FR2759383B1 - Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede - Google Patents

Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede

Info

Publication number
FR2759383B1
FR2759383B1 FR9701635A FR9701635A FR2759383B1 FR 2759383 B1 FR2759383 B1 FR 2759383B1 FR 9701635 A FR9701635 A FR 9701635A FR 9701635 A FR9701635 A FR 9701635A FR 2759383 B1 FR2759383 B1 FR 2759383B1
Authority
FR
France
Prior art keywords
crystallization
implementation
semiconductor
installation
production
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
FR9701635A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2759383A1 (fr
Inventor
Sylvain Paltrier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS
Original Assignee
Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS filed Critical Societe Francaise de Detecteurs Infrarouges SOFRADIR SAS
Priority to FR9701635A priority Critical patent/FR2759383B1/fr
Publication of FR2759383A1 publication Critical patent/FR2759383A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2759383B1 publication Critical patent/FR2759383B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/002Crucibles or containers for supporting the melt
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
FR9701635A 1997-02-07 1997-02-07 Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede Expired - Fee Related FR2759383B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9701635A FR2759383B1 (fr) 1997-02-07 1997-02-07 Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9701635A FR2759383B1 (fr) 1997-02-07 1997-02-07 Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2759383A1 FR2759383A1 (fr) 1998-08-14
FR2759383B1 true FR2759383B1 (fr) 1999-03-26

Family

ID=9503629

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9701635A Expired - Fee Related FR2759383B1 (fr) 1997-02-07 1997-02-07 Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2759383B1 (fr)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2172768A1 (en) * 1972-02-21 1973-10-05 Radiotechnique Compelec Composite material crystal growth - using soln of the cpd in presence of vapour-phase components(s)
JPH06157184A (ja) * 1992-11-13 1994-06-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 結晶成長用アンプル
US5871580A (en) * 1994-11-11 1999-02-16 Japan Energy Corporation Method of growing a bulk crystal

Also Published As

Publication number Publication date
FR2759383A1 (fr) 1998-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2734664B1 (fr) Procede pour realiser l'integration verticale de systemes de la microelectronique
FR2618754B1 (fr) Procede de fabrication d'etuis de conditionnement et etuis de conditionnement obtenus par la mise en oeuvre de ce procede
FR2761896B1 (fr) Procede et dispositif pour la realisation de produits chimiques de haute purete pour l'industrie micro-electronique
FR2620048B1 (fr) Procede de conduite d'une reaction thermochimique et installation permettant la mise en oeuvre de ce procede
FR2653702B1 (fr) Procede d'exploitation d'une installation pour l'extrusion de feuilles soufflees et installation pour l'extrusion de feuilles soufflees amenagee pour la mise en óoeuvre du procede.
FR2686794B1 (fr) Procede d'hygienisation de dechets et installation pour la mise en óoeuvre de ce procede.
FR2688885B1 (fr) Procede de diagraphie chimique d'un liquide et installation de diagraphie chimique pour la mise en óoeuvre de ce procede.
FR2764229B1 (fr) Procede pour la realisation d'un panneau insonorisant
MA20668A1 (fr) Procede de production d'acier a partir de fer spongieux et installation pour la mise en oeuvre de ce procede
MA24534A1 (fr) Procede pour la production d'irones
FR2737503B1 (fr) Procede de preparation de pigments mineraux, pigments mineraux ainsi obtenus, et installation pour la mise en oeuvre d'un tel procede
FR2643464B1 (fr) Procede pour augmenter la cadence image d'un sonar et sonar pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2526274B1 (fr) Procede de fabrication d'un liquide alimentaire et installation pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2759383B1 (fr) Procede pour la realisation d'un semi-conducteur par cristallisation d'un bain liquide et installation pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2598722B1 (fr) Procede pour la production d'un film metallique a la surface d'un metal de support
FR2792861B1 (fr) Procede de realisation de plots de soudure sur un substrat et guide pour la mise en oeuvre du procede
FR2807773B1 (fr) Procede de realisation d'un mur porteur et profile pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2566444B1 (fr) Procede de realisation de parois a partir d'elements parallelepipediques et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2640582B1 (fr) Procede d'habillage d'elements de boites montees et installation pour la mise en oeuvre de ce procede
FR2729387B1 (fr) Procede pour la fabrication d'hydroxy-alcoxy-benzophenones
FR2769639B1 (fr) Filiere pour le tirage de cristaux a partir d'un bain fondu
FR2673472B1 (fr) Procede pour la mise en evidence d'agglutinats eythrocytaires.
FR2727102B1 (fr) Procede d'elimination d'impuretes metalliques par voie electrochimique
FR2779211B1 (fr) Procede pour la realisation d'une structure de diedre et dispositif pour la realisation du procede
FR2723293B1 (fr) Procede pour la realisation d'une confiserie de type touron

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse