FR2718567A1 - Manufacture of thin layer powdered ferroelectric cathode - Google Patents
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Abstract
Description
I) FS;C R i PTION ('atlhode ferro('lc(triqîuic i)iir la prolduhctionI) FS; C R i PTION ('atlhode ferro (' lc (triqîuic i) iir la prolduhction
ed'ée('c-ons t sol procédé ic fabl)ricationI I 'invention concerne la fabrication simple et bon marche d'une source (de faisceaux d'électrons el ed'ée ('c-ons t sol process ic fabl) ricationI The invention relates to the simple and inexpensive manufacture of a source (of electron beams and
plus particulilremn:i, t di'une callhodc fcrr,électriq(lle qui. au olloen cld'excitation répétitive av(cc dcs imll- more particularly: i, t of a callhodc fcrr, electriq (lle qui. au olloen cld'excitation repétif av (cc dcs imll-
sionr (le couranlt (de forte intenwité dans cle domaine inferieur à une microscconlde, pecut émnettre sur lunle grande surfacc (les courants d'électronq intensifs dans le milieu environnant, qui peut être (lu gaz, du plasma ou du vide. I a production (de faisceaux d'(électrons pulsés. i l aide de cristaux ou de céramiques ferroélectriqules a été décrit en détail dans les dimanides (le brevets I'R - 2.639. 1511, I)1:- 3.833.604 et Fl - 0) 42R R52 sionr (the current (of high intensity in the field lower than a microscconlde, pecut emneler on one large surfacc (the currents of electronq intensive in the surrounding environment, which can be (read gas, plasma or vacuum. I a production (of beams of (pulsed electrons. it uses ferroelectric crystals or ceramics has been described in detail in dimanides (the patents I'R - 2.639. 1511, I) 1: - 3.833.604 and Fl - 0) 42R R52
A2. ainsi que dans les documinlts Il. (Jundel Il. Ricge, I:...N. Wilson.. 1. Ilanderek et K. Zioutas, I'er- A2. as well as in the documents. (Jundel Il. Ricge, I: ... N. Wilson .. 1. Ilanderek and K. Zioutas, I'er-
roeleclt:;ics 1f00 (I19RQ9) p. 1-16. et Il. Riegc, NIM in lPh-s. Researcih Ai 340 (1994) p. 80-8q. I e rayon d'action dc ces m(étlhodes (I'émilissionl c0nceCric (le nomibreux domaines d'application (les tec(tiiques (I'émission classiques et dépasse cri partie de beauîcoup les possibilités conventionelles. I es avantages principaux sont, outre le rend(eimlcnt élevé d'électrons, le maniement simple decs cathodes fe,'roélcctl-iqlie rbhustcs d,,is d(les conditions teIles que la compatibilité avec des atmosplhères environnantes (le gaz o(u t(le plasma av;,nt une tenmpérature ambiante élevée, sans qu'un échauffement (le la cathode ellc-mémer ne soit nécessaire, ou telles que la liberation aisée dle i'émission au moyen d'impulsions de haute tension (le roeleclt:; ics 1f00 (I19RQ9) p. 1-16. and he. Riegc, NIM in lPh-s. Researcih Ai 340 (1994) p. 80-8q. The radius of action of these methods (the emission of the conicric (the numerous fields of application (the techniques (the conventional emission and exceeds many part of the conventional possibilities). The main advantages are, besides makes it (eimlcnt high of electrons, the simple handling decs cathodes fe, 'roélcctl-iqlie rbhustcs d ,, is d (conditions such as compatibility with surrounding atmospheres (gas o (ut (plasma av;, nt a high ambient temperature, without heating (the cathode ellc-memer is not necessary, or such that the easy release of the emission by means of high voltage pulses (the
faible amplitude. d'illumination par laser ou d'impulsions de pression mécanique. low amplitude. of laser illumination or mechanical pressure pulses.
Toutes les cathodes ferroélectriques décrites à ce jour étaient réalisées sous la fonne (le plaques milinces à partir dt barres en matériau monocristallin ou ien matériau céramique nolycristallin fritté plus ou moins romogXt:. Des réalisations d' couches minces par (les proc(édés d(le couehes minces col1alits 0 ont également abouli l des résultats satisfaisants. I ec dcux procédés fournissent des émetteours de boinne All the ferroelectric cathodes described to date have been produced in the form (milanese plates from bars made of monocrystalline material or of nolycrystalline ceramic material sintered more or less romogXt:. Realizations of thin layers by (the proc (edés of ( thin films of colalities 0 have also produced satisfactory results.
qunalité (le grande duree dle sie et de capcité' d ét'miqsioln élevée.I 'outefois, la production d(le cathodcs fer- qunality (the long duration of the sie and of capacity of high etiqsioln.I 'however, the production of (the cathodcs fer-
roêlcctriques selon (Cs deLiX procédés s;t r,'' tres (P'olotuse. Pour (le nombreuses applications. pauliculi(- roêlcctriques according to (Cs deLiX processes s; t r, '' tres (P'olotuse. For (the numerous applications. pauliculi (-
reimenit celles o de ga(lades surFices (le cathodes sont nécessaire, Uln protcédé (Ie fabrication moins co- reimenit those o de ga (lades surFices (cathodes are necessary, Uln protcédé (Ie manufacturing less co-
teux et plus simple est souhaitable- teux and simpler is desirable-
I es inl(olvninenits es ctIhodes ferroésectriuldes existalites, a savoir uneC fabrication coûtelise partic(ll- I es inl (olvninenits es ctIhodes ferroésectriuldes existalites, namely a costly manufacturing partic (ll-
lieierilelit lpolire des grandes surfaces émettri(es, sont supprimés par la présenite invention. llle ptcit Cn quelque soile être considerée cormme la 'cathode (hi pauvre". De plus. elle combine avec uneC fahbricatinm simple une grande (capacité d 'émission à l des tensions d'excitation faibles dle l'ordre de centaines (le volts lieierilelit lpolire large emitted surfaces (es, are removed by the present invention. It can be considered as something like the "cathode (hi poor". In addition. it combines with a simple fahbricatinm a large (emission capacity at low excitation voltages of the order of hundreds (volts
selon l'épaisseur ct la comp<ositionI (le la cathodce. depending on the thickness and the comp <ositionI (the cathodce.
:.'objet de la présent invention est donc la mis en oeuvre d'uce cathode ferroélectrique bon marché The object of the present invention is therefore the implementation of an inexpensive ferroelectric cathode cathode
à grandie capa'ité d'émissionI qui peut être fabriqlluée avec des techniques très simples. with large emission capacity I which can be manufactured with very simple techniques.
Ces exigences sont satisffites par tuc catlhodc 'rro-oleclcctrique constituée d'une première couche con- These requirements are met by tuc catlhodc 'rro-oleclcctrique consisting of a first layer
dluctrice, d'au moins une couche mince dc matériau fcr-roélectrique. d'aur moins un arrangement Id élcc- dluctrice, at least one thin layer of fcr-roelectric material. to have at least one arrangement Id elcc-
trode partiellement transmetteur d'électronis et d'au moins une électrode ie réception. partially electronically transmitting trode and at least one receiving electrode.
Selon l'inveltion, la cathode ferroélcctri(que est fabriquée suivant mn procédé( comprenant les étapes su ivantes: mn mnatériau e r.oé1ectrique est brové pour obtenir uerc poudre f grains Ill'd, page 2 According to the invention, the ferroelcctri cathode (which is manufactured according to my process (comprising the following steps: mn mnaterial e r.oé1ectrique is brové to obtain uerc powder f grains Ill'd, page 2
* le malteriau fcrroelectriquic hrov est minélanLé avec une liant pour obteilir un mélangc fcrroélec- * the hrov fcrroelectriquic malteriau is minelanLé with a binder to obtain a fcrroélec- mix
lri(qilc avant unle conistance ltC slenbl;lc;i une palte. lri (qilc before unle conistance ltC slenbl; lc; i a palte.
* lc mélanCgC fcrroéletri(lqtie est appliqué sur au moinS tiun côté (ic la couche conductricc pour former unc coucheC fcrroclecttlique. et * l'arrangement (d'lcctlrodc parliellcincnt tansmcietteur d'électrons est fixc sur la couche fcrroélcc- triquc. * the melcoCgC fcrroéletri (lqtie is applied on at least one side (ic the conductive layer to form a layer cr fcrroclecttlique. and * the arrangement (of lcctlrodc parliellcincnt tansmciciron of electrons is fixedc on the layer fcrroélcccc-triquc.
Dans uni mode de réalisation particuliCer- dc l'invention, les 6tapes d'appliquer la couche fcrroélec- In a particular embodiment of the invention, the 6 steps of applying the cold coat
trique ct de fixer l'arrangement d'électrode sont cffcctuées sur les dcux côtés dce la couche conductrice. Il side and to fix the electrode arrangement are cffcctued on the two sides of the conductive layer. he
cst ainsi possible dc réaliser des systrnes cylindrcsynétriqucs à trois tubes par cxemple. it is thus possible to produce three-cylinder cylindrical systems for example.
Avantageusemincnt, l'application dc la couche ferroélectriquc cst effecctuée par laminagc mécanique eou par cntiduction avec unc épaisscur définie. (Ces dcux méthodes sont ncttement plus simplc ct moins coûteuses que Ies procdés des couches minlces, tels que, par excmple. la vaporisation out l'application par pulvérisaltion ou par ('VD) (idéposition cn phasc gazeuse par procédé chimique). Dans un autre mode (ldc réalisation avantageux. l'application dc la cco cmhe ferroélectri(leic est cffectuée par immnersion de la Advantageously, the application of the ferroelectric layer is carried out by mechanical laminating or by induction with a defined thick thickness. (These two methods are much simpler and less costly than thin film methods, such as, for example, vaporization or application by spraying or by (VD) (idéposition cn gaseous phase by chemical process). other mode (ldc advantageous embodiment. the application of the cco cmhe ferroelectri (leic is cffectue by immnersion of the
couche conductrice dans cl mélange fcr-roélcctriquc liquide. Il est ainsi possible d'enduire la couche con- conductive layer in the liquid fcr-roelctric mixture. It is thus possible to coat the layer
ductrice simullanémlcnilt des deux cotés avcc d(les couches fcrroélcctriqucs. conductive simullanémlcnilt on both sides avcc d (the layers fcrroélcctriqucs.
Sclon un mode (le rélis:ation particlier (le l'invention la fixation (le l'arrantement d'élecctrodc par- According to a mode (the real: ation particlier (the invention the fixing (the fixing of electroctrodc by-
tlicllement trallsnmettcir d'électrons sur la couche fert-oélcctriqute cst cffectuée par vaporisation à travelrs (les mlasques adaptés;' la firmne (le l'élcctrode. I 'avantage dc cette mise eCri (ixre consiste dans les faibls tlllllllow trallsnmettcir of electrons on the fert-electrified layer is effected by vaporization with travelrs (the adapted masks; 'the firmne (the electrode). The advantage of this writing is the weak
sollicitations mécaniq(tes ct thicrmiqucs de la couche ferroélecCtrique. mechanical stresses (the thermal side of the ferroelectric layer.
l)ans un autrc mnode de réalisation de l'invention. la fixation de l'arrangement d'électrode partiellc- l) in another embodiment of the invention. fixing the partial electrode arrangement
ment transmctteur d'électrons sur la couchc ferroélectrique est effectuée par sérigraphie. (e proccédé est plus simple que la vaporisation, mais la couche ferroélectrique doit assimiler les tensions thermniques The electron transmitter on the ferroelectric layer is done by screen printing. (e process is simpler than vaporization, but the ferroelectric layer must assimilate the thermal tensions
apparaissant lors dlu trailment thermnniquc final sans s'écailler de la couche conductrice. appearing during the final thermal trail without flaking off the conductive layer.
Avantageusement, le matériau fcrroélctrique utilisé cst (lu titanate de plomb ou du titanate dc Advantageously, the electrical material used is (lead titanate or titanate dc
plomb-la;ithamiuin-zirc(niunl (PI ZTI), cete classc dc fcrroélcctriqucs présentant (les valcurs de polarisa- lead it; ithamiuin-zirc (niunl (PI ZTI), cete classc dc fcrroélcctriqucs presenting (the valcurs of polarisa-
tioin spoîtlan'ée particuliremnct élcevécs. Nlais l' utilisation d'Iautrcs matériaux ferroélcctriqiues nr',st pwa Àcluc. Ia poudre ferroélcctrique ptcut être Obtenute cn broyant dcs céramiquc (dcsdits matériaux la taille mo;enne des grains (le la poudre devant étre comprise entre I pin et (. I min. ('omrme liant pour la poudre fcrro(iélectrique(llc, on peut avantageusement utiliser du plexiglas dissout tioin spoîtlan'ée particularly electedécs. Nlais the use of Other ferroelectric materials nr ', st pwa Àcluc. The ferroelectric powder can be obtained by grinding ceramics (of such materials the small size; grain size (the powder having to be between I pin and (. I min. ('Binder omrme for the cryo powder (electric, can advantageously use dissolved plexiglass
(lans (lu chloroforme. cc dernier pouvant;aisencent trc évaporé par échauffement d(lu disposilif. (lans (lu chloroform. cc last can; aisencent trc evaporated by heating d (lu device.
Sclon la présente invention. (St (otc proposé uitelC catho(lde ferroélectrique constituée d' une première couche conlductrice. d';i mloins 1lii cout lic mince dc mnatériau roélectrique. d'au moins un arrangement d'électrode partiellenmenit transmetteltr id'élcctrons et d'au inmoins une clectrode dle réception, la cathode According to the present invention. (St (otc proposed uitelC catho (lde ferroelectric consisting of a first conductive layer. Of; i less than llii cost lic thin dc roelectric material. Of at least one arrangement of partial electrodeenmenit transmitteltr of electrons and at least a reception clectrode, the cathode
étant caractérisée ce ce quc la couiche festoélctlriqlc cst constituée d'un mélrlange de matériau ferroélec- being characterized what the festoelctlriqlc cover is made of a mixture of ferroelectrical material
trique pulverisé et ed'tn li;an DCeux modes le l'éalisation le la pr(ecnlt(' iventioil vont maintenant être d(éecrits dans la descripltiel suivantile, titre d'cxcmples non limitatifs. cli réferénce aux (dessins joints, sur Icquels: trique pulverisé et ed'tn li; an DCeux modes le the realization le la pr (ecnlt ('iventioil will now be described (written in the following description, title of xcmples nonlimiting. cli refer to the (attached drawings, on Icquels :
la figure I rcprésiente schémnatiquemenlt uine cathode sclon un premier mode (le réalisation dc I'in- Figure I schematically represents a cathode according to a first mode (the realization of the
ciîtion, ctciîtion, ct
la figure 2 reprscnlte schémnatiquemient titc cathiode scli titi nsecolid modle (le réalisation (lc il- Figure 2 shows schematically titc cathiode scli titi nsecolid model (the realization (lc il-
ve'ltitI o.ve'ltitI o.
p:,ec 3p:, ec 3
i a cathode reprcscnlce sur la lig Iest constltitc d'lcune couchlle conductrice plane RE, par exaptill)lc UIe Clecitrodc d(le base, qui pcut avoir une forrmc (tluC(lclquce Ct qui cst réalisée Cil Un matcriau COl(illc- i at the cathode shown on the lig is made up of a flat conductive layer RE, by exaptill) lc UIe Clecitrodc d (the base, which can have a form (tluC (lclquce Ct which is made Cil A material COl (illc-
(Cur, ItelC quc (le la tiec mctallique par cxcnmple. Sur un dics c6ités dlc citte couche conductrice RF,. Ic côté supérieur sur la fig. 1, cst applique unc mince couche frrroélcctriquc I 1'. Selon I invention, ceCttC couche fcrroélcctriqtie '[T sc compose d'un nmatéiau fcrroélcclriqic brovc sous forme (le poudrc à grains fins tcl (Im liant organiquc ou atoirganlliqie non-conductcur. Cormme matériau fcrroélectrique, on utilise avai- tageuscinecnt du titanate dc plomb ou du PU ZTI (titulatce de plomb-lantanium-zirconiunm), qui présentent lecs valeurs (ldc la polarisalion spontanéic 1e c\es et qui peuvent aisément ctre bhoyis à partir dc desdits imatériaux céramiques pour former unc pou(drc à grains fins. I.a taille moyennics d(les grains devrait ltre10 inféricur i environ I.l 1 min, pour quc I homogénéité d(le la couche ferroélcctri(quie soit garantie, mais nc (Cur, ItelC quc (la la tiec mctallique par cxcnmple. On a dics c6ités dlc citte conductive layer RF ,. Ic the upper side in Fig. 1, cst applies a thin layer frrroélcctriquc I 1 '. According to I invention, ceCttC layer crcrroélcctriqtie '[T sc is composed of a necreator fcrroélcclriqic brovc in the form (the fine grain powder tcl (Im binder organic or atoirganlliqie non-conductive. As froelectric material, one uses avait- tageuscinecnt lead titanate or PU ZTI (titrate of lead-lantanium-zirconiunm), which have the same values (ie spontaneous polarization) and which can easily be bhoyis from said ceramic materials to form a louse (fine grain drc. Medium size d (grains should ltre10 inféricur i approximately Il 1 min, so that I homogeneity d (the ferroelctct layer (which is guaranteed, but nc
dcvrait pas tlrc inférieure à cnviron I /in., pour assuirer la formiation (le la phase fecrroélectrique. should not be less than about I / in., to ensure the formation (the fecrroelectric phase.
I c liani peuit î'rc par exemple du plexiglas (diissout dans d u(l chloroformc. I a poudre ferioélectri(lil( I c liani peuit î'rc for example plexiglass (diissout in d u (l chloroformc. I a ferioelectri powder (lil (
cit le liantl sont m (Iblan. c- (It ma lir oi<,gilc pour ottenir un mllange fcrroéulcctrique ayant uine con - cit le liantl are m (Iblan. c- (It ma lir oi <, gilc to get a frroéulcctrique mllange having a cone -
sistance semblablc ui tnc pilc..\prés applicnlion (de cc mélange fcrroélcctriq(luc sur la couche condicictc RF-, ce qui petut par exemple tre obitenr par laîilîîage (lu par cnduction avec ulle épaisseur d(lhnie. le similar resistance to a pilc .. \ near applicnlion (of this cold mixture (luc on the condicictc layer RF-, which could for example be obitenr by leîîîîillage (read by cnduction with ulle thickness d (lhnie.
solvanit. c'cst à dlire le chloroformnc dans noire excmple, cst facilement évapoié par échauffement A-/\vttu- solvanit. it is to read chloroformnc in our excmple, it is easily evaporated by heating A - / \ vttu-
tagcuscmenit la couchc condulctlricc RI pecut aussi:tre immergée danis le mélange ferroélectriquc. rai tagcuscmenit the RI condulctlricc couchc also performs: be immersed in the ferroelectric mixture. spoke
(loi laditcle couchlc (conductrice Rl csl cndiite simultanémcelt des dcux cotes avec une telle couchc fcrio- (laditcle couchlc law (conductor Rl csl cndiite simultanémcelt des dcux cotes with such couchc fcrio-
électrique Il Tloutefois, les autres méthod<cs d'application précitées sont également adaptées pour,ime However, the other aforementioned application methods are also suitable for ime
application du mélanlgc ferroélectrique sur les deux c6tés (le la couche conductiice (RI). application of ferroelectric melanlgc on both sides (the conductive layer (RI).
Sur la couchc fcrroélectrique 1:1 cst fixé un arrangemenlt d'électrodc G(I. Ceci cst réalis' par example par vaporisation. par pulverisation cathodique ou par sérigraphie sur la c6té émetteur dc la couche fcrroélectrique 1l,. Selon l'invention, l'arrangement d'électrode GE est partiellement transmctintcur On the 1: 1 electrocoating layer is fixed an electrode arrangement G (I. This is done for example by vaporization, by cathodic spraying or by screen printing on the emitting side of the electrocoating layer 11, according to the invention, GE electrode arrangement is partially transmctintcur
pour les électrons à émcttre et est par examnple réalisé sous la forme d'une grille à bandes ou à trous. for the electrons to be emitted and is by examnple produced in the form of a grid with bands or with holes.
I:acc à la surface écmettricc (le la couche ferroélectriquc Fl, c'est à d(lire face à l'arrangement d'é1cc- I: acc to the emmetric surface (the ferroelectric layer Fl, it is to d (read opposite the arrangement of 1cc-
trode GiF, est disposée uCe -lccirolc dc(le réccption Z;'1 (Anode) par laquelle Ic circuit émetteur est fermé électlriquement. i'éleclrode dlc técc)ptio ZI:1 est s dparée le 'a'angemnt d'éleccitrode GF' par un volilinc dans Icqucl la cathode émeit ldcs ''le'rous. ('c vluinc,cult avantaeetcsement contenir un vide poussé, dit trode GiF, is arranged uCe -lccirolc dc (the reception Z; '1 (Anode) by which the transmitter circuit is electrically closed. the eleclrode dlc técc) ptio ZI: 1 is separated by the' a'angemnt of eleccitrode GF 'by a volilinc in Icqucl the cathode emits ldcs'' le'rous. ('c vluinc, cult avantaeetcsement contain a vacuum, says
gaz ou du plasma.gas or plasma.
Sur la figure 2 csl représenté un second mO(de (le réalisation (le l'invcnltion, dJans lequel la cathlode cst ar'ange dants,meu c(ifiguration coaxialc céidC ytriquc a tr(ois tlubhes. I e tube central. cos-tit6llé de la couche codulc'lice RIL, est pouir i respccti\iement a i ihitiérieur et à l'extérieur avc uc U l((ouche fcrroélectriqe émettclricc I:: ct [J1:2. qi témettlent chlactiie (leq électrons rcspcctivemneit sur le lube' inteérieur, c'cst à (lire l'élecitrode(l de rccptlion Z7 I. et sur ie tube cxtérieur. c'est à dire l'électrodc dc réception Zl:2. I l'arrngeicnt rcmnferme *leCx volumnes. qui sont d'abord remplis avec des gaz inertes, qui peuvent être diffécrcits et qui. aprés ioiis;qtioi par des faisceaux d'électrons emnis, peuvent étre illcités:i des réactions chiiiiqîles par l'iiincrinédiaic d('ouivcrituircs d(le liaison dans le système (le tube. A la place dî In Figure 2 csl shows a second mO (of (the realization (the invcnltion, dJans which cathode cst ar'ange dants, meu c (ifaxation coaxialc céidC ytriquc a tr (ois tlubhes. I e central tube. Cos- titillated with the coding layer RIL, is able to respccti \ ially have it inside and outside with uc u l ((ouche fcrroélectric emettclricc I :: ct [J1: 2. which testify chlactiie (leq electrons rcspcctivemneit on the lube 'interior, it is to (read the elecitrode (l of reception Z7 I. and on the external tube. ie the receiving electrode Zl: 2. I arrngeicnt rcmnfme * leCx volumnes. which are first filled with inert gases, which can be differentiated and which after ioiis; qtioi by beams of emitted electrons, can be illicit: i chiiiiqîles reactions by iincrinédiaic d ('ouivcrituircs d (the bond in the system (the tube. Instead of
gaz sous pression quclconquc, cl svstlmc i- Clut alussi tre rempli avec du plasma. pressurized gas quclconquc, cl svstlmc i- Clut also to be filled with plasma.
I cs dieux mo(des de réalisaiolis sontl ba'és sur le faiit. que. lors du fonctioinnement d'émission avc I cs gods mo (of realaiolis arel ba'és on the fact. That. During the functioning of emission with
uni taux d(le l'petition levé. de grandes quantités dle gaz peuvent être activées et mises cll réaction en ch'- uni rate d (petition raised. large quantities of gas can be activated and reacted in ch'-
culanit à travers de ces s\stemes. Il est toutcfois à unoteî. q,'en raison de la longueur de clcmini lilbrc des électrons dépeld;cl ctii le la pression du gaz. lesdlits élecitrohs ayait une énergie cinétique le l'orhdre de l'amplitudle <les impulsions <le tensionL utilisecs pour exciter l'émission, l'optimisation des processus dle reactions chimiques cxige Ic control dc la prcscion et dc la vitesse dlc passagc du gaz, ainsi quc la choix culanit through these s \ stemes. However, he is in Unoteî. q, 'due to the length of clcmini lilbrc of the electrons de-bonded; cl ctii le the pressure of the gas. the electrics had kinetic energy, the amplitude order <the impulses <the voltageL used to excite the emission, the optimization of the chemical reaction processes requires Ic control dc preccion and dc pass gas velocity, as well as the choice
adéquat (lec la dislance entrc l'lcctrodc de rc"cption;F ct l'arrangenment d'lectrode (GiE. adequate (lec the distance between the receiver lcctrodc; F ct the electrode arrangement (GiE.
Il faut galecmcnt notcr. quc pour l'utilisaIion de surfaces d'émission (ie la taille de quclques cen- You must also notcr. for the use of emission surfaces (ie the size of a few
taines d(c cmi2 jusqu'au mn2, des éncrgics ilcctri(qles primaires, particulièriemcnt des puissances d 'iipmul- taines d (c cmi2 up to mn2, ilcctri encrgics (qles primaries, particularly the powers of iipmul-
sions d'excilation très célevéces doivcnt étrc louirnics I)e telles impulsions d(e haut puissance pecuvelt ctIe produitcs par lc montagc cni parnllcl ic leIi icurs pctils génératecus d'impulsion ayant une impédancc sions of very high excilation must be very louirnics I) such impulses of (high power pecuvelt ctIe produced by lc montagc cni parnllcl ic leIi icurs pctils generatecus of impulse having impedancc
basse ou par des générateurs d iipulsions SCpéciaux,î haute puissance et fort courant avant unec impé- low or by special SC pulse generators, î high power and high current before impec
(lance basse.(bass lance.
ID)ans les deux modes (ldc ralisalio. ont été dCcrits tine cathode plane, émiltricc d'ulin c6té c trune calihode cllindrique émittrice (lecs deux (otés. Il s csl alir. quc la catlhode scelon l'invention peotit adoplcr unc forinmc quelconquc. llie pourrait par example étrc convexe. concave, ou sphérique ct éniettric dans ID) in both modes (ldc ralisalio. Have been described as a flat cathode, emulsion eminic c6té c trune calihode emitting cllindrique (lecs deux (otés. It csl alir. Quc catlhode according to the invention can adoptcr for anymcc whatever) It could for example be convex, concave, or spherical and eniettric in
tous les cas soit uiniquiciicilmnt d'un coté, soit des deux cttés. all cases either uiniquiciicilmnt on one side, or on both sides.
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FR2789221A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-04 | Univ Nantes | Electron emissive ferroelectric cathode for an electron tube, flat display screen or particle accelerator has supplementary ferroelectric, anti-ferroelectric or dielectric layer covering electrode portion edges |
FR2789223A1 (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-04 | Univ Nantes | Electron emissive ferroelectric cathode for an electron tube, flat display screen or particle accelerator has electrodes positioned to provide a main electric field line component parallel to the electron emissive surface |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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SU575711A1 (en) * | 1976-03-30 | 1977-10-05 | Ордена Трудового Красного Знамени Институт Радиотехники И Электроники Ан Ссср | Electronic emitter with reduced electrode affinity |
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EP0428853A2 (en) * | 1989-11-23 | 1991-05-29 | Hans Dr. Riege | Cathode for producing intense, modulated, one- or multichannel electron beams |
JPH05325777A (en) * | 1992-05-26 | 1993-12-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ferroelectric cold cathode |
-
1994
- 1994-04-12 FR FR9404424A patent/FR2718567B1/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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FR2718567B1 (en) | 1996-05-24 |
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