FR2769399A1 - Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture - Google Patents

Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture Download PDF

Info

Publication number
FR2769399A1
FR2769399A1 FR9712422A FR9712422A FR2769399A1 FR 2769399 A1 FR2769399 A1 FR 2769399A1 FR 9712422 A FR9712422 A FR 9712422A FR 9712422 A FR9712422 A FR 9712422A FR 2769399 A1 FR2769399 A1 FR 2769399A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
magnetic
layer
reading
writing
reading part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9712422A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2769399B1 (fr
Inventor
Olivier Girard
Jean Pierre Lazzari
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Silmag
Original Assignee
Silmag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Silmag filed Critical Silmag
Priority to FR9712422A priority Critical patent/FR2769399B1/fr
Publication of FR2769399A1 publication Critical patent/FR2769399A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2769399B1 publication Critical patent/FR2769399B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/31Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
    • G11B5/3176Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps
    • G11B5/3179Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes
    • G11B5/3183Structure of heads comprising at least in the transducing gap regions two magnetic thin films disposed respectively at both sides of the gaps the films being mainly disposed in parallel planes intersecting the gap plane, e.g. "horizontal head structure"
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3906Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
    • G11B5/3945Heads comprising more than one sensitive element
    • G11B5/3948Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements
    • G11B5/3958Heads comprising more than one sensitive element the sensitive elements being active read-out elements the active elements being arranged in a single plane, e.g. "matrix" disposition
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B5/3903Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
    • G11B5/3967Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/33Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
    • G11B5/39Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
    • G11B2005/3996Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)

Abstract

Tête magnétique avec une partie lecture et une partie écriture.La partie lecture comprend une couche sonde (102) prolongée par un pied (103) et deux rubans magnétorésistants (104a, 104b) du type à vanne de spin. La partie écriture comprend deux pièces polaires (201, 202) séparées par un entrefer (204), un concentrateur (210), une pièce magnétique (212) et un bobinage conducteur (214), le tout désaxé du côté opposé à la partie lecture.Application à l'enregistrement magnétique.

Description

TETE MAGNETIQUE AVEC UNE PARTIE LECTURE ET
UNE PARTIE ECRITURE
DESCRIPTION
Domaine technique
La présente invention a pour objet une tête magnétique avec une partie lecture et une partie écriture. Elle trouve une application dans l'enregistrement d'informations sur disque, bande, etc...
Etat de la technique antérieure
Une tête magnétique d'écriture et de lecture à élément magnétorésistant est illustrée sur la figure 1 annexée. On y voit, en coupe, une tête comprenant un substrat semi-conducteur 10, par exemple en silicium, dans lequel a été gravé un caisson 12 ; dans ce caisson, une couche magnétique arrière 14 a été formée electrolytiquement et a été prolongée par deux piliers verticaux 161, 162 ; un bobinage d'écriture 18 entoure les piliers ; ce bobinage est noyé dans une couche isolante 20. Le circuit magnétique se complète par une pièce magnétique avant comprenant deux pièces polaires 221, 222 séparées par un espaceur amagnétique 24. Un élément magnétorésistant MR est disposé sous l'espaceur amagnétique 24. La tête se déplace devant un support magnétique 30 où sont enregistrées les informations à lire ou à écrire.
Une telle tête est décrite dans le document FR-A- 2 D4 3 314 ou dans son correspondant américain USs 5,208,716).
En écriture, le fonctionnement est le suivant : un courant circulant dans l'enroulement 18 produit une induction dans le circuit magnétique. Le champ de fuite autour de l'entrefer permet d'influencer le support et d'y enregistrer une information.
En lecture, l'information magnétique enregistrée dans le support produit une induction dans le circuit magnétique et cette induction se referme, en partie, à travers l'élément magnétorésistant MR. Il en résulte une rotation de l'aimantation dans cet élément, qui va provoquer une variation de la résistance. La mesure de cette variation permet de retrouver l'information enregistrée.
Dans d'autres têtes, l'élément magnétorésistant est placé dans la couche magnétique arrière ou même dans l'entrefer. Par le document WO 90/11594, on connaît une tête magnétique de lecture à magnétorésistance qui est illustrée sur les figures 2A
(en coupe) et 2B (en vue de dessus). Cette tête fonctionne en enregistrement dit perpendiculaire. Elle comprend une couche magnétique arrière 50, 51, 52 interrompue par deux intervalles dans lesquels est placé un élément magnétorésistant en forme de U, avec deux rubans 34, 35, une branche arrière 36 et deux plots de connexion 38, 40. lia tete comprend encore un enroulement conducteur spiralé 54 avec deux plots de connexion 61, 62. Un pôle magnétique 56 est enterré dans une couche isolante 53 définissant un plan de vol et affleure sur le plan de vol. Ce pôle magnétique se prolonge par un pied, lequel est en contact avec la partie centrale 50 de la couche magnétique arrière.
L'ensemble est disposé dans un caisson pratiqué dans une couche isolante 20.
De telles têtes ne présentent qu'un seul entrefer, (elles sont dites parfois "monogap") lequel sert aussi bien à l'écriture qu'à la lecture. Bien que présentant l'avantage de la simplicité, cette solution se heurte néanmoins à un inconvénient qui est celui de la faiblesse du signal de lecture, faiblesse incompatible avec les circuits intégrés classiques.
Quant à la tête illustrée sur les figures 2A et 23, elle présente, en outre, l'inconvénient d'une résolution trop faible en enregistrement longitudinal.
lia présente invention a justement pour but de remédier à ces inconvénients.
Exposé de l'invention
A cette fin, l'invention préconise de séparer les moyens d'écriture et de lecture et d'utiliser des moyens particuliers pour remplir ces fonctions, ces moyens se combinant de manière avantageuse.
De façon précise, l'invention a pour objet une tête magnétique comprenant
A) une partie lecture, comprenant
- une couche mince magnétique de blindage avec
une ouverture,
- une couche magnétique sonde disposée
perpendiculairement à la couche de blindage, et
affleurant dans ladite ouverture, cette couche
sonde se prolongeant par un pied magnétique,
- un élément magnétorésistant: en forme de U avec
deux. rubans magnétorésistants disposés
parallèlement a la couche de blindage et Si -uas
de part et d'autre du pied , ces deux rubans
magnétorésistants étant du type
magnétorésistance à vannes de spin,
B) une partie écriture, placée à côté de la partie lecture et comprenant
- deux pièces polaires séparées par un entrefer
amagnétique,
- un circuit magnétique de fermeture du flux
reliant les deux pièces polaires, ce circuit
magnétique étant asymétrique et s'étendant du
côté opposé à la partie lecture,
- un enroulement conducteur d'écriture entourant
une partie du circuit magnétique du côté opposé
à la partie lecture.
La réalisation d'une partie lecture, dédiée uniquement à cette fin, permet d'accroître le signal de lecture. L'utilisation de magnétorésistance à vannes de spin, dans la configuration particulière du double ruban, permet d'accroître encore le signal de lecture.
Quant à la partie écriture, elle présente une configuration asymétrique telle que les deux zones de lecture et d'écriture peuvent être rapprochées, ce qui permet un fonctionnement avec des enregistrements à haute densité.
Brève description des dessins
- la figure 1, déjà décrite, montre une tête
magnétique connue à couches minces et à élément
magnétorésistant ;
- les figures 2A et 2B, déjà décrites, montrent
une tête magnétique connue à élément
magnétorésistant en forme de U
- les figures 3A et 3B montrent la partie lecture
d'une tête selon l'invention ;
- la figure 4 montre un élément magnétorésistant
à vanne de spin
- les figures 5A et 5B montrent le sens des
aimantations dans l'élément magnétorésistant
lors de la lecture d'une transition positive et
les variations correspondantes de résistance de
l'élément magnétorésistant
- la figure 6 montre, en coupe, une tête selon
l'invention, avec une partie écriture accolée à
une partie lecture
- la figure 7 montre, en vue de dessus, une tête
conforme à l'invention.
Exposé détaillé de modes de réalisation
On voit, sur les figures 3A et 3B, des vues schématiques de la partie lecture d'une tête magnétique selon l'invention, respectivement en coupe (3A) et en vue de dessus (3B). Telle que représentée cette partie lecture comprend une couche magnétique 106 formant blindage, avec une ouverture 107, une couche 102 constituant une sonde de champ (ou un capteur de champ) ; il s'agit d'une couche magnétique mince terméabla, d'une épaisseur de quelques dizaines de manomètres (quelques centaines d' Angstroms) et d'une hauteur de quelques centaines de manomètres (quelques milliers d'Angstroms) . Sa longueur, dans le sens perpenoiculaire au plan de la figure 3A et dans le plan de la figure 3B, est égale à la largeur de la piste à lire. Cette couche 102 se prolonge par un pied 103, également magnétique perméable. La longueur du pied 103 est la même que celle de la couche 102, sa hauteur est aussi de quelques centaines de nanomètres. Couche 102 et pied 103 peuvent être en alliage FeNi. Le pied 103 est avantageusement relié à la masse.
De chaque côté du pied se trouvent deux rubans magnétorésistifs 104a et 104b, du type à vannes de spin.
La largeur de l'ouverture 107 pratiquée dans le blindage 106 peut être de l'ordre de quelques dizaines de nanometres. La couche mince magnétique 106 est par exemple en alliage FeNi, avec une épaisseur comprise entre 10 nm et 100 nm environ. Ce blindage 106 définit le plan de vol 100 de la tête. La couche sonde 102 affleure sur le plan de vol 100 au centre de l'ouverture 107.
La figure 3B montre en outre deux connexions électriques 110a et 110b reliées aux deux rubans 104e, 104b, à leurs extrémités avant, ainsi qu'un pont conducteur 112 connectent les extrémités arrière des rubans.
Cette partie lecture est beaucoup plus performante qu'une tête classique à élément magnétorésistant, en partie parce que ltépaisseur de la couche de blindage 106 est très faible (quelques dizaines de nanomètres) de sorte que les champs de fuite entre la couche magnétique 102 et le blindage sont ires peu intenss.
Par ailleurs, la bis tance entre. les rumens magnêtorêsister s et le blindage est trs grande (quelques centaines de nanomètres) par rapport aux têtes normales de lecture dans lesquelles il est difficile de réduire l'épaisseur d'isolant de chaque côté des rubans.
Sur la figure 4, on voit, de manière schématique, l'un des rubans magnétorésistifs, référencé 104, avec les diverses couches qui le composent. Il s'agit d'une structure à vanne de spin ("spin valve") comprenant
- une première couche mince magnétique 121 à fort
champ coercitif, avec une aimantation M1
orientée dans une direction transversale (cette
couche peut être en terbium/cobalt) ; cette
première couche est désignée souvent par couche
"piégeante" (ou "pinning layer" en terminologie
anglo-saxonne)
- une deuxième couche mince ferromagnétique douce
122, magnétiquement couplée à la première 121
cette deuxième couche, appelée souvent couche
"piégée" (en anglais "pinned layer"), peut être
en FeNi, en Co ou en FeCo ; son aimantation est
notée M2
- une troisième couche mince non magnétique 123
électriquement conductrice, par exemple en
cuivre ; cette couche peut etre parcourue par
un courant I ;
- une quatrième couche mince ferromagnétique 124
appelée souvent "couche libre" (ou en anglais
"free layer"), par exemple an Fui ;
l'aimantation M de cette dernière couche est
sensible au champ magnétique extérieur et
s'oriente selon la direction de ce champ.
L'aimantation M1 est antiparallèle dans les deux rubans, c'est-à-dire que la direction de l'aimantation
Mla dans le ruban 104a est opposée à la direction de l'aimantation Mlb dans le ruban 104b comme représenté sur la figure 5A.
Sur la figure 5A, on a représenté les champs Ha et
Hb de lecture qui viennent de la couche sonde 102 et qui s'épanouissent de chaque côté du pied 103 dans chacun des rubans magnétorésistants 104a et 104b. On a représenté également les aimantations, Mla, Mlb dans la couche 121 et Ma, Mb dans la couche libre 124.
L'aimantation Ma et Mb de la couche libre suit la direction du champ de lecture Ha, Hb. Sur la figure SE, on voit la variante relative de résistance AR/R en fonction du champ de lecture H. Pour la situation représentée qui correspond à une transition magnétique positive en regard de la sonde, la résistance diminue dans chacun des rubans de la même quantite. Comme , les deux rubans sont mis en série, l'effet de variations de résistance de l'ensemble est le double de ce qu'il serait avec un seul ruban (ce qui n'aurait pas été le cas si les aimantations Mla et Mlb n' avaient pas été antiparallèles, mais parallèles, car la diminution de résistance dans un ruban aurait été compensée par l'augmentation dans l'autre ruban).
La lecture du champ d'une transition négative conne lieu aux mêmes phénomènes, si ce n'est que le champ de lecture est opposé au champ de polarisation.
Dans ce cas, la résistance des de rubans augmente mais le signal de lecture global est toujours doublé par rapport à celui J' un seul ruban.
Ce montage n' est pas un montage différentiel, mais s apparente plutôt à ce que 1 ' on peut appeler un montage en "mode commun". Il permet de lire des champs magnétiques opposés et de doubler le signal.
La figure 6 illustre, en coupe, une tête magnétique selon l'invention, avec sa partie lecture et sa partie écriture. La partie lecture est conforme, pour l'essentiel à la figure 3A et qui portent les mêmes références. La partie écriture comprend deux pièces polaires 201, 202 séparées par un entrefer amagnétique 204, un circuit magnétique comprenant une couche magnétique 210 formant concentrateur (dont on verra mieux la forme sur la figure 7) et une couche magnétique arrière 212. Un enroulement conducteur 214 entoure 1' une des jambes du circuit magnétique.
Dans la variante illustrée, une couche magnétique de blindage 206 est prévue avec une ouverture 207 correspondant aux pièces polaires 201, 202. Cette couche de blindage peut être la même que la couche de blindage 106 de la partie lecture. Cette couche peut être recouverte d'une couche de protection, par exemple en carbone.
Comme on le voit sur la figure 6, le circuit magnétique est asymétrique en ce sens qu'il est désaxé du côté opposé à la partie lecture. Le concentrateur 210, la pièce arrière 212 et l'enroulement 214 n'empiètent pas sur la partie lecture.
Dans la variante illustrée sur la figure 6, la partie lecture se complète, par rapport au mode de réalisation de la figure 3A, par deux plots magnétiques 133, 132 oui encadrent la couche sonde 102 et le pied 103.
Afin de réduire la distance séparant la partie lecture et la partie écriture, ces deux parties ont en commun le plot 130 de la partie lecture, qui constitue une partie du circuit magnétique et la pièce polaire 202 qui est située côté partie lecture.
Sur la figure 7, on voit mieux la forme du concentrateur 210 et la position de l'enroulement 214.
On voit par ailleurs les deux ouvertures 107 et 207 pratiquées dans le blindage 106/206. La largeur de la couche sonde 107 et la largeur de l'entrefer 204 peuvent être égales et ces pièces peuvent être alignées. Cette disposition est obtenue aisément par masquage.
On observera, pour finir, que la partie lecture de la tête est décrite et revendiquée en tant que telle, comme tête magnétique de lecture, dans une demande de brevet déposée le jour même du dépôt de la présente demande par le présent Demandeur et intitulée "Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant".

Claims (7)

REVENDICATIONS
1. Tête magnétique, caractérisée par le fait qu'elle comprend
A) une partie lecture, comprenant
- une couche mince magnétique perméable de
blindage (106) avec une ouverture (107),
- une couche magnétique mince perméable formant
une sonde (102) disposée perpendiculairement à
la couche de blindage (106), et affleurant dans
ladite ouverture (107), cette couche sonde
(102) se prolongeant par un pied magnétique
(103),
- un élément magnétorésistant en forme de U avec
deux rubans magnétorésistants (104a, 104b)
disposés parallèlement à la couche de blindage
et situés de part et d'autre du pied (103), ces
deux rubans magnétorésistants (104a, 104b)
étant du type magnétorésistance à vannes de
soin,
B) une partie écriture, placée à côté de la parte lecture et comprenant
- deux pièces polaires (201, 202) séparées par un
entrefer amagnétique (204),
- un circuit magnétique (210, 212) de fermeture
du flux reliant les deux pièces polaires, ce
circuit magnétique étant asymétrique et
s'étendant du côté opposé à la partie lecture,
- un enroulement conducteur d'écriture (214)
entourant une partie du circuit magnétique
(210, 212) du côté opposé à la partie lecture.
2. Tête magnétique selon la revendication 1, dans laquelle chaque ruban magnétorésistant (104a, 104b) comprend un empilement de couches minces, à savoir
- une première couche mince magnétique (121) à
fort champ coercitif, avec une aimantation (M1)
orientée dans une direction transversale, la
direction (Mla) pour l'un des deux rubans
(104a) étant opposée à la direction (Mlb) pour
l'autre ruban (104b),
- une deuxième couche mince magnétique (122),
magnétiquement couplée à la première (121),
- une troisième couche mince non magnétique (123)
et électriquement conductrice,
- une quatrième couche mince magnétique (124).
3. Tête magnétique selon la revendication 1, dans laquelle la couche magnétique de blindage (106) de la partie lecture recouvre également au moins partiellement la partie écriture (206), sauf dans une ouverture (207) ménagée autour des pièces polaires (201, 202)
4. Tête magnétique selon la revendication 1, dans laquelle le circuit magnétique de la partie écriture comprend une couche magnétique (210) jouent le rôle de concentrateur de flux et s'étendant du côté opposé à la partie lecture, cette couche (210) étant an contact avec celle des pièces polaires (201) qui est du côté opposé à la partie lecture.
5. Tête magnétique selon la revendicaulon 1, dans laquelle le pied magnétique (103) de la partie lecture est encadré par deux plots magnétiques (130, 132), un plot côté partie écriture (130) et un plot (132) côté opposé, le plot (130) côté partie écriture comprenant celle des pièces polaires (202) de la partie écriture qui est située côté partie lecture.
6. Tête magnétique selon la revendication 1, dans laquelle la largeur des pièces polaires (201, 202) de la partie écriture et la largeur de la couche sonde (102) de la partie lecture sont sensiblement les mêmes.
7. Tête magnétique selon la revendication 2, dans laquelle la couche magnétique de blindage (106, 206) est recouverte par une couche dure de protection.
FR9712422A 1997-10-06 1997-10-06 Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture Expired - Fee Related FR2769399B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9712422A FR2769399B1 (fr) 1997-10-06 1997-10-06 Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9712422A FR2769399B1 (fr) 1997-10-06 1997-10-06 Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2769399A1 true FR2769399A1 (fr) 1999-04-09
FR2769399B1 FR2769399B1 (fr) 2000-01-28

Family

ID=9511863

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9712422A Expired - Fee Related FR2769399B1 (fr) 1997-10-06 1997-10-06 Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2769399B1 (fr)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2802011A1 (fr) * 1999-12-01 2001-06-08 Planhead Silmag P H S Tete de lecture planaire a element magneto-resistif
CN101149929B (zh) * 2006-09-19 2010-08-11 国际商业机器公司 磁带头和磁带驱动器
US8130467B2 (en) 2006-09-19 2012-03-06 International Business Machines Corporation Planar write module and hybrid planar write-vertical read bidirectional tape head

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990011594A1 (fr) * 1989-03-29 1990-10-04 Commissariat A L'energie Atomique Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete
US5073836A (en) * 1989-10-05 1991-12-17 Hewlett-Packard Company Single pole write and a differential magneto-resistive read for perpendicular recording
WO1993008562A2 (fr) * 1991-10-21 1993-04-29 Fujitsu Limited Tete magneto-resistive
EP0782129A2 (fr) * 1995-12-29 1997-07-02 Read-Rite Corporation Transducteur magnétorésistif à mode ccp comportant des membres multiples à valve de spin

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1990011594A1 (fr) * 1989-03-29 1990-10-04 Commissariat A L'energie Atomique Tete magnetique de lecture a magnetoresistance pour enregistrement perpendiculaire et procede de realisation d'une telle tete
US5073836A (en) * 1989-10-05 1991-12-17 Hewlett-Packard Company Single pole write and a differential magneto-resistive read for perpendicular recording
WO1993008562A2 (fr) * 1991-10-21 1993-04-29 Fujitsu Limited Tete magneto-resistive
EP0782129A2 (fr) * 1995-12-29 1997-07-02 Read-Rite Corporation Transducteur magnétorésistif à mode ccp comportant des membres multiples à valve de spin

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2802011A1 (fr) * 1999-12-01 2001-06-08 Planhead Silmag P H S Tete de lecture planaire a element magneto-resistif
EP1107236A1 (fr) * 1999-12-01 2001-06-13 Planhead-Silmag Phs Tête de lecture planaire à élément magnéto-résistif
CN101149929B (zh) * 2006-09-19 2010-08-11 国际商业机器公司 磁带头和磁带驱动器
US8130467B2 (en) 2006-09-19 2012-03-06 International Business Machines Corporation Planar write module and hybrid planar write-vertical read bidirectional tape head
US8139318B2 (en) 2006-09-19 2012-03-20 International Business Machines Corporation Planar bidirectional tape head with planar read and write elements

Also Published As

Publication number Publication date
FR2769399B1 (fr) 2000-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5898547A (en) Magnetic tunnel junction magnetoresistive read head with sensing layer as flux guide
EP0284495B1 (fr) Tête magnétique de lecture pour piste de très faible largeur et procédé de fabrication
US6560077B2 (en) CPP spin-valve device
EP0417261B1 (fr) Tete magnetique a magnetoresistance pour enregistrement longitudinal et procede de realisation d'une telle tete
EP0911810B1 (fr) Dispositifs à jonction tunnel magnétique
EP0693791B1 (fr) Capteur à magnétorésistance multicouche autopolarisée
JP2002304711A (ja) シールド型磁気トンネル接合磁気抵抗読取りヘッド及びアセンブリ
KR19990013962A (ko) 자기 저항 효과형 재생 헤드 및 그 재생 헤드를 탑재한 자기 디스크 장치
US6735059B2 (en) Magnetoresistive effective type element, thin film magnetic head, magnetic head device and magnetic disk driving device which use said magnetoresistive effective type element which includes at least three shielding films
FR2724482A1 (fr) Tete magnetique a magnetoresistance multicouche longitudinale sous-jacente
EP0046697B1 (fr) Transducteur magnétique intégré
EP0781448B1 (fr) Tete magnetique planaire a magnetoresistance multicouche longitudinale
US20070127162A1 (en) Magnetic head device provided with lead electrode electrically connected to upper shield layer and lower shield layer
JP2004056037A (ja) Cpp構造磁気抵抗効果素子
FR2769399A1 (fr) Tete magnetique avec une partie lecture et une partie ecriture
EP1023608B1 (fr) Capteur de champ magnetique a magnetoresistance
US20050111142A1 (en) Electromagnetic transducer element capable of suppressing rise in temperature of electromagnetic transducer film
US7684159B2 (en) Magnetic head device provided with lead electrode electrically connected to upper shield layer and lower shield layer
FR2709855A1 (fr) Tête magnétique de lecture et d'écriture à élément magnétorésistant compensé en écriture.
EP1107236A1 (fr) Tête de lecture planaire à élément magnéto-résistif
FR2772966A1 (fr) Tete magnetique de lecture a element magneto resistant et a grande sensibilite
FR2713782A1 (fr) Capteur magnétique à effet magnéto-résistif.
FR2769400A1 (fr) Tete magnetique de lecture a element magnetoresistant
FR2769401A1 (fr) Procede de polarisation d'un element magnetoresistant a double ruban
EP0669609B1 (fr) Tête magnétique de lecture à élément magnétorésistant et à moyens de polarisation perfectionnés

Legal Events

Date Code Title Description
TP Transmission of property
ST Notification of lapse

Effective date: 20060630