FR2979748A1 - Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs - Google Patents

Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs Download PDF

Info

Publication number
FR2979748A1
FR2979748A1 FR1157954A FR1157954A FR2979748A1 FR 2979748 A1 FR2979748 A1 FR 2979748A1 FR 1157954 A FR1157954 A FR 1157954A FR 1157954 A FR1157954 A FR 1157954A FR 2979748 A1 FR2979748 A1 FR 2979748A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
reaction chamber
gas
access door
support structure
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1157954A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2979748B1 (fr
Inventor
Jr Ronald Thomas Bertram
Christiaan J Werkhoven
Chantal Arena
Ed Lindow
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Soitec SA
Original Assignee
Soitec SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec SA filed Critical Soitec SA
Priority to FR1157954A priority Critical patent/FR2979748B1/fr
Priority to TW101124115A priority patent/TWI586830B/zh
Priority to PCT/IB2012/001577 priority patent/WO2013027102A1/fr
Priority to CN201280040887.6A priority patent/CN103748263B/zh
Priority to DE112012003499.6T priority patent/DE112012003499T5/de
Publication of FR2979748A1 publication Critical patent/FR2979748A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2979748B1 publication Critical patent/FR2979748B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Les systèmes de dépôt comprennent une chambre de réaction et une structure de support de substrat disposée au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction. Les systèmes comprenant en outre au moins un dispositif d'injection de gaz et au moins un dispositif de vide, qui ensemble, sont utilisés pour permettre au gaz de traitement de s'écouler à travers la chambre de réaction. Les systèmes comprennent également au moins une porte d'accès à travers laquelle un substrat de pièce peut être chargé dans la chambre de réaction et déchargé de la chambre de réaction. La au moins une porte d'accès est positionnée à distance du dispositif d'injection de gaz. Les procédés pour déposer un semi-conducteur peuvent être réalisés en utilisant de tels dispositifs de dépôt. Les procédés pour fabriquer de tels dispositifs de dépôt peuvent comprendre l'étape consistant à coupler une porte d'accès à une chambre de réaction à un emplacement à distance d'un dispositif d'injection de gaz.

Description

e 1 SYSTEMES DE DEPOT AYANT DES PORTES D'ACCES A DES EMPLACEMENTS SOUHAITABLES, ET PROCEDES RELATIFS Domaine de l'invention [0001] Les modes de réalisation de l'invention concernent généralement les systèmes pour déposer des matériaux sur des substrats, et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes. Plus particulièrement, les modes de réalisation concernent des procédés de dépôt de couche atomique (ALD) pour déposer des semi-conducteurs III-V sur des substrats et des procédés pour fabriquer et utiliser de tels systèmes.
Contexte de l'invention [0002] Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est un procédé chimique qui est utilisé pour déposer des matériaux solides sur des substrats, et est communément utilisé pour la fabrication des dispositifs à semi- conducteur. Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur, un substrat est exposé à un ou plusieurs gaz réactifs, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt d'un matériau solide sur la surface du substrat. f T 2 [0003] Un type particulier de procédé CVD est désigné dans l'art, sous le terme d'épitaxie en phase vapeur (VPE). Dans les procédés VPE, un substrat est exposé à une ou plusieurs vapeurs réactives dans une 5 chambre de réaction, qui réagissent, se décomposent, ou réagissent et se décomposent de sorte que ceci se traduit par le dépôt épitaxial d'un matériau solide sur la surface du substrat. Les procédés VPE sont souvent utilisés pour déposer des semi-conducteurs III-V. 10 Lorsque l'une des vapeurs réactives dans un procédé VPE comprend une vapeur d'hydrure, le procédé peut être désigné sous le terme de procédé d'épitaxie en phase vapeur à base d'hydrures (HVPE). [0004] Les procédés HVPE sont souvent utilisés pour 15 former des semi-conducteurs III-V tels que par exemple le nitrure de gallium (GaN). Dans de tels procédés, la croissance épitaxiale de GaN sur un substrat provient de la réaction en phase vapeur entre le chlorure de gallium (GaC1) et l'ammoniac (NH3) qui est réalisée à 20 l'intérieur d'une chambre de réaction à hautes températures entre environ 500 °C et environ 1 000 °C. Le NH3 peut être fourni à partir d'une source standard de gaz NH3. [0005] Dans certains procédés, la vapeur de GaC1 est 25 fournie en faisant passer du gaz de chlorure d'hydrogène (HC1) (qui peut provenir d'une source standard d'un gaz HC1) sur du gallium liquide (Ga) afin de former GaC1 in situ à l'intérieur de la chambre de réaction. Le gallium liquide peut être chauffé à une 30 température comprise entre environ 750 °C et environ 850 °C. Le GaC1 et le NH3 peuvent être dirigés (par exemple sur) une surface d'un substrat chauffé, telle qu'une plaquette de semi-conducteur. Le brevet US-6 179 913 qui a été délivré 35 le 30 janvier 2001 à Solomon et associés, décrit un g 3 système d'injection de gaz destiné à être utilisé dans de tels systèmes et procédés. [0006] Dans de tels systèmes, il peut être nécessaire d'ouvrir la chambre de réaction à l'atmosphère afin de réapprovisionner la source de gallium liquide. En outre, il peut arriver qu'il soit impossible de nettoyer la chambre de réaction in situ dans de tels systèmes. [0007] Afin de traiter de tels problèmes, on a développé des procédés et des dispositifs qui utilisent une source externe d'un précurseur GaC13, qui est directement injecté dans la chambre de réaction. Des exemples de tels procédés et systèmes sont décrits par exemple dans la publication de la demande de brevet US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et associés. [0008] Les systèmes de dépôt précédemment connus comprennent souvent une porte d'accès à travers laquelle les substrats de pièce peuvent être chargés dans la chambre de réaction et déchargés de la chambre de réaction après le traitement. De telles portes d'accès sont souvent positionnées dans un collecteur d'injection de gaz avant du système de dépôt, qui est utilisé pour injecter les gaz précurseurs dans la chambre de réaction. Résumé [0009] Dans certains modes de réalisation, la présente description comprend des systèmes de dépôt qui comprennent une chambre de réaction, et une structure de support de substrat disposée au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configurée pour supporter un substrat de pièce à l'intérieur de la chambre de réaction. La chambre de réaction peut être définie par une paroi supérieure, une paroi inférieure Y 2979748 4 et au moins une paroi latérale. Les systèmes comprennent en outre au moins un dispositif d'injection de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement comprenant au moins un gaz précurseur dans la chambre 5 de réaction à un premier emplacement, et un dispositif de vide pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers la chambre de réaction du premier emplacement à un deuxième emplacement et pour évacuer les un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de 10 réaction au deuxième emplacement. Les systèmes comprennent également au moins une porte d'accès à travers laquelle un substrat de pièce peut être chargé dans la chambre de réaction et sur la structure de support de substrat et déchargé de la structure de 15 support de substrat hors de la chambre de réaction. La au moins une porte d'accès est positionnée à distance du premier emplacement auquel le au moins un dispositif d'injection de gaz injecte un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction. 20 [0010] Dans des modes de réalisation supplémentaires, la présente description comprend des procédés pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce en utilisant un système de dépôt. Selon de tels procédés, un substrat de pièce peut être 25 chargé dans une chambre de réaction et sur une structure de support de substrat à travers au moins une porte d'accès. Un ou plusieurs gaz de traitement peuvent être amenés à s'écouler dans la chambre de réaction à travers au moins un dispositif d'injection 30 de gaz positionné à distance de la au moins une porte d'accès. Les un ou plusieurs gaz de traitement peuvent comprendre au moins un gaz précurseur. Les un ou plusieurs gaz de traitement peuvent être évacués de la chambre de réaction par au moins un dispositif de vide 35 positionné sur un côté opposé de la structure de support de substrat par rapport au au moins un dispositif d'injection de gaz. Une surface du substrat de pièce peut être exposée à un ou plusieurs gaz de traitement lorsqu'ils s'écoulent à partir du au moins un dispositif d'injection de gaz jusqu'au au moins un dispositif de vide, et le semi-conducteur peut être déposé sur la surface du substrat de pièce. Le substrat de pièce peut être déchargé de la chambre de réaction par la au moins une porte d'accès. [0011] Encore dans d'autres modes de réalisation, la présente invention comprend des procédés pour fabriquer des systèmes de dépôt. Par exemple, on peut former une chambre de réaction qui comprend une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale.
Une structure de support de substrat pour supporter au moins un substrat de pièce peut être prévue au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction. Au moins un dispositif d'injection de gaz peut être couplé à la chambre de réaction à un premier emplacement. Le au moins un dispositif d'injection de gaz peut être configuré pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement comprenant le au moins un gaz précurseur dans la chambre de réaction au premier emplacement. Au moins un dispositif de vide peut être couplé à la chambre de réaction à un deuxième emplacement. Le au moins un dispositif de vide peut être configuré pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers la chambre de réaction du premier emplacement au deuxième emplacement, et pour évacuer les un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction, au deuxième emplacement. Au moins une porte d'accès peut être couplée à la chambre de réaction à un emplacement à distance du premier emplacement. La au moins une porte d'accès peut être configurée pour permettre à un substrat de pièce d'être chargé dans la chambre de réaction et sur la structure de support de substrat et déchargé de la structure de support de substrat de la chambre de réaction par la au moins une porte d'accès.
Brève description des dessins [0012] La présente invention ressortira plus clairement en référence à la description détaillée suivante des modes de réalisation exemplaires, qui sont 10 illustrés sur les dessins joints, dans lesquels : [0013] la figure 1 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement un mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt qui comprend une porte d'accès à travers laquelle les 15 substrats de pièce peuvent être insérés dans et retirés d'une chambre de réaction, la porte d'accès étant positionnée à distance d'un emplacement auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction ; 20 [0014] la figure 2 est une vue en perspective d'une surface extérieure avant d'un dispositif d'injection de gaz du système de dépôt de la figure 1 ; [0015] la figure 3 est une vue latérale en coupe d'un four de gaz précurseur interne du système de dépôt 25 de la figure 1 ; [0016] la figure 4 est une vue en plan de dessus de l'une des structures généralement en forme de plaque du four de gaz précurseur des figures 1 et 2 ; [0017] la figure 5 est une vue en perspective d'un 30 four de gaz précurseur interne du système de dépôt de la figure 1 ; [0018] la figure 6 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt qui 35 comprend une porte d'accès positionnée à distance d'un emplacement auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction, mais comprenant un injecteur de gaz précurseur externe au lieu d'un four de gaz précurseur interne ; [0019] la figure 7 est une vue en plan de dessus illustrant schématiquement un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt de la présente description qui comprend une porte d'accès positionnée à distance d'un emplacement auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction ; et [0020] la figure 8 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt qui comprend une porte d'accès positionnée à distance d'un emplacement auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction, dans lequel la chambre de réaction comprend plus d'un canal d'écoulement de gaz à l'intérieur de cette dernière.
Description détaillée des modes de réalisation de l'invention [0021] Les illustrations présentées ici ne sont pas censées être les vues réelles de l'un quelconque parmi un système particulier, un composant ou un dispositif, mais sont simplement des représentations idéalisées qui sont utilisées pour décrire les modes de réalisation de la présente invention. [0022] Tel qu'utilisé ici, le terme « semi- conducteur III-V » signifie et comprend tout semiconducteur qui est composé au moins de manière prédominante d'un ou de plusieurs éléments du groupe IIIA du tableau périodique (B, Al, Ga, In et Ti) ou d'un ou de plusieurs éléments du groupe VA du tableau périodique (N, P, As, Sb et Bi). Par exemple, les semi- conducteurs III-V comprennent, sans y être limités, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs, AIN, A1P, A1As, InGaN, InGaP, InGaNP, etc. [0023] On a récemment développé des injecteurs de 5 gaz améliorés destinés à être utilisés dans les procédés et les systèmes qui utilisent une source externe d'un précurseur de GaC13 qui est injecté dans la chambre de réaction, tels que ceux décrits dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. 10 Des exemples de ces injecteurs de gaz sont décrits par exemple dans la demande de brevet US 61/157 112 qui a été déposée le 3 mars 2009 au nom de Arena et associés. Tel qu'utilisé ici, le terme « gaz » comprend les gaz (les fluides qui ont ni une forme ni un volume 15 indépendant) et les vapeurs (les gaz qui comprennent du liquide diffusé ou une matière solide en suspension), et les termes « gaz » et « vapeur » sont utilisés ici comme des synonymes. [0024] Les modes de réalisation de la présente 20 invention comprennent et utilisent des systèmes de dépôt qui comprennent une porte d'accès pour charger des substrats de pièce dans une chambre de réaction et/ou décharger des substrats de pièce de la chambre de réaction. La porte d'accès est disposée à un 25 emplacement à distance d'un emplacement auquel un ou plusieurs gaz de traitement, qui peuvent comprendre un ou plusieurs gaz précurseurs, sont injectés dans la chambre de réaction. [0025] La figure 1 illustre un système de dépôt 100, 30 qui comprend une chambre de réaction au moins sensiblement close 102. Dans certains modes de réalisation, le système de dépôt 100 peut comprendre un système CVD, et peut comprendre un système de dépôt VPE (par exemple un système de dépôt HVPE). [0026] La chambre de réaction 102 peut être définie par une paroi supérieure 104, une paroi inférieure 106 et une ou plusieurs parois latérales. Une ou plusieurs des parois latérales peuvent être définies par un composant ou des composants de sous-ensembles du système de dépôt. Par exemple, une première paroi latérale 108A peut comprendre un composant d'un dispositif d'injection de gaz 110 utilisé pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction 102, et une deuxième paroi latérale 108B peut comprendre un composant d'un sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 utilisé pour évacuer les gaz de traitement de la chambre de réaction 102, ainsi que pour charger les substrats dans la chambre de réaction 102 et décharger les substrats de la chambre de réaction 102. En d'autres termes, le dispositif d'injection de gaz 110 peut être configuré pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement à travers la paroi latérale 108A de la chambre de réaction 102. [0027] Dans certains modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut avoir la forme géométrique d'un prisme rectangulaire allongé, comme représenté sur la figure 1. Dans certains de ces modes de réalisation, le dispositif d'injection de gaz 110 peut être positionné au niveau d'une première extrémité de la chambre de réaction 102, et le sous-ensemble d'évacuation et de chargement peut être positionné au niveau d'une deuxième extrémité opposée de la chambre de réaction 102. Dans les autres modes de réalisation, la chambre de réaction 102 peut avoir une autre forme géométrique. [0028] Le système de dépôt 100 comprend une structure de support de substrat 114 (par exemple un suscepteur) configurée pour supporter un ou plusieurs 35 substrats de pièce 116 sur lequel on souhaite déposer ou bien fournir d'une autre manière un semi-conducteur à l'intérieur du système de dépôt 100. Par exemple, les substrats de pièce 116 peuvent comprendre des matrices ou des plaquettes. Le système de dépôt 100 comprend en outre des éléments chauffants 118, qui peuvent être utilisés pour chauffer sélectivement le système de dépôt 100 de sorte qu'une température moyenne à l'intérieur de la chambre de réaction 102 peut être contrôlée à des températures élevées souhaitables pendant les procédés de dépôt. Les éléments chauffants 118 peuvent comprendre par exemple des éléments chauffants résistifs ou des éléments chauffants rayonnants (par exemple des lampes chauffantes). [0029] Comme représenté sur la figure 1, la structure de support de substrat 114 peut être couplée à une tige 119, qui peut être couplée (par exemple couplée de manière directement structurelle ou couplée de manière magnétique, etc.) à un dispositif d'entraînement (non représenté), tel qu'un moteur électrique qui est configuré pour entraîner la rotation de la tige 119 et par conséquent la structure de support de substrat 114 à l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0030] Dans certains modes de réalisation, un ou plusieurs parmi la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114, la tige 119 et n'importe quel autre composant à l'intérieur de la chambre de réaction 102, peuvent être au moins sensiblement composés d'un matériau en céramique réfractaire tel qu'un oxyde de céramique (par exemple la silice (quartz), l'alumine, la zircone, etc.), un carbure (par exemple le carbure de silicium, le carbure de bore, etc.), un nitrure (par exemple le nitrure de silicium, le nitrure de bore, etc.) ou un graphite recouvert avec du carbure de silicium. A titre d'exemple non limitatif, la paroi supérieure 104, la paroi inférieure 106, la structure de support de substrat 114 et la tige 119 peuvent 5 comprendre du quartz transparent afin de permettre à l'énergie thermique rayonnée par les éléments chauffants 118 de traverser et de chauffer les gaz de traitement à l'intérieur de la chambre de réaction 102. [0031] Le système de dépôt 100 comprend en outre un 10 système d'écoulement de gaz utilisé pour laisser s'écouler les gaz de traitement à travers la chambre de réaction 102. Par exemple, le système de dépôt 100 peut comprendre au moins un dispositif d'injection de gaz 110 pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement 15 dans la chambre de réaction 102 à un premier emplacement 103A, et un dispositif de vide 113 pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers la chambre de réaction 102 du premier emplacement 103A à un deuxième emplacement 103B et pour évacuer les un 20 ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction 102 au deuxième emplacement 103B. Le dispositif d'injection de gaz 110 peut comprendre, par exemple, un collecteur d'injection de gaz comprenant des connecteurs configurés pour se coupler avec les 25 conduits transportant un ou plusieurs gaz de traitement à partir des sources de gaz de traitement. [0032] A nouveau en référence à la figure 1, le système de dépôt 100 peut comprendre cinq conduits d'entrée de gaz 120A-120E qui transportent les gaz des 30 sources de gaz de traitement 122A-122E respectives jusqu'au dispositif d'injection de gaz 110. Facultativement, des soupapes de gaz (121A-121E) peuvent être utilisées pour contrôler sélectivement l'écoulement du gaz à travers les conduits d'entrée de 35 gaz 120A-120E, respectivement. [0033] Dans certains modes de réalisation, au moins l'une des sources de gaz 122A-122E peut comprendre une source externe d'au moins l'un parmi GaC13, InCl3 ou A1C13, comme décrit dans la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al. GaCl3, InC13 et AlCl3 peuvent exister sous la forme d'un dimère tel que par exemple Ga2C16, In2Cl6 et Al2C16, respectivement. Ainsi, au moins l'une des sources de gaz 122A-122F peut comprendre un dimère tel que Ga2C16, In2C16 ou Al2C16. [0034] Dans les modes de réalisation dans lesquels une ou plusieurs des sources de gaz 122A-122E est ou comprend une source de GaC13, la source de GaC13 peut comprendre un réservoir de GaC13 liquide maintenu à une température d'au moins 100 °C (par exemple approximativement 130 °C), et peut comprendre des moyens physiques pour améliorer le taux d'évaporation du GaCl3 liquide. De tels moyens physiques peuvent comprendre par exemple un dispositif configuré pour agiter le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour pulvériser le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour laisser s'écouler le gaz porteur rapidement sur le GaC13 liquide, un dispositif configuré pour barboter le gaz porteur par le biais du GaC13 liquide, un dispositif, tel qu'un dispositif piézoélectrique, configuré pour disperser de manière ultrasonore le GaC13 liquide, et similaire. A titre d'exemple non limitatif, un gaz porteur tel que He, N2, H2 ou Ar, peut être barboté par le biais du GaC13 liquide, alors que GaCl3 liquide est maintenu à une température d'au moins 100 °C, de sorte que le gaz source peut comprendre un ou plusieurs gaz porteurs dans lesquels le gaz précurseur est transporté. [0035] Le flux de la vapeur de gaz précurseur (par exemple GaC13) à travers un ou plusieurs des conduits 35 d'entrée de gaz 120A-120E peut être contrôlé dans certains modes de réalisation de l'invention. Par exemple, dans les modes de réalisation dans lesquels un gaz porteur est barboté par le biais du GaC13 liquide, le flux de GaC13 provenant de la source de gaz 122A- 122E dépend d'un ou de plusieurs facteurs, comprenant par exemple la température de GaC13, la pression sur GaC13, et l'écoulement du gaz porteur qui est barboté par le biais du GaC13. Alors que le flux massique de GaC13 peut en principe être contrôlé par l'un quelconque de ces paramètres, dans certains modes de réalisation, le flux massique de GaCl3 peut être contrôlé en modifiant l'écoulement du gaz porteur en utilisant un contrôleur de débit massique. [0036] Dans certains modes de réalisation, les une ou plusieurs sources de gaz 122A-122E peuvent être capables de contenir environ 25 kg ou plus de GaCl3, environ 35 kg ou plus de GaC13, ou même environ 50 kg ou plus de GaC13. Par exemple, la source de GaC13 peut être capable de contenir entre environ 50 et 100 kg de GaCl3 (par exemple entre environ 60 et 70 kg). En outre, plusieurs sources de GaCl3 peuvent être raccordées ensemble afin de former une seule source des sources de gaz 122A-122E en utilisant un collecteur pour permettre de commuter une source de gaz à l'autre sans interrompre le fonctionnement et/ni l'utilisation du système de dépôt 100. La source de gaz vide peut être retirée et remplacée par une nouvelle source de gaz pleine alors que le système de dépôt 100 reste opérationnel. [0037] Dans certains modes de réalisation, les températures des conduits d'entrée de gaz 120A-120E peuvent être contrôlées entre les sources de gaz 122A-122E et la chambre de réaction 102. Les températures des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et des capteurs de débit massique, des contrôleurs et similaire peuvent augmenter progressivement d'une première température (par exemple environ 100 °C ou plus) à la sortie des sources de gaz 122A-122E respectives jusqu'à une deuxième température (par exemple environ 150 °C ou moins) au point d'entrée dans la chambre de réaction 102 afin d'empêcher la condensation des gaz (par exemple la vapeur de GaC13) dans les conduits d'entrée de gaz 120A-120E. Facultativement, la longueur des conduits d'entrée de gaz 120A-120E entre les sources de gaz 122A-122E respectives et la chambre de réaction 102 peut être d'environ trois pieds ou moins (c'est-à-dire environ 91,44 cm ou moins), environ deux pieds ou moins (c'est-à-dire environ 60,96 cm ou moins) , ou même environ un pied ou moins (c'est-à-dire environ 30,48 cm ou moins). La pression des gaz sources peut être contrôlée en utilisant un ou plusieurs systèmes de contrôle de pression. [0038] Dans des modes de réalisation supplémentaires, le système de dépôt 100 peut comprendre moins de cinq (par exemple de un à quatre) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives, ou le système de dépôt 100 peut comprendre plus de cinq (par exemple six, sept, etc.) conduits d'entrée de gaz et sources de gaz respectives. [0039] Les un ou plusieurs conduits d'entrée de gaz 120A-120E s'étendent vers le dispositif d'injection de gaz 110. Le dispositif d'injection de gaz 110 peut comprendre un ou plusieurs blocs de matériau à travers lequel les gaz de traitement sont transportés dans la chambre de réaction 102. Un ou plusieurs conduits de refroidissement 111 peuvent s'étendre à travers les blocs de matériau. Un fluide de refroidissement peut être amené à s'écouler à travers les un ou plusieurs conduits de refroidissement 111 afin de maintenir le gaz ou les gaz s'écoulant à travers le dispositif d'injection de gaz 110 au moyen des conduits d'entrée de gaz 120A-120E dans une plage de températures souhaitables pendant le fonctionnement du système de dépôt 100. Par exemple, il peut être souhaitable de maintenir le gaz ou les gaz s'écoulant à travers le dispositif d'injection de gaz 110 au moyen des conduits d'entrée de gaz 120A-120E à une température inférieure à environ 200 °C (par exemple environ 150 °C) pendant le fonctionnement du système de dépôt. [0040] La figure 2 est une vue en perspective illustrant une surface extérieure du dispositif d'injection de gaz 110. Comme représenté sur la figure 8, le dispositif d'injection de gaz 110 peut comprendre une pluralité de connecteurs 117 qui sont configurés pour le raccordement aux conduits d'entrée de gaz 120A-120E. Dans certains modes de réalisation, le dispositif d'injection de gaz 110 peut comprendre une pluralité de rangées 115A-115E de connecteurs 117. Chacune des rangées 115A-115E peut être configurée pour injecter des gaz de traitement respectifs dans la chambre de réaction 102. Par exemple, les connecteurs 117 dans une première rangée inférieure 115A peuvent être utilisés pour injecter un gaz de purge dans la chambre de réaction 102, les connecteurs 117 dans une deuxième rangée 1158 peuvent être utilisés pour injecter un gaz précurseur (par exemple GaC13) dans la chambre de réaction 102, les connecteurs 117 dans une troisième rangée 115C peuvent être utilisés pour injecter un autre gaz précurseur (par exemple NH3) dans la chambre de réaction 102, les connecteurs 117 dans une quatrième rangée 115D peuvent être utilisés pour injecter un autre gaz de traitement (par exemple dans la chambre de réaction 102, et les connecteurs 117 dans 35 une cinquième rangée supérieure 115E peuvent être utilisés pour injecter un gaz de purge ou un gaz porteur (par exemple N2) dans la chambre de réaction 102. Les connecteurs 117 peuvent être groupés dans deux zones séparées 119A-119C de connecteurs 117, chaque zone 119A-119C comprenant des connecteurs 117 de chacune des rangées 115A-115E. Les connecteurs 117 dans chaque zone 119A-119C peuvent être utilisés pour transporter des gaz de traitement vers différentes zones à l'intérieur de la chambre de réaction 102, permettant ainsi de différencier les compositions et/ou concentrations de gaz de traitement à introduire dans différentes régions à l'intérieur de la chambre de réaction 102 sur le substrat de pièce 116. [0041] A nouveau en référence à la figure 1, le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut comprendre une chambre de vide 184 dans laquelle les gaz s'écoulant à travers la chambre de réaction 102 sont aspirés par le vide et évacués de la chambre de réaction 102. Le vide à l'intérieur de la chambre de vide 184 est généré par le dispositif de vide 113. Comme représenté sur la figure 1, la chambre de vide 184 peut être positionnée au-dessous de la chambre de réaction 102. [0042] Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut en outre comprendre un dispositif de rideau de gaz de purge 184 qui est configuré et orienté pour fournir un rideau généralement plan de gaz de purge en écoulement, qui s'écoule à l'extérieur du dispositif de rideau de gaz de purge 184 et dans la chambre de vide 184. Le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112 peut également comprendre une porte d'accès 188, qui peut être sélectivement ouverte pour le chargement et/ou le déchargement des substrats de pièce 116 de la structure de support de substrat 114, et sélectivement fermée pour le traitement des substrats de pièce 116 en utilisant un système de dépôt 100. Dans certains modes de réalisation, la porte d'accès 188 peut comprendre au moins une plaque configurée pour se déplacer entre une première position fermée et une deuxième position ouverte. La porte d'accès 188 peut s'étendre à travers une paroi latérale de la chambre de réaction 102 à distance d'une paroi latérale à travers laquelle les un ou plusieurs gaz de traitement sont injectés. [0043] La chambre de réaction 102 peut être au moins sensiblement close, et l'accès à la structure de support de substrat 114 par la porte d'accès 188 peut être empêché, lorsque la plaque de la porte d'accès 188 est dans la première position fermée. L'accès à la structure de support de substrat 114 peut être autorisé par la porte d'accès 188 lorsque la plaque de la porte d'accès 188 est dans la deuxième position ouverte. [0044] Le rideau de gaz de purge émis par le dispositif de rideau de gaz de purge 184 peut réduire ou empêcher l'écoulement des gaz à l'extérieur de la chambre de réaction 102 pendant le chargement et/ou le déchargement des substrats de pièce 116. [0045] Des sous-produits gazeux, des gaz porteurs et tous les gaz précurseurs en excès peuvent être évacués 25 de la chambre de réaction 102 par le sous-ensemble d'évacuation et de chargement 112. [0046] La porte d'accès 188 peut être positionnée à distance du premier emplacement 103A auquel un ou plusieurs gaz de traitement sont injectés dans la 30 chambre de réaction 102. Dans certains modes de réalisation, le premier emplacement 103A peut être disposé sur un premier côté de la structure de support de substrat 114, et le deuxième emplacement 103B auquel les gaz de traitement sont évacués de la chambre de 35 réaction 102 par le dispositif de vide 113, peut être disposé sur un deuxième côté opposé de la structure de support de substrat 114, comme représenté sur la figure 1. De plus, le deuxième emplacement 103B auquel les gaz de traitement sont évacués de la chambre de réaction 102, peut être disposé entre la structure de support de substrat 114 et la porte d'accès 188. Le dispositif de rideau de gaz de purge 186 peut être configuré pour former un rideau de gaz de purge en écoulement qui s'écoule entre le dispositif d'injection de gaz de purge et le dispositif de vide 113, comme préalablement discuté. Le rideau de gaz de purge en écoulement peut être disposé entre la structure de support de pièce 114 et la porte d'accès 188, afin de former une barrière de gaz de purge en écoulement qui sépare les substrats de pièce 116 de la porte d'accès 188. Une telle barrière de gaz de purge en écoulement peut réduire ou empêcher les gaz de traitement de s'échapper de la chambre de réaction 102 lorsque la porte d'accès 188 est ouverte. [0047] Dans certains modes de réalisation, le système d'injection de gaz 100 peut comprendre au moins un four de gaz précurseur interne 130 disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Le four de gaz précurseur interne 130 peut être configuré pour chauffer au moins un gaz précurseur et transporter le au moins un gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction 102 du dispositif d'injection de gaz 110 jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat 114. [0048] La figure 3 est une vue latérale en coupe du four de gaz précurseur 130 de la figure 1. Le four 130 du mode de réalisation des figures 1 et 2 comprend cinq (5) structures généralement en forme de plaque 132A-132E qui sont fixées ensemble et sont 35 dimensionnées et configurées pour définir une ou plusieurs trajectoires d'écoulement de gaz précurseur s'étendant à travers le four 130 en chambres définies entre les structures généralement en forme de plaque 132A-132E. Les structures généralement en forme de plaque 132A-132E peuvent comprendre, par exemple, du quartz transparent afin de permettre à l'énergie rayonnante émise par les éléments chauffants 118 de passer à travers les structures 132A-132E et chauffer le gaz ou les gaz précurseurs dans le four 130. [0049] Comme représenté sur la figure 3, la première structure en forme de plaque 132A et la deuxième structure en forme de plaque 132B peuvent être couplées ensemble pour définir une chambre 134 entre elles. Une pluralité de saillies solidaires en forme de crête 136 sur la première structure en forme de plaque 132A peuvent diviser la chambre 134 en une ou plusieurs trajectoires d'écoulement s'étendant à partir d'une entrée 138 dans la chambre 134 jusqu'à une sortie 140 de la chambre 134. [0050] La figure 4 est une vue en plan de dessus de la première structure en forme de plaque 132 et illustre les saillies en forme de crête 136 sur cette dernière et ainsi les trajectoires d'écoulement qui sont définies dans la chambre 134. Comme représenté sur la figure 4, les saillies 136 définissent des sections de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130 (figure 3) qui ont une configuration de serpentin. Les saillies 136 peuvent comprendre des parois alternées ayant des ouvertures 138 à travers ces dernières au niveau des extrémités latérales des saillies 136 et au centre des saillies 136, comme représenté sur la figure 4. Ainsi, dans cette configuration, des gaz peuvent entrer dans la chambre 134 à proximité d'une région centrale de la 35 chambre 134 comme représenté sur la figure 4, sortir en s'écoulant latéralement vers les côtés latéraux du four 130, par les ouvertures 138 au niveau des extrémités latérales de l'une des saillies 136, revenir vers la région centrale de la chambre 134 et par une 5 autre ouverture 138 au centre d'une autre saillie 136. Ce modèle d'écoulement est répété jusqu'à ce que les gaz atteignent un côté opposé de la plaque 132A à partir de la sortie 138 après s'être écoulés dans la chambre 134 selon un mouvement de va-et-vient à la 10 manière d'un serpentin. [0051] En amenant un ou plusieurs gaz précurseurs à s'écouler à travers cette section de la trajectoire d'écoulement s'étendant à travers le four 130, le temps de séjour des un ou plusieurs gaz précurseurs à 15 l'intérieur du four 130 peut être sélectivement augmenté. [0052] En référence à nouveau à la figure 1, l'entrée 138 conduisant à la chambre 134 peut être définie, par exemple, par un élément tubulaire 142. 20 L'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E, tel que le conduit d'entrée de gaz 120B, peut s'étendre vers et se coupler avec l'élément tubulaire 142, comme représenté sur la figure 1. Un élément de joint d'étanchéité 144, tel qu'un joint torique polymère, peut être utilisé 25 pour former un joint d'étanchéité étanche au gaz entre le conduit d'entrée de gaz 120B et l'élément tubulaire 142. L'élément tubulaire 142 peut comprendre par exemple, du quartz opaque afin d'empêcher l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 de 30 chauffer l'élément de joint d'étanchéité 144 à des températures élevées qui peuvent provoquer la dégradation de l'élément de joint d'étanchéité 144. De plus, le refroidissement du dispositif d'injection de gaz 110 utilisant l'écoulement du fluide réfrigérant à 35 travers les conduits de refroidissement 111 peut empêcher le chauffage excessif et se traduire par la dégradation de l'élément de joint d'étanchéité 144. En maintenant la température de l'élément de joint d'étanchéité 144 au-dessous d'environ 200 °C, on peut maintenir un joint d'étanchéité adéquat entre l'un des conduits d'entrée de gaz 120A-120E et l'élément tubulaire 142 utilisant l'élément de joint d'étanchéité 144 lorsque le conduit d'entrée de gaz comprend un métal ou un alliage de métal (par exemple l'acier) et que l'élément tubulaire 142 comprend un matériau réfractaire tel que le quartz. L'élément tubulaire 142 et la première structure en forme de plaque 132A peuvent être liés ensemble afin de former un corps en quartz unitaire. [0053] Comme représenté sur les figures 2 et 3, les structures en forme de plaque 132A, 132B peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 147A, 147B (par exemple une crête et un évidement correspondant) qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132A, 132B et enfermer au moins sensiblement hermétiquement la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 134 de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 134, et ils sont obligés de s'écouler de la chambre 134 par la sortie 140 (figure 3). [0054] Facultativement, les saillies 136 peuvent être configurées pour avoir une hauteur qui est légèrement inférieure à une distance séparant la surface de la première structure en forme de plaque 132A à partir de laquelle les saillies 136 s'étendent et la surface opposée de la deuxième structure en forme de plaque 132B. Ainsi, un petit espace peut être prévu entre les saillies 136 et la surface de la deuxième structure en forme de plaque 132B. Bien qu'une quantité mineure de gaz puisse s'échapper par ces espaces, cette petite quantité de fuite n'affecte pas de manière défavorable le temps de séjour moyen pour les molécules de gaz précurseur à l'intérieur de la chambre 134. En configurant les saillies 136 de cette manière, les variations de hauteur des saillies 136 qui se produisent en raison des tolérances des procédés de fabrication utilisés pour former les structures en forme de plaque 132A, 132B, peuvent être prises en compte, de sorte que les saillies 136 peuvent être fabriquées par inadvertance à une hauteur excessive, n'empêchent pas la formation d'un joint d'étanchéité adéquat entre les structures en forme de plaque 132A, 132B grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 147A, 147B. [0055] Comme représenté sur la figure 3, la sortie 140 de la chambre 134 entre les structures en forme de plaque 132A, 132B conduit à une entrée 148 jusqu'à une chambre 150 entre la troisième structure en forme de plaque 132C et la quatrième structure en forme de plaque 132D. La chambre 150 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz à l'intérieur de cette dernière s'écoulent par l'entrée 148 vers une sortie 156 de la chambre 150 d'une manière généralement linéaire. Par exemple, la chambre 150 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 148 et la sortie 156. Ainsi, la chambre 150 peut être configurée pour rendre l'écoulement du gaz ou des gaz plus laminaire, en contraste par rapport à un écoulement turbulent. [0056] Les structures en forme de plaque 132C, 132D peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité 35 complémentaires 158A, 158B (par exemple une crête et un évidement correspondant) qui s'étendent autour de la périphérie des structures en forme de plaque 132C, 132D et fermer au moins sensiblement hermétiquement la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D. Ainsi, on empêche les gaz à l'intérieur de la chambre 150 de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 150, et ils sont obligés de s'écouler de la chambre 150 par la sortie 156. [0057] La sortie 156 peut comprendre par exemple, une ouverture allongée (par exemple une fente) s'étendant à travers la structure en forme de plaque 132D à proximité de son extrémité opposée à partir de l'extrémité qui est à proximité de l'entrée 148. [0058] Encore en référence à la figure 3, la sortie 156 de la chambre 150 entre les structures en forme de plaque 132C, 132D conduit à une entrée 160 jusqu'à une chambre 162 entre la quatrième structure en forme de plaque 132D et la cinquième structure en forme de plaque 132E. La chambre 162 peut être configurée de sorte que le gaz ou les gaz à l'intérieur de cette dernière s'écoulent par l'entrée 160 vers une sortie 164 de la chambre 162 d'une manière généralement linéaire. Par exemple, la chambre 162 peut avoir une forme transversale qui est généralement rectangulaire et uniforme du point de vue de la taille entre l'entrée 160 et la sortie 164. Ainsi, la chambre 162 peut être configurée pour rendre l'écoulement du gaz ou des gaz plus laminaire, en contraste par rapport à l'écoulement turbulent, d'une manière similaire à celle précédemment décrite en référence à la chambre 150. [0059] Les structures en forme de plaque 132D, 132E peuvent comprendre des caractéristiques d'étanchéité complémentaires 166A, 166B (par exemple une crête et un 35 évidement correspondant) qui s'étendent autour d'une partie de la périphérie des structures en forme de plaque 132D, 132E et réalisent l'étanchéité de la chambre 162 entre les structures en forme de plaque 132D, 132E de tous les côtés, sauf d'un côté des structures en forme de plaque 132D, 132E. Un espace est prévu entre les structures en forme de plaque 132D, 132E sur son côté opposé à l'entrée 160, lequel espace définit la sortie 164 de la chambre 162. Ainsi, les gaz pénètrent dans la chambre 162 par l'entrée 160, s'écoulent à travers la chambre 162 vers la sortie 164 (tout en étant empêchés de sortir en s'écoulant latéralement de la chambre 162 grâce aux caractéristiques d'étanchéité complémentaires 166A, 166B), et sortent en s'écoulant de la chambre 162 par la sortie 164. Les sections de la trajectoire ou des trajectoires d'écoulement de gaz à l'intérieur du four 130 qui sont définies par la chambre 150 et la chambre 162 sont configurées pour transmettre l'écoulement laminaire aux un ou plusieurs gaz précurseurs amenés à s'écouler à travers la trajectoire ou les trajectoires d'écoulement à l'intérieur du four 130, et réduire toute turbulence. [0060] La sortie 164 est configurée pour faire sortir un ou plusieurs gaz précurseurs du four 130 dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La figure 5 est une vue en perspective du four 130 et illustre la sortie 164. Comme représenté sur la figure 5, la sortie 164 peut avoir une forme transversale rectangulaire qui peut aider à empêcher l'écoulement laminaire du gaz ou des gaz précurseurs qui ont été injectés par le four 130 et dans la région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102. La sortie 164 peut être dimensionnée et configurée pour faire sortir un volume de gaz précurseur en écoulement dans une direction transversale sur une surface supérieure 168 de la structure de support de substrat 114. Comme représenté sur la figure 5, la surface d'extrémité 180 de la quatrième structure généralement en forme de plaque 132D et la surface d'extrémité 182 de la cinquième structure généralement en forme de plaque 132E, entre lesquelles un espace définit la sortie 164 de la chambre 162 comme précédemment discuté, peut avoir une forme qui correspond généralement à une forme de substrat de pièce 116 supporté sur la structure de support de substrat 114 et sur laquelle un matériau doit être déposé en utilisant le gaz ou les gaz précurseurs sortant du four 130 en s'écoulant. Par exemple, dans les modes de réalisation dans lesquels le substrat de pièce 116 comprend une matrice ou plaquette ayant une périphérie qui a une forme généralement circulaire, les surfaces 180, 182 peuvent avoir une forme arquée qui correspond généralement au profil de la périphérie externe du substrat de pièce 116 à traiter. Dans une telle configuration, la distance entre la sortie 164 et le bord externe du substrat de pièce 116 peut généralement être constante sur la sortie 164. Dans cette configuration, on empêche le gaz ou les gaz précurseurs sortant en s'écoulant de la sortie 164 de se mélanger avec les autres gaz précurseurs à l'intérieur de la chambre de réaction 102 jusqu'à ce qu'ils soient positionnés à proximité de la surface du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé par les gaz précurseurs, et évitant le dépôt involontaire d'un matériau sur des composants du système de dépôt 100. [0061] En référence à nouveau à la figure 1, le système de dépôt 100 peut comprendre des éléments chauffants 118. Les éléments chauffants 118 peuvent 35 comprendre des dispositifs de chauffage à résistance, des dispositifs de chauffage à induction ou des dispositifs de chauffage rayonnant. Dans certains modes de réalisation, les éléments chauffants 118 comprennent des lampes chauffantes rayonnantes configurées pour 5 rayonner de l'énergie infrarouge. Par exemple, les éléments chauffants 118 peuvent comprendre un premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et un deuxième groupe d'éléments chauffants 172. Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et 10 configuré pour communiquer l'énergie rayonnante au four 130 et chauffer le gaz précurseur à l'intérieur de ce dernier. Par exemple, le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130, 15 comme représenté sur la figure 1. Dans des modes de réalisation supplémentaires, le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130, ou peut comprendre à la fois des éléments 20 chauffants 118 positionnés au-dessous de la chambre de réaction 102 sous le four 130 et des éléments chauffants positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur le four 130. Le premier groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné et 25 configuré pour transmettre l'énergie thermique à la structure de support de substrat 114 et à n'importe quel substrat de pièce supporté sur cette dernière. Par exemple, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessous de la 30 chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114, comme représenté sur la figure 1. Dans les modes de réalisation supplémentaires, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut être positionné au-dessus de la chambre de réaction 102 sur 35 la structure de support de substrat 114, ou peut comprendre à la fois des éléments chauffants 118 positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sous la structure de support de substrat 114 et des éléments chauffants positionnés au-dessus de la chambre de réaction 102 sur la structure de support de substrat 114. [0062] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut être séparé du deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 par une barrière thermiquement réfléchissante ou thermiquement isolante 174. A titre d'exemple non limitatif, une telle barrière 174 peut comprendre une plaque de métal plaquée or positionnée entre le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. La plaque en métal peut être orientée pour permettre le chauffage indépendamment contrôlé du four 130 (par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118) et de la structure de support de substrat 114 (par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118). En d'autres termes, la barrière 174 peut être positionnée et orientée pour réduire ou empêcher le chauffage de la structure de support de substrat 114 par le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 et pour réduire ou empêcher le chauffage du four 130 par le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118. [0063] Le premier groupe 170 d'éléments chauffants 118 peut comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être contrôlées indépendamment les unes des autres. En d'autres termes, l'énergie thermique émise par chaque rangée d'éléments chauffants 118 peut être contrôlée indépendamment. Les rangées peuvent être orientées de manière transversale par rapport à la direction de l'écoulement net de gaz à travers la chambre de réaction 102, qui est la direction s'étendant de gauche à droite d'après la vue en perspective de la figure 1. Ainsi, les rangées indépendamment contrôlées d'éléments chauffants 118 peuvent être utilisées pour fournir un gradient thermique sélectionné sur le four 130, si nécessaire. De manière similaire, le deuxième groupe 172 d'éléments chauffants 118 peut également comprendre une pluralité de rangées d'éléments chauffants 118, qui peuvent être contrôlées indépendamment les unes des autres. Ainsi, un gradient thermique sélectionné peut également être fourni sur la surface de support de substrat 114, si nécessaire. [0064] Facultativement, les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être positionnées de manière adjacente ou à proximité d'au moins une partie du four de gaz précurseur 130 à l'intérieur de la chambre de réaction 102 pour améliorer le transfert de chaleur aux gaz précurseurs à l'intérieur du four 130. [0065] Les structures de transfert de chaleur passives (par exemple des structures comprenant des matériaux qui se comportent de manière similaire à un corps noir) peuvent être prévues à l'intérieur de la chambre de réaction 102 comme décrit par exemple dans la publication de demande de brevet US 2009/0214785 Al, qui a été publiée le 27 août 2009 au nom de Arena et associés. [0066] A titre d'exemple non limitatif, le système 30 de dépôt 100 peut comprendre une ou plusieurs plaques de transfert de chaleur passives 177 à l'intérieur de la chambre de réaction 102, comme représenté sur la figure 1. Les plaques de transfert de chaleur passives 177 peuvent être généralement planes et 35 peuvent être orientées de manière généralement parallèle à la paroi supérieure 104 et la paroi inférieure 106. Dans certains modes de réalisation, ces plaques de transfert de chaleur passives 177 peuvent être positionnées plus à proximité de la paroi supérieure 104 que de la paroi inférieure 106, de sorte qu'elles sont positionnées dans un plan vertical au-dessus d'un plan dans lequel le substrat de pièce 116 est disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Les plaques de transfert de chaleur passives 177 peuvent s'étendre uniquement sur une partie de l'espace à l'intérieur de la chambre de réaction 102, comme représenté sur la figure 1, ou elles peuvent s'étendre sensiblement sur tout l'espace à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Dans certains modes de réalisation, un gaz de purge peut être amené à s'écouler à travers la chambre de réaction 102 dans l'espace situé entre la paroi supérieure 104 de la chambre de réaction 102 et les une ou plusieurs plaques de transfert de chaleur 177 afin d'empêcher le dépôt involontaire de matériau sur la surface interne de la paroi supérieure 104 à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Un tel gaz de purge peut être fourni par exemple à partir du conduit d'entrée de gaz 120A. Bien entendu, les plaques de transfert de chaleur passives ayant des configurations différentes de celles des plaques de transfert de chaleur 177 de la figure 1, peuvent être incorporées à l'intérieur de la chambre de réaction 102 dans des modes de réalisation supplémentaires, et de telles plaques de transfert de chaleur peuvent être positionnées dans des positions différentes de celles dans lesquelles les plaques de transfert de chaleur 177 de la figure 1 sont positionnées. [0067] A titre d'autre exemple non limitatif, le 35 four de gaz précurseur 130 peut comprendre une plaque de transfert de chaleur passive 178, qui peut être positionnée entre la deuxième structure en forme de plaque 132B et la troisième structure en forme de plaque 132C, comme représenté sur la figure 3. Une telle plaque de transfert de chaleur passive 178 peut améliorer le transfert de chaleur fournie par les éléments chauffants 118 au gaz précurseur à l'intérieur du four 130, et peut améliorer l'homogénéité et la consistance de la température à l'intérieur du four 130. La plaque de transfert de chaleur passive 178 peut comprendre un matériau avec des valeurs de haute émissivité (proche de l'unité) (matériaux de corps noir) qui est également capable de résister à l'environnement corrosif à haute température qui peut être rencontré à l'intérieur de la chambre de réaction 102. De tels matériaux peuvent comprendre par exemple le nitrure d'aluminium (A1N), le carbure de silicium (SiC) et le carbure de bore (B4C), qui ont des valeurs d'émissivité respectivement de 0,98, 0,92 et 0,92. Ainsi, la plaque de transfert de chaleur passive 178 peut absorber l'énergie thermique émise par les éléments chauffants 118 et émettre à nouveau l'énergie thermique dans le four 130 et le gaz ou les gaz précurseurs à l'intérieur de ce dernier. [0068] La figure 6 est un schéma illustrant une vue en plan d'un autre mode de réalisation d'un système de dépôt 200 qui est similaire au système de dépôt 100 de la figure 1, mais qui comprend trois fours de gaz précurseur positionnés à l'intérieur d'une région intérieure de la chambre de réaction 102. Ainsi, chacun des fours de gaz précurseur peut être utilisé pour injecter différents gaz précurseurs dans la chambre de réaction 102. A titre d'exemple non limitatif, le four de gaz précurseur 130B peut être utilisé pour injecter GaC13 dans la chambre de réaction 102, le four de gaz précurseur 130A peut être utilisé pour injecter InC13 dans la chambre de réaction 102 et le four de gaz précurseur 130C peut être utilisé pour injecter A1C13 dans la chambre de réaction 102. Facultativement, un gaz précurseur d'un élément du groupe III peut être injecté dans la chambre de réaction 102 en utilisant le four de gaz précurseur 130B pour le dépôt d'un semi- conducteur et les fours de gaz précurseur peuvent être utilisés pour injecter un ou plusieurs gaz précurseurs utilisés pour déposer un ou plusieurs éléments dopants dans le semi-conducteur III-V. [0069] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt tels que décrits ici, tels que le système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 6 peuvent permettre l'introduction de quantité relativement importante de gaz précurseurs à haute température dans la chambre de réaction 102 tout en maintenant les gaz précurseurs spatialement séparés les uns des autres jusqu'à ce que les gaz soient positionnés à proximité immédiate du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé, ce qui peut améliorer l'efficacité de l'utilisation des gaz précurseurs. [0070] Les systèmes de dépôt précédemment connus (par exemple les systèmes de dépôt HVPE) se sont traduits communément par la formation des produits de réaction sur les surfaces à l'intérieur de la chambre de réaction 102 différentes de la surface du substrat de pièce 116 sur lequel le matériau doit être déposé. Avec le temps, un tel dépôt involontaire de matériau peut conduire à des niveaux particulaires accrus à l'intérieur de la chambre de réaction 102 et une réduction associée de la quantité de matériau déposé sur le substrat de pièce 116 et le chauffage inefficace de la chambre de réaction 102 par les éléments chauffants 118. Par exemple, GaCl3 condense à partir de la phase vapeur à des températures inférieures à environ 500 °C et le gallium peut être déposé à partir de GaC13 sur des surfaces en contact avec la vapeur de GaCl3 qui ne sont pas maintenues à des températures supérieures à la température de vaporisation. De plus, GaC13 est typiquement transformé en GaCl dans la chambre de réaction, et Ga est déposé à partir de la vapeur de GaCl. L'espèce de GaCl est énergétiquement favorable par rapport à l'espèce GaCl3 à des températures supérieures à environ 730 °C. Ainsi, le four de gaz précurseur 130 peut être utilisé pour chauffer le gaz précurseur s'écoulant à travers celui- ci jusqu'à une température supérieure à environ 730 °C avant d'injecter le gaz précurseur sur la surface du substrat de pièce 116 sur lequel on souhaite déposer le matériau. [0071] La figure 6 est une vue en perspective détachée illustrant schématiquement un autre mode de réalisation exemplaire d'un système de dépôt 200. Le système de dépôt 200 est similaire au système de dépôt 100 de la figure 1, et comprend une porte d'accès 188 (représentée dans la position ouverte sur la figure 6) qui est positionnée à distance d'un emplacement auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction 102. Cependant, le système de dépôt 200 ne comprend pas de four de gaz précurseur interne 130, mais comprend plutôt un injecteur de gaz précurseur externe 230 positionné à l'extérieur de la chambre de réaction 102. L'injecteur de gaz précurseur externe 230 peut être configuré pour chauffer au moins un gaz précurseur et transporter le au moins un gaz précurseur de la source de gaz précurseur jusqu'à un dispositif d'injection de gaz 210, qui peut être sensiblement similaire au dispositif d'injection de gaz 110 de la figure 1. [0072] A titre d'exemple non limitatif, l'injecteur de gaz précurseur externe 230 peut comprendre un injecteur de gaz précurseur tel que décrit dans la demande de brevet provisoire US 61/416 525 déposée le 23 novembre 2010 et intitulée « Procédés pour former des matériaux de nitrure III en vrac sur des couches de gabarit de croissance de nitrure métallique, et structures formées par de tels procédés », la publication de demande de brevet US 2009/0223442 Al, qui a été publiée le 10 septembre 2009 au nom de Arena et associés, la publication internationale WO 2010/101715 Al publiée le 10 septembre 2010 et intitulée « Injecteurs de gaz pour systèmes CVD avec ces derniers », la demande de brevet US 12/894 724 qui a été déposée le 30 septembre 2010 au nom de Bertran, et la demande de brevet US 12/895 311 qui a été déposée le 30 septembre 2010 au nom de Werkhoven. [0073] L'injecteur de gaz 230 peut comprendre un injecteur de gaz thermique comprenant un conduit allongé, qui peut avoir une configuration hélicoïdale, une configuration de serpentin, etc., dans lequel les un ou plusieurs gaz de traitement s'écoulant à travers ce dernier (par exemple un gaz précurseur) sont chauffés lorsqu'ils s'écoulent à travers le conduit allongé. On peut utiliser des éléments chauffants externes pour chauffer le gaz ou les gaz de traitement lorsqu'ils s'écoulent à travers le conduit allongé.
Facultativement, une ou plusieurs structures de chauffage passives (comme celles précédemment décrites ici) peuvent être incorporées dans l'injecteur de gaz 230 pour améliorer le chauffage du gaz ou des gaz de traitement s'écoulant à travers l'injecteur de gaz 230. [0074] Facultativement, l'injecteur de gaz 230 peut en outre comprendre un réservoir configuré pour contenir un réactif liquide afin de réagir avec un gaz de traitement (ou un produit de décomposition ou de réaction d'un gaz de traitement). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un métal liquide ou un autre élément, tel que par exemple du gallium liquide (Ga), de l'aluminium liquide (Al) ou de l'indium liquide (In). Dans d'autres modes de réalisation de l'invention, le réservoir peut être configuré pour contenir un réactif solide afin de réagir avec un gaz de traitement (ou un produit de décomposition ou de réaction d'un gaz de traitement). Par exemple, le réservoir peut être configuré pour contenir un volume solide d'un ou de plusieurs éléments, tels que par exemple le silicium solide (Si) ou le magnésium solide (Mg). [0075] Encore en référence à la figure 6, le gaz ou les gaz de traitement qui sont injectés dans la chambre de réaction 102 à partir de l'injecteur de gaz précurseur externe 230 peuvent être transportés à travers une région intérieure à l'intérieur de la chambre de réaction 102 à l'intérieur d'une enceinte 140 jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat 114 afin d'éviter qu'un tel gaz ou de tels gaz de traitement se mélangent avec un autre ou d'autres gaz de traitement jusqu'à ce qu'ils soient à proximité d'un substrat de pièce 116 supporté sur la structure de support de substrat 114. [0076] Dans des modes de réalisation supplémentaires, les systèmes de dépôt peuvent comprendre à la fois un four de gaz précurseur interne 130 comme décrit en référence à la figure 1, ainsi qu'un injecteur de gaz précurseur externe 230, comme décrit en référence à la figure 6. Par exemple, l'enceinte 240 représentée sur la figure 6 peut être remplacée par le four de gaz précurseur interne 130 de la figure 1. [0077] Comme représenté sur la figure 6, la chambre 5 de réaction 102 peut en outre comprendre des nervures de support structurelles 240 qui peuvent être utilisées pour fournir la rigidité structurelle à la chambre de réaction 102. De telles nervures de support 240 peuvent comprendre un matériau réfractaire comme celui de la 10 paroi supérieure 104 et de la paroi inférieure 106 de la chambre de réaction 102. La chambre de réaction 102 de la figure 1 peut également comprendre de telles nervures de support structurelles 240 dans des modes de réalisation supplémentaires. 15 [0078] La figure 7 illustre schématiquement une vue en plan de dessus d'un mode de réalisation exemplaire supplémentaire d'un système de dépôt 300 de la présente description. Le système de dépôt 300 peut être sensiblement similaire au système de dépôt 100 de la 20 figure 1 ou au système de dépôt 200 de la figure 6, excepté que la porte d'accès 188 est positionnée sur un côté latéral de la chambre de réaction 102 longitudinalement entre la première extrémité longitudinale de la chambre de réaction 102 à proximité 25 de l'emplacement 103A auquel un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction 102 et la deuxième extrémité longitudinale de la chambre de réaction 102 à proximité de l'emplacement 103B auquel les gaz de traitement sont évacués de la chambre de 30 réaction 102. En d'autres termes, dans le système de dépôt 300 de la figure 7, les substrats de pièce 116 peuvent être chargés et déchargés le long d'une direction transversale par rapport à la direction générale de l'écoulement de gaz à travers la chambre de 35 réaction 102. Ainsi, la porte d'accès 188 est positionnée à distance de l'emplacement 103A auquel les gaz de traitement sont injectés dans la chambre de réaction 102, comme c'est le cas pour la porte d'accès 188 des modes de réalisation des figures 1 et 6. [0079] Comme représenté sur la figure 7, le système de dépôt 300 comprend en outre au moins un dispositif de bras robotisé 310 configuré pour charger de manière robotisée les substrats de pièce 116 dans la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188 et décharger les substrats de pièce 116 de la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188. De tels dispositifs de bras robotisé sont connus dans l'art. Bien que non illustré sur les figures 1 et 6, le système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 6 peuvent comprendre au moins un tel dispositif de bras robotisé 310 configuré pour charger de manière robotisée les substrats de pièce 116 dans la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188 et décharger les substrats de pièce 116 de la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188. [0080] La figure 8 représente schématiquement une vue d'un mode de réalisation exemplaire supplémentaire d'un système de dépôt 400 de la présente description.
Le système de dépôt 400 peut être sensiblement similaire au système de dépôt 100 de la figure 1 ou au système de dépôt 200 de la figure 6, excepté que la chambre de réaction 102 peut être divisée en deux canaux ou plus. Dans certains modes de réalisation, les deux canaux ou plus peuvent être disposés verticalement l'un sur l'autre. Par exemple, les deux canaux ou plus peuvent comprendre un canal de chargement/déchargement 402 et un canal d'injection/échappement 404. Le canal de chargement/déchargement 402 peut être positionné à l'intérieur de la chambre de réaction 102 entre une étagère intermédiaire arrière 406 et la paroi inférieure 106, et le canal d'injection/échappement 404 peut être positionné à l'intérieur de la chambre de réaction 102 entre l'étagère intermédiaire arrière 406 5 et la paroi supérieure 104. [0081] Le canal d'injection/échappement 404 est en communication de fluide avec le dispositif de vide 113 par le biais de la chambre de vide 184 pour laisser s'échapper les sous-produits gazeux, les gaz porteurs 10 et les gaz précurseurs en excès hors de la chambre de réaction 102. [0082] Le canal de chargement/déchargement 402 peut s'étendre jusqu'à une porte d'accès 188 qui peut être sélectivement ouverte pour charger et/ou décharger les 15 substrats de pièce 116 de la structure de support de substrat 114 et/ou la structure de support de substrat 114 par le canal de chargement/déchargement 402. La porte d'accès 188 peut être sélectivement fermée pour traiter les substrats de 20 pièce 116 en utilisant le système de dépôt 400. De plus, le canal de chargement/déchargement 402 peut être en raccordement de fluide avec une première rangée inférieure 115A de connecteurs 117 pour injecter le gaz de traitement. Dans cette configuration, un gaz de 25 purge peut être injecté dans le canal de chargement/déchargement 402 pour empêcher les sous-produits gazeux, les gaz porteurs et les gaz précurseurs en excès d'entrer dans le canal de chargement/déchargement 402, réduisant ainsi (par 30 exemple empêchant) le dépôt parasite de matériau sur la porte d'accès 188. [0083] Pour les procédés de chargement/déchargement, au moins un dispositif de bras robotisé (non illustré sur la figure 8) peut être configuré pour traverser 35 d'avant en arrière à travers le canal de chargement/déchargement 402 afin de permettre le chargement automatique robotisé des substrats de pièce 116 (et/ou d'une structure de support de substrat 114) dans la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188, et permettre le déchargement automatique robotisé des substrats de pièce 116 (et/ou des structures de support de substrat 114) hors de la chambre de réaction 102 par la porte d'accès 188. De tels dispositifs de bras robotisés sont connus dans l'art. [0084] La structure de support de substrat 114 et les substrats de pièce 116 positionnés sur cette dernière peuvent être levés et abaissés le long de l'axe de rotation 408 de la structure de support de substrat 114. Un entraînement (non représenté) peut être couplé à la tige 119 pour permettre le mouvement de la structure de support de substrat 114 et des substrats de pièce 116 positionnés sur cette dernière le long de l'axe de rotation 408 (en plus de la rotation de la structure de support de substrat 114 et des substrats de pièce 116 autour de l'axe de rotation 408). [0085] La structure de support de substrat 114 et les substrats de pièce 116 positionnés sur cette dernière peuvent être levés jusqu'à une position de dépôt et abaissés jusqu'à une position de chargement/déchargement à l'intérieur de la chambre de réaction 102 pour permettre les procédés de dépôt et les procédés de chargement/déchargement, respectivement. Pour les procédés de dépôt, la structure de support de substrat 114 peut être levée jusqu'à une position de dépôt à laquelle la structure de support de substrat 114 peut être positionnée à l'intérieur de ou au moins adjacente au canal d'injection/échappement 404 et plus spécifiquement, de manière sensiblement coplanaire avec l'étagère intermédiaire arrière 406. Pour les procédés de chargement/déchargement, la structure de support de substrat 114 peut être abaissée jusqu'à une position de chargement/déchargement à laquelle la structure de support de substrat 114 peut être positionnée à l'intérieur du canal de chargement/déchargement 404 et plus spécifiquement, peut être positionnée à proximité de la paroi inférieure 106. [0086] Les modes de réalisation des systèmes de dépôt tels que décrits ici, tels que le système de dépôt 100 de la figure 1, le système de dépôt 200 de la figure 6, le système de dépôt 300 de la figure 7 et le système de dépôt 400 de la figure 8, peuvent être utilisés pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce 116 selon d'autres modes de réalisation de la description. [0087] En référence à la figure 1, un substrat de pièce 116 peut être chargé dans une chambre de réaction 102 et sur une structure de support de substrat 114 par au moins une porte d'accès 188. Un ou plusieurs gaz de traitement, qui peuvent comprendre un ou plusieurs gaz précurseurs, peuvent être amenés à s'écouler dans la chambre de réaction 102 par au moins un dispositif de gaz 110 positionné à distance de la au moins une porte d'accès 188. Un ou plusieurs gaz de traitement peuvent être évacués de la chambre de réaction 102 par au moins un dispositif de vide 113, qui peut être positionné sur un côté opposé de la structure de support de substrat 114 par rapport au au moins un dispositif d'injection de gaz 110. Une surface du substrat de pièce 116 peut être exposée au un ou plusieurs gaz de traitement lorsqu'ils s'écoulent à partir du au moins un dispositif d'injection de gaz 110 jusqu'au au moins un dispositif de vide 113, et le semi-conducteur peut être déposé sur la surface du substrat de pièce 114. [0088] Dans certains modes de réalisation, la porte d'accès 188 à travers laquelle le substrat de pièce 116 est chargé et déchargé, peut être positionnée sur un côté du dispositif de vide 113 opposé au au moins un dispositif d'injection de gaz 110, comme préalablement discuté. [0089] De plus, un rideau de gaz de purge en 10 écoulement peut être formé en utilisant le dispositif de rideau de gaz de purge 186, comme précédemment décrit. Le rideau de gaz de purge en écoulement peut être disposé entre la structure de support de substrat 114 et la porte d'accès 188. 15 [0090] Dans certains modes de réalisation, les gaz de traitement peuvent comprendre au moins des gaz précurseurs choisis pour comprendre un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V. Dans de tels modes de réalisation, 20 le semi-conducteur à déposer sur le substrat de pièce 114 peut comprendre un semi-conducteur III-V. Le gaz précurseur d'un élément du groupe III peut facultativement être amené à s'écouler à travers au moins une trajectoire d'écoulement de gaz précurseur 25 s'étendant à travers le four de gaz précurseur 130 disposé à l'intérieur de la chambre de réaction 102 pour chauffer le gaz précurseur d'un élément du groupe III. [0091] Le gaz précurseur d'un élément du groupe III 30 peut comprendre un ou plusieurs éléments parmi GaC13, InC13 et A1C13. Dans de tels modes de réalisation, le chauffage du gaz précurseur d'un élément du groupe III peut se traduire par la décomposition d'au moins l'un parmi GaC13, InCl3 et A1C13 afin de former au moins l'un parmi GaC1, InCl, A1C1 et une espèce chlorée (par exemple HC1). [0092] Après avoir chauffé le gaz précurseur d'un élément du groupe III à l'intérieur du four 130, le gaz 5 précurseur d'un élément du groupe V et le gaz précurseur d'un élément du groupe III peuvent être mélangés à l'intérieur de la chambre de réaction 102 sur le substrat de pièce 116. La surface du substrat de pièce 116 peut être exposée au mélange du gaz 10 précurseur d'un élément du groupe V et du gaz précurseur d'un élément du groupe III afin de former un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat de pièce 116. [0093] Des procédés similaires selon la présente 15 description peuvent être réalisés en utilisant le système de dépôt 200 de la figure 6. [0094] Les procédés de la présente description comprennent également des procédés pour fabriquer des systèmes de dépôt tels que décrits ici, tels que le 20 système de dépôt 100 de la figure 1 et le système de dépôt 200 de la figure 6. On peut former une chambre de réaction 102 qui comprend une paroi supérieure 104, une paroi inférieure 106 et au moins une paroi latérale 108A, 108B. Une structure de support de 25 substrat 114 pour supporter au moins un substrat de pièce 116 peut être prévue au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction 102. Au moins un dispositif d'injection de gaz 110 peut être couplé à la chambre de réaction à un premier emplacement 103A. Le 30 dispositif d'injection de gaz peut être configuré pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction 102 au premier emplacement 103A. Les un ou plusieurs gaz de traitement peuvent comprendre au moins un gaz précurseur. Au moins un 35 dispositif de vide 113 peut également être couplé à la chambre de réaction 102 à un deuxième emplacement. Le dispositif de vide 113 peut être configuré pour aspirer le gaz ou les gaz de traitement à travers la chambre de réaction 102, du premier emplacement 103A au deuxième emplacement 103B et pour évacuer le gaz ou les gaz de traitement de la chambre de réaction 102 au deuxième emplacement 103B. [0095] Au moins une porte d'accès 188 peut être couplée à la chambre de réaction 102 à un emplacement à distance du premier emplacement 103A auquel le dispositif d'injection de gaz 110 est couplé à la chambre de réaction 102. La au moins une porte d'accès 188 peut être configurée pour permettre à un substrat de pièce 116 d'être chargé dans la chambre de réaction 102 et sur la structure de support de substrat 114 et déchargé de la structure de support de substrat 114 hors de la chambre de réaction 102 par la au moins une porte d'accès 188. [0096] D'autres modes de réalisation exemplaires non 20 limitatifs de l'invention sont décrits ci-dessous. [0097] Mode de réalisation 1 : un système de dépôt comprenant : une chambre de réaction définie par une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale ; une structure de support de substrat 25 disposée au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction et configurée pour supporter un substrat de pièce à l'intérieur de la chambre de réaction ; au moins un dispositif d'injection de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement 30 comprenant au moins un gaz précurseur dans la chambre de réaction à un premier emplacement ; un dispositif de vide pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers la chambre de réaction, du premier emplacement à un deuxième emplacement et pour évacuer 35 les un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction au deuxième emplacement ; et au moins une porte d'accès à travers laquelle un substrat de pièce peut être chargé dans la chambre de réaction et sur la structure de support de substrat et déchargé de la structure de support de substrat hors de la chambre de réaction, la au moins une porte d'accès étant positionnée à distance du premier emplacement. [0098] Mode de réalisation 2 : le système de dépôt du mode de réalisation 1, dans lequel le premier emplacement est disposé sur un premier côté de la structure de support de substrat, et le deuxième emplacement est disposé sur un deuxième côté opposé de la structure de support de substrat. [0099] Mode de réalisation 3 : le système de dépôt 15 du mode de réalisation 2, dans lequel le deuxième emplacement est disposé entre la structure de support de substrat et la au moins une porte d'accès. [00100] Mode de réalisation 4 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 3, 20 comprenant en outre au moins un dispositif d'injection de gaz de purge configuré pour former un rideau de gaz de purge en écoulement s'écoulant entre le au moins un dispositif d'injection de gaz de purge et le dispositif de vide, le rideau de gaz de purge en écoulement étant 25 disposé entre la structure de support de pièce et la au moins une porte d'accès. [00101] Mode de réalisation 5 : le système de dépôt du mode de réalisation 1, dans lequel le deuxième emplacement est disposé entre la structure de support 30 de substrat et la au moins une porte d'accès. [00102] Mode de réalisation 6 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 4, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz est positionné à une première extrémité de la 35 chambre de réaction et la au moins une porte d'accès est positionnée à une deuxième extrémité opposée de la chambre de réaction. [00103] Mode de réalisation 7 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 4, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz est positionné à une première extrémité de la chambre de réaction, et la au moins une porte d'accès est positionnée au niveau d'un côté latéral de la chambre de réaction. [00104] Mode de réalisation 8 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 7, dans lequel la au moins une porte d'accès comprend au moins une plaque configurée pour se déplacer entre une première position fermée et une deuxième position ouverte, dans lequel la chambre de réaction est au moins sensiblement close et l'accès à la structure de support de substrat par la au moins une porte d'accès est empêché lorsque la au moins une plaque est dans la première position fermée, et dans lequel l'accès à la structure de support de substrat est autorisé par la au moins une porte d'accès lorsque la au moins une plaque est dans la deuxième position ouverte. [00105] Mode de réalisation 9 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 8, 25 dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz comprend un collecteur d'injection de gaz. [00106] Mode de réalisation 10 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 9, comprenant en outre au moins un four de gaz précurseur 30 interne disposé à l'intérieur de la chambre de réaction, le au moins un four de gaz précurseur interne étant configuré pour chauffer au moins un gaz précurseur et transporter le au moins un gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction, du au moins un dispositif d'injection de gaz jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat. [00107] Mode de réalisation 11 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 10, 5 comprenant en outre un injecteur de gaz précurseur externe positionné à l'extérieur de la chambre de réaction, le au moins un injecteur de gaz précurseur externe étant configuré pour chauffer au moins un gaz précurseur et transporter le au moins un gaz précurseur 10 d'une source de gaz précurseur jusqu'au au moins un dispositif d'injection de gaz. [00108] Mode de réalisation 12 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 11, comprenant au moins un dispositif de bras robotisé 15 configuré pour charger de manière robotisée les substrats de pièce dans la chambre de réaction par la au moins une porte d'accès et décharger les substrats de pièce hors de la chambre de réaction par la au moins une porte d'accès. 20 [00109] Mode de réalisation 13 : le système de dépôt selon l'un quelconque des modes de réalisation 1 à 12, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement est configuré pour injecter les un ou plusieurs gaz de 25 traitement à travers au moins une paroi latérale de la chambre de réaction, et dans lequel la au moins une porte d'accès s'étend à travers une autre paroi latérale à distance de la au moins une paroi latérale à travers laquelle les un ou plusieurs gaz de traitement 30 sont injectés. [00110] Mode de réalisation 14 : le système de dépôt du mode de réalisation 13, dans lequel la au moins une paroi latérale à travers laquelle les un ou plusieurs gaz de traitement sont injectés et l'autre paroi latérale sont positionnées aux extrémités opposées de la chambre de réaction. [00111] Mode de réalisation 15 : un procédé pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce en utilisant un dispositif de dépôt, comprenant les étapes consistant à : charger un substrat de pièce dans une chambre de réaction et sur une structure de support de substrat à travers au moins une porte d'accès ; laisser s'écouler les un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction à travers au moins un dispositif d'injection de gaz positionné à distance de la au moins une porte d'accès, les un ou plusieurs gaz de traitement comprenant au moins un gaz précurseur ; évacuer les un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction par au moins un dispositif de vide positionné sur un côté opposé de la structure de support de substrat à partir du au moins un dispositif d'injection de gaz ; exposer une surface du substrat de pièce aux un ou plusieurs gaz de traitement lorsqu'ils s'écoulent à partir du au moins un dispositif d'injection de gaz jusqu'au au moins un dispositif de vide et déposer le semi-conducteur sur la surface du substrat de pièce ; et décharger le substrat de pièce hors de la chambre de réaction par la au moins une porte d'accès. [00112] Mode de réalisation 16 : le procédé du mode de réalisation 15, comprenant en outre l'étape consistant à sélectionner le au moins un gaz précurseur de sorte qu'il comprenne un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V. [00113] Mode de réalisation 17 : le procédé du mode de réalisation 15 ou du mode de réalisation 16, dans lequel l'étape consistant à déposer le semi-conducteur 35 sur la surface du substrat de pièce comprend l'étape consistant à déposer un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat de pièce. [00114] Mode de réalisation 18 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 15 à 17, dans 5 lequel l'étape consistant à charger le substrat de pièce dans la chambre de réaction et sur la structure de support de substrat à travers la au moins une porte d'accès comprend l'étape consistant à charger le substrat de pièce dans la chambre de réaction à travers 10 au moins une porte d'accès positionnée sur un côté du au moins un dispositif de vide opposé au au moins un dispositif d'injection de gaz. [00115] Mode de réalisation 19 : le procédé de l'un quelconque des modes de réalisation 15 à 18, comprenant 15 en outre l'étape consistant à former un rideau de gaz de purge en écoulement disposé entre la structure de support de pièce et la au moins une porte d'accès. [00116] Mode de réalisation 20 : un procédé pour fabriquer un système de dépôt, comprenant les étapes 20 consistant à : former une chambre de réaction comprenant une paroi supérieure, une paroi inférieure et au moins une paroi latérale ; prévoir une structure de support de substrat pour supporter au moins un substrat de pièce au moins partiellement à l'intérieur 25 de la chambre de réaction ; coupler au moins un dispositif d'injection de gaz à la chambre de réaction à un premier emplacement, le au moins un dispositif d'injection de gaz étant configuré pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement comprenant au moins un gaz 30 précurseur dans la chambre de réaction au premier emplacement ; coupler au moins un dispositif de vide à la chambre de réaction à un deuxième emplacement, le au moins un dispositif de vide étant configuré pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers 35 la chambre de réaction du premier emplacement au deuxième emplacement et pour évacuer les un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction à un deuxième emplacement ; et coupler au moins une porte d'accès à la chambre de réaction à un emplacement à distance du premier emplacement, la au moins une porte d'accès étant configurée pour permettre à un substrat de pièce d'être chargé dans la chambre de réaction et sur la structure de support de substrat et déchargé de la structure de support de substrat hors de la chambre de réaction par la au moins une porte d'accès. [00117] Mode de réalisation 21 : le procédé du mode de réalisation 20, comprenant en outre l'étape consistant à positionner le au moins un dispositif d'injection de gaz sur un premier côté de la structure de support de substrat et positionner le au moins un dispositif de vide sur un deuxième côté opposé de la structure de support de substrat. [00118] Mode de réalisation 22 : le procédé du mode de réalisation 20 ou du mode de réalisation 21, 20 comprenant en outre l'étape consistant à positionner le au moins un dispositif de vide entre la structure de support de substrat et la au moins une porte d'accès. [00119] Mode de réalisation 23 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 22, 25 comprenant en outre l'étape consistant à coupler au moins un dispositif d'injection de gaz de purge à la chambre de réaction à proximité du au moins un dispositif de vide, le au moins un dispositif d'injection de gaz de purge étant configuré pour former 30 un rideau de gaz de purge s'écoulant à partir du au moins un dispositif d'injection de gaz de purge jusqu'au au moins un dispositif de vide entre la structure de support de substrat et la au moins une porte d'accès. [00120] Mode de réalisation 24 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 23, comprenant en outre l'étape consistant à positionner le au moins un dispositif de vide entre la structure de 5 support de substrat et la au moins une porte d'accès. [00121] Mode de réalisation 25 : le procédé selon l'un quelconque des modes de réalisation 20 à 24, comprenant en outre les étapes consistant à positionner le au moins un dispositif d'injection de gaz à une 10 première extrémité de la chambre de réaction et positionner la au moins une porte d'accès à une deuxième extrémité opposée de la chambre de réaction.

Claims (19)

  1. REVENDICATIONS1. Système de dépôt (100) comprenant : une chambre de réaction (102) définie par une 5 paroi supérieure (104), une paroi inférieure (106) et au moins une paroi latérale (108A,108B ; une structure de support de substrat (114) disposée au moins partiellement à l'intérieur de la chambre de réaction (102) et configurée pour supporter 10 un substrat de pièce (116) à l'intérieur de la chambre de réaction (102) ; au moins un dispositif d'injection de gaz (110) pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement comprenant au moins un gaz précurseur dans la chambre 15 de réaction (102) à un premier emplacement (103A); un dispositif de vide (113) pour aspirer les un ou plusieurs gaz de traitement à travers la chambre de réaction (102) d'un premier emplacement (103A) à un deuxième emplacement (103B) et pour évacuer les un ou 20 plusieurs gaz de traitement hors de la chambre de réaction (102) au deuxième emplacement (103B) ; et au moins une porte d'accès (188) à travers laquelle un substrat de pièce (116) peut être chargé dans la chambre de réaction (102) et sur la structure 25 de support de substrat (114) et déchargé de la structure de support de substrat (114) hors de la chambre de réaction (102), la au moins une porte d'accès (188) étant positionnée à distance du premier emplacement (103A). 30
  2. 2. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le premier emplacement (103A) est disposé sur un premier côté de la structure de support de substrat (114), et le deuxième emplacement (103B) estdisposé sur un deuxième côté opposé de la structure de support de substrat (114).
  3. 3. Système de dépôt selon la revendication 2, 5 dans lequel le deuxième emplacement (103B) est disposé entre la structure de support de substrat (114) et la au moins une porte d'accès (188).
  4. 4. Système de dépôt selon la revendication 3, 10 comprenant en outre au moins un dispositif d'injection de gaz de purge configuré pour former un rideau de gaz de purge en écoulement s'écoulant entre le au moins un dispositif d'injection de gaz de purge et le dispositif de vide (113), le rideau de gaz de purge en écoulement 15 étant disposé entre la structure de support de pièce et la au moins une porte d'accès (188).
  5. 5. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le deuxième emplacement (103B) est disposé 20 entre la structure de support de substrat (114) et la au moins une porte d'accès (188).
  6. 6. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de 25 gaz (110) est positionné à une première extrémité de la chambre de réaction (102), et la au moins une porte d'accès (188) est positionnée à une deuxième extrémité opposée de la chambre de réaction (102). 30
  7. 7. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz (110) est positionné à une première extrémité de la chambre de réaction (102), et la au moins une porte d'accès (188) est positionnée au niveau d'un côté 35 latéral de la chambre de réaction (102).
  8. 8. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel la au moins une porte d'accès (188) comprend au moins une plaque configurée pour se 5 déplacer entre une première position fermée et une deuxième position ouverte, dans lequel la chambre de réaction (102) est au moins sensiblement close et l'accès à la structure de support de substrat (114) par la au moins une porte d'accès (188) est empêché lorsque 10 la au moins une plaque est dans la première position fermée et dans lequel l'accès à la structure de support de substrat (114) est autorisé par la au moins une porte d'accès (188) lorsque la au moins une plaque est dans la deuxième position ouverte. 15
  9. 9. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz (110) comprend un collecteur d'injection de gaz. 20
  10. 10. Système de dépôt selon la revendication 1, comprenant en outre au moins un four de gaz précurseur interne disposé à l'intérieur de la chambre de réaction (102), le au moins un four de gaz précurseur interne étant configuré pour chauffer au moins un gaz 25 précurseur et transporter le au moins un gaz précurseur à l'intérieur de la chambre de réaction (102), du au moins un dispositif d'injection de gaz (110) jusqu'à un emplacement à proximité de la structure de support de substrat (114). 30
  11. 11. Système de dépôt selon la revendication 1, comprenant en outre au moins un injecteur de gaz précurseur externe positionné à l'extérieur de la chambre de réaction (102), le au moins un injecteur de 35 gaz précurseur externe étant configuré pour chauffer aumoins un gaz précurseur et transporter le au moins un gaz précurseur d'une source de gaz précurseur jusqu'au au moins un dispositif d'injection de gaz.
  12. 12. Système de dépôt selon la revendication 1, comprenant en outre au moins un dispositif de bras robotisé configuré pour charger de manière robotisée les substrats de pièce dans la chambre de réaction (102) par au moins une porte d'accès (188) et décharger les substrats de pièce de la chambre de réaction (102) par la au moins une porte d'accès (188).
  13. 13. Système de dépôt selon la revendication 1, dans lequel le au moins un dispositif d'injection de gaz (110) pour injecter un ou plusieurs gaz de traitement est configuré pour injecter les un ou plusieurs gaz de traitement par au moins une paroi latérale (108A, 108B) de la chambre de réaction (102), et dans lequel la au moins une porte d'accès (188) s'étend à travers une autre paroi latérale (108A, 108B) à distance de la au moins une paroi latérale (108A, 1088) à travers laquelle les un ou plusieurs gaz de traitement sont injectés.
  14. 14. Système de dépôt selon la revendication 13, dans lequel la au moins une paroi latérale (108A, 108B) à travers laquelle les un ou plusieurs gaz de traitement sont injectés et l'autre paroi latérale (108A, 108B) sont positionnées au niveau des extrémités opposées de la chambre de réaction (102).
  15. 15. Procédé pour déposer un semi-conducteur sur un substrat de pièce (116) en utilisant un système de dépôt, comprenant les étapes consistant à :charger un substrat de pièce (116) dans une chambre de réaction (102) et sur une structure de support de substrat (114) à travers au moins une porte d'accès (188) ; laisser s'écouler un ou plusieurs gaz de traitement dans la chambre de réaction (102) à travers au moins un dispositif d'injection de gaz (110) positionné à distance de la au moins une porte d'accès (188), les un ou plusieurs gaz de traitement comprenant au moins un gaz précurseur ; évacuer un ou plusieurs gaz de traitement de la chambre de réaction (102) par au moins un dispositif de vide (113) positionné sur un côté opposé de la structure de support de substrat (114) par rapport au moins un dispositif d'injection de gaz (110); exposer une surface du substrat de pièce (116) au un ou plusieurs gaz de traitement lorsqu'ils s'écoulent à partir du au moins un dispositif d'injection de gaz (110) jusqu'au au moins un dispositif de vide (113) et déposer le semi-conducteur sur la surface du substrat de pièce (116) ; et décharger le substrat de pièce (116) hors de la chambre de réaction (102) par la au moins une porte d'accès (188).
  16. 16. Procédé selon la revendication 15, comprenant en outre l'étape consistant à sélectionner le au moins un gaz précurseur de sorte qu'il comprend un gaz précurseur d'un élément du groupe III et un gaz précurseur d'un élément du groupe V.
  17. 17. Procédé selon la revendication 16, dans lequel l'étape consistant à déposer le semi-conducteur sur la surface du substrat de pièce (116) comprendl'étape consistant à déposer un semi-conducteur III-V sur la surface du substrat de pièce (116).
  18. 18. Procédé selon la revendication 15, dans lequel l'étape consistant à charger le substrat de pièce (116) dans la chambre de réaction (102) et sur la structure de support de substrat (114) à travers la au moins une porte d'accès (188) comprend l'étape consistant à charger le substrat de pièce (116) dans la chambre de réaction (102) par au moins une porte d'accès (188) positionnée sur un côté du au moins un dispositif de vide (113) opposé au au moins un dispositif d'injection de gaz.
  19. 19. Procédé selon la revendication 15, comprenant en outre l'étape consistant à former un rideau de gaz de purge en écoulement disposé entre la structure de support de substrat (114) et la au moins une porte d'accès (188).
FR1157954A 2011-08-22 2011-09-07 Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs Active FR2979748B1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1157954A FR2979748B1 (fr) 2011-09-07 2011-09-07 Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs
TW101124115A TWI586830B (zh) 2011-08-22 2012-07-04 在所需位置具有進出閘門之沈積系統及相關製作方法
PCT/IB2012/001577 WO2013027102A1 (fr) 2011-08-22 2012-08-10 Système de dépôt ayant des grilles d'accès et procédé associé
CN201280040887.6A CN103748263B (zh) 2011-08-22 2012-08-10 具有存取闸的沉积系统及相关方法
DE112012003499.6T DE112012003499T5 (de) 2011-08-22 2012-08-10 Depositionssystem mit Zugangstoren sowie Verfahren dafür

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1157954A FR2979748B1 (fr) 2011-09-07 2011-09-07 Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2979748A1 true FR2979748A1 (fr) 2013-03-08
FR2979748B1 FR2979748B1 (fr) 2014-05-02

Family

ID=45592494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1157954A Active FR2979748B1 (fr) 2011-08-22 2011-09-07 Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2979748B1 (fr)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004025716A1 (fr) * 2002-09-14 2004-03-25 Ips Ltd. Appareil de depot de couches minces a debit et ensemble injecteur correspondant
US20090223442A1 (en) * 2006-11-22 2009-09-10 Chantal Arena Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
US20100166955A1 (en) * 2008-11-01 2010-07-01 Cambridge Nanotech Inc. System and method for thin film deposition
US20100227046A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, film deposition method, and computer readable storage medium

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004025716A1 (fr) * 2002-09-14 2004-03-25 Ips Ltd. Appareil de depot de couches minces a debit et ensemble injecteur correspondant
US20090223442A1 (en) * 2006-11-22 2009-09-10 Chantal Arena Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
US20100166955A1 (en) * 2008-11-01 2010-07-01 Cambridge Nanotech Inc. System and method for thin film deposition
US20100227046A1 (en) * 2009-03-04 2010-09-09 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus, film deposition method, and computer readable storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
FR2979748B1 (fr) 2014-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150292088A1 (en) Deposition systems having interchangeable gas injectors and related methods
KR100415475B1 (ko) 기판 상에 박막을 성장시키는 장치
JP5035933B2 (ja) 複合窒化物半導体デバイスを製造するための処理システム
US8679956B2 (en) Multiple precursor showerhead with by-pass ports
TWI465294B (zh) 具有多氣體直通道之噴頭
US10192740B2 (en) High throughput semiconductor deposition system
US20110290175A1 (en) Multi-Chamber CVD Processing System
US20130047918A1 (en) Deposition systems including a precursor gas furnace within a reaction chamber, and related methods
JP2012529563A (ja) 連続補給化学気相蒸着システム
US20160145767A1 (en) Deposition systems having access gates at desirable locations, and related methods
WO2012013869A1 (fr) Réacteur de dépôt chimique en phase gazeuse amélioré
FR2968831A1 (fr) Procedes de formation de materiaux massifs de nitrure iii sur des couches matricielles de croissance de nitrure de metal et structures formees par ces procedes
FR2979748A1 (fr) Systemes de depot ayant des portes d'acces a des emplacements souhaitables, et procedes relatifs
TWI470672B (zh) 用於鹵化物氣相磊晶系統之直接液體注入及方法
FR2979637A1 (fr) Systemes de depot comprenant un four de gaz precurseur a l'interieur d'une chambre de reaction et procedes relatifs
TWI586830B (zh) 在所需位置具有進出閘門之沈積系統及相關製作方法
FR2984923A1 (fr) Systèmes de dépôt comprenant des chambres de réaction configurées pour réaliser des opérations de métrologie in situ et procédés connexes
FR2979636A1 (fr) Injection directe de liquide pour des systemes et des procedes d'epitaxie en phase vapeur a base d'halogenures
TWI494461B (zh) 包括在反應室內之前驅氣體爐的沉積系統及相關方法
US20180119277A1 (en) Gas Distribution Apparatus for Deposition System
US9644285B2 (en) Direct liquid injection for halide vapor phase epitaxy systems and methods
FR2965823A1 (fr) Injecteurs de gaz de thermalisation pour generer plus de gaz precurseur, systemes de depot de materiau incluant ces injecteurs et procedes associes
KR20090114132A (ko) 반도체 제조장치
FR2961717A1 (fr) Systemes et procedes de traitement gazeux de substrats

Legal Events

Date Code Title Description
CD Change of name or company name

Owner name: SOITEC, FR

Effective date: 20130311

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7