FR2863390A1 - Memory card for use in electric device, has two upper and bottom memory chips from which heat travels to heat sink via metal filled within through holes of respective substrates so that heat is spread out via sink - Google Patents
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Abstract
Description
PETITE CARTE MEMOIRESMALL MEMORY CARD
La présente invention est relative à une petite carte mémoire, et en particulier à une petite carte mémoire ayant une grande durée de vie et une grande durabilité. The present invention relates to a small memory card, and in particular to a small memory card having a long life and great durability.
Le procédé selon la technique antérieure pour fabriquer une carte mémoire à usage général regroupe toujours des puces sur un seul circuit intégré, puis monte le circuit intégré sur une carte de circuit imprimé à l'aide de la technique du montage en surface (TMS). La puce peut être un élément de mémoire tel qu'une mémoire flash. Les plages de contact en or montées sur la carte de circuit imprimé permettent l'insertion dans une encoche d'une carte mère d'un ordinateur. En outre, certains composants passifs tels qu'une résistance, un condensateur et une inductance sont montés sur la carte mémoire. The prior art method for making a general-purpose memory card still groups chips on a single integrated circuit, and then mounts the integrated circuit on a printed circuit board using the surface mount technique (TMS). The chip may be a memory element such as a flash memory. The gold contact pads mounted on the printed circuit board allow the insertion in a notch of a motherboard of a computer. In addition, certain passive components such as a resistor, a capacitor and an inductor are mounted on the memory card.
En référence à la Fig. 1 qui représente schématiquement une vue latérale d'une carte mémoire selon la technique antérieure, la plage de contact 15 en or permet une insertion dans une encoche d'une carte mère d'ordinateur, des composants actifs et des composants passifs sont présents sur la carte modulaire, les composants actifs sont généralement regroupés dans un circuit intégré 11. Chaque circuit intégré 11 contient une puce 12 encapsulée, la puce 12 peut être une puce de mémoire, par exemple une puce de mémoire flash. Les broches 13 du circuit intégré 11 sont montées par PMS sur la carte 14 de circuit imprimé de la carte mémoire, la carte 14 de circuit imprimé a un point de brasure 17 connecté à la broche 13. La technique antérieure a les inconvénients suivants: 1. Une puce 12 doit être encapsulée puis montée sur la carte 14 de circuit, de telle sorte qu'un grand nombre d'étapes sont nécessaires et provoquent une augmentation du coût de fabrication et d'encapsulage. With reference to FIG. 1 which schematically shows a side view of a memory card according to the prior art, the gold contact pad 15 allows insertion into a notch of a computer motherboard, active components and passive components are present on the modular card, the active components are generally grouped in an integrated circuit 11. Each integrated circuit 11 contains an encapsulated chip 12, the chip 12 may be a memory chip, for example a flash memory chip. The pins 13 of the integrated circuit 11 are mounted by PMS on the printed circuit board 14 of the memory card, the printed circuit board 14 has a brazing point 17 connected to the pin 13. The prior art has the following drawbacks: A chip 12 must be encapsulated and then mounted on the circuit board 14, so that a large number of steps are necessary and cause an increase in the cost of manufacturing and encapsulation.
2. Une carte mémoire comporte toujours de nombreux circuits intégrés, aussi les circuits intégrés 11 doivent-ils être montés un par un sur la carte 14 de circuit imprimé pendant la fabrication de la carte modulaire. 2. A memory card always has many integrated circuits, so the integrated circuits 11 must be mounted one by one on the circuit board 14 during the manufacture of the modular card.
3. Le coût de la TMS est élevé. Des dispositifs de fabrication spéciaux tels qu'une machine à TMS et un four de brasage accroissent le coût des équipements. 3. The cost of MSD is high. Special manufacturing devices such as a TMS machine and a soldering furnace increase the cost of equipment.
4. La carte mémoire est fabriquée séparément, aussi le rendement est-il faible. 4. The memory card is made separately, so the performance is low.
5. Comme le circuit intégré 11 ne peut pas disperser efficacement la chaleur, la petite carte mémoire n'a donc pas une qualité ni une durabilité excellentes. 5. Since the integrated circuit 11 can not effectively disperse heat, the small memory card does not have excellent quality or durability.
La présente invention vise à réaliser une petite carte mémoire pouvant être 5 fabriquée commodément, les étapes de fabrication pouvant être simplifiées et le coût de fabrication pouvant être réduit. The present invention aims to provide a small memory card that can be conveniently manufactured, the manufacturing steps can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
La présente invention vise également à réaliser une petite carte mémoire empilée ayant une très bonne fonction de dispersion de la chaleur pour favoriser efficacement sa durabilité et sa durée de vie. The present invention also aims to provide a small stacked memory card having a very good heat dispersing function to effectively promote its durability and its lifetime.
Pour atteindre les objectifs ci-dessus, la présente invention comprend un premier substrat, un dissipateur de chaleur et un second substrat, au moins une puce supérieure de mémoire, au moins une puce inférieure de mémoire et une couche de colle. Le premier substrat a une surface supérieure et une surface inférieure, une pluralité de points de connexion, une pluralité de plages de contact en or formées sur la surface supérieure du substrat étant électriquement connectés à la pluralité de points de connexion et une pluralité de trous traversants pénétrant dans la surface supérieure jusqu'à la surface inférieure, et les trous traversants étant remplis de métal, le dissipateur de chaleur a une surface supérieure et une surface inférieure, la surface supérieure est formée sur la surface inférieure du premier substrat au contact du métal qui remplit la pluralité de trous traversants du substrat, le second substrat a une surface supérieure et une surface inférieure, la surface inférieure étant pourvue d'une pluralité de points de connexion et une pluralité de trous traversants pénétrant dans la surface supérieure jusqu'à la surface inférieure, les trous traversants étant remplis de métal, la surface supérieure du second substrat est montée sur la surface inférieure du dissipateur de chaleur, et le métal qui remplit l'intérieur de la pluralité de trous traversants étant au contact du dissipateur de chaleur, la puce supérieure de mémoire est disposée sur la surface supérieure du premier substrat et est électriquement connectée par un revêtement à des points de connexion du premier substrat, la puce inférieure de mémoire est disposée sur la surface inférieure de la seconde surface et est électriquement connectée à des points de connexion du second substrat, et la couche de colle est appliquée sur la surface supérieure du premier substrat et sur la surface inférieure du second substrat pour encapsuler en même temps chacune des puces supérieures de mémoire et des puces inférieures de mémoire. To achieve the above objectives, the present invention comprises a first substrate, a heat sink and a second substrate, at least one upper memory chip, at least one lower memory chip and a glue layer. The first substrate has an upper surface and a lower surface, a plurality of connection points, a plurality of gold contact pads formed on the upper surface of the substrate being electrically connected to the plurality of connection points and a plurality of through holes penetrating the upper surface to the lower surface, and the through holes being filled with metal, the heat sink has an upper surface and a lower surface, the upper surface is formed on the lower surface of the first substrate in contact with the metal which fills the plurality of through-holes of the substrate, the second substrate has an upper surface and a lower surface, the lower surface being provided with a plurality of connection points and a plurality of through-holes penetrating the upper surface to the bottom surface, the through holes being filled with metal, the on upper face of the second substrate is mounted on the lower surface of the heat sink, and the metal filling the inside of the plurality of through holes being in contact with the heat sink, the upper memory chip is disposed on the upper surface of the first substrate and is electrically connected by a coating to connection points of the first substrate, the lower memory chip is disposed on the lower surface of the second surface and is electrically connected to connection points of the second substrate, and the glue is applied to the upper surface of the first substrate and the lower surface of the second substrate to encapsulate at the same time each of the upper memory chips and lower memory chips.
Selon un aspect de la présente invention, la chaleur de la puce supérieure de 35 mémoire et de la puce inférieure de mémoire peut être acheminée jusqu'au dissipateur de chaleur par l'intermédiaire du métal qui remplit l'intérieur de la pluralité de trous traversants. Par conséquent, la durabilité et la fiabilité de la petite carte mémoire sont améliorées. According to one aspect of the present invention, the heat of the upper memory chip and the lower memory chip can be routed to the heat sink through the metal that fills the inside of the plurality of through holes. . As a result, the durability and reliability of the small memory card are improved.
L'invention et nombre des avantages qui s'y attachent apparaîtront facilement plus clairement en référence à la description détaillée ciaprès, faite en considération des dessins annexés, sur lesquels: la Fig. 1 est une illustration schématique représentant la structure d'une petite carte mémoire selon la technique antérieure; la Fig. 2 est une première illustration schématique représentant la structure d'une petite carte mémoire selon la présente invention; la Fig. 3 est une seconde illustration schématique représentant la structure d'une petite carte mémoire selon la présente invention; et la Fig. 4 est une troisième illustration schématique représentant la structure 15 d'une petite carte mémoire selon la présente invention. The invention and many of the advantages thereof will become readily apparent with reference to the following detailed description with reference to the accompanying drawings, in which: FIG. 1 is a schematic illustration showing the structure of a small memory card according to the prior art; FIG. 2 is a first schematic illustration showing the structure of a small memory card according to the present invention; FIG. 3 is a second schematic illustration showing the structure of a small memory card according to the present invention; and FIG. 4 is a third schematic illustration showing the structure of a small memory card according to the present invention.
La Fig. 2, la Fig. 3 et la Fig. 4 sont des illustrations schématiques représentant la structure d'une petite carte mémoire selon la présente invention, qui comprend un premier substrat 20, un dissipateur de chaleur 22, un second substrat 24, au moins une puce supérieure de mémoire 26, au moins une puce inférieure de mémoire 28 et une couche de colle 30. Fig. 2, FIG. 3 and FIG. 4 are schematic illustrations showing the structure of a small memory card according to the present invention, which comprises a first substrate 20, a heat sink 22, a second substrate 24, at least one upper memory chip 26, at least one chip lower memory 28 and an adhesive layer 30.
Le premier substrat 20 a une surface supérieure 32 et une surface inférieure 34, la surface supérieure 32 est pourvue d'une pluralité de points de contact 36 et une pluralité de plages de contact en or 38 sont connectées électriquement à une pluralité de points de connexion 36, et une pluralité de trous traversants 40 pénètrent dans la surface supérieure 32 jusqu'à la surface inférieure 34, les trous traversants 40 sont remplis de métal 42, le métal 42 peut être du cuivre, le premier substrat 20 est destiné à être disposé dans un dispositif électrique en connectant électriquement les plages de contact en or 38 à ce dispositif électrique. The first substrate 20 has an upper surface 32 and a lower surface 34, the upper surface 32 is provided with a plurality of contact points 36 and a plurality of gold contact pads 38 are electrically connected to a plurality of connection points 36, and a plurality of through holes 40 penetrate the upper surface 32 to the lower surface 34, the through holes 40 are filled with metal 42, the metal 42 may be copper, the first substrate 20 is intended to be arranged in an electrical device by electrically connecting the gold contact pads 38 to this electrical device.
Le dissipateur de chaleur 22 est en cuivre ou en aluminium, il a une surface supérieure 44 et une surface inférieure 46, la surface supérieure 44 est montée sur la surface inférieure 34 du premier substrat 20 et est au contact du métal 42 qui remplit l'intérieur d'une pluralité de trous traversants 40 du premier substrat 20. The heat sink 22 is made of copper or aluminum, it has an upper surface 44 and a lower surface 46, the upper surface 44 is mounted on the lower surface 34 of the first substrate 20 and is in contact with the metal 42 which fills the inside a plurality of through holes 40 of the first substrate 20.
Le second substrat 24 a une surface supérieure 48 et une surface inférieure 50, la surface inférieure 50 étant pourvue d'une pluralité de points de connexion 52 et d'une pluralité de trous traversants 54 qui pénètrent dans la surface supérieure 48 jusqu'à la surface inférieure 50, et les trous traversants 54 sont remplis de métal 42, la surface supérieure 48 du second substrat 24 est montée sur la surface inférieure 46 du dissipateur de chaleur 22, et le métal 42 qui remplit l'intérieur des trous traversants 54 est au contact du dissipateur de chaleur 22. The second substrate 24 has an upper surface 48 and a lower surface 50, the lower surface 50 being provided with a plurality of connection points 52 and a plurality of through holes 54 which penetrate the upper surface 48 to the bottom surface 50, and the through holes 54 are filled with metal 42, the upper surface 48 of the second substrate 24 is mounted on the lower surface 46 of the heat sink 22, and the metal 42 which fills the interior of the through holes 54 is in contact with the heat sink 22.
Cette forme de réalisation comprend deux puces supérieures de mémoire 26 montées sur la surface supérieure 32 du premier substrat 20, connectées électriquement aux points de connexion 52 du premier substrat 20 par l'intermédiaire d'une bille en or 56 par une méthode à remplissage de puces. This embodiment comprises two upper memory chips 26 mounted on the upper surface 32 of the first substrate 20, electrically connected to the connection points 52 of the first substrate 20 via a gold ball 56 by a filler method. fleas.
La forme de réalisation comprend deux puces inférieures de mémoire 28 montées sur la surface inférieure 50 du second substrat 24 et connectées électriquement aux points de connexion 52 du second substrat 24 par l'intermédiaire d'une bille en or par une méthode à remplissage de puces. The embodiment comprises two lower memory chips 28 mounted on the lower surface 50 of the second substrate 24 and electrically connected to the connection points 52 of the second substrate 24 via a gold ball by a chip-filled method. .
La couche de colle 26 est appliquée sur la surface supérieure 32 du premier substrat 20 et sur la surface inférieure 50 du second substrat 24 pour encapsuler en même temps deux puces supérieures de mémoire 20 et deux puces inférieures de mémoire 28. The adhesive layer 26 is applied to the upper surface 32 of the first substrate 20 and to the lower surface 50 of the second substrate 24 to encapsulate at the same time two upper memory chips 20 and two lower memory chips 28.
De la sorte, la petite carte mémoire selon la présente invention offre les avantages suivants. In this way, the small memory card according to the present invention offers the following advantages.
1. Comme la chaleur de la puce supérieure de mémoire 26 peut être acheminée jusqu'au dissipateur de chaleur 22 via le métal 42 qui remplit l'intérieur des trous traversants 40 du premier substrat 20, la chaleur peut être rapidement évacuée par l'intermédiaire du dissipateur de chaleur 22, et la chaleur de la puce inférieure de mémoire 28 peut être acheminée jusqu'au dissipateur de chaleur via le métal 42 qui remplit l'intérieur des trous traversants 54 du second substrat 24, la chaleur peut être rapidement évacuée par l'intermédiaire du dissipateur de chaleur 22, ce qui améliore donc la durabilité et la fiabilité de la petite carte mémoire. 1. As the heat of the upper memory chip 26 can be routed to the heat sink 22 via the metal 42 which fills the inside of the through holes 40 of the first substrate 20, the heat can be quickly discharged via of the heat sink 22, and the heat of the lower memory chip 28 can be routed to the heat sink via the metal 42 which fills the inside of the through holes 54 of the second substrate 24, the heat can be rapidly removed by through the heat sink 22, thus improving the durability and reliability of the small memory card.
2. Comme la puce supérieure de mémoire 26 est disposée sur la surface supérieure 32 du premier substrat 20 et que la puce inférieure de mémoire 28 est disposée sur la surface inférieure 50 du second substrat 24, la couche de colle 30 est appliquée sur chacune des puces supérieures de mémoire 26 et chacune des puces inférieures de mémoire 28. Ainsi, le procédé de fabrication peut être simplifié et le coût de fabrication peut également être réduit. 2. Since the upper memory chip 26 is disposed on the upper surface 32 of the first substrate 20 and the lower memory chip 28 is disposed on the lower surface 50 of the second substrate 24, the adhesive layer 30 is applied to each of the higher memory chips 26 and each of the lower memory chips 28. Thus, the manufacturing method can be simplified and the manufacturing cost can also be reduced.
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20160831 |