FR2663785A1 - Housing for power semiconductor components - Google Patents
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Abstract
Description
BOITIER POUR COMPOSANTS SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE
La présente invention concerne le domaine des semiconducteurs de puissance et plus particulièrement des boîtiers adaptés à de tels cxlxxsants. HOUSING FOR POWER SEMICONDUCTOR COMPONENTS
The present invention relates to the field of power semiconductors and more particularly to packages adapted to such cxlxxsants.
Un exemple de boîtier classique pour cOmpOsants semiconducteurs de puissance est le boîtier décrit dans le brevet américain 4 510 677 et commercialisé par la société SGS-thomson Microelectrcnics sous la marque déposée ISOTOP. Un tel boîtier peut contenir un ou plusieurs composants de puissance et comprend un nombre de pièces relativement important. Par exemple, dans la figure 1 de ce brevet américain, on peut voir un boîtier compre- nant une embase métallique sur laquelle est posse une plaquette d'un matériau isolant électriquement et bon conducteur de la chaleur, par exemple une céramique d'alumine à faces métallisées. An example of a conventional package for power semiconductor components is the package described in American patent 4,510,677 and marketed by the company SGS-Thomson Microelectrcnics under the registered trademark ISOTOP. Such a case can contain one or more power components and comprises a relatively large number of parts. For example, in FIG. 1 of this American patent, one can see a housing comprising a metal base on which is placed a plate of an electrically insulating material and good conductor of heat, for example an alumina ceramic with metallic faces.
Sur cette plaquette électriquement isolante est placée une plaquette électriquement conductrice servant de répartiteur thermique, par exemple en cuivre, sur laquelle sont fixées par brasure des puces de caposants électroniques de puissance. Des cosses, faisant initialement partie d'une grille de connexion, sont reliées à des plots appropriées des composants de puissance par des fils d'or et l'ensemble est encapsulé dans un boîtier de matière plastique ou moulé dans de la matière plastique. On this electrically insulating plate is placed an electrically conductive plate serving as a thermal distributor, for example made of copper, on which are soldered chips of power electronic caposants. Lugs, initially part of a connection grid, are connected to appropriate studs of the power components by gold wires and the assembly is encapsulated in a plastic casing or molded in plastic material.
les diverses pièces susmentionnées, et notamment l'embase et les cosses sont relativement épaisses pour permettre un écoulement sans dissipation thermique notable du courant susceptible de circuler dans le composant de puissance. the various aforementioned parts, and in particular the base and the lugs are relatively thick to allow flow without significant heat dissipation of the current likely to flow in the power component.
De tels boîtiers souffrent de deux inconvénients qui apparaissaient jusqu'ici carme inévitables : la nécessité d'assembler plusieurs pièzes élémentaires et leur poids relativement important dû à la quantité de matière métallique utilisée. Such boxes suffer from two drawbacks which appeared hitherto inevitable: the need to assemble several elementary traps and their relatively large weight due to the quantity of metallic material used.
Un objet de la présente invention est de prévoir un nouveau type de boîtier pour composants de puissance qui soit particulièrement simple, léger et peu coûteux. An object of the present invention is to provide a new type of housing for power components which is particularly simple, light and inexpensive.
Dans ce qui précède et dans la description qui suit, on entend par composant semiconducteur de puissance, un composant susceptible de laisser passer des courants électriques importants et dont le boîtier comprend des cosses destinées à être fixées à des barres ou câbles conducteurs par vissage, brasure, soudure, etc. Ces cosses doivent donc présenter une bonne conduction électrique et thermique. In the foregoing and in the description which follows, the term “power semiconductor component” means a component capable of allowing large electric currents to pass and the housing of which includes lugs intended to be fixed to conductive bars or cables by screwing, soldering , welding, etc. These terminals must therefore have good electrical and thermal conduction.
Pour atteinre ces objets, la présente invention prévoit un boîtier pour composants semiconducteurs de puissance composé d'un profilé en un matériau tricouche conducteur-isolant- oeur, le fond du profilé formant embase pour recevoir au moins un posant de puissance et les ailes du profilé formant des cosses de connexion, la couche conduccrice supérieure du profilé étant gravée pour former des surfaces équipotentielles depuis la région de dnaue cosse jusqu'à une région proche du composant à partir de laquelle est établie une liaison avec un ou plusieurs plots du ou des composants. To achieve these objects, the present invention provides a housing for semiconductor power components composed of a profile made of a three-layer conductive-insulating-core material, the bottom of the profile forming a base for receiving at least one power layer and the wings of the profile. forming connection lugs, the upper conducting layer of the profile being etched to form equipotential surfaces from the terminal dnaue region to a region close to the component from which a connection is established with one or more studs of the component (s) .
Selon un mode de réalisation de la présente invention, les ailes sont repliées selon un plan parallèle à l'embse. According to an embodiment of the present invention, the wings are folded in a plane parallel to the base.
La présente invention, prévoit aussi un procédé de fabrication d'un tel boîtier canprenant les étapes suivantes
a) partir d'un flan d'un matériau trioeucbe conduabeur- isolant-conducteur,
b) graver la couche supérieure de ce matériau pour former des régions distinctes dont les unes correspondent à des plages de soudure des faces arrières des ctsants et les autres aux diverses cosses du boîtier,
c) souder le ou les composants sur lesdites plages de soudure,
d) connecter par des fils conducteurs les plots du composant aux zones de cosses appropriées, et
e) replier et découper le flan pour former des ailes constituant des cosses de connexion.The present invention also provides a method of manufacturing such a housing comprising the following steps
a) from a blank of a three-conductive-insulating-conductive material,
b) etching the upper layer of this material to form distinct regions, some of which correspond to welding pads on the rear faces of the sides and the others to the various pods of the housing,
c) weld the component (s) on said weld pads,
d) connect the component pads to the appropriate terminal areas by conducting wires, and
e) fold and cut the blank to form wings constituting connection lugs.
Ces objets, caratéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers de la présente invention faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles::
la figure 1 représente une vue en coupe d'un support de circuit imprimé classique
la figure 2 représente un exemple de vue de dessus d'une portion d'un circuit imprimé classique;
la figure 3 représente une vue en coupe partielle selon la ligne III-III de la figure 2
la figure 4 représente une vue en perspeaLive hÉma- tique d'un boîtier selon la présente invention;
la figure 5 représente une vue de dessus du boîtier selon la présente invention lors d'une étape préliminaire de fabrication;
la figure 6 représente une vue de dessus d'une variante d'un boîtier selon la présente invention lors d'une étape préliminaire de fabrication; et
la figure 7 illustre un montage utilisant la variante de boîtier de la figure 6.These objects, characteristics and advantages as well as others of the present invention will be explained in more detail in the following description of particular embodiments of the present invention made in relation to the appended figures among which:
Figure 1 shows a sectional view of a conventional printed circuit support
FIG. 2 represents an example of a top view of a portion of a conventional printed circuit;
Figure 3 shows a partial sectional view along line III-III of Figure 2
FIG. 4 represents a hEMATIC perspective view of a housing according to the present invention;
Figure 5 shows a top view of the housing according to the present invention during a preliminary manufacturing step;
Figure 6 shows a top view of a variant of a housing according to the present invention during a preliminary manufacturing step; and
FIG. 7 illustrates an assembly using the housing variant of FIG. 6.
La figure 1 représente une plaque de circuit imprimé telle que celle disponible sous l'appellation Thermal Clad auprès de la société Bergguist, Minneapolis, Minesotta, USA. Cette plaque comprend une couche inférieure métallique 1 en aluminium, d'une épaisseur de l'ordre du millimétre, une couche mince 2 ayant la fonction d'un isolant électrique et d'un ooeducteur thermique et une couche supérieure de cuivre 3. On a également représenté au-dessus de la couche de cuivre 3 une abouche de résine 4 permettant la gravure par photolithographie de la couche de cuivre selon un motif de circuit imprimé désiré. FIG. 1 represents a printed circuit board such as that available under the name Thermal Clad from the company Bergguist, Minneapolis, Minesotta, USA. This plate comprises a metallic lower layer 1 of aluminum, with a thickness of the order of a millimeter, a thin layer 2 having the function of an electrical insulator and a thermal reducer and an upper layer of copper 3. also shown above the copper layer 3 a resin layer 4 allowing photolithography etching of the copper layer according to a desired printed circuit pattern.
La figure 2 représente une vue de dessus d'un exemple d'une partion de circuit imprimé formé à partir d'une plaque du type illustré en figure 1, la figure 3 étant une vue en coupe selon la ligne III-III de la figure 2. Dans la vue de dessus de la figure 2, on a représenté un composant à montage en surface 11 et un dipôle à montage en surface 12 reliés à des plots de connexion, eux-même reliés à d'autres plots de connexion ou à des éléments d'un connecteur 13 par des conducteurs 14. Figure 2 shows a top view of an example of a printed circuit partition formed from a plate of the type illustrated in Figure 1, Figure 3 being a sectional view along line III-III of Figure 2. In the top view of FIG. 2, a surface-mount component 11 and a surface-mount dipole 12 are shown connected to connection pads, themselves connected to other connection pads or to elements of a connector 13 by conductors 14.
Un avantage de ce type de circuit imprimé est qu'il permet de monter directenwt des composants de puissance en boîtiers ou sous forme de puces nues dont l'une des faces est soudée à une portion de cuivre laissée en place pour assurer une répartition des contraintes thermiques. La face arrière 1 du circuit imprimé peut dans certaines applicaticss être reliée à un radiateur. An advantage of this type of printed circuit is that it makes it possible to mount power components directly in housings or in the form of bare chips, one of the faces of which is soldered to a portion of copper left in place to ensure stress distribution. thermal. The rear face 1 of the printed circuit can in certain applicaticss be connected to a radiator.
Il est également prévu par le fabricant de ces circuits imprimés d'utiliser des profilés formés à partir de telles plaques multicouches pour servir de radiateur à de multiples compo- sants de moyenne puissance. Dans ce cas, ce sont les cosses normales des composants, mis individuellement en boîtier, qui servent de cosses de connexion. Ainsi, on ne peut pas considérer le rail thérmique propose par la société Bergguist carme un boîtier autonome comprenant ses propres cosses de connexion. It is also intended by the manufacturer of these printed circuits to use profiles formed from such multilayer plates to serve as a radiator for multiple medium power components. In this case, it is the normal lugs of the components, individually packaged, which serve as connection lugs. Thus, we can not consider the thermal rail offered by the company Bergguist carme a self-contained housing with its own connection lugs.
Par contre, la présente invention prssse comme cela sera exposé ci-apres de former à partir d'une plaque du type de celle représentée en figure 1 un boîtier autonome muni de cosses de connexion pour le montage d'un ou plusieurs composants de puissance. By cons, the present invention prssse as will be discussed below to form from a plate of the type shown in Figure 1 a self-contained housing provided with connection lugs for mounting one or more power components.
La figure 4 illustre un exemple de réalisation d'un boîtier selon la présente invention muni de trois cosses de connexion correspondant par exemple à deux bornes de puissance (aollecteur et émetteur, drain et source, anode et cathode, ...) et à une borne de commande (base, grille, gâchette, ...) d'un composant de puissance (transistor bipolaire, transistor MOS, thyristor, ...). Ce boîtier est constitué d'un profilé formé à partir d'un flan 20 tel qu'illustré en figure 5. Ce flan est constitué d'un morceau d'une plaque telle que celle illustre en figure 1. le profilé comprend une embase 21 et des ailes formant cosses 22, 23 et 24.Les ailes 22, 23 et 24 sont dans des plans parallèles à l'embase 21 et en sont solidaires par des flancs ortgonaux 26 et 27. FIG. 4 illustrates an exemplary embodiment of a box according to the present invention provided with three connection lugs corresponding for example to two power terminals (aollector and emitter, drain and source, anode and cathode, etc.) and to a control terminal (base, gate, trigger, ...) of a power component (bipolar transistor, MOS transistor, thyristor, ...). This housing consists of a profile formed from a blank 20 as illustrated in FIG. 5. This blank consists of a piece of a plate such as that illustrated in FIG. 1. the profile comprises a base 21 and wings forming lugs 22, 23 and 24. The wings 22, 23 and 24 are in planes parallel to the base 21 and are integral with it by ortgonal sides 26 and 27.
Dans les figures 4 et 5, on a représenté par des hachures des régions où la couche métallique supérieure (la ouche 3 de la figure 1) a été enlevée. Il reste ainsi dans ce mode de réalisation quatre plages métallisées isolées les unes des autres : une plage centrale 30 sur l'embase destine à revoir la face arrière du composant semiconducteur, une plage 31 se prolongeant sur la partie formant cosse 22, une plage 32 se prolongeant sur la partie formant cosse 23, et une plage 33 se prolongeant sur la partie formant cosse 24. In FIGS. 4 and 5, the regions where the upper metal layer (the hatch 3 in FIG. 1) has been removed have been represented by hatching. There thus remains in this embodiment four metallized pads isolated from each other: a central pad 30 on the base intended to review the rear face of the semiconductor component, a pad 31 extending on the terminal portion 22, a pad 32 extending on the terminal portion 23, and a pad 33 extending on the terminal portion 24.
Dans le cas où le composant de puissance monté dans le boîtier est un transistor, la plage 31 sera reliée par des fils 41 au collecteur, la plage 32 par des fils 42 à l'émetteur, et la plage 33 par des fils 43 à la base. In the case where the power component mounted in the housing is a transistor, the pad 31 will be connected by wires 41 to the collector, the pad 32 by wires 42 to the emitter, and the pad 33 by wires 43 to the based.
Ainsi, grâce à la présente invention, un profilé unique remplace toutes les pièces d'un boîtier classique de composants de puissance (embase, isolant, répartiteur et grille de conexion). Canne dans le cas d'un boîtier classique, on pourra immerger le composant et les fils de cnexion dans une matière plastiqua d'encapsulation, ou bien en versant simplement quelques gouttes de produit d'encapsulation sur la pcce semiconduaLrice, ou bien en réalisant un moulage, ou encore en positionnant un capot en matière plastiqua et en le remplissant de produit d'encapsulation. Thus, thanks to the present invention, a single profile replaces all the parts of a conventional housing of power components (base, insulator, distributor and connection grid). Rod in the case of a conventional housing, the component and the connection wires can be immersed in a plastic encapsulation material, or simply by pouring a few drops of encapsulation product onto the semiconductor piece, or by making a molding, or by positioning a cover in plastic material and filling it with encapsulation product.
Dans les ailes 22, 23 et 24, des trous 45, 46 et 47 sont destinés à permettre une fixation par vis et ecous aux barres de liaison que l'on utilise habituellement pour connecter des composants de haute puissance. Ou notera la forme particulière de l'aile associée à l'électrode de commande qui permet de laisser passer le long de l'aile 23 une barre parallèle à une barre posée le long de l'aile 22.Dans la figure 5 on a représenté une zone hachurée autour de chacun des trous pour indiquer un enlèvement de la couche supérieure. Eti effet, dans certains cas on utilisera des vis métalliques vissées dans la couche inférieure (aluminium) et l'on ne souhaite pas qu'il y ait continuité électrique avec la portion de la couche supérieure (cuivre) en vis à vis. In the wings 22, 23 and 24, holes 45, 46 and 47 are intended to allow fixing by screws and nuts to the connecting bars which are usually used to connect high power components. Or note the particular shape of the wing associated with the control electrode which allows to pass along the wing 23 a bar parallel to a bar placed along the wing 22. In Figure 5 there is shown a hatched area around each of the holes to indicate removal of the top layer. Eti effect, in some cases we will use metal screws screwed into the lower layer (aluminum) and we do not want there to be electrical continuity with the portion of the upper layer (copper) opposite.
La figure 6 représente une vue de dessus d'un flan constituant une variante de la présente invention. Came en figure 5, il est prévu une embase 21, des flancs 26 et 27, des ailes 22, 23 et 24 oerressndant à des oosses de connexion. Figure 6 shows a top view of a blank constituting a variant of the present invention. Cam in Figure 5, there is provided a base 21, sides 26 and 27, wings 22, 23 and 24 oerressndant to connection lugs.
Toutefois dans ce cas l'aile 24 vient, une fois repliée, dans le prolongement du plan de l'aile 23. En outre, on a représenté en pointillés un composant principal 50, par exemple un transistor
MOS de puissance vertical (VDMOS), dont la face arrière constitue une électrode principale qui est solidaire de la métallisation 31 se terminant sur l'aile 22. La métallisation 32 se terminant sur ltaile 23 est reliée à ce composant principal par des fils de connexion 42 et la métallisation de commande ou de grille 33 est reliée par des fils 43 à l'électrode de grille du transistor MOS de puissance. On a aussi représenté un opposant auxiliaire 51, par exemple une diode, dont la face principale constitue une électrode reliée à la même métallisation 31 que la face arrière du composant principal 50.La face supérieure de la diode est reliée par des fils 52 à la métallisation 23. Cette diode se donc donc en parallèle sur les électrodes principales du composant de puissance.However in this case the wing 24 comes, once folded, in the extension of the plane of the wing 23. In addition, there is shown in dotted lines a main component 50, for example a transistor
Vertical power MOS (VDMOS), the rear face of which constitutes a main electrode which is integral with the metallization 31 ending on the wing 22. The metallization 32 ending on the tail 23 is connected to this main component by connection wires 42 and the control or gate metallization 33 is connected by wires 43 to the gate electrode of the power MOS transistor. An auxiliary opponent 51 has also been shown, for example a diode, the main face of which constitutes an electrode connected to the same metallization 31 as the rear face of the main component 50. The upper face of the diode is connected by wires 52 to the metallization 23. This diode is therefore therefore in parallel on the main electrodes of the power component.
La figure 7 représente un mode de montage d'un boîtier constitué à partir du flan de la figure 6. Un radiateur 60 est fixé à l'embase 21 par des vis ou des boulons 61 et 62 passant par des ouvertures zonages dans celle-ci. On a également représenté en pointillés une barre de connexion 64, courament une barre de cuivre, destinée à être fixée par des vis 65 et 66 à une cosse principale 22 du boîtier. FIG. 7 represents a method of mounting a housing formed from the blank of FIG. 6. A radiator 60 is fixed to the base 21 by screws or bolts 61 and 62 passing through zoning openings therein . There is also shown in dotted lines a connection bar 64, commonly a copper bar, intended to be fixed by screws 65 and 66 to a main terminal 22 of the housing.
Parmi les avantages du boîtier selon la présente inven- tion, on peut noter les points suivants
- grande simplicité de réalisation,
- faible coût,
- faible poids,
- faible diffécce de niveau entre le plan des cosses
principales et le plan de l'errlbase,
- possibilité de fabrication et de montage simultanés
d'un grand nature de boîtiers à partir de plaques de
grande surface découpees ensuite en flans et conformées
en boîtiers individuels,
- possibilité de préparer sous forme de boîtiers électri
quement indépendants mais non séparés mécaniquement
deux ou plusieurs boîtiers destinés à réaliser par
exemple un montage en pont.Among the advantages of the housing according to the present invention, the following points may be noted
- great simplicity of realization,
- low cost,
- low weight,
- low level difference between the plane of the terminals
main and the plan of the error,
- possibility of simultaneous manufacturing and mounting
of a large nature of housings from plates of
large surface then cut into blanks and shaped
in individual boxes,
- possibility of preparing in the form of electrical boxes
only independent but not mechanically separated
two or more boxes intended to realize by
example a bridge mounting.
- possibilité d'obtention de boîtiers très plats à pistes
larges et donc de faibles inductances parasites.- possibility of obtaining very flat boxes with tracks
large and therefore low parasitic inductances.
Bien entendu, la présente invention est susceptible de très nombreuses variantes qui seront réalisées par l'homme de l'art pour s'adapter à des besoins spécifiques de montage ou d1encapsulation. Of course, the present invention is susceptible of numerous variants which will be produced by those skilled in the art to adapt to specific mounting or encapsulation needs.
Par exemple, si l'on souhaite remplir complèment le boîtier d'un produit encapsulant initialement liquide, an pourra prévoir des flancs prolongeant l'embase 21 et venant se replier perpendiculairement à cette embase et aux flancs 26 et 27. Ces flancs supplémentaires pourront aussi être prolonges d'ailes formant cosses. For example, if it is desired to completely fill the casing with an initially liquid encapsulating product, one could provide sidewalls extending the base 21 and coming to fold perpendicularly to this base and to the sides 26 and 27. These additional sides can also be extended by wings forming pods.
Des figures 4 à 7 représentant des boîtiers comprenant seulement trois cosses. On pourrait également prévoir des boîtiers à plus grand nombre de cosses. Figures 4 to 7 showing boxes comprising only three lugs. One could also provide boxes with a greater number of terminals.
On a décrit ci dessus la fabricatian d'un boîtier selon la présente invention à partir d'une plaque de circuit imprimé existant actuellement dans le commerce. Plus généralement, la présente invention envisage la fabrication d'un boîtier à partir d'une plaque tricouche, la couche inférieure étant une couche métallique, la couche médiane un isolant électrique bon conducteur thermique, et la couche supérieure une couche métallique susceptible d'être gravée. The fabricatian of a housing according to the present invention has been described above from a printed circuit board currently existing on the market. More generally, the present invention envisages the manufacture of a housing from a three-layer plate, the lower layer being a metallic layer, the middle layer an electrical insulator which is a good thermal conductor, and the upper layer a metallic layer capable of being engraved.
L'homme de l'art pourra préférer conformer la plaque en profilé avant ou après positionnement et connexion des composants semiconducteurs. Those skilled in the art may prefer to shape the profile plate before or after positioning and connection of the semiconductor components.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9008354A FR2663785A1 (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Housing for power semiconductor components |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9008354A FR2663785A1 (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Housing for power semiconductor components |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2663785A1 true FR2663785A1 (en) | 1991-12-27 |
Family
ID=9398249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9008354A Pending FR2663785A1 (en) | 1990-06-25 | 1990-06-25 | Housing for power semiconductor components |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2663785A1 (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147889A (en) * | 1978-02-28 | 1979-04-03 | Amp Incorporated | Chip carrier |
| EP0139029A1 (en) * | 1983-10-19 | 1985-05-02 | Olin Corporation | Improved semiconductor package |
-
1990
- 1990-06-25 FR FR9008354A patent/FR2663785A1/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4147889A (en) * | 1978-02-28 | 1979-04-03 | Amp Incorporated | Chip carrier |
| EP0139029A1 (en) * | 1983-10-19 | 1985-05-02 | Olin Corporation | Improved semiconductor package |
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