FR2644621A1 - Condensateur a tenue en tension optimisee - Google Patents
Condensateur a tenue en tension optimisee Download PDFInfo
- Publication number
- FR2644621A1 FR2644621A1 FR8903310A FR8903310A FR2644621A1 FR 2644621 A1 FR2644621 A1 FR 2644621A1 FR 8903310 A FR8903310 A FR 8903310A FR 8903310 A FR8903310 A FR 8903310A FR 2644621 A1 FR2644621 A1 FR 2644621A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- dielectric
- capacitor
- layer
- semiconductor material
- voltage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 4
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000009432 framing Methods 0.000 claims 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007647 flexography Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
L'invention concerne un condensateur formé d'au moins une couche de matériau diélectrique 3 comprise entre deux armatures conductrices 1, 2 et comprenant également un matériau semiconducteur sous forme de couche 8, 9 insérée entre ladite couche de matériau diélectrique et au moins l'une des armatures conductrices.
Description
CONDENSATEUR A TENUE EN TENSION OPTIMISEE
La présente invention se rapporte aux condensateurs.
La présente invention se rapporte aux condensateurs.
Elle est plus particulièrement applicable aux condensateurs pour moyenne et haute tension -
La miniaturisation des composants électroniques, et en particulier des composants passifs, est une conséquence inéluctable de l'évolution technologique. Dans le domaine des condensateurs à diélectrique en feuilles, obtenus par empilement ou par bobinage, la miniaturisation est fonction de trois paramétres principaux concernant le diélectrique : son épaisseur, sa permittivité relative, la tension maximale qu'on peut lui appliquer. La capacité d'un condensateur étant inversement proportionnelle à l'épaisseur de son diélectrique, on est amené à utiliser des feuilles d'épaisseur la plus faible possible pour augmenter la capacité volumique des condensateurs.La capacité d'un condensateur étant proportionnelle å la permittivité relative du diélectrique, on cherche à utiliser des matériaux à permittivité élevée. Le diélectrique retenu doit en outre autoriser, pour le condensateur, l'application d'une tension maximale par unité d'épaisseur de diélectrique.
La miniaturisation des composants électroniques, et en particulier des composants passifs, est une conséquence inéluctable de l'évolution technologique. Dans le domaine des condensateurs à diélectrique en feuilles, obtenus par empilement ou par bobinage, la miniaturisation est fonction de trois paramétres principaux concernant le diélectrique : son épaisseur, sa permittivité relative, la tension maximale qu'on peut lui appliquer. La capacité d'un condensateur étant inversement proportionnelle à l'épaisseur de son diélectrique, on est amené à utiliser des feuilles d'épaisseur la plus faible possible pour augmenter la capacité volumique des condensateurs.La capacité d'un condensateur étant proportionnelle å la permittivité relative du diélectrique, on cherche à utiliser des matériaux à permittivité élevée. Le diélectrique retenu doit en outre autoriser, pour le condensateur, l'application d'une tension maximale par unité d'épaisseur de diélectrique.
L'épaisseur de diélectrique, pour un diélectrique donné, reste soumise aux disponibilités du marché. En outre, la diminution d'épaisseur de diélectrique est surtout possible pour les condensateurs de basse tension.
Le choix d'un diélectrique ne se fait pas exclusivement en fonction de la valeur de sa permittivité relative. En effet, d'autres éléments interviennent dans ce choix : le facteur de pertes, le coefficient de température, les contraintes d'utilisation, le prix.
La tension maximale applicable par unité d'épaisseur de diélectrique était jusqu'à maintenant une conséquence du choix fait pour le type de diélectrique retenu en fonction de son épaisseur. Dans le cas des condensateurs pour moyenne et haute tension, une miniaturisation plus poussée ntétait plus guère possibIe jusqu'à maintenant.
Afin de pallier cet inconvénient, on a, conformément à l'invention, augmenté la tension maximale applicable par unité d'épaisseur de diélectrique non pas en agissant directement sur celui-ci, ce qui semblait être la solution inévitable, mais en intercalant un élément supplémentaire sous forme de couche entre le diélectrique et au moins l'une des armatures qui lui est adjacente. Cet élément supplémentaire est réalisé en un matériau semiconducteur. Ainsi et de façon paradoxale, c'est en ajoutant un élément que l'on augmente la capacité volumique d'un condensateur.
L'invention a donc pour objet un condensateur formé d'au moins une couche de matériau diélectrique comprise entre deux armatures conductrices, caractérisé en ce que le condensateur comprend également un matériau semiconducteur sous forme de couche insérée entre ladite couche de matériau diélectrique et au moins l'une des armatures conductrices.
L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront grâce à la description qui va suivre, donnée à titre non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels
- la figure 1 représente la structure d'un condensateur feuilleté selon l'art connu,
- la figure 2 représente la structure d'un condensateur feuilleté selon une première variante de l'invention.
- la figure 1 représente la structure d'un condensateur feuilleté selon l'art connu,
- la figure 2 représente la structure d'un condensateur feuilleté selon une première variante de l'invention.
- la figure 3 représente la structure d'un condensateur feuilleté selon une seconde variante de l'invention.
I1 a été constaté des différences notables entre la rigidité diélectrique d'un matériau (encore appelée tension de claquage ou tension disruptis e) et la tenue en tension du diélectrique. Par exemple, dans le cas de l'utilisation de diélectrique en film plastique tel que le polypropylène, la rigidité diélectrique intrinsèque de la molécule est de l'ordre de 600 volts par micron. La rigidité diélectrique du film polypropylène est légèrement plus faible (de l'ordre de 500 volts par micron). Ceci a une double origine. D'une part, le film ne peut pas à ce jour être obtenu à partir de polypropylène pur et ce sont les adjuvants nécessaires à sa fabrication qui diminuent la rigidité diélectrique. D'autre part, les films ne sont pas homogènes à 100 tO ; ils contiennent un certain nombre de trous.Dans les technologies en films métallisés, le problème des trous, s'ils ne sont pas trop importants, peut être résolu, comme il est déjà connu en mettant en oeuvre différentes méthodes concernant la métallisation : choix du matériau, de sa résistivité et de son traitement pour favoriser les propriétés d 'autocicatrisation .
La tenue en tension du diélectrique (définie à partir d'un condensateur plan avec des armatures en feuilles ou déposées sur le diélectrique par métallisation ou sérigraphie) est plus faible encore que sa rigidité diélectrique et, a fortiori, que la rigidité intrinsèque de la molécule.
Après avoir effectué un certain nombre d'études, la demanderesse est convaincue que la faiblesse constatée dans la tenue en tension est due à la présence de charges apportées dans le matériau diélectrique à partir des armatures. En effet, la répartition des charges dans le diélectrique d'un condensateur sous tension n'est pas uniforme : elles sont concentrées dans une zone voisine de l'une ou de l'autre des faces de diélectrique en contact avec les armatures, en fonction de la polarité de la tension appliquée. La présence de ces charges revient à diminuer l'épaisseur utile du diélectrique.
Les charges injectées sont des électrons du côté de l'électrode négative du condensateur. Du côté de l'électrode positive, les charges sont constituées par des ions positifs à cause du dépeuplement d'électrons.
Cette répartition non homogène des charges dans le matériau diélectrique est due au fait que le champ électrique est établi à partir de deux surfaces conductrices (les armatures) en contact direct avec un isolant (le diélectrique).
Du fait de -cette concentration de charges localisée, Ia notion de tension ramenée à l'épaisseur totale du diélectrique ne paraît plus réaliste. Ces charges qui pénètrent par injection vont contribuer à diminuer la durée de vie du condensateur.
La présente invention consiste à limiter la charge d'espace présente localement dans le diélectrique pour homogénéiser la répartition du champ électrique dans toute
I'épaisseur du diélectrique. La couche semiconductrice bloque (ou au moins limite) l'injection de charges en provenance des armatures vers le diélectrique. Pour ceci, on insère un matériau semiconducteur entre le conducteur (l'armature) et l'isolant (le diélectrique). Ainsi, on ne réalise plus une structure directe conducteur / isolant / conducteur.
I'épaisseur du diélectrique. La couche semiconductrice bloque (ou au moins limite) l'injection de charges en provenance des armatures vers le diélectrique. Pour ceci, on insère un matériau semiconducteur entre le conducteur (l'armature) et l'isolant (le diélectrique). Ainsi, on ne réalise plus une structure directe conducteur / isolant / conducteur.
Deux variantes de réalisation peuvent être envisagées
- soit une structure conducteur / matériau semiconducteur / isolant / conducteur (première variante),
- soit une structure conducteur / matériau semiconducteur / isolant / matériau semiconducteur / conducteur (deuxième variante).
- soit une structure conducteur / matériau semiconducteur / isolant / conducteur (première variante),
- soit une structure conducteur / matériau semiconducteur / isolant / matériau semiconducteur / conducteur (deuxième variante).
En fonction des variations de polarités des tensions appliquées entre les électrodes du condensateur, on peut utiliser l'une ou l'autre variante.
Le matériau semiconducteur peut être de quelque nature que ce soit pourvu qu'il soit adapté aux conditions d'insertion ou de dépôt, que dans certaines applications sa conductibilité électrique soit appropriée pour ne pas engendrer de pertes ohmiques trop importantes qui modifieraient de façon significative le facteur de pertes du condensateur entraînant des échauffements non admissibles. On peut par exemple utiliser un polymère chargé de particules conductrices, des polymères dopés par exemple a partir de sels organiques du type tétracyanoquinodiméthane (TCNQ) ou tétrathiafulvalène (TTF), du noir de carbone.
La technique de dépôt du matériau semiconducteur sera adaptée à ce dernier et à la nature du matériau isolant s'il est déposé sur le diélectrique, ou à la nature du conducteur s'il est déposé sur l'armature. On entend par technique de dépot toute technique permettant de faire adhérer une texture semi-conductrice sur l'isolant ou sur l'armature.On peut citer par exemple
- les techniques de dépôt du type de celles utilisées dans l'imprimerie en enduction (héliographie, flexographie, technique dite reverse roil ou tout autre technique de laquage) à partir de matériau semiconducteur en solution ou en dispersion,
- les techniques de dépôt par projection, par évaporation sous vide avec ou sans bombardement, à partir par exemple de filaments de carbone,
- les techniques de dépôt thermique,
- les techniques de coextrusion en réalisant un ensemble matériau semiconducteur/isolant ou matériau semiconducteur/isolant/matériau semiconducteur,
- les techniques de sérigraphie.
- les techniques de dépôt du type de celles utilisées dans l'imprimerie en enduction (héliographie, flexographie, technique dite reverse roil ou tout autre technique de laquage) à partir de matériau semiconducteur en solution ou en dispersion,
- les techniques de dépôt par projection, par évaporation sous vide avec ou sans bombardement, à partir par exemple de filaments de carbone,
- les techniques de dépôt thermique,
- les techniques de coextrusion en réalisant un ensemble matériau semiconducteur/isolant ou matériau semiconducteur/isolant/matériau semiconducteur,
- les techniques de sérigraphie.
Le dépôt de matériau semiconducteur peut donc être réalisé soit sur les armatures, soit sur le matériau diélectrique.
La figure 1 représente la structure classique d'un condensateur de type feuilleté obtenu par empilement ou par bobinage. On n' a représenté qu'un minimum d'éléments par souci de simplification. Cette structure comprend une armature conductrice 1 dite armature impaire, une couche de matériau diélectrique 3 et une armature conductrice 2 dite armature paire. Comme il est bien connu de l'homme de l'art, on obtient un condensateur en empilant alternativement des armatures paires 2 et impaires 1 avec intercalation de couches diélectriques 3. Les armatures paires et impaires sont empilées de manière décalée comme cela est représenté sur la figure 1.Ce décalage permet d'obtenir une meilleure prise de contact par schoopage latéral des armatures paires entre elles et des armatures impaires entre elles, les contacts s'effectuant non seulement sur les tranches 4 ou 5 mais aussi sur les marges latérales 6 ou 7.
La figure 2 représente une structure de condensateur de type feuilleté selon Ia première variante de l'invention.
Dans le cas représenté, ce sont les armatures impaires 1 qui sont séparées du diélectrique 3 par des couches de matériau semiconducteur 8 ou 9. On remarque que, toujours pour des raisons de prise de contact électrique, la couche 9 laisse une marge latérale 7 libre de matériau semiconducteur.
La figure 3 représente une structure de condensateur de type feuilleté selon la seconde variante de l'invention. Dans ce cas, les armatures impaires 1 comme les armatures paires 2 sont séparées du diélectrique 3 par des couches de matériau semiconducteur respectivement référencées 21, 31 et 22, 32.
Pour les mêmes raisons que précédemment, les couches 31 et 32 laissent des marges latérales 7 et 6 libres de matériau semiconducteur.
Il est avantageux que les couches de matériau semiconducteur adjacentes à des armatures de même rang présentent un certain retrait par rapport au bord du diélectrique, du côté des armatures de l'autre rang. Ainsi, sur la figure 2, il existe un retrait 15 entre le bord 16 de la couche semiconductrice 8 et le bord 17 du diélectrique 3. De même, sur la figure 3, il existe un retrait 115 entre le bord 116 de la couche semiconductrice 21 et le bord 117 du diélectrique 3, et un retrait 215 entre le bord 216 de la couche semiconductrice 22 et le bord 217 du diélectrique 3. La raison d'être de ces retraits est d'éviter lors du schoopage les courts-circuits (par semiconductivité) qui pourraient se produire entre armatures de rang impair et celles de rang pair å cause des couches semiconductrices.
Si le matériau semiconducteur est déposé à l'origine sur le diélectrique, on peut réaliser ce dépôt sous forme de bandes en ménageant une épargne, soit sur des largeurs élémentaires de diélectrique, soit sur la laize complète redécoupée par la suite. On peut aussi réaliser ce dépôt sur toute la surface diélectrique puis, par un procédé adapté, l'éliminer ou le passiver dans les parties indésirables. Au lieu d'obtenir un retrait, on obtient alors une marge isolante jouant le même rôle
L'invention présente un double intérêt. D'abord, on peut augmenter la tension de tenue du diélectrique et donc la tension de service du condensateur ou les surtensions admissibles pour un encombrement identique puisque l'épaisseur des éléments semiconducteurs est inférieure à l'épaisseur de diélectrique rendue inutilisable avant la présente invention.
L'invention présente un double intérêt. D'abord, on peut augmenter la tension de tenue du diélectrique et donc la tension de service du condensateur ou les surtensions admissibles pour un encombrement identique puisque l'épaisseur des éléments semiconducteurs est inférieure à l'épaisseur de diélectrique rendue inutilisable avant la présente invention.
Les épaisseurs de matériau semiconducteur et de diélectrique devront être calculées pour donner une capacité identique à celle obtenue dans les structures connues. D'où un gain en
2 énergie volumique selon la formule 1/2 x C x U (C représentant la capacité du condensateur et U 1A tension qui lui est appliquée) ramenée au volume du composant (où la capacité et le volume restent constants et où la tension augmente).
2 énergie volumique selon la formule 1/2 x C x U (C représentant la capacité du condensateur et U 1A tension qui lui est appliquée) ramenée au volume du composant (où la capacité et le volume restent constants et où la tension augmente).
Ensuite, on peut augmenter la durée de vie du composant en maintenant capacité, tension et volume constants.
D'où un gain en fiabilité.
L'invention peut s'appliquer à toute sorte de condensateurs. Le matériau diélectrique peut être organique (polymère), en papier ou en céramique. Il est particulièrement intéressant pour les condensateurs multicouches de moyenne et haute tension devant présenter un encombrement réduit.
Le condensateur selon l'invention peut se présenter selon différentes formes, par exemple sous forme de chips et être enrobé d'une matière thermodurcissable.
Claims (7)
1 - Condensateur formé d'au moins une couche de matériau diélectrique (3) comprise entre deux armatures conductrices (1,2) caractérisé en ce que le condensateur comprend également un matériau semiconducteur sous forme de couche (8, 9, 21, 31, 22, 32) insérée entre ladite couche de matériau diélectrique et au moins l'une des armatures conductrices.
2 - Condensateur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est du type bobiné ou feuilleté.
3 - Condensateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite couche de matériau semiconducteur (8) présente un retrait (15) par rapport à l'un des bords (17) de la couche de matériau diélectrique (3) - afin d'éviter de court-circuiter les armatures encadrant ladite couche de matériau semiconducteur.
4 - Condensateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche de matériau semiconducteur présente un bord passivé afin d'éviter de court-circuiter les armatures encadrant ladite couche de matériau semiconducteur.
5 - Condensateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau semiconducteur est un polymère chargé de particules conductrices, un polymère dopé ou du noir de carbone.
6 - Condensateur selon 1 une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau diélectrique est un polymère.
7 - Condensateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que le matériau diélectrique est du polypropylène.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8903310A FR2644621B1 (fr) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Condensateur a tenue en tension optimisee |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8903310A FR2644621B1 (fr) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Condensateur a tenue en tension optimisee |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2644621A1 true FR2644621A1 (fr) | 1990-09-21 |
| FR2644621B1 FR2644621B1 (fr) | 1994-01-28 |
Family
ID=9379658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8903310A Expired - Fee Related FR2644621B1 (fr) | 1989-03-14 | 1989-03-14 | Condensateur a tenue en tension optimisee |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2644621B1 (fr) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2443677A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-14 | Filtronic Compound Semiconduct | Capacitor with a doped semiconductor plate. |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR790055A (fr) * | 1934-05-25 | 1935-11-12 | Philips Nv | Dispositif électrique comportant deux conducteurs séparés par de la matière isolante, plus particulièrement : condensateur |
| FR1207216A (fr) * | 1958-10-20 | 1960-02-15 | Plessey Co Ltd | Condensateur |
| FR1301729A (fr) * | 1961-09-26 | 1962-08-17 | Bosch Gmbh Robert | Condensateur électrique |
| DE1275309B (de) * | 1964-06-05 | 1968-08-14 | Philips Nv | Vorrichtung zum Pruefen von Garnen |
-
1989
- 1989-03-14 FR FR8903310A patent/FR2644621B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR790055A (fr) * | 1934-05-25 | 1935-11-12 | Philips Nv | Dispositif électrique comportant deux conducteurs séparés par de la matière isolante, plus particulièrement : condensateur |
| FR1207216A (fr) * | 1958-10-20 | 1960-02-15 | Plessey Co Ltd | Condensateur |
| FR1301729A (fr) * | 1961-09-26 | 1962-08-17 | Bosch Gmbh Robert | Condensateur électrique |
| DE1275309B (de) * | 1964-06-05 | 1968-08-14 | Philips Nv | Vorrichtung zum Pruefen von Garnen |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2443677A (en) * | 2006-11-07 | 2008-05-14 | Filtronic Compound Semiconduct | Capacitor with a doped semiconductor plate. |
| GB2443677B (en) * | 2006-11-07 | 2011-06-08 | Filtronic Compound Semiconductors Ltd | A capacitor |
| US9299858B2 (en) | 2006-11-07 | 2016-03-29 | Rfmd (Uk) Limited | Capacitor including a capacitor plate formed from a doped semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2644621B1 (fr) | 1994-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO1999035488A1 (fr) | Capteurs capacitifs de mesure d'humidite et procede de fabrication de tels capteurs | |
| WO2002101770A1 (fr) | Condensateur de fil metallise | |
| EP0206903A1 (fr) | Procédé de fabrication de condensateurs électrolytiques et condensateur obtenu par un tel procédé | |
| EP0842520B9 (fr) | Condensateur a dielectrique en polypropylene et film metallise pour la realisation d'un tel condensateur | |
| CA2715064C (fr) | Supercondensateur multipistes | |
| EP0169122B1 (fr) | Elément à capacité variable, commandable par une tension continue | |
| FR2644621A1 (fr) | Condensateur a tenue en tension optimisee | |
| EP0681746B1 (fr) | Composant piezoelectrique et procede de sa fabrication | |
| EP0225822B1 (fr) | Condensateur multipiste | |
| EP1953778B1 (fr) | Condensateur dans un circuit monolithique | |
| EP0452165A2 (fr) | Condensateur à film diélectrique souple métallisé, et procédé de réalisation d'un tel condensateur | |
| FR3057100A1 (fr) | Condensateur film a tres haute capacite et un procede de fabrication | |
| EP0201383B1 (fr) | Condensateurs de puissance moyenne et haute tension | |
| EP1421641A2 (fr) | Circuit resonant hyperfrequence et filtre hyperfrequence accordable utilisant le circuit resonant | |
| FR2637118A1 (fr) | Procede de preparation d'un film dielectrique metallise, pour la realisation de condensateurs, films dielectriques metallises et condensateurs ainsi obtenus | |
| FR3085533A1 (fr) | Ensemble de stockage capacitif d'energie electrique, et procede de fabrication associe | |
| EP0442799A1 (fr) | Condensateur électrique | |
| FR2608310A1 (fr) | Condensateur feuillete a coefficient de temperature defini et a bonne stabilite dans le temps | |
| CA1285035C (fr) | Condensateur de haute tension a haute densite d'energie | |
| JPH0770418B2 (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
| EP0275741A1 (fr) | Condensateur à film plastique métallisé à coefficient de température défini et à bonne stabilité dans le temps | |
| WO2013150077A1 (fr) | Procede de metallisation d'une patte de connexion d'un composant electrique multicouches | |
| RU2645304C2 (ru) | Устройство накопления энергии | |
| EP0375508A1 (fr) | Condensateur en couches pouvant subir un traitement électrique sévère, et procédé de fabrication d'un tel condensateur | |
| FR3110774A1 (fr) | Procédé de fabrication d’une batterie à ions de lithium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |