FR2954855A1 - Circuit a jonctions josephson a structure hybride supraconducteur/ferroelectrique - Google Patents
Circuit a jonctions josephson a structure hybride supraconducteur/ferroelectrique Download PDFInfo
- Publication number
- FR2954855A1 FR2954855A1 FR0906402A FR0906402A FR2954855A1 FR 2954855 A1 FR2954855 A1 FR 2954855A1 FR 0906402 A FR0906402 A FR 0906402A FR 0906402 A FR0906402 A FR 0906402A FR 2954855 A1 FR2954855 A1 FR 2954855A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- film
- circuit
- thin film
- superconductive
- ferroelectric
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000004807 localization Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910002902 BiFeO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000238366 Cephalopoda Species 0.000 description 1
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005404 magnetometry Methods 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06N—COMPUTING ARRANGEMENTS BASED ON SPECIFIC COMPUTATIONAL MODELS
- G06N10/00—Quantum computing, i.e. information processing based on quantum-mechanical phenomena
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0912—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices
- H10N60/0941—Manufacture or treatment of Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
- H10N60/124—Josephson-effect devices comprising high-Tc ceramic materials
Abstract
La présente invention a pour objet un circuit à jonctions Josephson à structure hybride supraconducteur /ferroélectrique, présentant des caractéristiques facilement reproductibles, ne nécessitant pas de températures de fonctionnement trop basses, qui puisse être facilement réparable et pouvant être facilement fabriqué, même en grand nombre sur une même « puce ». Le circuit de l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte sur un substrat (1) un film mince supraconducteur (2) et un film mince ferroélectrique (3), le matériau du film supraconducteur étant un matériau dont la température critique est étroitement liée à sa concentration en porteurs de charges, et le film mince ferroélectrique en un matériau polarisable localement, à échelle submicronique, dans lequel a été induite une polarisation locale, et que le circuit est utilisé à une température inférieure à la température critique.
Description
CIRCUIT A JONCTIONS JOSEPHSON A STRUCTURE HYBRIDE SUPRACONDUCTEUR IFERROELECTRIQUE
La présente invention se rapporte à un circuit à jonction Josephson à structure 5 hybride supraconducteur / ferroélectrique. Des applications dans des domaines divers, tels que celui des antennes nécessitant une grande miniaturisation, des convertisseurs analogique-numérique, des capteurs quantiques très sensibles (magnétométrie « SQUID ») ou des fréquencemètres utilisent des circuits à jonctions Josephson. 10 Les circuits à jonctions Josephson constituent la pierre angulaire des dispositifs électroniques et logiques supraconducteurs « classiques » des applications citées ci-dessus. En outre, les jonctions Josephson sont les composants de base des nouveaux dispositifs supraconducteurs à bits quantiques (dits « Q-bits »), qui se sont révélés très prometteurs pour la réalisation de systèmes de calcul quantique. Il en 15 résulte que le perfectionnement des techniques de fabrication des jonctions Josephson est d'une grande importance dans de nombreux domaines d'application. En particulier, il s'agit des domaines où l'on peut utiliser des matériaux supraconducteurs à température critique (Tc) élevée, c'est-à-dire des dispositifs pouvant fonctionner à une température supérieure à ou proche de celle de l'azote 20 liquide, à pression ambiante normale. Ces matériaux supraconducteurs sont par exemple des oxydes complexes tels que des cuprates TRBa2Cu3O7_X (TR=terre rare) ou La2_XSrXCuO4, entre autres, pour lesquels la température critique dépend fortement de la concentration de porteurs de charge. L'inconvénient de tels matériaux, du point de vue technologique, est qu'il est 25 difficile d'obtenir des réseaux de jonctions Josephson à propriétés physiques homogènes. Le problème technologique le plus important relative à la fabrication des circuits à jonctions Josephson à supraconducteurs à Tc élevée est leur reproductibilité. Il existe actuellement deux procédés de fabrication de jonctions 30 Josephson. Le premier est du type à « modèle à rampe » nécessitant un grand nombre d'étapes de fabrication (croissance d'un film supraconducteur, photolithographie de la structure à rampe, dépôt d'un matériau isolant formant barrière, croissance d'une deuxième électrode supraconductrice, etc). A cause de la nature multi-étapes de ce procédé de fabrication, et du caractère ex situ de ces étapes, on constate constamment une grande dispersion des propriétés physiques de ces jonctions. Le second procédé nécessite même un plus grand nombre d'étapes de fabrication de lithographie optique et à faisceau électronique et à irradiation ionique. Bien que ce procédé offre une meilleure reproductibilité des propriétés des circuits fabriqués, son inconvénient réside dans son coût du fait qu'il requiert un équipement dernier cri onéreux de lithographie par faisceau électronique (à résolution meilleure que 30 nm), ainsi qu'un équipement d'implantation ionique également onéreux. Les inconvénients de ces procédés connus ne permettent pas de les mettre en oeuvre de façon industrielle. Enfin, l'inconvénient le plus important est que, du fait que les circuits à jonctions Josephson comportent typiquement plusieurs centaines de tels circuits, le mauvais fonctionnement d'une seule jonction d'un circuit peut dégrader le fonctionnement de tout ce circuit. De plus, aucun de ces deux procédés ne permet ni de réparer ni de reconfigurer les circuits.
La présente invention a pour objet un circuit à jonctions Josephson à structure hybride supraconducteur / ferroélectrique , présentant des caractéristiques facilement reproductibles, ne nécessitant pas de températures de fonctionnement trop basses, qui puisse être facilement réparable et pouvant être facilement fabriqué, même en grand nombre sur une même « puce ». Elle a aussi pour objet un réseau de tels circuits à jonctions Josephson dont les différents éléments aient des propriétés physiques homogènes, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel circuit. Le circuit conforme à l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte sur un substrat un film mince supraconducteur et un film mince ferroélectrique, le matériau du film supraconducteur étant un matériau dont la température critique est étroitement liée à sa concentration en porteurs de charges, et le film mince ferroélectrique en un matériau polarisable localement, à échelle submicronique, dans lequel a été induite une polarisation locale, et que le circuit est utilisé à température inférieure à la température critique du film supraconducteur . Les matériaux ainsi utilisés par l'invention présentent un avantage très important qui est la possibilité d'écrire et d'effacer à volonté sur la même « puce » de circuit intégré des circuits ou des parties de circuits évolutifs, et ce, a priori un nombre illimité de fois. On obtient ainsi une grande souplesse d'utilisation des puces, sur chacune desquelles on peut former et modifier à volonté des circuits à fonctions très différentes en réécrivant ou en modifiant une partie ou la totalité des circuits déjà définis sur cette puce.
La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée d'un mode de réalisation, pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par le dessin annexé, sur lequel : la figure 1 est un schéma simplifié en coupe d'un élément de circuit conforme à l'invention, la figure 2 est un schéma simplifié montrant la façon d'appliquer une polarisation locale à l'élément de circuit de la figure 1, et la figure 3 est un schéma simplifié montrant un effet de l'application d'une polarisation locale au circuit de la figure 1 comme réalisé selon le procédé schématisé en figure 2, et la figure 4 est une vue schématique en coupe selon IV-IV de la figure 3.
On a schématisé en figure 1 un composant élémentaire du circuit de 25 l'invention. Ce composant comporte essentiellement une structure bicouche hybride à deux films minces. Sur un substrat isolant 1, on forme par croissance épitaxiale d'abord un film supraconducteur 2, puis un film ferroélectrique 3. Le film 2 a typiquement une épaisseur inférieure à environ 10 nm, tandis que le film 3 a typiquement une épaisseur supérieure à environ 3 nm. Le film ferroélectrique est par 30 exemple un des matériaux suivants : BaTiO3, Pb(Zr,Ti)O3, BiFeO3... 20 2954855 4' Selon l'invention, le matériau supraconducteur est un matériau dont la température critique est étroitement liée à sa concentration en porteurs de charges. Ce matériau est par exemple un matériau à base d'oxydes complexes supraconducteurs tel qu'un des matériaux connus cités ci-dessus. 5 Le film mince ferroélectrique 3 est constitué d'un matériau qui doit pouvoir être polarisable localement (à échelle submicronique), de façon à pouvoir y générer une structure de domaines ferroélectriques. Comme schématisé en figure 2, on peut induire une polarisation locale du film ferroélectrique (référencé 3' à la suite de cette polarisation), par exemple à l'aide de la pointe 4 d'un microscope à force atomique, 10 en appliquant une tension V suffisamment élevée, typiquement d'environ 10 V ou plus, entre la pointe 4, appuyée sur la face supérieure de la structure bicouche, et une électrode (non représentée) reliée au film supraconducteur 2. Cette électrode peut par exemple traverser le film 3, dans un coin de la structure, en étant électriquement isolée de ce film 3.Comme schématisé sur la figure 2, il se forme dans la couche 3', 15 entre la pointe 4 et le film supraconducteur 2, un canal étroit 3" dont la polarisation est inverse de celle du reste de la couche 3'. Le film supraconducteur est également influencé par cette polarisation du film ferroélectrique, d'une façon décrite ci-dessous en référence à la figure 3, et est référencé 2' dans son ensemble en figures 2 et 3.
En variante (non représentée sur le dessin), si l'on emploie un matériau multiferroïque à propriétés magnétoélectriques (tel que BiFeO3, BiMnO3, TbMnO3, etc), la polarisation diélectrique peut être induite par application locale d'un champ magnétique. De façon avantageuse, ce champ magnétique est appliqué de la même façon que le champ d'écriture d'un disque dur d'ordinateur.
La structure des domaines ferroélectriques crée une modulation spatiale de la température critique dans le film supraconducteur à cause de la modulation de la concentration en porteurs de charges, cette modulation étant induite par le champ électrique de la couche ferroélectrique. En particulier, selon l'invention, et ainsi que schématisé en figure 3, on choisit une structure à domaines ferroélectriques de façon à former dans la couche 2', lors de l'application d'une tension V (comme indiqué en figure 2), deux régions supraconductrices 5 et 6, ayant respectivement la même température critique TC=TA et qui sont séparées l'une de l'autre par un canal central étroit 7 dont la largeur est de quelques dizaines de nm. Ce canal 7 prolonge le canal 3" formé dans la couche 3'. La température critique TC' du canal? est abaissée à une valeur telle que TC'=TB<TA Lorsque la structure de la figure 3 fonctionne dans un environnement à une température T telle que TB<T<TA , il se forme une jonction Josephson. Cette jonction couple par effet Josephson les deux régions supraconductrices 5 et 6 de température critique TC=TA à travers la région 7 dont la température critique est TC'=TB (avec TB <TA).
Egalement selon l'invention, on peut former des circuits et réseaux à jonctions Josephson à la demande en induisant une structure de domaines ferroélectriques correspondante dans la structure film ferroélectrique 3'.
En conclusion, le dispositif de l'invention présente les avantages suivants : Toutes les jonctions formées sur une même puce ont des propriétés physiques similaires (température et courant critiques, résistance de la jonction, grâce au fait que l'homogénéité des jonctions ne dépend que de l'homogénéité des films qui peut être contrôlée pendant la croissance des films. Le procédé de l'invention pour fabriquer les jonctions ne comporte pas d'étapes de lithographie ou de processus de déposition ex situ, qui entrainent généralement des dispersions de caractéristiques. Etant donné que la géométrie de la structure des domaines ferroélectriques peut être effacée et réécrite de façon réversible, la fonctionnalité particulière du circuit à jonctions Josephson ainsi induite peut être modifiée de façon réversible à volonté. Il en résulte que le circuit de l'invention peut être reconfiguré et reprogrammé. Si, par accident, une ou plusieurs des jonctions d'un circuit ne fonctionnaient pas correctement, elles peuvent être réparées par re- 30 polarisation de la zone affectée, et le circuit est alors de nouveau opérationnel. Donc, le circuit de l'invention est réparable. 20 25
Claims (5)
- REVENDICATIONS1. Circuit à jonctions Josephson à structure hybride supraconducteur / ferroélectrique, caractérisé en ce qu'il comporte sur un substrat (1) un film mince supraconducteur (2) et un film mince ferroélectrique (3), le matériau du film supraconducteur étant un matériau dont la température critique est étroitement liée à sa concentration en porteurs de charges, et le film mince ferroélectrique en un matériau polarisable localement, à échelle submicronique, dans lequel a été induite une polarisation locale, et que le circuit est utilisé à une température inférieure à la température critique du film supraconducteur.
- 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'épaisseur du film supraconducteur est inférieure à environ 10 nm et que celle du film ferroélectrique est supérieure à environ 3 nm.
- 3. Procédé de réalisation d'un circuit selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les deux films minces sont formés par croissance épitaxiale et que la polarisation locale du film mince ferro électrique est obtenue en appliquant une tension (V) entre une pointe (4), appuyée sur la face supérieure de la structure bicouche, et le substrat de cette structure bicouche.
- 4. Procédé de réalisation d'un circuit selon la revendication 4, caractérisé en ce que la tension est d'environ 10 V au moins.
- 5. Procédé de réalisation d'un circuit selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les deux films minces sont formés par croissance épitaxiale, que le film mince ferroélectrique est en matériau multiferroïque à propriétés magnétoélectriques, et que la polarisation locale du film mince ferroélectrique est induite par application locale d'un champ magnétique.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0906402A FR2954855B1 (fr) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Circuit a jonctions josephson a structure hybride supraconducteur/ferroelectrique |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0906402A FR2954855B1 (fr) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Circuit a jonctions josephson a structure hybride supraconducteur/ferroelectrique |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2954855A1 true FR2954855A1 (fr) | 2011-07-01 |
| FR2954855B1 FR2954855B1 (fr) | 2012-09-28 |
Family
ID=42320899
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR0906402A Active FR2954855B1 (fr) | 2009-12-30 | 2009-12-30 | Circuit a jonctions josephson a structure hybride supraconducteur/ferroelectrique |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2954855B1 (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014086990A1 (fr) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Thales | Resistance reglable |
| WO2017198866A1 (fr) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Thales | Dispositif comprenant une jonction josephson |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020180006A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Marcel Franz | Ferroelectric-superconductor heterostructures in solid state quantum computing systems |
-
2009
- 2009-12-30 FR FR0906402A patent/FR2954855B1/fr active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020180006A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-05 | Marcel Franz | Ferroelectric-superconductor heterostructures in solid state quantum computing systems |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| FIEBIG M ET AL: "Current trends of the magnetoelectric effect", THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL B ; CONDENSED MATTER PHYSICS, EDP SCIENCES, LE LNKD- DOI:10.1140/EPJB/E2009-00266-4, vol. 71, no. 3, 13 October 2009 (2009-10-13), pages 293 - 297, XP019743188, ISSN: 1434-6036 * |
| JAMES A HUTCHBY ET AL: "Nanoelectronics for Memory, Logic, and Information-Processing Architectures Could Possibly Extend the Time Frame of the ITRS Beyond CMOS", IEEE CIRCUITS AND DEVICES MAGAZINE, IEEE SERVICE CENTER, PISCATAWAY, NJ, US, vol. 18, no. 2, 1 March 2002 (2002-03-01), pages 28 - 41, XP011092716, ISSN: 8755-3996 * |
| TAKAHASHI K S ET AL: "Electrostatic modulation of the electronic properties of Nb-doped SrTiO3 superconducting films", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US LNKD- DOI:10.1063/1.1667279, vol. 84, no. 10, 8 March 2004 (2004-03-08), pages 1722 - 1724, XP012060724, ISSN: 0003-6951 * |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014086990A1 (fr) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Thales | Resistance reglable |
| FR2999328A1 (fr) * | 2012-12-07 | 2014-06-13 | Thales Sa | Resistance reglable |
| US9412504B2 (en) | 2012-12-07 | 2016-08-09 | Thales | Varistor |
| WO2017198866A1 (fr) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Thales | Dispositif comprenant une jonction josephson |
| FR3051603A1 (fr) * | 2016-05-20 | 2017-11-24 | Thales Sa | Dispositif comprenant une jonction josephson |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2954855B1 (fr) | 2012-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Jin Hu et al. | Optically controlled electroresistance and electrically controlled photovoltage in ferroelectric tunnel junctions | |
| EP1430484B1 (fr) | Memoire magnetique a ecriture par courant polarise en spin, mettant en oeuvre des alliages amorphes ferrimagnetiques et procede pour son ecriture | |
| Guo et al. | Non-volatile memory based on the ferroelectric photovoltaic effect | |
| EP2599085B1 (fr) | Element de memoire magnetique | |
| Fan et al. | Resistive switching induced by charge trapping/detrapping: a unified mechanism for colossal electroresistance in certain Nb: SrTiO 3-based heterojunctions | |
| EP2583281B1 (fr) | Mémoire magnétoélectrique | |
| US6762481B2 (en) | Electrically programmable nonvolatile variable capacitor | |
| US10396175B2 (en) | Nanogaps on atomically thin materials as non-volatile read/writable memory devices | |
| Guo et al. | Functional ferroelectric tunnel junctions on silicon | |
| WO2012056348A1 (fr) | Element magnetique inscriptible. | |
| JPH1012945A (ja) | ペロブスカイト・マンガネート材料にもとづく新規な磁気抵抗素子 | |
| Lipatov et al. | Using Light for Better Programming of Ferroelectric Devices: Optoelectronic MoS2‐Pb (Zr, Ti) O3 Memories with Improved On–Off Ratios | |
| FR2771511A1 (fr) | Capteur de champ magnetique et procede de fabrication de ce capteur | |
| Vaz et al. | Voltage-based magnetization switching and reading in magnetoelectric spin-orbit nanodevices | |
| FR2954855A1 (fr) | Circuit a jonctions josephson a structure hybride supraconducteur/ferroelectrique | |
| FR2876837A1 (fr) | Transistor a magnetoresistance et procede pour sa fabrication | |
| FR2848727A1 (fr) | Transistor a vanne de spin a haut rendement | |
| Hikita et al. | Negative differential resistance induced by Mn substitution at SrRuO 3/Nb: SrTiO 3 Schottky interfaces | |
| EP2945160B1 (fr) | Composant électronique à jonction josephson | |
| EP1419506A2 (fr) | Dispositif de commande de renversement de sens d'aimentation sanschamp magnetique externe | |
| Wang et al. | Tuning the resistive switching memory in a metal–ferroelectric–semiconductor capacitor by field effect structure | |
| EP3143694B1 (fr) | Circuit logique à base de vannes de spin du type à supercourant polarisé en spin et circuit intégrant de telles portes logiques | |
| FR2791814A1 (fr) | Dispositif microelectronique a jonctions tunnel et reseau de memoires et capteur comprenant de tels dispositifs | |
| de Vries | Taking topological insulators for a spin: Towards understanding of spin and charge transport in Bi2Se3 | |
| EP2929535B1 (fr) | Resistance reglable |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 7 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 8 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 9 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 11 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 13 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 14 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 15 |