FR2975109A1

FR2975109A1 - METHOD FOR MAKING A TWO-DIMENSIONAL NETWORK STRUCTURE OF COIN DISLOCATIONS WITH A CONTROLLED PERIOD

Info

Publication number: FR2975109A1
Application number: FR1154180A
Authority: FR
Inventors: Frank Fournel
Original assignee: Commissariat a lEnergie Atomique CEA; Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Current assignee: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date: 2011-05-13
Filing date: 2011-05-13
Publication date: 2012-11-16
Anticipated expiration: 2031-05-13
Also published as: WO2012156300A1; FR2975109B1

Abstract

Procédé de réalisation d'une structure à réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin consistant à : fournir deux structures élémentaires de base (1', 2') ayant une partie cristalline (23, 43), provenant d'un même bloc, possédant un même paramètre de maille, un même réseau cristallin, au moins un repère (31, 34), les deux repères (31, 34) ayant une même orientation par rapport au réseau de la partie cristalline (23, 43) qui les porte, imposer une contrainte choisie à au moins une partie cristalline (23, 43), afin de changer son paramètre de maille d'une manière voulue, afin de disposer d'une structure élémentaire traitée (48, 65), assembler la partie cristalline (43) d'une structure élémentaire traitée (48) avec une autre partie cristalline (23) d'une structure élémentaire traitée (65) ou d'une structure élémentaire de base (1'), en faisant coïncider leurs repères (31, 34) afin qu'un désaccord des paramètres de maille apparaisse et crée le réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin avec la périodicité voulue.A method of making a two-dimensional lattice structure of periodic dislocations wedge comprising: providing two basic elementary structures (1 ', 2') having a crystalline portion (23, 43) from the same block, having a same mesh parameter, the same crystal lattice, at least one mark (31, 34), the two marks (31, 34) having the same orientation relative to the lattice of the crystalline part (23, 43) which carries them, impose a constraint selected at least one crystalline portion (23, 43), in order to change its mesh parameter in a desired manner, in order to have a treated elementary structure (48, 65), assemble the crystalline portion (43) of a treated elementary structure (48) with another crystalline part (23) of a treated elementary structure (65) or a basic elementary structure (1 '), by making their marks (31, 34) coincide so that a disagreement of the mesh parameters appears and creates the The two-dimensional network of periodic dislocations wedges with the desired periodicity.

Description

PROCEDE DE REALISATION D'UNE STRUCTURE A RESEAU BIDIMENSIONNEL DE DISLOCATIONS COIN A PERIODE MAITRISEE METHOD FOR MAKING A TWO-DIMENSIONAL NETWORK STRUCTURE OF COIN DISLOCATIONS WITH A CONTROLLED PERIOD

DESCRIPTION 5 DOMAINE TECHNIQUE La présente invention est relative à la réalisation d'une structure munie d'un réseau de dislocations périodiques coin dont l'extension se fait dans un plan et dont la période est maîtrisée. Une 10 telle structure est utilisable en microélectronique, en optique, en optoélectronique. ÉTAT DE LA TECHNIQUE ANTÉRIEURE La technique principale pour obtenir un réseau de dislocations consiste à assembler deux 15 substrats cristallins par collage direct moléculaire et ainsi à former, à l'interface un joint de grain. Le collage direct moléculaire permet d'obtenir une liaison entre les deux matériaux cristallins à assembler sans apport de matière comme de la colle ou tout autre 20 adhésif. Il existe trois types de désorientations cristallines amenant à la formation d'un joint de grain lors d'un collage moléculaire de matériaux cristallins la désorientation en rotation ou en 25 torsion (twist en anglais), la désorientation en flexion (tilt en anglais) et la désorientation due à une différence de paramètre de maille comme explicité dans le document [1] dont les références se trouvent en fin de description. 2 Comme l'a décrit D. Hull au chapitre 9, paragraphes 9.1, 9.2 du document [2] dont les références se trouvent en fin de description, une désorientation en torsion pure va amener la formation d'un réseau de dislocations vis dont le pas dépend de l'angle de désorientation. Le raccordement des deux surfaces à assembler engendre un réseau bidimensionnel de dislocations vis. Une désorientation en flexion pure va amener la formation d'un réseau de dislocations coin. Le raccordement des deux surfaces à assembler engendre un réseau unidimensionnel de dislocations coin. Une désorientation cristalline due au désaccord des paramètres de maille pur va aussi générer un réseau de dislocations coin. Le raccordement des deux surfaces à assembler engendre un réseau bidimensionnel de dislocations coin. Bien évidemment, si le joint de grain est composé de deux cristaux de même nature, par exemple deux cristaux de silicium, le bicristal obtenu après l'assemblage ne peut avoir que des désorientations de flexion ou de torsion, puisque le paramètre de maille est le même de part et d'autre du joint de grain. En revanche, si les deux cristaux sont de natures différentes, par exemple un cristal de silicium et un cristal de germanium, les trois types de désorientations cristallines peuvent être présents. Si plusieurs désorientations cristallines sont présentes, les réseaux de dislocations créés sont plus complexes que si seulement une seule désorientation cristalline est présente. Cette complexité est due, entre autre, à 3 l'interaction des dislocations entre elles. De tels réseaux de dislocations peuvent être très intéressants pour nanostructurer la surface d'un matériau et/ou pour organiser spatialement le dépôt ou la croissance de nanostructures sur les dislocations comme décrit dans les documents [1], [3], [4]. Par la suite, on parlera d'organisation de nanostructures pour l'organisation du dépôt ou de la croissance de nanostructures sur les dislocations Dans cette optique, il est connu que les dislocations de type coin sont plus puissantes que les dislocations de type vis, elles semblent être de meilleurs candidats pour la nanostructuration de surface ou l'organisation de nanostructures. Les dislocations de type vis seraient, d'après le document [1], moins aptes à créer des sites préférentiels de nucléation. Par contre si on désire nanostructurer la surface d'un substrat ou organiser des nanostructures de manière bidimensionnelle, il faut utiliser deux paramètres de maille différents et donc employer des matériaux différents. Le choix des matériaux est limité, et les périodes des réseaux de dislocations qui peuvent être obtenues également. TECHNICAL FIELD The present invention relates to the realization of a structure provided with a network of periodic dislocations coin whose extension is in a plane and whose period is controlled. Such a structure can be used in microelectronics, optics, optoelectronics. STATE OF THE PRIOR ART The main technique for obtaining a dislocation network consists in assembling two crystalline substrates by direct molecular bonding and thus forming, at the interface, a grain boundary. Molecular direct bonding makes it possible to obtain a bond between the two crystalline materials to be assembled without adding material such as glue or any other adhesive. There are three types of crystalline disorientations leading to the formation of a grain boundary during a molecular bonding of crystalline materials such as twisted or twisted disorientation (twist in English), disorientation in bending (tilt in English) and the disorientation due to a difference in mesh parameter as explained in document [1] whose references are at the end of the description. 2 As described by D. Hull in chapter 9, paragraphs 9.1, 9.2 of the document [2] whose references are at the end of the description, a pure twist disorientation will cause the formation of a dislocations network screw whose not depend on the angle of disorientation. The connection of the two surfaces to be assembled generates a two-dimensional network of screw dislocations. Disorientation in pure bending will cause the formation of a network of dislocations wedge. The connection of the two surfaces to be assembled generates a one-dimensional network of corner dislocations. Crystal disorientation due to the clash of pure mesh parameters will also generate a network of wedge dislocations. The connection of the two surfaces to be assembled generates a two-dimensional network of corner dislocations. Of course, if the grain boundary is composed of two crystals of the same nature, for example two silicon crystals, the bicrystal obtained after the assembly can have only bending or twisting disorientations, since the mesh parameter is the even on both sides of the grain boundary. On the other hand, if the two crystals are of different natures, for example a silicon crystal and a germanium crystal, the three types of crystalline disorientation may be present. If several crystalline disorientations are present, the dislocation arrays created are more complex than if only one crystalline disorientation is present. This complexity is due, among other things, to the interaction of the dislocations between them. Such dislocation networks can be very interesting for nanostructuring the surface of a material and / or for spatially organizing the deposition or growth of nanostructures on dislocations as described in documents [1], [3], [4]. Subsequently, we will talk about organization of nanostructures for the organization of the deposition or growth of nanostructures on dislocations. In this view, it is known that wedge-type dislocations are more powerful than screw-type dislocations. appear to be better candidates for surface nanostructuring or the organization of nanostructures. Screw type dislocations would, according to document [1], be less able to create preferential nucleation sites. On the other hand, if it is desired to nanostructure the surface of a substrate or to organize nanostructures in a two-dimensional manner, it is necessary to use two different mesh parameters and thus to use different materials. The choice of materials is limited, and the periods of dislocation networks that can be obtained also.

Il n'est de plus pas aisé d'arriver au résultat voulu. Il faut disposer de deux cristaux sous forme monocristalline, compatibles avec le collage direct, afin de créer un grain de joint plan utilisable pour la nanostructuration de surface ou l'organisation de nanostructures. Ces deux monocristaux doivent être choisis pour que la différence de leur paramètre de 4 maille respectif puisse permettre de s'approcher de la période des dislocations coin voulues. Une fois que l'on a déterminé quels monocristaux employer, il faut les préparer physiquement et chimiquement. En effet, pour réussir à rapprocher suffisamment les deux cristaux, il faut que les surfaces à assembler possèdent certaines spécificités, on cherche à avoir des surfaces les plus planes possibles, avec le moins possible d'ondulations et de microrugosités. Pour obtenir un collage de bonne qualité, il est nécessaire de préparer chimiquement les surfaces à assembler, pour les nettoyer et selon que le collage est hydrophobe ou hydrophile, soit retirer de l'oxyde natif en surface soit générer de l'oxyde natif en surface. Ces préparatifs sont consommateurs en temps et en énergie et à chaque fois que l'on change de couple de cristaux, il est nécessaire de repenser les préparations physiques et chimiques. Par ailleurs, si l'on ne souhaite obtenir à l'interface de collage que des dislocations coin bidimensionnelles, il faut supprimer les autres désorientations cristallines et en particulier les dislocations cristallines coin unidimensionnelles comme décrit dans le document [5]. Ce n'est pas facile lorsque les matériaux cristallins sont de nature différente et ne sont donc pas issus d'un même lingot. De plus, pour l'organisation de nanostructures, il ne faut pas que les matériaux cristallins à assembler contiennent des dislocations d'une autre nature sous peine de perturber la périodicité du champ de contrainte du réseau de dislocations coin que l'on cherche à créer. Il est donc préférable de ne pas employer des matériaux cristallins créés par épitaxie qui laisseraient des taux de dislocations importants. 5 EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a justement comme but de proposer un procédé de réalisation d'une structure possédant un réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin dont la période est choisie. It is also not easy to arrive at the desired result. It is necessary to have two crystals in monocrystalline form, compatible with direct bonding, in order to create a planar joint grain that can be used for surface nanostructuring or the organization of nanostructures. These two single crystals must be chosen so that the difference of their parameter of 4 respective mesh can allow to approach the period of the desired corner dislocations. Once you have determined which single crystals to use, you have to prepare them physically and chemically. Indeed, to successfully bring the two crystals together, it is necessary that the surfaces to be assembled have certain specificities, one seeks to have the most planar surfaces possible, with the least possible of undulations and microrugosities. To obtain a good quality bonding, it is necessary to chemically prepare the surfaces to be assembled, to clean them and according to whether the bonding is hydrophobic or hydrophilic, either to remove the native oxide on the surface or to generate the native oxide on the surface. . These preparations consume time and energy and each time we change the crystal pair, it is necessary to rethink the physical and chemical preparations. Moreover, if it is desired to obtain at the bonding interface only two-dimensional corner dislocations, it is necessary to eliminate the other crystalline disorientations and in particular the one-dimensional corner crystalline dislocations as described in document [5]. This is not easy when the crystalline materials are different in nature and are therefore not from the same ingot. Moreover, for the organization of nanostructures, it is not necessary that the crystalline materials to be assembled contain dislocations of another nature, as this would disturb the periodicity of the stress field of the dislocation network that is to be created. . It is therefore preferable not to use crystalline materials created by epitaxy that would leave dislocations rates important. SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is precisely to propose a method for producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin whose period is chosen.

Pour y parvenir, la présente invention propose de ne pas utiliser, pour obtenir la différence des paramètres de maille, des parties cristallines réalisées dans des matériaux différents, mais au contraire d'utiliser des parties cristallines réalisées dans un même matériau et plus encore issues d'un même cristal et de changer le paramètre de maille d'au moins l'une d'entre elles. De plus, elle propose d'assembler les deux parties cristallines en alignant leur réseau cristallin de manière à s'affranchir ainsi d'éventuelles désorientations en torsion et en flexion. Plus précisément la présente invention propose un procédé de réalisation d'une structure possédant un réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin comprenant les étapes consistant à : fournir deux structures élémentaires de base ayant chacune une partie cristalline supportée par un substrat source, ces parties cristallines provenant d'un même bloc cristallin, possédant un même paramètre de maille, un même réseau cristallin, chacune ayant aussi au moins un repère, ces deux repères ayant une 6 même orientation par rapport au réseau cristallin de la partie cristalline qui les porte, imposer une contrainte prédéterminée à l'une des parties cristallines au moins, de manière à changer son paramètre de maille d'une manière voulue, afin de disposer d'une structure élémentaire traitée, assembler la partie cristalline d'une structure élémentaire traitée avec une autre partie cristalline d'une structure élémentaire traitée ou d'une structure élémentaire de base, en faisant coïncider sensiblement leurs repères de manière à ce qu'un désaccord des paramètres de maille apparaisse et crée le réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin avec une périodicité voulue dépendant du désaccord des paramètres de maille. Il est préférable de réaliser un assemblage hydrophobe pour avoir un raccord cristallin, un assemblage hydrophile apporterait de l'oxyde interfacial qu'il faudrait éliminer. To achieve this, the present invention proposes not to use, to obtain the difference of the mesh parameters, crystalline parts made in different materials, but on the contrary to use crystalline parts made in the same material and more from same crystal and change the mesh parameter of at least one of them. In addition, it proposes to assemble the two crystalline parts by aligning their crystal lattice so as to overcome any disorientation in torsion and bending. More specifically, the present invention provides a method for producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations wedge comprising the steps of: providing two basic elementary structures each having a crystalline portion supported by a source substrate, these crystalline portions originating from the same crystalline block, having the same mesh parameter, the same crystal lattice, each having also at least one reference, these two references having the same orientation with respect to the crystal lattice of the crystalline part which carries them, impose a constraint predetermined to at least one of the crystalline portions, so as to change its mesh parameter in a desired manner, in order to have a treated elementary structure, to assemble the crystalline part of a treated elementary structure with another crystalline part of a treated elementary structure or an el mentary base, making their substantially coincide pins so that a disagreement lattice parameters appears and creates the two-dimensional array of periodic dislocations area with a desired frequency dependent on the detuning of the lattice parameters. It is preferable to make a hydrophobic assembly to have a crystalline connection, a hydrophilic assembly would provide interfacial oxide that should be removed.

Il est possible que les repères soient des rapporteurs, des règles graduées, des méplats. Chaque structure élémentaire de base est un empilement avec un substrat source et la partie cristalline, chaque partie cristalline ayant une face libre initiale et une autre face collée au substrat source. Pour fournir les deux structures élémentaires de base : on peut partir d'un substrat semi- conducteur sur isolant avec une couche d'isolant en 7 sandwich entre deux couches de semi-conducteur dont l'une est plus fine que l'autre, on peut réaliser une implantation d'ions dans la couche de semi-conducteur la plus fine au niveau d'une zone implantée, on peut doter la couche de semi-conducteur la plus fine d'au moins un repère commun, avant ou après l'implantation d'ions, on peut rapporter la couche de semi- conducteur la plus fine sur un substrat semi-conducteur plus épais oxydé en surface, on peut séparer en deux parties la couche de semi-conducteur la plus fine au niveau de la zone implantée de manière à obtenir les deux structures élémentaires de base avec leur partie cristalline, leur substrat source étant formé pour l'une des structures élémentaires de base, par l'autre couche de semi-conducteur et par la couche en matériau isolant du substrat semi-conducteur sur isolant, et pour l'autre structure élémentaire de base, par le substrat semi-conducteur plus épais rapporté oxydé en surface. Pour imposer une contrainte en tension prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base à une première température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée, on peut réaliser une première séquence de mise en tension dans laquelle : a1°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat source de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la 8 partie cristalline, à une température supérieure à la première température de référence, b1°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c1°) on colle un substrat cible sur l'autre face de la partie cristalline, sensiblement à la première température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé lors de la première étape de collage a1°) de la première séquence de mise en tension, d1°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage a1°) de la première séquence de mise en tension, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette contrainte en tension étant inférieure ou égale à la contrainte en tension prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d1°) est une étape finale de mise en tension. Pour contraindre en tension encore plus la partie cristalline si la tension prédéterminée n'est pas atteinte à l'issue de l'étape d1°) de la première séquence de mise en tension, on peut réaliser une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en tension après l'étape d1°) jusqu'à atteindre la tension prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension : a1'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une 9 température supérieure à la première température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, b1'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c1'°) on colle sur l'autre face un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé à la partie cristalline, à la première étape de collage de la séquence en cours, sensiblement à la première température de référence, ou bien on colle sur l'autre face un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, sensiblement à la première température de référence, cette alternative étant préférée lors de la dernière séquence supplémentaire, d1'°) on retire le substrat cible collé à la première étape de collage a1'°) de la séquence en cours mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d1'°) est une étape finale de mise en tension, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en tension, à l'issue de l'étape b1'°) la 10 partie cristalline possédant alors une contrainte en tension égale à la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence, la différence entre la première température de référence et la température supérieure à la première température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en tension prédéterminée. Avantageusement, lorsque la contrainte en tension prédéterminée a été atteinte et qu'en fin de séquence de mise en tension, la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique différent de celui de la partie cristalline, pour éviter que la contrainte en tension évolue ultérieurement, la face libre initiale de la partie cristalline étant à nu, on peut réaliser une séquence de finition dans laquelle : a11°) on colle sur la face libre initiale de la partie cristalline un substrat cible en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, sensiblement à la première température de référence, b11°) on retire le substrat cible en le matériau à coefficient de dilation thermique différent de celui du matériau de la partie cristalline de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c11°) on colle sur l'autre face un substrat 30 cible en un matériau ayant un coefficient de dilation 11 thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température quelconque, d11°) on met à nu la face libre initiale de la partie cristalline, cette face libre initiale devenant une face de liaison. En variante, pour imposer une contrainte en tension prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base à une première température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée: on peut réaliser une première séquence de mise en tension dans laquelle : al.1°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat source de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la première température de référence, bl.1°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, cl.1°) on colle un substrat cible sur l'autre face de la partie cristalline, à une température supérieure à la première température de référence, ce substrat cible étant en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé lors de la première étape de collage al.1°) de la première séquence de mise en tension, dl.1°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage de la première séquence de mise en tension, mettant à nu la face libre 12 initiale de la partie cristalline qui est alors contrainte en tension, cette contrainte en tension étant inférieure ou égale à la contrainte en tension prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape dl.1°) est une étape finale de mise en tension. Si la contrainte en tension prédéterminée n'est pas atteinte à l'issue de l'étape dl.1°) de la première séquence de mise en tension, on réalise une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en tension après l'étape dl.1°) jusqu'à atteindre la tension prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension : al.1'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline à une température sensiblement égale à la première température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, bl.1'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage, de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, cl.1'°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé à la partie cristalline à la première étape de collage de la séquence en cours, à une température supérieure à la 13 première température de référence, ou bien on colle sur l'autre face de la partie cristalline un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température supérieure à la première température de référence, cette alternative étant préférée lors de la dernière séquence supplémentaire, dl.1'°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage al.1'°) de la séquence en cours mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape dl.1'°) est une étape finale de mise en tension, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en tension, à l'issue de l'étape dl.1'°), la partie cristalline possédant alors une contrainte en tension égale à la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence, la différence entre la première température de référence et la température supérieure à la première température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en tension prédéterminée. Lorsque la contrainte en tension prédéterminée a été atteinte à la première température de référence et que la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique différent de celui de la partie cristalline, pour éviter que la contrainte en tension 14 évolue ultérieurement, la face libre initiale de la partie cristalline étant à nu, on réalise une séquence de finition dans laquelle : a11.1°) on colle sur la face libre initiale de la partie cristalline un substrat cible en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, sensiblement à la première température de référence, b11.1°) on retire le substrat cible en matériau à coefficient de dilation thermique différent de celui du matériau de la partie cristalline, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c11.1°) on colle sur l'autre face un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température quelconque, d11.1°) on met à nu la face libre initiale de la partie cristalline, cette face libre initiale devenant une face de liaison. Pour imposer une contrainte en compression prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base à une deuxième température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée, on peut réaliser une première séquence de mise en compression dans laquelle : a2°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat source de la 15 partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température supérieure à la deuxième température de référence, b2°) on retire le substrat source de 5 manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c2°) on colle un substrat cible sur l'autre face de la partie cristalline, sensiblement à la deuxième température de référence, ce substrat cible 10 étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé lors de la première étape de collage a2°) de la première séquence de mise en compression, d2°) on retire le substrat cible collé lors 15 de la première étape de collage a2°) de la première séquence de mise en compression, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette contrainte en compression étant inférieure ou égale à la contrainte 20 en compression prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d2°) est une étape finale de mise en compression. Pour contraindre en compression encore plus la partie cristalline, si la compression prédéterminée 25 n'est pas atteinte à l'étape d2°) de la première séquence de mise en compression, on peut réaliser une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en compression après l'étape d2°) jusqu'à atteindre la compression prédéterminée, dans chaque séquence 30 supplémentaire de mise en compression : 16 a2'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température supérieure à la deuxième température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, b2'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c2'°) on colle sur l'autre face un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé à la partie cristalline à la première étape de collage de la séquence en cours, sensiblement à la deuxième température de référence, ou bien on colle sur l'autre face un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, sensiblement à la deuxième température de référence,-cette alternative étant préférée lors de la dernière séquence supplémentaire, d2'°) on retire le substrat cible collé à la première étape de collage a2'°) de la séquence en cours mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette face libre initiale devenant une face de liaison si 17 l'étape d2'°) est une étape finale de mise en compression, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en compression, à l'issue de l'étape b2"), la partie cristalline possédant alors une contrainte en compression égale à la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence, la différence entre la deuxième température de référence et la température supérieure à la deuxième température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en compression prédéterminée. Avantageusement, lorsque la contrainte en compression prédéterminée a été atteinte et que la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique différent de celui de la partie cristalline, pour éviter que la contrainte évolue ultérieurement, la face libre initiale de la partie cristalline étant à nu, on peut réaliser une séquence de finition dans laquelle : a22°) on colle sur la face libre initiale de la partie cristalline, un substrat cible en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau cristallin, sensiblement à la deuxième température de référence, b22°) on retire le substrat cible en le matériau à coefficient de dilation thermique différent de celui du matériau de la partie cristalline de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, 18 c22°) on colle sur l'autre face un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température quelconque, d22°) on met à nu la face libre initiale de la partie cristalline, cette face libre initiale devenant une face de liaison. En variante, pour imposer une contrainte en compression prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base à une deuxième température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée on peut réaliser une première séquence de mise en compression dans laquelle : a2.1°) on colle un substrat cible, en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat source de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la deuxième température de référence, b2.1°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c2.1°) on colle un substrat cible, sur l'autre face de la partie cristalline, à une température supérieure à la deuxième température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé lors de la première étape de collage a2.1°) de la première séquence de mise en compression, 19 d2.1°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage a2.1°) de la première séquence mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette contrainte en compression étant inférieure ou égale à la contrainte en compression prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d2.1» est une étape finale de mise en compression. It is possible that the marks are rapporteurs, graduated rules, flats. Each basic elementary structure is a stack with a source substrate and the crystalline part, each crystalline part having an initial free face and another face bonded to the source substrate. To provide the two basic elementary structures: one can start from a semiconductor-on-insulator substrate with a layer of sandwich insulator between two semiconductor layers, one of which is thinner than the other, can perform ion implantation in the thinnest semiconductor layer at an implanted zone, the thinnest semiconductor layer can be provided with at least one common reference, before or after the ion implantation, we can relate the thinnest semiconductor layer on a thicker semiconductor substrate oxidized on the surface, we can separate in two parts the thinnest semiconductor layer at the implanted zone so as to obtain the two basic elementary structures with their crystalline part, their source substrate being formed for one of the basic elementary structures, by the other semiconductor layer and by the layer of insulating material of the semiconductor substrate. driver on i solant, and for the other basic elementary structure, by the thicker semiconductor substrate reported oxidized surface. In order to impose a predetermined voltage stress on the crystalline part of a basic elementary structure at a first reference temperature and transform it into a treated elementary structure, it is possible to carry out a first tensioning sequence in which: a1 °) is glued a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the source substrate material of the crystalline portion, on the initial free face of the crystalline portion, at a temperature above the first reference temperature, b1 °) the source substrate is removed so as to expose the other side of the crystalline part, c1 °) a target substrate is glued on the other side of the crystalline part, substantially at the first reference temperature, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material bonded during the first gluing step a1 °) of the first tensioning sequence, d1 °) removing the target substrate glued during the first gluing step a1 °) of the first tensioning sequence, exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in tension, this voltage stress being less than or equal to the predetermined voltage stress, this initial free face becoming a connecting face if step d1 °) is a final step of tensioning. In order to further stress the crystalline part if the predetermined voltage is not reached at the end of step d1 °) of the first power-up sequence, it is possible to carry out one or more additional tensioning sequences. after step d1 °) until reaching the predetermined voltage, in each additional tensioning sequence: a1 '°) a target substrate is bonded to the initial free face of the crystalline part, at a temperature higher than the first reference temperature, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material stuck on the other side of the crystalline part, during the second bonding step of the preceding sequence, b1 The target substrate stuck on the other side of the crystalline part is removed during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other side of the crystalline part, c1 '°) is glued on the other side a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material bonded to the crystalline part, the first bonding step of the current sequence, substantially at the first reference temperature, or else a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part is glued to the other face, substantially at the first reference temperature, this alternative being preferred during the last additional sequence, d1 '°) is removed the target substrate stuck to the first gluing step a1')) the current sequence exposing the initial free face of the party crystal which is constrained in tension, this initial free face becoming a bonding face if the step d1 '°) is a final step of tensioning, at the time of the rnière additional sequence of tensioning, at the end of step b1 '°) the crystalline portion then having a voltage stress equal to the tension stress predetermined at the first reference temperature, the difference between the first temperature reference and the temperature above the first reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined voltage stress. Advantageously, when the predetermined tension stress has been reached and at the end of the tensioning sequence, the crystalline part is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, to avoid that the voltage stress evolves subsequently, the initial free face of the crystalline part being exposed, a finishing sequence can be carried out in which: a11 °) a target substrate made of material having an adhesive material is bonded to the initial free face of the crystalline part; coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, substantially at the first reference temperature, b11 °) the target substrate is removed in the material with a thermal coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystal part of to expose the other side of the crystalline part, c11 °) is glued on the other side a substrate Target of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at any temperature, d11 °) exposing the initial free face of the crystalline part, this initial free face becoming a connecting face. In a variant, to impose a predetermined voltage stress on the crystalline part of a basic elementary structure at a first reference temperature and transform it into a treated elementary structure: a first tensioning sequence may be carried out in which: 1 °) a target substrate is glued in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the source substrate material of the crystalline part, on the initial free face of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the first temperature of reference, bl.1 °) the source substrate is removed so as to expose the other face of the crystalline part, cl.1 °) is glued a target substrate on the other side of the crystalline part, at a temperature greater than the first reference temperature, this target substrate being of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the su target substrate bonded during the first bonding step al.1 °) of the first tensioning sequence, dl.1 °) removing the target substrate bonded during the first bonding step of the first tensioning sequence , exposing the initial free face 12 of the crystalline part which is then voltage-stressed, this voltage stress being less than or equal to the predetermined voltage stress, this initial free face becoming a bonding face if the step d1. 1 °) is a final step of tensioning. If the predetermined voltage stress is not reached at the end of step d1.1 °) of the first power-up sequence, one or more additional power-up sequences are carried out after step d1. 1 °) until reaching the predetermined voltage, in each additional sequence of tensioning: al.1 '°) is glued a target substrate on the initial free face of the crystalline portion at a temperature substantially equal to the first temperature of reference, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material stuck on the other side of the crystalline portion during the second bonding step of the preceding sequence, bl.1 ° ) the target substrate stuck on the other side of the crystalline part is removed during the second gluing step from the preceding sequence, so as to expose the other face of the crystalline part, cl. (C) gluing a target substrate into a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material adhered to the crystalline portion at the first bonding step of the current sequence at a temperature greater than the first reference temperature, or a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at a temperature higher than the first reference temperature, is bonded to the other side of the crystalline part. this alternative being preferred during the last additional sequence, d1.1 '°) is removed the target substrate bonded during the first step of collage al.1')) the current sequence exposing the initial free face of the crystalline part which is stress-stressed, this initial free face becoming a bonding face if the step d1.1 '°) is a final step of setting nsion, during the last additional tensioning sequence, at the end of step dl.1 '°), the crystalline portion then having a voltage stress equal to the voltage stress predetermined at the first reference temperature the difference between the first reference temperature and the temperature above the first reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined voltage stress. When the predetermined voltage stress has been reached at the first reference temperature and the crystalline portion is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, to prevent the voltage stress 14 from changing subsequently, the initial free face of the crystalline portion being exposed, a finishing sequence is carried out in which: a11.1 °) a target substrate of material having a coefficient of thermal expansion is bonded to the initial free face of the crystalline part substantially equal to that of the material of the crystalline part, substantially at the first reference temperature, b11.1 °) the target substrate is removed in material with a thermal coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part, so as to put exposed to the other side of the crystalline part, c11.1 °) a target substrate is glued on the other side material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at any temperature, d11.1 °) exposes the initial free face of the crystalline part, this initial free face becoming a connecting face . To impose a predetermined compressive stress on the crystalline part of a basic elementary structure at a second reference temperature and transform it into a treated elementary structure, it is possible to carry out a first compression sequence in which: a2 °) is glued a target substrate made of a material having a thermal expansion coefficient greater than that of the source substrate material of the crystalline part, on the initial free face of the crystalline part, at a temperature higher than the second reference temperature, b2 °) the source substrate is removed so as to expose the other side of the crystalline part, c2 °) a target substrate is glued on the other side of the crystalline part, substantially at the second reference temperature, this target substrate 10 being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material adhered during the first step of gluing a2 °) of the first compression sequence, d2 °) is removed the target substrate glued during the first gluing step a2 °) of the first compression sequence, exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the predetermined compressive stress, this initial free face becoming a bonding face if the step d2 °) is a final step of put in compression. In order to further compress the crystalline part in compression, if the predetermined compression is not reached in step d2 °) of the first compression sequence, one or more additional compression sequences can be carried out after step d2 °) until reaching the predetermined compression, in each additional compression sequence: 16 a2 '°) a target substrate is bonded to the initial free face of the crystalline portion at a temperature greater than the second reference temperature, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material stuck on the other side of the crystalline part, during the second bonding step of the preceding sequence, b2 ' °) the target substrate stuck on the other side of the crystalline part is removed during the second gluing step of the preceding sequence, in a manner that to expose the other side of the crystalline part, c2 '°) is glued on the other side a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material glued to the crystalline part at the first bonding step of the current sequence, substantially at the second reference temperature, or else a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the part is glued to the other face; crystalline, substantially at the second reference temperature, -this alternative being preferred during the last additional sequence, d2 '°) is removed the target substrate glued to the first gluing step a2' °) of the current sequence baring the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this initial free face becoming a bonding face if step d2 '°) is a final step of putting e in compression, during the last additional compression sequence, at the end of step b2 "), the crystalline part then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the second reference temperature, the difference between the second reference temperature and the temperature above the second reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being chosen to obtain the predetermined compressive stress. Advantageously, when the predetermined compressive stress has been reached and the crystalline part is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, to prevent the stress from evolving subsequently, the initial free face of the crystalline part being exposed, a finishing sequence can be carried out in which: a22 °) a target substrate of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline material is adhered to the initial free face of the crystalline part; , substantially at the second reference temperature, b22 °) the target substrate is removed from the material with a thermal coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part so as to expose the other side of the crystalline part, 18 c22 °) is glued on the other side a target substrate of a material having a coefficient of expansion t hermetic substantially equal to that of the material of the crystalline part, at any temperature, d22 °) is exposed the initial free face of the crystalline part, this initial free face becoming a connecting face. Alternatively, to impose a predetermined compressive stress on the crystalline part of a basic elemental structure at a second reference temperature and transform it into a treated elementary structure, a first compression sequence can be realized in which: a2.1 °) a target substrate, of a material having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the source substrate material of the crystalline part, is bonded to the initial free face of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the second temperature of reference b2.1 °) the source substrate is removed so as to expose the other side of the crystalline part, c2.1 °) a target substrate is adhered to the other side of the crystalline part at a distance of temperature higher than the second reference temperature, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the matte the target substrate bonded during the first bonding step a2.1 °) of the first compression sequence, 19 d2.1 °) the target substrate bonded during the first bonding step a2.1 °) is removed) of the first sequence exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the predetermined compressive stress, this initial free face becoming a bonding face if the step d2 .1 "is a final stage of compression.

Lorsque la compression prédéterminée n'est pas atteinte à l'issue de l'étape d2.1°) de la première séquence de mise en compression, on réalise une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en compression après l'étape d2.1°) jusqu'à atteindre la compression prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression : a2.1'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la deuxième température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, b2.1'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c2.1'°) on colle, sur l'autre face, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de 20 dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé à la partie cristalline à la première étape de collage de la séquence en cours, à une température supérieure à la deuxième température de référence, ou bien on colle sur l'autre face, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température supérieure à la deuxième température de référence, cette alternative étant préférée lors de la dernière séquence supplémentaire, d2.1'°) on retire le substrat cible collé à la première étape de collage a2 . 1' °) de la séquence en cours mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d2.1'°) est une étape finale de mise en compression, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en compression, à l'issue de l'étape d2.1', la partie cristalline possédant alors une contrainte en compression égale à la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence, la différence entre la deuxième température de référence et la température supérieure à la deuxième température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en compression prédéterminée. When the predetermined compression is not reached at the end of step d2.1 °) of the first compression sequence, one or more additional compression sequences are carried out after step d2.1 ° until reaching the predetermined compression, in each additional compression sequence: a2.1 '°) a target substrate is bonded to the initial free face of the crystalline part at a temperature substantially equal to the second reference temperature , said target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material stuck on the other side of the crystalline part during the second bonding step of the preceding sequence, b2.1 '°) the target substrate stuck on the other face of the crystalline part is removed during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other face of the crystalline part. alline, c2.1 '°) is glued on the other side, a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material adhered to the crystalline portion at the first step of bonding of the current sequence, at a temperature greater than the second reference temperature, or else a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part is adhered to the other face, a temperature higher than the second reference temperature, this alternative being preferred during the last additional sequence, d2.1 '°) is removed the target substrate bonded to the first bonding step a2. 1 ') of the current sequence exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this initial free face becoming a connecting face if step d2.1' °) is a final step of compression, during the last additional compression sequence, at the end of step d2.1 ', the crystalline part then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the second reference temperature the difference between the second reference temperature and the temperature above the second reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined compressive stress.

Lorsque la contrainte en compression prédéterminée a été atteinte et que la partie 21 cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique différent de celui de la partie cristalline, pour éviter que la contrainte évolue ultérieurement, la face libre initiale de la partie cristalline étant à nu, on peut réaliser une séquence de finition dans laquelle : a22.1°) on colle sur la face libre initiale de la partie cristalline, un substrat cible en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau cristallin, sensiblement à la deuxième température de référence, b22.1°) on retire le substrat cible en le matériau à coefficient de dilation thermique différent de celui du matériau de la partie cristalline, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c22.1°) on colle sur l'autre face, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température quelconque, d22.1°) on met à nu la face libre initiale de la partie cristalline, cette face libre initiale devenant une face de liaison. When the predetermined compressive stress has been reached and the crystalline portion 21 is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, to prevent the stress from evolving subsequently, the initial free face of the the crystalline part being exposed, a finishing sequence can be carried out in which: a22.1 °) a target substrate of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material is adhered to the initial free face of the crystalline part; crystalline, substantially at the second reference temperature, b22.1 °) the target substrate is removed from the material with a thermal coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part, so as to expose the other face of the crystalline part, c22.1 °) is glued on the other side, a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at any temperature, d22.1 °) exposes the initial free face of the crystalline part, this initial free face becoming a connecting face.

En variante, dans un souci de réduction des coûts, pour imposer une contrainte en tension prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base à une troisième température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée, on peut réaliser une première séquence de mise en tension dans laquelle : 22 a3°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température supérieure à la troisième température de référence, b3°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c3°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline, sur l'autre face à une température sensiblement égale à la troisième température de référence, d3°) on retire le substrat cible en le matériau à coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette contrainte en tension étant inférieure ou égale à la contrainte en tension prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d3°) est une étape finale de mise en tension. Cette première séquence de mise en tension permet que la contrainte en tension obtenue à l'étape d3°) n'évolue plus avec la température puisque la partie cristalline est collée sur un substrat cible en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui de la partie cristalline. 23 Pour contraindre en tension encore plus la partie cristalline, si la tension prédéterminée n'est pas atteinte à l'étape d3°) de la première séquence de mise en tension, on peut réaliser une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en tension après l'étape d3°) jusqu'à atteindre la contrainte en tension prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension : a3'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température supérieure à la troisième température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline, b3'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c3'°) on colle sur l'autre face, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, sensiblement à la troisième température de référence, d3'°) on retire le substrat cible collé à la première étape de collage a3'°) de la séquence en cours, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d3'°) est une étape finale de mise en tension, 24 lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en tension, à l'issue de l'étape b3'°) la partie cristalline possédant alors une contrainte en tension égale à la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence, la différence entre la troisième température de référence et la température supérieure à la troisième température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en tension prédéterminée. En variante, pour imposer une contrainte en tension prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base à une troisième température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée, on peut réaliser une première séquence de mise en tension dans laquelle : a3.1°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la troisième température de référence, b3.1°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c3.1°) on colle un substrat cible sur l'autre face de la partie cristalline, à une température supérieure à la troisième température de référence, ce substrat cible étant en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, 25 d3.1°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage de la première séquence de mise en tension, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette contrainte en tension étant inférieure ou égale à la contrainte en tension prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si à l'issue de l'étape d3.1°) la partie cristalline possède la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence. Si la contrainte tension prédéterminée n'est pas atteinte à l'issue de l'étape d3.1°) de la première séquence de mise en tension, on peut réaliser une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en tension après l'étape d3.1°) jusqu'à atteindre la contrainte en tension prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension : a3.1'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la troisième température de référence, ce substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline, b3.1'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c3.1'°) on colle sur l'autre face de la partie cristalline, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement 26 égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température supérieure à la troisième température de référence, d3.1'°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage a3.1'°) de la séquence en cours, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en tension, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d3.1'°) est une étape finale de mise en tension, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en tension, à l'issue de l'étape d3.1'°) la partie cristalline possédant alors une contrainte en tension égale à la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence, la différence entre la troisième température de référence et la température supérieure à la troisième température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en tension prédéterminée. En variante, dans un souci de réduction des coûts, pour imposer une contrainte en compression prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base, à une quatrième température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée, on peut réaliser une première séquence de mise en compression dans laquelle : a4°) on colle un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à 27 une température sensiblement égale à la quatrième température de référence, b4°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c4°) on colle un substrat cible sur l'autre face de la partie cristalline, à une température supérieure à la quatrième température de référence, ce substrat cible étant en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, d4°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage a4°) de la première séquence de mise en compression, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette contrainte en compression étant inférieure ou égale à la contrainte en compression prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d4°) est une étape finale de mise en compression. Cette première séquence de mise en compression permet que la contrainte en compression obtenue à l'étape d4°) n'évolue plus avec la température puisque la partie cristalline est collée sur un substrat cible en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui de la partie cristalline. Pour contraindre en compression encore plus la partie cristalline, si la compression prédéterminée n'est pas atteinte à l'issue de l'étape d4°) de la première séquence de mise en compression, on peut 28 réaliser une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en compression après l'étape d4°) jusqu'à atteindre la contrainte en compression prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression : a4'°) on colle un substrat cible, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la quatrième température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline, b4'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c4'°) on colle sur l'autre face, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température supérieure à la quatrième température de référence, d4'°) on retire le substrat cible collé à la première étape de collage a4'°) de la séquence en cours, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette face libre initiale devenant une face de liaison si l'étape d4'°) est une étape finale de mise en compression, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en compression, à l'issue de l'étape d4'°) la partie cristalline possédant alors une contrainte en 29 compression égale à la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence, la différence entre la quatrième température de référence et la température supérieure à la quatrième température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en compression prédéterminée. En variante, pour imposer une contrainte en compression prédéterminée à la partie cristalline d'une structure élémentaire de base, à une quatrième température de référence et la transformer en structure élémentaire traitée, on peut réaliser une première séquence de mise en compression dans laquelle : a4.1°) on colle un substrat cible, en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline, sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température supérieure à la quatrième température de référence, b4.1°) on retire le substrat source de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c4.1°) on colle un substrat cible sur l'autre face de la partie cristalline, en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui de la partie cristalline, à une température sensiblement égale à la quatrième température de référence, d4.1°) on retire le substrat cible collé lors de la première étape de collage a4.1°) de la première séquence mettant à nu la face libre initiale 30 de la partie cristalline qui est contrainte en compression, cette contrainte en compression étant inférieure ou égale à la contrainte en compression prédéterminée, cette face libre initiale devenant une face de liaison si à l'étape d4.1°) la partie cristalline possède la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence. Si la compression prédéterminée n'est pas atteinte à l'étape d4.1°) de la première séquence de mise en compression, on réalise une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en compression après l'étape d4.1°) jusqu'à atteindre la contrainte en compression prédéterminée, dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression : a4.1'°) on colle un substrat cible sur la face libre initiale de la partie cristalline, à une température supérieure à la quatrième température de référence, ce substrat cible étant dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, b4.1'°) on retire le substrat cible collé sur l'autre face de la partie cristalline lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face de la partie cristalline, c4.1'°) on colle sur l'autre face, un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température 31 sensiblement égale à la quatrième température de référence, d4.1'°) on retire le substrat cible collé à la première étape de collage a2 . 1' °) de la séquence en cours, mettant à nu la face libre initiale de la partie cristalline qui est contrainte en compression, lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en compression, à l'issue de l'étape b4.1'°) la partie cristalline possédant alors une contrainte en compression égale à la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence, la différence entre la quatrième température de référence et la température supérieure à la quatrième température de référence, les matériaux des substrats cible et le nombre de séquences étant choisis pour obtenir la contrainte en compression prédéterminée. Pour consolider le collage, on peut effectuer une étape de recuit thermique, à une température préférentiellement supérieure à celle du collage, après chaque étape de collage. Les étapes de retrait peuvent se faire par rodage et attaque chimique. Les première, seconde, troisième et quatrième températures de référence sont sensiblement égales à une température ambiante. Le matériau de la partie cristalline et le matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline peuvent être choisis parmi le silicium, le germanium, le nitrure de gallium, le carbure de 32 silicium, l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium. Le matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline, le matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline peuvent être choisis parmi le silicium, le germanium, la silice fondue, le verre, le carbure de silicium, l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium, le saphir, le cuivre, l'aluminium. La présente invention concerne également une structure possédant deux parties cristallines assemblées, et à l'interface entre les deux parties cristallines, un réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin. Les parties cristallines sont réalisées dans un même matériau cristallin provenant d'un même cristal, les parties cristallines ayant leurs réseaux cristallins sensiblement en coïncidence, l'une des parties cristallines au moins étant contrainte d'une valeur prédéterminée et possédant un paramètre de maille différent de celui de l'autre partie cristalline, de manière à ce que le réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin ait une période voulue. Alternatively, for the sake of cost reduction, to impose a predetermined voltage stress on the crystalline part of a basic basic structure at a third reference temperature and transform it into a treated elementary structure, a first sequence of tensioning in which: 22 a3 °) a target substrate is bonded to a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part, on the initial free face of the crystalline part, at a temperature above the third reference temperature, b3 °) the source substrate is removed so as to expose the other face of the crystalline part, c3 °) a target substrate is glued in a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part, on the other side at a temperature substantially equal to the third reference temperature, d3 °) ire the target substrate in the material with a thermal coefficient of expansion less than that of the material of the crystalline part exposing the initial free face of the crystalline part which is stressed in tension, this stress in tension being less than or equal to the stress in predetermined voltage, this initial free face becoming a connecting face if step d3 °) is a final step of tensioning. This first tensioning sequence allows the voltage stress obtained in step d3 °) to no longer change with temperature since the crystalline part is bonded to a target substrate in a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline part. In order to further stress the crystalline part, if the predetermined voltage is not reached in step d3 °) of the first tensioning sequence, it is possible to carry out one or more additional tensioning sequences after step d3 °) until reaching the predetermined voltage constraint, in each additional tensioning sequence: a3 '°) a target substrate is bonded to the initial free face of the crystalline portion at a temperature greater than the third reference temperature, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part, b3 '°) is removed the target substrate stuck on the other side of the crystalline part, during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other side of the crystalline part, c3 '°) is glued on the other side, a target substrate in a material u having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, substantially at the third reference temperature, d3 '°) is removed the target substrate bonded to the first step of gluing a3')) the sequence in course, exposing the initial free face of the crystalline portion which is stress-stressed, this initial free face becoming a bonding face if step d3 '°) is a final step of tensioning, 24 at the last additional sequence of tensioning, at the end of step b3 '°) the crystalline part then having a voltage stress equal to the predetermined voltage stress at the third reference temperature, the difference between the third reference temperature and the temperature above the third reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the stress in predetermined voltage. Alternatively, to impose a predetermined voltage stress on the crystalline part of a basic elemental structure at a third reference temperature and transform it into a treated elementary structure, a first voltage sequence can be realized in which: a3. 1 °) a target substrate is glued in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, on the initial free face of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the third reference temperature, b3 .1 °) the source substrate is removed so as to expose the other face of the crystalline part, c3.1 °) is glued a target substrate on the other side of the crystalline part, at a temperature above the third reference temperature, this target substrate being of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the party In this case, the target substrate bonded in the first bonding step of the first stressing sequence is removed, exposing the initial free face of the crystalline portion which is stress-stressed. in voltage being less than or equal to the predetermined voltage stress, this initial free face becoming a bonding face if at the end of step d3.1 °) the crystalline part has the predetermined voltage stress at the third temperature of reference. If the predetermined voltage constraint is not reached at the end of step d3.1 °) of the first power-up sequence, it is possible to carry out one or more additional power-up sequences after step d3. 1 °) until reaching the predetermined voltage constraint, in each additional tensioning sequence: a3.1 '°) a target substrate is bonded to the initial free face of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the third reference temperature, this target substrate made of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, b3.1 '°) is removed the target substrate stuck on the other side of the crystalline part, when of the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other face of the crystalline part, c3.1 '°) is glued on the other side of the crystalline part, a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at a temperature higher than the third reference temperature, d3.1 '°) is removed the target substrate bonded during the first gluing step a3.1' °) of the current sequence, exposing the initial free face of the crystalline part which is stress-stressed, this initial free face becoming a connecting face if the step d3.1 '°) is a final step of setting in tension, during the last additional tensioning sequence, at the end of step d3.1 '°), the crystalline part then having a voltage stress equal to the predetermined voltage stress at the third reference temperature the difference between the third reference temperature and the temperature above the third reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being chosen to obtain deny the predetermined voltage constraint. Alternatively, for the sake of cost reduction, to impose a predetermined compressive stress on the crystalline part of a basic elementary structure at a fourth reference temperature and transform it into a treated elementary structure, a first sequence can be realized. in which: a4 °) a target substrate is adhered to a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part, on the initial free face of the crystalline part, at a substantially equal temperature; at the fourth reference temperature, b4 °) the source substrate is removed so as to expose the other side of the crystalline part, c4 °) a target substrate is adhered to the other side of the crystalline part, at a temperature higher than the fourth reference temperature, this target substrate being made of a material having a sensible coefficient of thermal expansion Equally equal to that of the material of the crystalline part, d4 °) is removed the target substrate bonded during the first bonding step a4 °) of the first compression sequence, exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the predetermined compressive stress, this initial free face becoming a bonding face if step d4 °) is a final step of compression. This first compression sequence allows the compression stress obtained in step d4 °) to no longer change with temperature since the crystalline part is bonded to a target substrate in a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline part. In order to further compress the crystalline part in compression, if the predetermined compression is not reached at the end of step d4 °) of the first compression sequence, it is possible to carry out one or more additional setting sequences. in compression after step d4 °) until reaching the predetermined compressive stress, in each additional compression sequence: a4 '°) a target substrate is adhered to the initial free face of the crystalline part at a temperature of a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, this target substrate being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part, b4 '°) is removed the target substrate stuck on the other side of the crystalline part, during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other side of the crystalline part, c4 '°) is glued on the another face, a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at a temperature above the fourth reference temperature, d4 '°) is removed the target substrate stuck to the first pasting step a4 ') of the current sequence, exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this initial free face becoming a bonding face if step d4' °) is a step at the end of step d4 '°) the crystalline part then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the fourth temperature reference, the difference between the fourth reference temperature and the temperature above the fourth reference temperature, the substrates materials. ats target and the number of sequences being selected to obtain the predetermined compressive stress. In a variant, to impose a predetermined compressive stress on the crystalline portion of a basic elementary structure at a fourth reference temperature and transform it into a treated elementary structure, a first compression sequence may be carried out in which: a4 .1 °) a target substrate, in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, is bonded to the initial free face of the crystalline part, at a temperature higher than the fourth reference temperature, b4.1 °) the source substrate is removed so as to expose the other side of the crystalline part, c4.1 °) is glued a target substrate on the other side of the crystalline part, in a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, d4.1 °) r andthe target substrate bonded during the first bonding step a4.1 °) of the first sequence exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the stress in predetermined compression, this initial free face becoming a bonding face if in step d4.1 °) the crystalline portion has the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature. If the predetermined compression is not reached in step d4.1 °) of the first compression sequence, one or more additional compression sequences are carried out after the step d4.1 °) until to reach the predetermined compressive stress, in each additional compression sequence: a4.1 '°) a target substrate is bonded to the initial free face of the crystalline part, at a temperature greater than the fourth reference temperature, this substrate target being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, during the second bonding step of the previous sequence, b4.1 '°) is removed the target substrate stuck on the other side of the crystalline part during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other side of the crystalline part, c4.1 '°) is glued on the other side, a subst target rat in a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, d4.1 '°) is removed the target substrate stuck to the first a2 collage step. 1 ') of the current sequence, exposing the initial free face of the crystalline part which is constrained in compression, during the last additional compression sequence, at the end of step b4.1' °) the crystalline part then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature, the difference between the fourth reference temperature and the temperature above the fourth reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being chosen to obtain the predetermined compressive stress. To consolidate the bonding, it is possible to perform a thermal annealing step, at a temperature that is preferentially greater than that of the bonding, after each bonding step. The steps of removal can be done by lapping and etching. The first, second, third and fourth reference temperatures are substantially equal to an ambient temperature. The material of the crystalline part and the material with a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part may be chosen from among silicon, germanium, gallium nitride, silicon carbide and gallium arsenide. , indium phosphide. The material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, the material with a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part may be chosen from silicon, germanium, fused silica, glass, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, sapphire, copper, aluminum. The present invention also relates to a structure having two crystalline parts assembled, and to the interface between the two crystalline parts, a two-dimensional network of periodic dislocations wedge. The crystalline parts are made of the same crystalline material from the same crystal, the crystalline parts having their crystal lattices substantially coincidental, at least one of the crystalline portions being constrained by a predetermined value and having a different mesh parameter from that of the other crystalline part, so that the two-dimensional network of periodic dislocations wedge has a desired period.

Avant l'assemblage des deux parties cristallines, il est possible de réaliser une épitaxie à partir d'une des parties cristallines, pour en changer la nature mais en veillant à éviter l'apparition de défauts qui pourraient modifier le paramètre de maille de la partie cristalline. 33 BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés à titre purement indicatif et nullement limitatif en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : La figure 1A représente une structure selon l'invention possédant deux parties cristallines assemblées et à l'interface entre les deux parties cristallines un réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin à période voulue, leurs repères étant des méplats, la figure 1B montrant la partie cristalline munie de deux repères en forme de rapporteur opposés au lieu d'un méplat ; Les figures 2A à 2E représentent différentes étapes d'obtention de deux structures élémentaires de base entrant dans la composition de la structure objet de l'invention ; Les figures 3A à 3P deux exemples des différentes étapes de traitement d'une structure élémentaire de base visant à contraindre en tension sa partie cristalline d'une valeur voulue ; Les figures 4A à 4P représentent deux exemples de différentes étapes de traitement d'une structure élémentaire de base visant à contraindre en compression sa partie cristalline d'une valeur voulue ; La figure 5 représente une vue en coupe d'une structure objet de l'invention ; Les figures 6A à 6P représentent, en variante, deux exemples des différentes étapes de traitement d'une structure élémentaire de base visant à 34 contraindre en tension sa partie cristalline d'une valeur voulue ; Les figures 7A à 7P représentent, en variante, deux exemples des différentes étapes de traitement d'une structure élémentaire de base visant à contraindre en compression sa partie cristalline d'une valeur voulue. Les flèches représentées sur les figures matérialisent la contrainte en tension ou en compression et son intensité. Dans un souci de simplification elles ne sont représentées que lors des premières séquences de mise en tension ou en compression et lors des séquences supplémentaires et mais pas lors des séquences de finition. Before the assembly of the two crystalline parts, it is possible to carry out an epitaxy from one of the crystalline parts, to change its nature but taking care to avoid the appearance of defects that could change the mesh parameter of the part crystalline. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The present invention will be better understood on reading the description of exemplary embodiments given purely by way of indication and in no way limiting, with reference to the appended drawings in which: FIG. 1A represents a structure according to the invention having two crystalline parts assembled and at the interface between the two crystalline parts a two-dimensional network of periodic dislocations corner at desired period, their landmarks being flats, Figure 1B showing the crystalline portion provided with two opposed reporter-shaped landmarks instead of a flat; FIGS. 2A to 2E show various steps for obtaining two basic elementary structures that are part of the composition of the structure that is the subject of the invention; FIGS. 3A to 3P are two examples of the various steps of treatment of a basic elementary structure aimed at stressing its crystalline part with a desired value; FIGS. 4A to 4P represent two examples of different stages of treatment of a basic elementary structure aimed at compressively compressing its crystalline part by a desired value; Figure 5 shows a sectional view of a structure object of the invention; FIGS. 6A to 6P show, alternatively, two examples of the different steps of treatment of a basic elementary structure aimed at stressing its crystalline part by a desired value; FIGS. 7A to 7P represent, in a variant, two examples of the different steps of treatment of a basic elementary structure aimed at compressively compressing its crystalline part by a desired value. The arrows shown in the figures materialize the stress in tension or in compression and its intensity. For the sake of simplification, they are only shown during the first tensioning or compression sequences and during the additional sequences and not during the finishing sequences.

Des parties identiques, similaires ou équivalentes des différentes figures décrites ci-après portent les mêmes références numériques de façon à faciliter le passage d'une figure à l'autre. Les différentes parties représentées sur les figures ne le sont pas nécessairement selon une échelle uniforme, pour rendre les figures plus lisibles. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS On va décrire en se référant à la figure 1A une structure possédant un réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin objet de l'invention à périodicité choisie. Cette structure possède une première structure élémentaire 1 assemblée par collage direct à une seconde structure élémentaire 2. 35 Le réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin référencé 10 apparait à l'interface de collage. La période des dislocations a été choisie. Chacune des structures élémentaires 1, 2 comporte un empilement avec une partie cristalline 3, 4 possédant une face de liaison 30, 40 et un substrat final 3.1, 4.1. Les faces de liaison seront visibles sur les figures 2D, 2E, 3H, 4H, 6H, 7H. Comme on le verra ultérieurement, ces faces de liaison sont avantageusement issues d'un même plan de fracture, après retournements éventuels des parties cristallines au moyen de poignées. Les parties cristallines 3, 4 sont réalisées dans un même matériau mais de plus elles proviennent d'un même cristal. Cela signifie qu'elles possèdent, avant d'être traitées, un même paramètre de maille. On va traiter au moins l'une des parties cristallines, de manière à changer son paramètre de maille pour créer un désaccord de paramètres de maille lors de l'assemblage des faces de liaison 30, 40 afin d'obtenir le réseau bidimensionnel de dislocations périodiques coin à période maîtrisée, c'est-à-dire choisie. Pour éviter l'apparition d'une désorientation de torsion, on effectue au moins un repère 31, 34 sur chacune des parties cristallines 3, 4 avant traitement, ces deux repères 31, 41 ayant une même orientation par rapport au réseau cristallin de la partie cristalline 3, 4 qui le porte. On verra plus loin comment faire aisément ces repères 31, 34 en 36 utilisant le fait que les deux parties cristallines 3, 4 sont prélevées dans un même cristal. Le fait de prélever les deux parties cristallines 3, 4 dans le même cristal permet également d'éliminer une désorientation de flexion, en effet les deux faces libres initiales des parties cristallines avant traitement proviennent d'un même plan de coupe dans le cristal. Sur l'exemple de la figure 1A, le repère 31, 34 porté par chacune des parties cristallines 3, 4 est un méplat. D'autres types de repères sont possibles comme illustré sur la figure 1B qui montre l'une des faces de liaison 30 d'une partie cristalline 3 avant assemblage, les deux repères 31 qu'elle porte prennent la forme de deux rapporteurs munis de graduations qui suivent son bord, ce bord étant arrondi. Ces deux rapporteurs sont placés en vis-à-vis. Au lieu de deux rapporteurs, on aurait pu utiliser deux règles graduées droites placées parallèlement ou un cercle complet gradué. On va maintenant décrire un exemple de procédé permettant d'obtenir deux structures élémentaires dites de base 1', 2', avant que l'une d'entre elles, au moins, soit traitée au niveau de sa partie cristalline pour changer son paramètre de maille. On se réfère aux figures 2A, On part d'un substrat semi-conducteur sur isolant 200 dit de départ. Ce substrat de départ 200 comporte deux couches de matériau semi-conducteur 20, 22 séparées par une couche de matériau isolant 21. L'une des couches de matériau semi-conducteur 37 référencée 20 est plus épaisse que l'autre référencée 22. On se réfère à la figure 2A. Ce substrat de départ 200 peut être un substrat silicium sur isolant, le matériau semi-conducteur des deux couches 20, 22 étant du silicium. Mais bien sûr outre le silicium, le matériau semi-conducteur pourrait être par exemple du germanium, du nitrure de gallium, du carbure de silicium, de l'arséniure de gallium, du phosphure d'indium. Identical, similar or equivalent parts of the different figures described below bear the same numerical references so as to facilitate the passage from one figure to another. The different parts shown in the figures are not necessarily in a uniform scale, to make the figures more readable. DETAILED DESCRIPTION OF PARTICULAR EMBODIMENTS With reference to FIG. 1A, a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations which is the subject of the invention with a chosen periodicity will be described. This structure has a first elementary structure 1 assembled by direct bonding to a second elementary structure 2. The two-dimensional network of periodic dislocations coin referenced 10 appears at the bonding interface. The dislocation period was chosen. Each of the elementary structures 1, 2 comprises a stack with a crystalline part 3, 4 having a connecting face 30, 40 and a final substrate 3.1, 4.1. The connecting faces will be visible in Figures 2D, 2E, 3H, 4H, 6H, 7H. As will be seen later, these connecting faces are advantageously derived from the same fracture plane, after possible reversals of the crystalline portions by means of handles. The crystalline parts 3, 4 are made of the same material but moreover they come from the same crystal. This means that they have, before being processed, the same mesh parameter. At least one of the crystalline portions will be processed to change its mesh parameter to create a mesh parameter mismatch when assembling the bonding faces 30, 40 to obtain the two-dimensional network of periodic dislocations. corner period controlled, that is to say chosen. To avoid the occurrence of a torsional disorientation, at least one mark 31, 34 is made on each of the crystalline portions 3, 4 before treatment, these two marks 31, 41 having the same orientation with respect to the crystalline lattice of the part crystalline 3, 4 which carries it. It will be seen later how to easily make these marks 31, 34 in 36 using the fact that the two crystalline portions 3, 4 are taken from the same crystal. Taking the two crystal parts 3, 4 in the same crystal also eliminates bending disorientation, in fact the two initial free faces of the crystalline parts before treatment come from the same section plane in the crystal. In the example of Figure 1A, the mark 31, 34 carried by each of the crystalline portions 3, 4 is a flat. Other types of markers are possible, as illustrated in FIG. 1B, which shows one of the connecting faces 30 of a crystalline part 3 before assembly, the two marks 31 which it bears take the form of two reporters provided with graduations. which follow its edge, this edge being rounded. These two rapporteurs are placed opposite each other. Instead of two rapporteurs, one could have used two straight graduated rules placed parallel or a complete graduated circle. We will now describe an example of a method for obtaining two so-called basic elementary structures 1 ', 2', before one of them, at least, is treated at its crystalline part to change its parameter of mesh. Referring to FIGS. 2A, starting from a semiconductor substrate on insulator 200 said starting. This starting substrate 200 comprises two layers of semiconductor material 20, 22 separated by a layer of insulating material 21. One of the layers of semiconductor material 37 referenced 20 is thicker than the other referenced 22. refers to Figure 2A. This starting substrate 200 may be a silicon on insulator substrate, the semiconductor material of the two layers 20, 22 being silicon. But of course besides silicon, the semiconductor material could be for example germanium, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide.

Dans l'exemple décrit, comme on l'a déjà mentionné, on suppose que la couche de matériau semi-conducteur la moins épaisse 22 est un film de silicium <001> de 1,5 micromètre d'épaisseur et que la couche de matériau isolant 21 est de l'oxyde de silicium de 400 nanomètres d'épaisseur. C'est dans cette couche de matériau semi-conducteur la moins épaisse 22 que l'on va prélever les parties cristallines. Dans la couche de matériau semi-conducteur la moins épaisse 22 du substrat de départ 200, on réalise une implantation ionique, par exemple avec des ions hydrogène, à une dose 6.1016 at/cm2, à une énergie de 120 KeV depuis une face libre de la couche de matériau semi-conducteur la moins épaisse dite face implantée 22.1. On obtient ainsi une zone fragilisée 22.2 repérée par les croix sur la figure 2A. On réalise au moins un repère dit commun 300 dans la couche de matériau semi-conducteur la moins épaisse 22 (figure 2B) du substrat de départ 200. S'il s'agit d'un rapporteur ou d'une règle graduées, on le réalise par lithographie et gravure de manière à ce que la gravure atteigne une profondeur supérieure à celle 38 de la zone fragilisée 22.2 par rapport à la face implantée 22.1. Dans l'exemple le repère commun 300 est un rapporteur complet de 180 mm de diamètre, avec des graduations au 5/1000 de degré réalisé sur le bord du substrat de départ 200 sur la face en matériau semi- conducteur la plus fine. Si on avait voulu faire un méplat on aurait découpé selon une corde le substrat semi-conducteur sur isolant qui est généralement circulaire. In the example described, as already mentioned, it is assumed that the layer of the thinnest semiconductor material 22 is a silicon film <001> of 1.5 micrometer thick and that the layer of material insulator 21 is 400 nanometer thick silicon oxide. It is in this layer of semiconductor material the least thick 22 that we will take the crystalline parts. In the thinner semiconductor material layer 22 of the starting substrate 200, an ion implantation, for example with hydrogen ions, is carried out at a dose of 6.1016 at / cm 2 at an energy of 120 KeV from a free face of the thinnest layer of semi-conductor material referred to as the implanted face 22.1. There is thus obtained a weakened zone 22.2 indicated by the crosses in FIG. 2A. At least one common reference mark 300 is made in the thinnest semiconductor material layer 22 (FIG. 2B) of the initial substrate 200. If it is a protractor or a graduated ruler, it is performed by lithography and etching so that the etching reaches a depth greater than that 38 of the weakened zone 22.2 relative to the implanted face 22.1. In the example, the common reference mark 300 is a complete protractor of 180 mm in diameter, with gradations at 5/1000 of degree made on the edge of the starting substrate 200 on the face of semiconductor material finest. If we had wanted to make a flat it would have cut along a rope semiconductor substrate on insulator which is generally circular.

L'ordre des étapes d'implantation et de réalisation du repère peut être inversé. On va ensuite rapporter la face implantée 22.1 du substrat de départ 200 sur une plaque de matériau-semi-conducteur oxydée superficiellement 40 (figure 2C). La couche d'oxyde est référencée 41. L'assemblage se fait entre la couche d'oxyde 41 et la face implantée 22.1 de la couche de matériau semi-conducteur la moins épaisse 22. L'assemblage peut être un collage direct hydrophile. Un nettoyage chimique des surfaces à assembler est préconisé comme on l'a annoncé au début. On provoque ensuite la séparation en deux parties 1', 2' de la structure illustrée sur la figure 2C au niveau de la zone fragilisée 22.2. Cette séparation peut se faire par un recuit thermique, dans l'exemple, à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 1 heure. On aurait pu réaliser séparément ou en combinaison un traitement mécanique. Ces deux parties 1', 2' sont également des substrats semi-conducteurs sur isolant, elles sont illustrées aux figures 2D et 2E. Ce sont elles qui vont 39 former les deux structures élémentaires de base dont on a parlé plus haut. Elles comportent donc chacune une couche de matériau isolant 21, 41 enterré entre deux couches de matériau semi-conducteur, l'une des couches de matériau semi-conducteur 23, 43 étant plus fine que l'autre référencée 20, 40. C'est la couche de matériau semi-conducteur la plus fine 23, 43 qui va former la structure cristalline. Les deux structures cristallines 23, 43 sont bien issues d'un même bloc cristallin 22 qui est la couche la plus fine du SOI de départ 200. Les deux parties cristallines 23, 43 portent chacune au moins un repère 31, 34 provenant du repère commun 300 qui a également été séparé en deux. Eventuellement l'une des structures élémentaires de base 1', 2' pourra former une structure élémentaire à assembler, si on ne souhaite pas modifier le paramètre de maille de sa partie cristalline 23, 43. Il est toutefois préférable avant de pouvoir les utiliser en tant que structures élémentaires de base de les recuire à haute température, d'amincir et de polir les couches de matériau semi-conducteur les plus fines 23, 43. On peut réduire leur épaisseur à environ 200 nanomètres par exemple. Le polissage permet d'obtenir un état de surface plus lisse qu'auparavant. On va maintenant décrire un premier exemple de mise en tension, d'une valeur prédéterminée à une première température de référence, de la partie cristalline d'une des structures élémentaires de base illustrées sur les figures 2D, 2E. La première température de référence, est de préférence une 40 température ambiante car c'est la température à laquelle on va utiliser la partie cristalline contrainte en tension. Par température ambiante on entend une température comprise entre environ 15°C et 25°C. On suppose que l'on va s'occuper de la structure élémentaire de base 2' illustrée à la figure 2E, mais on aurait bien pu utiliser celle illustrée à la figure 2D. The order of the steps of implantation and realization of the marker can be reversed. The implanted face 22.1 of the starting substrate 200 will then be brought onto a superficially oxidized material-semiconductor plate 40 (FIG. 2C). The oxide layer is referenced 41. The assembly is made between the oxide layer 41 and the implant face 22.1 of the thinnest semiconductor material layer 22. The assembly may be a hydrophilic direct bonding. A chemical cleaning of the surfaces to be assembled is recommended as it was announced at the beginning. The two-part separation 1 ', 2' of the structure illustrated in FIG. 2C is then brought about at the weakened zone 22.2. This separation can be done by thermal annealing, in the example, at a temperature of about 500 ° C for about 1 hour. It could have been done separately or in combination mechanical treatment. These two parts 1 ', 2' are also semiconductor substrates on insulator, they are illustrated in Figures 2D and 2E. It is they who will form the two basic elementary structures discussed above. They therefore each comprise a layer of insulating material 21, 41 buried between two layers of semiconductor material, one of the layers of semiconductor material 23, 43 being thinner than the other referenced 20, 40. It is the thinnest semiconductor material layer 23, 43 which will form the crystalline structure. The two crystalline structures 23, 43 come from the same crystalline block 22 which is the thinnest layer of the starting SOI 200. The two crystalline parts 23, 43 each carry at least one reference 31, 34 from the common reference frame 300 which was also split in two. Optionally, one of the basic elementary structures 1 ', 2' may form an elementary structure to be assembled, if it is not desired to modify the mesh parameter of its crystalline part 23, 43. It is however preferable before being able to use them in as elementary basic structures to anneal them at high temperature, to thin and polish the thinnest semiconductor material layers 23, 43. Their thickness can be reduced to about 200 nanometers for example. Polishing provides a smoother surface finish than before. We will now describe a first example of setting, for a predetermined value at a first reference temperature, the crystalline portion of one of the basic elementary structures illustrated in FIGS. 2D, 2E. The first reference temperature is preferably an ambient temperature since it is the temperature at which the crystalline stress-strain portion will be used. By ambient temperature is meant a temperature of between about 15 ° C and 25 ° C. It is assumed that the basic basic structure 2 'illustrated in FIG. 2E will be dealt with, but it would have been possible to use the one illustrated in FIG. 2D.

Par la suite, chaque structure élémentaire de base 1', 2' comporte un empilement avec une partie cristalline 23, 43 et un substrat source 20', 40', le substrat source 20', 40', correspondant à la couche de matériau semi-conducteur la plus épaisse et à la couche d'isolant 21, 41 du substrat semi-conducteur sur isolant. La face que l'on a polie est appelée face libre initiale 23.1, 43.1. On va effectuer une première séquence d'étapes de mise en tension de la partie cristalline 43 de la structure élémentaire de base 2'. On va coller la structure élémentaire de base 2' par la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 sur un substrat cible 45 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat source 40' de la partie cristalline 43. Si le substrat source 40' est en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique inférieur à celui du silicium peut être de la silice fondue. Le collage peut être un collage direct, c'est-à-dire un collage par adhésion moléculaire sans apport d'adhésif ou un collage avec apport d'adhésif qui ne fluera pas lors de 41 changements de températures ultérieurs. Dans la suite de la description des figures 3A à 3H, 4A à 4H 6A à 6H, 7A à 7H, il y aura plusieurs collages, ces collages pourront être des collages correspondants à ceux décrits juste au dessus. Le collage s'effectue à une température supérieure à la première température de référence, qui dans l'exemple peut être, par exemple, de l'ordre de 350°C (figure 3A). La partie cristalline 43, le substrat cible 40' et le substrat cible 45 sont dilatés à la température de collage. Lors du refroidissement qui suit le collage, la partie cristalline 43 est partiellement empêchée de se contracter car le substrat cible 45 s'est moins dilaté que la partie cristalline 43 et le substrat cible 40'. Elle est donc contrainte partiellement en tension à la première température de référence. On soumet alors l'ensemble obtenu à la figure 3A à un recuit, préférentiellement à une température supérieure à la température du collage précédent, pendant environ deux heures. Ce premier recuit peut se faire à environ 500°C. Généralement le recuit se fait à une température d'au moins 150°C de plus que la température de collage. Dans la suite de la description, les recuits se feront à des températures supérieures à celles de collage et dureront environ 2 heures, mais ce n'est qu'un exemple non limitatif. Le recuit étant suivi d'un refroidissement, il n'a pas d'effet sur la contrainte en tension de la partie cristalline lorsqu'elle est soumise à la première température de référence. 42 On retire ensuite le substrat source 40' par exemple par rodage et attaque chimique. L'attaque chimique peut se faire avec du TMAH si le substrat source 40' est en silicium avec une couche d'arrêt enterrée en oxyde de silicium. On met à nu une autre face 43.2 de la partie cristalline 43, opposée à la face libre initiale 43.1 (figure 3B). Avec le retrait du substrat source 40', dans l'exemple en silicium, le substrat cible 45, dans l'exemple en silice, impose alors complètement sa dilatation à la partie cristalline 43, dans l'exemple en silicium, ce qui lui confère encore plus de contrainte en tension. On peut coller ensuite, sur l'autre face 43.2, à sensiblement la première température de référence, un substrat cible 46 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 45 collé lors de la première étape de collage de la première séquence (figure 3C). Le matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 45 peut être du germanium. Ce collage n'influe pas sur la contrainte en tension de la partie cristalline 43 puisqu'il se fait à la première température de référence. Subsequently, each basic elementary structure 1 ', 2' comprises a stack with a crystalline portion 23, 43 and a source substrate 20 ', 40', the source substrate 20 ', 40', corresponding to the layer of semi material -conductor thicker and insulating layer 21, 41 of the semiconductor substrate on insulator. The face that has been polished is called the initial free face 23.1, 43.1. A first sequence of steps of tensioning the crystalline portion 43 of the elementary basic structure 2 'will be carried out. The base elementary structure 2 'will be bonded to the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 on a target substrate 45 made of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the source substrate 40' of the crystalline portion 43 If the source substrate 40 'is silicon, the material with a thermal expansion coefficient lower than that of the silicon may be fused silica. The bonding may be a direct bonding, that is to say a bonding by molecular adhesion without adhesive or adhesive bonding adhesive that will not flow during 41 subsequent temperature changes. In the following description of Figures 3A to 3H, 4A to 4H 6A to 6H, 7A to 7H, there will be several collages, these collages may be collages corresponding to those described just above. Bonding is carried out at a temperature above the first reference temperature, which in the example may be, for example, of the order of 350 ° C (Figure 3A). The crystalline portion 43, the target substrate 40 'and the target substrate 45 are expanded at the bonding temperature. Upon cooling after sticking, the crystalline portion 43 is partially prevented from contracting because the target substrate 45 is less dilated than the crystalline portion 43 and the target substrate 40 '. It is therefore partially constrained in tension at the first reference temperature. The assembly obtained in FIG. 3A is then annealed, preferably at a temperature above the temperature of the previous bond, for about two hours. This first annealing can be done at about 500 ° C. Generally the annealing is at a temperature of at least 150 ° C higher than the bonding temperature. In the remainder of the description, the anneals will be at temperatures higher than those of bonding and will last about 2 hours, but this is only a non-limiting example. The annealing being followed by cooling, it has no effect on the tensile stress of the crystalline part when it is subjected to the first reference temperature. The source substrate 40 'is then removed, for example by lapping and etching. The chemical etching can be done with TMAH if the source substrate 40 'is silicon with a buried silicon oxide barrier layer. Another face 43.2 of the crystalline portion 43 is exposed, opposite to the initial free face 43.1 (FIG. 3B). With the removal of the source substrate 40 ', in the silicon example, the target substrate 45, in the silica example, then completely imposes its expansion on the crystalline part 43, in the silicon example, which confers on it even more stress in tension. It is then possible to bond, on the other face 43.2, substantially to the first reference temperature, a target substrate 46 made of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material 45 bonded during the first bonding step. of the first sequence (Figure 3C). The material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material 45 may be germanium. This bonding does not affect the voltage stress of the crystalline portion 43 since it is at the first reference temperature.

Après le collage, on effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 3C à une température de l'ordre de 200°C pendant environ deux heures. La partie cristalline 43 conserve sa 30 contrainte en tension à la première température de référence. 43 On retire ensuite le substrat cible 45 collé lors de la première étape de collage de la première séquence, par exemple par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 (figure 3D). La partie cristalline 43 conserve sa contrainte en tension à la première température de référence. Cette contrainte en tension peut être égale ou inférieure à la contrainte en tension prédéterminée. After bonding, thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 3C is carried out at a temperature of the order of 200 ° C. for about two hours. The crystalline portion 43 maintains its stress in tension at the first reference temperature. The target substrate 45 bonded is then removed during the first step of bonding the first sequence, for example by lapping and etching so as to expose the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 (Figure 3D). The crystalline portion 43 maintains its stress in tension at the first reference temperature. This voltage stress may be equal to or less than the predetermined voltage stress.

L'attaque chimique peut se faire avec de l'acide fluorhydrique si le matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline, est de la silice fondue. La première séquence d'étapes de mise en tension est terminée. Si la contrainte en tension obtenue à la figure 3D est égale à la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence et que la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau ayant un coefficient de dilation thermique différent de celui de la partie cristalline, on peut être amené à effectuer une séquence de finition visant à éviter que la contrainte en tension de la partie cristalline 43, qui est la contrainte en tension prédéterminée, n'évolue avec la température. Lors de cette séquence de finition, on colle sur la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43, un substrat cible 47 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau cristallin à sensiblement à la première température de référence (figure 3E). On retire le substrat cible 46 44 en le matériau à coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 45 collé lors de la première étape de collage de la première séquence, de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43 (figure 3F). Ensuite, afin que la face libre initiale soit accessible 43.1, on colle sur l'autre face 43.2 un substrat cible 48 en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline, à une température quelconque (figure 3G). On met à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43, cette face libre initiale devenant une face de liaison (figure 3H). Durant toutes ces étapes la partie cristalline 43 conserve à la première température de référence la contrainte en tension prédéterminée. Par température quelconque, on entend une température supérieure, égale ou inférieure à la température de référence. En effet, pour ne pas multiplier inutilement le nombre de figures, on suppose que les figures 3E à 3H illustrent aussi les étapes d'une séquence supplémentaire de mise en tension. Lors de cette séquence de finition, on prévoit les recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 3B et 3D. Les flèches matérialisant la contrainte concernent les étapes supplémentaires. Si la contrainte en tension à la première température de référence obtenue à la figure 3D est inférieure à la contrainte en tension prédéterminée, on 45 effectue une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en tension. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension, on colle un substrat cible 47' sur la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43, à une température supérieure à la première température de référence (figure 3E). En fait, on réitère l'étape de collage illustrée à la figure 3A. Ce substrat cible 47' est dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 46 collé sur l'autre face 43.1 de la partie cristalline 43 lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente. La température de collage peut être de l'ordre de 350°C. Après le collage, lorsque la partie cristalline 43 est revenue à la première température de référence, elle possède une contrainte en tension accrue par rapport à celle qu'elle avait avant le collage. Mais cette contrainte en tension n'est que partielle par rapport à celle qu'elle aura en fin de la séquence supplémentaire de mise en tension en cours. On effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 3E à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 2 heures. The etching can be done with hydrofluoric acid if the material with thermal expansion coefficient lower than that of the material of the crystalline part, is fused silica. The first sequence of tensioning steps is completed. If the voltage stress obtained in FIG. 3D is equal to the predetermined voltage stress at the first reference temperature and the crystalline portion is bonded to a target substrate made of material having a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part it may be necessary to carry out a finishing sequence to prevent the stress of the crystalline portion 43, which is the predetermined voltage stress, from changing with the temperature. During this finishing sequence, a target substrate 47 of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline material at substantially the first reference temperature is adhered to the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 (FIG. 3E). The target substrate 46 44 is removed from the material with a thermal coefficient of expansion greater than that of the material of the target substrate 45 bonded during the first step of bonding the first sequence, so as to expose the other face 43.2 of the crystalline portion 43 (Figure 3F). Then, so that the initial free face is accessible 43.1, a target substrate 48 is glued on the other face 43.2 to a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at any temperature (FIG. 3G). The initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 is exposed, this initial free face becoming a connecting face (FIG. 3H). During all these steps the crystalline portion 43 retains at the first reference temperature the predetermined voltage stress. By any temperature means a higher temperature, equal to or less than the reference temperature. Indeed, not to unnecessarily multiply the number of figures, it is assumed that Figures 3E to 3H also illustrate the steps of an additional sequence of tensioning. During this finishing sequence, annealing is expected after each bonding. In addition, the steps of withdrawal or stripping can be done as described in Figures 3B and 3D. The arrows materializing the constraint concern the additional steps. If the voltage stress at the first reference temperature obtained in FIG. 3 is less than the predetermined voltage constraint, one or more additional power-up sequences are performed. In each additional sequence of tensioning, a target substrate 47 'is glued to the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43, at a temperature higher than the first reference temperature (FIG. 3E). In fact, the gluing step illustrated in FIG. 3A is repeated. This target substrate 47 'is in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate 46 material stuck on the other face 43.1 of the crystalline portion 43 during the second bonding step of the previous sequence. The bonding temperature may be of the order of 350 ° C. After the bonding, when the crystalline portion 43 has returned to the first reference temperature, it has a tension stress increased compared to that it had before bonding. But this voltage constraint is only partial compared to that it will have at the end of the additional sequence of tensioning in progress. Thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 3E is carried out at a temperature of the order of 500 ° C. for approximately 2 hours.

La séquence supplémentaire de mise en tension se poursuit par une étape de retrait, par rodage et attaque chimique, par exemple, du substrat cible 46 collé sur l'autre face de la partie cristalline, lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente illustrée à la figure 3C, de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie 46 cristalline 43 (figure 3F). La partie cristalline acquiert une contrainte en tension accrue, car le substrat cible 47' impose complètement sa dilatation à la partie cristalline. Cette contrainte en tension est celle qu'elle aura en fin de la séquence supplémentaire de mise en tension en cours. L'attaque chimique peut se faire avec un mélange eau/eau oxygénée, ammoniac à environ 70°C si le substrat cible 46 est en germanium. La séquence supplémentaire de mise en tension peut se poursuivre par la réitération de l'étape de collage illustrée à la figure 3C, c'est-à-dire le collage sur l'autre face 43.2 d'un substrat cible 48' en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 47' collé à la partie cristalline 43 à la première étape de collage de la séquence supplémentaire en cours (figure 3E), sensiblement à la première température de référence. Le matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 47' collé à la partie cristalline 43 à la première étape de collage de la séquence en cours peut être du germanium. Ce collage n'influe pas sur la contrainte en tension de la partie cristalline. Ce collage est suivi d'un recuit comme décrit précédemment. En variante, et notamment lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en tension, il est possible, au lieu de réitérer l'étape de collage du substrat cible 48' en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau 47 du substrat cible 47' collé à la partie cristalline 43 à la première étape de collage de la séquence supplémentaire en cours, d'effectuer une étape de collage sur l'autre face 43.2, d'un substrat cible 48" en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline 43, à la première température de référence (figure 3G). De préférence, ce substrat 48" est dans le même matériau que la partie cristalline 43, dans l'exemple décrit il s'agit du silicium. La partie cristalline 43 conserve à la première température de référence, la contrainte en tension acquise à l'issue de l'étape de retrait illustrée à la figure 3F. The additional tensioning sequence is continued by a step of removal, by etching and etching, for example, of the target substrate 46 bonded to the other side of the crystalline part, during the second bonding step of the previous sequence illustrated in Figure 3C, so as to expose the other face 43.2 of the crystalline portion 46 (Figure 3F). The crystalline portion acquires an increased stress stress since the target substrate 47 'completely imposes its expansion on the crystalline portion. This voltage stress is the one that it will have at the end of the additional sequence of tensioning in progress. The etching can be done with a mixture of water / hydrogen peroxide, ammonia at about 70 ° C if the target substrate 46 is germanium. The additional tensioning sequence can be continued by repetition of the bonding step illustrated in FIG. 3C, that is to say the bonding on the other face 43.2 of a target substrate 48 'made of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material 47 'bonded to the crystalline portion 43 at the first step of bonding the additional sequence in progress (Figure 3E), substantially at the first reference temperature. The material with a thermal expansion coefficient greater than that of the target substrate material 47 'bonded to the crystalline portion 43 at the first bonding step of the current sequence may be germanium. This bonding does not affect the tensile stress of the crystalline part. This bonding is followed by annealing as described previously. As a variant, and in particular during the last additional tensioning sequence, it is possible, instead of repeating the step of bonding the target substrate 48 'to a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material 47 of the target substrate 47 'bonded to the crystalline portion 43 at the first bonding step of the additional sequence in progress, to perform a bonding step on the other face 43.2, a target substrate 48 "of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part 43, at the first reference temperature (FIG. 3G). Preferably, this substrate 48 "is in the same material as the crystalline part 43, in the example described it is silicon. The crystalline portion 43 retains at the first reference temperature, the voltage stress acquired at the end of the removal step illustrated in Figure 3F.

On réitère l'étape illustrée à la figure 3D en retirant ensuite le substrat cible 47' collé à la partie cristalline 43 à la première étape de collage de la séquence supplémentaire en cours, par exemple par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 (figure 3H). La partie cristalline 43 conserve la contrainte en tension accrue, à la première température de référence, acquise à l'issue de l'étape de retrait illustrée à la figure 3F. Cette contrainte en tension peut être égale ou inférieure à la contrainte en tension prédéterminée. On réitère la séquence supplémentaire de mise en tension tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence. Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en tension, on prévoit 48 des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 3B et 3D. La partie cristalline 43 possédant la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence a un paramètre de maille qui est différent de celui qu'elle avait à la figure 2E. On a ainsi obtenu une structure élémentaire traitée 49. On suppose que dans le procédé que l'on vient de décrire avec la réalisation de la première séquence de mise en tension suivie d'une seule séquence supplémentaire de mise en tension selon la variante décrite, la face de liaison est soumise à une contrainte en tension d'environ +700 MPa. Si on avait effectué la séquence supplémentaire de mise en tension deux fois à la suite, la contrainte en tension aurait été plus importante en valeur absolue. La différence entre la première température de référence et la température supérieure à la première température de référence, les matériaux des substrats cibles et le nombre de séquences de mise en tension sont choisis pour obtenir la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence. En variante, pour imposer une contrainte en tension prédéterminée à la partie cristalline, on peut effectuer une première séquence de mise en tension dans laquelle on colle la structure élémentaire de base 2' par la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 sur un substrat cible 45.1 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat source 40', 49 ce collage se faisant à une température sensiblement égale à la première température de référence (figure 3I). Si le substrat source 40' est en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique supérieur à celui du substrat source 40' peut être du germanium. La partie cristalline 43 et le substrat cible 45.1 ne sont pas dilatés à la température de collage. Comme précédemment on effectue un recuit thermique après le collage. The step illustrated in FIG. 3D is repeated by then removing the target substrate 47 'bonded to the crystalline portion 43 at the first step of bonding the additional sequence in progress, for example by grounding and etching so as to expose the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 (FIG. 3H). The crystalline portion 43 retains the increased tension stress, at the first reference temperature, acquired at the conclusion of the removal step illustrated in FIG. 3F. This voltage stress may be equal to or less than the predetermined voltage stress. The additional voltage sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined voltage stress at the first reference temperature. During each additional sequence of tensioning, annealing is provided after each bonding. In addition, the steps of withdrawal or stripping can be done as described in Figures 3B and 3D. The crystalline portion 43 having the predetermined voltage stress at the first reference temperature has a mesh parameter which is different from that in FIG. 2E. Thus, a treated elementary structure 49 has been obtained. It is assumed that in the method which has just been described with the realization of the first voltage setting sequence followed by a single additional voltage setting sequence according to the variant described, the bonding face is subjected to a voltage stress of about +700 MPa. If the additional voltage sequence had been carried out twice in succession, the voltage stress would have been larger in absolute value. The difference between the first reference temperature and the temperature above the first reference temperature, the target substrate materials and the number of voltage sequences are chosen to obtain the predetermined voltage stress at the first reference temperature. In a variant, to impose a predetermined tension stress on the crystalline part, it is possible to carry out a first tensioning sequence in which the basic elementary structure 2 'is glued by the initial free face 43.1 of the crystalline part 43 on a substrate target 45.1 in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the source substrate material 40 ', 49 this bonding being done at a temperature substantially equal to the first reference temperature (Figure 3I). If the source substrate 40 'is silicon, the material with a thermal coefficient of expansion greater than that of the source substrate 40' may be germanium. The crystalline portion 43 and the target substrate 45.1 are not dilated at the bonding temperature. As before, thermal annealing is performed after bonding.

On retire ensuite le substrat source 40' de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43, opposée à la face libre initiale 43.1 (figure 3J) On colle ensuite, sur l'autre face 43.2, à une température supérieure à la première température de référence, un substrat cible 46.1 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 45.1 collé lors de la première étape de collage de la séquence en cours (figure 3K). Le collage se faisant à chaud, la partie cristalline 43 et le substrat cible 46.1 sont dilatés. La dilatation de la partie cristalline est accrue à cause de son collage au préalable sur le substrat cible 45.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur au sien. Mais lors du refroidissement qui suit le collage et du retour à la première température de référence, la partie cristalline 43 est empêchée partiellement de se contracter autant qu'elle le voudrait, car le substrat cible 46.1 qui vient d'être collé l'en empêche. Elle 50 est donc partiellement contrainte en tension à la première température de référence. On retire ensuite le substrat cible 45.1 collé lors de la première étape de collage de la première séquence (figure 3L). Après le retrait du substrat cible 45.1 la partie cristalline 43 est alors complètement contrainte en tension par le substrat cible 46.1 qui la supporte. Cette étape illustrée à la figure 3L est la dernière de la séquence de mise en tension en cours. Cette contrainte en tension peut être égale ou inférieure à la contrainte en tension prédéterminée. Si la contrainte en tension obtenue à la figure 3L est égale à la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence, on peut être amené à effectuer une séquence de finition comme on l'a décrit précédemment. On colle sur la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 un substrat cible 47.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 43 à la première température de référence (figure 3M). On retire le substrat cible 46.1 en le matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 45.1 collé lors de la première étape de collage de la séquence précédente de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43 (figure 3N). On colle sur l'autre face 43.2 un substrat cible 48.1 en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie 51 cristalline, à une température quelconque (figure 30). On met à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43, cette face libre initiale devenant une face de liaison (figure 3P). Durant toutes ces étapes la partie cristalline 43 conserve, à la première température de référence, la contrainte en tension prédéterminée. Pour ne pas multiplier inutilement le nombre de figures, on suppose que les figures 3M à 3P illustrent aussi les étapes d'une séquence supplémentaire de mise en tension. Lors de cette séquence de finition, on prévoit les recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 3J et 3L. De la même manière que dans le premier exemple de mise en tension, si la contrainte en tension à la première température de référence obtenue à la figure 3L est inférieure à la contrainte en tension prédéterminée, on effectue une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en tension. The source substrate 40 'is then removed so as to expose the other face 43.2 of the crystalline part 43, opposite to the initial free face 43.1 (FIG. 3J). Then, on the other face 43.2, a temperature is glued to a temperature greater than the first reference temperature, a target substrate 46.1 made of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material 45.1 bonded during the first bonding step of the current sequence (FIG. 3K). The bonding is done hot, the crystalline portion 43 and the target substrate 46.1 are expanded. The expansion of the crystalline part is increased because of its prior bonding on the target substrate 45.1 in material having a coefficient of thermal expansion greater than its own. But during the cooling after the bonding and the return to the first reference temperature, the crystalline portion 43 is partially prevented from contracting as much as it would like, since the target substrate 46.1 which has just been bonded prevents it. . It is therefore partially constrained in voltage at the first reference temperature. The target substrate 45.1 which is glued during the first gluing step of the first sequence is then removed (FIG. 3L). After removal of the target substrate 45.1 the crystalline portion 43 is then completely voltage-strained by the target substrate 46.1 which supports it. This step illustrated in FIG. 3L is the last of the current power-up sequence. This voltage stress may be equal to or less than the predetermined voltage stress. If the voltage stress obtained in FIG. 3L is equal to the voltage stress predetermined at the first reference temperature, it may be necessary to carry out a finishing sequence as described previously. On the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43, a target substrate 47.1 of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part 43 at the first reference temperature (FIG. 3M) is adhered to. The target substrate 46.1 is removed from the material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the target substrate 45.1 bonded during the first bonding step of the preceding sequence so as to expose the other face 43.2 of the part crystalline 43 (Figure 3N). A target substrate 48.1 is bonded to the other face 43.2 in a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion 51, at any temperature (FIG. 30). The initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 is exposed, this initial free face becoming a connecting face (FIG. 3P). During all these steps the crystalline portion 43 retains, at the first reference temperature, the predetermined voltage stress. In order not to unnecessarily multiply the number of figures, it is assumed that FIGS. 3M-3P also illustrate the steps of an additional power-up sequence. During this finishing sequence, annealing is expected after each bonding. In addition the removal or stripping steps can be done as described in Figures 3J and 3L. In the same way as in the first example of voltageing, if the voltage stress at the first reference temperature obtained in FIG. 3L is less than the predetermined voltage constraint, one or more additional voltage-setting sequences are carried out. .

Dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension, on colle un substrat cible 47.1' sur la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 à une température sensiblement égale à la première température de référence (figure 3M). En fait on réitère l'étape de collage illustrée à la figure 3I. Ce substrat cible 47.1' est dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 46.1 collé sur l'autre face 43.1 de la partie cristalline 43 lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente. 52 La partie cristalline n'est pas contrainte en tension de manière accrue. On effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 3L à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 2 heures. La séquence supplémentaire de mise en tension se poursuit par une étape de retrait du substrat cible 46.1 collé sur l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43, de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43 (figure 3N). La séquence supplémentaire de mise en tension peut se poursuivre par la réitération de l'étape de collage illustrée à la figure 3K, c'est à dire le collage sur l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43 d'un substrat cible 48.1' en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 47.1' collé à la partie cristalline 43 lors de la première étape de collage de la séquence en cours, à une température supérieure à la première température de référence (figure 30). C'est lors du refroidissement et du retour à la première température de référence que la partie cristalline 43 acquiert une contrainte en tension accrue par rapport à celle qu'elle avait avant le collage à chaud. Mais cette contrainte en tension accrue n'est que partielle. La partie cristalline obtiendra toute sa contrainte en tension à l'issue de la dernière étape de la séquence supplémentaire de mise en tension comme on le verra plus loin. In each additional sequence of tensioning, a target substrate 47.1 'is bonded to the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 at a temperature substantially equal to the first reference temperature (FIG. 3M). In fact we reiterate the bonding step illustrated in Figure 3I. This target substrate 47.1 'is in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate 46.1 material stuck on the other face 43.1 of the crystalline portion 43 during the second bonding step of the previous sequence. The crystalline portion is not increased in tension. Thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 3L is carried out at a temperature of about 500 ° C. for about 2 hours. The additional tensioning sequence is continued by a step of removing the target substrate 46.1 stuck on the other face 43.2 of the crystalline portion 43, so as to expose the other face 43.2 of the crystalline portion 43 (FIG. 3N ). The additional sequence of tensioning can be continued by the reiteration of the bonding step illustrated in FIG. 3K, that is to say the bonding on the other face 43.2 of the crystalline part 43 of a target substrate 48.1 ' in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material 47.1 'bonded to the crystalline portion 43 during the first step of bonding the current sequence, to a temperature higher than the first reference temperature (FIG. 30). It is during the cooling and return to the first reference temperature that the crystalline portion 43 acquires an increased tension stress compared to that which it had before hot gluing. But this constraint in increased tension is only partial. The crystalline part will obtain all its stress in tension at the end of the last step of the additional tensioning sequence as will be seen later.

En variante, et notamment lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en tension, il 53 est possible, au lieu de réitérer l'étape de collage d'un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du substrat cible 47.1' collé sur la face libre initiale 43.1 à une température supérieure à la première température de référence, d'effectuer une étape de collage sur l'autre face 43.2 d'un substrat cible 48.1" en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline 43, à une température supérieure à la première température de référence. De préférence, ce substrat 48.1" est dans le même matériau que la partie cristalline 43, dans l'exemple décrit il s'agit du silicium. On va empêcher alors la variation de la contrainte en tension avec la température après le retrait ultérieur du substrat cible 47.1' collé sur la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43. On réitère l'étape illustrée à la figure 3L en retirant ensuite le substrat cible 47.1 collé à la première étape de collage de la séquence supplémentaire en cours, par exemple par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 (figure 3P). La partie cristalline 43 obtient sa contrainte en tension accrue à la première température de référence. Cette contrainte en tension peut être égale ou inférieure à la contrainte en tension prédéterminée. On réitère la séquence supplémentaire de mise en tension tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en tension prédéterminée à la première température de référence. Lors de chaque 54 séquence supplémentaire de mise en tension, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 3B et 3D. As a variant, and especially during the last additional tensioning sequence, it is possible, instead of repeating the step of bonding a target substrate into a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate. 47.1 'bonded to the initial free face 43.1 at a temperature higher than the first reference temperature, to perform a bonding step on the other face 43.2 of a target substrate 48.1 "of material having a substantially equal coefficient of thermal expansion that of the crystalline part 43, at a temperature higher than the first reference temperature, preferably this substrate 48.1 "is in the same material as the crystalline part 43, in the example described it is silicon. Then, the variation of the voltage stress with the temperature will be prevented after the subsequent removal of the target substrate 47.1 'bonded to the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43. The step illustrated in FIG. 3L is then repeated, then removing the target substrate 47.1 bonded to the first bonding step of the additional sequence in progress, for example by lapping and etching so as to expose the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 (Figure 3P). The crystalline portion 43 obtains its increased stress stress at the first reference temperature. This voltage stress may be equal to or less than the predetermined voltage stress. The additional voltage sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined voltage stress at the first reference temperature. At each additional tensioning sequence, annealing is provided after each bonding. In addition, the steps of withdrawal or stripping can be done as described in Figures 3B and 3D.

On va maintenant décrire en se référant aux figures 4A à 4I comment obtenir une partie cristalline contrainte en compression d'une valeur prédéterminée à une deuxième température de référence. La deuxième température de référence, est de préférence une température ambiante. On peut pour cela partir de la structure élémentaire de base illustrée à la figure 2D. On va débuter une première séquence d'étapes de mise en compression de la partie cristalline 23. On va coller la structure élémentaire de base 1' par la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 sur un substrat cible 60 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat source 20' de la partie cristalline 23. Si le substrat source 20' de la partie cristalline 23 est en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique supérieur à celui du substrat source peut être du germanium. Le collage s'effectue à une température supérieure à la deuxième température de référence qui dans l'exemple peut être par exemple de l'ordre de 350°C (figure 4A). Lors du chauffage le substrat cible et la partie cristalline se sont dilatés et lors du refroidissement qui suit, le substrat cible 60 va imposer une contrainte en compression partielle à la partie cristalline 23 à la deuxième température de référence. 55 On soumet alors l'ensemble obtenu à la figure 4A à un recuit à une température d'environ 500°C pendant environ 2 heures. Le recuit n'a pas d'influence sur la contrainte en compression de la partie cristalline une fois qu'elle est revenue à la deuxième température de référence. On retire ensuite le substrat source 20' par exemple par rodage et attaque chimique. L'attaque chimique peut se faire avec du TMAH si le substrat source 20' est en silicium et oxyde de silicium. On met à nu une autre face 23.2 de la partie cristalline 23, opposée à la face libre initiale 23.1 (figure 4B). Avec le retrait du substrat source 20', le substrat cible 60 impose complètement sa contrainte en compression à la partie cristalline 23. La partie cristalline 23 possède une contrainte en compression plus importante qu'avant le retrait du substrat source 20' à la deuxième température de référence. On colle ensuite, à sensiblement la deuxième température de référence, sur l'autre face 23.2, un substrat cible 61 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 60 collé lors de la première étape de collage de la séquence en cours (figure 4C). Le matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 60 peut être de la silice fondue. La partie cristalline 23 conserve sa contrainte en compression à la deuxième température de référence. Reference will now be made to FIGS. 4A-4I of how to obtain a crystalline portion constrained in compression from a predetermined value to a second reference temperature. The second reference temperature is preferably an ambient temperature. This can be done from the basic elementary structure shown in Figure 2D. A first sequence of steps of compressing the crystalline portion 23 will be started. The basic elementary structure 1 'will be bonded by the initial free face 23.1 of the crystalline part 23 on a target substrate 60 made of a material having a thermal expansion coefficient greater than that of the source substrate material 20 'of the crystalline portion 23. If the source substrate 20' of the crystalline portion 23 is silicon, the thermal coefficient of expansion material greater than that of the source substrate can be Germanium. Bonding is carried out at a temperature higher than the second reference temperature, which in the example may for example be of the order of 350 ° C. (FIG. 4A). During the heating, the target substrate and the crystalline part have expanded and during the cooling which follows, the target substrate 60 will impose a partial compressive stress on the crystalline part 23 at the second reference temperature. The assembly obtained in FIG. 4A is then annealed at a temperature of about 500 ° C. for about 2 hours. The annealing has no influence on the compressive stress of the crystalline portion once it has returned to the second reference temperature. The source substrate 20 'is then removed, for example by lapping and etching. Etching can be done with TMAH if the source substrate 20 'is silicon and silicon oxide. One exposes another face 23.2 of the crystalline part 23, opposite to the initial free face 23.1 (FIG. 4B). With the removal of the source substrate 20 ', the target substrate 60 completely imposes its compressive stress on the crystalline part 23. The crystalline part 23 has a greater compressive stress than before the withdrawal of the source substrate 20' at the second temperature reference. The other face 23.2 is then bonded, at substantially the second reference temperature, to a target substrate 61 made of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material 60 bonded during the first bonding step of FIG. the current sequence (Figure 4C). The material with a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material 60 may be fused silica. The crystalline portion 23 retains its compressive stress at the second reference temperature.

Après le collage, on effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 4C à une 56 température de l'ordre de 300°C pendant environ 2 heures. On retire ensuite le substrat cible 60 collé sur la face libre initiale 23.1 lors de la première étape de collage de la séquence en cours, par exemple par rodage et attaque chimique, de manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline (figure 4D). La partie cristalline 23 conserve sa contrainte en compression à la deuxième température de référence, cette contrainte en compression ayant été obtenue à l'issue de l'étape de retrait illustrée à la figure 4B. Cette contrainte en compression peut être inférieure ou égale à la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence. L'attaque chimique peut se faire avec un mélange eau/eau oxygénée/ammoniac à environ 70°C si le substrat cible 60 à retirer est en germanium. Si la contrainte en compression obtenue à la figure 4D est égale à la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence et que la partie cristalline est collée sur un substrat cible 61 en matériau à coefficient de dilatation thermique différent de celui de celui de la partie cristalline 23, on peut être amené à effectuer une séquence de finition visant à éviter que la contrainte en compression de la partie cristalline 23, qui est la contrainte en compression prédéterminée, n'évolue avec la température. Lors de cette séquence de finition, on colle sur la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 un substrat cible 62 en matériau ayant 57 un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 23 à la deuxième température de référence (figure 4E), on retire le substrat cible 61 en le matériau à coefficient de dilation thermique différent de celui du matériau de la partie cristalline 23, de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 (figure 4F), on colle sur l'autre face 23.2 un substrat cible 63 en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 23, à une température quelconque (figure 4G), on met à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23, cette face libre initiale 23.1 devenant une face de liaison (figure 4H). Durant toutes ces étapes la partie cristalline 23 conserve à la deuxième température de référence, la contrainte en compression prédéterminée. Les flèches représentées sur la partie cristalline 23 ne concernent pas cette séquence de finition mais la séquence supplémentaire de mise en tension décrite ci-dessous. En effet, pour ne pas multiplier inutilement le nombre de figures, on suppose que les figures 4E à 4H illustrent aussi les étapes d'une sequence supplémentaire de mise en compression. Lors de cette séquence de finition, on prévoit les recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 4B et 4D. Si la contrainte en compression à la deuxième température de référence obtenue à la figure 4D est inférieure à la contrainte en compression 58 prédéterminée, on effectue une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en compression. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression, on colle un substrat cible 62' sur la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 à une température supérieure à la deuxième température de référence (figure 4E). En fait on réitère l'étape de collage illustrée à la figure 4A. Ce substrat cible 62' est dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 61 collé sur l'autre face 23.1 de la partie cristalline 23 lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente (figure 4E). Cette température de collage peut être d'environ 350°C. Après le collage, lorsque la partie cristalline est revenue à la deuxième température de référence, elle possède une contrainte en compression accrue par rapport à celle qu'elle avait avant le collage. Mais cette contrainte en compression n'est que partielle par rapport à celle qu'elle possédera à la fin de la séquence supplémentaire en cours. On effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 4E à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 2 heures. La séquence supplémentaire de mise en compression se poursuit par une étape de retrait, par rodage et attaque chimique, du substrat cible 61 collé sur l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 (figure 4F). 59 A l'issue de cette étape de retrait, la partie cristalline 23 possède une contrainte en compression accrue qu'elle conservera jusqu'à la fin de la séquence supplémentaire de mise en compression en cours. L'attaque chimique peut se faire avec de l'acide fluorhydrique si le matériau du substrat cible 61 à retirer est en silice. La séquence supplémentaire de mise en compression peut se faire par la réitération de l'étape de collage illustrée à la figure 4C, c'est-à-dire le collage sur l'autre face 23.2 d'un substrat cible 63' en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible 62' collé à la partie cristalline 23 à la première étape de collage de la séquence en cours, à sensiblement la deuxième température de référence (figure 4G). Le matériau du substrat cible 63' peut être de la silice fondue. Ce collage n'influe pas sur la contrainte en compression de la partie cristalline 23. Ce collage est suivi d'un recuit comme décrit précédemment. En variante, et notamment lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en compression, il est possible au lieu de réitérer l'étape de collage d'un substrat cible en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat cible collé à la partie cristalline à la première étape de collage de la séquence en cours, d'effectuer une étape de collage sur l'autre face 23.2 d'un substrat cible 63" en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique 60 sensiblement égal à celui de la partie cristalline 23, à la deuxième température de référence. De préférence, ce substrat 63" est dans le même matériau que la partie cristalline 23, dans l'exemple décrit il s'agit du silicium. On empêchera alors la variation de la contrainte en compression avec la température après le retrait du substrat cible 62 collé à la première étape de collage de la séquence en cours. La partie cristalline 23 conserve à la deuxième température de référence, la contrainte en compression acquise à l'issue de l'étape de retrait illustrée à la figure 4F. On réitère l'étape décrite à la figure 4D en retirant ensuite le substrat cible 62 collé à la partie cristalline lors de la première étape de collage de la séquence en cours, par exemple par rodage et attaque chimique, de manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 (figure 4H). La partie cristalline 23 conserve sa contrainte en compression accrue à la deuxième température de référence. Cette contrainte en compression peut être égale ou inférieure à la contrainte en compression prédéterminée. On réitère la séquence supplémentaire de mise en compression tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence. Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en compression, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus, les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 4B et 4D. 61 La partie cristalline 23 possédant la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence possède un paramètre de maille qui est différent de celui qu'elle avait à la figure 2D. On a ainsi obtenu une structure élémentaire traitée 65. On suppose que dans le procédé que l'on vient de décrire avec la réalisation de la première séquence de mise en compression suivie d'une seule séquence supplémentaire de mise en compression selon la variante décrite, la face de liaison est soumise à une contrainte en compression d'environ - 500 MPa. Si on avait effectué la séquence supplémentaire de mise en compression deux fois à la suite, la contrainte en compression aurait été plus importante en valeur absolue. La différence entre la deuxième température de référence et la température supérieure à la deuxième température de référence, les matériaux des substrats cibles et le nombre de séquences de mise en tension sont choisis pour obtenir la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence. En variante, pour imposer une contrainte en compression prédéterminée à la partie cristalline 23, on peut effectuer une première séquence de mise en compression dans laquelle on colle la structure élémentaire de base 1' par la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23, sur un substrat cible 60.1 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat source 20', ce collage se faisant à une température sensiblement égale à la deuxième température de référence (figure 4I). Si la partie cristalline 23 est 62 en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique inférieur à celui du substrat source en silicium peut être de la silice. La partie cristalline 23 et le substrat cible 60.1 ne sont pas dilatés à la température de collage. Comme précédemment on effectue un recuit thermique après le collage. On retire ensuite le substrat source 20' de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23, opposée à la face libre initiale 23.1 (figure 4J). On colle ensuite, sur l'autre face 23.2, à une température supérieure à la deuxième température de référence, un substrat cible 61.1 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 60.1 collé à la partie cristalline lors de la première étape de collage de la séquence en cours (figure 4K). Le collage se faisant à chaud, la partie cristalline 23 et le substrat cible 61.1 sont dilatés. La dilatation de la partie cristalline 23 est limitée à cause de son collage au préalable sur le substrat cible 60.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau du substrat source 20'. Mais lors du refroidissement qui suit le collage et le retour à la deuxième température de référence, la partie cristalline 23 est obligée de se contracter plus qu'elle le voudrait, car le substrat cible 61.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur au sien l'entraîne en compression. Elle est donc contrainte en compression partiellement à la deuxième température de référence. 63 On retire ensuite le substrat cible 60.1 collé lors de la première étape de collage de la première séquence de mise en compression (figure 4L) mettant à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23. Comme dans l'exemple précédent, la partie cristalline 23 acquiert alors toute sa contrainte en compression à la deuxième température de référence. Cette contrainte en compression peut être égale ou inférieure à la contrainte en compression prédéterminée. Si la contrainte en compression obtenue à la figure 4L est égale à la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence et que la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique différent de celui de la partie cristalline, on peut être amené à effectuer une séquence de finition comme on l'a décrit précédemment. On colle sur la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 un substrat cible 62.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 23, sensiblement à la deuxième température de référence (figure 4M). After bonding, thermal annealing of the assembly shown in FIG. 4C is carried out at a temperature of the order of 300 ° C. for about 2 hours. The target substrate 60 bonded onto the initial free face 23.1 is then removed during the first step of bonding the current sequence, for example by lapping and etching, so as to expose the initial free face 23.1 of the crystalline part. (Figure 4D). The crystalline portion 23 retains its compressive stress at the second reference temperature, this compression stress having been obtained at the end of the removal step illustrated in FIG. 4B. This compressive stress may be less than or equal to the predetermined compressive stress at the second reference temperature. The etching can be done with a mixture of water / hydrogen peroxide / ammonia at about 70 ° C if the target substrate 60 to be removed is germanium. If the compressive stress obtained in FIG. 4D is equal to the predetermined compressive stress at the second reference temperature and the crystalline portion is bonded to a target substrate 61 made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of that of the crystalline portion 23, it may be necessary to carry out a finishing sequence to prevent the compressive stress of the crystalline portion 23, which is the predetermined compressive stress, changing with temperature. During this finishing sequence, a target substrate 62 of material 57 having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part 23 at the second reference temperature is bonded to the initial free face 23.1 of the crystalline portion 23. (FIG. 4E), the target substrate 61 is removed from the material with a coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part 23, so as to expose the other face 23.2 of the crystalline part 23 (FIG. 4F) a target substrate 63 of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part 23, at any temperature (FIG. 4G) is coated on the other face 23.2, exposing the free face initial 23.1 of the crystalline portion 23, this initial free face 23.1 becoming a connecting face (Figure 4H). During all these steps the crystalline portion 23 retains at the second reference temperature, the predetermined compressive stress. The arrows shown on the crystalline portion 23 do not relate to this finishing sequence but the additional tensioning sequence described below. Indeed, not to unnecessarily multiply the number of figures, it is assumed that Figures 4E to 4H also illustrate the steps of an additional sequence of compression. During this finishing sequence, annealing is expected after each bonding. In addition the removal or stripping steps can be done as described in Figures 4B and 4D. If the compressive stress at the second reference temperature obtained in FIG. 4D is less than the predetermined compressive stress 58, one or more additional compression sequences are carried out. In each additional compression sequence, a target substrate 62 'is bonded to the initial free face 23.1 of the crystalline portion 23 at a temperature higher than the second reference temperature (FIG. 4E). In fact we repeat the bonding step illustrated in Figure 4A. This target substrate 62 'is in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material 61 bonded to the other face 23.1 of the crystalline part 23 during the second bonding step of the preceding sequence (FIG. ). This bonding temperature can be about 350 ° C. After bonding, when the crystalline portion has returned to the second reference temperature, it has an increased compressive stress compared to that before bonding. But this constraint in compression is only partial compared to that it will have at the end of the additional sequence in progress. Thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 4E is carried out at a temperature of the order of 500 ° C. for approximately 2 hours. The additional sequence of compression is continued by a step of removal, by lapping and etching, of the target substrate 61 bonded to the other face 23.2 of the crystalline part 23 during the second bonding step of the preceding sequence, in order to expose the other face 23.2 of the crystalline part 23 (FIG. 4F). At the end of this removal step, the crystalline portion 23 has an increased compressive stress which it will retain until the end of the additional compression set in progress. Etching can be done with hydrofluoric acid if the material of the target substrate 61 to be removed is silica. The additional sequence of compression can be done by the reiteration of the bonding step illustrated in FIG. 4C, that is to say the bonding on the other face 23.2 of a target substrate 63 'made of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material 62 'bonded to the crystalline portion 23 at the first bonding step of the current sequence, at substantially the second reference temperature (Figure 4G). The target substrate material 63 'may be fused silica. This bonding does not affect the compressive stress of the crystalline portion 23. This bonding is followed by annealing as described above. As a variant, and in particular during the last additional compression sequence, it is possible instead of repeating the step of bonding a target substrate into a material having a thermal expansion coefficient lower than that of the target substrate material. bonded to the crystalline part in the first bonding step of the current sequence, performing a bonding step on the other face 23.2 of a target substrate 63 "of material having a coefficient of thermal expansion 60 substantially equal to that of the crystalline part 23, at the second reference temperature, preferably this substrate 63 "is in the same material as the crystalline part 23, in the example described it is silicon. The variation of the compressive stress with the temperature will then be prevented after the removal of the target substrate 62 bonded to the first bonding step of the current sequence. The crystalline part 23 retains at the second reference temperature, the compressive stress acquired at the end of the removal step illustrated in FIG. 4F. The step described in FIG. 4D is repeated by then removing the target substrate 62 bonded to the crystalline part during the first step of bonding the current sequence, for example by lapping and etching, so as to expose the initial free face 23.1 of the crystalline portion 23 (Figure 4H). The crystalline portion 23 retains its increased compressive stress at the second reference temperature. This compressive stress may be equal to or less than the predetermined compressive stress. The additional compression sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined compressive stress at the second reference temperature. During each additional sequence of compression, annealing is provided after each bonding. In addition, the steps of removal or stripping can be done as described in Figures 4B and 4D. The crystal portion 23 having the predetermined compressive stress at the second reference temperature has a mesh parameter which is different from that in FIG. 2D. Thus, a treated elementary structure 65 has been obtained. It is assumed that in the method just described with the realization of the first compression sequence followed by a single additional compression sequence according to the variant described, the bonding face is subjected to a compressive stress of about -500 MPa. Had the additional compression sequence been carried out twice in succession, the compressive stress would have been greater in absolute value. The difference between the second reference temperature and the temperature above the second reference temperature, the target substrate materials and the number of voltage sequences are chosen to obtain the predetermined compressive stress at the second reference temperature. As a variant, in order to impose a predetermined compressive stress on the crystalline part 23, a first compression sequence can be carried out in which the basic elementary structure 1 'is bonded by the initial free face 23.1 of the crystalline part 23, on a target substrate 60.1 made of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the source substrate material 20 ', this bonding occurring at a temperature substantially equal to the second reference temperature (FIG. 4I). If the crystalline portion 23 is silicon 62, the thermal coefficient of thermal expansion material smaller than that of the silicon source substrate may be silica. The crystalline portion 23 and the target substrate 60.1 are not dilated at the bonding temperature. As before, thermal annealing is performed after bonding. The source substrate 20 'is then removed so as to expose the other face 23.2 of the crystalline portion 23, opposite to the initial free face 23.1 (FIG. 4J). Then, on the other side 23.2, at a temperature higher than the second reference temperature, a target substrate 61.1 is bonded in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the target substrate 60.1 bonded to the crystalline part during the first step of sticking the current sequence (Figure 4K). The bonding is done hot, the crystalline portion 23 and the target substrate 61.1 are expanded. The expansion of the crystalline portion 23 is limited because of its prior bonding on the target substrate 60.1 material having a coefficient of thermal expansion less than that of the source substrate material 20 '. But during the cooling which follows the bonding and the return to the second reference temperature, the crystalline portion 23 is forced to contract more than it would like, since the target substrate 61.1 in material having a coefficient of thermal expansion greater than its own. leads to compression. It is therefore constrained in compression partially at the second reference temperature. The glued target substrate 60.1 is then removed during the first gluing step of the first compression sequence (FIG. 4L) exposing the initial free face 23.1 of the crystalline portion 23. As in the previous example, the crystalline part 23 then acquires all its compressive stress at the second reference temperature. This compressive stress may be equal to or less than the predetermined compressive stress. If the compressive stress obtained in FIG. 4L is equal to the predetermined compressive stress at the second reference temperature and the crystalline portion is bonded to a target substrate made of material having a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part it may be necessary to perform a finishing sequence as previously described. On the initial free face 23.1 of the crystalline portion 23, a target substrate 62.1 of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part 23, substantially at the second reference temperature (FIG. 4M) is adhered to.

On retire le substrat cible 61.1 en le matériau à coefficient de dilation thermique différent de celui du matériau de la partie cristalline 23 de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 (figure 4N). On colle sur l'autre face 23.2 un substrat cible 63.1 en un matériau ayant un coefficient de dilation thermique sensiblement égal à 64 celui du matériau de la partie cristalline 23, à une température quelconque (figure 40). On met à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23, cette face libre initiale devenant une face de liaison (figure 4P). Durant toutes ces étapes la partie cristalline 23 conserve à la deuxième température de référence la contrainte en compression prédéterminée acquise lors de la dernière étape de retrait de la première séquence de mise en compression. Pour ne pas multiplier inutilement le nombre de figures, on suppose que les figures 4M à 4P illustrent aussi les étapes d'une séquence supplémentaire de mise en compression. Lors de cette séquence de finition, on prévoit les recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 4J et 4L. De la même manière que dans le premier exemple de mise en compression, si la contrainte en compression à la deuxième température de référence obtenue à la figure 4L est inférieure à la contrainte en compression prédéterminée, on effectue une ou plusieurs séquences supplémentaires de mise en compression. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression, on colle un substrat cible 62.1' sur la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 à une température sensiblement égale à la deuxième température de référence (figure 4M). En fait on réitère l'étape de collage illustrée à la figure 4I. Ce substrat cible 62.1' est dans un matériau ayant un coefficient de dilation thermique inférieur à celui du 65 matériau du substrat cible 61.1 collé sur l'autre face 23.1 de la partie cristalline 23 lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente. La partie cristalline 23 n'est pas contrainte en compression de manière accrue. On effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 4M à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 2 heures. La séquence supplémentaire de mise en compression se poursuit par une étape de retrait, par rodage et attaque chimique, du substrat cible 61.1 collé sur l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 lors de la seconde étape de collage de la séquence précédente, de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 (figure 4N). La séquence supplémentaire de mise en compression peut se poursuivre par la réitération de l'étape de collage illustrée à la figure 4K, c'est à dire le collage d'un substrat cible 63.1' en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible 62.1' collé à la partie cristalline 23 à la première étape de collage de la séquence en cours, à une température supérieure à la deuxième température de référence (figure 40). C'est lors du refroidissement et du retour à la deuxième température de référence que la partie cristalline 23 acquiert une contrainte en compression accrue par rapport à celle qu'elle avait avant le collage à chaud et avant le retrait du substrat cible 61.1 à l'étape 4M. Mais cette contrainte en compression accrue n'est que partielle. Ce n'est qu'à l'issue de 66 l'étape de retrait du substrat cible 62.1' que la partie cristalline obtiendra sa pleine contrainte en compression pour la séquence supplémentaire de mise en compression en cours comme décrit ultérieurement à la figure 4P. Ce collage est suivi d'un recuit comme décrit précédemment. En variante, et notamment lors de la dernière séquence supplémentaire de mise en compression, il est possible, au lieu de réaliser l'étape de collage d'un substrat cible 63.1' en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau du substrat cible collé à la partie cristalline à la première étape de collage de la séquence en cours, d'effectuer une étape de collage sur l'autre face 23.2, d'un substrat cible 63.1" en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline 23, à une température supérieure à la deuxième température de référence. De préférence, ce substrat 63.1" est dans le même matériau que la partie cristalline 23, dans l'exemple décrit il s'agit du silicium. On empêchera alors la variation de la contrainte en compression avec la température après le retrait du substrat cible 62.1' collé à la première étape de collage de la séquence en cours. La partie cristalline 23 conserve à la deuxième température de référence, la contrainte en compression acquise à la figure 4L. On réitère l'étape décrite à la figure 4L en retirant ensuite le substrat cible 62.1' collé à la partie cristalline lors de la première étape de collage 67 de la séquence en cours, par exemple par rodage et attaque chimique, de manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 (figure 4P). La partie cristalline 23 conserve sa contrainte en compression accrue à la deuxième température de référence. Cette contrainte en compression peut être égale ou inférieure à la contrainte en compression prédéterminée. On réitère la séquence supplémentaire de mise en compression tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en compression prédéterminée à la deuxième température de référence. Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en compression, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 4J et 4L. On va ensuite préparer les faces de liaison des parties cristallines pour leur assemblage. On peut choisir d'assembler la partie cristalline obtenue à la figure 3H avec la partie cristalline obtenue à la figure 4H ou bien la partie cristalline obtenue à la figure 3H avec la partie cristalline obtenue à la figure 2D ou bien la partie cristalline obtenue à la figure 4H avec la partie cristalline obtenue à la figure 2E. Il est possible de réaliser une épitaxie à partir d'au moins une des parties cristallines à assembler, pour en changer la nature mais en veillant à éviter l'apparition de défauts qui pourraient modifier le paramètre de maille de la partie cristalline. Suivant le matériau épitaxié, on limitera son épaisseur pour qu'il conserve si ce paramètre de son paramètre de maille. Bien sûr, maille est le paramètre de maille naturel du matériau épitaxié, il épaisseur car aucune contrainte n'y a pas de limite en ne sera présente dans le matériau épitaxié. matériau épitaxié est Plus le paramètre de maille du différent de celui de la partie 10 cristalline sur laquelle va se faire la croissance, plus il faudra réduire l'épaisseur de matériau épitaxié pour éviter l'apparition de défauts cristallins. Si on choisit de faire un collage hydrophobe, ce qui est préférable parce que l'on souhaite éviter la formation d'un oxyde interfacial qui nuirait au contact cristallin, on recherche que les faces de liaison soient exemptes d'oxyde natif et que 15 l'on soit en présence d'ions H+. On peut utiliser une solution à base d'acide fluorhydrique pour la préparation. Si on choisit de faire un collage hydrophile, il faudra prévoir un recuit spécial pour 20 faire disparaître l'oxyde natif qui va se former à l'interface. Le collage hydrophobe se fait à température ambiante en alignant au mieux les repères portés par chacune des parties cristallines. Avec des repères de 25 type rapporteur, la précision peut être de l'ordre de plus ou moins 0,005°. On se réfère à la figure 5 qui montre l'ensemble obtenu après collage de la structure élémentaire traitée 49 obtenue à la figure 3H avec la structure élémentaire traitée 65 obtenue à la figure 4H 30 par les faces de liaison de leurs parties cristallines. Cet alignement permet d'éliminer la désorientation en 69 flexion et en torsion. On n'est donc en présence que d'un désaccord de paramètres de maille. A l'interface de collage, on est donc en présence d'un réseau périodique de dislocations bidimensionnelles coin dont on a choisi la période. La partie cristalline 43 de la figure 3H avec une contrainte en tension d'environ + 700 MPa a un paramètre de maille plus grand d'environ 0,4% que la partie cristalline de la figure 2E. Dans l'exemple décrit, la partie cristalline de la figure 2E est en silicium monocristallin standard. La partie cristalline 23 de la figure 4H avec une contrainte en compression d'environ - 500 MPa a un paramètre de maille plus petit d'environ 0,3% que la partie cristalline de la figure 2D. Dans l'exemple décrit, cette partie cristalline est en silicium monocristallin standard. Il y a donc une différence d'environ 0,7% de paramètre de maille entre les parties cristallines des figures 3H et 4H. La période du réseau périodique de dislocations bidimensionnelles coin sera d'environ 56 nanomètres. On aurait bien sûr pu assembler la structure élémentaire de base 1' à la structure élémentaire traitée 49 ou la structure élémentaire de base 2' à la structure élémentaire traitée 65. D'autres variantes sont encore possibles. Il est possible d'éviter d'utiliser beaucoup de matériaux différents et notamment un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie 70 cristalline. C'est intéressant lorsque ce substrat cible est en germanium car c'est un matériau cher. On va maintenant décrire un autre exemple de mise en tension, d'une valeur prédéterminée à une troisième température de référence, de la partie cristalline d'une des structures élémentaires de base illustrées sur les figures 2D, 2E. La troisième température de référence, est de préférence une température ambiante. On suppose que l'on s'occupe de la structure élémentaire de base illustrée à la figure 2E. On va effecteur une première séquence d'étapes de mise en tension de la partie cristalline de la structure élémentaire de base 2'. On colle la structure élémentaire de base 2' par la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 sur un substrat cible 55 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 43. Si la partie cristalline 43 est en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique inférieur à celui du silicium peut être de la silice fondue. Le collage s'effectue à une température supérieure à la troisième température de référence (figure 6A). Cette température peut être de l'ordre de 350°C. La partie cristalline et le substrat cible sont dilatés à cette température de collage. Lors du refroidissement qui suit le collage, la partie cristalline ne peut se contracter car le substrat cible 55 l'en empêche puisqu'il s'est moins dilaté que la partie cristalline. Elle est donc partiellement 71 contrainte en tension à la troisième température de référence. On soumet alors l'ensemble obtenu à la figure 6A à un recuit à une température d'environ 500°C pendant environ 2 heures. Comme indiqué lors de la description des figures 3, le recuit n'a pas d'effet sur la contrainte de la partie cristalline lorsqu'elle est soumise à la troisième température de référence. On retire ensuite le substrat source 40' par exemple par rodage et attaque chimique. L'attaque chimique peut se faire avec du TMAH si le substrat source 40' est en silicium avec une couche d'arrêt enterrée en oxyde de silicium. On met à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43, opposée à la face libre initiale 43.1 (figure 6B). Après le retrait du substrat source 40', la partie cristalline est pleinement contrainte en tension pour cette séquence de mise en tension. La contrainte en tension est d'environ + 170 MPa. The target substrate 61.1 is removed from the material having a coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part 23 so as to expose the other face 23.2 of the crystalline part 23 (FIG. 4N). A target substrate 63.1 is bonded to the other face 23.2 in a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion 23, at any temperature (FIG. 40). The initial free face 23.1 of the crystalline portion 23 is exposed, this initial free face becoming a connecting face (FIG. 4P). During all these steps, the crystalline portion 23 retains at the second reference temperature the predetermined compressive stress acquired during the last step of removing the first compression sequence. In order not to unnecessarily multiply the number of figures, it is assumed that FIGS. 4M-4P also illustrate the steps of an additional compression sequence. During this finishing sequence, annealing is expected after each bonding. In addition, the steps of withdrawal or stripping can be done as described in Figures 4J and 4L. In the same way as in the first compression example, if the compressive stress at the second reference temperature obtained in FIG. 4L is less than the predetermined compressive stress, one or more additional compression sequences are carried out. . In each additional compression sequence, a target substrate 62.1 'is bonded to the initial free face 23.1 of the crystalline portion 23 at a temperature substantially equal to the second reference temperature (FIG. 4M). In fact we reiterate the bonding step illustrated in Figure 4I. This target substrate 62.1 'is in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate 61.1 material stuck on the other face 23.1 of the crystalline portion 23 during the second bonding step of the previous sequence. The crystalline portion 23 is not constrained in increased compression. Thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 4M is carried out at a temperature of about 500 ° C. for about 2 hours. The additional sequence of compression is continued by a step of removal, by lapping and etching, of the target substrate 61.1 bonded to the other face 23.2 of the crystalline portion 23 during the second bonding step of the preceding sequence, in order to expose the other face 23.2 of the crystalline part 23 (FIG. 4N). The additional sequence of compression can be continued by the reiteration of the bonding step illustrated in FIG. 4K, that is to say the bonding of a target substrate 63.1 'of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the target substrate 62.1 'bonded to the crystalline part 23 at the first bonding step of the current sequence, at a temperature higher than the second reference temperature (FIG. 40). It is during the cooling and return to the second reference temperature that the crystalline portion 23 acquires an increased compressive stress compared to that which it had before the hot bonding and before the removal of the target substrate 61.1 from the step 4M. But this constraint in increased compression is only partial. It is only after the step of removing the target substrate 62.1 'that the crystalline portion will obtain its full compressive stress for the additional compression set in progress as described later in FIG. 4P. This bonding is followed by annealing as described previously. As a variant, and especially during the last additional compression sequence, it is possible, instead of performing the step of bonding a target substrate 63.1 'to a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material from the target substrate bonded to the crystalline part at the first bonding step of the current sequence, to perform a bonding step on the other face 23.2, of a target substrate 63.1 "of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part 23, at a temperature greater than the second reference temperature, preferably this substrate 63.1 "is in the same material as the crystalline part 23, in the example described it is silicon. The variation of the compressive stress with the temperature after removal of the target substrate 62.1 'bonded to the first bonding step of the current sequence will then be prevented. The crystalline portion 23 retains at the second reference temperature, the compressive stress acquired in Figure 4L. The step described in FIG. 4L is repeated by then removing the target substrate 62.1 'bonded to the crystalline part during the first bonding step 67 of the current sequence, for example by etching and etching, so as to set n the initial free face 23.1 of the crystalline part 23 (FIG. 4P). The crystalline portion 23 retains its increased compressive stress at the second reference temperature. This compressive stress may be equal to or less than the predetermined compressive stress. The additional compression sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined compressive stress at the second reference temperature. During each additional sequence of compression, annealing is provided after each bonding. In addition, the steps of withdrawal or stripping can be done as described in Figures 4J and 4L. The bonding faces of the crystalline parts are then prepared for their assembly. We can choose to assemble the crystalline part obtained in FIG. 3H with the crystalline part obtained in FIG. 4H or else the crystalline part obtained in FIG. 3H with the crystalline part obtained in FIG. 2D or the crystalline part obtained at the Figure 4H with the crystalline portion obtained in Figure 2E. It is possible to carry out epitaxy from at least one of the crystalline parts to be assembled, in order to change their nature, while taking care to avoid the appearance of defects that could modify the mesh parameter of the crystalline part. Depending on the epitaxial material, its thickness will be limited so that it retains if this parameter of its mesh parameter. Of course, mesh is the natural mesh parameter of the epitaxial material, it thickness because no stress is no limit in not being present in the epitaxial material. As the epitaxial material is more the mesh parameter of the different from that of the crystalline part on which growth will occur, the thickness of epitaxial material will have to be reduced to avoid the appearance of crystalline defects. If hydrophobic bonding is chosen, which is preferable because it is desired to avoid the formation of an interfacial oxide which would interfere with crystalline contact, it is desired that the bonding faces be free of native oxide and that the it is in the presence of H + ions. A hydrofluoric acid solution can be used for the preparation. If one chooses to make a hydrophilic bonding, it will be necessary to provide a special annealing to remove the native oxide that will form at the interface. The hydrophobic bonding is carried out at ambient temperature by optimally aligning the marks carried by each of the crystalline parts. With reporter type markers, the accuracy can be in the range of plus or minus 0.005 °. Referring to Figure 5 which shows the assembly obtained after bonding the treated elemental structure 49 obtained in Figure 3H with the treated elemental structure 65 obtained in Figure 4H 30 by the bonding faces of their crystalline portions. This alignment eliminates disorientation in bending and twisting. We are therefore in the presence of a disagreement of mesh parameters. At the bonding interface, we are in the presence of a periodic network of two-dimensional dislocations coin whose period was chosen. The crystalline portion 43 of Figure 3H with a voltage stress of about +700 MPa has a larger mesh parameter of about 0.4% than the crystalline portion of Figure 2E. In the example described, the crystalline portion of FIG. 2E is standard monocrystalline silicon. The crystalline portion 23 of FIG. 4H with a compressive stress of about -500 MPa has a smaller mesh size of about 0.3% than the crystalline portion of FIG. 2D. In the example described, this crystalline part is made of standard monocrystalline silicon. There is therefore a difference of about 0.7% mesh parameter between the crystalline portions of Figures 3H and 4H. The period of the periodic array of two-dimensional corner dislocations will be about 56 nanometers. It would of course have been possible to assemble the elementary basic structure 1 'with the treated elementary structure 49 or the basic elementary structure 2' with the treated elementary structure 65. Other variants are still possible. It is possible to avoid using many different materials and in particular a target substrate made of material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline portion 70. This is interesting when this target substrate is germanium because it is expensive material. Another example of setting, for a predetermined value at a third reference temperature, the crystalline portion of one of the basic elementary structures illustrated in FIGS. 2D, 2E will now be described. The third reference temperature is preferably an ambient temperature. It is assumed that the basic basic structure illustrated in Figure 2E is addressed. A first sequence of steps of tensioning of the crystalline part of the elementary basic structure 2 'is effected. The basic elemental structure 2 'is bonded by the initial free face 43.1 of the crystalline portion 43 to a target substrate 55 made of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part 43. If the crystalline part 43 is made of silicon, the material with a thermal expansion coefficient lower than that of silicon may be fused silica. The bonding is carried out at a temperature higher than the third reference temperature (FIG. 6A). This temperature may be of the order of 350 ° C. The crystalline part and the target substrate are dilated at this bonding temperature. During cooling after sticking, the crystalline part can not contract because the target substrate 55 prevents it since it has less dilated than the crystalline part. It is therefore partially voltage-stressed at the third reference temperature. The assembly obtained in FIG. 6A is then annealed at a temperature of about 500 ° C. for about 2 hours. As indicated in the description of FIG. 3, the annealing has no effect on the stress of the crystalline part when it is subjected to the third reference temperature. The source substrate 40 'is then removed, for example by lapping and etching. The chemical etching can be done with TMAH if the source substrate 40 'is silicon with a buried silicon oxide barrier layer. The other face 43.2 of the crystalline portion 43 is exposed, opposite to the initial free face 43.1 (FIG. 6B). After removal of the source substrate 40 ', the crystalline portion is fully voltage-stressed for this voltage sequence. The stress in tension is about +170 MPa.

Ensuite, on effectue une étape de collage, sur l'autre face 43.2, à une température sensiblement égale à la troisième température de référence, d'un substrat cible 56 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 (figure 6C). Le matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 peut être du silicium tout comme la partie cristalline. La partie cristalline 43 conserve la contrainte en tension acquise après le retrait du substrat source 40'. Après ce collage, on effectue un 72 recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 6C, à une température de l'ordre de 200°C pendant environ deux heures. La partie cristalline 43 conserve sa contrainte en tension acquise après le retrait du substrat source 40'. On retire ensuite le substrat cible 55 en matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 43, par exemple, par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline (figure 6D). La partie cristalline 43 conserve sa contrainte en tension acquise après le retrait du substrat source 40' comme illustré à la figure 6B. Next, a bonding step is carried out on the other face 43.2, at a temperature substantially equal to the third reference temperature, of a target substrate 56 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the substrate material. the crystalline portion 43 (Figure 6C). The material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline portion 43 may be silicon as well as the crystalline portion. The crystalline portion 43 retains the voltage stress acquired after removal of the source substrate 40 '. After this bonding, thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 6C is carried out at a temperature of the order of 200 ° C. for about two hours. The crystalline portion 43 retains its voltage stress acquired after removal of the source substrate 40 '. The target substrate 55 is then removed from a material with a coefficient of thermal expansion that is less than that of the material of the crystalline portion 43, for example by lapping and etching so as to expose the initial free face 43.1 of the crystalline part (FIG. 6D). The crystalline portion 43 retains its voltage stress acquired after removal of the source substrate 40 'as shown in FIG. 6B.

L'attaque chimique peut se faire avec de l'acide fluorhydrique si le matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline est de la silice fondue. Si la partie cristalline 43 illustrée à la figure 6D a acquis une contrainte en tension égale à la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence, on a obtenu une des structures à assembler. La contrainte en tension de la partie cristalline ne changera pas avec des variations de température puisque la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline. Si la contrainte en tension de la partie cristalline 43 acquise à l'issue de la première séquence de mise en tension est inférieure à la 73 contrainte en tension prédéterminée, on peut réitérer une ou plusieurs fois une séquence supplémentaire de mise en tension. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension, on réitère l'étape illustrée à la figure 6A, de collage sur la face libre initiale 43.1 d'un substrat cible 57 en un matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 43 à une température supérieure à la troisième température de référence (figure 6E). Cette température peut être de l'ordre de 350°C. Après le collage, lorsque la partie cristalline 43 est revenue à la troisième température de référence, elle possède une contrainte en tension accrue par rapport à celle qu'elle avait avant le collage mais partielle par rapport à celle qu'elle aura à l'issue de la séquence en cours de mise en tension. On effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 6E à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 2 heures. La séquence supplémentaire de mise en tension se poursuit par une étape de retrait par rodage et attaque chimique du substrat cible 56 en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 43 de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43 (figure 6F). L'attaque chimique peut se faire avec du TMAH si le matériau est du silicium. A l'issue de cette étape de retrait, la partie cristalline acquiert une pleine contrainte en tension pour la séquence supplémentaire en cours. 74 L'enchaînement de l'étape de collage à chaud et du retrait apporte une contrainte en tension supplémentaire d'environ + 170 MPa à la partie cristalline. Avec une température de l'ordre de 200°C au lieu de 350°C, on aurait obtenu une contrainte en tension supplémentaire de seulement environ + 85 MPa au lieu d'environ + 170 MPa. La séquence supplémentaire de mise en tension se poursuit par la réitération de l'étape illustrée à la figure 6C qui est une étape de collage, sur l'autre face 43.2, d'un substrat cible 58 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 (figure 6G) à une température sensiblement égale à la troisième température de référence. Le matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 peut être du silicium tout comme la partie cristalline. Ce collage n'a pas d'influence sur la contrainte en tension de la partie cristalline acquise à l'issue de l'étape de retrait illustrée à la figure 6F. La séquence comprend également la réitération de l'étape 6D de retrait du substrat cible 57 en matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 43, par exemple par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 (figure 6H). La partie cristalline conserve à la troisième température de référence la contrainte en tension accrue acquise à la figure 6F. Cette contrainte 75 accrue pouvant être égale ou inférieure à la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence. On réitère la séquence supplémentaire de mise en tension tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence. Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en tension, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 6B et 6D. La partie cristalline 43 possédant la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence a un paramètre de maille qui est différent de celui qu'elle avait à la figure 2E. On a ainsi obtenu une structure élémentaire traitée 59. La différence entre la troisième température de référence et la température supérieure à la troisième température de référence, les matériaux des substrats cibles et le nombre de séquences de mise en tension sont choisis pour obtenir la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence. En variante, comme on l'a déjà expliqué aux figures 3, on pourrait coller la structure élémentaire de base 2' par la face libre initiale 43.1 de la partie cristalline 43 sur un substrat cible 55.1 en un matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 43, à une température sensiblement égale à la troisième température de référence (figure 6I). La partie cristalline 43 et le substrat cible 55.1 ne sont pas dilatés à la température de collage. On retire ensuite 76 le substrat source 40' mettant à nu l'autre face de 43.2 de la partie cristalline 43 (figure 6J). On effectue une étape de collage, sur l'autre face 43.2, à une température supérieure à la troisième température de référence, d'un substrat cible 56.1 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 (figure 6K). Le collage se faisant à chaud, la partie cristalline 43 et le substrat cible 56.1 sont dilatés. La dilatation de la partie cristalline 43 est accrue à cause de son collage au préalable sur le substrat cible 55.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur au sien. Mais lors du refroidissement qui suit le collage et le retour à la troisième température de référence, la partie cristalline 43 est partiellement empêchée de se contracter autant qu'elle le voudrait, car le substrat cible 56.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique sensiblement égal au sien l'en empêche. Elle est donc partiellement contrainte en tension à la troisième température de référence. On retire ensuite le substrat cible 55.1 en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 43 (figure 6L). A l'issue de ce retrait, la partie cristalline 43 acquiert alors une pleine contrainte en tension correspondant à la séquence de mise en tension à la troisième température de référence. The etching can be done with hydrofluoric acid if the material with thermal expansion coefficient lower than that of the material of the crystalline part is fused silica. If the crystalline portion 43 illustrated in FIG. 6D has acquired a voltage stress equal to the predetermined voltage stress at the third reference temperature, one of the structures to be assembled has been obtained. The tension stress of the crystalline part will not change with temperature variations since the crystalline part is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part. If the voltage stress of the crystalline portion 43 acquired at the end of the first power-up sequence is less than the predetermined voltage stress, one or more times can be reiterated an additional power-up sequence. In each additional tensioning sequence, the step illustrated in FIG. 6A, of bonding on the initial free face 43.1 of a target substrate 57, is reiterated in a material with a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the part. crystalline 43 at a temperature above the third reference temperature (Figure 6E). This temperature may be of the order of 350 ° C. After bonding, when the crystalline portion 43 has returned to the third reference temperature, it has an increased tension stress compared to that it had before bonding but partial compared to that it will have at the end of the sequence being put in tension. Thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 6E is carried out at a temperature of the order of 500 ° C. for approximately 2 hours. The additional tensioning sequence is continued by a step of withdrawal by etching and chemical etching of the target substrate 56 of material with a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part 43 so as to expose the other 43.2 of the crystalline portion 43 (Figure 6F). Chemical etching can be done with TMAH if the material is silicon. At the end of this removal step, the crystalline portion acquires a full voltage stress for the additional sequence in progress. The sequencing of the hot-bonding step and the shrinkage brings an additional tensile stress of about + 170 MPa to the crystalline portion. With a temperature of the order of 200 ° C. instead of 350 ° C., an additional tension stress of about +85 MPa would have been obtained instead of about +170 MPa. The additional tensioning sequence continues with the reiteration of the step illustrated in FIG. 6C, which is a step of bonding, on the other face 43.2, a target substrate 58 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion that of the material of the crystalline portion 43 (Figure 6G) at a temperature substantially equal to the third reference temperature. The material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline portion 43 may be silicon as well as the crystalline portion. This bonding has no influence on the tensile stress of the crystalline part acquired at the end of the removal step illustrated in FIG. 6F. The sequence also comprises the reiteration of the step 6D for removing the target substrate 57 from a material with a coefficient of thermal expansion that is less than that of the material of the crystalline part 43, for example by lapping and etching so as to expose the face initial free 43.1 of the crystalline portion 43 (Figure 6H). The crystalline part retains at the third reference temperature the increased tension stress acquired in FIG. 6F. This increased stress 75 may be equal to or less than the predetermined voltage stress at the third reference temperature. The additional voltage sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined voltage stress at the third reference temperature. During each additional sequence of tensioning, annealing is provided after each bonding. In addition, the removal or stripping steps can be done as described in FIGS. 6B and 6D. The crystalline portion 43 having the predetermined voltage stress at the third reference temperature has a mesh parameter which is different from that in FIG. 2E. Thus, a treated elemental structure 59 has been obtained. The difference between the third reference temperature and the temperature above the third reference temperature, the target substrate materials and the number of tensioning sequences are chosen to obtain the stress. predetermined voltage at the third reference temperature. Alternatively, as already explained in FIG. 3, the basic elementary structure 2 'could be bonded to the initial free face 43.1 of the crystalline part 43 on a target substrate 55.1 made of a material having a higher coefficient of thermal expansion. to that of the material of the crystalline part 43, at a temperature substantially equal to the third reference temperature (FIG. 6I). The crystalline portion 43 and the target substrate 55.1 are not dilated at the bonding temperature. The source substrate 40 'exposing the other side of 43.2 of the crystalline portion 43 (Figure 6J) is then removed. A bonding step is carried out on the other face 43.2, at a temperature above the third reference temperature, of a target substrate 56.1 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the material of the crystalline part. 43 (Figure 6K). The bonding is done hot, the crystalline portion 43 and the target substrate 56.1 are expanded. The expansion of the crystalline portion 43 is increased because of its prior bonding on the target substrate 55.1 in material having a coefficient of thermal expansion greater than its own. But during the cooling which follows the bonding and the return to the third reference temperature, the crystalline portion 43 is partially prevented from contracting as much as it would like, since the target substrate 56.1 made of a material having a substantially equal coefficient of thermal expansion to his own prevents him. It is therefore partially constrained in voltage at the third reference temperature. The target substrate 55.1 is then removed from a material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline portion 43 (FIG. 6L). At the end of this withdrawal, the crystalline part 43 then acquires a full voltage stress corresponding to the voltage setting sequence at the third reference temperature.

Si la partie cristalline 43 illustrée à la figure 6L a acquis une contrainte en tension égale à la 77 contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence, on a obtenu une des structures à assembler. Si la contrainte en tension de la partie cristalline à la troisième température de référence est inférieure à la contrainte en tension prédéterminée, on peut réitérer une ou plusieurs fois une séquence supplémentaire de mise en tension. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en tension on réitère l'étape illustrée à la figure 6I, de collage sur la face libre initiale 43.1 d'un substrat cible 57.1 en un matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 43 à une température sensiblement égale à la troisième température de référence (figure 6M). La séquence supplémentaire de mise en tension se poursuit par une étape de retrait du substrat cible 56.1 en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 43 de manière à mettre à nu l'autre face 43.2 de la partie cristalline 43 (figure 6N). La séquence supplémentaire de mise en tension se poursuit par la réitération de l'étape illustrée à la figure 6K en collant ensuite, sur l'autre face 43.2, d'un substrat cible 58.1 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 (figure 60) à une température supérieure à la troisième température de référence. C'est après cette étape de collage, lorsque la structure est revenue à la troisième température de référence que la partie cristalline 43 78 possède une contrainte en tension accrue. La séquence comprend également la réitération de l'étape 6L de retrait du substrat cible 57.1 en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 43 (figure 6P). La partie cristalline conserve à la troisième température de référence la contrainte en tension accrue acquise après la figure 6M. Cette contrainte accrue pouvant être égale ou inférieure à la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence. On réitère la séquence supplémentaire de mise en tension tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en tension prédéterminée à la troisième température de référence. If the crystalline portion 43 shown in FIG. 6L has acquired a voltage stress equal to the predetermined voltage stress at the third reference temperature, one of the structures to be assembled has been obtained. If the voltage stress of the crystalline portion at the third reference temperature is less than the predetermined voltage stress, one or more times can be repeated one additional voltage sequence. In each additional tensioning sequence, the step illustrated in FIG. 6I is repeated, of bonding on the initial free face 43.1 of a target substrate 57.1 in a material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part. 43 at a temperature substantially equal to the third reference temperature (FIG. 6M). The additional tensioning sequence is continued by a step of removing the target substrate 56.1 in thermal expansion coefficient material substantially equal to that of the material of the crystalline portion 43 so as to expose the other face 43.2 of the part crystalline 43 (Figure 6N). The additional tensioning sequence is continued by reiterating the step illustrated in FIG. 6K, then sticking, on the other face 43.2, a target substrate 58.1 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the material of the crystalline portion 43 (Figure 60) at a temperature above the third reference temperature. It is after this bonding step, when the structure has returned to the third reference temperature, that the crystalline portion 43 has an increased stress stress. The sequence also comprises the reiteration of the step 6L for removing the target substrate 57.1 in material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline portion 43 (FIG. 6P). The crystalline portion retains at the third reference temperature the increased voltage stress acquired after FIG. 6M. This increased stress may be equal to or less than the predetermined voltage stress at the third reference temperature. The additional voltage sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined voltage stress at the third reference temperature.

Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en tension, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 6J et 6L. On va aussi expliquer en se référant aux figures 7A à 7H comment obtenir une structure élémentaire avec une partie cristalline contrainte en compression d'une valeur prédéterminée à une quatrième température de référence sans employer un grand nombre de matériaux différents. On effectuer une première séquence d'étapes de mise en compression. La quatrième température de référence, est de préférence une température ambiante. On suppose que l'on part de la structure élémentaire de base 1' illustrée à la figure 2D. On va coller la structure élémentaire de base 1' par la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 sur un 79 substrat cible 70 en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 23. Si la partie cristalline 23 est en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique inférieur à celui du silicium peut être du de germanium. Le collage s'effectue à une température supérieure à la quatrième température de référence (figure 7A). La température supérieure à la quatrième température de référence peut être de l'ordre de 350°C. La partie cristalline et le substrat cible sont dilatés à cette température de collage. Lors du refroidissement qui suit le collage, le substrat cible 55 va imposer une contrainte en compression partielle à la quatrième température de référence à la partie cristalline. On soumet alors l'ensemble obtenu à la figure 7A à un recuit à une température d'environ 500°C pendant environ 2 heures. Comme indiqué lors de la description des figures 4, le recuit n'a pas d'effet sur la contrainte de la partie cristalline lorsqu'elle est soumise à la quatrième température de référence. On retire ensuite le substrat source 20' par exemple par rodage et attaque chimique. L'attaque chimique peut se faire avec du TMAH si le substrat source 20' est en silicium avec une couche d'arrêt enterrée en oxyde de silicium. On met à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23, opposée à la face libre initiale 23.1 (figure 7B). La partie cristalline acquiert la totalité de sa contrainte en compression pour cette première étape de mise en compression. La 80 partie cristalline 43 est contrainte en compression d'environ - 170 MPa. Ensuite, on effectue une étape de collage sur l'autre face 23.2, à une température sensiblement égale à la quatrième température de référence, d'un substrat cible 71 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui de la partie cristalline 23 (figure 7C). Le matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 43 peut être du silicium tout comme la partie cristalline. La partie cristalline 23 conserve la contrainte en compression acquise après l'étape illustrée à la figure 7B à la quatrième température de référence. Après ce collage on effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 7C, à une température de l'ordre de 200°C pendant environ deux heures. La partie cristalline 23 conserve sa contrainte en compression acquise après l'étape illustrée à la figure 7B à la quatrième température de référence. On retire ensuite le substrat cible 70 en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 23, par exemple, par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline (figure 7D). La partie cristalline 23 conserve sa contrainte en compression acquise après l'étape de retrait illustrée à la figure 7B à la quatrième température de référence. 81 L'attaque chimique peut se faire avec un mélange eau/eau oxygénée/ammoniac à environ 70°C si le matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline est du germanium. Si la partie cristalline 23 illustrée à la figure 7D a acquis une contrainte en compression égale à la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence à l'issue de la première séquence de mise en compression, on a obtenu une des structures à assembler. La contrainte en compression de la partie cristalline ne changera pas avec des variations de température puisque la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline. Si la contrainte en compression de la partie cristalline à la quatrième température de référence est inférieure à la contrainte en compression prédéterminée à l'issue de la première étape de mise en compression, on peut réitérer une ou plusieurs fois une séquence supplémentaire de mise en compression. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression on réitère l'étape illustrée à la figure 7A, de collage sur la face libre initiale 23.1 d'un substrat cible 70 en un matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 23 à une température supérieure à la quatrième température de référence (figure 7E). During each additional sequence of tensioning, annealing is provided after each bonding. In addition the removal or stripping steps can be done as described in Figures 6J and 6L. It will also be explained with reference to FIGS. 7A-7H how to obtain an elementary structure with a crystalline portion constrained in compression from a predetermined value to a fourth reference temperature without employing a large number of different materials. Performing a first sequence of compression steps. The fourth reference temperature is preferably an ambient temperature. It is assumed that we start from the basic elementary structure 1 'illustrated in FIG. 2D. The basic elementary structure 1 'will be bonded by the initial free face 23.1 of the crystalline part 23 to a target substrate 70 made of a material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part 23. If the crystalline part 23 is silicon, the material with thermal expansion coefficient lower than that of silicon can be of germanium. The bonding is carried out at a temperature higher than the fourth reference temperature (FIG. 7A). The temperature above the fourth reference temperature may be of the order of 350 ° C. The crystalline part and the target substrate are dilated at this bonding temperature. During cooling after sticking, the target substrate 55 will impose a partial compressive stress at the fourth reference temperature at the crystalline portion. The assembly obtained in FIG. 7A is then annealed at a temperature of about 500 ° C. for about 2 hours. As indicated in the description of FIG. 4, the annealing has no effect on the stress of the crystalline part when it is subjected to the fourth reference temperature. The source substrate 20 'is then removed, for example by lapping and etching. Etching can be done with TMAH if the source substrate 20 'is silicon with a buried silicon oxide barrier layer. The other face 23.2 of the crystalline part 23 is exposed, opposite to the initial free face 23.1 (FIG. 7B). The crystalline part acquires all of its compressive stress for this first compression stage. The crystalline portion 43 is compressive-strained by about -170 MPa. Next, a bonding step is carried out on the other face 23.2, at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, of a target substrate 71 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline part. 23 (Figure 7C). The material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline portion 43 may be silicon as well as the crystalline portion. The crystalline portion 23 retains the compressive stress acquired after the step illustrated in FIG. 7B at the fourth reference temperature. After this bonding, thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 7C is carried out at a temperature of about 200 ° C. for about two hours. The crystalline portion 23 retains its compressive stress acquired after the step illustrated in FIG. 7B at the fourth reference temperature. The target substrate 70 is then removed from a material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part 23, for example by lapping and etching so as to expose the initial free face 23.1 of the crystalline part (FIG. 7D). The crystalline portion 23 retains its compression stress acquired after the removal step illustrated in FIG. 7B at the fourth reference temperature. The etching can be done with a mixture of water / hydrogen peroxide / ammonia at about 70 ° C if the material with a thermal expansion coefficient greater than that of the material of the crystalline part is germanium. If the crystalline part 23 illustrated in FIG. 7D has acquired a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature at the end of the first compression sequence, one of the structures to be assembled has been obtained. . The compressive stress of the crystalline part will not change with temperature variations since the crystalline part is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part. If the compressive stress of the crystalline part at the fourth reference temperature is lower than the predetermined compressive stress at the end of the first compression step, it is possible to repeat one or more times an additional compression sequence. . In each additional compression sequence, the step illustrated in FIG. 7A, of bonding to the initial free face 23.1 of a target substrate 70 in a material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, is repeated. 23 at a temperature above the fourth reference temperature (Figure 7E).

Cette température peut être de l'ordre de 350°C. Après le collage, lorsque la partie cristalline 23 est 82 revenue à la quatrième température de référence, elle possède une contrainte en compression accrue par rapport à celle qu'elle avait avant le collage mais partielle par rapport à celle qu'elle aura à l'issue de la séquence supplémentaire de mise en compression en cours. On effectue un recuit thermique de l'ensemble illustré à la figure 7E à une température de l'ordre de 500°C pendant environ 2 heures. La séquence supplémentaire de mise en compression se poursuit par une étape de retrait par rodage et attaque chimique du substrat cible 71 en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 43 de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 (figure 7F). L'attaque chimique peut se faire avec du TMAH si le matériau est du silicium. Après cette étape de retrait, la partie cristalline 23 acquiert une contrainte en compression supplémentaire par rapport à celle qu'elle avait avant le début de la séquence en cours. Elle gardera cette contrainte en compression jusqu'à la fin de la séquence supplémentaire de mise en compression. Cette contrainte en compression supplémentaire vaut environ - 170 MPa. This temperature may be of the order of 350 ° C. After the bonding, when the crystalline portion 23 is returned to the fourth reference temperature, it has an increased compressive stress compared to that it had before bonding but partial to that it will have to from the additional sequence of compression in progress. Thermal annealing of the assembly illustrated in FIG. 7E is carried out at a temperature of the order of 500 ° C. for approximately 2 hours. The additional sequence of compression is continued by a step of withdrawal by etching and chemical etching of the target substrate 71 in thermal expansion coefficient material substantially equal to that of the material of the crystalline portion 43 so as to expose the other 23.2 of the crystalline portion 23 (FIG. 7F). Chemical etching can be done with TMAH if the material is silicon. After this removal step, the crystalline portion 23 acquires an additional compressive stress compared to that before the beginning of the current sequence. It will keep this constraint in compression until the end of the additional compression sequence. This additional compressive stress is about - 170 MPa.

Avec une température de l'ordre de 200°C au lieu de 350°C, on aurait obtenu une contrainte en compression supplémentaire de seulement environ - 85 MPa au lieu d'environ - 170 MPa. La séquence supplémentaire de mise en compression se poursuit par la réitération de l'étape illustrée à la figure 7C en collant ensuite, sur 83 l'autre face 23.2, d'un substrat cible 73 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 23 (figure 7G) à la quatrième température de référence. Le matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 73 peut être du silicium tout comme la partie cristalline. Ce collage n'a pas d'influence sur la contrainte en compression de la partie cristalline à la quatrième température de référence. La séquence comprend également la réitération de l'étape 7D de retrait du substrat cible 72 en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline 43, par exemple par rodage et attaque chimique de manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 (figure 7H). La partie cristalline conserve à la quatrième température de référence la contrainte en compression accrue acquise à l'issue de l'étape de retrait du substrat cible 71 illustrée à la figure 7F. Cette contrainte accrue pouvant être égale ou inférieure à la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence. On réitère la séquence supplémentaire de mise en compression tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence. Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en compression, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 7B et 7D. 84 La partie cristalline 23 possédant la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence a un paramètre de maille qui est différent de celui qu'elle avait à la figure 2D. On a ainsi obtenu une structure élémentaire traitée. La différence entre la quatrième température de référence et la température supérieure à la quatrième température de référence, les matériaux des substrats cibles et le nombre de séquences de mise en compression sont choisis pour obtenir la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence. On va aussi expliquer en se référant aux figures 7I à 7P comment obtenir une structure élémentaire avec une partie cristalline contrainte en compression d'une valeur prédéterminée à une quatrième température de référence sans employer un grand nombre de matériaux différents tout en restant bon marché. Ce mode de réalisation permet, par exemple, si la partie cristalline est en silicium de ne pas utiliser de matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur à celui de la partie cristalline tel que le germanium qui est un matériau couteux. La quatrième température de référence, est de préférence une température ambiante. With a temperature of the order of 200 ° C instead of 350 ° C, an additional compressive stress of only about -85 MPa would have been obtained instead of about -170 MPa. The additional sequence of compression is continued by repetition of the step illustrated in FIG. 7C, then sticking, on the other face 23.2, a target substrate 73 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion. that of the material of the crystalline part 23 (FIG. 7G) at the fourth reference temperature. The material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline portion 73 may be silicon as well as the crystalline portion. This bonding has no influence on the compressive stress of the crystalline part at the fourth reference temperature. The sequence also comprises the reiteration of the step 7D of removal of the target substrate 72 in a thermal expansion coefficient material greater than that of the material of the crystalline portion 43, for example by lapping and etching so as to expose the face initial free 23.1 of the crystalline portion 23 (Figure 7H). The crystalline portion retains at the fourth reference temperature the increased compressive stress acquired at the end of the step of removing the target substrate 71 shown in FIG. 7F. This increased stress may be equal to or less than the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature. The additional compression sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature. During each additional sequence of compression, annealing is provided after each bonding. In addition the removal or stripping steps can be done as described in Figures 7B and 7D. The crystalline portion 23 having the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature has a mesh parameter which is different from that in FIG. 2D. There was thus obtained a treated elementary structure. The difference between the fourth reference temperature and the temperature above the fourth reference temperature, the target substrate materials and the number of compression sequences are chosen to obtain the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature. It will also be explained with reference to FIGS. 7I to 7P how to obtain an elementary structure with a crystalline portion constrained in compression from a predetermined value to a fourth reference temperature without employing a large number of different materials while remaining cheap. This embodiment makes it possible, for example, if the crystalline portion is made of silicon not to use a material with a coefficient of thermal expansion greater than that of the crystalline part such as germanium, which is an expensive material. The fourth reference temperature is preferably an ambient temperature.

On suppose que l'on part de la structure élémentaire de base 1' illustrée à la figure 2D. On va coller la structure élémentaire de base 1' par la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 sur un substrat cible 70.1 en matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 23. Si la partie cristalline 23 85 est en silicium, le matériau à coefficient de dilation thermique inférieur à celui du silicium peut être de la silice ou du verre. Le collage s'effectue à une température sensiblement égale à la quatrième température de référence (figure 7I). La partie cristalline 23 et le substrat cible 70.1 ne sont pas dilatés à cette température de collage. Ce collage n'apporte pas de contrainte à la partie cristalline ni en tension ni en compression. On retire ensuite le substrat source 20' par exemple par rodage et attaque chimique. On met à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23, opposée à la face libre initiale 23.1 (figure 7J). It is assumed that we start from the basic elementary structure 1 'illustrated in FIG. 2D. The basic elementary structure 1 'will be bonded by the initial free face 23.1 of the crystalline part 23 on a target substrate 70.1 made of a material with a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part 23. If the crystalline part 23 85 is made of silicon, the material with a coefficient of thermal expansion lower than that of silicon may be silica or glass. The bonding is carried out at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature (FIG. 7I). The crystalline portion 23 and the target substrate 70.1 are not dilated at this bonding temperature. This bonding does not cause stress to the crystalline part nor in tension nor in compression. The source substrate 20 'is then removed, for example by lapping and etching. The other face 23.2 of the crystalline part 23 is exposed, opposite to the initial free face 23.1 (FIG. 7J).

Ensuite, on effectue une étape de collage sur l'autre face 23.2, à une température supérieure à la quatrième température de référence, d'un substrat cible 71.1 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui de la partie cristalline 23 (figure 7K). Le collage se faisant à chaud, la partie cristalline 23 et le substrat cible 71.1 sont dilatés. La dilatation de la partie cristalline est limitée à cause de son collage au préalable sur le substrat cible 70.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur au sien. Mais lors du refroidissement qui suit le collage et le retour à la quatrième température de référence, la partie cristalline 23 est obligée de se contracter plus qu'elle le voudrait, car le substrat cible 71.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique 86 supérieur au sien l'entraîne en compression. Elle est donc contrainte en compression partiellement à la quatrième température de référence. On retire ensuite le substrat cible 70.1 en matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 23 manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline (figure 7L). La partie cristalline 23 acquiert toute sa contrainte en compression à la quatrième température de référence pour la séquence de mise en compression en cours. Si la partie cristalline 23 illustrée à la figure 7L a acquis une contrainte en compression égale à la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence, on a obtenu une des structures à assembler. La contrainte en compression de la partie cristalline ne changera pas avec des variations de température puisque la partie cristalline est collée sur un substrat cible en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui de la partie cristalline. Si la contrainte en compression de la partie cristalline à la quatrième température de référence est inférieure à la contrainte en compression prédéterminée, on peut réitérer une ou plusieurs fois une séquence supplémentaire de mise en compression. Dans chaque séquence supplémentaire de mise en compression on réitère l'étape illustrée à la figure 7I, de collage sur la face libre initiale 23.1 d'un substrat cible 72.1 en un matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de 87 la partie cristalline 23 à une température sensiblement égale à la quatrième température de référence (figure 7M). Ce collage n'apporte pas de contrainte à la partie cristalline, ni en tension, ni en compression. Next, a step of bonding to the other face 23.2, at a temperature above the fourth reference temperature, of a target substrate 71.1 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline part 23 is carried out. (Figure 7K). The bonding is done hot, the crystalline portion 23 and the target substrate 71.1 are expanded. The expansion of the crystalline part is limited because of its prior bonding on the target substrate 70.1 in material having a coefficient of thermal expansion lower than its own. However, during the cooling which follows the bonding and the return to the fourth reference temperature, the crystalline part 23 is forced to contract more than it would like, since the target substrate 71.1 made of a material having a coefficient of thermal expansion 86 greater than his leads to compression. It is therefore constrained in compression partially at the fourth reference temperature. The target substrate 70.1 is then removed from a material with a coefficient of thermal expansion that is smaller than that of the material of the crystalline part 23 so as to expose the initial free face 23.1 of the crystalline part (FIG. 7L). The crystalline portion 23 acquires all of its compressive stress at the fourth reference temperature for the current compression sequence. If the crystalline portion 23 illustrated in FIG. 7L has acquired a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature, one of the structures to be assembled has been obtained. The compressive stress of the crystalline part will not change with temperature variations since the crystalline part is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part. If the compressive stress of the crystalline portion at the fourth reference temperature is less than the predetermined compressive stress, an additional compression sequence can be repeated one or more times. In each additional compression sequence, the step illustrated in FIG. 7I, of bonding to the initial free face 23.1 of a target substrate 72.1 in a material with a coefficient of thermal expansion lower than that of the material of the part 87, is repeated. crystalline 23 at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature (Figure 7M). This bonding does not bring stress to the crystalline part, neither in tension nor in compression.

La séquence supplémentaire de mise en compression se poursuit par une étape de retrait par rodage et attaque chimique du substrat cible 71.1 en matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline 23 de manière à mettre à nu l'autre face 23.2 de la partie cristalline 23 (figure 7N). La séquence supplémentaire de mise en compression se poursuit par la réitération de l'étape illustrée à la figure 7K en collant ensuite, sur l'autre face 23.2, d'un substrat cible 73.1 en un matériau ayant sensiblement le même coefficient de dilatation thermique que celui du matériau de la partie cristalline 23 (figure 70) à une température supérieure à la quatrième température de référence. The additional sequence of compression is continued by a step of removal by breaking-in and chemical etching of the target substrate 71.1 material with thermal expansion coefficient substantially equal to that of the material of the crystalline portion 23 so as to expose the other 23.2 of the crystalline portion 23 (Figure 7N). The additional sequence of compression is continued by repetition of the step illustrated in FIG. 7K, then sticking, on the other face 23.2, a target substrate 73.1 made of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the material of the crystalline part 23 (FIG. 70) at a temperature higher than the fourth reference temperature.

Le collage se faisant à chaud, la partie cristalline 23 et le substrat cible 73.1 sont dilatés. La dilatation de la partie cristalline est limitée à cause de son collage au préalable sur le substrat cible 72.1 en matériau ayant un coefficient de dilatation thermique inférieur au sien. Mais lors du refroidissement qui suit le collage et le retour à la quatrième température de référence, la partie cristalline 23 acquiert une contrainte en compression accrue mais partielle. The bonding is done hot, the crystalline portion 23 and the target substrate 73.1 are expanded. The expansion of the crystalline part is limited because of its prior bonding on the target substrate 72.1 material having a coefficient of thermal expansion less than hers. But during the cooling following the bonding and the return to the fourth reference temperature, the crystalline portion 23 acquires an increased but partial compressive stress.

La séquence comprend également la réitération de l'étape 7L de retrait du substrat cible 88 72 en matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline 43, de manière à mettre à nu la face libre initiale 23.1 de la partie cristalline 23 (figure 7P). The sequence also comprises the reiteration of the step 7L of removal of the target substrate 88 72 in material with a coefficient of thermal expansion lower than that of the material of the crystalline portion 43, so as to expose the initial free face 23.1 of the part crystalline 23 (Figure 7P).

La partie cristalline acquiert à la quatrième température de référence une contrainte en compression accrue par rapport à celle acquise après le refroidissement suivant le collage de la figure 70. Cette contrainte accrue pouvant être égale ou inférieure à la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence. On réitère la séquence supplémentaire de mise en compression tant que la partie cristalline n'a pas atteint la contrainte en compression prédéterminée à la quatrième température de référence. Lors de chaque séquence supplémentaire de mise en compression, on prévoit des recuits après chaque collage. De plus les étapes de retrait ou mise à nu peuvent se faire comme décrit aux figures 7J et 7L. De ce qui précède, on comprend que pour obtenir une contrainte en tension, il faut monter en température le film cristallin avec un substrat en matériau à coefficient de dilatation thermique supérieur au sien à froid après l'avoir collé à chaud sur un substrat à coefficient de dilatation thermique inférieur au sien. En variante, il suffit de le coller à chaud sur un substrat à coefficient de dilatation thermique inférieur au sien. Pour obtenir une contrainte en compression, il faut assembler le film cristallin avec un substrat en matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur au sien froid, après l'avoir collé à chaud 89 sur un substrat à coefficient de dilatation thermique supérieur au sien. En variante, il suffit de le coller à chaud sur un substrat à coefficient de dilatation thermique supérieur au sien. Par à froid on entend une température ambiante ou moins et par à chaud une température supérieur à la température ambiante. Il suffit ensuite d'assembler les deux parties cristallines par leur face de liaison obtenues aux figures 6H et 7H (ou 6P et 7P) ou bien la partie cristalline obtenue à la figure 6H (ou 6P) avec la partie cristalline obtenue à la figure 2D ou bien la partie cristalline obtenue à la figure 7H (ou 7P) avec la partie cristalline obtenue à la figure 2E comme on l'a décrit à la figure 5. Les choix des matériaux ayant un coefficient de dilatation thermique supérieur, inférieur ou sensiblement égal à celui des parties cristallines, des températures de collage ainsi que du nombre de séquences conditionnent les contraintes en compression ou en tension imposées à la partie cristalline. Ces choix ne posent pas de problème à l'homme du métier. Le matériau de la partie cristalline et les substrats cible en un matériau à coefficient de dilatation thermique sensiblement égal à celui du matériau de la partie cristalline sont choisis parmi le silicium, le germanium, le nitrure de gallium, le carbure de silicium, l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium. Les substrats cible en un matériau à 30 coefficient de dilatation thermique supérieur à celui du matériau de la partie cristalline, les substrats en 90 un matériau à coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du matériau de la partie cristalline sont choisis parmi le silicium, le germanium, la silice fondue, le verre, le carbure de silicium, l'arséniure de gallium, le phosphure d'indium, le saphir, le cuivre, l'aluminium. Parmi les matériaux cités pour les substrats cible, seuls le verre et la silice fondue ont un coefficient de dilatation thermique inférieur à celui du silicium. The crystalline portion acquires at the fourth reference temperature an increased compressive stress compared to that acquired after cooling after gluing of FIG. 70. This increased stress may be equal to or less than the predetermined compressive stress at the fourth temperature of the reference. The additional compression sequence is repeated until the crystalline portion has reached the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature. During each additional sequence of compression, annealing is provided after each bonding. In addition, the steps of withdrawal or stripping can be done as described in Figures 7J and 7L. From the foregoing, it is understood that in order to obtain a stress in tension, it is necessary to raise the temperature of the crystalline film with a substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion greater than its cold after having glued it hot on a substrate with a coefficient of thermal expansion inferior to his. In a variant, it suffices to glue it hot on a substrate with a coefficient of thermal expansion lower than its own. To obtain a compressive stress, it is necessary to assemble the crystalline film with a substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion lower than its cold one, after being heat-bonded to a substrate with a thermal coefficient of thermal expansion greater than its own. In a variant, it suffices to glue it hot on a substrate with a coefficient of thermal expansion greater than its own. By cold means ambient temperature or less and by hot a temperature above room temperature. It is then sufficient to assemble the two crystalline parts by their bonding face obtained in FIGS. 6H and 7H (or 6P and 7P) or else the crystalline part obtained in FIG. 6H (or 6P) with the crystalline part obtained in FIG. 2D or the crystalline part obtained in FIG. 7H (or 7P) with the crystalline part obtained in FIG. 2E as described in FIG. 5. The choice of materials having a higher, lower or substantially equal thermal expansion coefficient at that of the crystalline parts, bonding temperatures as well as the number of sequences condition the compressive or tensile stresses imposed on the crystalline part. These choices do not pose a problem to the skilled person. The material of the crystalline part and the target substrates made of a material with a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part are chosen from silicon, germanium, gallium nitride, silicon carbide and arsenide. of gallium, indium phosphide. The target substrates of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part, the substrates in 90 a material with a coefficient of thermal expansion lower than that of the material of the crystalline part are chosen from silicon, germanium , fused silica, glass, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, sapphire, copper, aluminum. Of the materials cited for the target substrates, only glass and fused silica have a coefficient of thermal expansion less than that of silicon.

Un avantage du procédé selon l'invention est que l'on utilise des structures cristallines réalisées dans un même matériau. Un avantage de l'utilisation de la technique de transfert de couches pour obtenir la contrainte désirée dans la partie cristalline de la structure élémentaire traitée permet de ne pas créer de dislocations internes. Le fait que les deux parties cristallines proviennent d'un même cristal et que les réseaux cristallins de ces parties cristallines soient sensiblement alignés lors de l'assemblage permet de s'affranchir des désorientations cristallines en flexion et en torsion. Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été décrits de façon détaillée, on comprendra que différents changements et modifications puissent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. An advantage of the process according to the invention is that crystalline structures made of the same material are used. An advantage of using the layer transfer technique to obtain the desired stress in the crystalline part of the treated elementary structure makes it possible not to create internal dislocations. The fact that the two crystalline parts come from the same crystal and that the crystal lattices of these crystalline parts are substantially aligned during assembly makes it possible to overcome the crystalline disorientations in flexion and torsion. Although several embodiments of the present invention have been described in detail, it will be understood that various changes and modifications can be made without departing from the scope of the invention.

DOCUMENTS CITES [1] « How to control the self-organization of nanoparticles by bonded thin layers », A. Bourret, 5 Surf. Sci., vol 432, number 1-2, pages 37 à 53 (1999) ;. [2] « Introduction to dislocations », Hull,D. Pergamon press Fourth edition 2001 ; 10 [3] « Controlled surface nanopatterning with buried dislocation arrays » Leroy et al., Surf. Sci., vol 545, issue3, pages 211 à 219 (2003) ; CITES DOCUMENTS [1] "How to control the self-organization of nanoparticles by bonded thin layers", A. Bourret, 5 Surf. Sci., Vol 432, number 1-2, pages 37 to 53 (1999); [2] "Introduction to dislocations", Hull, D. Pergamon press Fourth edition 2001; [3] "Controlled surface nanopatterning with buried dislocation arrays" Leroy et al., Surf. Sci., Vol 545, issue3, pages 211-219 (2003);

15 [4] « GaAs/GaAs twist-bonding for compliant substrates : interface structure and epitaxial growth » Patriarche et al. Api. Surf. Sci. vol 164, number 1, pages 15 à 17, (2000) ; 20 [5] FR-A1- 2 819 099. [4] "GaAs / GaAs twist-bonding for compliant substrates: interface structure and epitaxial growth" Patriarche et al. Api. Surf. Sci. 164, number 1, pages 15 to 17, (2000); [5] FR-A1-2819-099.

Claims

REVENDICATIONS1. A method of making a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations wedge comprising the steps of: providing two basic elemental structures (1 ', 2') each having a crystalline portion (23, 43), these crystalline portions from the same crystalline block, having the same mesh parameter, the same crystal lattice, each having also at least one reference (31, 34), the two marks (31, 34) having the same orientation with respect to the crystal lattice of the lattice; the crystalline part (23, 43) which carries them, impose a predetermined stress on at least one of the crystalline portions (23, 43), so as to change its mesh parameter in a desired manner, in order to have a treated elemental structure (48, 65), assembling the crystalline portion (43) of a treated elemental structure (48) with another crystalline portion (23) of a treated elementary structure (65) or an elemental structure base (1 '), substantially matching their marks (31, 34) so that a disagreement of the mesh parameters appears and creates the two-dimensional network of periodic dislocations corner with a desired periodicity dependent on the disagreement of the parameters mesh.

2. Production method according to claim 1, wherein the assembly is a hydrophobic assembly. 93

3. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations corner according to one of claims 1 or 2, wherein the marks (31, 34) are reporters, graduated rulers, flats.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 1, wherein each basic elementary structure (1 ', 2') is a stack with a source substrate (20 ', 40'). and the crystalline portion (23, 43), each crystalline portion (23, 43) having an initial free face (23.1, 43.1) and another adhered face (23.2, 43.2) to the source substrate (20 ', 40').

5. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to claim 4, wherein to provide the two basic elementary structures (1 ', 2'): one starts from a semiconductor substrate on insulator (200) with an insulation layer (21) sandwiched between two semiconductor layers (20, 22), one of which is thinner than the other, an ion implantation is carried out in the layer ( 22), the thinnest semiconductor layer (22) is provided with at least one common reference (300), before or after the first semiconductor layer (22). the thinest semiconductor layer (22) on a thicker semiconductor substrate (40) oxidized at the surface, the most at the level of the implanted zone (22.2), so as to obtain the two basic elementary structures (1 ', 2') with their screaming part. stallin (23, 43), their source substrate (20 ', 40') being formed, for one of the basic elementary structures (1 '), by the other layer (20) of semiconductor and by the layer of insulating material (21) of the semiconductor-on-insulator substrate (200), and for the other basic elementary structure (2 '), by the thicker semiconductor substrate (40) which is surface oxidized.

6. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined voltage stress to the crystalline portion (43) of a basic elementary structure (2 ') at a first reference temperature and transforming it into a treated elementary structure (48): a first tensioning sequence is performed in which: a1 °) a target substrate (45) is glued in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the source substrate material (40 ') 95 of the crystalline part (43), on the initial free face (43.1) of the crystalline part (43) at a temperature higher than the first reference temperature, b1 °) the source substrate (40 ') is removed so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part (43), c1 °) is glued a target substrate (46), substantially at the first temperature reference reference, on the other face (43.2) of the crystalline part (43), this target substrate being made of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material (45) bonded during the first step a1 °) of the first tensioning sequence, d1 °) is removed the target substrate (45) glued in the first gluing step a1 °) of the first tensioning sequence, exposing the face initial free (43.1) of the crystalline part (43) which is then voltage-stressed, this voltage stress being less than or equal to the predetermined voltage stress, this initial free face becoming a connecting face if step d1 °) is a final step of tensioning.

7. A method of producing a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 6, wherein if the predetermined voltage stress is not reached in step d1 °) of the first tensioning sequence. one or more additional power-up sequences 96 are carried out after step d1 °) until the predetermined voltage is reached, in each additional power-up sequence a1 '°) a target substrate (47') is bonded on the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43), at a temperature higher than the first reference temperature, this target substrate (47 ') being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the target substrate (46) adhered to the other face (43.2) of the crystalline portion (43) in the second bonding step of the preceding sequence, b1 '°) is removed the target substrate (46) adhered to the another side of the crystalline part, during the second bonding step of the previous sequence, so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part (43), c1 '°) is glued on the other (43.2) a target substrate (48 ') of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material (47') adhered to the crystalline portion (43) at the first step of bonding the sequence; course, substantially at the first reference temperature, or else is glued on the other side (43.2) a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, substantially at the first temperature reference, this alternative being preferred during the last additional sequence, 97 d1 '°) is removed the target substrate (47') glued to the first gluing step a1 '°) of the current sequence, exposing the face free initial (43.1) of the crystalline portion (43) which is voltage-stressed, this initial free face (43.1) becoming a connecting face if the step d1 '°) is a final tensioning step, in the last sequence additional tensioning, at the end of step b1 '°), the crystalline portion (43) then having a voltage stress equal to the voltage stress predetermined at the first reference temperature, the difference between the first reference temperature and the temperature above the first reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined voltage stress.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 6 or claim 7, wherein when the predetermined voltage stress has been reached at the first reference temperature and the crystalline portion (43). ) is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, so as to prevent the stress in tension from evolving subsequently, the initial free face of the crystalline part being exposed, a finishing sequence is carried out in which: 98 a11 °) is adhered on the initial free face (43.1) of the crystalline part (43), a target substrate (47) made of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part ( 43), substantially at the first reference temperature, b11 °) the target substrate (46) is removed from the coefficien material t of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part (46) so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part (43), c11 °) is glued on the other side (43.2) a target substrate (48) of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (43), at any temperature d11 °) exposing the initial free face (43.1) of the crystalline part (43), this initial free face becoming a connecting face.

9. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations corner according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined voltage stress to the crystalline portion (43) of a basic elementary structure (2 ') at a first reference temperature and transforming it into a treated elementary structure (48.1): a first tensioning sequence is carried out in which: a1.1 °) a target substrate (45.1) is bonded in a material having a coefficient of thermal expansion 99 greater than that of the source substrate material (40 ') of the crystalline part (43), on the initial free face (43.1) of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the first reference temperature b) the source substrate (40 ') is removed so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part (43), cl.1 °) a target substrate (46.1) is bonded to the other side (43.2) of the crystalline portion, at a temperature above the first reference temperature, this target substrate (46.1) being of a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material (45.1) adhered in the first step of gluing al.1 °) of the first tensioning sequence, dl.1 °) is removed the target substrate (45.1) glued in the first gluing step of the first tensioning sequence, exposing the face initial free of the crystalline part (43) which is then voltage-stressed, this voltage stress being less than or equal to the predetermined voltage stress, this initial free face becoming a bonding face if the step d1.1 °) is a final step of tensioning.

10. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to claim 9, wherein if the predetermined voltage stress is not reached in step d1.1 °) of the first sequence of 100 when it is put into tension, one or more additional tensioning sequences are carried out after the step d1.1 °) until reaching the predetermined voltage, in each additional tensioning sequence, al.1 '°) one glues a target substrate (47.1 ') on the initial free face (43.1) of the crystalline part (43) at a temperature substantially equal to the first reference temperature, this target substrate (47.1') being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the target substrate (46.1) adhered to the other face (43.2) of the crystalline part during the second bonding step of the preceding sequence, bl.1 '°) the target substrate is removed (46.1) adhered on the other side (43.2) of the crystalline part (43), during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part ( 43), cl.1 '°) a target substrate (48.1') is bonded to a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material (47.1 ') adhered to the crystalline portion (43) at the first gluing step of the current sequence, at a temperature above the first reference temperature, or is glued on the other side of the crystalline portion a target substrate of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at a temperature above the first reference temperature, this alternative being preferred in the last additional sequence. dl.1 '°) is removed the target substrate (47.1') bonded during the first step of collage al.1 ')) the current sequence exposing the initial free face (43.1) of the crystalline part (43) ) which is voltage-constrained, this initial free face becoming a connection face if step d1.1 '°) is a final voltage-setting step, during the last additional power-up sequence, at the end of step d1.1 '°), the crystalline part (43) then having a voltage stress equal to the predetermined voltage stress at the first reference temperature, the difference between the first reference temperature and the temperature above the first reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined voltage stress.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 9 or claim 10, wherein when the predetermined voltage stress has been reached at the first reference temperature and the crystalline portion (43). ) is bonded to a target substrate made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, so as to prevent the stress in tension from evolving subsequently, the initial free face 102 of the crystalline part being exposed, a sequence of finish in which: a11.1 °) is glued on the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43), a target substrate (47.1) of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the part crystalline (43), substantially at the first reference temperature, b11.1 °) the target substrate (46.1) is effective thermal expansion different from that of the material of the crystalline portion (43), so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part (43), c11.1 °) is glued on the other side (43.2) a target substrate (48.1) of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (43) at any temperature d11.1 °) exposing the initial free face (43.1) of the crystalline part (43.1), this initial free face becoming a connecting face.

12. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined compressive stress to the crystalline portion of a basic elementary structure to a second reference temperature and transforming it into a treated elementary structure is carried out a first compression sequence in which: a2 °) a target substrate (60) is glued in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the substrate material source (20 ') of the crystalline portion (23), on the initial free face (23.1) of the crystalline portion (23), at a temperature above the second reference temperature, b2 °), the source substrate (20) is removed; ') so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part (23), c2 °) is glued a target substrate (61) on the other side (23.2) of the crystalline part ine (23), substantially at the second reference temperature, this target substrate (61) being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the target substrate material (60) bonded during the first step of gluing a2 ° ) of the first compression sequence, d2 °) the target substrate (60) bonded during the first bonding step a2 °) is removed from the first compression sequence, exposing the initial free face (23.1 ) of the crystalline part (23) which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the predetermined compressive stress, this initial free face becoming a bonding face if the step d2 °) is a final step of put in compression.

13. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to claim 12, wherein 104 when the predetermined compression is not reached in step d2 °) of the first compression sequence, one or more additional compression sequences are carried out after step d2 °) until reaching the predetermined compression, in each additional compression sequence: a2 '°) a target substrate (62') is bonded to the initial free face (23.1) of the crystalline part (23) at a temperature higher than the second reference temperature, this target substrate (62 ') being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material ( 61) adhered on the other face (23.2) of the crystalline part during the second bonding step of the preceding sequence, b2 '°) the target substrate (61) is removed. on the other side (23.2) of the crystalline part (23), during the second bonding step of the preceding sequence, so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part, c2 '° ) a target substrate (63 ') of a material having a coefficient of thermal expansion smaller than that of the target substrate material (62') bonded to the crystalline portion (23) to the first substrate (23 ') is adhered to the other side (23.2); step of bonding the current sequence, substantially to the second reference temperature, or else glue on the other side a target substrate (63 ") of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to 105 that of the material of the crystalline part, substantially at the second reference temperature, this alternative being preferred during the last additional sequence, d2 '°) is removed the target substrate (62') glued to the first gluing step a2 '°) of the sequence in progress, exposing the college free initial e (23.1) of the crystalline part which is constrained in compression, this initial free face (23.1) becoming a bonding face if the step d2 '°) is a final compression step, during the last sequence additional compression setting, at the end of step b2 "), the crystalline portion (23) then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the second reference temperature, the difference between the second temperature reference and the temperature above the second reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined compressive stress.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 12 or claim 13, wherein when the predetermined compressive stress has been reached and the crystalline portion (23) is bonded to a substrate. target (61) made of a material with a coefficient of thermal expansion different from that of the crystalline part, to prevent the stress from evolving subsequently, the initial free face (23.1) of the crystalline part being exposed, a finishing sequence can be carried out wherein: a22 °) is adhered to the initial free face (23.1) of the crystalline portion (23), a target substrate (62) of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline material, substantially to the second reference temperature, b22 °) the target substrate (61) is removed from the material with a coefficient of thermal expansion different from that of the m of the crystalline part, so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part (23), c22 °), a target substrate (63) of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part (23), at any temperature d22 °) is exposed the initial free face (23.1) of the crystalline part (23), this initial free face becoming a connecting face.

15. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined compressive stress to the crystalline portion of a basic elementary structure to a second reference temperature and transforming it into a treated elementary structure 107 a first compression sequence is produced in which: a2.1 °) a target substrate 60.1) is glued, in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the source substrate (20 ') of the crystalline part (23), on the initial free face (23.1) of the crystalline part (23), at a temperature substantially equal to the second reference temperature, b2.1 °) is removed the source substrate (20 ') so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part (23), c2.1 °) a target substrate (61.1) is glued on the other side (23.2) of the crystalline part, at a temperature above the second reference temperature, this target substrate (61.1) being in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material (60.1) bonded during the first bonding step a2.1 °) of the first compression sequence, d2.1 °) is removed the target substrate (60.1) glued in the first gluing step a2.1 °) of the first compression sequence, putting exposed the initial free face (23.1) of the crystalline portion (23) which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the predetermined compressive stress, this initial free face becoming a connecting face if the step d2.1 °) is a final stage of compression.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 15, wherein when the predetermined compression is not reached in step d2.1 °) of the first compression sequence. one or more additional compression sequences are carried out after step d2.1 °) until reaching the predetermined compression, in each additional compression sequence: a2.1 '°) a target substrate is bonded ( 62.1 ') on the initial free face (23.1) of the crystalline part (23), at a temperature substantially equal to the second reference temperature, this target substrate (62.1') being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the target substrate (61.1) stuck on the other side of the crystalline part during the second bonding step of the preceding sequence, b2.1 '°) the substrate cib is removed (61.1) glued on the other side (23.2) of the crystalline part, during the second bonding step of the previous sequence, so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part, c2. 1 '°) is glued on the other side (23.2), a target substrate (63.1') of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the target substrate material (62.1 ') bonded to the crystalline part ( 23) at the first bonding step of the current sequence, at a temperature above the second reference temperature, or else the other side is bonded to a target substrate (63.1 ") of a material having a thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline part, at a temperature higher than the second reference temperature, this alternative being preferred during the last additional sequence, d2.1 '°) is removed the target substrate (62.1') stuck to the first stage of gluing a2.1 '°) of the current sequence exposing the initial free face (23.1) of the crystalline part which is constrained in compression, this initial free face becoming a bonding face if step d2.1' ° ) is a final step of compression, during the last additional compression sequence, at the end of step d2.1 '°), the crystalline part then having a compressive stress equal to the stress in predetermined compression at the second reference temperature, the difference between the second reference temperature and the temperature greater than the second reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being chosen to obtain the predetermined compressive stress.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 15 or claim 16, wherein when the predetermined compressive stress has been reached and the crystalline portion (23) is bonded to a substrate. target (61.1) material of thermal expansion coefficient 110 different from that of the crystalline part, to prevent the stress evolves subsequently, the initial free face (23.1) of the crystalline portion being bare, can be carried out a finishing sequence wherein: a22.1 °) is adhered to the initial free face (23.1) of the crystalline portion (23), a target substrate (62.1) of material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline material, substantially at the second reference temperature, b22.1 °), the target substrate (61.1) is removed from the material with a coefficient of thermal expansion different from that of the material of the crystalline part (23), so as to expose the other face (23.1) of the crystalline part, c22.1 °) is glued on the other face (23.2), a target substrate (63.1 ) in a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (23), at any temperature, d22.1 °) exposing the initial free face (23.1) of the crystalline portion, this initial free face becoming a connecting face.

18. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined voltage stress to the crystalline portion (43) of a basic elementary structure (2 ') at a third reference temperature 111 and transforming it into a treated elementary structure (59), a first tensioning sequence is performed in which: a3 °) a target substrate (55) is bonded in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part (43), on the initial free face (43.1) of the crystalline part, at a temperature higher than the third reference temperature, b3 °) the source substrate (40) is removed. ') so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part (43), c3 °) is glued a target substrate (56) of a material having a coefficient of thermal expansion sensi equal to that of the crystalline part (43), on the other side (43.2), at a temperature substantially equal to the third reference temperature, d3 °) the target substrate (55) is removed from the thermal expansion less than that of the material of the crystalline portion (43, exposing the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43) which is stress-stressed, this voltage stress being less than or equal to the tensile stress predetermined, this initial free face becoming a connecting face if step d3 °) is a final step of tensioning.

19. A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 18, wherein 112 if the predetermined voltage stress is not reached in step d3 °) of the first power up sequence. one or more additional tensioning sequences are carried out after step d3 °) until the predetermined voltage stress is reached, in each additional tensioning sequence: a3 '°) a target substrate is glued (57) on the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43), at a temperature above the third reference temperature, this target substrate (57) being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the the crystalline part (43), b3 '°) is removed the target substrate (56) stuck on the other face (43.2) of the crystalline part (43), during the second step of bonding the p-sequence recede, so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part, c3 '°) is glued on the other side (43.2) a target substrate (58) of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (43), substantially at the third reference temperature, 25 d3 '°) the target substrate (57) adhered to the first gluing step a3' °) of the current sequence is removed , exposing the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43) which is voltage-stressed, this initial free face becoming a bonding face if step d3 '°) is a final power-up step During the last additional tensioning sequence, at the end of step b3 '°), the crystalline part then having a voltage stress equal to the predetermined voltage stress at the third reference temperature , the difference between the third temperature and the temperature above the third reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined voltage stress.

20. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined voltage stress to the crystalline portion (43) of a basic elementary structure (2 ') at a third reference temperature and transforming it into a treated elementary structure (59.1), a first tensioning sequence is carried out in which: a3.1 °) a target substrate (55.1) is bonded in a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part (43), on the initial free face (43.1) of the crystalline part, at a temperature substantially equal to the third reference temperature, b3.1 °) is removed the source substrate (40 ') so as to expose the other face (43.2) of the crystalline portion (43), c3.1 °) a target substrate (56.1) is bonded to the other face (43.2) of the crystalline part ( 43), 114 at a temperature above the third reference temperature, this target substrate (56.1) being of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (43), d3.1 °) the target substrate (55.1) adhered during the first bonding step of the first tensioning sequence is removed, exposing the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43) which is stress-stressed, this constraint in voltage being less than or equal to the predetermined voltage stress, this initial free face becoming a bonding face if at the end of step d3.1 °) the crystalline part has the predetermined voltage stress at the third temperature of reference.

21. A method of producing a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 20, wherein if the predetermined voltage stress is not reached in step (d3.1 °) of the first setting sequence. in tension, one or more additional tensioning sequences are carried out after step d3 °) until the predetermined voltage stress is reached, in each additional tensioning sequence: a3.1 '°) a substrate is glued target (57.1) on the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43) at a temperature substantially equal to the third reference temperature, this target substrate 115 (57.1) being of a material having a coefficient of thermal expansion greater than that of the material of the crystalline part (43), b3.1 '°) is removed the target substrate (56.1) glued on the other face (43.2) of the crystalline part (43), during the second step of bonding of the preceding sequence, so as to expose the other face (43.2) of the crystalline part, c3.1 '°) is glued on the other face (43.2) of the crystalline part (43), a target substrate ( 58.1) of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (43) at a temperature above the third reference temperature d3.1 '°) the target substrate is removed (57.1) bonded during the first step of bonding a3.1 '°) of the current sequence, exposing the initial free face (43.1) of the crystalline portion (43) which is stress-stressed, this initial free face (43.1) becoming a bonding face if step d3.1 '°) is a final step of tensioning, during the last additional tensioning sequence, at the end of step d3 .1' °) the crystalline part then having a voltage stress equal to the voltage stress predetermined at the third step reference temperature, the difference between the third reference temperature and the temperature above the third reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined voltage stress. 116

22. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined compressive stress to the crystalline portion (23) of a basic elementary structure (1 ') at a fourth reference temperature and transforming it into a treated elementary structure, a first compression sequence is performed in which: a4 °) a target substrate (70) is bonded to a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part (23), on the initial free face (23.1) of the crystalline part (23), at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, b4 °) the source substrate is removed ( 20 ') so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part (23), c4 °) a target substrate (71) is adhered to the other face (23.2) of the crystalline part (23). ), at a temperature above the fourth reference temperature, this target substrate (71) being of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the crystalline part material (23), d4 °) the substrate is removed target (70) bonded during the first step of gluing a4 °) of the first compression sequence, exposing the initial free face (23.1) of the crystalline portion (23) which is constrained in compression, this constraint 117 in compression being less than or equal to the predetermined compressive stress, this initial free face becoming a bonding face if step d4 °) is a final step of compression.

A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 22, wherein if the predetermined compression is not reached at step d4 °) of the first compression sequence, one or more additional compression sequences are carried out after step d4 °) until reaching the predetermined compressive stress, in each additional compression sequence: a4 '°) a target substrate (72) is bonded, on the initial free face (23.1) of the crystalline part (23) at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, this target substrate (71) being in a material having a coefficient of thermal expansion less than that of the material of the crystalline part (23), b4 '°) the target substrate (71) adhered to the other face (23.2) of the crystalline part (23) is removed during the second bonding stage of the preceding sequence, so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part, c4 '°) is glued on the other side (23.2) a target substrate (73) of a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (23), at a temperature higher than the fourth reference temperature, d4 ') the target substrate (72) adhered to the first gluing step a4' °) is removed. the current sequence, exposing the initial free face (23.1) of the crystalline part (23) which is constrained in compression, this initial free face (23.1) becoming a connecting face if the step d4 '°) is a final stage of compression, during the last additional compression sequence, at the end of step d4 '°) the crystalline part then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the fourth temperature reference, the ifference between the fourth reference temperature and the temperature above the fourth reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined compressive stress.

24. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 4 or 5, wherein to impose a predetermined compressive stress to the crystalline portion (23) of a basic elementary structure (1 ') at a fourth reference temperature and transforming it into a treated elementary structure, a first sequencing sequence is carried out in which: a4.1 °) a target substrate (70.1) is bonded in a material having a thermal expansion coefficient 119 greater than that of the material of the crystalline part (23), on the initial free face (23.1) of the crystalline part, at a temperature higher than the fourth reference temperature, b4.1 °) the source substrate (20 ') so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part (23), c4.1 °) a target substrate (71.1) is bonded to the other face (23.2) of the crystalline part ( 23), of a material having substantially the same coefficient of thermal expansion as that of the crystalline portion (23), at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, d4.1 °) the bonded target substrate (70.1) is removed during the first step of gluing a4.1 °) of the first sequence exposing the initial free face (23.1) of the crystalline part (23) which is constrained in compression, this compressive stress being less than or equal to the constraint in predetermined compression, this initial free face becoming a bonding face if in step d4.1 °) the crystalline portion has the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature.

25. A method of making a structure having a two-dimensional network of wedge periodic dislocations according to claim 24, wherein if the predetermined compression is not achieved in step d.4.1 °) of the first setting sequence. compression, one or more additional compression sequences are carried out after the step d4.1 °) until reaching the predetermined compressive stress, in each additional compression sequence: a4.1 '°) one sticks a target substrate (72.1) on the initial free face (23.1) of the crystalline portion (23) at a temperature above the fourth reference temperature, said target substrate (72.1) being in a material having a higher thermal expansion coefficient to that of the material of the crystalline portion (23), b4.1 '°) the target substrate (71.1) adhered to the other side (23.2) of the crystalline part (23) is removed in the second step of coll. of the preceding sequence, so as to expose the other face (23.2) of the crystalline part (23), c4.1 '°) is glued on the other face (23.2) a target substrate (73.1) in a material having a coefficient of thermal expansion substantially equal to that of the material of the crystalline portion (23), at a temperature substantially equal to the fourth reference temperature, d4.1 '°) is removed the target substrate (72.1) glued to the first step of bonding a2.1 ') of the current sequence, exposing the initial free face (23.1) of the crystalline part (23) which is constrained in compression, during the last additional compression sequence at the end of step b4.1 '°) the crystalline part (23) then having a compressive stress equal to the predetermined compressive stress at the fourth reference temperature, the difference between the 121 fourth reference temperature and the superior temperature at the fourth reference temperature, the target substrate materials and the number of sequences being selected to obtain the predetermined compressive stress.

26. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 6 to 25, wherein performs a thermal annealing step after each bonding step.

27. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 6 to 26, wherein the withdrawal steps are by lapping and etching.

28. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations coin according to one of claims 6 to 27, wherein the first, second, third, fourth reference temperature is equal to a room temperature.

29. A method of producing a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations wedge according to one of claims 1 to 28, wherein the material of the crystalline portion (23, 43) and the substrates of a material with coefficient of expansion The thermal temperature substantially equal to that of the material of the crystalline part is chosen from silicon, germanium, gallium nitride, silicon carbide, gallium arsenide and indium phosphide.

30. A method of making a structure having a two-dimensional network of periodic dislocations wedge according to one of claims 1 to 29, wherein the target substrates made of a material with a thermal coefficient of expansion greater than that of the material of the crystalline part. and the target substrates in lower crystalline thermal a material with a coefficient of expansion to that of the material of the part are selected from silicon, germanium, fused silica, glass, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, sapphire, copper, aluminum.

31. A method of producing a structure 20 having a two-dimensional network of periodic dislocations corner according to one of claims 1 to 29, wherein is carried out epitaxy from at least a crystalline portion to change the nature with a material having a mesh parameter substantially equal to that of the crystalline portion.

32. A structure having two crystalline joined parts (1 ', 2', 48, 65), and at the interface between the two crystalline parts (23, 43) a two-dimensional network of periodic dislocations coin, characterized in that the parts 123 crystalline crystals (23, 43) are made of the same crystalline material from the same crystal, the crystalline portions (23, 43) having their crystal lattices substantially coincidental, at least one of the crystalline portions (23) being constrained of a chosen value having a mesh parameter different from that of the other crystalline part (43), so that the two-dimensional network of periodic dislocations coin has a desired period.