FR2772966A1 - Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite - Google Patents

Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite Download PDF

Info

Publication number
FR2772966A1
FR2772966A1 FR9716247A FR9716247A FR2772966A1 FR 2772966 A1 FR2772966 A1 FR 2772966A1 FR 9716247 A FR9716247 A FR 9716247A FR 9716247 A FR9716247 A FR 9716247A FR 2772966 A1 FR2772966 A1 FR 2772966A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
magnetic
layer
magnetoresistive
magnetization
thin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9716247A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2772966B1 (fr
Inventor
Jean Pierre Lazzari
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silmag
Original Assignee
Silmag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Silmag filed Critical Silmag
Priority to FR9716247A priority Critical patent/FR2772966B1/fr
Publication of FR2772966A1 publication Critical patent/FR2772966A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2772966B1 publication Critical patent/FR2772966B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
    • G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3945—Heads comprising more than one sensitive element
    • G11B5/3948—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
    • G11B5/3958—Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3176—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
    • G11B5/3179—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
    • G11B5/3183—Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à grande sensibilité.Le blindage (106), la couche sonde (102), le pied (103), les pièces magnétiques (130, 132) ainsi que les couches libres des rubans magnétorésistants à vannes de spin (104a, 104b), présentent une direction de facile aimantation longitudinale.Application à la lecture d'informations enregistrées sur un support.

Description

TETE MAGNETIQUE DE LECTURE A ELEMENT MAGNETORESISTANT
ET A GRANDE SENSIBILITE
DESCRIPTION
Domaine technique
La présente invention a pour objet une tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à grande sensibilité. Elle trouve une application dans la lecture d'informations enregistrées sur des supports tels que disque, bande, etc...
Etat de la technique antérieure
Une tête magnétique de lecture comprend en général un circuit magnétique avec un entrefer et un enroulement conducteur disposé autour de ce circuit.
Lorsqu'un support d'enregistrement magnétique défile devant l'entrefer, le champ magnétique produit par l'information enregistrée dans le support emprunte le circuit magnétique et les variations de ce champ entraînent l'apparition d'un courant induit dans l'enroulement. La mesure de ce courant induit permet de retrouver l'information enregistrée dans le support. De telles têtes sont dites "inductives".
On connaît aussi des têtes de lecture utilisant, comme moyen de lecture, non plus un enroulement conducteur mais un élément magnétorésistant. Le phénomène physique mis en oeuvre n'est plus l'induction électrique mais la variation de résistance d'un matériau en fonction du champ magnétique qui lu est appliqué.
Dans la demande de brevet français nD? 124?5 du 6 octobre 1997, il est décrit et revendique une tete magnétique de lecture qui est illustré sur les fiqures lA, 1B, 2 et 3 annexées.
On voit, sur les figures 1A et 1B, des vues schématiques d'une telle tête respectivement en coupe
(1A) et en vue de dessus (1B). Telle que représentée, la tête comprend d'abord une couche magnétique 106 formant blindage, cette couche présentant une ouverture 107. Elle comprend ensuite une couche magnétique 102 perpendiculaire au blindage 106 et constituant une sonde de champ (ou un capteur de champ) : il s'agit d'une couche mince, d'une épaisseur de quelques dizaines de nanomètres (quelques centaines d'Angstroms) et d'une hauteur de quelques centaines de nanomètres (quelques milliers d'Angstroms) ; sa longueur, dans le sens perpendiculaire au plan de la figure 1A et dans le plan de la figure 1B, est égale à la largeur de la piste à lire. La couche 102 se prolonge par un pied 103, également magnétique. La longueur du pied 103 est au moins égale à celle de la couche 102 ; sa hauteur est aussi de quelques centaines de nanomètres. Couche 102 et pied 103 peuvent être en alliage FeNi. Le pied 103 est avantageusement relié à la masse. A côté du pied se trouve au moins un, et de préférence deux rubans magnétorésistifs 104a et 104b, du type à vanne de spin.
La largeur de l'ouverture 107 peut être de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres. La couche mince magnétique 106 est par exemple en alliage FeNi, avec une épaisseur comprise entre 10 nm et 200 nm environ.
Ce blindage 106 définit le plan de vol 100 de la tête.
Èa a couche sonde 102 affleure sur le plan de vol 100 au centre de l'ouverture 107 et est perpendiculaire au plan de vol.
La figure 1B montre, en outre, un pont conducteur 112 reliant deux premières extrémités des couches conductrices des deux rubans 104a et 104b et des amen et sortie de courant 110a et 110b reliées à deux secondes extrémités de ces mêmes couches conductrices.
La figure 2 montre un autre mode de réalisation où la tête se complète par deux piliers magnétiques 130, 132 disposés de part et d'autre de l'élément magnétorésistant et par un blindage supplémentaire 134 formé par une couche magnétique inférieure, en contact avec les deux piliers 130 et 132.
Sur la figure 3, on voit, de manière schématique, l'un des rubans magnétorésistants, référencé 104, avec les diverses couches qui le composent. Il s'agit d'une structure à vanne de spin ("spin valve" en anglais) comprenant
- une première couche mince magnétique 121 à fort
champ coercitif, avec une aimantation M1
orientée dans une direction transversale (cette couche peut être en terbium/cobalt) ; cette
première couche est désignée souvent par couche
"piégeante" (ou "pinning layer" en terminologie
anglo-saxonne)
- une deuxième couche mince ferromagnétique douce
122, magnétiquement couplée à la première 121
cette deuxième couche, appelée souvent couche
"piégée" (en anglais "pinned layer"), peut être
en FeNi, en Co ou en FeCo ; son aimantation est
notée M2
- une troisième couche mince non magnétique 123
et électriquement conductrice, par exemple en
cuivre ; cette couche peut être parcourue par
un courant I ;
- une quatrième couche mince ferromagnétique 124
appelée souvent "couche libre" (ou en anglais
"free layer"), par exemple en FeNi
l'aimantation M de cette dernière couche est
sensible au champ magnétique extérieur et
s' oriente en fonction de la direction et de
l'intensité de ce champ.
On peut utiliser aussi un empilement de ce genre sans la couche piégeante 121, ou, au contraire, avec d'autres couches subsidiaires. L'essentiel est d'avoir au moins deux couches magnétiques séparées par une couche non magnétique et électriquement conductrice.
Si la tête utilise deux rubans 104a et 104b, les aimantations M1 et M2 sont antiparallèles dans les deux rubans, c'est-à-dire que la direction de ces aimantations dans le ruban 104a est opposée à la direction de ces aimantations dans le ruban 104b.
La présente invention a pour but de définir des conditions de fonctionnement particulières qui confèrent à une telle tête une très grande sensibilité dans un fonctionnement analogique.
Exposé de l'invention
Pour obtenir cette très grande sensibilité, il est prévu que la couche mince magnétique de blindage, la couche magnétique sonde, le pied magnétique et la couche libre du ruban magnétorésistant présentent un axe de facile aimantation dirigé parallèlement à la direction longitudinale de ces pièces. Grâce à cette disposition, le circuit magnétique emprunté par le champ magnétique lu produit par le support d'enregistrement présente une très faible réluctance, ce qui confère une grande sensibilité à la tête.
De façon plus précise, la présente invention a pour objet une tête magnétique de lecture comprenant
- sur une face destinée à être placée en regard
d'un support d'enregistrement magnétique à
lire, une couche mince magnétique de blindage
avec une ouverture, cette couche de blindage
constituant un plan de vol pour la tète,
- une couche magnétique sonde disposée
perpendiculairement au plan de vol et
affleurant sur le plan de vol dans l'ouverture
de la couche de blindage, cette couche sonde
ayant une direction longitudinale,
- un pied magnétique, prolongeant la couche sonde
et ayant une direction longitudinale,
- un élément magnétorésistant comprenant au moins
un ruban magnétorésistant disposé parallèlement
audit plan de vol et ayant une direction
longitudinale parallèle à la direction
longitudinale de la couche sonde et possédant
une direction transversale, cet élément
magnétorésistant étant situé à proximité du
pied, ce(s) ruban (s) magnétorésistant(s) étant
du type à vanne de spin et comprenant au moins
deux couches magnétiques séparées par une
couche non magnétique, l'une desdites couches
magnétiques dite "couche libre" étant traversée
par un champ magnétique de lecture transversal
produit par le support d'enregistrement, cette tête étant caractérisée en ce que la couche mince magnétique de blindage, la couche magnétique sonde et le pied magnétique présentent un axe de facile aimantation dirigé parallèlement à leur direction longitudinale et en ce que, dans chaque ruban magnétorésistant à vanne de spin, la couche magnétique libre du (des) ruban(s) magnétorésistant(s) présente un axe de facile aimantation longitudinal, perpendiculaire au champ magnétique de lecture et l'autre couche magnétique une aimantation transversale.
Brève description des dessins - les figures lA et 1B, déjà décrites, illustrent
en coupe et en vue de dessus, une tête magnétique
selon le document cité - la figure 2, déjà décrite, illustre une variante
de cette tête ; - la figure 3, déjà décrite, illustre un élément
magnétorésistant à vannes de spin - la figure 4 montre la direction de l'axe de
facile aimantation de différentes pièces
magnétiques dans une tête magnétique selon la
présente invention - la figure 5 montre la direction de l'axe de
facile aimantation dans la couche libre du ruban
magnétorésistant - la figure 6 montre schématiquement l'utilisation
de deux aimants permanents placés aux extrémités
de la couche libre - la figure 7 illustre la variation relative de
résistance d'un ruban magnétorésistant en
fonction du champ appliqué - les figures 8A et 8B montrent un support
d'enregistrement et le signal de lecture
correspondant - la figure 9 montre schématiquement et en vue de
dessus deux rubans megnétorésistents et leurs
aimants - la figure 10 est une coupe d'un ruban
magnétorésistant à vanne de spin avec ses
aimants.
Exposé détaillé de modes de réalisation
La figure 4 correspond à la variante de réalisation illustrée sur la figure 2, conformément à la demande de brevet français n"97 12425 déjà citée.
Cette figure indique la direction de l'axe de facile aimantation de certaines pièces magnétiques, à savoir le blindage 106, la couche sonde 102, le pied 103, les piliers magnétiques 130 et 132. Cette direction est marquée par une croix cerclée, ce qui signifie qu'elle est perpendiculaire au plan de la figure. Autrement dit, la direction de facile aimantation est parallèle à la direction longitudinale de la couche sonde 102 et du pied 103, ou encore parallèle à la direction longitudinale des rubans magnétorésistants 104a, 104b.
Les pièces 102, 103, 106, 130, 132 peuvent être en fernickel. Lors de leur réalisation dans la structure, on appliquera un champ magnétique perpendiculaire au plan de la figure 4, ce qui va produire un axe de facile aimantation dirigé dans ce sens.
La figure 4 montre en outre deux trajets magnétiques Te et Tb empruntant la couche sonde 102, le pied 103, les éléments magnétorésistents respectivement 104a et 104b, les piliers 130, 132 et le blindage 106.
Ces trajets sont orthogonaux à la direction de facile aimantation et présentent donc une réluctance extrêmement faible. Par ailleurs, les distances G1 et
G2 séparant les rubans magnétorésistants 104a, 104b du pied 103 et des pièces 130, 132 sont faibles et de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres (par exemple entre 10 et 80 nm) ce qui réduit encore la réluctance.
La figure 5 illustre un autre moyen de l'invention. Il s'agit de la couche libre 124 de l'élément magnétorésistant à vanne de spin. Il peut s'agir encore de fer-nickel. Selon l'invention, cette couche possède un axe de facile aimantation M qui est parallèle à la direction longitudinale de la couche.
Pour cela, on peut disposer, comme illustré sur la figure 6, deux aimants permanents en couche mince 125, 127 placés aux deux extrémités de la couche 124, ces aimants présentant des pôles de signes contraires en regard l'un de l'autre, de telle sorte qu'un champ continu Hc soit présent dans la couche 124. Le champ Hc nécessaire est de l'ordre de quelques Oersteds (environ 4 à 8 Oe). On peut utiliser des couches d'alliage
CrCoPt pour réaliser ces aimants.
Lorsqu'un tel élément magnétorésistant est placé dans la tête magnétique complète, il reçoit un champ de lecture dont la direction est perpendiculaire à l'aimantation libre M au repos (en d'autres termes, le champ de lecture est transversal) . La courbe de la figure 7 montre alors quelle est la variation relative
AR/R de résistance du ruban magnétorésistant en fonction du champ de lecture H. On voit que cette courbe présente une très faible hystérésis, de l'ordre de 1 Oe. La sensibilité est très grande puisque la saturation est obtenue avec 5 De environ. Cette saturation correspond à un AR/R d'environ 5%.
les figures 8A et 8B montrent la forme du signal de lecture obtenu dans de telles conditions. La figure 8A montre un support d'enregistrement 200, avec des transitions positives T1 et négatives T2. La figure 8B montre le signal de lecture obtenu avec des pics S1 correspondant aux transitions T1 et des pics S2 correspondant aux transitions T2. la a figure 9 montre, en vue de dessus, un élément magnétorésistant à deux rubans 104a, 104b, avec les aimants 125a, 127a pour le premier et 125b, 127b pour le second. On voit également le pont conducteur 112 reliant les couches conductrices des deux rubans et les connexions électriques 110a, 110b, reliées également à ces couches conductrices.
La figure 10 correspond à une coupe selon le ruban 104b et permet de voir la place des aimants 125b et 127b chevauchant la connexion 110b et le pont 112.

Claims (8)

REVENDICATIONS
1. Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant comprenant
- sur une face destinée à être placée en regard
d'un support d'enregistrement magnétique à
lire, une couche mince magnétique de blindage
(106), avec une ouverture (107), cette couche
de blindage constituant un plan de vol (100)
pour la tête,
- une couche magnétique sonde (102) disposée
perpendiculairement au plan de vol (100) et
affleurant sur le plan de vol dans l'ouverture
(107) de la couche de blindage (106), cette
couche sonde (102) ayant une direction
longitudinale,
- un pied magnétique (103), prolongeant la couche
sonde (102) et ayant une direction
longitudinale,
- un élément magnétorésistant comprenant au moins
un ruban magnétorésistant (104a, 104b) disposé
parallèlement audit plan de vol (100) et ayant
une direction longitudinale parallèle à la
direction longitudinale de la couche sonde et
une direction transversale, cet élément
magnétorésistant étant situé à proximité du
pied (103), ce(s) ruban(s) magnétorésistant(s)
(104, 104b) étant du type à vanne de spin et
comprenant au moins deux couches magnétiques
(122, 124) séparées par une couche non
magnétique et conductrice (123) parcourue par
un courant, l'une desdites couches magnétiques
(124), dite "couche libre", étant traversée par
un champ de lecture transversal produit par le
support d'enregistrement magnétique, cette tête étant caractérisée en ce que la couche mince magnétique de blindage (106), la couche magnétique sonde (102), le pied magnétique (103) présentent un axe de facile aimantation dirigé parallèlement à leur direction longitudinale et en ce que, dans chaque ruban magnétorésistant à vanne de spin, la couche magnétique libre (124) du (des) ruban (s) magnétorésistant (s) présente un axe de facile aimantation longitudinal perpendiculaire au champ magnétique de lecture produit par le support d'enregistrement magnétique, et l'autre couche magnétique (122) une aimantation transversale.
2. Tête magnétique selon la revendication 1, comprenant en outre deux aimants permanents (125, 127) disposés de part et d'autre de la couche libre (124) du
(des) ruban(s) magnétorésistant(s) (104a, 104b).
3. Tête magnétique selon la revendication 1, dans laquelle chaque ruban magnétorésistant à vanne de spin comprend un empilement de couches minces, avec une première couche mince magnétique (121) à fort champ coercitif, avec une aimantation (M1) orientée dans une direction transversale, une deuxième couche mince magnétique (122), magnétiquement couplée à la première
(121) et à aimantation (M2) transversale parallèle à la première (M1), une troisième couche mince non magnétique (123) et électriquement conductrice et une quatrième couche mince magnétique, qui est ladite couche libre (124) orientée longitudinalement.
4. Tête magnétique selon la revendication 1 ou 2, dans laquelle l'élément magnétorésistant comprend deux rubans magnétorésistants (104a, 104b) disposés de part et d'autre du pied (103), la direction de l'aimantation dans la première couche mince magnétique (121) de l'un des deux rubans (104a) étant opposée à la direction de l'aimantation pour la première couche mince magnétique
(121) de l'autre ruban (104b).
5. Tête magnétique selon la revendication 4, dans laquelle deux premières extrémités des couches conductrices (123) des deux rubans sont reliées électriquement par un pont conducteur (112), et deux secondes extrémités desdites couches conductrices (123) sont reliées respectivement à une amenée de courant (110a) et à une sortie de courant (110b).
6. Tête magnétique selon la revendication 4, comprenant, en outre, de part et d'autre des éléments magnétorésistants (104a, 104b), deux piliers magnétiques (130, 132) reliées au blindage (106).
7. Tête magnétique selon la revendication 6, comprenant en outre une couche magnétique (134) disposée sous les deux pièces magnétiques (130, 132) et en contact avec celles-ci.
8. Tête magnétique selon la revendication 6, dans laquelle les deux rubans magnétorésistants (104a, 104b) sont écartés du pied magnétique (103) et des deux pièces magnétiques (130, 132) par des intervalles (G1,
G2) de longueur de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres.
FR9716247A 1997-12-22 1997-12-22 Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite Expired - Fee Related FR2772966B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9716247A FR2772966B1 (fr) 1997-12-22 1997-12-22 Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9716247A FR2772966B1 (fr) 1997-12-22 1997-12-22 Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2772966A1 true FR2772966A1 (fr) 1999-06-25
FR2772966B1 FR2772966B1 (fr) 2000-03-10

Family

ID=9514912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9716247A Expired - Fee Related FR2772966B1 (fr) 1997-12-22 1997-12-22 Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2772966B1 (fr)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62134814A (ja) * 1985-12-06 1987-06-17 Sony Corp 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
WO1990011594A1 (fr) * 1989-03-29 1990-10-04 Commissariat A L'energie Atomique Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete
WO1993008562A2 (fr) * 1991-10-21 1993-04-29 Fujitsu Limited Tete magneto-resistive
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5666248A (en) * 1996-09-13 1997-09-09 International Business Machines Corporation Magnetizations of pinned and free layers of a spin valve sensor set by sense current fields

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62134814A (ja) * 1985-12-06 1987-06-17 Sony Corp 磁気抵抗効果型磁気ヘツド
WO1990011594A1 (fr) * 1989-03-29 1990-10-04 Commissariat A L'energie Atomique Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete
WO1993008562A2 (fr) * 1991-10-21 1993-04-29 Fujitsu Limited Tete magneto-resistive
US5549978A (en) * 1992-10-30 1996-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect element
US5666248A (en) * 1996-09-13 1997-09-09 International Business Machines Corporation Magnetizations of pinned and free layers of a spin valve sensor set by sense current fields

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"SPIN VALVE SENSOR IN HORIZONTAL CONFIGURATION", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, vol. 39, no. 6, June 1996 (1996-06-01), pages 173/174, XP000678563 *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 011, no. 358 (P - 639) 21 November 1987 (1987-11-21) *

Also Published As

Publication number Publication date
FR2772966B1 (fr) 2000-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0693791B1 (fr) Capteur à magnétorésistance multicouche autopolarisée
EP0284495B1 (fr) Tête magnétique de lecture pour piste de très faible largeur et procédé de fabrication
US5084794A (en) Shorted dual element magnetoresistive reproduce head exhibiting high density signal amplification
EP0652550A1 (fr) Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant multicouche et à concentrateur et son procédé de réalisation
FR2630853A1 (fr) Dispositif matriciel a tetes magnetiques notamment en couches minces
WO1999041792A1 (fr) Magnetoresistance a effet tunnel et capteur magnetique utilisant une telle magnetoresistance
EP0721670B1 (fr) Capteur de courant comprenant un ruban magnetoresistif et son procede de realisation
US6735059B2 (en) Magnetoresistive effective type element, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic disk driving device which use said magnetoresistive effective type element which includes at least three shielding films
FR2541492A1 (fr) Tete magnetique pour une aimantation perpendiculaire
EP0061363B1 (fr) Transducteur magnétorésistant de lecture d'informations à très haute densité
EP0046697B1 (fr) Transducteur magnétique intégré
FR2724482A1 (fr) Tete magnetique a magnetoresistance multicouche longitudinale sous-jacente
EP0369839B1 (fr) Tête magnétique à entrefer saturable et dispositif matriciel comportant un ensemble de telles têtes
EP0781448B1 (fr) Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale
FR2817622A1 (fr) Micromagnetometre a porte de flux
US4700252A (en) Magnetic thin film head
EP0694909B1 (fr) Tête magnétique à élément saturable et dispositif matriciel comportant un ensemble de têtes magnétiques
FR2772966A1 (fr) Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite
FR2496952A1 (fr) Tete de transducteur magnetique a effet de magneto-resistance
FR2803030A1 (fr) Capteur analogique de position sans contact
FR2769399A1 (fr) Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture
EP0658772B1 (fr) Capteur magnétique à effet magnéto-résistif
FR2761477A1 (fr) Capteur de champ magnetique a magnetoresistance
FR2769400A1 (fr) Tete magnetique de lecture a element magnetoresistant
FR2774500A1 (fr) Tete magnetique de lecture a element magnetoresistant et a element conducteur de compensation

Legal Events

Date Code Title Description
TP Transmission of property
ST Notification of lapse

Effective date: 20060831