FR2639085A1 - Microvanne electrostatique integree et procede de fabrication d'une telle microvanne - Google Patents

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Abstract

La microvanne électrostatique 2 est réalisée sous la forme d'un composant intégré. Elle comprend un substrat 8 en un matériau conducteur sur lequel sont disposées et gravées une pluralité de couches 9, 12, 13, 14. Le canal 5 est ménagé dans le substrat tandis que le siège 3, le clapet 4 les moyens de rappel 10, et les moyens de commande 7 de la microvanne sont définis par les différentes couches respectivement conductrices 9, 13 et électriquement isolantes 12, 14.

Description

MICROVANNE ELECTROSTATIQUE INTEGREE ET PROCEDE
DE FABRICATION D'UNE TELLE MICROVANNE
L'invention concerne une microvanne et plus particulièrement une microvanne commandée électrostatiquement réalisée de façon intregrée a partir d'un substrat semi-conducteur par la technologie de microusinage. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une telle microvanne.
La microvanne selon l'invention est destinée a contrôler de faibles flux de fluide et trouve notamment des applications dans le domaine médical et biomédical ainsi que dans les appareillages de mesure miniatures.
On connaît déjà une microvanne passive du type vanne anti-retour comprenant deux substrats micro-usinés et assembles par collage. Un premier substrat comprend un canal pour le passage d'un fluide et un clapet intégré. Ce clapet a la configuration d'une lame élastique ayant une extrémité libre et qui s'étend sensiblement dans le plan du substrat. Par ailleurs, le second substrat comprend un canal micro-usiné qui après assemblage est dispose sensiblement en alignement avec le canal du premier substrat.
Une telle structure en deux parties présente des inconvénients.
En effet, compte tenu des très faibles dimensions de ces vannes, la fabrication de ces dernières est délicate, en particulier la réalisation de l'étanchéité est peu aisée. De plus l'opération de collage peut engendrer des contraintes dans chacun des substrats ce qui fragilise la vanne.
On connaît aussi une microvanne active qui entre comme composant élémentaire dans un dispositif miniature de chromatographie en phase gazeuse. Cette microvanne est décrite dans une article de S.C. TERRY et T.B. ANGELL paru dans la revue "Theory, Desing and Biomedical
Application of solid state Chemical Sensors" page 207. Il s'agit la encore d'une microvanne à diaphragme comprenant une pluralité d'éléments réalisés séparément par micro-usinage puis assembles, présentant les memes inconvénients que la microvanne décrite ci-dessus. Toutefois, cette microvanne présente des Inconvénients supplémentaires lies aux moyens de commande utilises. En effet, la commande de la microvanne peut etre réalisée des deux manières suivantes.
Une première manière consiste a commander le déplacement du diaphragme par voie thermique en dilatant le fluide contenu d'un coté de ce dernier. Compte tenu de l'inertie thermique du fluide, le temps de réponse de la microvanne est alors très important ce qui limite par conséquent son champ d'application.
Une seconde manière consiste à utiliser une commande externe telle qu'une commande piézoélectrique, cette dernière agit directement sur le diaphragme et permet d'obtenir des temps de réponse très faibles. En revanche, cela augmente considérablement l'encombrement, complique et renchérit le dispositif.
L'invention a donc pour but principal de remédier aux inconvénients de l'art antérieur susmentionné en fournissant une microvanne active réalisée de facon simple, fiable et économique.
A cet effet, la présente invention a pour objet une microvanne comprenant un siège de clapet, un clapet mobile entre une première position dans laquelle il est appliqué contre le siège, et une seconde position dans laquelle il autorise le passage d'un fluide a travers au moins un canal ménagé dans le siège, et des moyens de commande du clapet en réponse à un signal d'activation.
Conformément a l'invention, la microvanne est réalisée sous la forme d'un composant intégré comprenant un substrat en matériau semi-conducteur sur lequel sont déposées et gravées une pluralité de couches, le canal étant ménagé dans le substrat, et en ce que le siège, le clapet et les moyens de commande sont formes par lesdites couches.
Ainsi, on obtient une microvanne Intégrée ayant une grande compacité et que l'on peut réaliser grace aux techniques classiques de micro-usinage des matériaux semi-conducteurs.
Selon une caractéristique avantageuse de l'invention, la pluralite de couches comprend au moins une première couche électriquement conductrice solidaire du clapet, une seconde couche électriquement conductrice solidaire du siège, les moyens de commande étant constitués par lesdites couches conductrices formant respectivement une électrode et une contre-électrode, ces dernières étant reliées a un circuit de commande.
Ainsi, on réalise aisément des moyens de commande a faible temps de réponse, ayant un fonctionnement fiable et simple sans augmenter l'encombrement de l'ensemble du dispositif.
De préférence, la microvanne selon l'invention comprend en outre des moyens de rappel élastiques du clapet dans une de ses deux positions.
Cela permet d'obtenir-un controle de la position du clapet après arret de la commande afin par exemple d'utiliser la microvanne pour des applications spécifiques.
L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une microvanne comprenant un siège de clapet, un clapet mobile entre une première position dans laquelle il est applique contre le siège, et une seconde position dans laquelle il autorise le passage d'un fluide à travers un canal ménagé dans le siège et des moyens de commande du clapet en réponse à un signal d'activation.
Conformément à l'invention, le procédé comprend les opérations successives consistant a :
- former sur la face supérieure du substrat une zone conductrice définissant une contre-électrode de commande ;
- recouvrir ladite zone conductrice d'une couche sacrificielle pour définir la course du clapet ;
- déposer une pluralité de couches pour former le clapet, ladite pluralité de couches comprenant au moins une première couche électriquement isolante, une couche électriquement conductrice pour former l'électrode de commande, cette dernière présentant au moins une partie en regard de la contre-electrode, et une seconde couche électriquement isolante ;;
- attaquer sélectivement et successivement la face supérieure et inferieure du substrat pour former le canal et éliminer la couche sacrificielle, l'attaque se poursuivant jusqu'à la première couche électriquement isolante.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appara~- tront a la lecture de la description qui suit d'un mode de réalisa- tion non-limitatif en liaison avec les dessins ci-joints parmi lesquels
- la figure 1 montre une vue schématique partielle, en coupe d'un drain à section carrée dans lequel est monté une microvanne selon l'invention ;
- la figure 2 est une vue en perspective d'ensemble, en arraché d'une microvanne selon l'invention ;
- la figure 3 est une vue en perspective d'ensemble en éclaté et en arraché d'une microvanne selon l'invention
- les figures 4a et 4b sont des vues en coupe selon la ligne
IV-IV de la figure 2 représentant la microvanne selon l'invention dans une position d'ouverture et de fermeture respectivement ;;
- les figures Sa et 5b sont des vues en coupe selon la ligne
V-V de la figure 2 représentant la microvanne selon l'invention dans une position d'ouverture et de fermeture respectivement ;
- la figure 6 est un schéma bloc de fonctionnement d'un débitmètre incluant une microvanne selon l'invention ;
- les figures 7a a 17a sont des vues en coupe selon la ligne
IV-IV de la figure 2 de la microvanne représentée à différentes étapes du procédé de fabrication de celle-ci.
- les figures 7b à 17b sont des vues en coupe selon la ligne
V-V de la figure 2 de la microvanne, représentée a différentes étapes du procédé de fabrication de celle-ci.
En se référant tout d'abord à la figure 1, on voit une vue partielle en coupe d'un drain 1 ayant une section carrée dans laquelle est montée une microvanne électrostatique selon l'invention désignée par la référence numérique générale 2.
A titre d'exemple et pour fixer les idées, ce drain a une 2 section sensiblement égale a 2 x 2 mm et la microvanne 2 a une épaisseur d'envion 400 um. Cet ensemble peut etre avantageusement utilise dans des dispositifs d'injection d'insuline.
On notera qu'une telle microvanne peut être également utilisée avantageusement à basse température par exemple dans un liquéfacteur d'azote miniature.
En se référant aux figures 2 et 3, on voit une vue d'ensemble en perspective d'un mode de réalisation de la microvanne 2 seule. Cette microvanne électrostatique de forme générale parallélépipédique comprend de façon classique un siège de clapet 3, un clapet 4 mobile entre une première position dans laquelle il est appliqué contre le siège 3 et une seconde position dans laquelle il autorise le passage d'un fluide à travers au moins un canal 5. Cette première partie du canal ménagée dans le siège 3 présente un orifice 6. En outre, la microvanne comprend des moyens de commande 7 du clapet 4. Ces moyens de commande activent le clapet 4 en réponse à un signal de commande électrique délivré par un circuit de commande extérieur (non représenté).
Selon l'invention, la microvanne est réalisée sous la forme d'un composant élémentaire intégré comprenant un substrat 8 semi-conducteur monocristallin sur lequel sont déposées et gravées une pluralité de couches conductrices et isolantes afin de former le siège 3, le clapet 4, le canal 5 et les moyens de commande 7.
Ce siège 3 est obtenu à partir d'une couche 9 réalisée par diffusion superficielle d'atomes de phosphore selon une configuration déterminée à la surface supérieure 8a du substrat. Cette surface supérieure est ensuite micro-usinee dans les zones non diffusées. Ce siège constitue ainsi une contre-électrode 3 formant une première partie des moyens de commande 7. En outre, dans le mode de réalisation décrit, on définit simultanément des moyens de rappel élastiques 10 du clapet 4 dans une de ses deux positions. Ces moyens de rappel élastiques 10 comprennent deux bras 10a, 10b s'étendant en porte-à-faux, suivant une des diagonales du substrat au-dessus d'une seconde partie 5b du canal 5 constituée par une pluralité de fenêtres ménagées à la surface supérieure 8a du substrat.
Ces fenêtres, définissant la partie 5b du canal 5 communiquent avec la première partie du canal au moyen de l'orifice 6 quand le clapet 4 est en position haute.
On notera que, de manière avantageuse, les bras de rappel elastiques ont une structure monocristalline leur conférant une très grande élasticité, sans plasticité.
La microvanne 2 comprend en outre trois couches 12, 13, 14 partiellement suspendues par quatre bras 15 de liaison. Ces couches 12, 13, 14 forment une membrane mobile définissant le clapet 4.
La couche 12 est une couche isolante de Si3 N4 ayant une geométrie déterminée pour ne pas obturer la seconde partie 5b du canal quelle que soit la position du clapet 4.
La couche 13 est une couche électriquement conductrice, par exemple une couche de polysilicium. Cette couche forme une électrode 16 qui définit la seconde partie des moyens de commande 7. L'électrode 16 est disposée sensiblement en regard de la contre-électrode 3.
Enfin, la couche 14 est une couche isolante de même nature que la couche 12, cette dernière étant indispensable pour éviter les courts-circuits.
On notera également que les couches 12, 14 ont chacune des ouvertures 17, 18 ménagées de facon appropriées pour permettre la connexion électrique des électrodes 3, 16.
Dans le mode de réalisation décrit, la microvanne comprend des moyens de contrôle 19 de l'état de l'ouverture et de fermeture de l'orifice. Ces moyens de contrôle sont définis par une électrode 20 indépendante de l'électrode de commande 16 disposée entre les deux couches isolantes 12, 14 afin de coopérer avec une partie de la contre-électrode 3.
Ainsi, par une simple mesure de la capacité entre ces deux électrodes 20, 3 on détermine si la membrane est appliquée contre le siège 3 ou si elle se trouve au-dessus de ce dernier.
Bien entendu, l'invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit et l'on peut prévoir des variantes sans sortir de son cadre. On peut notamment prévoir une microvanne présentant des orifices multiples ou encore une microvanne dite normalement fermée, les moyens de rappel appliquant en permanence le clapet contre son siège quand aucun signal de commande n'est délivré.
Dans ce cas il est nécessaire de prévoir des couches supplémen- taires.
Les figures 4a, 4b et 5a, 5b illustrent clairement les positions d'ouverture et de fermeture de la microvanne respectivement.
Aux figures 4a, 5a aucune tension électrique n'existe aux bornes des électrodes de commande, les électrodes ne sont pas chargées, et par conséquent la force d'attraction électrostatique Fe entre ces dernières est nulle. Par ailleurs, les bras 10a, lOb constituant les moyens de rappel élastiques 10 agissent afin de rappeler la partie de la membrane formant le clapet 4 dans une direction indiquée par la flèche R. La membrane occupe alors une position déterminée, et l'orifice 6 est ouvert si bien que le fluide (symbolise par les flèches C) peut circuler librement dans le canal 5.
On notera que grâce aux moyens de rappel élastiques 10, l'élec- trode de contrôle 20 est toujours à une distance sensiblement constante de la contre-électrode 3 si bien que la valeur de la capacité mesurée indique de façon sûre l'état d'ouverture de la microvanne 2.
Aux figures 4b, 5b une tension électrique est appliquée aux bornes des électrodes de commande 3, 16. En raison du phénomène d'attraction entre conducteurs chargés, la partie de la membrane formant le clapet 4 est appliquée contre le siège 3 obturant ainsi l'orifice 6 et déformant les moyens de rappel élastiques 10.
Enfin, à la figure 6, est représenté un schéma de bloc simplifie d'un débimètre désigné généralement par la référence numérique 21.
Le débitmètre 21 comprend une microvanne 2 selon l'invention associée à un circuit de régulation 22 délimité par un trait interrompu. Ce circuit de régulation comprend un circuit de mesure 23 du débit réel moyen passant à travers la microvanne 2. Ce circuit de mesure 23 a une entrée 24 reliée aux électrodes de contrôle de la microvanne 2 et délivre sur une sortie 25 reliée à une première entrée 26 d'un circuit de commande 27 un signal D1 représentatif du débit réel moyen. Par ailleurs, le circuit de commande 27 a une seconde entrée 28 recevant un signal de consigne D2 représentatif d'un débit souhaité. Enfin, une sortie S du circuit de commande est reliée aux électrodes de commande de la microvanne 2 pour commander l'ouverture ou la fermeture de celle-ci.
On va maintenant successivement décrire les différentes étapes d'un procédé particulier de fabrication d'une microvanne selon l'invention en référence aux figures 7a à 17a, 7b à 17b.
On notera tout d'abord que compte tenu des faibles dimensions des microvannes, et pour des raisons pratiques que l'on comprend aisément, le procédé de fabrication s'applique simultanément a la fabrication d'un grand nombre de microvannes à partir d'une même plaquette définissant le substrat.
Par ailleurs, il est important de noter que les valeurs des différents paramètres tels que la température, la présence, le temps, des réactifs utilisés etc... décrites dans le procédé ne sont nullement limitatives, et dépendent essentiellement des matériaux et des appareillages utilises. Ces valeurs peuvent être par conséquent facilement déterminées par l'homme du métier.
Les plaquettes (non représentées) définissant le substrat 8 et à partir desquelles les microvannes 2 sont obtenues ont les caractéristiques suivantes. Il s'agit de plaquettes de silicium monocristallin de type P ayant une orientation cristalline < 100 > et une résistivité électrique d'environ 5 à 7 fl/cm. Pour fixer les idées, l'épaisseur et le diamètre des plaquettes est de 400 vm et 7,5 cm respectivement.
En se référant plus particulièrement aux figures 7a, 7b à 9a, 9b on voit le substrat 8 à différentes étapes successives de la réalisation de la contre-électrode (le siège du clapet), et de la préparation en vue d'un usinage ultérieur des moyens de rappel élastiques du clapet par la création de zones diffusées de type n dans le substrat Si.
Aux figures 7a, 7b, le substrat préalablement poli sur ses deux faces 8a, 8b est oxydé dans un four à une température de 1100 C pendant 1 heure. On obtient une fine couche 29 ayant une épaisseur de 130 à 150 vm de SiO2.
On définit par photolithoqraphie un masque pour l'étape suivante de dopage du substrat.
Ce dopage est obtenu par dépôt d'une pleine couche 30 de SiO2 dopé au phosphore par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur une épaisseur de 100nm environ. Ce dopage est suivi d'une diffusion à haute température 11000C du phosphore dans le substrat et définit une zone diffusée 9 (figures 8a, 8b).
On élimine par attaque chimique les couches 29, 30 de SiO2 et
SiO2 : P (figures 9a, 9b).
L'étape suivante illustrée aux figures 10a, lOb consiste à réaliser la couche sacrificielle 31 qui définit la course du clapet.
Cette étape consiste en un dépôt chimique en phase vapeur à 3500C d'une couche de 5Onm dc SiO2 suivi du dépôt d'une couche de OOnm d'oxyde de silicium fortement dopé au phosphore (PSG : Phosphosilicate glass).
Cette couche 31 est ensuite gravée par photolithographie pour ne recouvrir que la contrelelectrode 3 (figures 10a, 10b).
Dans l'étape suivante, illustrée aux figures lia à 13a, 11b à 13b on réalise le clapet 4 et l'électrode 16 associée et le cas échéant l'électrode de contrôle 20 (voir figures 2 et 3).
Pour ce faire, on dépose successivement
- une couche 12 de 100nm de Si3N4 par LPCVD ( déposition chimique en phase gazeuse à basse pression) à 8000C, sur les deux faces du substrat (figure-lla, 11b) ;
- une couche 13 de 20nm de polysilicium par LPCVD à 6250C sur la face supérieure 8a du substrat, gravée suivant le motif désiré (figure 12a, 12b)
- une couche 14 de 100nm de Si3N4 par LPCVD à 8000C sur les deux faces du substrat (figure 13a, 13b).
Dans l'étape susdécrite, la couche électriquement conductrice 13 peut être remplacée par une métallisation.
Pour réaliser l'ouverture des première et seconde parties 5a, 5b du canal 5, ainsi que les ouvertures 17, 18 nécessaires aux connexions des électrodes 3, 16, 20, on attaque les couches 12, 14 de
Si3N4 par une attaque sèche ou humide (figures 14a, 14b).
A l'étape illustrée aux figures 15a, 15b on procède à l'attaque, par une solution d'hydroxyde de potasium (KOH) à 40% à une temperature de 600C, de la face inférieure 8b du substrat afin de former la première partie Sa du canal . Pendant cette étape, la face supérieure 8a du substrat 8 est protégée. On arrête l'attaque quand l'epaisseur résiduelle du substrat 8 est égale à la profondeur de la seconde partie du canal 5b que l'on désire obtenir.
- Aux figures 16a, 16b on retire la protection de la face supérieure 8a du substrat 8, et l'attaque se poursuit sur les deux faces 8a, 8b.
Au cours de cette attaque, on élimine une partie du substrat se trouvant sous les bras 10a, 10b constituant les moyens de rappels élastiques 14.
Afin de protéger ces derniers de l'attaque chimique, on polarise, selon la méthode décrite dans l'article H.A. Waggener et al paru dans la revue Bell System technical journal Vol .49 (3) pages 473 1970, la jonction couche 9 - substrat 8 et on terni ne également l'usinage de la première partie Sa du canal 5.
Il ne reste donc plus qu'à libérer le clapet 4 en eliminant la couche sacrificielle 31 et a éliminer les couches 12 et 14 restant sur la face inférieure 8b, par exemple par une attaque seche.
L'élimination de la couche sacrificielle est réalisée par une attaque chimique par une solution de BHF, (figures 17a, 17b).

Claims (18)

REVENDICATIONS
1. Microvanne (2) comprenant un siège (3) de clapet, un clapet (4) mobile entre une première position dans laquelle il est appliqué contre le siège, et une seconde position dans laquelle il autorise le passage d'un fluide à travers au moins un canal (5) ménagé dans le siège (3), et des moyens de commande (7) du clapet en réponse à un signal d'activation, caractérisé en ce que ladite microvanne est réalisée sous la forme d'un composant intégré comprenant un substrat (8) en un matériau semi-conducteur sur lequel sont déposées et gravées une pluralité de couches (9, 12, 13, 14), le canal (5) étant ménagé dans le substrat (8), et en ce que le siège (3), le clapet (4) et les moyens de commande (7) sont formés par lesdites couches.
2. Microvanne selon la revendication 1, caractérisée en ce que la pluralité de couches comprend au moins une première couche (13) électriquement conductrice solidaire du clapet (4), une seconde couche (9) électriquement conductrice solidaire du siège (3), les moyens de commande (7) étant constitués par lesdites couches conductrices formant respectivement une électrode et une contre-electrode, ces dernières étant reliées à un circuit de commande.
3. Microvanne selon la revendication 1 ou 2, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des moyens de rappel élastiques (10) du clapet (4) dans une de ses deux positions.
4. Microvanne selon la revendication 3, caractérisée en ce que les moyens de rappel élastiques (10) comprennent une couche (9) monocristalline solidaire du clapet (4) d'une part et solidaire du substrat (8) d'autre part.
5. Microvanne selon la revendication 4, caractérisée en ce que la contre-electrode (3) et les moyens de rappel élastiques (10) sont formés à partir de la couche monocristalline (9).
6. Microvanne selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la couche monocristalline (9) est une couche de silicum dope.
7. Microvanne selon l'une quelconque des revendications précé- dentes, caractérisée en ce que le substrat (8) est un matériau semiconducteur monocristallin.
8. Microvanne selon l'une quelconque des revendications precedentes, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre des moyens de contrôle (19) de l'état d'ouverture et de fermeture de l'orifice (6).
9. Microvanne selon la revendication 8, caractérisée en ce que les moyens de contrôle comprennent une électrode de contrôle (20) disposée sensiblement en regard de la contre-électrode (3).
10. Microvanne selon l'une quelconques des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comprend plusieurs orifices (6), chacun d'eux coopérant avec le clapet (4).
11. Debimetre (21) caractérisé en ce qu'il comprend une microvanne (2) selon l'une quelconque des revendications précédentes, ladite microvanne étant reliée à un circuit de régulation (22) comprenant un circuit de mesure (23) du débit moyen et un circuit de commande (27), le circuit de mesure (23) ayant une entrée (24) reliée aux électrodes de contrôle de la microvanne, une sortie (25) reliée à une première entrée (26) du circuit de commande (27), une seconde entrée (28) du circuit de commande recevant un signal (D2) représentatif d'un débit souhaité, la sortie (S) du circuit de commande étant reliée à la microvanne (2) pour commander l'ouverture et la fermeture du clapet (4) en fonction des valeurs d'entrée (D1,
D2) du débit.
12. Procédé de fabrication d'une microvanne comprenant un siège de clapet, un clapet mobile entre une première position dans laquelle il est appliqué contre le siège et une seconde position dans laquelle il autorise le passage d'un fluide à travers un canal ménagé dans le siège, et des moyens de commande du clapet en réponse a un signal d'activation comprenant les opérations successives consistant à
- former sur la face supérieure (8a) du substrat une zone conductrice (9) définissant une contre-électrode de commande ;
- recouvrir ladite zone conductrice (9) d'une couche sacrificiel le (31) pour définir la course du clapet (4) ;;
- déposer une pluralité de couches (12, 13, 14) pour fonner le clapet, ladite pluralité de couches comprenant au moins une première couche électriquement isolante (12), une couche électriquement conductrice (13) pour former l'électrode de commande (16), cette dernière présentant au moins une partie en regard de la contre-électrode (3), et une seconde couche électriquement isolante (14) ;
- attaquer sélectivement et successivement la face supérieure (8a) et la face inférieure (8b) du substrat pour former le canal (5) et éliminer la couche sacrificielle (31), l'attaque se poursuivant jusqu'à la première couche électriquement isolante (12).
13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la zone conductrice (9) est une couche superficielle du substrat (8) dopée n.
14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, caractérisé en ce que ladite zone conductrice (9) définit en outre les moyens de rappel élastiques (10) du clapet (4 > .
15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 14, caractérise en ce que la couche sacrificielle (31) comprend une première couche mince d'oxyde de silicium et une seconde couche épaisse d'oxyde de silicium dopée au Phosphore, ladite couche sacrificielle recouvrant au moins la zone conductrice (9) définissant la contre-électrode (3) de commande.
16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisé en ce que le dépôt de la pluralité de couches (12, 13, 14) formant le clapet (4) comprend les opérations successives consistant à
- déposer une première couche électriquement isolante (12) de nitrure de silicium ;
- déposer une couche électriquement conductrice (13) de polysilicium dopé formant l'électrode de commande ;
- déposer, une seconde couche électriquement isolante (14) de nitrure de silicium.
17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, caractérisé en ce que l'opération d'attaque comprend les étapes successives consistant à
- attaquer à travers un masque la face inférieure (8b) du substrat par une solution de KOH afin de réaliser une première partie (5a) du canal ;
- attaquer à travers un masque la face supérieure (8a) du substrat par une solution de KOH afin de réaliser une seconde partie (5b) du canal et les moyens de rappel élastiques (10);
- attaquer la couche sacrificielle (31) par une solution de
BHF afin de relier les deux parties du canal (5a, 5b) et de libérer le clapet (4).
18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que pour l'opération consistant à attaquer à travers un masque la face supérieure (8a) par une solution d'attaque anisotrope afin de réaliser la seconde partie (5b) du canal et les moyens de rappel élastiques (10) on utilise un procédé de passivation par polarisation de la jonction substrat (8) - couche dopée n (9).
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