FR2865201A1 - Vertical comb-drive type electrostatic actuator for very large telescope, has two electrode sets moving with respect to each other, from rest to maximum positions, where sets partially and electrically overlap even in rest position - Google Patents

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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002Electrostatic motors
    • H02N1/006Electrostatic motors of the gap-closing type
    • H02N1/008Laterally driven motors, e.g. of the comb-drive type

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  • Micromachines (AREA)

Abstract

The actuator has a set of electrodes (13) associated to a substrate (14) that holds a suspending beam (12). Another set of electrodes (10) moves with respect to the former set, from a rest position to a maximum position, along a direction perpendicular to a reference plane defined by an upper surface of the substrate. The two sets of electrode partially and electrically overlaps even in the rest position. Independent claims are also included for the following: (A) an actuating matrix including actuators (B) a deformable mirror including deformable membranes supporting a surface supported by an actuating medium (C) a method of fabricating an actuator.

Description

2865201 12865201 1

TECHNIQUE DE REALISATION DE STRUCTURES A FORTE  TECHNIQUE FOR REALIZING HIGH STRUCTURES

TOPOLOGIE AUTO-ALIGNEESSELF-ALIGNED TOPOLOGY

DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE ET ART ANTÉRIEUR  DESCRIPTION TECHNICAL FIELD AND PRIOR ART

L'invention concerne les systèmes Micro-Electro-Mécaniques (MEMS). Plus particulièrement, elle décrit un actionneur à forte topologie, comme des actionneurs comb-drive , à base d'une structure en forme de peigne, ainsi qu'un procédé de fabrication.  The invention relates to Micro-Electro-Mechanical Systems (MEMS). More particularly, it describes a high-topology actuator, such as comb-drive actuators, based on a comb-shaped structure, as well as a manufacturing method.

L'invention décrit également la réalisation d'un actionneur ou d'un actuateur, notamment de type comb-drive vertical, ou de type peigne vertical, avec un facteur de forme élevé.  The invention also describes the production of an actuator or an actuator, in particular of the vertical comb-drive type, or of the vertical comb type, with a high form factor.

Les microstructures, en particulier celles usinées en silicium, sont utilisées dans un grand nombre d'applications telles que les capteurs et les actuateurs.  Microstructures, in particular those machined in silicon, are used in a large number of applications such as sensors and actuators.

Plus particulièrement, les structures MEMS à large topologie sont utiles pour les actionneurs lorsque la force requise est importante, mais aussi pour l'optique adaptive, pour la correction de front d'ondes, les bioMEMS, où des canaux à fort facteur de forme sont désirés.  More particularly, the large topology MEMS structures are useful for the actuators when the required force is important, but also for the adaptive optics, for wavefront correction, the bioMEMS, where high form factor channels are desired.

Les dispositifs et procédés connus utilisent différentes méthodes posant chacune des problèmes de compatibilité du procédé avec le circuit électronique associé aux électrodes et avec différents niveaux de complexité.  The known devices and methods use different methods each posing problems of compatibility of the method with the electronic circuit associated with the electrodes and with different levels of complexity.

2865201 2 Une approche classique pour la réalisation d'actionneurs à forte topologie consiste à utiliser l'électrodéposition de métal à l'intérieur de motifs réalisés dans une résine photosensible aux rayons X ou UV (comme décrit dans le document US 2002/109894). Cependant, ce type de procédé laisse des traces sur le substrat, ou wafer , qui empêchent un post-traitement.  A conventional approach for producing high-topology actuators is to use metal plating within patterns made in an X-ray or UV-sensitive resin (as described in US 2002/109894). However, this type of process leaves traces on the substrate, or wafer, which prevent a post-treatment.

De plus, l'emploi de couches métalliques 10 est fortement critique dans le cas de recuits ultérieurs.  In addition, the use of metal layers 10 is highly critical in the case of subsequent annealing.

Enfin, l'emploi de source de rayons X n'est pas commun dans l'industrie de la microélectronique.  Finally, the use of X-ray sources is not common in the microelectronics industry.

Des couches sacrificielles ont aussi été utilisées (comme décrit dans le document W00172631). Il s'agit alors de graver localement une couche sacrificielle, ou de venir déposer par PECVD la couche qui permettra de réaliser l'électrode mobile par gravure.  Sacrificial layers were also used (as described in W00172631). It is then a matter of locally etching a sacrificial layer, or of depositing by PECVD the layer that will make it possible to produce the mobile electrode by etching.

Une sous gravure permet de libérer les peignes.  A sub-engraving allows to release the combs.

L'inconvénient majeur de cette solution réside dans le fait que les couches déposées sont limitées en épaisseur.  The major disadvantage of this solution lies in the fact that the deposited layers are limited in thickness.

Par conséquent, la course de l'actionneur, et donc ses performances, se trouvent limitées.  Consequently, the stroke of the actuator, and therefore its performance, are limited.

Une autre solution est d'usiner en gravure sèche des tranchées de profondeur conséquente sur un substrat double SOI (comportant 2 couches d'oxyde enterré), afin de s'arrêter sur une couche d'arrêt 2865201 3 d'oxyde (comme décrit dans US 2002/005976, et US 2003/073261).  Another solution is to machine in dry etching trenches of substantial depth on a SOI double substrate (comprising 2 layers of buried oxide), in order to stop on an oxide barrier layer 2865201 3 (as described in FIG. US 2002/005976, and US 2003/073261).

Ensuite l'oxyde enterré est sous-gravé localement pour libérer les peignes mobiles.  Then the buried oxide is locally underexposed to release the moving combs.

Ces deux étapes empêchent l'obtention d'un de facteur de forme de valeur élevée. On définit le facteur de forme d'un motif comme la rapport hauteur ce motif. Lorsqu'on grave des trous de section étroite sur une grande profondeur, on perd en résolution (cas d'une gravure en pente, cote non respectée...). Ceci est d'autant plus marqué si des gravures succèdent: si une gravure se fait à partir d'une surface plane ou d'une surface déjà gravée, le résultat n'est pas le même.  These two steps preclude obtaining a high value form factor. The shape factor of a pattern is defined as the ratio height of this pattern. When holes of narrow section are engraved on a great depth, one loses in resolution (case of an engraving on slope, side not respected ...). This is all the more marked if engravings follow: if an engraving is done from a flat surface or an already engraved surface, the result is not the same.

C'est le problème des techniques décrites dans les documents US cités cidessus: il y a gravure profonde et succession de plusieurs gravures.  This is the problem of the techniques described in the US documents cited above: there is deep engraving and succession of several engravings.

Il se pose aussi un problème de réalisation de la connectique, notamment à cause de la présence d'une couche isolante (comme dans le document W001/72631) ou de la couche d'oxyde (comme dans les documents US cités cidessus), ce qui nécessite une reprise de contact sur les faces supérieure et inférieure de l'actionneur.  There is also a problem of making the connector, particularly because of the presence of an insulating layer (as in document W001 / 72631) or of the oxide layer (as in the US documents cited above), which requires a resumption of contact on the upper and lower faces of the actuator.

EXPOSÉ DE L'INVENTION Un actionneur électrostatique selon l'invention comporte un premier jeu d'électrodes associé à un support et un deuxième jeu d'électrodes, mobile par rapport au premier jeu et inter-digité, ou disposé en alternance, par rapport à ce premier jeu, ce section 2865201 4 deuxième jeu étant apte à se déplacer d'une première position, dite de repos, à une deuxième position, ou à une position maximum, entre les électrodes du premier jeu, en dehors d'un plan de référence lié au support ou défini par le support, ou selon un déplacement ayant au moins une composante orientée perpendiculairement à ce plan de référence.  SUMMARY OF THE INVENTION An electrostatic actuator according to the invention comprises a first set of electrodes associated with a support and a second set of electrodes, movable with respect to the first set and interdigitated, or arranged alternately, with respect to this first game, this section 2865201 4 second game being able to move from a first position, called rest, to a second position, or to a maximum position, between the electrodes of the first game, outside a plane of reference linked to the support or defined by the support, or according to a displacement having at least one component oriented perpendicularly to this reference plane.

L'invention concerne un actionneur électrostatique avec deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement, ou se faisant partiellement face à face, même au repos, y compris électriquement: les zones conductrices d'électrodes voisines se recouvrent ou se font face à face, au moins partiellement.  The invention relates to an electrostatic actuator with two sets of electrodes partially overlapping, or partially facing each other, even at rest, including electrically: the surrounding electrode conductive areas overlap or face each other, less partially.

En position de repos, une partie des électrodes du deuxième jeu est en regard d'une partie des électrodes du premier jeu, selon des plans perpendiculaires au plan de référence.  In the rest position, a portion of the electrodes of the second set is facing a portion of the electrodes of the first set, in planes perpendicular to the reference plane.

Le déplacement du deuxième jeu peut se faire perpendiculairement au plan de référence ou encore selon un mouvement de rotation selon un axe parallèle au plan de référence.  The displacement of the second game can be done perpendicular to the reference plane or in a rotational movement along an axis parallel to the reference plane.

Les peignes interdigités sont des actionneurs à variation de surface. Les électrodes mobiles se déplacent par rapport aux électrodes fixes.  Interdigit combs are surface variation actuators. The moving electrodes move relative to the fixed electrodes.

Dans l'art antérieur, les actionneurs de type 3D connus présentent des jeux d'électrodes sans zones de recouvrement électrique. Ainsi, dans le document US 2002/5970 il y a recouvrement mécanique mais non électrique des dents des peignes, ce qui nécessite des tensions d'actionnement importantes pour 2865201 5 passer d'une position de repos à une deuxième position ou à une position maximum.  In the prior art, the known 3D type actuators have electrode sets without electrical overlap areas. Thus, in document US 2002/5970 there is a mechanical but non-electric covering of the teeth of the combs, which requires large actuating voltages for moving from a rest position to a second position or to a maximum position .

Un actionneur selon l'invention, avec deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, permet de pallier ce problème et donc peut avoir des tensions d'actionnement moins importantes.  An actuator according to the invention, with two sets of electrodes partially overlapping from the electrical point of view, even at rest, overcomes this problem and therefore may have lower actuation voltages.

Un actionneur selon l'invention permet de surmonter les désavantages des procédés décrits précédemment, et notamment le problème du facteur de forme, la résolution de gravure, et le problème de la connectique.  An actuator according to the invention makes it possible to overcome the disadvantages of the methods described above, and in particular the problem of the form factor, the etching resolution, and the problem of the connection.

Dans l'invention, le double masque de lithographie supprime les deux étapes de gravure successives de l'art antérieur, ce qui permet d'améliorer les performances en termes de facteur de forme.  In the invention, the double lithography mask eliminates the two successive etching steps of the prior art, which makes it possible to improve the performance in terms of form factor.

Dans l'invention, toute la connectique est en face arrière du substrat.  In the invention, all the connector is on the rear face of the substrate.

Le support peut être à la fois un support mécanique du premier jeu d'électrodes et un support pour des moyens de connexion des électrodes.  The support can be both a mechanical support of the first set of electrodes and a support for connection means of the electrodes.

Un actionneur selon l'invention peut comporter une première et une deuxième séries d'électrodes mobiles disposées de part et d'autre d'un corps mobile en rotation autour dudit axe de rotation.  An actuator according to the invention may comprise a first and a second series of movable electrodes disposed on either side of a body movable in rotation about said axis of rotation.

Il peut aussi comporter une première et une deuxième séries d'électrodes fixes disposées à des hauteurs différentes par rapport au plan de référence, respectivement du côté de la première et de la deuxième séries d'électrodes mobiles.  It may also comprise a first and a second series of fixed electrodes arranged at different heights relative to the reference plane, respectively on the side of the first and second sets of moving electrodes.

2865201 6 Le déplacement du deuxième jeu d'électrodes par rapport au premier jeu d'électrodes peut se faire selon un mouvement de translation le long d'un axe, dit axe de symétrie, perpendiculaire au plan de référence.  The displacement of the second set of electrodes with respect to the first set of electrodes can be done in a translation movement along an axis, called the axis of symmetry, perpendicular to the reference plane.

Les électrodes du premier et du deuxième jeu d'électrodes peuvent être disposées radialement par rapport audit axe de symétrie circulaire.  The electrodes of the first and second set of electrodes may be arranged radially with respect to said circular axis of symmetry.

Les électrodes du deuxième jeu d'électrodes peuvent être disposées sur un support circulaire centré sur l'axe de symétrie.  The electrodes of the second set of electrodes may be arranged on a circular support centered on the axis of symmetry.

Le support peut être en pyrex ou en silicium.  The support may be pyrex or silicon.

Dans le cas d'un support en pyrex, au moins les électrodes fixes peuvent être reliées au support 15 par soudure anodique.  In the case of a Pyrex support, at least the fixed electrodes may be connected to the support 15 by anodic welding.

Dans le cas d'un support en silicium, au moins les électrodes fixes peuvent être reliées au support par collage moléculaire.  In the case of a silicon support, at least the fixed electrodes can be connected to the support by molecular bonding.

Le deuxième jeu d'électrodes ou l'axe de rotation peut être relié à des poutres de suspension. Les poutres peuvent être reliées au support.  The second set of electrodes or the axis of rotation can be connected to suspension beams. The beams can be connected to the support.

La partie inférieure, tournée vers le support, des électrodes du deuxième jeu d'électrodes peut être situé à une hauteur h, par rapport à la partie inférieure, tournée vers le support, des électrodes fixes.  The lower part facing the support, electrodes of the second set of electrodes may be located at a height h, relative to the lower part, facing the support, fixed electrodes.

L'invention concerne également une matrice d'actionnement comportant une pluralité d'actionneurs individuels tels que décrits ci-dessus.  The invention also relates to an actuating die comprising a plurality of individual actuators as described above.

2865201 7 Le nombre d'actionneurs individuels peut par exemple être compris entre 1000 et 100 000.  The number of individual actuators may for example be between 1000 and 100,000.

L'invention concerne également un miroir déformable comportant une membrane déformable supportant une première surface réfléchissante et une deuxième surface supportée par une matrice d'actionnement telle que ci-dessus.  The invention also relates to a deformable mirror comprising a deformable membrane supporting a first reflecting surface and a second surface supported by an actuating die as above.

Un procédé selon l'invention, de réalisation d'un actionneur, à l'aide d'un substrat comportant une face avant et une face arrière, comporte les étapes suivantes: a) Gravure en face arrière du substrat, pour former des dents, b) Formation de moyens de connexion, sur 15 un support, c) Scellement du support et de la face arrière du substrat gravé, d) Gravure en face avant du substrat, pour libérer l'actionneur.  A method according to the invention, for producing an actuator, using a substrate comprising a front face and a rear face, comprises the following steps: a) Engraving on the rear face of the substrate, to form teeth, b) Formation of connecting means, on a support, c) Sealing of the support and the rear face of the etched substrate, d) etching on the front face of the substrate, to release the actuator.

L'invention permet de réaliser un actionneur dans un même substrat et de n'être limité que par la précision de la lithographie.  The invention makes it possible to produce an actuator in the same substrate and to be limited only by the precision of the lithography.

Avantageusement, la gravure face arrière comportant deux niveaux successifs de lithographie.  Advantageously, the backside engraving comprising two successive levels of lithography.

Un actionneur selon l'invention est donc réalisable grâce à un procédé de fabrication utilisant une gravure double face d'un même substrat.  An actuator according to the invention is therefore achievable by a manufacturing method using double-sided etching of the same substrate.

La gravure face arrière peut permettre de former des dents à des hauteurs différentes par rapport 30 au support.  Backside etching can make it possible to form teeth at different heights relative to the support.

2865201 8 L'étape c) peut être réalisé par soudure anodique ou par collage moléculaire.  Step c) can be performed by anodic bonding or by molecular bonding.

L'étape b) peut comporter un dépôt, sur ledit support, d'une couche métallique, puis d'une couche isolante, et une gravure de ces couches pour délimiter des pistes et des zones de connexion.  Step b) may comprise a deposit on said support, a metal layer, and then an insulating layer, and an etching of these layers to delimit tracks and connection areas.

Préalablement à l'étape a), il peut être prévu un dépôt, sur les deux faces dudit substrat, d'une couche de protection.  Prior to step a), it can be provided a deposit on both sides of said substrate, a protective layer.

Les structures peuvent être réalisées soit en pyrex, soit dans un substrat en silicium massif, ou bien dans un substrat avec des couches d'arrêt de gravure enterrées. Dans ce dernier cas, le procédé est le même, mais au lieu d'utiliser un substrat massif, on utilise un substrat SOI avec sa couche d'arrêt qui stoppe les gravures.  The structures can be made either in Pyrex, or in a solid silicon substrate, or in a substrate with buried etch stop layers. In the latter case, the process is the same, but instead of using a solid substrate, an SOI substrate is used with its stop layer which stops the etchings.

Le choix du substrat dépend des besoins de l'utilisateur et de la criticité de la précision des motifs de la structure finale.  The choice of substrate depends on the needs of the user and the criticality of the accuracy of the patterns of the final structure.

Une étape de gravure supplémentaire permet de former un axe de rotation de l'actionneur.  An additional etching step makes it possible to form an axis of rotation of the actuator.

On peut réaliser une double gravure, en face avant (FAV) et en face arrière (FAR) du substrat, en utilisant un jeu de, au moins, deux niveaux de masques pour photolithographie, ce qui garantit, suivant la machine utilisée, une précision quasimicronique.  It is possible to perform a double etching, on the front face (FAV) and on the rear face (FAR) of the substrate, using a set of at least two levels of masks for photolithography, which guarantees, depending on the machine used, a precision quasimicronique.

Ceci permet de réaliser des espacements très faibles entre les branches voisines d'un même peigne et permet donc d'obtenir un actuateur avec une très bonne sensibilité.  This allows for very small spacings between the adjacent branches of the same comb and thus allows to obtain an actuator with a very good sensitivity.

15 20 25 2865201 9 L'invention concerne aussi la réalisation d'un substrat ou d'un support de connectique qui sert en même temps de support mécanique à l'actionneur.  The invention also relates to the production of a substrate or a connector support which at the same time serves as mechanical support for the actuator.

Cette technologie de réalisation du support est générique et peut être utilisée pour n'importe quel type d'assemblage où la structure est assemblée avec le substrat ou le support en face arrière, et est libérée en face avant.  This support production technology is generic and can be used for any type of assembly where the structure is assembled with the substrate or the support on the rear face, and is released on the front face.

BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINSBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

- La figure 1 représente un premier mode de réalisation de l'invention, la figure 2A représente un deuxième mode de réalisation de l'invention, selon une structure circulaire, - la figure 2B représente une variante du deuxième mode de réalisation de l'invention, - la figure 2C représente une vue schématique de dessus d'un dispositif selon l'invention à une structure circulaire, - la figure 2D représente une agrandissement d'une portion d'un dispositif selon l'invention selon une structure circulaire, - la figure 3 représente un troisième mode de réalisation de l'invention, - les figures 4A-4K représentent des étapes d'un procédé selon l'invention, - les figures 5A-5E représentent des étapes d'un procédé de réalisation d'un support de connexion selon l'invention, 2865201 10 - les figures 6A-6K et 7A-7K représentent des étapes d'un procédé de réalisation d'un procédé selon l'invention, - les figures 8A-8K représentent des 5 étapes d'un procédé de réalisation d'un procédé selon l'invention.  FIG. 1 represents a first embodiment of the invention, FIG. 2A represents a second embodiment of the invention, according to a circular structure; FIG. 2B represents a variant of the second embodiment of the invention; FIG. 2C represents a schematic view from above of a device according to the invention with a circular structure; FIG. 2D represents an enlargement of a portion of a device according to the invention in a circular structure; FIG. 3 represents a third embodiment of the invention; FIGS. 4A-4K represent steps of a method according to the invention; FIGS. 5A-5E represent steps of a method of producing a support; In accordance with the invention, FIGS. 6A-6K and 7A-7K show steps of a method for carrying out a method according to the invention; FIGS. 8A-8K represent steps of a process of real tion of a method according to the invention.

EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS La figure 1 représente un dispositif selon l'invention.  DETAILED DESCRIPTION OF PARTICULAR EMBODIMENTS FIG. 1 represents a device according to the invention.

Ce dispositif, ou microsystème, en forme de peigne, comporte un actionneur, ou un actuateur.  This device, or microsystem, in the form of a comb, comprises an actuator, or an actuator.

Celui-ci comporte des électrodes mobiles 10 maintenues par des poutres de suspension 12.  This comprises mobile electrodes 10 held by suspension beams 12.

Il comporte également des électrodes fixes 15 13 servant de contre électrodes.  It also has fixed electrodes 13 serving as counter electrodes.

Les électrodes fixes alternent avec les électrodes mobiles, conférant à l'ensemble la structure de peigne.  The fixed electrodes alternate with the moving electrodes, conferring on the assembly the comb structure.

Les électrodes fixes sont maintenues sur un support ou substrat 14, par exemple en pyrex. Dans l'exemple illustré, ce support, ou substrat, maintient les poutres 12 de suspension.  The fixed electrodes are held on a support or substrate 14, for example Pyrex. In the illustrated example, this support, or substrate, holds the beams 12 of suspension.

Le dispositif comporte également des moyens 16 de connexion électrique, permettant de piloter 25 individuellement les actuateurs.  The device also comprises means 16 for electrical connection, for controlling the actuators 25 individually.

Cette connectique est réalisée de préférence sur le support ou substrat 14.  This connection is preferably made on the support or substrate 14.

Elle se prolonge, pour les électrodes mobiles, par des connexions réalisées sur les poutres 30 12. Les électrodes fixes 13 sont, elles, de préférence 2865201 11 reliées directement aux moyens de connexions réalisés sur le support 14.  It is prolonged, for the mobile electrodes, by connections made on the beams 12. The fixed electrodes 13 are preferably connected directly to the connection means made on the support 14.

Tant les électrodes mobiles que les électrodes fixes par rapport au substrat sont disposées suivant un plan perpendiculaire à un plan de référence défini par la surface supérieure du support ou du substrat 14.  Both the moving electrodes and the electrodes fixed relative to the substrate are arranged in a plane perpendicular to a reference plane defined by the upper surface of the support or the substrate 14.

En position de repos, une partie, électriquement conductrice, des électrodes, ou de chaque électrode, du deuxième jeu est en regard d'une, ou fait face à une, partie, électriquement conductrice, des électrodes, ou d'une électrode du premier jeu (condition de recouvrement électrique partiel).  In the rest position, an electrically conductive part of the electrodes, or of each electrode, of the second set is opposite one or faces an electrically conductive part of the electrodes or an electrode of the first play (partial electrical recovery condition).

Les deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, il est possible d'avoir des tensions d'actionnement moins importantes que dans les dispositifs de l'art antérieur.  Since the two sets of electrodes overlap partially from the electrical point of view, even at rest, it is possible to have lower operating voltages than in the devices of the prior art.

En outre les électrodes mobiles (celles du deuxième jeu d'électrodes) sont, en position de repos, décalées selon une direction verticale par rapport aux électrodes fixes (celles du premier jeu d'électrodes) : la partie inférieure des électrodes mobiles, ou la partie de ces électrodes tournée vers le substrat ou le support 14, se situe à une hauteur h par rapport au plan de référence, sur lequel, dans l'exemple illustré, reposent les électrodes fixes. Cette hauteur h est inférieure à la hauteur des électrodes fixes 13 pour que la condition de recouvrement partiel en position de repos soit respectée. Ce décalage h permet d'avoir on débattement de fonctionnement.  In addition, the mobile electrodes (those of the second set of electrodes) are, in the rest position, offset in a vertical direction with respect to the fixed electrodes (those of the first set of electrodes): the lower part of the moving electrodes, or the part of these electrodes facing the substrate or the support 14, is at a height h with respect to the reference plane, on which, in the example illustrated, the fixed electrodes rest. This height h is less than the height of the fixed electrodes 13 so that the partial recovery condition in the rest position is respected. This offset h makes it possible to have one operating deflection.

2865201 12 En position d'activation, les électrodes mobiles sont déplacées en flexion, comme indiqué sur la figure 1.  In the activation position, the moving electrodes are flexibly displaced as shown in FIG. 1.

Un tel dispositif permet d'orienter un 5 miroir, fixé par exemple sur les parties supérieures des électrodes mobiles.  Such a device makes it possible to orient a mirror, fixed for example on the upper parts of the moving electrodes.

Un autre exemple de dispositif selon l'invention est illustré sur la figure 2A.  Another example of a device according to the invention is illustrated in FIG. 2A.

Dans ce dispositif, à structure circulaire, les électrodes fixes 20 sont disposées de manière radiale par rapport à un axe de symétrie 22. Le mouvement des électrodes mobiles est alors vertical. Elle sont reliées mécaniquement à un support circulaire extérieur ou, comme sur la figure 2A, à une pluralité de supports extérieurs 24, chacun étant en forme d'arc de cercle.  In this device, with a circular structure, the fixed electrodes 20 are arranged radially with respect to an axis of symmetry 22. The movement of the moving electrodes is then vertical. They are mechanically connected to an outer circular support or, as in FIG. 2A, to a plurality of outer supports 24, each being in the form of an arc of a circle.

Ces électrodes fixes 20 et leurs supports 24 sont disposées sur un support 25 sur lequel, comme dans le mode de réalisation précédent, des moyens de connexion (non représentés sur la figure) sont réalisés.  These fixed electrodes 20 and their supports 24 are arranged on a support 25 on which, as in the previous embodiment, connecting means (not shown in the figure) are made.

Sur la figure 2A, les électrodes fixes ne sont pas uniquement sur la périphérie de la structure, il y en a aussi, au centre (électrodes 20').  In Figure 2A, the fixed electrodes are not only on the periphery of the structure, there are also in the center (electrodes 20 ').

Les électrodes mobiles 30 sont solidaires d'un support intérieur circulaire 32, qui peut lui même être relié à un plot central de suspension 34.  The movable electrodes 30 are integral with a circular inner support 32, which can itself be connected to a central suspension stud 34.

Ce dernier est soutenu par des poutres 36 de suspension, elles mêmes fixées sur le support.  The latter is supported by suspension beams 36, themselves fixed on the support.

Une partie, électriquement conductrice, des électrodes mobiles (celles du deuxième jeu 30 2865201 13 d'électrodes) est, en position de repos, approximativement au même niveau qu'une partie, électriquement conductrice, des électrodes fixes (celles du premier jeu d'électrodes). Un décalage selon la direction verticale (ou perpendiculairement au support de connexion) entre le bas des électrodes fixes et celui des électrodes mobiles permet de disposer d'un débattement de fonctionnement.  An electrically conductive part of the moving electrodes (those of the second set of electrodes) is, in the rest position, approximately the same level as an electrically conductive part of the fixed electrodes (those of the first set of electrodes). electrodes). An offset in the vertical direction (or perpendicularly to the connection support) between the bottom of the fixed electrodes and that of the movable electrodes makes it possible to have an operating deflection.

On retrouve dans ce mode de réalisation une 10 partie mobile de l'actionneur, des électrodes fixes 20 et un support de connectique 25.  In this embodiment, a movable part of the actuator, fixed electrodes 20 and a connection support 25 are found.

Là encore, ce dispositif met en oeuvre deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, ce qui permet d'avoir des tensions d'actionnement moins importantes que dans les dispositifs de l'art antérieur.  Again, this device uses two sets of electrodes partially overlapping from the electrical point of view, even at rest, which allows to have lower operating voltages than in the devices of the prior art.

Le support 25 est par exemple réalisé dans un substrat en pyrex, ce qui permet de sceller l'ensemble support-actionneur par soudure anodique.  The support 25 is for example made in a pyrex substrate, which makes it possible to seal the support-actuator assembly by anodic welding.

Les moyens de connexion, par exemple les pistes et les plots, sont de préférence déposés directement sur le pyrex afin de faire le contact avec le silicium tout en assurant l'isolation entre chaque plot.  The connection means, for example the tracks and the pads, are preferably deposited directly on the pyrex in order to make contact with the silicon while ensuring the isolation between each pad.

La figure 2B représente une variante de ce deuxième mode de réalisation de l'invention. Selon cette variante, les électrodes fixes 27, dont seules deux sont représentées, sont disposées en saillie d'une électrode fixe 29.  FIG. 2B represents a variant of this second embodiment of the invention. According to this variant, the fixed electrodes 27, of which only two are shown, are arranged projecting from a fixed electrode 29.

2865201 14 Les électrodes mobiles 31 sont solidaires d'un support intérieur circulaire 33, qui peut lui même être relié à un plot de suspension 35.  The movable electrodes 31 are integral with a circular inner support 33, which can itself be connected to a suspension stud 35.

Ce dernier est soutenu par des poutres 37 de suspension, elles mêmes fixées sur le support.  The latter is supported by suspension beams 37, themselves fixed on the support.

Dans ce mode de réalisation des figures 2A-2B, le mouvement des électrodes mobiles s'effectue selon un axe XX'.  In this embodiment of FIGS. 2A-2B, the movement of the moving electrodes takes place along an axis XX '.

La figure 2C représente une vue schématique 10 de dessus d'un dispositif du type de celui de la figure 2A, mais avec un étage supplémentaire d'électrodes fixes et mobiles.  FIG. 2C shows a schematic view from above of a device of the type of FIG. 2A, but with an additional stage of fixed and moving electrodes.

Selon un exemple, les peignes 31 ont les caractéristiques géométriques suivantes: - épaisseur e = 10 pm, - longueur 1 = 100 pm, - hauteur h = 100 pm, - distance entre électrodes mobiles successives: d = 10 pm.  According to one example, the combs 31 have the following geometrical characteristics: thickness e = 10 μm, length 1 = 100 μm, height h = 100 μm, distance between successive mobile electrodes: d = 10 μm.

Des caractéristiques géométriques identiques ou similaires peuvent être retenues pour les électrodes fixes 27.  Identical or similar geometric characteristics may be retained for the fixed electrodes 27.

La figure 2D représente un agrandissement d'une portion d'un dispositif selon l'invention, à 25 structure circulaire.  FIG. 2D represents an enlargement of a portion of a device according to the invention, with a circular structure.

Sur cette figure 2D sont indiqués deux plans de coupe AA' et BB' selon lesquels un procédé de réalisation sera détaillé ci-dessous.  In this 2D figure are indicated two cutting planes AA 'and BB' according to which a production method will be detailed below.

Là encore, selon ce mode de réalisation, la 30 structure est celle en forme de peigne, les électrodes mobiles alternant avec les électrodes fixes.  Again, according to this embodiment, the structure is the comb-shaped, the movable electrodes alternating with the fixed electrodes.

2865201 15 En position de repos, une portion électriquement conductrice des électrodes, ou de chaque électrode, du deuxième jeu est en regard d'une, ou fait face à une, partie, électriquement conductrice, des électrodes, ou d'une électrode du premier jeu (condition de recouvrement électrique partiel).  In the rest position, an electrically conductive portion of the electrodes, or each electrode, of the second set is opposite one or faces an electrically conductive part of the electrodes, or an electrode of the first play (partial electrical recovery condition).

Les deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, permettent de travailler avec des tensions d'actionnement moins importantes.  The two sets of electrodes partially overlapping from the electrical point of view, even at rest, make it possible to work with lower operating voltages.

Un autre exemple de dispositif selon l'invention est illustré sur la figure 3.  Another example of a device according to the invention is illustrated in FIG.

Dans ce dispositif, les électrodes mobiles 40-1, 40-2 sont mobiles autour d'un axe de rotation 42 parallèle au plan du support 44. Cet axe de rotation est matérialisé par un axe, en silicium gravé par exemple.  In this device, the movable electrodes 40-1, 40-2 are movable about an axis of rotation 42 parallel to the plane of the support 44. This axis of rotation is embodied by an axis, of etched silicon, for example.

Une partie 46 des électrodes fixes, disposée sur un des côtés des électrodes mobiles est disposée à une première hauteur ou distance hl par rapport au support, tandis que l'autre partie 48 est disposée à une deuxième hauteur ou distance h2 par rapport au substrat, différente de h1. Sur l'exemple illustré en figure 3 h2 = 0, mais on pourrait aussi avoir h2 non nul. Ces distances h1 et h2 sont mesurées entre le bas des électrodes fixes et le support ou substrat.  A portion 46 of the fixed electrodes disposed on one side of the moving electrodes is disposed at a first height or distance h1 with respect to the support, while the other portion 48 is disposed at a second height or distance h2 with respect to the substrate, different from h1. In the example illustrated in Figure 3 h2 = 0, but we could also have non-zero h2. These distances h1 and h2 are measured between the bottom of the fixed electrodes and the support or substrate.

Le dispositif selon ce mode de réalisation comporte une première série d'électrodes fixes 46 en regard d'une première série 40-1 d'électrodes mobiles, ces deux séries d'électrodes étant disposées sous forme 2865201 16 de peigne selon une direction parallèle à l'axe de rotation 42.  The device according to this embodiment comprises a first series of fixed electrodes 46 opposite a first series 40-1 of moving electrodes, these two series of electrodes being arranged in the form of a comb 2865201 16 in a direction parallel to the axis of rotation 42.

Une deuxième série d'électrodes fixes 48 est disposée en regard d'une deuxième série 40-2 d'électrodes mobiles, ces deux séries d'électrodes étant elles aussi disposées sous forme de peigne selon une direction parallèle à l'axe de rotation 42.  A second series of fixed electrodes 48 is arranged facing a second series 40-2 of moving electrodes, these two series of electrodes being also arranged in the form of a comb in a direction parallel to the axis of rotation 42 .

Les deux séries d'électrodes mobiles sont fixées à un corps 43, allongé lui aussi selon une direction définie par l'axe de rotation 42 et mobile autour de cet axe.  The two sets of movable electrodes are attached to a body 43, also elongate in a direction defined by the axis of rotation 42 and movable about this axis.

On pourrait également avoir un mode de réalisation avec une seule série d'électrodes fixes (par exemple les électrodes 46) et une seule série d'électrodes mobiles (par exemple les électrodes 40-1) fixées à un corps 43 en rotation autour d'un axe 42.  One could also have an embodiment with a single series of fixed electrodes (for example the electrodes 46) and a single series of moving electrodes (for example the electrodes 40-1) fixed to a body 43 rotating about an axis 42.

Dans l'exemple de la figure 3, de même que les électrodes fixes, les électrodes mobiles sont, en position de repos, disposées, des deux côtés du corps 43, à des hauteurs différentes par rapport au support 44.  In the example of FIG. 3, as well as the fixed electrodes, the mobile electrodes are, in the rest position, disposed on both sides of the body 43, at different heights relative to the support 44.

Au repos, la partie supérieure, électriquement conductrice, des électrodes de la première série d'électrodes mobiles 40-1 est en regard ou en vis-à-vis de la partie inférieure, électriquement conductrice, de la première série d'électrodes fixes 48, tandis que la partie inférieure, électriquement conductrice, des électrodes de la deuxième série d'électrodes mobiles 40-2 est en regard ou en vis-à-vis de la partie supérieure, électriquement conductrice, de la première série d'électrodes fixes 48. D'autres 2865201 17 dispositions relatives sont envisageables au repos, mais avec un vis-à-vis du point de vue électrique.  At rest, the electrically conductive upper part of the electrodes of the first series of movable electrodes 40-1 is facing or facing the electrically conductive lower part of the first series of fixed electrodes. while the electrically conductive lower part of the electrodes of the second series of movable electrodes 40-2 is facing or facing the electrically conductive upper part of the first series of fixed electrodes 48 Other relative arrangements are possible at rest, but with respect to the electrical point of view.

Un actionneur selon l'invention, avec deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, permet de travailler avec des tensions d'actionnement moins importantes que dans les dispositifs de l'art antérieur.  An actuator according to the invention, with two sets of electrodes partially overlapping from the electrical point of view, even at rest, makes it possible to work with lower operating voltages than in the devices of the prior art.

Lorsque le dispositif est activé, une rotation du corps 43 se produit autour de l'axe 42, et la surface en regard de chaque paire électrode fixe-électrode mobile diminue.  When the device is activated, a rotation of the body 43 occurs around the axis 42, and the surface opposite each fixed electrode-mobile electrode pair decreases.

Le corps 43 entraîne en rotation tout objet qui lui est fixé, par exemple un miroir.  The body 43 rotates any object attached to it, for example a mirror.

Un procédé de réalisation d'un tel dispositif met en uvre une succession d'étapes de gravure sèche à partir d'un substrat, par exemple en silicium massif, ou à partir d'un substrat SOI si l'on souhaite avoir une couche d'arrêt de gravure.  A method of producing such a device implements a succession of dry etching steps from a substrate, for example solid silicon, or from an SOI substrate if it is desired to have a layer of stop engraving.

Des étapes d'un procédé selon l'invention 20 sont les suivantes: 1) Gravure en face arrière (FAR) d'un substrat, de préférence avec deux niveaux de masques, 2) Dépôt de pistes, ou formation de moyens de connexion, sur le support ou le substrat, 3) Scellement du support connectique et de l'actionneur, obtenu par gravure du substrat, le scellement ayant lieu sur la face arrière du substrat, 4) Gravure face avant (FAV) du substrat pour libération de l'actionneur.  Steps of a method according to the invention are as follows: 1) rear-face etching (FAR) of a substrate, preferably with two levels of masks, 2) deposition of tracks, or formation of connection means, on the support or the substrate, 3) Sealing of the connection support and the actuator, obtained by etching of the substrate, the sealing taking place on the rear face of the substrate, 4) Front face etching (FAV) of the substrate for release of the substrate. actuator.

Le procédé de réalisation se démarque de l'état de l'art antérieur notamment par sa robustesse: 30 la technologie n'a pas d'étape critique et assure le résultat.  The production method differs from the state of the prior art in particular by its robustness: the technology has no critical step and ensures the result.

D'autre part ce procédé, plus simple que ceux de l'art antérieur, permet d'obtenir une meilleure précision d'alignement de l'actionneur sur le support de connectique, car la lithographie se fait au départ sur surface plane, et permet donc de travailler sur des entrefers (distance e de séparation entre les plots, figure 4K), plus faibles (de l'ordre de quelques micromètres, par exemple entre 3 et 10 pm, par exemple 5 pm).  On the other hand, this method, which is simpler than those of the prior art, makes it possible to obtain a better alignment accuracy of the actuator on the connector support, since the lithography is initially on a flat surface, and allows therefore to work on air gaps (separation distance between the pads, Figure 4K), lower (of the order of a few micrometers, for example between 3 and 10 pm, for example 5 pm).

La sensibilité de l'actionneur, et donc ses performances, en sont nettement améliorées.  The sensitivity of the actuator, and therefore its performance, are significantly improved.

Un exemple détaillé de procédé de 15 réalisation va maintenant être donné.  A detailed example of a method of realization will now be given.

Dans une première étape (figure 4A), un substrat 100, par exemple en silicium, est recouvert en face avant et en face arrière de deux couches 102, 104 d'oxyde (SiO2).  In a first step (FIG. 4A), a substrate 100, for example made of silicon, is covered on the front face and on the rear face with two layers 102, 104 of oxide (SiO2).

Un masque 106 de résine est formé en face arrière 104 (figure 4B) à la suite de quoi la couche d'oxyde 104 est gravée puis le masque éliminé (figure 4C).  A mask 106 of resin is formed on the back face 104 (FIG. 4B) following which the oxide layer 104 is etched and the mask removed (FIG. 4C).

Un masque 110 de lithographie, en résine, est ensuite formé, toujours en face arrière (figure 4D), ce qui permet de graver le substrat sur une profondeur comprise entre 1 pm et 100 pm. Par exemple, la gravure est une gravure RIE (Reactiv Ion Etching, Gravure Ionique Réactive) et le substrat est gravé sur 10 pm (figure 4E).  A lithography mask 110, made of resin, is then formed, always on the back side (FIG. 4D), which makes it possible to engrave the substrate to a depth of between 1 μm and 100 μm. For example, the etching is a RIE (Reactiv Ion Etching) etching and the substrate is etched on 10 μm (FIG. 4E).

2865201 19 On obtient ainsi une substrat gravé avec des tranchées 112 séparées par des dents 114.  An etched substrate is thus obtained with trenches 112 separated by teeth 114.

La résine 110 est ensuite éliminée (figure 4F), ce qui laisse subsister des dents 114-1, 114-2 recouverts d'une couche d'oxyde et des dents 114-3 à nu.  Resin 110 is then removed (Figure 4F), leaving teeth 114-1, 114-2 covered with an oxide layer and teeth 114-3 exposed.

Une étape de gravure supplémentaire en face arrière peut alors être réalisée (figure 4G) ce qui permet d'accroître la différence de niveaux entre les dents 114-1, 114-2 recouvertes d'une couche d'oxyde et les dents 114-3 à nu, ces dernières étant surgravées alors que les premières sont protégées par la couche d'oxyde.  An additional etching step on the rear face can then be performed (FIG. 4G) which makes it possible to increase the difference in levels between the teeth 114-1, 114-2 covered with an oxide layer and the teeth 114-3. naked, the latter being supergraded while the former are protected by the oxide layer.

L'élément d'actionneur 120 ainsi formé peut être assemblé avec un support 122, par exemple par soudure anodique. Ce support est préalablement préparé par formation de couches 124 et 126 de connexion. La préparation de ces connexions sera expliquée plus loin.  The actuator element 120 thus formed can be assembled with a support 122, for example by anodic welding. This support is prepared beforehand by forming layers 124 and 126 of connection. The preparation of these connections will be explained later.

Du fait de la différence de niveaux obtenue lors de l'étape précédente, les dents 114-3,gravées plus profondément, ne sont pas assemblés avec le support 122.  Because of the difference in levels obtained in the previous step, the teeth 114-3, etched more deeply, are not assembled with the support 122.

Une étape de lithographie de la couche d'oxyde 102 en face avant du substrat peut alors être réalisée, puis de gravure de cette couche, par exemple par gravure HF, ce qui permet de dégager des zones localisées 1021, 102-2 d'oxyde de protection (figure 4I), au-dessus des dents 114-3 surgravées en face arrière (figure 4G).  A lithography step of the oxide layer 102 on the front face of the substrate can then be carried out and then etching this layer, for example by HF etching, which makes it possible to expose localized zones 1021, 102-2 of oxide protection device (FIG. 4I), above the teeth 114-3 supergraded on the rear face (FIG. 4G).

On procède ensuite à une gravure face avant des zones non situées sous ces zones localisées 2865201 20 d'oxyde, libérant ainsi le sommet ou la face avant des dents 114-3 précédemment surgravées en face arrière (figure 4J).  Front-side etching is then performed of areas not located beneath these localized zones of oxide, thus releasing the top or the front face of the teeth 114-3 previously supergraded on the rear face (FIG. 4J).

Les différents plots sont alors encore solidarisés par une couche 130 de matériau de substrat.  The different pads are then further secured by a layer 130 of substrate material.

L'actionneur est complètement libéré par gravure en face avant de cette couche 130 (figure 4K).  The actuator is completely released by etching on the front face of this layer 130 (FIG. 4K).

On obtient ainsi un dispositif comportant des électrodes mobiles 114-2 en regard, même au repos, d'électrodes fixes 114-1, 114-3. On peut réaliser une métallisation, mais le silicium peut être suffisamment dopé pour assurer la conduction.  There is thus obtained a device comprising moving electrodes 114-2 facing, even at rest, fixed electrodes 114-1, 114-3. Metallization can be performed, but the silicon can be sufficiently doped to provide conduction.

De cette manière, on obtient un dispositif avec deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, avec les avantages, déjà expliqués, que cela présente.  In this way, a device is obtained with two sets of electrodes partially overlapping from the electrical point of view, even at rest, with the advantages, already explained, that this presents.

On peut ainsi réaliser un dispositif tel que celui de la figure 1, les poutres 12 de fixation étant formées par gravure du substrat silicium, masqué de manière appropriée lors de l'étape de gravure de la figure 4K.  It is thus possible to produce a device such as that of FIG. 1, the fixing beams 12 being formed by etching of the silicon substrate, masked appropriately during the etching step of FIG. 4K.

Une double gravure en face arrière, ou une gravure face arrière, puis une surgravure sélective en cette même face arrière, permettent de définir des dents ou des branches de peigne ayant la forme souhaitée, et notamment des branches voisines se faisant face, du point de vue électrique, même au repos.  A double engraving on the rear face, or a back-face engraving, and then a selective overgrafting on the same rear face, make it possible to define teeth or comb branches having the desired shape, and in particular neighboring branches facing each other, from the point of contact. electric view, even at rest.

Un actionneur est ainsi obtenu en gravant 30 un seul substrat 100, un autre substrat ou support étant utilisé pour les moyens de connexion.  An actuator is thus obtained by etching a single substrate 100, another substrate or support being used for the connection means.

2865201 21 Les figures 5A-5E illustrent la préparation des connexions sur un substrat 122. Des couches 132 de métal conducteur, par exemple de chrome et d'or, sont  FIGS. 5A-5E illustrate the preparation of the connections on a substrate 122. Layers 132 of conductive metal, for example chromium and gold, are

déposées sur ce substrat, qui est par exemple en pyrex (figure 5A).  deposited on this substrate, which is for example Pyrex (Figure 5A).

On procède ensuite à une lithographie puis à une gravure de ces couches (figure 5B).  This is followed by lithography and etching of these layers (FIG. 5B).

Une couche isolante 140, par exemple en nitrure de silicium Si3N4, est ensuite déposée (figure 5C), ainsi qu'un masque 142 de lithographie (figure 5D).  An insulating layer 140, for example silicon nitride Si3N4, is then deposited (FIG. 5C), as well as a lithography mask 142 (FIG. 5D).

Le masque permet de graver la couche 140, laissant subsister des zones métalliques 124 protégées par une couche isolante 126 (figure 5E).  The mask makes it possible to etch the layer 140, leaving metallic zones 124 protected by an insulating layer 126 (FIG. 5E).

On obtient donc un substrat, muni de moyens de connexion, qui peut être assemblé (figure 4H) avec l'actionneur de la figure 4G.  A substrate is thus obtained, provided with connection means, which can be assembled (FIG. 4H) with the actuator of FIG. 4G.

Un autre exemple détaillé de procédé réalisation va maintenant être donné.  Another detailed example of the method will now be given.

Ce procédé permet de réaliser un dispositif tel que celui des figure 2A2C.  This method makes it possible to produce a device such as that of FIGS. 2A2C.

Une première partie du procédé explique la réalisation de l'actionneur selon la coupe AA' de la figure 2D et une deuxième partie du procédé explique la réalisation de l'actionneur selon la coupe BB' de cette même figure 2D.  A first part of the method explains the embodiment of the actuator according to the section AA 'of FIG. 2D and a second part of the process explains the realization of the actuator according to the section BB' of this same 2D figure.

Ces deux parties peuvent néanmoins être réalisées simultanément.  These two parts can nevertheless be realized simultaneously.

Dans une première étape (figure 6A), un substrat 300, par exemple en silicium, est recouvert de deux couches 302, 304 isolantes de protection (Si3N4 2865201 22 par exemple) respectivement en face avant et en face arrière.  In a first step (FIG. 6A), a substrate 300, for example made of silicon, is covered with two protective insulation layers 302, 304 (Si3N4 2865201 22 for example) respectively on the front face and on the back face.

Un masque 306, 307 de résine est formé, respectivement sur la couche de protection 304 située en face arrière et sur la couche de protection 302 située en face avant (figure 6B), à la suite de quoi les couches de protection 302, 304 sont gravées, puis le masque est éliminé (figure 6C).  A mask 306, 307 of resin is formed respectively on the protective layer 304 located on the rear face and on the protective layer 302 located on the front face (FIG. 6B), following which the protective layers 302, 304 are engraved, then the mask is removed (Figure 6C).

Un masque 310 de lithographie, en résine, est ensuite formé, toujours en face arrière (figure 6D), ce qui permet de graver le substrat sur une profondeur comprise entre 10 pm et 100 pm. Par exemple, la gravure est une gravure RIE (Reactiv Ion Etching, Gravure Ionique Réactive) et le substrat est gravé sur 10 pm (figure 6E).  A lithography mask 310, made of resin, is then formed, always on the back side (FIG. 6D), which makes it possible to engrave the substrate to a depth of between 10 μm and 100 μm. For example, the etching is a RIE (Reactiv Ion Etching) etching and the substrate is etched on 10 μm (FIG. 6E).

On obtient, après élimination de la résine 310 (figure 6F), un substrat gravé avec une tranchée 312, ouverte en face arrière, séparant une dent 314 du reste 315 du substrat. La dent est encore protégée par une portion restante 305 de la couche 304 de protection initialement formée en face arrière, mais pas le reste du substrat, la partie complémentaire de la couche de protection ayant été éliminée lors de l'étape de la figure 6C.  After removal of the resin 310 (FIG. 6F), a substrate etched with a trench 312, open on the rear face, separating a tooth 314 from the remainder 315 of the substrate is obtained. The tooth is still protected by a remaining portion 305 of the protective layer 304 initially formed on the rear face, but not the rest of the substrate, the complementary portion of the protective layer having been eliminated during the step of FIG. 6C.

Une étape de gravure (par exemple RIE) supplémentaire en face arrière peut alors être réalisée (figure 6G) ce qui permet d'accroître la différence de niveaux entre la dent 314 recouverte de sa couche de protection 305 et le reste 315 du substrat, ce dernier étant gravé alors que la dent 314 est protégée par ladite couche de protection. Cette étape permet en même 2865201 23 temps de réduire la zone, au-dessus de la tranchée 312, qui relie la dent 314 au reste du substrat.  An additional etching step (for example RIE) on the rear face can then be performed (FIG. 6G) which makes it possible to increase the difference in levels between the tooth 314 covered with its protective layer 305 and the remainder 315 of the substrate, which the last being etched while the tooth 314 is protected by said protective layer. This step at the same time makes it possible to reduce the area, above the trench 312, which connects the tooth 314 to the rest of the substrate.

L'élément d'actionneur 320 ainsi formé peut être assemblé avec un support 322, par exemple par soudure anodique. Ce support est préalablement préparé par formation de couches 124 et 126 de connexion. La préparation de ces connexions a déjà été expliquée ci-dessus.  The actuator element 320 thus formed can be assembled with a support 322, for example by anodic welding. This support is prepared beforehand by forming layers 124 and 126 of connection. The preparation of these connections has already been explained above.

Du fait de la différence de niveaux obtenue lors de l'étape précédente, seule la dent 314, gravée moins profondément, est assemblée avec le support 322.  Because of the difference in levels obtained in the previous step, only the tooth 314, etched less deeply, is assembled with the support 322.

Une étape de gravure, par exemple RIE, du substrat en face avant peut alors être réalisée, ce qui permet de dégager un peigne 324 non lié au support 322, tandis que la dent 314 reste liée à ce support (figure 61).  A step of etching, for example RIE, of the substrate on the front face can then be performed, which makes it possible to disengage a comb 324 that is not bonded to the support 322, whereas the tooth 314 remains linked to this support (FIG. 61).

Suivant la coupe BB', le procédé est le suivant (figures 7A-7I).  According to section BB ', the process is as follows (FIGS. 7A-7I).

Dans une première étape (figure 7A), le substrat 300, est recouvert des deux couches 302, 304 isolantes de protection (Si3N4 par exemple), respectivement en face avant et arrière.  In a first step (FIG. 7A), the substrate 300 is covered by the two protective insulating layers 302, 304 (for example Si3N4) respectively at the front and at the rear.

Les masques 306, 307 de résine sont formés, comme expliqué ci-dessus en liaison avec la figure 6B, respectivement sur la couche de protection 304 située en face arrière et sur la couche de protection 302 située en face avant (figure 7B), à la suite de quoi les couches de protection 302, 304 sont gravées puis le masque éliminé (figure 7C).  The masks 306, 307 of resin are formed, as explained above with reference to FIG. 6B, respectively on the protective layer 304 located on the rear face and on the protective layer 302 located on the front face (FIG. following which the protective layers 302, 304 are etched and the mask removed (Figure 7C).

Le masque 310 de lithographie, en résine, est ensuite formé, toujours en face arrière (figure 2865201 24 7D), ce qui permet de graver le substrat en face arrière sur une profondeur comprise entre 10 pm et 100 pm. Par exemple, la gravure est une gravure RIE (Reactiv Ion Etching, Gravure Ionique Réactive) et le substrat est gravé sur 10 pm (figure 7E).  The lithography mask 310, made of resin, is then formed, still in the rear face (FIG. 2865201 24 7D), which makes it possible to etch the substrate on the back face to a depth of between 10 μm and 100 μm. For example, the etching is a RIE (Reactiv Ion Etching) etching and the substrate is etched on 10 μm (FIG. 7E).

On obtient, après élimination de la résine 310 (figure 7E et 7F), un substrat gravé avec des tranchées 312-1, 312-2, 312-3 ouvertes en face arrière, séparant des dents 314-1, 314-2, 314-3. Certaines dents 314 - 2 sont encore protégées par une portion restante de la couche 304 de protection initialement formée en face arrière, mais pas les autres dents 314-1, 314-3, la partie complémentaire de la couche de protection ayant été éliminée lors de l'étape de la figure 7C.  After removal of the resin 310 (FIGS. 7E and 7F), an etched substrate is obtained with trenches 312-1, 312-2, 312-3 open on the rear face, separating teeth 314-1, 314-2, 314. -3. Some teeth 314 - 2 are still protected by a remaining portion of the protective layer 304 initially formed on the rear face, but not the other teeth 314-1, 314-3, the complementary portion of the protective layer having been eliminated during the step of Figure 7C.

Une étape de gravure (par exemple RIE) supplémentaire en face arrière, ou une étape de surgravure sélective de la face arrière, peut alors être réalisée (figure 7G) ce qui permet d'accroître la différence h de niveaux entre les dents 314-2 recouvertes de la couche de protection et les autres dents 314-1, 314-3, ces dernières étant gravées alors que les dents 314-2 sont protégées par la couche de protection.  An additional etching step (for example RIE) on the rear face, or a step of selective overgrading of the rear face, can then be performed (FIG. 7G) which makes it possible to increase the difference h of levels between the teeth 314-2. covered with the protective layer and the other teeth 314-1, 314-3, the latter being etched while the teeth 314-2 are protected by the protective layer.

L'élément d'actionneur 320 ainsi formé peut être assemblé avec le support 322, par exemple par soudure anodique (figure 7H). Comme déjà expliqué ci-dessus, ce support a été préalablement préparé par formation des couches 124 et 126 de connexion. La préparation de ces connexions a déjà été expliquée ci- dessus.  The actuator element 320 thus formed can be assembled with the support 322, for example by anodic welding (FIG. 7H). As already explained above, this support was previously prepared by forming the connection layers 124 and 126. The preparation of these connections has already been explained above.

2865201 25 Du fait de la différence de niveaux obtenue lors de l'étape précédente, seules les dents 314-2, gravées moins profondément, sont assemblées avec le support 322.  Due to the difference in levels obtained in the previous step, only the teeth 314-2, etched less deeply, are assembled with the support 322.

Une étape de gravure, par exemple RIE, du substrat en face avant peut alors être réalisée, ce qui permet de dégager les dents 314-1, 314-3, qui ont été gravées plus profondément en face arrière et qui forment le peigne 324, non lié au support 322, tandis que les dents 314-2 restent liées à ce support (figure 71).  A step of etching, for example RIE, of the substrate on the front face can then be performed, which makes it possible to disengage the teeth 314-1, 314-3, which have been etched more deeply on the rear face and which form the comb 324, not bound to the support 322, while the teeth 314-2 remain connected to this support (Figure 71).

On peut ainsi réaliser un dispositif tel que celui des figures 2A-2C, les éléments extérieurs 24, 32 de support étant formées par gravure du substrat silicium, masqué de manière appropriée lors de l'étape de gravure des figures 6K et 7K.  It is thus possible to produce a device such as that of FIGS. 2A-2C, the outer elements 24, 32 of support being formed by etching of the silicon substrate, masked appropriately during the etching step of FIGS. 6K and 7K.

Le procédé est alors réalisé de manière radiale (pour les étapes des figures 6A-6I) et avec une symétrie autour d'un axe (pour les étapes des figures 7A-7I).  The process is then performed radially (for the steps of FIGS. 6A-6I) and with symmetry about an axis (for the steps of FIGS. 7A-7I).

Un autre exemple détaillé de procédé réalisation va maintenant être donné, en liaison avec les figures 8A-8K.  Another detailed example of a method of realization will now be given in conjunction with FIGS. 8A-8K.

Ce procédé permet de réaliser un dispositif 25 tel que celui de la figure 3.  This method makes it possible to produce a device 25 such as that of FIG.

Les étapes de ce procédé sont similaires aux précédentes, avec un niveau supplémentaire pour graver l'axe de rotation.  The steps of this process are similar to the previous ones, with an extra level for engraving the axis of rotation.

Dans une première étape (figure 8A), un substrat 400, par exemple en silicium, est recouvert en 2865201 26 face avant et en face arrière de deux couches 402, 404 d'oxyde (Si02).  In a first step (FIG. 8A), a substrate 400, for example made of silicon, is covered front and rear face with two layers 402, 404 of oxide (SiO 2).

Un masque 406, 407 de résine est formé en face arrière et en face avant (figure 8B) à la suite de 5 quoi la couche d'oxyde 404 est gravée en face arrière (figure 8C).  A mask 406, 407 of resin is formed on the back face and on the front face (FIG. 8B) following which the oxide layer 404 is etched on the back face (FIG. 8C).

Un masque 410 de lithographie, en résine, est ensuite formé, en face arrière, venant compléter le masque 406 (figure 8D), ce qui permet de graver le substrat profondément (figure 8E). Par exemple, la gravure est une gravure RIE (Reactiv Ion Etching, Gravure Ionique Réactive) et le substrat est gravé sur par exemple 20 pm.  A lithography mask 410, made of resin, is then formed, on the rear face, to complete the mask 406 (FIG. 8D), which makes it possible to etch the substrate deeply (FIG. 8E). For example, the etching is an RIE (Reactiv Ion Etching) etching and the substrate is etched on for example 20 μm.

On obtient ainsi une substrat gravé avec 15 des tranchées 412.  This gives a substrate etched with trenches 412.

La résine 410 est ensuite éliminée de la face arrière (figure 8E).  The resin 410 is then removed from the back face (FIG. 8E).

Une étape de gravure supplémentaire en face arrière peut alors être réalisée (figure 8F) ce qui permet d'approfondir, ou de surgraver, la tranchée 412 et de graver sélectivement des zones 413 de la face arrière. La profondeur de gravure de cette étape est par exemple de 150 p.m.  An additional etching step on the rear face can then be performed (FIG. 8F) which makes it possible to deepen or overgraze the trench 412 and to selectively etch zones 413 of the rear face. The engraving depth of this step is, for example, 150 μm.

Des zones 414-1, 414-2 restent protégées 25 par le masque 406: elles ne sont quant à elles pas gravées.  Areas 414-1, 414-2 remain protected by the mask 406: they are not etched.

L'élément d'actionneur 420 ainsi formé peut être assemblé avec un support 422, par exemple par soudure anodique, après élimination du masque 406 et de l'oxyde restant en face arrière (figure 8G).  The actuator element 420 thus formed can be assembled with a support 422, for example by anodic welding, after removal of the mask 406 and the oxide remaining on the rear face (FIG. 8G).

2865201 27 Le support 422 est préalablement préparé par formation de couches de connexion. La préparation de ces connexions a été expliquée cidessus, en liaison avec les figures 5A-5E.  The support 422 is previously prepared by forming connection layers. The preparation of these connections has been explained above, in connection with FIGS. 5A-5E.

Du fait des étapes de gravure précédentes, les zones 413, 412 ne sont pas assemblés avec le support 422.  Because of the previous etching steps, the zones 413, 412 are not assembled with the support 422.

Une étape de lithographie de la couche d'oxyde 402 en face avant du substrat peut alors être réalisée (figure 8H), formant un masque 409 destiné à permettre la gravure du futur axe de rotation (axe 42 de la figure 3).  A lithography step of the oxide layer 402 on the front face of the substrate can then be performed (FIG. 8H), forming a mask 409 intended to allow the etching of the future axis of rotation (axis 42 of FIG. 3).

Il y a ensuite gravure, par exemple gravure ionique réactive sur environ 5 de la couche 402, (figure 8I), dégageant un plot 429 de cette même couche.  Then there is etching, for example reactive ion etching on about 5 of the layer 402 (Figure 8I), releasing a pad 429 of the same layer.

On procède ensuite à une lithographie 430 en face avant du dispositif (figure 8J), qui permettra de réaliser ensuite les dents de la partie mobile 43 (figure 3).  A lithography 430 is then carried out on the front face of the device (FIG. 8J), which will then make it possible to produce the teeth of the mobile part 43 (FIG. 3).

Par gravure, par exemple de type ionique réactive, on forme donc le corps 43 du dispositif, son axe 42, ses électrodes latérales (non visibles sur la figure 8K, mais visibles sur la figure 3), et les électrodes fixes 46 et 48 (figure 3).  By etching, for example of reactive ionic type, the body 43 of the device is thus formed, its axis 42, its lateral electrodes (not visible in FIG. 8K, but visible in FIG. 3), and the fixed electrodes 46 and 48 ( Figure 3).

On obtient ainsi un dispositif comportant des électrodes mobiles en regard, même au repos, d'électrodes fixes, comme illustré en figure 3. On peut réaliser une métallisation, mais le silicium peut être suffisamment dopé pour assurer la conduction.  A device is thus obtained comprising mobile electrodes facing, even at rest, fixed electrodes, as illustrated in FIG. 3. It is possible to perform a metallization, but the silicon can be sufficiently doped to ensure the conduction.

2865201 28 De cette manière, on obtient un dispositif avec deux jeux d'électrodes se recouvrant partiellement du point de vue électrique, même au repos, avec les avantages, déjà expliqués, que cela présente.  In this way, a device is obtained with two sets of electrodes partially overlapping from the electrical point of view, even at rest, with the advantages, already explained, that this presents.

Une double gravure en face arrière, ou une gravure face arrière, puis une surgravure sélective en cette même face arrière, permettent de définir des dents ou des branches de peigne ayant la forme souhaitée, et notamment des branches voisines se faisant face, du point de vue électrique, même au repos.  A double engraving on the rear face, or a back-face engraving, and then a selective overgrafting on the same rear face, make it possible to define teeth or comb branches having the desired shape, and in particular neighboring branches facing each other, from the point of contact. electric view, even at rest.

Un actionneur est ainsi obtenu en gravant un seul substrat 400, un autre substrat ou support étant utilisé pour les moyens de connexion.  An actuator is thus obtained by etching a single substrate 400, another substrate or support being used for the connection means.

Un procédé de réalisation d'un actionneur selon l'invention met donc en oeuvre un usinage monolithique d'un seul substrat, par exemple en silicium massif.  A method of producing an actuator according to the invention thus implements a monolithic machining of a single substrate, for example solid silicon.

En utilisant différents niveaux de masques, il est possible d'obtenir une topographie différente sur chaque face.  By using different levels of masks, it is possible to obtain a different topography on each face.

Les masques peuvent être constitués de couches d'oxyde (SiO2 par exemple) ou de résine. Cela permet d'éviter un dépôt de résine sur une face avec un relief trop prononcé.  The masks may consist of oxide layers (SiO2 for example) or resin. This makes it possible to avoid resin deposition on one side with a pronounced relief.

Dans un premier temps, la face dite face arrière est gravée selon au moins deux niveaux (par exemple trois) afin d'obtenir les dents du peigne formant contre-électrode, les dents formant électrodes mobiles et celles formant électrodes fixes.  In a first step, the so-called rear face is etched in at least two levels (for example three) in order to obtain the teeth of the counter-electrode comb, the teeth forming mobile electrodes and those forming fixed electrodes.

2865201 29 Après enlèvement de la couche de protection en face arrière (par exemple par désoxydation), le substrat peut être assemblé avec un support de moyens de connexion.  After removal of the protective layer on the rear face (for example by deoxidation), the substrate can be assembled with a connecting means support.

L'exemple d'un support en pyrex a été donné ci-dessus, mais il peut s'agir aussi d'un support en silicium sur lequel auront été réalisés des vias de connexion des électrodes.  The example of a pyrex support has been given above, but it may also be a silicon support on which will have been made connection vias of the electrodes.

Dans ce dernier cas, la technique d'assemblage peut être le collage moléculaire.  In the latter case, the joining technique may be molecular bonding.

L'ensemble, ainsi que les poutres de suspension, peut être libéré par gravure en face avant.  The assembly, as well as the suspension beams, can be released by etching on the front face.

Par ailleurs, les parties mobiles et fixes de l'actuateur étant déjà en vis-à-vis au repos, la 15 tension d'amorçage est d'autant plus faible.  Furthermore, the movable and fixed parts of the actuator being already vis-à-vis at rest, the boot voltage is even lower.

Cette technologie générique permet d'obtenir des actionneurs travaillant soit en translation, ou bien en rotation, ou par torsion de bras de suspension.  This generic technology makes it possible to obtain actuators working either in translation, or in rotation, or by twisting suspension arms.

Pour cela on peut faire une symétrie axiale pour améliorer les résultats.  For this we can do an axial symmetry to improve the results.

Un actionneur de ce type peut servir pour translater des miroirs dans des applications d'optique adaptative, ou pour les faire travailler en rotation pour des systèmes de scanner, comme sur la figure 3.  An actuator of this type can be used to translate mirrors into adaptive optics applications, or to rotate them for scanner systems, as in Figure 3.

Un actionneur selon l'invention s'applique à tout type d'actionneur électrostatique et en particulier à ceux utilisés en optique adaptative, tels que les miroirs déformables, notamment ceux pouvant s'insérer dans les grands télescopes de type VLT.  An actuator according to the invention is applicable to any type of electrostatic actuator and in particular to those used in adaptive optics, such as deformable mirrors, especially those that can be inserted into large VLT type telescopes.

2865201 30 Un actionneur selon l'invention permet en outre de réaliser des multiplexeurs/dé-multiplexeurs optiques.  An actuator according to the invention also makes it possible to produce optical multiplexers / de-multiplexers.

Un actionneur selon l'invention peut aussi 5 être appliqué dans le domaine des capteurs.  An actuator according to the invention can also be applied in the field of sensors.

Ce type d'actionneur peut permettre également la réalisation d'une matrice d'actionnement à plusieurs actionneurs juxtaposés. Il peut même s'agir d'une matrice avec de très nombreux actionneurs, par exemple en nombre compris entre 100 ou 1000 et 100 000, par exemple avec un pas entre actionneurs compris entre 500 pm et 1,5 mm, par exemple environ lmm.  This type of actuator can also allow the realization of an actuation matrix with several actuators juxtaposed. It may even be a matrix with a very large number of actuators, for example in the number of between 100 or 1000 and 100,000, for example with a pitch between actuators of between 500 μm and 1.5 mm, for example approximately 1 mm. .

Le pas entre branches voisines du peigne peut être d'environ 10 pm, ou compris entre 1 pm et 15 15 ou 20 pm.  The pitch between adjacent branches of the comb may be about 10 μm, or between 1 μm and 15 μm or 20 μm.

La course d'un actionneur isolé peut être comprise entre +1 pm et + 10 pm, par exemple +5 pm.  The stroke of an isolated actuator can be between +1 pm and + 10 pm, for example +5 pm.

Intégrés dans un système matriciel (par exemple un miroir), deux actionneurs voisins auront leur course raccourcie, d'autant plus que le miroir sera rigide.  Integrated into a matrix system (for example a mirror), two neighboring actuators will have their race shortened, especially since the mirror will be rigid.

Claims (19)

31 REVENDICATIONS31 CLAIMS 1. Actionneur électrostatique comportant: - un premier jeu d'électrodes (13, 20, 20', 5 27, 46, 48), associé à un support (14, 25, 44), - et 31, 40-1, 40-2), inter-digité parun deuxième jeu d'électrodes (10, 30, mobile par rapport au premier jeu et rapport à ce premier jeu, ce deuxième jeu étant apte dite de repos, à se déplacer d'une première position, à une deuxième position, ou à une position maximum, entre les électrodes du premier jeu, selon au moins une direction perpendiculaire à un plan de référence défini par le support, une partie des électrodes du deuxième jeu étant, en position de repos, en regard d'une partie des électrodes du premier jeu.  An electrostatic actuator comprising: a first set of electrodes (13, 20, 20 ', 27, 46, 48), associated with a support (14, 25, 44), and 31, 40-1, 40 -2), inter-digitized bya second set of electrodes (10, 30, movable relative to the first set and related to this first set, said second set being said to be capable of resting, to move from a first position, to a second position, or at a maximum position, between the electrodes of the first game, in at least one direction perpendicular to a reference plane defined by the support, a part of the electrodes of the second game being, in the rest position, facing a part of the electrodes of the first game. 2. Actionneur selon la revendication 1, le déplacement du deuxième jeu d'électrodes (10, 30, 31) par rapport au premier jeu d'électrodes (13, 20, 20', 20 27) se faisant perpendiculairement au plan de référence.  2. An actuator according to claim 1, the displacement of the second set of electrodes (10, 30, 31) relative to the first set of electrodes (13, 20, 20 ', 27) being perpendicular to the reference plane. 3. Actionneur selon la revendication 1, le déplacement du deuxième jeu d'électrodes (40-1, 40-2) 25 par rapport au premier jeu d'électrodes (46, 48) se faisant selon un mouvement de rotation autour d'un axe (42) parallèle au plan de référence.  The actuator of claim 1, moving the second set of electrodes (40-1, 40-2) relative to the first set of electrodes (46, 48) in a rotational manner about a axis (42) parallel to the reference plane. 4. Actionneur selon la revendication 3, 30 comportant une première et une deuxième séries d'électrodes mobiles (40-1, 40-2) disposées de part et 2865201 32 d'autre d'un corps (43) mobile en rotation autour dudit axe de rotation (42).  An actuator according to claim 3, having first and second sets of movable electrodes (40-1, 40-2) disposed on the one hand and a second one on a body (43) rotatable about said rotation axis (42). 5. Actionneur selon la revendication 4, comportant une première et une deuxième séries d'électrodes fixes (46, 48) disposées à des hauteurs (h1, h2) différentes par rapport au plan de référence, respectivement du côté de la première et de la deuxième séries d'électrodes mobiles (40-1, 40-2).  5. An actuator according to claim 4, comprising a first and a second series of fixed electrodes (46, 48) arranged at different heights (h1, h2) with respect to the reference plane, respectively on the side of the first and the second set of moving electrodes (40-1, 40-2). 6. Actionneur selon la revendication 1, le déplacement du deuxième jeu d'électrodes (30, 31) par rapport au premier jeu d'électrodes (20, 20', 27) se faisant selon un mouvement de translation le long d'un axe (22, 34, 35), dit axe de symétrie circulaire, perpendiculaire au plan de référence.  6. Actuator according to claim 1, the displacement of the second set of electrodes (30, 31) relative to the first set of electrodes (20, 20 ', 27) being in a translation movement along an axis. (22, 34, 35), said circular axis of symmetry, perpendicular to the reference plane. 7. Actionneur selon la revendication 6, les électrodes (20, 20', 27, 30, 31) du premier et du deuxième jeu d'électrodes étant disposées radialement par rapport audit axe (22, 34, 35) de symétrie circulaire.  7. An actuator according to claim 6, the electrodes (20, 20 ', 27, 30, 31) of the first and second set of electrodes being arranged radially relative to said axis (22, 34, 35) of circular symmetry. 8. Actionneur selon la revendication 7, les électrodes du deuxième jeu d'électrodes étant disposées sur un support circulaire (32, 33) centré sur l'axe de symétrie.  8. Actuator according to claim 7, the electrodes of the second set of electrodes being arranged on a circular support (32, 33) centered on the axis of symmetry. 9. Actionneur selon l'une des revendications 1 à 8, le support (14, 25, 44) étant un support mécanique du premier jeu d'électrodes et un 2865201 33 support pour des moyens (16) de connexion des électrodes.  9. An actuator according to one of claims 1 to 8, the support (14, 25, 44) being a mechanical support of the first set of electrodes and a support for connection means (16) of the electrodes. 10. Actionneur selon la revendication 9, 5 le support étant en pyrex ou en silicium.  An actuator according to claim 9, the support being pyrex or silicon. 11. Actionneur selon la revendication 10, le support étant en pyrex et au moins les électrodes fixes étant reliées au support par soudure anodique.  11. An actuator according to claim 10, the support being Pyrex and at least the fixed electrodes being connected to the support by anodic welding. 12. Actionneur selon la revendication 10, le support étant en silicium et les électrodes étant reliées par collage moléculaire.  12. Actuator according to claim 10, the support being made of silicon and the electrodes being bonded by molecular bonding. 13. Actionneur selon l'une des revendications 1 à 12, le deuxième jeu d'électrodes (10, 30, 31) ou l'axe de rotation (22, 34, 35, 42) étant relié à des poutres (12, 36, 37) de suspension.  13. Actuator according to one of claims 1 to 12, the second set of electrodes (10, 30, 31) or the axis of rotation (22, 34, 35, 42) being connected to beams (12, 36). , 37) suspension. 14. Actionneur selon la revendication 13, les poutres étant reliées au support (14, 25, 44).  14. An actuator according to claim 13, the beams being connected to the support (14, 25, 44). 15. Actionneur selon l'une des revendications 1 à 14, la partie inférieure, tournée vers le support, des électrodes du deuxième jeu d'électrodes étant située à une hauteur h, par rapport à la partie inférieure, tournée vers le support, des électrodes fixes.  15. Actuator according to one of claims 1 to 14, the lower portion facing the support, the electrodes of the second set of electrodes being located at a height h, relative to the lower part, facing the support, fixed electrodes. 2865201 34  2865201 34 16. Matrice d'actionnement comportant une pluralité d'actionneurs individuels selon au moins l'une des revendications 1 à 15.16. Actuation matrix comprising a plurality of individual actuators according to at least one of claims 1 to 15. 17. Matrice d'actionnement selon la revendication 16, le nombre d'actionneurs individuels étant compris entre 1000 et 100 000.  17. Actuation matrix according to claim 16, the number of individual actuators being between 1000 and 100,000. 18. Miroir déformable comportant une membrane déformable supportant une première surface réfléchissante et une deuxième surface supportée par une matrice d'actionnement selon la revendication 16 ou 17.  18. Deformable mirror comprising a deformable membrane supporting a first reflecting surface and a second surface supported by an actuating die according to claim 16 or 17. 19. Procédé de réalisation d'un actionneur, à l'aide d'un substrat (100, 300, 400) comportant une face avant et une face arrière, ce procédé comportant les étapes suivantes: a) Gravure en face arrière du substrat (100, 300, 400), pour former des dents (114-1, 114-2, 114-3, 314, 314-1, 314-2, 314-3, 324), b) formation de moyens de connexion (124, 126), sur un support (122, 322, 422), c) Scellement du support et de la face 25 arrière du substrat gravé, d) Gravure en face avant du substrat (100, 300, 400), pour libérer l'actionneur.  19. A method of producing an actuator, using a substrate (100, 300, 400) comprising a front face and a rear face, this method comprising the following steps: a) etching on the rear face of the substrate ( 100, 300, 400) for forming teeth (114-1, 114-2, 114-3, 314, 314-1, 314-2, 314-3, 324), b) forming connection means (124), , 126), on a support (122, 322, 422), c) Sealing the support and the rear face of the etched substrate, d) Engraving on the front face of the substrate (100, 300, 400), to release the actuator. 20. Procédé selon la revendication 19, la 30 gravure face arrière comportant au moins deux niveaux successifs de lithographie.  20. The method of claim 19, the backside etching having at least two successive levels of lithography. 2865201 35 21. Procédé selon la revendication 19 ou 20, la gravure face arrière permettant de former des dents à des hauteurs différentes par rapport au support.  The method of claim 19 or 20, the backside engraving for forming teeth at different heights relative to the support. 22. Procédé selon l'une des revendications 19 à 21, l'étape c) étant réalisé par soudure anodique ou par collage moléculaire.  22. Method according to one of claims 19 to 21, step c) being carried out by anodic bonding or molecular bonding. 23. Procédé selon l'une des revendications 19 à 22, l'étape b) comportant un dépôt, sur ledit support, d'une couche métallique (132), puis d'une couche isolante (140), et une gravure de ces couches pour délimiter des pistes et des zones de connexion (124, 126).  23. Method according to one of claims 19 to 22, step b) comprising a deposit on said support, a metal layer (132), and an insulating layer (140), and an etching of these layers for delineating tracks and connection areas (124, 126). 24. Procédé selon l'une des revendications 19 à 23, comportant, préalablement à l'étape a), un dépôt, sur les deux faces dudit substrat, d'une couche (102, 104, 302, 304, 402, 404) de protection.  24. Method according to one of claims 19 to 23, comprising, prior to step a), a deposit on both sides of said substrate, a layer (102, 104, 302, 304, 402, 404). protection. 25. Procédé selon l'une des revendications 19 à 24, le support sur lequel sont formés les moyens de connexion étant en pyrex.  25. Method according to one of claims 19 to 24, the support on which are formed the connection means being Pyrex. 26. Procédé selon l'une des revendications 19 à 24, le support sur lequel sont formés les moyens de connexion étant en silicium.  26. Method according to one of claims 19 to 24, the support on which are formed the connection means being made of silicon. 27. Procédé selon l'une des revendications 19 à 24, le support sur lequel sont formés les moyens 2865201 36 de connexion étant un substrat avec des couches d'arrêt de gravure enterrées.  27. Method according to one of claims 19 to 24, the support on which are formed the connecting means 2865201 36 being a substrate with buried etch stop layers. 28. Procédé selon l'une des revendications  28. Process according to one of the claims 19 à 24, comportant en outre une étape de gravure supplémentaire pour former un axe de rotation (42) de l'actionneur.  19 to 24, further comprising an additional etching step to form an axis of rotation (42) of the actuator.
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