FR2770340A1 - Procede pour fabriquer un substrat localement inhomogene d'un circuit hyperfrequence, substrats, circuits et interconnexions ainsi realises - Google Patents

Abstract

Procédé pour fabriquer un circuit hyperfréquence (1) comprenant plusieurs sous-ensembles hyperfréquences (A, C, F1, F2). Ces sous-ensembles hyperfréquences (A, C, F1, F2) sont réalisés sur un même substrat (S), ce substrat (S) étant rendu localement inhomogène par intégration d'inserts (I) possédant des caractéristiques électriques appropriées dans une matrice (MA), de sorte qu'à chaque sous-ensemble est associée une zone de substrat présentant des caractéristiques diélectriques optimales pour ce sous-ensemble. Ce procédé permet de résoudre immédiatement des problèmes d'interconnexion et de couplage entre motifs et sous-ensembles.Utilisation à des fins de miniaturisation, notamment pour des systèmes embarqués et en téléphonie mobile

Description

" Procédé pour fabriquer un substrat localement
inhomogène d'un circuit hyperfréquence, substrats,
circuits et interconnexions ainsi réalisés"
La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un substrat localement inhomogène d'un circuit hyperfréquence. Elle vise également des substrats, circuits et interconnexions réalisés avec ce procédé.

Dans le domaine des hyperfréquences, les marchés aujourd'hui porteurs, tels que les communications mobiles ou les systèmes embarqués, conduisent à une demande forte d'intégration et de miniaturisation des fonctions de base. Jusqu'à présent, la réalisation de circuits hyperfréquences mettait en oeuvre une filière de type circuit imprimé avec utilisation d'un seul matériau support, métallisé sur une ou deux faces, commun à l'ensemble des fonctions à intégrer. Or, il s'avère que les sous-ensembles de base à reporter sur ce support, tels que les antennes, les filtres, les coupleurs ou les déphaseurs, ne requièrent pas les mêmes exigences en termes de caractéristiques électriques d'environnement, notamment en termes de permittivité diélectrique. Ainsi, le gain d'une antenne est d'autant plus élevé que la permittivité du substrat sur lequel est déposée cette antenne est faible, alors qu'une démarche de miniaturisation conduit à développer des substrats de forte permittivité. I1 en résulte ainsi actuellement une incompatibilité dans l'association d'une antenne et d'un système d'alimentation et de distribution associé (filtre, coupleur, déphaseur) sur un même substrat.

Le but de la présente invention est de remédier à ces inconvénients en proposant un procédé de fabrication d'un substrat localement inhomogène pour assurer une combinaison optimale de sous-ensembles hyperfréquences sur un seul et même support.

Cet objectif est atteint avec un procédé pour fabriquer un circuit hyperfréquence comprenant plusieurs sous-ensembles hyperfréquences, dans lequel ces sousensembles hyperfréquences sont réalisés sur un même substrat, ce substrat étant rendu localement inhomogène par intégration d'inserts possédant des caractéristiques électriques appropriées dans une matrice de sorte qu'à chaque sous-ensemble est associée une zone de substrat présentant des caractéristiques diélectriques optimales pour ce sous-ensemble.

Ainsi, avec le procédé selon l'invention, on peut réaliser des interconnexions non câblées et sans connectique entre des sous-ensembles ayant des exigences très différentes. Ce procédé étend le degré de liberté du concepteur qui peut alors simultanément jouer sur la forme des circuits mais aussi sur les dimensions des inserts, leurs permittivités relatives, leurs épaisseurs ou encore leurs emplacements respectifs au sein de la matrice.

Outre l'interconnexion de sous-ensembles aux caractéristiques électriques très différentes, le procédé selon l'invention permet une intervention sur les modes de fonctionnement des éléments du circuit. En effet, le procédé selon l'invention permet également, par la présence d'inserts au niveau de chaque sous-ensemble d'optimiser localement leurs performances. Ceci contribue notamment à réduire la taille d'une antenne plaquée, les discontinuités rayonnantes étant réalisées sur le matériau matrice de faible permittivité propice au rayonnement, l'insert de plus forte permittivité placé au centre apportant la longueur électrique nécessaire au respect des conditions de phase. Il en résulte des caractéristiques électriques, en termes de bande passante et de gain, proches de celles obtenues sur un substrat conventionnel seul de faible permittivité relative, associées à une diminution significative de la taille de l'élément rayonnant.

Il est également possible de prévoir dans le cadre de la présente invention un substrat matrice de forte permittivité et des inserts sous forme de substrats de faible permittivité placés sous les fentes rayonnantes.

Il est à noter que l'on connaît déjà par le document
US 5471221 un substrat constitué d'un ensemble de bandes diélectriques juxtaposées de permittivités alternativement élevées et faibles, pour établir des régions présentant des fréquences de résonance hautes et basses. Mais cette structure de substrat n'offre pas de solution au problème de l'interconnexion de sousensembles de base d'un circuit hyperfréquence.

Selon une version préférée de l'invention, le procédé de fabrication comprend les étapes suivantes: - préparation préalable des inserts et de la matrice, - intégration des inserts dans le substrat, et - pressage d'un ensemble comprenant le substrat pourvu de ces inserts.

Dans un premier mode de mise en oeuvre correspondant notamment au cas d'une matrice polymère ou céramique, la matrice est préalablement découpée pour recevoir les inserts.

Dans un second mode de mise en oeuvre correspondant au cas d'une matrice en matériau conformable, la matrice est préalablement conformée, soit au moyen des inserts, soit par moulage ou emboutissage ou toute autre technique équivalente mais sans faire intervenir les inserts, puis ces derniers, dans les deux cas, sont intégrés par pressage ou assemblage.

Suivant un autre aspect de l'invention, il est proposé un substrat pour un circuit hyperfréquence, obtenu par mise en oeuvre du procédé selon l'invention, caractérisé en ce qu'il comporte une matrice dans laquelle sont intégrés des inserts ayant des caractéristiques électriques distinctes de celles de la matrice, chaque insert étant associé à un sous-ensemble du circuit requérant un environnement électrique spécifique.

Suivant encore un autre aspect de l'invention, il est proposé un circuit hyperfréquence réalisé à partir d'un substrat selon l'invention, comprenant plusieurs sous-ensembles interconnectés, caractérisé en ce qu'à chaque sous-ensemble requérant un environnement électrique spécifique est associé un insert présentant des caractéristiques électriques optimales pour ce sousensemble.

Le procédé de fabrication selon l'invention permet ainsi de réaliser des interconnexions de sous-ensembles présentant des caractéristiques très différentes, sans nécessiter d'opérations particulières de câblage ou de pontage. Ces interconnexions peuvent éventuellement mettre en oeuvre des techniques de traversée métallique ou de couplage électromagnétique entre niveaux successifs.

D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront encore dans la description ci-après. Aux dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs:
- la figure 1 illustre un exemple de réalisation
d'un circuit hyperfréquence avec le procédé selon 1' invention;
- la figure 2 représente schématiquement un coupleur
de proximité sur insert pouvant être mis en oeuvre
dans un circuit hyperfréquence selon l'invention;
- la figure 3 représente schématiquement un coupleur
à branches sur insert pouvant être mis en oeuvre dans
un circuit hyperfréquence selon l'invention;
- la figure 4 représente schématiquement une antenne
de type pastille réalisée sur un substrat selon
l'invention; - la figure 5 représente schématiquement une combinaison d'un coupleur à branches et d'une antenne de type pastille à polarisation circulaire, réalisée sur un substrat selon l'invention; - la figure A illustre un mode d'intégration d'un insert dans une matrice par conformation; - la figure 6B illustre un mode d'intégration d'un insert dans une matrice par découpe; - la figure A représente les couches principales d'un substrat selon l'invention; - la figure 7B illustre un mode particulier de réalisation dans lequel le matériau matrice est de l'air; - la figure 8 illustre schématiquement un substrat selon l'invention; - la figure 9 représente deux vues en coupe respectivement d'un premier et d'un second substrats selon l'invention; - la figure 10 illustre un mode particulier de réalisation d'un insert conçu pour procurer un gradient de permittivité au sein d'un substrat; - la figure 11 représente un exemple de réalisation d'un circuit hyperfréquence comprenant un substrat de forte permittivité relative et des inserts de faible permittivité; - la figure 12 illustre les étapes principales de réalisation d'un substrat rendu localement inhomogène par évidemment de matière; - la figure 13 illustre les étapes principales de réalisation d'un substrat localement inhomogène dont la matrice a été préalablement pourvue d'un motif ou circuit; - la figure 14 représente un exemple de circuit hyperfréquence mettant en oeuvre des rubans métallisés disposés sur une matrice dans laquelle
des inserts de différentes permittivités ont été
intégrés; et
- la figure 15 représente un exemple de réseau
d'antenne fabriqué avec le procédé selon 1' invention.

On va maintenant décrire plusieurs exemples de réalisation de substrats localement inhomogènes selon l'invention et de circuits incluant ces substrats, en même temps que le procédé de fabrication permettant d'obtenir ces substrats.

Un circuit hyperfréquence 1 selon l'invention comprend, en référence à la figure 1, un sous-ensemble d'antenne A, un sous-ensemble coupleur C et deux sousensembles de filtres F1, F2 réalisés sur un substrat S obtenu à partir d'une matrice MA qui peut être en mousse, en polymère ou en céramique et dans laquelle ont été intégrés des inserts I sous chacun des sous-ensembles.

Ainsi, l'antenne A met en oeuvre des fentes rayonnantes sur un matériau de matrice de faible permittivité avec une réduction de taille par utilisation d'un insert de forte permittivité. Le coupleur C est pourvu d'un insert de forte permittivité pour obtenir un couplage fort avec une réduction simultanée de la taille. Les filtres F1, F2 sont miniaturisés en utilisant des inserts de forte permittivité. La surface inférieure de la matrice MA est pourvue d'une métallisation ME.

Les circuits hyperfréquences selon l'invention peuvent comprendre des coupleurs de proximité tels que celui représenté schématiquement en figure 2. Ce coupleur de proximité CP comprend un insert I intégré dans une matrice MA sous un module de couplage MC relié à une voie d'entrée EN, à une voie de couplage, à une voie directe et à une voie isolée. Pour les dimensions stipulées et les matériaux utilisés, ce coupleur de proximité procure un coefficient de couplage d'environ 11.7 dB. Du fait de la présence de l'insert I, la taille du coupleur de proximité est réduite d'un facteur au moins égal à 2 (en fonction notamment de la permittivité relative de l'insert utilisé), par rapport à celle d'un coupleur réalisé uniquement sur un substrat matrice de faible permittivité.

Un autre sous-ensemble d'un circuit hyperfréquence selon l'invention peut consister en un coupleur à branches tel que celui représenté en figure 3. Ce coupleur à branches CB, présentant une fréquence centrale d'environ 1.8 GHz pour les dimensions données, comprend un insert I intégré dans une matrice MA et disposé sous un module de couplage MB relié à une voie d'entrée, à une voie isolée VI, à une voie directe VD et à une voie de couplage VC. Du fait de la présence de l'insert I, le coupleur à branches présenté voit sa taille réduite d'un facteur au moins égal à 2 (ce facteur dépend de la permittivité diélectrique de l'insert utilisé), par rapport à un coupleur réalisé uniquement sur une matrice de faible permittivité.

On peut également prévoir, au sein d'un circuit hyperfréquence selon l'invention une antenne de type pastille réalisée sur une zone d'insert de forte permittivité, en référence à la figure 4. L'antenne de type pastille AP est réalisée partiellement sur un insert
I ayant des dimensions plus petites que celles de l'antenne et étant intégré dans une matrice MA. La surface supérieure de l'antenne AP est recouverte d'une métallisation ME, tandis qu'une métallisation MI peut être prévue sur l'insert I dans le cas de motifs enterrés. A titre d'exemple non limitatif, l'insert I sous l'antenne de type pastille AP a une largeur de 33 mm et une longueur de 22 mm. L'antenne AP est environ deux fois plus petite qu'une antenne du même type réalisée uniquement sur le substrat matrice à la même fréquence de résonance. Il est à noter que l'on connaît déjà par l'article "Improvement of Microstrip Patch Antenna
Radiation Patterns" paru dans IEEE Transactions on
Antennas and Propagation, Vol.42, No.6, Juin 1994, des antennes de type pastille comprenant un substrat localement inhomogène par insertion dans un substrat diélectrique d'un élément en cuivre.

Il est à noter qu'il est également possible, dans le cadre de la présente invention, de réaliser un circuit hyperfréquence (figure 11) dans lequel le substrat matrice MAH est de forte permittivité les inserts IL sont des substrats de faible permittivité placés sous des fentes rayonnantes ME.

Le procédé de fabrication selon l'invention permet notamment de fabriquer sur un même substrat une combinaison AC d'un coupleur à branches CB et d'une antenne de type pastille PA reliée à ce coupleur, en référence à la figure 5. Le coupleur à branches CB est réalisé sur un premier insert de forte permittivité, tandis que l'antenne PA est réalisée, soit sur un second insert qui peut être de permittivité différente de celle du premier insert, soit directement sur le substrat matrice de faible permittivité.

On va maintenant décrire plusieurs exemples de mise en oeuvre du procédé de fabrication selon l'invention, en référence aux figures 6A à 9. Ce procédé fait principalement appel à une intégration d'inserts de type métallique ou diélectrique dans une matrice, par des techniques d'assemblage par pressage à froid et/ou à chaud. Les éléments et matériaux intervenant dans ce procédé sont:
- un ou plusieurs inserts diélectriques ou métalliques, avec ou sans niveau de métallisation, et/ou par évidemment de matière,
- un matériau dans lequel sont intégrés les inserts, constituant une matrice, avec ou sans niveau de métallisation,
- un matériau qui permet le maintien des inserts dans la matrice, avec ou sans niveau de métallisation.

Il est à noter que les inserts peuvent être matérialisés par une cavité ponctuellement dégagée dans le substrat matrice. Du fait de l'absence de matériau support dans la zone évidée, la métallisation globale de la structure peut être réalisée dans ce cas par l'intermédiaire d'un feuillard métallique d'une épaisseur suffisante pour conserver sa rigidité, plaqué sur la structure par pressage, vissage, collage ou toute autre technique de fixation. Ce procédé peut aussi être appliqué pour des inserts qui ne sont pas du vide. Dans ce mode particulier de réalisation, le procédé selon l'invention comprend, en référence à la figure 12, une première étape (I) de fraisage ou de perçage de la matrice MA pour y réaliser des inserts de type air IA, une seconde étape (II) de préparation de la métallisation
ME à partir d'un feuillard métallique, puis une troisième étape (III) de dépôt de la métallisation ME sur la matrice et fixation de cette métallisation par collage, pressage, vissage ou toute autre technique de fixation appropriée dans ce domaine.

Le procédé de fabrication selon l'invention comprend une phase initiale de préparation des inserts, de la matrice et du matériau de scellement.

Dans une première étape, on réalise au sein de la matrice les cavités destinées à recevoir les insert5, selon des techniques dépendant essentiellement du matériau constituant la matrice. Dans le cas d'une matrice en mousse MA (figure 6A), les cavités CAa sont réalisées par conformation de la matrice MA au moyen d'un pressage à froid ou à chaud de ladite matrice et des inserts I.

Dans le cas d'une matrice en matériau dur (figure 6B) , les cavités Cab sont réalisées par découpe de la cavité, par exemple par laser dans le cas d'une matrice en céramique. Dans le cas d'une matrice en polymère, la surface de la matrice peut être par exemple préparée par effet Corona, dans le but d'améliorer les conditions d'accrochage et de scellement.

Il est à noter que les inserts peuvent être métallisés au préalable et supporter un ou plusieurs motifs ou circuits avant d'être intégrés dans la matrice.

L'accès à ces motifs ou circuits enterrés se fait alors soit par connexion directe (trous métallisés), soit par couplage électromagnétique.

Dans le cas d'un insert en mousse, la métallisation peut être effectuée en mettant en oeuvre des techniques décrites dans le brevet français No 9314538 au nom du
Centre National d'Etudes en Télécommunications (CNET)
Pour un insert en céramique, la métallisation peut être effectuée par sérigraphie ou dépôt de type couche mince.

On peut aussi prévoir un substrat pré-métallisé double face.

La matrice peut elle même être pourvue préalablement d'un motif ou circuit avant que l'insert soit intégré dans la matrice, comme le représente la figure 13. Dans cette forme particulière de réalisation, une première étape (I) consiste à découper dans la matrice MA une cavité DC et à métalliser la face supérieure de ladite matrice pour réaliser un motif. Dans une seconde étape (II), on intègre un insert I dans la cavité DC et on recouvre le motif MM de la matrice MA avec un premier feuillard métallique FM1, un second feuillard métallique
FM2 étant placé contre la face inférieure de la matrice
MA. Une troisième étape (III)consiste à obtenir par pressage et assemblage de l'ensemble un substrat SM localement inhomogène.

Parallèlement à la préparation des inserts et de la matrice, on prépare les motifs du circuit hyperfréquence.

Cette préparation inclut notamment la préparation des films conducteurs (traitement chimique de la surface) et la préparation des films polymères d'assemblage (traitement de la surface par effet Corona).

A l'issue de la préparation des inserts et de la matrice, les motifs sont reproduits sur des supports, par procédé de type photolithographique (enduction d'une résine photosensible, insolation ultraviolet, révélation, gravure chimique) . On réalise ensuite l'empilement des différents éléments du substrat et leur alignement par rapport à des mires de positionnement.

Dans une seconde étape, on effectue un pressage d'un ensemble composite E (figure 7A) constitué par l'empilement de couches de métallisation respectivement supérieure et inférieure MES, MEI, de matériaux de scellement respectivement supérieur et inférieur MSS,
MSI, d'inserts I préalablement intégrés dans les cavités
CA aménagées dans la matrice MA (I), selon un agencement illustré à titre d'exemple non limitatif par la figure A (11).

On peut également envisager de visser directement, par exemple, un feuillard métallique sur le support, l'insert étant alors constitué par de l'air. On peut également prévoir que l'insert I soit disposé sur une métallisation M (clinquant, feuillard de cuivre), le matériau matrice étant alors de l'air, comme l'illustre la figure 7B.

A l'issue du pressage, on obtient un substrat S localement inhomogène présentant une topologie illustrée schématiquement par les figures 8 et 9. Si l'on effectue une vue en coupe de ce substrat, on peut rencontrer un premier exemple (a) d'insert I1 affleurant la face supérieure ou inférieure de la matrice MA, ou encore un second exemple (b) d'insert I2 affleurant à la fois les faces supérieure et inférieure de la matrice MA qu'il traverse de part en part.

On peut aussi envisager, en référence à la figure 10, des inserts I de forme GP tout à fait quelconque, en particulier permettant d'obtenir des "gradients" de permittivité au sein d'une matrice MA d'un substrat localement inhomogène SG. De tels inserts peuvent être réalisés soit par découpe, soit par conformation, soit par fraisage ou toute autre technique appropriée.

A l'issue du pressage, on peut prévoir des étapes d'enduction de résine photosensible, d'insolation, de révélation, de gravure et de découpe.

Les circuits et substrats qui viennent d'être présentés peuvent être réalisés à partir des matériaux suivants, donnés à titre d'exemples non limitatifs:
- pour la matrice ou les inserts, la mousse d'imide polymétacrylate, le polystyrène, les céramiques telles que l'alumine, l'epsilam, le froid, les ferrites, le verre, l'époxy et l'air ambiant;
- pour le matériau de scellement, les colles diélectriques, le polypropylène ou des films polymères tels que le Diclad ou le CucladTU.

Ainsi, la présente invention permet, par l'utilisation d'inserts diélectriques de caractéristiques variées dans une matrice donnée, de résoudre de façon conjointe:
- les problèmes d'interconnexion directe entre sousensembles caractérisés par des exigences électriques et physiques totalement distinctes;
- les problèmes d'obtention de zones favorables tantôt à des phénomènes de couplage fort (coupleurs, filtres, par exemple), tantôt à des phénomènes de couplage faible (entre circuits ou éléments rayonnants pour éliminer tout couplage parasité);
- les problèmes de fonctionnement en large bande de certains sous-ensembles tels que les antennes, par utilisation de zones de rayonnement idéales, ou les filtres, par obtention, après positionnement d'un insert de forte permittivité relative, de régions favorables aux couplages forts. A l'opposé, pour des applications de type filtre, la présente invention permet également d'accéder à des bandes passantes faibles, c'est à dire à partir de zones faiblement couplées, l'intégration d'inserts conduisant alors à mieux contrôler ces couplages, en tendant à réduire les espacements entre les rubans et donc les pertes d'origine diélectrique ou par rayonnement. Dans ce type d'application, on peut utiliser, au sein d'un support MA sur lequel sont déposés des rubans conducteurs RM, d'une part, des inserts IH de forte permittivité relative pour réaliser un couplage fort, et d'autre part, des inserts IL de faible permittivité relative pour réaliser un couplage faible, en référence à la figure 14.

On peut aussi envisager, toujours dans le cadre de la présente invention, de réaliser des réseaux d'antennes
SR, comme l'illustre par exemple la figure 15. Par le positionnement d'inserts au niveau de chaque élément rayonnant ER1,1, Ex1,2, ER2,1, ER2,2, on observe une réduction notable de la taille de ces éléments et par la même occasion, une flexibilité plus grande dans l'agencement et la mise en réseau de ces antennes pour contrôler le gain et le diagramme de rayonnement. En effet, on peut envisager, du fait de la taille réduite des antennes, d'effectuer une mise en réseau avec un écartement entre centres rayonnants qui soit proche de la demi-longueur d'onde et non plus d'un multiple comme cela est généralement entrepris pour éviter tout risque de couplage parasite ou simplement pour des problèmes de contraintes dimensionnelles. Dans l'exemple de réalisation illustré par la figure 15, on a intégré dans le matériau matrice MA deux inserts IL de faible permittivité relative pour éviter des couplages parasites et améliorer les performances électriques des antennes, chacun de ces inserts de faible permittivité relative recevant deux éléments rayonnants. Chaque élément rayonnant ER1,1, ER1,2, ER2,1, ER2,2 étant par ailleurs pourvu d'un insert IH de forte permittivité relative.

Les problèmes de réduction des pertes peuvent être résolus en réalisant un réseau d'interconnexion sur un support de faible permittivité relative, ce réseau étant constitué par exemple de rubans conducteurs relativement larges, ce qui permet de s'assurer d'un système de routage à faibles pertes conductrices.

Bien sûr, 1 invention n'est pas limitée aux exemples qui viennent d'être décrits et de nombreux aménagements peuvent être apportés à ces exemples sans sortir du cadre de l'invention. En particulier, les niveaux de métallisation peuvent être réalisés à partir de peinture ou de laque métallique, de feuillard métallique conducteur tel que du feuillard de cuivre ou du clinquant.

Claims (16)

1. C, F1, F2) , caractérisé en ce que ces sous-ensembles hyperfréquences sont réalisés sur un même substrat (S) ce substrat (S) étant rendu localement inhomogène par intégration d'inserts (I) possédant des caractéristiques électriques appropriées dans une matrice (MA), de sorte qu'à chaque sous-ensemble (A, C, F1, F2) est associée une zone de substrat présentant des caractéristiques diélectriques optimales pour ce sous-ensemble.

   REVENDICATIONS 1. Procédé pour fabriquer un circuit hyperfréquence (1) comprenant plusieurs sous-ensembles hyperfréquences (A,
2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - préparation préalable des inserts (I) et de la matrice (MA), - intégration des inserts (I) dans la matrice (MA), et - pressage d'un ensemble comprenant la matrice (MA) pourvu de ces inserts (I).
3. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la matrice (MA) est préalablement découpée pour recevoir les inserts (I).
4. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la matrice (MA) est préalablement conformée au moyen des inserts (I).
5. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matrice (MA) est en mousse et en ce que les inserts (I) sont intégrés dans la matrice (MA) par pressage.
6. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la matrice (MA) est préalablement métallisée et/ou pourvue d'un motif ou d'un circuit avant intégration des inserts (I).
7. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'un ou plusieurs inserts (I) sont préalablement métallisés avant d'être intégrés dans la matrice (MA).
8. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'un ou plusieurs inserts (I) sont préalablement pourvus d'un motif ou circuit avant d'être intégrés dans la matrice (MA).
9. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que la métallisation est réalisée par report d'un feuillard métallique sur la matrice substrat dans laquelle un ou plusieurs inserts ont été préalablement intégrés.
10. 10. Substrat (S) pour un circuit hyperfréquence (1), obtenu par mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une matrice (MA) dans laquelle sont intégrés des inserts (I) ayant des caractéristiques électriques distinctes de celles de la matrice (MA) chaque insert (I) étant associé à un sous-ensemble (A, C,

    F1, F2) du circuit (1) requérant un environnement électrique spécifique.
11. 11. Substrat (S1) selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un insert (I1) affleurant la face supérieure ou inférieure de la matrice (MA).
12. 12. Substrat (S2) selon l'une des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un insert (I2) affleurant à la fois la face supérieure et la face inférieure de la matrice (MA).
13. 13. Circuit hyperfréquence (1) réalisé à partir d'un substrat selon l'une des revendications 10 à 12, comprenant plusieurs sous-ensembles interconnectés (A, C,

    F1, F2), caractérisé en ce qu'à chaque sous-ensemble requérant un environnement électrique spécifique est associé un insert (I) présentant des caractéristiques électriques optimales pour ce sous-ensemble.
14. 14. Interconnexion de plusieurs sous-ensembles hyperfréquences, réalisée sur une matrice substrat par mise en oeuvre du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9.
15. 15. Interconnexion selon la revendication 14, caractérisée en ce qu'elle comprend une mise en oeuvre de techniques de traversées métalliques.
16. 16. Interconnexion selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une mise en oeuvre de techniques de couplage électromagnétique.