FR2959638A1 - Dispositif de production d'electricite a partir d'une sphere de plasma - Google Patents
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Abstract
Le dispositif selon l'invention est constitué : - d'un contenant formé d'une caisse étanche munie à sa base d'un injecteur de gaz et à sa partie supérieure d'un sas ouvrant sur une caisse à vide d'air, - d'électrodes en silicium et titane disposées sur un plateau à l'intérieur de la caisse étanche, - et de tiges en graphite et céramique disposées de façon à maintenir en place par répulsion le plasma produit. Ce dispositif permet de créer un plasmoïde sphérique sous une atmosphère anoxique. Lorsqu'il est englobé dans un cylindre métallique étanche prolongé en une cuve remplie d'eau, la vapeur produite par l'élévation de température peut être convertie en électricité grâce à une turbine classique.
Description
Le présent document décrit la méthode employée pour retirer l'énergie de chaleur, les flux électriques et de lumière à partir des matières silice, carbone, et azote. Le procédé emploie des électrodes en silicium et titane destinées à vaporiser le silicium par une décharge de 150 à 300 ampères selon la quantité de silicium à traiter. Ces électrodes sont disposées sur un plateau et recouvertes par une caisse étanche aux parois de verre. Ce contenant est muni d'un injecteur de gaz à la base, et d'un sas à la partie supérieure ouvrant sur une caisse à vide d'air aux dimensions équivalentes à 1110éme du contenant principal. La caisse est entourée par 6 à 72 tiges en graphites et céramiques, voir plus en fonction de la taille du contenant principal. Elles seront par la suite chargées en électricité positive par un générateur électrostatique. Lorsque les électrodes sont en place, on entame l'extraction de l'air présent dans les deux caisses, avant d'injecter en compensation du gaz di-azote jusqu'à remplacement total de l'atmosphère d'origine. Il est important de garder un vide d'air de 0.5 atm afin de garantir l'étanchéité du système. Le silicium des électrodes est vaporisé par une décharge de 30000 V à 100000 V et de 150 A à 300 A en fonction de l'épaisseur des lamelles de silicium. Nous obtenons une sphère de plasma, équivalente aux boules de foudres naturelles, maintenue en place avec la répulsion des barres de graphite et céramique conductrice. L'énergie est récupérée par des cellules photoréceptrices à semi-conducteurs au silicium, encadrant la sphère de plasma. Des plaques externes amovibles sont envisagées pour moduler l'ampérage. L'énergie de la matière étant convertie en chaleur et lumière,,la durée de vie est presque indéfinie. Le contexte sans oxygène empêche l'oxydation du silicium et sa neutralisation. Le sas offre la possibilité d'augmenter la puissance du système en ajoutant des poussières de carbone ou du silicium intégrant la sphère par simple contact. Toutes les matières premières conviennent à ce procédé à condition de ne pas indure d'oxygène moléculaire. Dans un deuxième temps les systèmes d'extraction et d'injection seront couplés et réalisés à partir du même appareil, l'injecteur de gaz sera employé à pulvériser des fibres de carbone ou autres matières sur la sphère de plasma. Une autre méthode de récupération d'énergie est développée par induction thermique. En présence d'une sphère de plasma les métaux environnants subissent une élévation de température estimée à plus de 800°C. Le plasma est englobé sous un cylindre métallique étanche prolongé en une cuve inox remplie d'eau (schéma n°2) qui vient recouvrir le plateau muni d'électrodes. La vapeur est convertie en électricité dans une turbine magnétique classique.
Claims (8)
- REVENDICATIONS1. Dispositif de production d'un plasma, caractérisé en ce qu'il est constitué : - d'un contenant formé d'une caisse étanche munie à sa base d'un injecteur de gaz et à sa partie supérieure d'un sas ouvrant sur une caisse à vide d'air, - d'électrodes en silicium et titane disposées sur un plateau à l'intérieur de la caisse étanche, - et de tiges en graphite et céramique disposées de façon à maintenir en place par répulsion le plasma produit.
- 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les parois de la caisse étanche sont métalliques.
- 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les parois de la caisse étanche sont en verre.
- 4. Procédé de production d'un plasma, utilisant un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il consiste à extraire l'air présent dans les caisses, à injecter en compensation du gaz di-azote jusqu'à remplacement total de l'atmosphère d'origine, à vaporiser le silicium des électrodes par une décharge, et à charger les tiges en graphite et céramique en électricité positive par un générateur électrostatique de façon à maintenir en place par répulsion la sphère de plasma ainsi obtenue.
- 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'on utilise le sas pour ajouter des poussières de carbone ou du silicium afin d'augmenter la puissance du système.
- 6. Procédé selon l'une des revendications 4 et 5, caractérisé en ce qu'on utilise l'injecteur de gaz pour pulvériser des fibres de carbone ou autres matières sur la sphère de plasma.
- 7. Dispositif de production d'électricité, caractérisé en qu'il comprend un dispositif selon la revendication 2 et une cuve à eau reliée à une turbine à vapeur.
- 8. Dispositif de production d'électricité, caractérisé en qu'il comprend un dispositif selon la revendication 3 et des cellules photoréceptrices.30
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FR1001834A FR2959638A1 (fr) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | Dispositif de production d'electricite a partir d'une sphere de plasma |
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FR1001834A FR2959638A1 (fr) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | Dispositif de production d'electricite a partir d'une sphere de plasma |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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FR2959638A1 true FR2959638A1 (fr) | 2011-11-04 |
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ID=44833531
Family Applications (1)
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FR1001834A Withdrawn FR2959638A1 (fr) | 2010-04-29 | 2010-04-29 | Dispositif de production d'electricite a partir d'une sphere de plasma |
Country Status (1)
Country | Link |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3445722A (en) * | 1964-11-04 | 1969-05-20 | Gulf General Atomic Inc | Plasma manipulation method and apparatus |
WO2000079839A1 (fr) * | 1999-06-21 | 2000-12-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Procede et appareil de fabrication de particules polycristallines |
US6375860B1 (en) * | 1995-03-10 | 2002-04-23 | General Atomics | Controlled potential plasma source |
-
2010
- 2010-04-29 FR FR1001834A patent/FR2959638A1/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
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Non-Patent Citations (1)
Title |
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MASAHIKO NAOE ET AL: "Evaporation of Silicon by Vacuum-Arc Discharge", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 8, no. 2, 1 February 1969 (1969-02-01), pages 287 - 288, XP055113640, ISSN: 0021-4922, DOI: 10.1143/JJAP.8.287 * |
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