FR2853479A1 - Remote control device for e.g. object identification application, has portable object equipped with antenna coil that is coupled inductively to another antenna coil of fixed station and including load impedance modulation circuit - Google Patents

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antenna coil
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Thierry Thomas
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Abstract

The device has a portable object (1) equipped with an antenna coil (3) that is coupled inductively to an antenna coil (4) of a fixed station (2) which emits an alternative magnetic field. The portable object includes a load impedance modulation circuit (9) of the antenna coil (3). The modulation unit includes an imposing unit to impose k different levels, where k is greater than 2.

Description

Dispositif de télétransmission par couplage inductif à modulationModulated inductive coupling teletransmission device

multiniveauxmultilevel

Domaine technique de l'invention L'invention concerne un dispositif de télétransmission comportant un objet portatif muni d'un bobinage d'antenne couplé inductivement à un bobinage d'antenne d'une station fixe émettant un champ magnétique alternatif, l'objet 10 portatif comportant des moyens de modulation d'une impédance de charge du bobinage d'antenne de l'objet portatif par des signaux binaires de données.  TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The invention relates to a teletransmission device comprising a portable object provided with an antenna coil inductively coupled to an antenna winding of a fixed station emitting an alternating magnetic field, the portable object comprising means for modulating a load impedance of the antenna coil of the portable object by binary data signals.

État de la technique Le couplage inductif est classiquement utilisé pour la télétransmission de données entre un objet portatif, notamment du type carte, billet, étiquette, etc., et une station fixe, par exemple constituée par un lecteur de cartes, un interrogateur d'étiquettes, etc., dans le domaine de l'identification d'objets, du 20 contrôle d'accès, du télépéage, etc. Dans la plupart des dispositifs de télétransmission de ce type, l'objet portatif est passif. Il est donc télé-alimenté par la station fixe, qui comporte son propre circuit d'alimentation en énergie, par l'intermédiaire du couplage inductif qui est 25 réalisé par des antennes constituées par des bobinages. Ces dispositifs utilisent généralement le principe de la modulation de charge.  State of the art Inductive coupling is conventionally used for the teletransmission of data between a portable object, in particular of the card, ticket, tag, etc. type, and a fixed station, for example constituted by a card reader, an interrogator of labels, etc., in the field of object identification, access control, electronic toll collection, etc. In most teletransmission devices of this type, the portable object is passive. It is therefore remotely powered by the fixed station, which has its own power supply circuit, by means of the inductive coupling which is produced by antennas constituted by coils. These devices generally use the principle of charge modulation.

Comme représenté à la figure 1, lorsque l'objet portatif, par exemple constitué par une étiquette 1, est disposé suffisamment près de la station fixe, constituée par exemple par un lecteur 2, pour qu'il y ait couplage inductif, les bobinages d'antenne 3 et 4 de l'étiquette 1 et du lecteur 2 se comportent comme un transformateur, de mauvaise qualité. Le bobinage d'antenne 4 du lecteur 2 émettant un champ magnétique alternatif, l'étiquette 1 interagit sur ce champ 5 magnétique par l'intermédiaire de son bobinage d'antenne 3 en émettant un champ magnétique secondaire, dépendant de l'impédance des circuits connectés au bobinage d'antenne 3. Ceci induit une tension détectable dans le bobinage d'antenne 4 du lecteur. Une modification de l'impédance Z au secondaire de ce transformateur peut ainsi être détectée par le lecteur 2, 10 lorsqu'elle est suffisante au vu de la sensibilité du lecteur. Un signal de données binaire D contrôle la valeur de l'impédance présente aux bornes du bobinage d'antenne 3 de l'étiquette 1, l'impédance Z pouvant prendre deux valeurs distinctes, respectivement ZO et Zl selon que le signal de données D prend la valeur binaire O ou la valeur binaire 1.  As shown in FIG. 1, when the portable object, for example constituted by a tag 1, is arranged sufficiently close to the fixed station, constituted for example by a reader 2, for inductive coupling, the windings Antenna 3 and 4 of the label 1 and the reader 2 behave like a transformer, of poor quality. Since the antenna coil 4 of the reader 2 emits an alternating magnetic field, the tag 1 interacts on this magnetic field via its antenna coil 3 by emitting a secondary magnetic field, depending on the impedance of the circuits. connected to the antenna coil 3. This induces a detectable voltage in the antenna coil 4 of the reader. A modification of the secondary impedance Z of this transformer can thus be detected by the reader 2, 10 when it is sufficient in view of the sensitivity of the reader. A binary data signal D controls the value of the impedance present at the terminals of the antenna winding 3 of the tag 1, the impedance Z can take two distinct values, respectively Z0 and Z1, depending on whether the data signal D takes the binary value O or the binary value 1.

Une capacité Ce peut être connectée en parallèle sur le bobinage d'antenne 3 et l'inductance Z, constituant ainsi un résonateur, dont l'impédance peut être modifiée soit par modulation résistive, c'est-à- dire par modification de la composante résistive, soit par modulation capacitive, c'est-à-dire par 20 modification de la composante capacitive du résonateur. La modification de l'impédance Z entraîne une modification de l'amplitude de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne 3 et, en conséquence, une modification du courant parcourant le bobinage d'antenne 3 et, donc, du champ magnétique qu'il émet. Le signal de données binaire D module ainsi l'amplitude de la tension V 25 aux bornes du bobinage d'antenne 3, comme représenté à la figure 2, cette amplitude prenant, pour un même champ magnétique en provenance du lecteur 2, une première valeur lorsque le signal de données D prend la valeur binaire O et une seconde valeur, inférieure à la première sur la figure 2, lorsque le signal de données D prend la valeur binaire 1.  A capacitance Ce can be connected in parallel on the antenna winding 3 and the inductance Z, thus constituting a resonator, whose impedance can be modified either by resistive modulation, that is to say by modification of the component resistive, either by capacitive modulation, i.e. by changing the capacitive component of the resonator. The modification of the impedance Z causes a change in the amplitude of the voltage V at the terminals of the antenna winding 3 and, consequently, a change in the current flowing through the antenna winding 3 and, therefore, the magnetic field that 'he emits. The binary data signal D thus modulates the amplitude of the voltage V at the terminals of the antenna coil 3, as shown in FIG. 2, this amplitude taking, for the same magnetic field from the reader 2, a first value when the data signal D takes the binary value O and a second value, less than the first value in FIG. 2, when the data signal D takes the binary value 1.

Pour permettre la télé-alimentation de l'étiquette 1, celle-ci comporte, de préférence, comme représenté à la figure 3, un circuit de redressement 5, qui peut être constitué par une diode, un pont de diodes ou tout circuit approprié, 5 connecté à la sortie du bobinage d'antenne 3. Une tension continue VDD est donc produite à la sortie du circuit de redressement 5, à partir de la tension aux bornes du bobinage d'antenne 3, induite par le champ magnétique émis par le lecteur 2.  To enable the remote-feed of the tag 1, it preferably comprises, as represented in FIG. 3, a rectifying circuit 5, which can be constituted by a diode, a diode bridge or any suitable circuit, Connected to the output of the antenna winding 3. A DC voltage VDD is therefore produced at the output of the rectifying circuit 5, from the voltage at the terminals of the antenna winding 3, induced by the magnetic field emitted by the reader 2.

Le champ magnétique vu par l'étiquette 1 varie rapidement avec la distance séparant l'étiquette du lecteur 2. La force électromotrice induite dans le bobinage d'antenne 3 de l'étiquette 1 peut ainsi varier dans de grandes proportions. L'étiquette étant essentiellement constituée par un circuit intégré connecté au bobinage d'antenne 3, ce circuit est généralement protégé par des 15 moyens de limitation de la tension aux bornes du bobinage d'antenne, ce qui permet d'utiliser des technologies basse tension standard, moins coûteuses que les technologies haute tension. Il est connu d'utiliser pour cela un circuit de régulation de type shunt, dont le principe est illustré à la figure 3. Le circuit de régulation de la figure 3 comporte un régulateur 6 connecté à la sortie du circuit 20 de redressement 5 et contrôlant la valeur d'une impédance variable commandée Ze, connectée aux bornes du bobinage d'antenne 3. Dans le mode particulier de réalisation illustré à la figure 4, le régulateur comporte un pont diviseur, constitué par deux résistances, Rl et R2, connectées en série entre la sortie du circuit redresseur 5 et la masse, et un amplificateur 7, ayant une entrée 25 connectée au point milieu du pont diviseur et une autre entrée connectée à une tension de référence Vref. L'impédance variable est constituée par un transistor T, dont l'électrode de commande est connectée à la sortie de l'amplificateur 6.  The magnetic field seen by the label 1 varies rapidly with the distance separating the label from the reader 2. The electromotive force induced in the antenna winding 3 of the tag 1 can thus vary in large proportions. Since the tag consists essentially of an integrated circuit connected to the antenna winding 3, this circuit is generally protected by means of limiting the voltage across the antenna winding, which makes it possible to use low voltage technologies. standard, less expensive than high voltage technologies. It is known to use for this purpose a shunt type control circuit, the principle of which is illustrated in FIG. 3. The control circuit of FIG. 3 comprises a regulator 6 connected to the output of the rectification circuit 5 and controlling the value of a controlled variable impedance Ze, connected to the terminals of the antenna winding 3. In the particular embodiment illustrated in FIG. 4, the regulator comprises a divider bridge consisting of two resistors, R1 and R2, connected together. series between the output of the rectifier circuit 5 and the ground, and an amplifier 7, having an input 25 connected to the midpoint of the divider bridge and another input connected to a reference voltage Vref. The variable impedance is constituted by a transistor T whose control electrode is connected to the output of the amplifier 6.

La tension VDD est ainsi régulée à une valeur proche de Vref.(R1+R2)/R1, ce qui régule et limite la tension aux bornes du bobinage d'antenne 3.  The voltage VDD is thus regulated to a value close to Vref (R1 + R2) / R1, which regulates and limits the voltage at the terminals of the antenna winding 3.

Une régulation de ce type peut cependant, en l'absence de précautions particulières, entrer en conflit avec une modulation du type illustré à la figure 1.  Such a regulation can, however, in the absence of particular precautions, come into conflict with a modulation of the type illustrated in FIG.

Plusieurs solutions ont été proposées pour résoudre ce problème: - Limiter la bande passante de la boucle de régulation, constituée par le circuit de redressement 5, le régulateur 6 et l'impédance variable commandée Ze, de manière à ce que les variations de l'impédance commandée par le signal de données D soient trop rapides pour la régulation. Ceci est possible dans la mesure o les variations de champ sont dues à des mouvements, donc sont des 10 variations basse fréquence.  Several solutions have been proposed to solve this problem: - Limit the bandwidth of the regulation loop constituted by the rectifying circuit 5, the regulator 6 and the controlled variable impedance Ze, so that the variations of the impedance controlled by the data signal D are too fast for regulation. This is possible since field variations are due to motions, so they are low frequency variations.

- Réaliser une modulation capacitive en déplaçant la fréquence de résonance du bobinage d'antenne de l'étiquette de part et d'autre de la fréquence du champ en fonction du signal de données D, de manière à maintenir constante la force électromotrice.  - Perform a capacitive modulation by moving the resonant frequency of the antenna winding of the label on either side of the field frequency according to the data signal D, so as to maintain constant electromotive force.

- Utiliser une entrée du régulateur 6 pour réaliser la modulation par le signal de données D. Ceci peut, par exemple être réalisé en modulant la tension de référence Vref, qui peut prendre deux valeurs VrefO et Vrefl en fonction de la valeur du signal binaire de données D, comme représenté à la figure 5. Dans un autre mode de réalisation (FR-A-2776865), illustré à la figure 6, une tension, 20 variable entre deux valeurs EO et El, en fonction de la valeur du signal binaire de données D, est interposée entre la sortie VDD du circuit redresseur 5 et l'entrée du régulateur 6.  - Use an input of the regulator 6 to perform the modulation by the data signal D. This can, for example be achieved by modulating the reference voltage Vref, which can take two values VrefO and Vrefl depending on the value of the binary signal of D data, as shown in Figure 5. In another embodiment (FR-A-2776865), illustrated in Figure 6, a voltage, variable between two values EO and El, depending on the value of the binary signal D data is interposed between the VDD output of the rectifier circuit 5 and the input of the regulator 6.

Tous les dispositifs de télétransmission connus décrits ci-dessus ne permettent 25 le transfert de données binaires qu'avec un débit réduit. Or, de nombreuses applications potentielles, par exemple l'identification biométrique, nécessitent le transfert d'une quantité importante d'informations, dans un temps qui doit rester suffisamment faible pour qu'un utilisateur considère que la transmission est quasi-instantanée. Une augmentation de la fréquence du signal binaire de données D pourrait permettre d'augmenter le débit binaire. Cependant, une telle augmentation aurait pour conséquence une augmentation de la bande passante nécessaire. Or, une augmentation de la bande passante nécessiterait une réduction du facteur de qualité de l'étiquette, au détriment des performances de 5 la télé-alimentation, en raison d'une réduction du coefficient de surtension du circuit RLC.  All known teletransmission devices described above allow the transfer of binary data only at a reduced rate. However, many potential applications, for example biometric identification, require the transfer of a large amount of information, in a time that must remain low enough for a user to consider that the transmission is almost instantaneous. Increasing the frequency of the D data bit signal could increase the bit rate. However, such an increase would result in an increase in the bandwidth required. However, an increase in the bandwidth would require a reduction in the quality factor of the tag, to the detriment of the performance of the remote power supply, due to a reduction in the overvoltage coefficient of the RLC circuit.

Objet de l'invention L'invention a pour but un dispositif de télétransmission par couplage inductif ne présentant pas ces inconvénients et, plus particulièrement un dispositif ayant un débit binaire élevé sans modification significative de la bande passante.  OBJECT OF THE INVENTION The object of the invention is an inductive coupling teletransmission device which does not have these disadvantages and, more particularly, a device having a high bit rate without any significant change in the bandwidth.

Selon l'invention, ce but est atteint par le fait que les moyens de modulation comportent des moyens pour imposer k valeurs différentes à l'impédance de charge, k étant strictement supérieur à 2.  According to the invention, this object is achieved by the fact that the modulation means comprise means for imposing k values different to the load impedance, k being strictly greater than 2.

Selon un développement de l'invention, les moyens de modulation comportent 20 une pluralité de dipôles et des moyens de connexion sélective des dipôles au bobinage d'antenne de l'objet portatif, de manière à constituer k résistances de charge différentes, associées à k différents mots de n bits.  According to a development of the invention, the modulation means comprise a plurality of dipoles and means for selectively connecting the dipoles to the antenna coil of the portable object, so as to constitute different load resistances, associated with different words of n bits.

Selon un autre développement de l'invention, l'objet portatif comporte un circuit 25 de régulation de tension et la modulation de l'impédance de charge peut être réalisée en agissant sur le niveau d'une des tensions utilisées par le circuit de régulation.  According to another development of the invention, the portable object comprises a voltage regulation circuit 25 and the modulation of the load impedance can be achieved by acting on the level of one of the voltages used by the control circuit.

Description sommaire des dessinsBrief description of the drawings

D'autres avantages et caractéristiques ressortiront plus clairement de la description qui va suivre de modes particuliers de réalisation de l'invention 5 donnés à titre d'exemples non limitatifs et représentés aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 illustre un dispositif de télétransmission à couplage inductif selon l'art antérieur.  Other advantages and features will emerge more clearly from the following description of particular embodiments of the invention given by way of non-limiting example and shown in the accompanying drawings, in which: FIG. 1 illustrates a remote transmission device inductively coupled according to the prior art.

La figure 2 représente les variations de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne d'un lecteur d'un dispositif selon la figure 1 en fonction de la valeur du signal de données binaire D. Les figures 3 à 6 représentent respectivement le principe et des variantes de réalisation d'un dispositif selon l'art antérieur, comportant une régulation de 15 tension.  FIG. 2 shows the variations of the voltage V across the antenna coil of a reader of a device according to FIG. 1 as a function of the value of the binary data signal D. FIGS. 3 to 6 respectively represent the principle and alternative embodiments of a device according to the prior art, including voltage regulation.

La figure 7 illustre un dispositif selon l'invention.  Figure 7 illustrates a device according to the invention.

La figure 8 représente les variations de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne d'un lecteur d'un dispositif selon la figure 7 en fonction des signaux de données binaires.  FIG. 8 shows the variations of the voltage V across the antenna coil of a reader of a device according to FIG. 7 as a function of the binary data signals.

La figure 9 illustre un premier mode particulier de réalisation d'un objet portatif d'un dispositif selon la figure 7.  FIG. 9 illustrates a first particular embodiment of a portable object of a device according to FIG. 7.

La figure 10 représente une variante de réalisation de la modulation d'un dispositif selon la figure 7.  FIG. 10 represents an alternative embodiment of the modulation of a device according to FIG. 7.

Les figures 11 et 12 illustrent deux modes particuliers de réalisation d'un objet 25 portatif, avec régulation de tension, d'un dispositif selon l'invention.  Figures 11 and 12 illustrate two particular embodiments of a portable object, with voltage regulation, of a device according to the invention.

Les figures 13 à 18 illustrent diverses variantes de réalisation de la modulation dans un objet portatif selon la figure 12.  Figures 13 to 18 illustrate various embodiments of the modulation in a portable object according to Figure 12.

Description de modes particuliers de réalisation.  Description of particular embodiments.

Le dispositif représenté à la figure 7 permet d'augmenter le débit binaire, sans augmenter de façon significative la bande passante. Ce dispositif se distingue 5 du dispositif de la figure 1 par le fait que l'impédance de charge du bobinage d'antenne 3 peut prendre k valeurs différentes, Zl... Zk, k étant strictement supérieur à 2. Les signaux binaires de données sont codés, par tout moyen approprié, sous la forme de mots de n bits. Les signaux de données, sous la forme de n signaux d'entrée Bi... Bn, d'un bit, sont alors appliqués, en parallèle, 10 à n entrées de commande d'un circuit 9 d'impédance de charge. Les k valeurs différentes de l'impédance de charge sont ainsi associées à k différents mots de n bits, avec k=2.  The device shown in FIG. 7 makes it possible to increase the bit rate, without significantly increasing the bandwidth. This device is distinguished from the device of FIG. 1 by the fact that the load impedance of the antenna winding 3 can take k different values, Z1 ... Zk, k being strictly greater than 2. The binary data signals are encoded, by any appropriate means, in the form of n-bit words. The data signals, in the form of n Bi ... Bn input signals, of one bit, are then applied, in parallel, to n control inputs of a load impedance circuit 9. The k different values of the load impedance are thus associated with k different words of n bits, with k = 2.

Les amplitudes de la tension V aux bornes du bobinage d'antenne 3 et du 15 courant dans le bobinage d'antenne sont ainsi modulées sur k niveaux, par exemple sur 4 niveaux différents pour des données codées sous la forme de mots de 2 bits (n=2 et k=4) comme représenté à la figure 8 Le débit binaire peut être multiplié par n par rapport à celui du dispositif selon la figure 1, tout en conservant le même rythme de transition d'une amplitude à l'autre de la tension 20 V et, en conséquence, une bande passante sensiblement identique.  The amplitudes of the voltage V at the terminals of the antenna winding 3 and the current in the antenna winding are thus modulated on k levels, for example on 4 different levels for data coded in the form of 2-bit words ( n = 2 and k = 4) as shown in FIG. 8 The bit rate can be multiplied by n relative to that of the device according to FIG. 1, while keeping the same transition rate from one amplitude to the other of the voltage 20 V and, consequently, a substantially identical bandwidth.

Dans les modes particuliers de réalisation des figures 9 et 10, les n bits d'entrée, Bi... Bn, contrôlent directement la valeur d'une impédance connectée en parallèle avec la bobine d'antenne 3. Le circuit de modulation 9 comporte 25 alors des dipôles pouvant être connectés sélectivement au bobinage d'antenne 3, de manière à constituer k résistances de charge différentes, associées à k différents mots de n bits.  In the particular embodiments of FIGS. 9 and 10, the n input bits, Bi ... Bn, directly control the value of an impedance connected in parallel with the antenna coil 3. The modulation circuit 9 comprises 25 then dipoles can be connected selectively to the antenna coil 3, so as to constitute different load resistances, associated with k different words of n bits.

Dans l'étiquette de la figure 9, un premier dipôle résistif, comportant une résistance R en série avec un interrupteur électronique constitué par un transistor Tl, de type MOS, dont la grille reçoit un premier bit Bi de données, est connecté en parallèle sur le bobinage d'antenne 3 et sur une résistance de 5 charge initiale RO. Des second et troisième dipôles résistifs, comportant respectivement des résistances 2Ret 4R et des transistors T2 et T3, respectivement contrôlés par les Bits B2 et B3, sont également connectés en parallèle sur le bobinage d'antenne 3. Chaque transistor est respectivement conducteur ou bloqué selon la valeur binaire du bit B appliqué sur sa grille. Dans 10 l'exemple représenté à la figure 9, l'impédance de charge peut ainsi prendre 8 valeurs différentes (RO, RO en parallèle sur R, sur 2R, sur 4R, sur R et 2R, sur R et 4R, sur 2R et 4R, sur R, 2R et 4R), chaque valeur de l'impédance de charge correspondant à une amplitude particulière de la tension V. La tension V est ainsi modulée sur 8 niveaux (k=8) à partie de mots de 3 bits (n=3). Plus 15 généralement, l'impédance de charge peut être modulée sur k niveaux avec n bits d'entrée (k=2n) contrôlant simultanément n transistors de n dipôles résistifs.  In the label of FIG. 9, a first resistive dipole, comprising a resistor R in series with an electronic switch constituted by a transistor T1, of the MOS type, whose gate receives a first bit Bi of data, is connected in parallel on the antenna coil 3 and an initial load resistor RO. Second and third resistive dipoles, respectively comprising resistors 2R and 4R and transistors T2 and T3, respectively controlled by Bits B2 and B3, are also connected in parallel to the antenna coil 3. Each transistor is respectively conductive or blocked according to the binary value of bit B applied to its gate. In the example shown in FIG. 9, the load impedance can thus take 8 different values (RO, RO in parallel on R, on 2R, on 4R, on R and 2R, on R and 4R, on 2R and 4R, on R, 2R and 4R), each value of the load impedance corresponding to a particular amplitude of the voltage V. The voltage V is thus modulated on 8 levels (k = 8) on the basis of 3-bit words ( n = 3). More generally, the load impedance can be modulated on k levels with n input bits (k = 2n) simultaneously controlling n transistors of n resistive dipoles.

Dans le circuit de modulation de la figure 10, un transistor de charge TO est connecté en parallèle sur le bobinage d'antenne 3. Sa grille est connectée à 4 20 tensions de polarisation différentes, Vi à V4, par l'intermédiaire de 4 circuits de polarisation. Chaque circuit de polarisation comporte deux transistors connectés en série et contrôlés respectivement par le bit Bi ou son complément Bi et par le bit B2 ou son complément B2. Les compléments des signaux B1 et B2 sont obtenus, de manière connue, par inversion des signaux B1 et B2. Ainsi, sur la 25 figure 10, les bits Bi et B2 contrôlent les transistors du circuit de polarisation connecté à Vi, tandis que les bits Bi et B2 contrôlent les transistors connectés à V2, les bits B1 et B2 contrôlant les transistors connectés à V3 et les bits Bi et B2 les transistors connectés à V4. Pour chaque mot de 2 bits, seul un des circuits de polarisation est conducteur, et définit la tension de polarisation appliquée à la grille du transistor de charge TO et, en conséquence, la résistance de celui-ci, qui définit l'impédance de charge du bobinage d'antenne 3. Plus généralement, l'électrode de commande du transistor de charge TO peut 5 être connectée à k tensions de polarisation différentes par k circuits de polarisation comportant chacun n transistors connectés en série et contrôlés par les n bits d'entrée et leurs compléments.  In the modulation circuit of FIG. 10, a load transistor TO is connected in parallel to the antenna winding 3. Its gate is connected to 4 different bias voltages, V1 to V4, via 4 circuits. of polarization. Each bias circuit comprises two transistors connected in series and controlled respectively by the bit Bi or its complement Bi and by the bit B2 or its complement B2. The complements of the signals B1 and B2 are obtained, in known manner, by inverting the signals B1 and B2. Thus, in FIG. 10, the bits Bi and B2 control the transistors of the bias circuit connected to Vi, while the bits Bi and B2 control the transistors connected to V2, the bits B1 and B2 controlling the transistors connected to V3 and bits Bi and B2 the transistors connected to V4. For each 2-bit word, only one of the bias circuits is conductive, and defines the bias voltage applied to the gate of the charge transistor TO and, consequently, the resistance thereof, which defines the load impedance of the antenna winding 3. More generally, the control electrode of the charge transistor TO can be connected to k different bias voltages by k bias circuits each having n transistors connected in series and controlled by the n bits of FIG. entry and their supplements.

Les modes de réalisation décrits ci-dessus présentent cependant un 10 inconvénient. En effet, les impédances de charge Z1-Zk dépendent du niveau du champ si celui-ci n'est pas constant.  The embodiments described above, however, have a disadvantage. Indeed, load impedances Z1-Zk depend on the field level if it is not constant.

Dans un mode de réalisation préférentiel, permettant de remédier à cet inconvénient, le circuit de modulation de l'impédance de charge contrôle une 15 des tensions utilisées par un circuit de régulation, de type shunt, comportant, comme sur la figure 3, un circuit de redressement 5, connecté à la sortie du bobinage d'antenne 3, un régulateur 6 connecté à la sortie du circuit de redressement 5 et contrôlant la valeur d'une impédance variable commandée Ze, connectée aux bornes du bobinage d'antenne 3.  In a preferred embodiment, which makes it possible to remedy this drawback, the load impedance modulation circuit controls one of the voltages used by a shunt type control circuit comprising, as in FIG. 5, connected to the output of the antenna coil 3, a regulator 6 connected to the output of the rectifying circuit 5 and controlling the value of a controlled variable impedance Ze connected to the terminals of the antenna winding 3.

Dans une première variante de réalisation, illustrée à la figure 11, un circuit de modulation 10, comportant n entrées recevant respectivement les bits Bi à Bn, contrôle la tension de référence Vref, lui imposant k valeurs différentes, Vrefl... Vrefk, associées à k différents mots de n bits.  In a first variant embodiment, illustrated in FIG. 11, a modulation circuit 10, comprising n inputs receiving respectively bits Bi to Bn, controls the reference voltage Vref, imposing on it different values, Vrefl ... Vrefk, associated with each other. at k different words of n bits.

Dans une seconde variante de réalisation, illustrée à la figure 12, un circuit de modulation 11, comportant n entrées recevant respectivement les bits Bi à Bn, est connecté entre la sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du régulateur 6. Le circuit de modulation 11 provoque une chute de tension pouvant prendre k valeurs différentes, El... Ek, associées à k différents mots de n bits.  In a second variant embodiment, illustrated in FIG. 12, a modulation circuit 11, comprising n inputs receiving the bits Bi to Bn respectively, is connected between the output of the rectifying circuit 5 and the first input of the regulator 6. The circuit modulation 11 causes a voltage drop that can take k different values, El ... Ek, associated with k different words of n bits.

Dans un mode de réalisation illustré à la figure 13, le circuit de modulation 5 11 comporte deux transistors T4 et T5 connectés en série entre la tension VDD de sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du régulateur 6 et respectivement contrôlés par deux bits Bi et B2. Des résistances différentes, respectivement R4 et R5, sont connectées en parallèle sur les transistors T4 et T5. Selon la valeur du bit B1, le transistor T4 est conducteur ou bloqué et la 10 chute de tension à ses bornes est nulle ou proportionnelle à R4. De même, la chute de tension aux bornes du transistor T5 peut être nulle ou proportionnelle à R5. La chute de tension aux bornes du circuit de modulation 1 peut ainsi prendre 4 valeurs différentes, associées aux 4 valeurs différentes d'un mot de 2 bits.  In an embodiment illustrated in FIG. 13, the modulation circuit 11 comprises two transistors T4 and T5 connected in series between the output voltage VDD of the rectifying circuit 5 and the first input of the regulator 6 and respectively controlled by two bits. Bi and B2. Different resistors, respectively R4 and R5, are connected in parallel on the transistors T4 and T5. Depending on the value of bit B1, transistor T4 is conductive or blocked and the voltage drop across its terminals is zero or proportional to R4. Similarly, the voltage drop across the transistor T5 may be zero or proportional to R5. The voltage drop across the modulation circuit 1 can thus take 4 different values, associated with the 4 different values of a 2-bit word.

Les résistances R4 et R5 peuvent être remplacées par des diodes ayant chacune une tension de seuil Vd. Comme représenté à la figure 14, une première diode Dl est connectée en parallèle sur le transistor T4, tandis que deux diodes D2 et D3, connectées en série, sont connectées en parallèle sur le 20 transistor T5. La chute de tension aux bornes du circuit de modulation 11 peut ainsi prendre 4 valeurs, 0, Vd, 2Vd ou 3Vd, respectivement associées à 4 valeurs différentes d'un mot de 2 bits. La tension aux bornes du bobinage d'antenne 3 est alors régulée sur 4 niveaux, correspondant respectivement à Vref, Vref+Vd, Vref+2Vd etVref+ 3Vd, associés aux 4 valeurs différentes d'un 25 mot de 2 bits.  The resistors R4 and R5 may be replaced by diodes each having a threshold voltage Vd As shown in FIG. 14, a first diode D1 is connected in parallel with the transistor T4, while two diodes D2 and D3 connected in series. are connected in parallel to the transistor T5. The voltage drop across the modulation circuit 11 can thus take 4 values, 0, Vd, 2Vd or 3Vd, respectively associated with 4 different values of a 2-bit word. The voltage at the terminals of the antenna winding 3 is then regulated over 4 levels, respectively corresponding to Vref, Vref + Vd, Vref + 2Vd and Vref + 3Vd, associated with the 4 different values of a 2-bit word.

Plus généralement, le circuit de modulation 11 peut comporter n transistors, respectivement connectés en parallèle avec n dipôles associés, provoquant des chutes de tension différentes aux bornes des transistors associés lorsque ceux- il ci sont bloqués, les n transistors étant connectés en série et comportant des électrodes de commande constituant les entrées de commande du circuit de modulation. Lorsque les dipôles sont constitués par des diodes, i diodes en série sont associées à un transistor associé à une entrée de commande d'ordre i, i étant compris entre 1 et n.  More generally, the modulation circuit 11 may comprise n transistors, respectively connected in parallel with n associated dipoles, causing different voltage drops across the associated transistors when they are blocked, the n transistors being connected in series and comprising control electrodes constituting the control inputs of the modulation circuit. When the dipoles are constituted by diodes, i diodes in series are associated with a transistor associated with a control input of order i, i being between 1 and n.

Dans une autre variante de réalisation du circuit de modulation 11, illustrée à la figure 15, trois transistors, T6, T7 et T8, de type MOS et dont la grille est connectée au drain, sont connectés en série entre la tension VDD de sortie du 10 circuit de redressement 5 et la première entrée du régulateur 6. Le bit Bi est connecté au substrat d'un transistor T6, tandis que le B2 est appliqué sur les substrats des deux transistors T7 et T8. La tension de seuil d'un transistor MOS dépendant de son potentiel de substrat, il est ainsi possible de moduler la tension de seuil des transistors T6 à T8 et, en conséquence, la chute de tension 15 à leurs bornes. Comme précédemment la chute de tension aux bornes du circuit de modulation 11 peut ainsi être modulé sur 4 niveaux, associés aux 4 valeurs différentes d'un mot de 2 bits. Plus généralement, le circuit de modulation 11 peut comporter une pluralité de transistors connectés en série, chaque transistor, de type MOS, comportant un substrat, une grille, un drain connecté à 20 la grille et une source, une entrée de commande d'ordre i des moyens de modulation, i étant compris entre 1 et n, étant connectée aux substrats de i transistors associés à cette entrée de commande.  In another alternative embodiment of the modulation circuit 11, illustrated in FIG. 15, three MOS-type transistors T6, T7 and T8, whose gate is connected to the drain, are connected in series between the output voltage VDD of the 10 rectifying circuit 5 and the first input of the regulator 6. The bit Bi is connected to the substrate of a transistor T6, while the B2 is applied to the substrates of the two transistors T7 and T8. As the threshold voltage of a MOS transistor depends on its substrate potential, it is thus possible to modulate the threshold voltage of transistors T6 to T8 and, consequently, the voltage drop across their terminals. As previously, the voltage drop across the modulation circuit 11 can thus be modulated over 4 levels, associated with the 4 different values of a 2-bit word. More generally, the modulation circuit 11 may comprise a plurality of transistors connected in series, each transistor, of the MOS type, comprising a substrate, a gate, a drain connected to the gate and a source, an order control input. modulating means, i being between 1 and n, being connected to the substrates of i transistors associated with this control input.

Il est également possible de remplacer le circuit de modulation 11 par un circuit 25 de modulation 12, insérant, entre la sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du circuit de régulation 6, une tension ayant une valeur prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k différents mots de n bits.  It is also possible to replace the modulation circuit 11 by a modulation circuit 12, inserting, between the output of the rectifying circuit 5 and the first input of the regulating circuit 6, a voltage having a predetermined value among k different values, associated respectively with k different words of n bits.

Dans une variante de réalisation, le circuit de régulation 12 comporte n dipôles connectés en série. Chaque dipôle, dont un seul est représenté aux figures 16 et 17, comporte une source de tension, constituée par une pile 13 (figure 16) ou par une capacité préchargée 14 (figure 17), connectée en série avec un 5 transistor T9 dont la grille reçoit le bit Bi. Un transistor additionnel T10 est connecté en parallèle sur le circuit série constitué par la source de tension (13 oul4) et le transistor T9. La grille du transistor additionnel T10 est connectée à la grille du transistor T9 par un circuit inverseur 15. La tension insérée par le circuit de modulation 12 prend ainsi k niveaux, associés aux différents mots de n 10 bits.  In an alternative embodiment, the regulation circuit 12 has n dipoles connected in series. Each dipole, only one of which is shown in FIGS. 16 and 17, comprises a voltage source consisting of a battery 13 (FIG. 16) or a preloaded capacitor 14 (FIG. 17), connected in series with a transistor T9 whose grid receives the bit Bi. An additional transistor T10 is connected in parallel with the series circuit formed by the voltage source (13 or 14) and the transistor T9. The gate of the additional transistor T10 is connected to the gate of the transistor T9 by an inverter circuit 15. The voltage inserted by the modulation circuit 12 thus takes k levels associated with the different words of n 10 bits.

Dans le mode particulier de réalisation illustré à la figure 18, une source d'énergie 16 préchargée à une tension prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k mots de n bits, peut être introduite 15 entre la sortie du circuit de redressement 5 et la première entrée du circuit de régulation 6. Le circuit de modulation 17 comporte alors la source d'énergie 16, un circuit de charge de la source d'énergie, un commutateur 18 connectant la source d'énergie 16 au circuit de charge pendant une phase de précharge et un commutateur 19 connectant la source d'énergie préchargée entre la sortie du 20 circuit de redressement 5 et la première entrée du circuit de régulation 6 pendant une phase de modulation. Le circuit de charge comporte un convertisseur analogique-numérique 20 dont les entrées constituent les entrées de commande sur lesquelles sont appliqués simultanément les n bits Bi à Bn.  In the particular embodiment illustrated in FIG. 18, a power source 16 preloaded at a predetermined voltage among k different values, associated respectively with k words of n bits, can be introduced between the output of the rectifying circuit 5 and the first input of the control circuit 6. The modulation circuit 17 then comprises the energy source 16, a charging circuit of the energy source, a switch 18 connecting the power source 16 to the charging circuit for a period of time. precharging phase and a switch 19 connecting the preloaded power source between the output of the rectification circuit 5 and the first input of the regulating circuit 6 during a modulation phase. The charging circuit comprises an analog-digital converter 20 whose inputs constitute the control inputs on which the n bits Bi to Bn are simultaneously applied.

Le convertisseur 20 charge ainsi la source d'énergie 16 à une tension 25 dépendant du mot de n bits appliqué sur ses entrées et cette tension est ensuite utilisée, pendant la phase de modulation.  The converter 20 thus charges the energy source 16 at a voltage dependent on the n-bit word applied to its inputs and this voltage is then used during the modulation phase.

L'invention s'applique également lorsque le circuit de redressement n'est pas idéal et/ou si seule une fraction de la tension de sortie du circuit de redressement 5 est appliquée à l'entrée du régulateur 6.  The invention is also applicable when the rectifying circuit is not ideal and / or if only a fraction of the output voltage of the rectifying circuit 5 is applied to the input of the regulator 6.

Claims (16)

Revendicationsclaims 1. Dispositif de télétransmission comportant un objet portatif (1) muni d'un 5 bobinage d'antenne (3) couplé inductivement à un bobinage d'antenne (4) d'une station fixe (2) émettant un champ magnétique alternatif, l'objet portatif (1) comportant des moyens de modulation d'une impédance de charge du bobinage d'antenne de l'objet portatif par des signaux binaires de données, dispositif caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent des moyens pour 10 imposer k valeurs différentes (Zl... Zk) à l'impédance de charge, k étant strictement supérieur à 2.  1. A teletransmission device comprising a portable object (1) provided with an antenna coil (3) inductively coupled to an antenna coil (4) of a fixed station (2) emitting an alternating magnetic field, l portable object (1) comprising means for modulating a load impedance of the antenna coil of the portable object by binary data signals, characterized in that the modulation means comprise means for imposing different values (Zl ... Zk) at load impedance, where k is strictly greater than 2. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les signaux binaires de données sont codés sous la forme de mots de données de n bits 15 pour former n signaux d'entrée (B1... Bn) d'un bit, appliqués en parallèle à n entrées de commande des moyens de modulation, k valeurs différentes (Z1... Zk) de l'impédance de charge étant associées à k différents mots de n bits, le nombre k de valeurs distinctes étant égal à 2n.  2. Device according to claim 1, characterized in that the binary data signals are coded as n-bit data words to form n bit input signals (B1 ... Bn), applied in parallel with n control inputs of the modulation means, k different values (Z1 ... Zk) of the load impedance being associated with k different words of n bits, the number k of distinct values being equal to 2n. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent une pluralité de dipôles et des moyens de connexion sélective des dipôles au bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1), de manière à constituer k résistances de charge différentes, associées à k différents mots de n bits.  3. Device according to claim 2, characterized in that the modulation means comprise a plurality of dipoles and means for selectively connecting the dipoles to the antenna coil (3) of the portable object (1), so as to constitute k different load resistances associated with k different words of n bits. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent n dipôles résistifs ayant n valeurs distinctes, comportant chacun une résistance (R, 2R, 4R) en série avec un interrupteur électronique (Tl, T2, T3), connectés en parallèle avec le bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1), chaque interrupteur électronique (Tl, T2, T3) comportant une borne de commande constituée par une entrée de commande (B1, B2, B3) des moyens de modulation.  4. Device according to claim 3, characterized in that the modulation means comprise n resistive dipoles having n distinct values, each having a resistor (R, 2R, 4R) in series with an electronic switch (T1, T2, T3), connected in parallel with the antenna coil (3) of the portable object (1), each electronic switch (T1, T2, T3) comprising a control terminal constituted by a control input (B1, B2, B3) of the modulation means. 5. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les moyens de modulation comportent un transistor de charge (TO), connecté en parallèle avec le bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1) et comportant une électrode de commande connectée à k tensions de polarisation différentes (Vl, V2, V3, V4) 10 par l'intermédiaire de k circuits de polarisation, chaque circuit de polarisation comportant n transistors connectés en série et contrôlés par les n signaux d'entrée et leurs compléments binaires.  5. Device according to claim 3, characterized in that the modulation means comprise a charge transistor (TO), connected in parallel with the antenna coil (3) of the portable object (1) and comprising a control connected to k different bias voltages (V1, V2, V3, V4) 10 through polarization circuits, each bias circuit having n series-connected transistors controlled by the n input signals and their complements binaries. 6. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'objet portatif 15 comporte un circuit de redressement (5) connecté au bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif (1), un circuit de régulation (6) ayant une première entrée connectée à la sortie du circuit de redressement (5), une seconde entrée connectée à une tension de référence (Vref) et une sortie connectée à une entrée de contrôle d'une impédance variable (Ze), connectée aux bornes du 20 bobinage d'antenne (3) de l'objet portatif(1).  6. Device according to claim 2, characterized in that the portable object 15 comprises a rectifying circuit (5) connected to the antenna coil (3) of the portable object (1), a control circuit (6) having a first input connected to the output of the rectifying circuit (5), a second input connected to a reference voltage (Vref) and an output connected to a control input of a variable impedance (Ze), connected across the terminals of the 20 antenna coil (3) of the portable object (1). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens (10) pour imposer k valeurs différentes (Vref1,...,Vrefk) à la tension de référence (Vref), associées à k différents mots de n bits.  7. Device according to claim 6, characterized in that it comprises means (10) for imposing k different values (Vref1, ..., Vrefk) to the reference voltage (Vref), associated with k different words of n bits. 8. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première entrée du circuit de régulation (6) est connectée à la sortie du circuit de redressement (5) par l'intermédiaire d'un circuit de modulation (11) contrôlé par les n signaux d'entrée (B1... Bn) et provoquant, entre la sortie du circuit de redressement (5) et la première entrée du circuit de régulation (6), une chute de tension ayant une valeur prédéterminée parmi k valeurs distinctes (El... Ek), associées à k différents mots de n bits.  Device according to claim 6, characterized in that the first input of the control circuit (6) is connected to the output of the rectification circuit (5) via a modulation circuit (11) controlled by the n input signals (B1 ... Bn) causing, between the output of the rectification circuit (5) and the first input of the control circuit (6), a voltage drop having a predetermined value among k distinct values ( El ... Ek), associated with k different words of n bits. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le circuit de modulation (11) comporte n transistors (T4, T5), respectivement connectés en parallèle avec n dipôles associés provoquant des chutes de tension différentes aux bornes des transistors (T4, T5) associés lorsque ceux-ci sont bloqués, les n transistors (T4, T5) étant connectés en série et comportant des électrodes de 10 commande constituant les entrées de commande (Bl. . Bn) des moyens de modulation.  9. Device according to claim 8, characterized in that the modulation circuit (11) comprises n transistors (T4, T5) respectively connected in parallel with n associated dipoles causing different voltage drops across the transistors (T4, T5). ) associated when these are blocked, the n transistors (T4, T5) being connected in series and having control electrodes constituting the control inputs (Bl.Bn) modulation means. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les dipôles sont constitués par des résistances (R4, R5).  10. Device according to claim 9, characterized in that the dipoles are constituted by resistors (R4, R5). 11. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les dipôles sont constitués par des diodes (Dl, D2, D3), i diodes en série étant associées à un transistor associé à une entrée de commande d'ordre i, i étant compris entre 1 et n.  11. Device according to claim 9, characterized in that the dipoles are constituted by diodes (D1, D2, D3), i diodes in series being associated with a transistor associated with a control input of order i, i being understood between 1 and n. 12. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le circuit de modulation (11) comporte une pluralité de transistors (T6, T7, T8) connectés en série, chaque transistor, de type MOS, comportant un substrat, une grille, un drain connecté à la grille et une source, une entrée de commande (B1, B2) 25 d'ordre i des moyens de modulation, i étant compris entre 1 et n, étant connectée aux substrats de i transistors associés à cette entrée de commande.  12. Device according to claim 8, characterized in that the modulation circuit (11) comprises a plurality of transistors (T6, T7, T8) connected in series, each transistor, of the MOS type, comprising a substrate, a gate, a gate, drain connected to the gate and a source, a control input (B1, B2) of order i modulation means, i being between 1 and n, being connected to the substrates of i transistors associated with this control input. 13. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première entrée du circuit de régulation est connectée à la sortie du circuit de redressement par l'intermédiaire d'un circuit de modulation (12) contrôlé par les n signaux d'entrée (Bi... Bn) et insérant, entre la sortie du circuit de redressement (5) et la première entrée du circuit de régulation (6), une tension ayant une valeur prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k différents mots de n bits.  Device according to Claim 6, characterized in that the first input of the control circuit is connected to the output of the rectifying circuit via a modulation circuit (12) controlled by the n input signals ( Bi ... Bn) and inserting, between the output of the rectification circuit (5) and the first input of the regulating circuit (6), a voltage having a predetermined value among k different values, respectively associated with k different words of n bits. 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que le circuit de modulation (12) comporte n dipôles connectés en série et comportant chacun une source de tension (13, 14), connectée en série avec un premier transistor 10 (T9) ayant une électrode de commande constituant une des entrées de commande (B1) des moyens de modulation, et un transistor additionnel (T10), connecté en parallèle sur le circuit série constitué par la source de tension (13, 14) et le premier transistor (T9) et ayant une entrée de commande connectée à l'électrode de commande du premier transistor (T9) par un circuit inverseur (15).  14. Device according to claim 13, characterized in that the modulation circuit (12) has n dipoles connected in series and each having a voltage source (13, 14), connected in series with a first transistor (T9) having a control electrode constituting one of the control inputs (B1) of the modulation means, and an additional transistor (T10) connected in parallel to the series circuit formed by the voltage source (13, 14) and the first transistor (T9 ) and having a control input connected to the control electrode of the first transistor (T9) by an inverter circuit (15). 15 15. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le circuit de modulation (17) comporte une source d'énergie (16), des moyens de charge de la source d'énergie à une tension prédéterminée parmi k valeurs différentes, associées respectivement à k différents mots de n bits, des moyens (19) 20 d'insertion de la source d'énergie (16) chargée entre la sortie du circuit de redressement (5) et la première entrée du circuit de régulation (6).15. Device according to claim 6, characterized in that the modulation circuit (17) comprises a power source (16), means for charging the energy source to a predetermined voltage among k different values, associated respectively at k different words of n bits, means (19) for insertion of the energy source (16) charged between the output of the rectifying circuit (5) and the first input of the regulation circuit (6). 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que les moyens de charge comportent un convertisseur analogique-numérique (20) ayant n entrées 25 constituées par les entrées de commande (Bl..Bn) des moyens de modulation et une sortie connectée aux bornes de la source d'énergie (16) pendant une phase de charge.  16. Device according to claim 15, characterized in that the charging means comprise an analog-digital converter (20) having n inputs 25 constituted by the control inputs (Bl..Bn) of the modulation means and an output connected to the terminals of the energy source (16) during a charging phase.
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