FR2644294A1 - Detecteur infrarouge - Google Patents
Detecteur infrarouge Download PDFInfo
- Publication number
- FR2644294A1 FR2644294A1 FR9000031A FR9000031A FR2644294A1 FR 2644294 A1 FR2644294 A1 FR 2644294A1 FR 9000031 A FR9000031 A FR 9000031A FR 9000031 A FR9000031 A FR 9000031A FR 2644294 A1 FR2644294 A1 FR 2644294A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- compound semiconductor
- infrared detector
- grooves
- compound
- infrared
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 17
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 8
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
- H01L31/02966—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe including ternary compounds, e.g. HgCdTe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Un détecteur infrarouge comprend un substrat à résistance élevée 1, un semiconducteur composé 2 formé sur le substrat, une paire d'électrodes 3a, 3bformées face à face sur le semiconducteur composé, et un ensemble de sillons formant un motif fin 6, formés dans le semiconducteur composé, dans une direction perpendiculaire au chemin du courant et dans une région se trouvant entre les paires d'électrodes. Les sillons ont des profondeurs inférieures à l'épaisseur de la couche du semiconducteur composé.
Description
DETECTEUR INFRAROUGE
La présente invention concerne un détecteur in-
frarouge, et elle porte plus particulièrement sur un détec-
teur à sensibilité accrue.
Les figures 2(a) et 2(b) montrent respectivement une représentation en plan et une représentation en coupe
d'un détecteur infrarouge à photoconductivité de l'art an-
térieur. Sur ces figures, un semiconducteur composé tel
que CdxHgl xTe ou InSb, 2, est formé sur un substrat à ré-
sistance élevée, 1, consistant en un matériau tel que CdTe.
Une paire d'électrodes 3a et 3b sont formées face à face sur le semiconducteur composé 2. Une section de réception
de lumière 4 est formée sur une région de surface du semi-
conducteur composé 2, entre la paire d'électrodes 3a et 3b.
La référence 5 désigne des chemins de courants de polarisa-
tion.
Le dispositif fonctionne de la manière suivante.
Dans le but d'étendre au-delà de l'infrarouge la
bande de longueurs d'onde de sensibilité du détecteurinfra-
rouge & photoconductivité, on utilise pour le semiconduc-
teur composé 2 un matériau consistant en CdxHgl.xTe ou InSb ayant une bande d'énergie interdite étroite. Lorsqu'un rayonnement infrarouge ayant une énergie supérieure à la bande d'énergie interdite du matériau tombe sur la section
de réception de lumière 4, des porteurs en excès sont pro-
duits -par la lumière qui est absorbée par le semiconducteur composé 2. Une variation de la conductivité électrique de l'élément, due à ces porteurs en excès, se manifeste sous
la forme d'un signal, conformément au principe de fonction-
nement de ce type de détecteur. Lorsqu'on utilise ce détec- teur infrarouge, le détecteur est refroidi à environ 77 K
par l'utilisation d'azote liquide, afin d'empêcher l'appa-
rition du courant d'obscurité de l'élément.
En outre, lorsqu'on désigne la résistance de l'élément par r (_L), le courant de polarisation par iB (A) et la tension entre les électrodes 3a et 3b par V-(V), la tension V devient: V= r. i.... (1) Du fait que le courant de polarisation iB dans
l'expression (1) est habituellement fixé à une valeur cons-
tante, la variation de la résistance de l'élément t r qui est due aux porteurs en excès est détectée sous la forme
d'un signal V (V), c'est-à-dire sous la forme d'une va-
riation A V de la tension, conformément à la relation sui-
V = V = 6r. iB.... (2) D'autre part, la résistance de l'élément, r, devient: r =k nw t (= k - À orsque w= w).... (3) nt Dans cette relation, e, w et f représentent respectivement
la longueur, la largeur et l'épaisseur de la section de ré-
ception de lumière 4. En outre, n (cm-3) représente la con-
centration de porteurs du semiconducteur composé 2, et k
représente une constante de proportionnalité.
La section de réception de lumière a habituelle-
ment une forme rectangulaire, et on a alors t= w. En ou-
tre, lorsqu'on désigne par n (cm-3) le nombre de porteurs en excès qui sont produits dans le semiconducteur composé sous l'effet de l'énergie infrarouge incidente <S (W), ce nombre A n est représenté par l'expression suivante: n -k' (4) B S t....(4
dans laquelle k' est une constante de proportionnalité.
D'après la relation (3), la variation Ar de la résistance de l'élément, r, qui est due à ce nombre An, s'exprime par la relation (5): r + A r = k.5) (n a n) t On a donc: k An A n à r, - À. - r À... (6) t n2 n Par conséquent, d'après les relations (2), (6) et (4): An
Vs - - r.. -.
n k 'i -- () À r . 4,.. (7) n Lorsqu'on désigne par R (V/W) la sensibilité de l'élément, on a pour R la relation suivante: k Ik i, R- V = () r i... À8) i4i+I n D'après ce qui précède, on constate que la sensibilité R
est inversement proportionnelle à la concentration de por-
teurs du semiconducteur composé n et est proportionnelle à
la résistance de l'élément r.
Comme décrit ci-dessus, dans le détecteur infra- rouge de l'art antérieur il est nécessaire d'augmenter la résistance r dans le but d'augmenter la sensibilité R, et il est donc nécessaire de donner une valeur très faible à la concentration de porteurs et de donner une valeur très faible & l'épaisseur de couche t du semiconducteur composé 2. On a diminué la valeur de n presque jusqu'à la valeur limite, en mettant à profit les progrès de la technique de
croissance cristalline. Cependant l'épaisseur t de la cou-
che de semiconducteur composé 2 doit être supérieure à une certaine valeur pour absorber effectivement le rayonnement
infrarouge incident. Par exemple, dans le cas o on consi-
dère un rayonnement infrarouge ayant une longueur d'onde de 8 à 14 microns, il est nécessaire que l'épaisseur t soit supérieure à 15 à 20 microns, et ceci rend impossible de réduire l'épaisseur de couche t du semiconducteur composé
2. L'épaisseur de couche t est donc déterminée par des con-
ditions telles que la longueur d'onde du rayonnement infra-
rouge à absorber, la résistance de l'élément est déterminée de façon correspondante, et la sensibilité est également
restreinte par ces conditions.
L'invention a pour but de procurer un détecteur
infrarouge capable d'améliorer la sensibilité, sans dimi-
nuer le taux d'absorption du rayonnement infrarouge.
Dans un détecteur infrarouge conforme à l'inven-
tion, un ensemble de sillons formant un motif fin et ayant une profondeur inférieure à l'épaisseur du semiconducteur
composé, sont formés dans une partie du semiconducteur com-
posé qui est une surface de réception de lumière, dans une direction perpendiculaire au chemin du courant, dans une région située entre une paire d'électrodes qui sont formées sur le semiconducteur composé. Les chemins du courant de polarisation sont donc restreints à une région étroite, du fait de la présence des sillons. La résistance de l'élément
est donc augmentée, et la sensibilité de l'élément est amé-
liorée dans une large mesure. En outre, l'épaisseur de cou- che du semiconducteur composé qui est nécessaire pour absorber le rayonnement infrarouge est maintenue égale à celle du dispositif de l'art antérieur, et le taux
d'absorption du rayonnement infrarouge sera très peu réduit.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de
la description qui va suivre d'un mode de réalisation, don-
né à titre d'exemple non limitatif. La suite de la descrip-
tion se réfère aux dessins annexes sur lesquels: Les figures l(a) et l(b) sont respectivement des
représentations en plan et en coupe d'un détecteur infra-
rouge conforme à un mode de réalisation de l'invention; Les figures 2(a) et 2(b) sont respectivement des
représentations en plan et en coupe d'un détecteur infra-
rouge de l'art antérieur.
Les figures l(a) et l(b) sont respectivement des
représentations en plan et en coupe d'un détecteur infra-
rouge conforme à un mode de réalisation de l'invention.
Dans ces figures, les mêmes références numériques désignent des éléments identiques A ceux des figures 2(a) et 2(b), ou
correspondants. La référence 6 désigne un ensemble de sil-
lons formant un motif fin, qui sont formés dans une partie
d'une région de réception de lumière du semiconducteur com-
posé 2, dans une direction perpendiculaire aux chemins du courant qui circule dans le semiconducteur composé entre la paire d'électrodes 3a et 3b. La largeur q du sillon 6 est suffisamment inférieure à la longueur d'onde du rayonnement infrarouge incident pour empêcher une perte d'absorption du rayonnement infrarouge au niveau du sillon 6. En outre, le
pas p des sillons 6 est de préférence presque égal ou infé-
rieur à l'épaisseur de couche t du semiconducteur composé 2. La profondeur d du sillon 6 est inférieure à l'épaisseur de couche t, de façon & faciliter la restriction du chemin du courant de polarisation 5. On peut aisément produire les sillons à motif fin 6 par un traitement tel que l'usinage ionique.
Le dispositif fonctionne de la manière suivante.
Le principe de fonctionnement est presque le même
que celui du dispositif de l'art antérieur. Dans l'inven-
tion, comme le montrent les figures 1(a) et l(b), le chemin
du courant de polarisation 5 dans le substrat semiconduc-
teur composé 2 est restreint à une région étroite par les sillons 6 ayant la profondeur d. Autrement dit, l'épaisseur
de couche qui définit un chemin pour le courant de polari-
sation est approximativement égale à (t - d) dans l'épais-
seur de couche de semiconducteur composé t. Pour qu'il en soit ainsi, le pas p des sillons 6 doit être presque égal
ou inférieur à l'épaisseur de couche t. En outre, la lar-
geur q du sillon 6 doit être inférieure à la longueur d'on-
de du rayonnement infrarouge incident, dans le but d'empê-
cher l'apparition d'une perte d'absorption du rayonnement
infrarouge incident. A titre d'exemple concret, dans un dé-
tecteur infrarouge prévu pour détecter le rayonnement in-
frarouge dans la bande de 8 à 14 microns, lorsque l'épais-
seur de couche t du substrat semiconducteur composé 2 con-
sistant en CdxHglxTe est fixée à environ 20 microns, la
largeur q du sillon 6 est d'environ 4 microns, la profon-
deur du sillon 6 est d'environ 14 microns, et le pas p des
sillons 6 est d'environ 20 microns, la résistance de l'élé-
ment, r, devient approximativement deux fois supérieure
dans une telle structure comprenant des sillons.
Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, du
fait que la longueur de diffusion des porteurs excédentai-
res est supérieure à l'épaisseur de couche t et a une va-
leur d'environ 50 microns, les porteurs en excès qui sont produits par l'absorption du rayonnement infrarouge dans une région correspondant & une profondeur de couche d, à laquelle le courant de polarisation ne peut pas circuler,
sont également dispersés de façon approximativement unifor-
me dans la couche de semiconducteur composé 2, et ils at-
teignent les chemins du courant de polarisation, ce qui fait qu'ils contribuent à un signal de sortie. On peut donc réduire au minimum la diminution du taux d'absorption du rayonnement infrarouge incident. Par conséquent, lorsque la
résistance de l'élément, r. est doublée, comme décrit ci-
dessus, le rayonnement infrarouge incident est parfaitement absorbé et le taux d'absorption n'est pas dégradé, ce qui
permet de doubler approximativement la sensibilité.
Comme il ressort de façon évidente de la descrip-
tion précédente, et conformément à l'invention, un ensemble de sillons à motif fin, ayant une profondeur inférieure à
l'épaisseur de couche du semiconducteur composé, sont for-
més dans une direction perpendiculaire aux chemins du cou-
rant de polarisation, sur une surface de réception de lu-
mière du semiconducteur composé. Par conséquent, on peut augmenter la résistance de l'élément sans dégrader le taux d'absorption du rayonnement infrarouge incident, et il en
résulte qu'on peut améliorer la sensibilité de l'élément.
Il va de soi que de nombreuses modifications peu-
vent être apportées au dispositif et au procédé décrits et
représentés, sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (6)
1. Détecteur infrarouge caractérisé en ce qu'il
comprend: un substrat à résistance élevée (1); un semicon-
ducteur composé (2) formé sur le substrat (1); une paire d'électrodes (3a, 3b) formées sur le semiconducteur composé (2); et un ensemble de sillons à motif fin (6) formés dans
le semiconducteur composé (2) dans une direction perpendi-
culaire au chemin du courant, dans une région (4) qui se trouve entre la paire d'électrodes (3a, 3b), ces sillons (6) ayant une profondeur inférieure à l'épaisseur de couche
du semiconducteur composé (2).
* 2. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que le semiconducteur composé (2) a
une bande d'énergie interdite étroite, inférieure à l'éner-
gie du rayonnement infrarouge incident.
3. Détecteur infrarouge selon la revendication
1, caractérisé en ce que le semiconducteur composé (2) con-
siste en CdxHglxTe.
4. Détecteur infrarouge selon la revendication
1, caractérisé en ce que le pas (p) de l'ensemble de sil-
lons (6) est presque égal ou inférieur à l'épaisseur de
couche du semiconducteur composé (2).
5. Détecteur infrarouge selon la revendication
1, caractérisé en ce que l'épaisseur de couche du semicon-
ducteur composé (2) est de 20 microns, la largeur du sillon
(6) est de 4 microns, la profondeur du sillon est de 14 mi-
crons et le pas des sillons est de 20 microns.
t 6. Détecteur infrarouge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les sillons (6) sont formés par
un appareil d'usinage ionique.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1058762A JPH02237171A (ja) | 1989-03-10 | 1989-03-10 | 赤外線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2644294A1 true FR2644294A1 (fr) | 1990-09-14 |
| FR2644294B1 FR2644294B1 (fr) | 1997-07-04 |
Family
ID=13093556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9000031A Expired - Fee Related FR2644294B1 (fr) | 1989-03-10 | 1990-01-03 | Detecteur infrarouge |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973935A (fr) |
| JP (1) | JPH02237171A (fr) |
| FR (1) | FR2644294B1 (fr) |
| GB (1) | GB2229574B (fr) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110600578B (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-12 | 山东大学 | 一种双导通型碳化硅光导开关及其制备方法 |
| CN112614909B (zh) * | 2020-11-27 | 2022-12-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 光导开关器件 |
| CN112909118B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-04-07 | 广州大学 | 一种微分转换型宽光谱光电探测器及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0007669A1 (fr) * | 1978-07-31 | 1980-02-06 | Philips Electronics Uk Limited | Fabrication d'un élément détecteur infra-rouge et éléments détecteurs ainsi fabriqués |
| JPS6286878A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Nec Corp | 光検出器の製作方法 |
| JPS6490569A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Photodetector |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2258958A (en) * | 1939-07-13 | 1941-10-14 | Bell Telephone Labor Inc | Conductive device |
| GB1546091A (en) * | 1975-02-28 | 1979-05-16 | Johnson Matthey Co Ltd | Thermometers |
| DK79780A (da) * | 1980-02-25 | 1981-08-26 | Elektronikcentralen | Solcelle med et halvlederkrystal og med en belyst overflade batteri af solceller og fremgangsmaade til fremstilling af samme |
| US4400684A (en) * | 1981-08-31 | 1983-08-23 | Ford Motor Company | Fast response temperature sensor |
| US4478077A (en) * | 1982-09-30 | 1984-10-23 | Honeywell Inc. | Flow sensor |
| FR2577668B1 (fr) * | 1985-02-15 | 1987-03-20 | Centre Nat Rech Scient | Procede de realisation d'un detecteur photoelectrique du type photoresistance de grande sensibilite |
-
1989
- 1989-03-10 JP JP1058762A patent/JPH02237171A/ja active Pending
- 1989-11-28 GB GB8926897A patent/GB2229574B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-12-28 US US07/459,302 patent/US4973935A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-01-03 FR FR9000031A patent/FR2644294B1/fr not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0007669A1 (fr) * | 1978-07-31 | 1980-02-06 | Philips Electronics Uk Limited | Fabrication d'un élément détecteur infra-rouge et éléments détecteurs ainsi fabriqués |
| JPS6286878A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Nec Corp | 光検出器の製作方法 |
| JPS6490569A (en) * | 1987-10-01 | 1989-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Photodetector |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 11, no. 288 (E-542)[2735], 17 septembre 1987; & JP-A-62 086 878 (NEC CORP.) 21-04-1987 * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 13, no. 323 (E-791)[3671], 21 juillet 1989; & JP-A-01 090 569 (MITSUBISHI ELECTRIC CORP.) 07-04-1989 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2229574B (en) | 1993-06-30 |
| FR2644294B1 (fr) | 1997-07-04 |
| GB2229574A (en) | 1990-09-26 |
| JPH02237171A (ja) | 1990-09-19 |
| GB8926897D0 (en) | 1990-01-17 |
| US4973935A (en) | 1990-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2479482A1 (fr) | Absorbeur de resonance | |
| WO2010072942A1 (fr) | Photodetecteur comprenant une region semiconductrice tres mince | |
| FR2700890A1 (fr) | Dispositif à transistor composé à effet de champ ayant une électrode de Schottky. | |
| FR2486309A1 (fr) | Dispositif semiconducteur sensible au rayonnement | |
| WO2013189997A1 (fr) | Structure semiconductrice comportant une zone absorbante placee dans une cavite focalisante | |
| EP0025386B1 (fr) | Commutateur électro-optique à commande électrique, et circuit optique intégré comprenant un tel commutateur | |
| WO2013102631A2 (fr) | Structure semiconductrice, dispositif comportant une telle structure et procede de fabrication d'une structure semiconductrice | |
| EP0001728B1 (fr) | Diode émettrice et réceptrice de lumière notamment pour télécommunications optiques | |
| EP0488864A1 (fr) | Bolomètre électronique à puits quantique et application à un détecteur de rayonnements | |
| FR2572588A1 (fr) | Photodetecteur integrable de facon monolithique | |
| FR2983352A1 (fr) | Structure semiconductrice apte a recevoir un rayonnement electromagnetique, composant semiconducteur et procede de fabrication d'une telle structure semiconductrice | |
| FR2644294A1 (fr) | Detecteur infrarouge | |
| FR2508235A1 (fr) | Photodetecteur a avalanche fonctionnant a des longueurs d'onde elevees | |
| EP0252565A1 (fr) | Dispositif semiconducteur intégré du type dispositif de couplage entre un photodéecteur et un guide d'ond lumineuse | |
| EP3660929A1 (fr) | Photodiode sam à multiplication d'un seul type de porteurs dans une région à multicouche périodique | |
| EP3644032A1 (fr) | Spectromètre imageur et dispositif autocorrélateur optique monocoup comprenant un tel spectromètre imageur | |
| EP0302820B1 (fr) | Détecteur de particules ionisantes | |
| EP0534821B1 (fr) | Lasers de puissance à filtre semiconducteur | |
| FR2653937A1 (fr) | Dispositif photodetecteur. | |
| EP0228312A1 (fr) | Commutateur opto-électronique à seuil de puissance et son procédé de commande | |
| EP0807982A1 (fr) | Photodétecteur à structure optique résonnante avec un réseau | |
| FR2935071A1 (fr) | Detecteur de rayons x utilisable aux frequences micro-ondes | |
| FR2625369A1 (fr) | Dispositifs, elements et systemes de visualisation d'images thermiques | |
| FR2855654A1 (fr) | Detecteur d'ondes electromagnetiques avec surface de couplage optique comprenant des motifs lamellaires | |
| FR2471053A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur en immersion optique, notamment detecteur photovoltaique et son procede de fabrication |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |