - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- REVENDICATIONS1. Procédé de préparation d'une couche mince à caractère photovoltaïque à hétérojonction, par dépôt sur un support d'une composition comprenant un premier semiconducteur organique Cp, de type donneur d'électron, et un deuxième semi-conducteur organique CN, de type accepteur d'électron, puis ségrégation de phase, comprenant les étapes suivantes : (El) on prépare un premier mélange M1 comprenant les semi-conducteurs organiques CN et Cp au sein d'un milieu solvant ; puis (E2) on ajoute à ce mélange M1 un additif de réticulation porteur d'au moins deux fonctions azides et éventuellement un solvant, dans des conditions de température suffisamment faible pour inhiber la précipitation par réticulation de l'un et /ou de l'autre des deux semi-conducteurs organiques avec l'additif de réticulation lors de l'étape (E2), de façon à former un mélange M comprenant les semi-conducteurs Cp et CN et l'additif au sein d'un solvant adapté à la ségrégation de phase , puis (E3) on dépose sur tout ou partie de la surface d'un support le mélange M ainsi réalisé et on réalise la ségrégation de phase, en élevant la température pendant ou après cette ségrégation de phase et/ou en soumettant le milieu réactionnel à un rayonnement UV de longueur d'onde adaptée de façon à se placer dans des conditions où l'additif de réticulation réagit pour former des liaisons covalents avec au moins une partie des semiconducteurs organiques, ce par quoi on obtient une réticulation au sein de la couche mince photovoltaïque réalisée.
- 2. Procédé selon la revendication 1, où le composé organique semi-conducteur CN est choisi parmi les composés suivants : - les fullerènes et dérivés de fullerènes, tels que le C60, le C70, le [6,6]-phényl-C61- butyrate de méthyle) ou PCBM, et le [6,6]-phényl-C71-butyrate de méthyle ou PC71BM ; - les polymères de type polyfluorène ; - le PCNEPV (poly[oxa-1,4-phénylène-(1-cyano-1 ,2-vinylène)-(2-méthoxy-5-(3,7- diméthyloctyloxy)-1 ,4-phénylène)-1 ,2-(2-cyanovinylène)-1 ,4-phénylène) ; - le poly(styrène sulfonate) (PSS).
- 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, où le composé organique semiconducteurs Cp est choisi parmi les composés suivants : les dérivés de polythiophène, tels que le Poly[3-hexylthiophene-2,5-diyl] dit P3HT ; le tétracène ; l'Anthracène ; les polythiophènes ; les dérivés du PPV (poly phénylène-vinylène) tels que : - les MDMO-PPV (poly[2-méthoxy-5-(3,7-diméthyloctyloxy)-1,4-phénylène- vinylène]) - les MEH-PPV (poly[2-méthoxy-5-(2-éthyl-hexyloxy)-1,4-phénylènevinylène]) ; - les polymères à faible bande interdite, comme le PCDTBT.
- 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, où le composé organique semi- conducteur CN est un dérivé de fullerène tel que le PCBM et le composé organique semi- conducteur Cp est un dérivé de polythiophène tel que le P3HT.
- 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, où le composé organique semiconducteurs CN est un dérivé de fullerène tel que le PCBM et où le rapport molaire agent de réticulation/ semi-conducteur CN soit inférieur à 2, et plus préférentiellement inférieur à 1.
- 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, où : (El) on prépare le premier mélange M1 comprenant, dans le milieu solvant S1, le semi-conducteur organique Cp et le deuxième semi-conducteur organique ON, (E2) on ajoute à ce mélange M1 l'additif de réticulation sous forme d'un mélange M2 comprenant l'additif au sein d'un deuxième milieu solvant S2, ce par quoi on obtient un mélange M comprenant un solvant S incluant le solvant S1 et l'optionnel solvant S2, où le solvant S du mélange M est constitué par un mélange de : une première fraction Fl constituée d'un solvant ou mélange de solvants ayant un point d'ébullition inférieur à celui des composés Cp et CN et qui est capable de solvater les deux composés Cp ou ON ;une seconde fraction F2, miscible à la première fraction, constituée d'un solvant ou mélange de solvants qui a un point d'ébullition supérieur à celui de la fraction Fl et inférieur à celui des composés Cp et CN et qui est capable de solvater sélectivement un des composés Cp ou CN mais non l'autre (à savoir incapable de solvater respectivement CN ou OP), cet ajout étant opéré dans des conditions de température suffisamment faible pour inhiber la réticulation de l'un et /ou de l'autre des deux semi-conducteurs organiques par l'agent de réticulation lors de l'étape (E2), (E3) on dépose sur tout ou partie de la surface d'un support le mélange M ainsi réalisé et on élimine par évaporation le solvant S présent dans le dépôt ainsi réalisé, et on porte, simultanément ou ultérieurement, le milieu à une température suffisante pour assurer la réticulation.
- 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, où l'étape (E2) est conduite à une température inférieure à 50°C, de préférence inférieure à 40°C.
- 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8 où l'agent de réticulation est le (4,4'- bis(azidométhyl)-1,1'-biphényl (BPN).
- 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8 où le procédé est conduit dans les conditions suivantes : (El) on prépare le premier mélange M1 comprenant, dans un solvant S1, le semi- conducteur organique Cp et le deuxième semi-conducteur organique ON, (E2) on ajoute à ce mélange M1 une composition incluant au moins un additif de réticulation du type précité, éventuellement dissous dans le même solvant S1 que celui du mélange Ml, où : le solvant S1 est un milieu solvant ayant un point d'ébullition inférieur à celui des composés Cp et CN et qui est capable de solvater ces deux composés Cp ou CN ; et l'additif de réticulation est un composé miscible au solvant S1, qui a un point d'ébullition supérieur à celui de S1 et inférieur à celui des composés Cp et CN et qui est capable de solvater sélectivement un des composés CpOU ON mais non l'autre (à savoir incapable de solvater respectivement ON OU Cp, cet ajout étant opéré dans des conditions de température suffisamment faible pour inhiber la réticulation de l'un et/ou de l'autre des deux semi-conducteurs organiques par l'agent de réticulation lors de l'étape (E2), (E3) on dépose sur tout ou partie de la surface d'un support le mélange M ainsi réalisé et on élimine par évaporation le solvant S1, ce par quoi on obtient une texturation de la couche, puis on porte le revêtement texturé ainsi obtenu à une température suffisante pour assurer la réticulation.
- 10. Couche mince à caractère photovoltaïque susceptible d'être obtenue selon le procédé de l'une des revendications 1 à 9.
- 11. Composé de formule N3-Ra-O-C=O-Rb-C=O-O-Ra-N3 où -Ra- est une chaîne hydrocarbonée linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, de préférence linéaire, Ra étant de préférence un groupe -alkyl- ou -alcényl-, comprenant avantageusement de 2 à 18 atomes de carbone ; et -Rb- est une chaîne hydrocarbonée linéaire ou ramifiée, saturée ou insaturée, de préférence linéaire, Ra étant de préférence un groupe -alkyl- ou -alcényl-, comprenant avantageusement de 1 à 18 atomes de carbone.20
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