FR2594580A1 - Method of manufacturing a dot matrix liquid crystal display and display thus manufactured - Google Patents

Method of manufacturing a dot matrix liquid crystal display and display thus manufactured Download PDF

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Junichi Tamamura
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Abstract

A liquid crystal cell comprises a liquid crystal 14 confined between two transparent substrates 12, 13 which face each other. A multiplicity of semiconductor driving elements 15 are distributed approximately uniformly over the inner surface of the substrate 12. These elements comprise output electrodes linked to respective matrix element electrodes formed on the inner surface of the substrate 12. A drive circuit is produced in the form of a semiconductor integrated circuit on an extension of the inner surface of the substrate 12 in order selectively to drive the semiconductor drive elements. <IMAGE>

Description

La présente invention concerne un afficheur à cristaux liquides en matrice de points comportant une cellule à cristaux liquides qui contient une multiplicité d'éléments de matrice pouvant être pilotés sélectivement pour afficher divers motifs tel que caractères, images graphiques ou analogues. The present invention relates to a matrix liquid crystal display points comprising a liquid crystal cell which contains a plurality of matrix elements which can be selectively controlled to display various patterns such as characters, graphics or the like images.

On a déjà proposé des afficheurs à cristaux liquides en matrice de points comportant des transistors à pellicule mince incorporés en tant qu'éléments de pilotage à une cellule à cristaux liquides de faibles grandeur pour piloter sélectivement des éléments de matrice. liquid crystal displays have been proposed in dot matrix having thin film transistors incorporated as part of a steering of magnitude lower liquid crystal cell for selectively controlling matrix elements. Pour exciter ces transistors, on fait ressortir de la cellule à cristaux liquides une multiplicité de bornes. To excite these transistors, it is pointed out of the liquid crystal cell to a plurality of terminals. La connexion de ces bornes à un circuit pilote est très fastidieuse et prend du temps. Connect these terminals to a driver circuit is very tedious and time consuming. Plus précisément, un afficheur en couleur à cristaux liquides en matrice de points comporte des éléments de matrice composés chacun de trois points de rouge, bleu et vert qui doivent être pilotés sélectivement. More specifically, a liquid crystal color display in dot matrix comprises matrix elements each composed of three dots of red, blue and green which are to be controlled selectively. Le nombre de bornes reliées à un tel afficheur à cristaux liquides en couleur est beaucoup plus grand que pour un afficheur à cristaux liquides monochrome ou en noir et blanc.Au cas où le nombre d'éléments matriciels est, par exemple, de 100 x -100 = 10 000, le nombre de bornes ressortant d'une cellule à cristaux liquides monochrome est de 100 + 100 = 200, tandis que celui de bornes ressortant d'une cellule à cristaux liquides en couleur est de 100 + (3 x 100)= 400 attendu que le nombre de points nécessaire est de 100 x 100 x 3 = 30 000. Le processus de connexion de ces bornes au circuit pilote devient alors très complexe. The number of terminals connected to such a liquid crystal color display is much greater than for a monochrome liquid crystal display or black and blanc.Au case the number of matrix elements is, for example, 100 x - 100 = 10 000, the number of terminals protruding from a monochrome liquid crystal cell is 100 + 100 = 200, while the protruding terminals of a color liquid crystal cell is 100 + (3 x 100) = 400 expected that the number of points required is 100 x 100 x 3 = 30 000. the process of connecting these terminals to the driver circuit becomes very complex.

Le mode d'assemblage de transistors à pellicule mince dans des cellules à cristaux liquides courantes est le suivant ; The method of assembling thin film transistors in common liquid crystal cells is as follows; on façonne directement des électrodes de grille et d' élément matriciel sur la surface intérieure du substrat de la cellule à cristaux liquides, et l'on dépose une pellicule d' isolement de grilles sur toute la surface interieure du substrat comportant ces électrodes. is directly shapes of gate electrodes and matrix element on the inner surface of the substrate of the liquid crystal cell, and depositing a film of isolating gates over the entire inner surface of the substrate including the electrodes. On forme une couche semiconductrice sur la pellicule d'isolement de grilles, en regard des grilles. Forming a semiconductor layer on the insulation film gates, facing the grids. On dépose des électrodes de drain et de source sur la couche semi-conductrice en des emplacements chevauchant partiellement des côtés opposés des électrodes de grille, avec interposition de la couche semi-conductrice et de la pellicule d'isolement de grilles.Pour la connexion électrique des électrodes de drain aux électrodes d'élément matriciel, il est nécessaire de ménager des trous à travers la pellicule d'isolement de grilles pour permettre un contact entre les électrodes. Depositing electrodes drain and source regions on the semiconductor layer at locations partially overlapping opposite sides of the gate electrodes with the interposition of the semiconductor layer and the insulating film of the electrical connection grilles.Pour drain electrodes of the electrode matrix element, it is necessary to provide holes through the gate insulation film to allow contact between the electrodes. I1 est aussi nécessaire de déposer une pellicule protectrice sur les transistors à pellicule mince pour éviter qu' ils ne soient exposés à l'atmosphère, ce qui dégraderait la couche semi-conductrice superficielle avant que les transistors à pellicule mince ne soient étanchés dans la cellule à cristaux liquides. I1 is also necessary to remove a protective film on the thin film transistor to avoid that they are exposed to the atmosphere, which would degrade the surface semiconductor layer before the thin film transistor are sealed in the cell liquid crystal. Par conséquent, le processus de fabrication des transistors à pellicule mince des cellules à cristaux liquides antérieures exigeait un nombre d'opérations accru par la nécessité de ménager des trous de contact et de déposer une pellicule protectrice.Pour les cellules à cristaux liquides à grande aire d'affichage, il faut fabriquer de nombreux transistors dans la cellule à cristaux liquides. Therefore, the manufacturing process of the thin film transistors of the previous liquid crystal cells requiring a number of operations increased by the need to provide contact holes and depositing a film protectrice.Pour the liquid crystal cells to large area display, it is necessary to manufacture many transistors in the liquid crystal cell.

Plus est grand le nombre d'opérations de fabrication, plus il est difficile de fabriquer des transistors à pellicule mince de caractéristiques uniformes ainsi que de rendre tous les transistors fabriqués exempts de défauts. The greater the number of manufacturing operations, it is more difficult to manufacture thin film transistors of uniform characteristics and to make all the transistors fabricated free from defects.

La présente invention a pour buts da proposer un afficheur à cristaux liquides en matrice de points The present invention aims da provide a liquid crystal display in dot matrix
- qui comporte un nombre moindre de bornes de connexion extérieure ; - which comprises a smaller number of external connection terminals;
- que l'on puisse fabriquer en un nombre réduit d'opérations et avec un rendement accru, et qui puisse avoir une grande aire d'affichage - that can be manufactured in a reduced number of operations with increased yield, and that can have a large display area
- qui comporte un nombre faible de bornes de connexion extérieure, puisse être fabriqué en un nombre réduit d'opérations et puisse avoir une grande aire d'affichage. - which comprises a small number of external connection terminals can be manufactured in a reduced number of operations and may have a large display area.

Suivant la présente invention, une multiplicité de transistors à pellicule mince sont étroitement répartis sur une surface d'un substrat de cellule à cristaux liquides, les transistors faisant partie d'éléments d'affichage en matrice de points et ayant des electrodes de sortie ou drains reliés à ces éléments matriciels. According to the present invention, a plurality of thin film transistors are closely distributed over a surface of a liquid crystal cell substrate, the transistors forming part of dot matrix display elements and having output electrodes or drains connected to these matrix elements. Dans un afficheur à cristaux liquides en couleur, des filtres colorés sont formés sur les éléments matriciels ou sur un autre substrat situé en regard de ces élements. In a liquid crystal color display, color filters are formed on the matrix elements or on another substrate next to these elements. Ces filtres colorés ont au moins deux cou leurs et un jeu de filtres colorés voisins constitue un seul élément matriciel. These color filters have their necks at least two and a set of neighboring color filters is only one matrix element. Un circuit pilote pour le pilotage sélectif des transistors à pellicule mince présente au moins une partie réalisée sous forme de circuit intégré à semiconducteurs sur le substrat sur lequel sont montés les transistors à pellicule mince.L'afficheur à cristaux liquides en matrice de points est relié à des bornes externes à travers des bornes du circuit pilote, ce qui se traduit par la possibilite de réduire le nombre de bornes de connexion extérieure pour faciliter cette connexion extérieure. A drive circuit for selectively driving thin film transistor comprises at least one part designed as circuitous semiconductor integrated on the substrate on which are mounted the film transistors mince.L'afficheur dot matrix liquid crystal is connected to external terminals through the terminals of the driver circuit, which results in the possibility of reducing the number of external connection terminals to facilitate this external connection. Les filtres colorés sont. The colored filters. de préférence formés d'encre colorée et peuvent être réalisés par technique d'impression. preferably formed of colored ink and may be made by printing technique. De plus, suivant la présente invention, les transistors à pellicule mince de la cellule à cristaux liquides ont des électrodes de drain et de source formées sur la surface intérieure du substrat. In addition, according to the present invention, the thin film transistors of the liquid crystal cell are drain and source electrodes formed on the inner surface of the substrate.

Une couche semi-conductrice est formée entre les électrodes de drain et de source, et recouverte par une pellicule d'isolement de grille. A semiconductor layer is formed between the drain electrodes and source and covered by a gate insulating film. Des électrodes de grille sont formées sur la pellicule d'isolement de grille. gate electrodes are formed on the gate insulating film. Du fait quelles électrodes de drain sont formées sur la surface intérieure du substrat, ces électrodes et les électrodes d'élément matriciel peuvent être réalisées simultanément à l'état pré-connecté. Because what drain electrodes are formed on the inner surface of the substrate, these electrodes and the matrix element electrodes can be made simultaneously with the pre-connected state. Il n'est pas nécessaire de prévoir une opération de fabrication pour ménager des trous de contact pour la connexion de ces électrodes. It is not necessary to provide a manufacturing operation to spare the contact holes for connecting the electrodes. Attendu oue la couche semi-conductrice est complètement recouverte par la pellicule d'isolement de grille, il n'est pas nécessaire de former une pellicule protectrice sur la couche semi-conductrice. Whereas oue the semiconductor layer is completely covered by the gate insulating film, it is not necessary to form a protective film on the semiconductor layer.

La présente invention vise notamment un procédé de fabrication d'afficheur à cristaux liquides en matrice de points comportant un premier substrat transparent en un matériau isolant, un second substrat transparent en un matériau isolant disposé auprès du premier substrat et en parallèle avec lui et présentant un bord périphérique étanche en contact contre lui, un cristal liquide disposé de façon étanche entre lesdits premier et second substrats, une électrode commune déposée sur sensiblement la totalité d'une surface intérieure du second substrat pour définir ainsi une zone d'affichage dudit afficheur à cristaux liquides, des électrodes d'élément matriciel transparentes formées en rangées et en colonnes directement sur le premier substrat pour définir des éléments d'affichages dans la zone d'affichage, des conducteurs d'électrodes de rangée formés sur le premier substrat de manière à longer les rangées respectives desdites électrodes d'élément ma The present invention seeks in particular a liquid crystal display manufacturing method of matrix of points having a first transparent substrate of an insulating material, a second transparent substrate of an insulating material disposed to the first substrate and in parallel therewith and having a sealed peripheral edge in contact against it, a liquid crystal disposed in sealed manner between said first and second substrates, a common electrode disposed on substantially an entire inner surface of the second substrate to thereby define a display area of ​​said crystal display liquids, transparent electrode matrix element formed in rows and columns directly on the first substrate for defining display elements in the display area of ​​the row electrode conductors formed on the first substrate so as to follow the respective rows of said electrode element my triciél, et des transistors à pellicule mince de pilotage d'élément disposés en rangées et en colonnes et comportant chacun une électrode de source métallique reliée à l'un correspondant des conducteurs d'électrodes de rangée, une électrode de drain métallique reliée à l'une correspondante des électrodes d'-élément matriciel et une électrode de grille reliée à des conducteurs d'électrodes de colonne s'étendant perpendiculairement auxdits conducteurs d'électrodes de rangée, ce procédé comportant les étapes consistant à former lesdites électrodes métalliques de source et de drain directement sur le premier substrat, à former des couches semi-conductrices sur le premier substrat de façon qu elles s'étendent à cheval entre des électrodes métalliques de source et de drain correspondantes, voisines l'une de l'autre, à former des pellicules d'isolement de grille de façon qu'elles recouvrent les couches semi-conductrices respectives, et à former lesdite triciél, and transistors to drive thin film member arranged in rows and columns and each including a metal source electrode connected to a corresponding one of row electrode drivers, a metal drain electrode connected to the a corresponding one of electrodes of the matrix element and a gate electrode connected to the column electrode conductors extending perpendicularly to said row electrode drivers, the method comprising the steps of forming said metal electrodes source and drain directly on the first substrate, to form semiconductor layers on the first substrate so that they extend halfway between metal electrodes of source and drain of corresponding, adjacent to one another, to form insulation films so that they cover the respective gate semiconductor layers, and forming lesdite s électrodes de grille sur des pellicules d'isolement de grille correspondantes en regard de susdites couches semi-conductrices respectives, caractérisé en ce que s gate electrodes on corresponding gate insulating film facing aforementioned respective semiconductor layers, characterized in that
on réalise lesdites pellicules d'isolement de grille sous forme de pellicule continue s'étendant sensiblement entièrement sur la zone d'affichage pour recouvrir lesdites couches semi-conductrices et lesdites électrodes d'élément matriciel1 et en ce qu'il comprend encore les étapes consistant à :: is carried out said gate insulating film as a continuous film extending substantially entirely on the display area to cover said semiconductor layers and said electrode matriciel1 element and in that it further comprises the steps of at ::
- former des zones d'électrode de grille transparente sur ladite pellicule d'isolement de grilles de façon qu'elles recouvrent lesdites couches semi-conductrices; - form areas transparent gate electrode on said gate insulation film so that they overlap said semiconductor layers;
- former sur lesdites zones d'électrode de grille transparente une couche de résine photosensible continue susceptible de durcir par exposition à la lumière; - forming on said transparent gate electrode areas a layer of photosensitive resin capable of hardening by continuous exposure to light;
- exposer ladite couche de résine photosensible à la lumière- à travers le premier substrat, lesdites électrodes métalliques de source et de drain faisant office de masques; - exposing said photoresist layer to the light- through the first substrate, said metal electrodes of source and drain serving as masks;
- développer lesdites couches de résine photosensible pour en éliminer les parties qui n'ont pas été exposées à la lumière; - developing said photoresist layer to remove the parts that have not been exposed to light; et and
- graver lesdites zones d'électrode de grille transparente avec les autres parties de la couche de résine photosensible faisant office de masques, pour former ainsi lesdites électrodes de grille. - etching said transparent gate electrode zones with other parts of the photoresist layer serving as masks, thereby forming said gate electrodes.

La présente invention concerne également un afficheur à cristaux liquides en matrice de points réalisé selon le procédé ci-dessus mentionné. The present invention also relates to a dot matrix liquid crystal display device produced according to the above mentioned method.

Pour mieux faire comprendre l'invention, on va maintenant en décrire en détail, à simple titre d'exemples, deux réalisations préférées en se référant aux dessins annexés, sur lesquels For better understanding the invention will now be described in detail, simply by way of examples, two preferred embodiments with reference to the accompanying drawings,
- la figure 1 est une vue en coupe d'un. - Figure 1 is a sectional view of a. afficheur à cristaux liquides en matrice de points courant LCD matrix current point
- la figure 2 est un schéma de montage d'un circuit électrique de transistors pour le pilotage des éléments matriciels d'un afficheur a cristaux liquides en matrice de points - Figure 2 is a circuit diagram of an electrical circuit of transistors for driving the matrix elements of a display has crystal dot matrix liquid
- la figure 3 est une vue de détail en plan d'un transistor à pellicule mince d'afficheur à cristaux liquides an térieur - Figure 3 is a detail plan view of a thin film transistor liquid crystal display year TER AL
- la figure 4 est une vue en coupe suivant la ligne 100- 100 de la figure 3 - Figure 4 is a sectional view along the line 100- 100 of Figure 3
- la figure 5 est une vue en perspective d'un afficheur à cristaux liquides en matrice de points suivant la présente invention - Figure 5 is a perspective view of a display matrix liquid crystal points according to the present invention
- la figure 6 est un schéma montrant un agencement des éléments d'affichage en couleur de l'afficheur à cristaux liquides en matrice de points représenté à titre d'exemple sur la figure 5 ; - Figure 6 is a diagram showing an arrangement of color-display elements of the display matrix liquid crystal points shown by way of example in Figure 5;
- la figure 7 est, en plan, une vue de détail grossie d'une partie de l'agencement de la figure 6 - Figure 7 is, in plan, an enlarged detail view of a portion of the arrangement of Figure 6
- la figure 8 est une vue en coupe suivant la ligne 101101 de la figure 7 ; - Figure 8 is a sectional view taken along line 101 101 of Figure 7;
- la figure 9 est une vue de détail en perspective, avec arrachement, de l'afficheur à cristaux liquides en matrice de points selon la présente invention ; - Figure 9 is a detail view in perspective, with parts broken away, of the matrix liquid crystal display in points according to the present invention;
- la figure 10 est un schéma symbolique d'un circuit pilote associé à l'afficheur à cristaux liquides ; - Figure 10 is a schematic diagram of a driver circuit associated with the liquid crystal display;
- les figures lîA à llG constituent un diagramme de synchronisation illustrant le fonctionnement du circuit pilote de la figure 10 ;; - Figures lia to LLG is a timing chart illustrating the operation of the driver circuit of FIG 10 ;;
- la figure 12 est une vue de détail en plan d'un transistor à pellicule mince de l'afficheur à cristaux liquides suivant la présente invention - Figure 12 is a detail plan view of a thin film transistor liquid crystal display according to the present invention
- la figure 13 est une vue en coupe suivant la ligne 102102 de la figure 12 - Figure 13 is a sectional view taken along line 102 102 of Figure 12
- les figures 14 à 19 sont des vues en coupe illustrant un processus de fabrication de transistor à pellicule mince suivant la présente invention ; - Figures 14 to 19 are sectional views illustrating a transistor manufacturing process thin film according to the present invention; et and
- la figure 20 est une vue de détail en coupe d'un afficheur à cristaux liquides suivant un autre mode de realisation de la présente invention. - Figure 20 is a sectional detail view of a liquid crystal display according to another embodiment of the present invention.

Avant de décrire des réalisations de la présente invention, on va décrire, en se référant aux figures 1 et 2, un afficheur à cristaux liquides en matrice de points courant. Before describing embodiments of the present invention will be described with reference to Figures 1 and 2, a liquid crystal display matrix of current points.

Comme représenté sur la figure 1, une cellule à cristaux liquide 11 comporte deux substrats transparents 12, 13 placés face à face avec un espacement faible, et un cristal liquide 14 interposé et étanché entre les substrats transparents 12, 13. Une matrice 15 de transistors à pellicule mince est formée sur la surface intérieure de l'un des substrats transparents, 12,et une électrode commune transparente 16 est déposée sur la quasi-totalité de la surface intérieure de l'autre substrat transparent,13.Une couche de traitement d'orientation 17 est déposée sur la matrice 15 de transistors à pellicule 20,et une autre couche de traitement d'orientation 21 est déposée sur 1' électrode commune 16 avec interposition d'une pellicule d'isolement 19. As shown in Figure 1, a liquid crystal cell 11 comprises two transparent substrates 12, 13 placed face to face with a small spacing, and a liquid crystal 14 interposed and sealed between the transparent substrates 12, 13. A matrix 15 of transistors thin film is formed on the inner surface of one of the transparent substrates 12, and a transparent common electrode 16 is deposited on the substantially entire inner surface of the other transparent substrate, 13.A layer processing guidance 17 is deposited on the matrix 15 of film transistors 20, and another orientation treatment layer 21 is deposited on one common electrode 16 with the interposition of an insulation film 19.

Comme représenté sur la figure 2, la matrice 15 de transistors à pellicule mince est composée de conducteurs de colon ne 81,82,831...sensiblement parallèles entre eux et transversalement équidistants,et de conducteurs de rangée 91t92t93t--- sensiblement parallèles entre eux, transversalement équidistants et perpendiculaires aux conducteurs de colonne.Des transistors à pellicule mince 6 sont prévus en des points d'intersection respectifs des conducteurs de colonne et de rangée. As shown in Figure 2, the 15 thin film transistors matrix is ​​composed of conductors settler 81,82,831 ... substantially parallel to each other and transversely equidistant, and row drivers 91t92t93t --- substantially parallel to each other, transversely equidistant and perpendicular to the conductors of transistors colonne.Des thin film 6 are provided at respective intersection points of the column conductors and row. Chacun des transistors 6 comporte une grille reliée au conducteur de rangée 9 et une source reliée au conducteur de colonne 8.Chacun des cadres ou espaces rectangulaires définis par les conducteurs de rangée et de colonne est sensiblement rempli par une électrode d'élément matriciel (de drain) 2 à laquelle est relié le drain d'un transistor 6 correspondant. Each transistor 6 has a gate connected to the row conductor 9 and a source connected to the column conductor 8.Chacun frames or rectangular spaces defined by the row and column conductors is substantially filled with a matrix element electrode (of drain) 2 to which is connected the drain of a corresponding transistor 6.

Une tension est appliquée entre un conducteur de colonne 81,82,83,".Sélecté et un conducteur de rangée 91,92,93,...selecté pour exciter le transistor 6 situé à l'intersection des conducteurs de colonne et de rangée sélectés.La tension est alors appliquée entre l'électrode d'élément matriciel 9 du transistor 6 excité et l'électrode commune 16 pour conférer de ce fait à l'électrode d'élément matriciel 2 un aspect différent de celui du reste de la cellule à cristaux liquides ll.L'affichage peut être sélectivement provoqué de cette manière dans tous les éléments matriciels de la cellule à cristaux liquides 11. A voltage is applied between a conductor 81,82,83 column. "SELECT and a row conductor 91,92,93, ... SELECT to excite the transistor 6 located at the intersection of column lines and row sélectés.La voltage is then applied between the matrix element electrode 9 of the excited transistor 6 and the common electrode 16 to impart thereby to the matrix element electrode 2 a different aspect from that of the rest of the cell ll.L'affichage to liquid crystal can be caused selectively in this way in all the matrix elements of the liquid crystal cell 11.

Dans l'agencement selon la technique antérieure, un circuit 26 de pilotage des conducteurs de colonne 81, 82, 83,... In the arrangement according to the prior art, a circuit 26 for controlling the column conductors 81, 82, 83, ...

et un circuit (non représenté) de pilotage des conducteurs de rangée 91 92' 93... sont montés sur une embase de câblage 18 sur laquelle est supportée la cellule à cristaux liquides 11. Les conducteurs de colonne 81, 82, 83,... et les conducteurs de rangée 91' 92' 93/ présentent des bornes respectives reliées à des bornes correspondantes des circuits de pilotage de colonnes 26 et de pilotage de rangées. and a circuit (not shown) of steering conductors 91 of row 92 '93 ... are mounted on a wiring base plate 18 on which is supported the liquid crystal cell 11. The column conductors 81, 82, 83 ,. .. and the row conductors 91 '92' 93 / have respective terminals connected to corresponding terminals of the column driver circuits 26 and row steering. Quand le nombre d'éléments matriciels est de 100 x 100 = 10 000, le nombre de bornes à relier aux circuits de pilotage atteint 100 + 100 = 200, et c'est une tâche fastidieuse que de relier les bornes de la cellule à cristaux liquides aux circuits pilotes.En particulier pour une cellule à cristaux liquides d'affichage en couleur, chaque élément matriciel est généralement composé de trois points de rouge, vert et bleu pouvant être pilotés indépendamment. When the number of matrix elements is 100 x 100 = 10,000, number of terminals to be connected to the driver circuits is 100 + 100 = 200, and it is a tedious task to connect the terminals of the crystal cell liquid circuits pilotes.En particular for a liquid crystal cell for color display, each matrix element is generally composed of three dots of red, green and blue can be controlled independently. Dans le cas d'éléments matriciels prévus en nombre atteignant 100 x 100 = 10 000, le nombre total de points est de 100 x 100 x 3 = 30 000 et le nombre de bornes nécessaire atteint 100 + (3 x 100) = 400. Ce nombre de bornes accru rend plus complexe et plus long le couplage de la cellule à cristaux liquides d'affichage en couleur avec les circuits de pilotage. In the case of matrix elements provided in number up to 100 x 100 = 10 000, the total number of points is 100 x 100 x 3 = 30,000 and the number of terminals necessary reaches 100 + (3 x 100) = 400. this increased number of terminals makes it more complex and longer coupling the cell to a color display liquid crystal with the driver circuits.

Le transistor à pellicule mince antérieur 6 a une structure telle que représentée sur les figures 3 et 4. On façonne des électrodes de grille 5 (avec conducteurs de rangée 9) sur un substrat 12 en déposant d'abord une couche de métal tel que chrome sur la totalité du substrat 12, puis en gravant la couche métallique suivant un motif prescrit. The prior thin film transistor 6 has a structure as shown in Figures 3 and 4. It is formed of the gate electrodes 5 (with row conductors 9) on a substrate 12 by first depositing a layer of metal such as chromium on the entire substrate 12, then etching the metal layer according to a prescribed pattern. Ensuite, on façonne pareillement des électrodes d'élément matriciel (de drain) 2 sous forme de pellicules métalliques transparentes sur le substrat 12 par dépôt sur ce dernier d'une couche métallique, puis gravure sélective de la couche métallique. Then, similarly shapes of the electrode matrix element (drain) 2 in the form of transparent metallic films on the substrate 12 by depositing thereon a metal layer and selectively etching the metal layer. Ensuite, on dépose une pellicule d'isolement de grilles 22, en nitrure de silicium, sur toute la surface du substrat 12, et l'on ménage des trous 23 dans la pellicule d'isolement de grilles 22 pour permettre le contact avec les électrodes d' élément matriciel 2. On dépose une couche semi-conductrice 24, en silicium amorphe, sur chaque électrode de grille 5, avec interposition de la pellicule d'isolement de grilles 22. Then, depositing a gate insulation film 22 of silicon nitride over the entire surface of the substrate 12, and is cleaned holes 23 in the gate insulation film 22 to allow contact with the electrodes of matrix element 2 is deposited a semiconductor layer 24, amorphous silicon, on each gate electrode 5 with the interposition of the gate insulation film 22.

Ultérieurement, on façonne des électrodes de drain 25 et de source 3 (auxquelles est couple un conducteur de colonne 8), en aluminium sur chaque couche semi-conductrice 24, en des emplacements chevauchant partiellement des cotés opposés de l'électrode de grille 5, avec interposition de la couche semiconductrice 24 et de la pellicule d'isolement de grilles 22. Subsequently, shapes of the drain electrodes 25 and source 3 (which is coupled a column conductor 8), aluminum on each semiconductor layer 24, at locations partially overlapping opposite sides of the gate electrode 5, with interposition of the semiconductor layer 24 and the insulating film 22 grids.

On relie l'électrode de drain 25 à l'électrode d'élément matriciel 2 à travers le trou de contact 23. Is connected the drain electrode 25 to the matrix element electrode 2 through the contact hole 23.

La fabrication du transistor à pellicule mince courant 6 exigeait un nombre relativement important d'opérations. The manufacture of the current thin film transistor 6 required a relatively large number of operations. I1 était donc difficile de fabriquer une multiplicité de transi s tors a pellicule mince 6 à caractéristiques uniformes et exempts de défaut couvrant une grande aire d'affichage. I1 was therefore difficult to manufacture a plurality of transitional s twisted thin film 6 has uniform characteristic and free from defects covering a wide display panel. Attendu que la couche semi-conductrice 24 présente une partie exposée entre les électrodes de drain 25 et de source 3, la partie exposée peut entrer en contact avec l'humidité de 1' air, ce qui dégrade les caractéristiques du transistor 6 après fabrication de la matrice de transistors 15 sur le substrat 12 et avant mise de l'assemblage sous forme de cellule à cristaux liquides 11.Pour éviter ce risque, il est nécessaire de recouvrir la couche semi-conductrice 24 d'une pellicule protectrice après dépôt des électrodes 25 et 3, ce qui augmente le nombre d'opérations de fabrication. Whereas the semiconductor layer 24 has an exposed portion between the drain electrodes 25 and source 3, the exposed portion may come into contact with moisture from one air, which degrades the characteristics of the transistor 6 after manufacturing the transistor array 15 on the substrate 12 and before entry of the assembly in the form of liquid crystal cell 11. to avoid this risk, it is necessary to cover the semiconductor layer 24 with a protective film after deposition of the electrodes 25 and 3, which increases the number of manufacturing operations.

On va maintenant décrire un afficheur en couleur à cristaux liquides en matrice de points suivant la présente invention. a liquid crystal color display will now be described in dot matrix according to the present invention. La figure 5 indique l'aspect d'un tel afficheur à cristaux liquides en couleur. Figure 5 shows the appearance of such a liquid crystal display in color. L'afficheur à cristaux liquides en couleur comprend une cellule à cristaux liquides 11 composée de deux substrats transparents 12, 13 disposés en regard et d'un cristal liquide 14 étanché entre les substrats 12, 13. The liquid crystal display comprises a color liquid crystal cell 11 composed of two transparent substrates 12, 13 arranged facing and a liquid crystal 14 sealed between the substrates 12, 13.

Une multiplicité d'éléments d'affichage en couleur sont formés sur une surface d'un des substrats dans la cellule à cristaux liquides 11. A multiplicity of color display elements are formed on a surface of one of the substrates in the liquid crystal cell 11.

Comme représenté sur la figure 6, ces éléments d'affichage en couleur sont réunis par groupes d'éléments de trois types : d'affichage en rouge 1R, d'affichage en vert 1G et d'affichage en bleu 1B répartis quasi uniformément sur le substrat. As shown in Figure 6, these color display elements are combined by groups of elements of three types: of 1R red display, green display and blue 1G display 1B distributed quasi-uniformly on the substrate.

Dans la réalisation choisie à titre d'exemple, les éléments d'affichage en couleur sont oblongs et parallèles entre eux et chaque groupe de trois éléments matriciels d'affichage en des couleurs différentes constitue une région sensiblement carrée 10 qui sert d'élément matriciel. In the embodiment chosen by way of example, the color display elements are oblong and parallel to each other and each group of three display matrix elements in different colors is a substantially square region 10 which serves as a matrix element. Les éléments matriciels 10 sont disposés en colonnes et en rangées. The matrix elements 10 are arranged in columns and rows. Pour simplifier le processus de pilotage de ces éléments matriciels 10, on dispose les éléments d'affichage en rouge1 en vert et en bleu lR, 1G, 1V en ligne droite suivant des directions longitudinales parallèles entre elles. To simplify the monitoring process of the matrix elements 10, there are the display elements red1 green and blue R, 1G, online 1V right along parallel longitudinal directions therebetween.

Suivant la présente invention, chacun des éléments d'affichage en couleur 1R, 1G, 1B est composé d'un pilote semiconducteur ou transistor a pellicule mince et d'un filtre coloré situé sur une électrode de sortie de ce dernier. According to the present invention, each of the display elements in color 1R, 1G, 1B is composed of a semiconductor driver or a thin film transistor and a color filter located at an output electrode of the latter. Plus prcisément, comme représenté sur les figures 7 et 8, l'un des substrats 12 de la cellule à cristaux liquides ll est formé d'une plaque de verre transparente. More prcisément, as shown in Figures 7 and 8, one of the substrates 12 of the cell lt liquid crystal is formed of a transparent glass plate. Des électrodes de drain (d'élément matriciel) rectangulaires 2R, 2G, 2B à peu près aussi large que les éléments d'affichage en couleur sont formées sur le substrat 12, et des électrodes de source plus étroites 3R, 3G, 3B sont déposées sur le substrat 12 près des électrodes de drain 2R, 2G, 2B respectivement, parallèlement à elles.Des pellicules 4R, 4G, 4B en silicium amorphe forment des couches semi-conductrices entre les électrodes de drain 2R et de source 3R, entre les électrodes de drain 2G et de source 3G et entre les électrodes de drain 2B et de source 3B, respectivement. drain electrodes (matrix element) rectangular 2R, 2G, 2B roughly as wide as the color display elements are formed on the substrate 12, and narrower source electrodes 3R, 3G, 3B are deposited on the substrate 12 near drain electrodes 2R, 2G, 2B respectively, parallel to elles.Des film 4R, 4G, 4B in amorphous silicon form semi-conductive layers between the drain electrodes 2R and 3R source between the electrodes 2G 3G drain and source and between the drain electrodes 2B and 3B of source, respectively. Une pellicule d'isolement de grilles 22, en nitrure de silicium, est formée par-dessus les électrodes et le substrat. A gate insulation film 22, silicon nitride, is formed over the electrodes and the substrate. Des electrodes de grille 5R, 5G, 5B sont dépo- sées sur la pellicule d'isolement de grilles 22 en regard des pellicules de silicium amorphe 4R, 4G, 4B respectivement. gate electrodes 5R, 5G, 5B are sub- mitted on the gate insulation film 22 facing the amorphous silicon film 4R, 4G, 4B respectively. I1 est préférable que les électrodes de drain 2R, 2G et 2B de source 3R, 3G et 3B soient sous forme d'électrodes transparentes en oxyde d'indium ou oxyde d'étain. I1 is preferable that the drain electrodes 2R, 2G and 2B source 3R, 3G and 3B are in the form of transparent electrodes made of indium or tin oxide. Les électrodes de grille 5R, 5G, 5B peuvent être en aluminium. The gate electrodes 5R, 5G, 5B can be aluminum.

Les électrodes de source 3R, 3G, 3B, les électrodes de drain (d'élément matriciel) 2R, 2G,2B, les pellicules de silicium amorphe 4R, 4G,4B, la pellicule d'isolement de grilles 22 et les électrodes de grille 5R, 5G,5B constituent conjointement des transistors à pellicule mince 6R, 6G, 6B respectivement. The source electrodes 3R, 3G, 3B, the drain electrodes (matrix element) 2R, 2G, 2B, the amorphous silicon film 4R, 4G, 4B, the gate insulation film 22 and the gate electrodes 5R, 5G, 5B jointly constitute thin film transistors 6R, 6G, 6B respectively. Sur les transistors à pellicule mince GR, 6G, 6B sont respectivement formés des filtres colorés rouges, verts et bleus 7R,7G, 7B recouvrant les électrodes de drain (de sortie) 2R, 2G, 2B, respectivement, avec interposition de la pellicule d'isolement de grilles 22. Les filtres colorés 7R, 7G, 7B sont formés par un procédé d'impression sérgraphique ou offset. On the thin film transistors GR, 6G, 6B are respectively formed of red color filters, green and blue 7R, 7G, 7B covering the drain electrode (output) 2R, 2G, 2B, respectively, with the interposition of the film of isolation gates 22. The color filters 7R, 7G, 7B are formed by a printing method or sérgraphique offset.

Comme illustré par la figure 9, une couche de traitement d'orientation 17, telle que couche d'alcool polyvinylique, est déposée sur les éléments d'affichage en couleur ainsi formés sur le substrat 12. Le substrat 13 disposé en regard du substrat 12 est, par exemple, en verre transparent. As shown in Figure 9, an orientation treatment layer 17, such as polyvinyl alcohol layer is deposited on the color display elements thus formed on the substrate 12. The substrate 13 disposed opposite the substrate 12 is, for example, transparent glass. Une électrode transparente commune 16 est formée sur toute la surface intérieure du substrat 13. Une pellicule d'isolement 19, telle que pellicule de nitrure de silicium, est formée sur l'électrode transparente commune 16, et une autre couche de traitement d'orientation 21 est déposée sur la pellicule d'isolement 19. Un cristal liquide 14 est étanché entre les couches de traitement d'orientation 17, 21. La cellule à cristaux liquides 11 ayant la structure sus-indiquée constitue une cellule à cristaux liquides du type dit convive-hôte en noir ou un cristal liquide nématique tordu en noir et blanc.Un poloriseur 27 est fixé à la surface extérieure du substrat 13. A common transparent electrode 16 is formed on the entire inner surface of substrate 13. An insulating film 19 such as silicon nitride film, is formed on the common transparent electrode 16 and another orientation treatment layer 21 is deposited on the insulation film 19. a liquid crystal 14 is sealed between orientation treatment layers 17, 21. the liquid crystal cell 11 having the above-stated structure is a liquid crystal cell of the type known guest-host in black or a twisted nematic liquid crystal in black and blanc.Un poloriseur 27 is secured to the outer surface of the substrate 13.

Comme représenté sur la figure 6, des conducteurs de colonne 81, 82, 83,... sont formés sur le substrat 12 le long des colonnes d'éléments d'affichage en couleur, et l'électrode de source 3R, 3G ou 3B d'un élément d'affichage en couleur adjacent est à chaque conducteur de colonne. As shown in Figure 6, column conductors 81, 82, 83, ... are formed on the substrate 12 along the columns of colored display elements, and the source electrode 3R, 3G and 3B of an adjacent color display element is in each column conductor. Des conducteurs de rangée 91t 92 93t sont formés sur le substrat le long des rangées d'éléments d'affichage en couleur, et l'électrode de grille 5R, 5G ou 5B d'un élément d'affichage en couleur adjacent est reliée à chaque conducteur de rangée. 91t row conductors 92 93T are formed on the substrate along the color display element rows, and the gate electrode 5R, 5G or 5B of an adjacent color display element is connected to each row conductor.

Les éléments d'affichage en couleur peuvent être sélectivement pilotés par un circuit de pilotage tel que représenté sur la figure 10. Les conducteurs de source 81, 82, 83,... et les conducteurs de grille 91' 92' 93 présentent des bornes amenées hors du plan d'affichage 28. Les bornes des conducteurs de source 81, 82, 83,... sont respectivement reliées à des sorties correspondantes d'emplacements de bit d'un circuitverrou 26 servant de pilote de colonne, les emplacements de bit du circuit-verrou 26 étant reliés à des sorties d'empla cenent de bit d'un registre à décalage 29. En fonctionnement, des données d'affichage arrivent d'une borne de données 31 sous fore dc signaux binaires de "1" ou de "0" indiquant s'il Coitou non y avoir affichage sur les éléments d'affichage en couleur d'une rangée. The color display elements can be selectively driven by a drive circuit as shown in Figure 10. The source drivers 81, 82, 83, ... and the grid conductors 91 '92' 93 have terminals fed out of the display plane 28. the terminals of the source drivers 81, 82, 83, ... are respectively connected to corresponding outputs of bit locations of a circuitverrou 26 serving column driver, the locations of bit of the latch circuit 26 being connected to outputs of sites easily cenent bit of a shift register 29. in operation, the display data arriving from data terminal 31 under fore dc binary signals of "1" or "0" indicating whether Coitou not be displayed on the display elements in color of a row. Ces données d'affichage sont successivement introduites en série dans le registre à décalage 29 en synchronisme avec un signal de rythme arrivant d'une borne de rythme 33. Une fois les données d'affichage d'une rangée ainsi introduites, les données emmagasinées dans le registre à décalage 29 sont introduites en parallèle et verrouillées dans le circuit-verrou 26 en réponse à un ordre de verrouillage arrivant d'une borne 34. These display data are successively input in serial into the shift register 29 in synchronism with a timing signal arriving from a clock terminal 33. Once the display data of one row thus introduced, stored data in the shift register 29 are fed in parallel and latched in the latch circuit 26 in response to a lock command arriving from a terminal 34.

L'ordre de verrouillage arrivant dela borne 34 est aussi appliqué à un circuit de selection et de pilotage de conducteur de grille 32, qui choisit ensuite sélectivement les conducteurs de grille 91 92' 93 à raison d'un à la fois. The lock command arriving beyond terminal 34 is also applied to a selection circuit and gate driver control 32, which then selectively chooses the grid conductors 91 92 to 93 one at a time.

Lors de la sélection du conducteur de grille 91 par exemple, il y a affichage ou maintien de non affichage des éléments d'affichage en couleur placés aux jonctions entre le conducteur de grille 91 et ceux des conducteurs de source 81, 82, 83,... auxquels sont appliqués des bits de sortie verrouillés dans le circuit-verrou 26. Pendant que le conducteur de grille 91 fait l'objet de la sélection pour l'affichage, des données destinées à un conducteur derangée suivant sont introduites dans le registre à décalage 29, et les données emmagasinées sont ensuite verrouillées dans le circuit-verrou 26 lors d'un nouvel ordre de verrouillage arrivant de la borne 34.En réponse à cet ordre de verrouillage, le circuit de sélection et de pilotage de conducteur de grille 32 choisit le conduc teur de grille 92 pour l'a fichage sélectif sur les éléments c'affichage en couleur reliés au conducteur de grille 92 Une structure détaillée de circuit de pilotage comportant des composants When selecting the gate conductor 91 for example, there are display or maintaining non-display of color display elements located at the junctions between the gate conductor 91 and those of the source drivers 81, 82, 83 ,. .. which are applied the output bits latched in the latch circuit 26. While the gate conductor 91 is the subject of the selection to the display data for a next disturbed conductor are introduced into the register offset 29, and the stored data are then latched in the latch circuit 26 when a new lock command arriving from the terminal 34. in response to the lock command, the selection circuit and gate driver steering 32 selects the gate conduc tor 92 has selective FILING on the elements connected to this color display grid conductor 92 a detailed structure control circuit comprising components tels que le registre à décalage 29, le circuitverrou 26, et le sélecteur de conducteur de grille 32 est décrite, par exemple, dans une brève communication intitulée "Progress Toward Flat-Panel TV" de AG Fischer dans "onemissive Electrooptics Displays" AR metz et FK von Willisen, 1976, Plenum Press, New York. such as the shift register 29, the circuitverrou 26 and the gate conductor selector 32 is described, for example, in a short paper entitled "Progress Toward Flat-Panel TV" AG Fischer in "onemissive Electrooptics Displays" AR metz FK von Willisen 1976, Plenum Press, New York.

Comme illustré par la figure llA, des impulsions dc pilotage à déphasages successifs sont appliquées de manière répétées aux. As shown in Figure llA, the successive phase shifts steering dc pulses are applied so as to repeat. conducteurs de grille 91 à 9120 Lorsqu'un transistor à pellicule mince 61l situe, par exemple, à l'intersection du conducteur de source 81 et du conducteur de zorille 91 est sélecté, une tension V s'applique au conducteur de source 81, comme indiqué sur la figure llB, au moment où le conducteur de grille 91 est sélecté dans un premier cycle et, en conséquence, l'électrode de drain du transistor à pellicule mince 61l se charge jusqu'à la tension V, comme indiqué en 6 11D sur la figure llC, et demeure à cette tension. lead frame 91-9120 When transistor 61l thin film is, for example, at the intersection of the source line 81 and the conductor 91 is zorille SELECT, a voltage V is applied to the source driver 81, as shown in Figure llB, when the gate conductor 91 is SELECT in a first cycle and, accordingly, the drain electrode of the transistor 61l thin film is charged until the voltage V as indicated at 11D 6 FIG llC, and remains at that voltage. A ce moment, une tension constante V/2 s'applique au conducteur de source de tout élément non alors sélecté, par exemple au transistor à pellicule mince 621 situé à l'intersection des conducteurs de source 81 et de grille 9 . At this time, a constant voltage V / 2 is applied to the source driver of any element not then selects, for example thin film transistor 621 at the intersection of the source drivers 81 and gate 9. Par conséquent, la tension présente sur le drain du transistor à pellicule mince 621 est maintenue à V/2 comme indiqué en 621D sur la figure llD. Therefore, the voltage on the drain of the thin film transistor 621 is maintained at V / 2 as shown at 621D in Fig llD. Une tension V/2 est appliquée en permanence à l'électrode commune 16 comme représenté sur la figure llE. A voltage V / 2 is permanently applied to the common electrode 16 as shown in FIG IIE.

Par conséquent, la tension V/2 s'applique en tant que tension 611DC entre le drain du transistor sélecté 61l et 1' électrode commune 16, comme indiqué sur la figure 11F, et la tension 621DC appliquée entre le drain du transistor non sélecté et l'électrode commune est nulle, comme indiqué sur la figure llG. Therefore, the V / 2 voltage is applied as 611DC voltage between the drain of transistor SELECT 61l and one common electrode 16, as shown in Figure 11F, and the 621DC voltage applied between the drain of transistor SELECT and non the common electrode is zero, as shown in Figure LLG. Quand le conducteur de grille 91 est sélecté lors dlun cycle suivant, le conducteur de source sélecté 81 est maintenu sous tension nulle, et la tension de drain 611D du transistor 611 sélecté est aussi nulle. When the gate conductor 91 is at SELECT dlun next cycle, the source line 81 SELECT is maintained at zero voltage, and 611D drain voltage of transistor 611 is also selects zero. La tension de drain 621D du transistor non sélecté demeure V/2.Donc, au cours de ce cycle, la tension 611DC appliquée entre le drain du transistor sélecté et l'électrode commune devient -v/2. 621D the drain voltage of the transistor remains non SELECT V / 2.Donc, during this cycle, the 611DC voltage applied between the drain of transistor SELECT and the common electrode becomes -v / 2. La tension entre le drain du transistor sélecté et l'électrode commune se modifie alternativement entre V/2 et -V/2, ce qui fait que la partie de la cellule à cristaux liquides faisant face à 1' électrode de drain transparente du transistor sélecté apparait à travers la couleur du filtre coloré fixe au transistor intéressé. The voltage between the drain of transistor SELECT and the common electrode changes alternately between V / 2 and -V / 2, so that the portion of the liquid crystal cell facing to 1 'transparent drain electrode of the transistor SELECT appears through the color of the color filter fixed to the transistor concerned.

Au cas où il existe un nombre total de conducteurs de grille de 120, comportant les conducteurs de grille 91 à 9 le nombre total dc conducteurs de source nécessaire est le triple du nombre de conducteurs de grille, soit de 360. I1 serait fastidieux et long de faire sortir tous ces conducteurs de 11 afficheur à cristaux liquides et de les relier à des pilotes extérieurs. In case there is a total number of gate lines 120 having the gate lines 91-9 the total dc source drivers required is three times the number of grid conductors, or 360. I1 would be tedious and time consuming to squeeze out all of these drivers 11 and liquid crystal display to connect to external drivers.

Suivant la présente invention, les circuits périphériques de pilotage des éléments pilotes semi-conducteurs sont formés sur la surface du substrat sur laquelle sont réalisés les transistors à pellicule mince 6R, 6G, 6B de pilotage des cristaux liquides. According to the present invention, the control of peripheral circuits of the semiconductor driver elements are formed on the substrate surface on which are formed the thin film transistors 6R, 6G, liquid crystal driving 6B. Plus précisément, le circuit-verrou 26 servant de pilote de colonne et le registre à décalage 29 sont réalisés sous forme de circuits intégrés sur le substrat 12, et le circuit de sélection et de pilotage de conducteur de grille 32 est réalisé sous forme de circuit intégré sur le substrat, comme illustré par la figure 5. Les condücteurs de grille et de source partant de la cellule à cristaux liquides 11 sont reliés à ces circuits 26,-29, 32 sur le substrat 12, et d'autres conducteurs nécessaires sont câblés sur le substrat 12.Quand le circuit-verrou 26, le registre à décalage 27 et le circuit de sélection et de pilotage de conducteur de grille 32 sont à poser sous forme de circuits intégrés sur le substrat 12, on les réalise de préférence sous forme de transistors à pellicule mince comme les transistors à pellicule mince constituant les éléments d'affichage en couleur. More specifically, the latch circuit 26 for column driver and the shift register 29 are formed as integrated circuits on the substrate 12, and the selection circuit and gate driver control 32 is designed as a circuit integrated on the substrate, as shown in Figure 5. the lead frame and source starting from the liquid crystal cell 11 are connected to these circuits 26, -29, 32 on the substrate 12, and other necessary conductors are wired on the substrate 12. When the latch circuit 26, the shift register 27 and the selection circuit and gate driver control 32 are put in the form of integrated circuits on the substrate 12, are carried out preferably in forming thin film transistors as the transistors constituting the thin film color display elements. De cette manière, on peut former les circuits périphériques 26, 29, 32 en même temps que les transistors à pellicule mince 6R, 6G, 6B sur le substrat 12 sans avoir à augmenter le nombre d' opérations de fabrication nécessaires. In this way, one can form the peripheral circuits 26, 29, 32 together with the thin film transistors 6R, 6G, 6B on the substrate 12 without having to increase the number of necessary manufacturing operations.

Attendu que la vitesse de fonctionnement des transistors à pellicule mince est relativement lente, il faut soumettre les pellicules de silicium amorphe 4R, 4G, 4B à un traitement de recuisson au faisceau électronique ou au laser assurant une grande mobilité pour augmenter la vitesse de fonctionnement des circuits 26, 29, 32. Ce traitement conférant une grande mobilité peut être opéré en un temps relativement bref attendu que les transistors à pellicule mince constituant les éléments d'affichage en couleur n'exigent pas un tel traitement d'augmentation de la mobilité. Whereas the speed of operation of the thin film transistors is relatively slow, it is necessary to subject the silicon film amorphous 4R, 4G, 4B to an annealing treatment to the electron beam or laser providing mobility to increase the speed of operation circuits 26, 29, 32. This treatment imparting a high mobility can be made in a relatively short time whereas the thin film transistors constituting the color-display elements do not require such treatment increased mobility. I1 n'est pas nécessaire de monter tous les circuits 26, 29, 32 sur le substrat 12 : on peut ne poser sur le substrat 12 que certains d'entre eux, par exemple les circuits 26, 29 ou le seul circuit 32. Les circuits 26, 29 32 montés sur le substrat 12 peuvent entre formés de circuit intégrés bipolaires ou mono-claires ordinaires. I1 is not necessary to go all the circuits 26, 29, 32 on the substrate 12: one can not rest on the substrate 12 that some of them, such as circuits 26, 29 or 32. single circuit circuits 26, 29, 32 mounted on the substrate 12 may formed between bipolar integrated circuit or common mono-clear. Les transistors à pellicule mince de silicium amorphe peuvent être rem placés par des transistors à pellicule mince polycristalline. The transistors in amorphous silicon thin film may be replaced by transistors placed in polycrystalline thin film.

Avec l'agencement sus-indiqué, les circuits périphériques tels que circuits de sélection et de pilotage des éléments semi-conducteurs destinés à piloter les éléments d'affichage ou élément matriciel de la cellule à cristaux liquides sont montés sur le substrat 12 de celle-ci, de sorte que les bornes de connexion extérieure peuvent être de moitié moins nombreuses que celles des structures antérieures, ceci pour simplifier la connexion aux bornes extérieures. With the above-mentioned arrangement, the peripheral circuits such as selection circuits and semiconductor elements of the control for driving the display elements or matrix element of the liquid crystal cell are mounted on the substrate 12 celle- above, so that the external connection terminals may be half as many as those of the prior structures, this to simplify the connection to the external terminals.

Quand les filtres colorés portés par les éléments pilotés semi-conducteurs sont fabriqués par impression, on peut les réaliser à laide d'un appareillage simple sans avoir recours à un appareil onéreux de dépôt de vapeur ou de dopage ionique, et on peut aussi les réaliser dans l'atmosphère de façon qu'ils couvrent une aire relativement grande. When the color filters carried by the controlled semiconductor elements are manufactured by printing, they can be made to the help of a simple apparatus without using an expensive apparatus of vapor deposition or ion doping, and can also achieve the in the atmosphere so that they cover a relatively large area. Les filtres colorés permettent une bonne reproduction des couleurs, peuvent'être réalisés à bon compte, sont suffisamment minces par rapport au cristal liquide 14 et ont une densité de couleur suffisante. Color filters allow good color reproduction, peuvent'être made cheaply, are thin enough relative to the liquid crystal 14 and have sufficient color density. I1 est facile de fixer en un motif alterné des filtres de couleurs telles que le rouge, le vert et le bleu.De l'encre ne peut pas s'infiltrer des filtres colorés dans le cristal liquide 14 parce que la couche de traitement d'orientation 17 en alcool polyvinylique est stable par'rap- port au cristal liquide 14. Par conséquent, le fonctionnement de l'afficheur à cristaux liquides est rendu stable. I1 is easy to fix in an alternating pattern of color filters such as red, green and bleu.De the ink can not penetrate the color filters in the liquid crystal 14 because the processing layer 17 orientation is stable in polyvinyl alcohol par'rap- port liquid crystal 14. therefore, operation of the liquid crystal display is made stable. Même en présence des filtres colorés, la couche de traitement d' orientation est capable de déterminer aisément l'orientation des molécules du cristal liquide 14. Au lieu d'être réalisés par sérigraphie, les filtres colorés peuvent l'être par impression offset pour répondre à des exigences de précision plus rigoureuses. Even with colored filters, the treatment layer orientation is able to easily determine the orientation of the liquid crystal molecules 14. Instead of being made by screen printing, color filters can be by offset printing to meet more stringent accuracy requirements. Quand on peut donner aux substrats une épaisseur réduite, des éléments matriciels sélectés quelconques peuvent être bien visibles lorsqu'on les regarde obliquement.De ce fait, il est possible de ne pas fixer de filtre coloré aux transistors à pellicule mince, mais de monter des filtres colorés sur le substrat 13 (comme représenté sur la figure 5) en regard des électrodes de drain. When you can give a reduced thickness substrates, arbitrary SELECT matrix elements can be visible when viewed obliquement.De this, it is possible to set no color filter on thin film transistors but to mount color filters on the substrate 13 (as shown in Figure 5) facing the drain electrodes. Les substrats 12, 13 peuvent être formés de hauts polymères tels que polyamide ou plastiques fluorés. The substrates 12, 13 may be formed of high polymers such as polyamide or fluoroplastics. Bien que, tels que représentés, les éléments d'affichage en couleur soient disposés en colonnes et rangées affectées aux différentes couleurs, on peut les disposer en cercles de façon qu'un groupe de trois éléments d'affichage adjacents comporte des éléments d'affichage en rouge, en vert et en bleu. Although, as shown, the color display elements are arranged in columns and rows assigned to the different colors can be arranged in the circles so that a group of three adjacent display elements comprises display elements red, green and blue. Au lieu de couleurs primaires additives, on peut utiliser pour l'affichage en couleur des couleurs primaires soustractives. Instead of additive primary colors can be used for color display subtractive primary colors.

Les transistors à pellicule mince 6R, 6G, 6B des figures 5 et 6 peuvent avoir la structure représentée sur les figures 3 et t. The thin film transistors 6R, 6G, 6B of Figures 5 and 6 may have the structure shown in Figures 3 and t. La présente invention est applicable aux afficheurs à cristaux liquides non seulement en couleur, mais aussi en noir et blanc. The present invention is applicable to liquid crystal displays not only in color but also in black and white.

On va décrire un tel afficheur à cristaux liquides en noir et blanc en se référant aux figures 12 et 13. Les éléments matriciels 2, électrodes de drain 25 et électrodes de source (conducteurs de source 8) 3 sont formés sur un substrat 12. Chacun des éléments matriciels de forme carrée 2 présente un côté oartiellement dédoublé pour former l'une des électrodes de drain 25. On peut façonner simultanément ces éléments matriciels 2, Les électrodes de drain 25, les électrodes de source 3 et les conducteurs de source 8 en gravant sélectivement une feuille métallique transparente déposée sur toute la surface du substrat 12. Les électrodes de source 3 peuvent être en un métal opaque. Will be described such a black liquid crystal display and white with reference to Figures 12 and 13. The matrix elements 2, drain electrodes 25 and source electrodes (source conductors 8) 3 are formed on a substrate 12. Each matrix elements of square shape 2 shows a side oartiellement split to form one of the drain electrodes 25. It can simultaneously shaping these matrix elements 2, drain electrodes 25, the source electrode 3 and the source driver 8 selectively etching a transparent metal film deposited over the entire surface of the substrate 12. the source electrodes 3 may be of an opaque metal.

Une couche 24 de semi-conducteur tel que silicium amorphe est formée sur le substrat 12 entre l'électrode de drain 25 et l'électrode de source 3. La couche semi-conductrice 24 peut être en silicium polycristallin, silicium monocristallin, tellurium, sulfure de cadmium ou séléniure de cadmium. 24 a semiconductor layer such as amorphous silicon is formed on the substrate 12 between the drain electrode 25 and the source electrode 3. The semiconductor layer 24 may be polycrystalline silicon, monocrystalline silicon, tellurium, sulfur cadmium or cadmium selenide.

Une pellicule d'isolement de grilles 22 est formée sur toute la surface comportant les couches semi-conductrices 24. La pellicule d'isolement de grilles 22 peut être en nitrure de silicium ou en dioxyde de silicium. A gate insulation film 22 is formed on the entire surface including the semiconductor layers 24. The gate insulation film 22 may be silicon nitride or silicon dioxide. Elle peut être formée seulement sur les couches semi-conductrices 24. Des électrodes de grille (conducteurs de grille 9) 5 sont formées sur la pellicule d'isolement de grilles 22. Les électrodes de grille sont disposées en regard des électrodes de drain 25 et de source 3, avec interposition de la couche semi-conductrice 24 et de la pellicule d'isolement de grille 22. It may be formed only on the semiconductor layer 24. The gate electrodes (gate conductors 9) 5 are formed on the gate insulation film 22. The gate electrodes are arranged facing the drain electrodes 25 and source 3 with the interposition of the semiconductor layer 24 and the insulation film gate 22.

Les électrodes de grille 5 et conducteurs de grille 9 peuvent être en aluminium ou en silicium polycristallin et peuvent être sous la forme d'une pellicule conductrice de l'électri- cite transparente. The gate electrodes 5 and gate conductors 9 may be made of aluminum or polycrystalline silicon and may be in the form of a conductive film of the transparent electrically cites.

On va décrire à simple titre d'exemple un procédé de fabrication de transistor à pellicule mince en se référant aux figurés 14 à 19. Comme représenté sur la figure 14, une couche opaque d'un métal tel que Nichrome, chrome ou molybdène est exposée en coUche d'une épaisseur de l'ordre de 1 000 à 2 000 A sur un substrat isolé transparent 12, qui peut être en verrue, par dépôt de vapeur ou pulvérisation cathodique, et les éléments matriciels, électrodes de drain 25 (2) et électrodes de source 3 sont façonnés par photogravure. Will be described in simple example a transistor manufacturing process thin film with reference to Figures 14 to 19. As shown in Figure 14, an opaque layer of a metal such as Nichrome, chromium or molybdenum is exposed layer of a thickness of the order of 1 000 to 2 000 a on a transparent insulated substrate 12, which may be wart, by vapor deposition or sputtering, and the matrix elements, the drain electrodes 25 (2) 3 and source electrodes are formed by photoetching.

Une couche semi-conductrice, en silicium amorphe ou polycristallin, est formée sur une épaisseur de 3 000 A, par exemple, sur le substrat transparent 12 par-dessus les électrodes de drain 25 et de source 3 par procédé DVC (de dépôt de vapeur chimique) au plasma. A semiconductor layer of amorphous or polycrystalline silicon is formed to a thickness of 3000 A, for example, on the transparent substrate 12 over the drain electrodes 25 and source 3 by method DVC (vapor deposition chemical) to the plasma. On traite ensuite la couche semiconductrice par photogravure pour former une couche de silicium semi-conductrice 24, ou région de canal, qui s'étend entre les électrodes de drain 25 et de source 3 et est déposée sur leurs bords, comme illustré par la figure 15. the semiconductor layer is subsequently treated by photoetching to form a semiconductor silicon layer 24, or channel region which extends between the drain electrodes 25 and source 3 and is deposited on their edges, as shown in FIG 15.

Ensuite, une pellicule d'isolement de grilles 22 est déposée sur le substrat transparent 12 par-dessus toute la couche de silicium semi-conductrice 24, comme représenté sur la figure 16. La pellicule d'isolement de grilles 22 peut être en nitrure de silicium ou dioxyde de silicium et avoir une épaisseur comprise entre 2 000 et 3 000 A. La pellicule d'isolement de grilles 22 peut être formée par procédé DVC au plasma. Next, a gate insulation film 22 is deposited on the transparent substrate 12 over the entire silicon semiconductor layer 24 as shown in Figure 16. The gate insulation film 22 may be nitride silicon or silicon dioxide and having a thickness between 2000 and 3000 A. The gate insulation film 22 may be formed by CVD method to the plasma.

Comme représenté sur la figure 17, une électrode transparente 5' en ITO (mélange d'In203 et de SnO2) ou en oxyde d' étain est formée sur la pellicule d'isolement Ae grilles 22 par dépôt de vapeur ou pulvérisation cathodique, l'électrode transparente 5' ayant une épaisseur de 1 000 A ou moins, par exemple comprise entre 400 et 500 A. Ensuite, une couche de résine photosensible pour négatifs 37 est formée sur l'élec- trocs trans'arente 5'. As shown in FIG 17, a transparent electrode 5 'of ITO (mixture of In203 and SnO2) or tin oxide is formed on the insulation film Ae grids 22 by vapor deposition or sputtering, the transparent electrode 5 'having a thickness of 1000 a or less, for example between 400 and 500 A. Next, a photosensitive resin layer for the negative 37 is formed on the elec- swaps trans'arente 5'. la couds de résine photoscrsirlc 37 est eizosée à un faisceau ultraviolet 39 rayonnant à travers le substrat transparent 12. sew the resin 37 is photoscrsirlc eizosée to a radiating ultraviolet beam 39 through the transparent substrate 12.

Les parties de la couche de résine photosensible 37 qui sont exposées au faisceau ultraviolet durcissent. The portions of the photosensitive resin layer 37 which are exposed to ultraviolet beam cure. Par développement, on obtient dans la couche de résine photosensible un motif 37p de forme définie par les électrodes de drain 25 et de source 3 agissant en caches. For development, there is obtained in the photosensitive resin layer 37p a pattern shape defined by the drain electrodes 25 and source 3 acting caches.

En utilisant comme cache le motif de couche photosensible 37p, on transforme par gravure l'électrode transparente 5' en une électrode de grille transparente 5 et l'on élimine le motif de cache 37p comme représenté sur la figure 19. Using as the mask pattern of photosensitive layer 37p is converted by etching the transparent electrode 5 'of a transparent gate electrode 5 is removed and the cache pattern 37p as shown in Figure 19.

Par conséquent, les électrodes d'élément de matrice 2 et de drain 25 sont façonnées simultanément et ne sont pas cou plées l'une à l'autre par aucun trou de contact. Therefore, the electrode array element 2 and drain 25 are formed simultaneously and are not neck Plees to each other by any contact hole. Attendu que ni ce trou de contact, ni d'autres ne sont ménagés, aucune opération n'est à prévoir pour ménager des trous de contact tels que les trous 23 de l'agencement antérieur représenté sur la figure 4. Quand l'électrode de source 3 est à réaliser sous forme d'électrode transparente, on peut la façonner en même temps que l'électrode d'élément matriciel 2, ce qui permet de rendre le nombre d'opérations de fabrication inférieur à celui nécessaire pour la fabrication de la structure courante représentée sur les figures 3 et 4.Par conséquent, avec l'afficheur à cristaux liquides de la présente invention, on peut réaliser la matrice de transistors à pellicule mince par un nombre d'opérations plus faible que selon la technique antérieure; Whereas neither this contact hole, or others are formed, no operation is to provide for household contact holes such as the holes 23 of the prior arrangement shown in Figure 4. When the electrode source 3 is to be performed as a transparent electrode, it can shape the same time as the matrix element electrode 2, thereby making the number of manufacturing processes smaller than that necessary for the manufacture of common structure shown in figures 3 and 4. by therefore, with the liquid crystal display of the present invention, transistors of the matrix can be realized in thin film with a smaller number of operations than in the prior art; de sorte qu'il est relativement facile de façonner une matrice d'éléments dotés de caractéristiques uniformes et exempts de défauts pour une grande aire d'affichage. so that it is relatively easy to shape a matrix of elements with uniform characteristics and free of defects for a large display panel.

Attendu que la couche semi-conductrice 24 est prise en sandwich entre le substrat 12 et la pellicule d'isolement de grilles 22, elle ne risque pas d'être exposée après façonnage de la matrice de transistors à pellicule mince et avant assemblage de celle-ci dans la cellule à cristaux liquides 11. La couche semi-conductrice 24 ne tend donc pas à prendre des caractéristiues instables et il est inutile de la recou rir d'une couche protectrice. Whereas the semiconductor layer 24 is sandwiched between the substrate 12 and the gate insulation film 22, it does not risk being exposed after forming the thin film transistor array and before assembly of celle- latter in the liquid crystal cell 11. the semiconductor layer 24 do not tend to be unstable and it is unnecessary caractéristiues of recou rir with a protective layer. I1 en découle la possibilité ce fabriquer des cellules à cristaux liquides avec un renderent très supCrieur. I1 follows the possibility that production of liquid crystal cells with a very renderent supCrieur.

Lorsqu'on utilise l'afficheur à cristaux liquides selon l'invention en tant qu'afficheur à cristaux liquides du type pour transmission, on forme une pellicule opaque, par exemple d'aluminium ou d'encre noire, sur la surface extérieure du substrat 12 en regard de la couche semi-conductrice 24, entre les électrodes de drain 25 et de source 3, aux fins de protection contre tous effets indésirables provoqués par la lumière, tels que modifications de la résistance de la couche semi-conductrice 24 lorsque celle-ci est en silicium amorphe. When using the liquid crystal display according to the invention as liquid crystal qu'afficheur type for transmission, forming an opaque film, such as aluminum or black ink, on the outer surface of the substrate 12 facing the semiconductor layer 24 between the drain electrodes 25 and source 3, for the purpose of protection against adverse effects caused by light, such as changes in resistance of the semiconductor layer 24 when the -ci is amorphous silicon.

I1 est possible d'assurer le positionnement automatique de l'électrode de grille 5 du fait qu'on la réalise par exposition et développement en utilisant comme caches les électrodes de drain 25 et de source 3. Les électrodes de drain 25 et de source 3 et l'électrode de grille 5 peuvent être maintenues en permanence en une disposition relative constante. I1 is possible to ensure the automatic positioning of the gate electrode 5 by the fact that the exposure and performs development using as masks the drain electrodes 25 and source 3. The drain electrodes 25 and source 3 and the gate electrode 5 can be maintained permanently in a constant relative disposition. Ceci permet de réduire la distance, dite longueur de canal This reduces the distance, known channel length
L, qui sépare les électrodes de drain 25 et de source 3. On peut par conséquent fabriquer aisément un transistor à pellicule mince ayant un temps de coupure bref et un courant de drain important. L, which separates the drain electrodes 25 and source 3. easily can therefore manufacture a thin film transistor having a short switching time and a large drain current. On peut réaliser de tels transistors à pellicule mince sous forme de matrice couvrant une grande aire, avec un haut degré d'intégration, tout en réduisant les variations des caractéristiques de ces transistors. One can produce such thin film transistors in a matrix covering a large area with a high degree of integration, while reducing variations in the characteristics of these transistors.

Sur la figure 8, les filtres colorés 7R, 7G, 7B sont formes sur la pellicule d'isolement de grilles 22 en regard des électrodes d'élément matriciel 2R, 2G, 2B avec interposition de la pellicule d'isolement de grille 22. Toutefois, les filtres colorés 7R, 7G, 7B peuvent être formés sur l'électrode commune 19 portée par le substrat 13 comme représenté sur la figure 20. (Les pièces semblables ou correspondantes sont désignées sur la figure 20 par les mêmes références numériques que sur la figure 8). In Figure 8, the color filters 7R, 7G, 7B are formed on the gate insulation film 22 facing the electrodes matrix element 2R, 2G, 2B with interposition of the gate insulating film 22. However , the color filters 7R, 7G, 7B may be formed on the common electrode 19 carried by the substrate 13 as shown in Figure 20. (the similar or corresponding parts are designated in Figure 20 by the same reference numerals as the Figure 8). Les filtres colorés 7R,7G,7B sont dispo sés de manière à chevaucher les electrodes d'élément matriciel 2R,2G,2B respectivement suivant une direction normale aux substratsl2, 13. Les filtres 7R, 7G, 7B peuvent être facilement formés, par exemple par impression, sur le substrat 13 sur lequel ne sont pas fabriques de transistors à pellicule mince 6R, 6G, 6B. The color filters 7R, 7G, 7B are dispo its electrodes so as to overlap the matrix element 2R, 2G, 2B respectively along a direction normal to substratsl2, 13. 7R, 7G filters, 7B can be readily formed, e.g. by printing, on the substrate 13 on which are not manufactured of thin film transistors 6R, 6G, 6B.

I1 va de soi qu'on pourra apporter de nombreuses modifications et variantes aux réalisations préférées décrites, sans sortir pour autant du cadre de l'invention. I1 of course we can make many modifications and variations to the preferred embodiments described, without departing from the scope of the invention.

Claims (10)

    REVENDICATIONS
  1. 1. Procédé de fabrication d'afficheur à cristaux liquides en matrice de points comportant un premier substrat transparent (12) en un matériau isolant, un second substrat transparent (13) en un matériau isolant disposé auprès du premier substrat et en parallèle avec lui et présentant un bord périphérique étanche en contact contre lui, un cristal liquide (14) disposé de façon étanche entre lesdits premier et second substrats, une électrode commune (16) déposée sur sensiblement la totalité d'une surface intérieure du second substrat pour définir ainsi une zone d'affichage dudit afficheur à cristaux liquides, des électrodes d'élément matriciel transparentes (2) formées en rangées et en colonnes directement sur le premier substrat pour définir des éléments d'affichages dans la zone d'affichage, des conducteurs d'électrodes de rangée C8) formés sur le premier substrat de manière à longer les rangées respectives desdites électrodes d'élément matriciel, e 1. A method of manufacturing liquid crystal display matrix of points having a first transparent substrate (12) of insulating material, a second transparent substrate (13) of insulating material disposed to the first substrate and in parallel with it and having a sealed peripheral edge in contact against it, a liquid crystal (14) disposed in sealed manner between said first and second substrates, a common electrode (16) deposited on substantially an entire inner surface of the second substrate to thereby define a display area of ​​said liquid crystal display, electrodes transparent matrix element (2) formed in rows and columns directly on the first substrate for defining display elements in the display area of ​​the electrode conductors row C8) formed on the first substrate so as to extend along the respective rows of said electrode matrix element, e t des transistors à pellicule mince de pilotage d'élément (6) disposés en rangées et en colonnes et comportant chacun une électrode de source métallique (3) reliée à l'un correspondant des conducteurs d'électrodes de rangée, une électrode de drain métallique (25) reliée à l'une correspondante des électrodes d'élément matriciel et une électrode de grille (5) reliée à des conducteurs d'électrodes de colonne (9) s'étendant perpendiculairement auxdits conducteurs d'électrodes de rangée, ce procédé comportant les étapes consistant à former lesdites électrodes métalliques de source et de drain directement sur le premier substrat, à former des couches semi-conductrices (24) sur le premier substrat de façon qu'elles s'étendent à cheval entre des électrodes métalliques de source et de drain correspondantes, voisines l'une de l'autre, à former des pellicules d'isolement de grille (22) de façon qu'elles recouvrent les couches semi-conductrices respectives, e t of the thin film transistor element control (6) arranged in rows and columns and each including a metal source electrode (3) connected to a corresponding one of row electrode drivers, a metal drain electrode (25) connected to a corresponding one of the electrode matrix element and a gate electrode (5) connected to the column electrode conductors (9) extending perpendicularly to said row electrode drivers, the method comprising the steps of forming said metal electrodes of source and drain directly on the first substrate, to form semiconductor layers (24) on the first substrate so that they extend halfway between metal electrodes and source corresponding, adjacent the drain from each other, to form gate insulation films (22) so that they cover the respective semiconductor layers, e t à former lesdites électrodes de grille sur des pellicules d'isolement de grille correspondantes en regard de susdites couches semi-conductrices respectives, caractérisé en ce que t to form said gate electrodes on respective gate insulating films facing aforementioned respective semiconductor layers, characterized in that
    on réalise lesdites pellicules d'isolement de grille sous forme de pellicule continue s 'étendant sensiblement entièrement sur la zone d'affichage pour recouvrir lesdites couches semi-conductrices et lesdites électrodes d'élément matriciel, et en ce qu'il comprend encore les étapes consistant à said gate insulating film as a continuous film s' substantially fully extending over the display area to cover said semiconductor layer and said electrode matrix element is carried, and in that it further comprises the steps consists in
    - former des zones d'électrode de grille transparente (5') sur ladite pellicule d'isolement de grilles de façon qu'elles recouvrent lesdites couches semi-conductrices; - forming a transparent gate electrode regions (5 ') on said gate insulation film so that they overlap said semiconductor layers;
    - former sur lesdites zones d'électrode de grille transparente une couche de résine photosensible continue (37) susceptible de durcir par exposition à la lumière; - forming on said transparent gate electrode areas a layer of photosensitive resin continues (37) capable of curing upon exposure to light;
    - exposer ladite couche de résine photosensible à la lumière à travers le premier substrat, lesdites électrodes métalliques de source et de drain faisant office de masques; - exposing said photoresist layer to light through the first substrate, said metal electrodes of source and drain serving as masks;
    - développer lesdites couches de résine photosensible pour en éliminer les parties qui n'ont pas été exposées à la lumière; - developing said photoresist layer to remove the parts that have not been exposed to light; et and
    - graver lesdites zones d'électrode de grille transparente avec les autres parties de la couche de résine photosensible faisant office de masques, pour former ainsi lesdites électrodes de grille. - etching said transparent gate electrode zones with other parts of the photoresist layer serving as masks, thereby forming said gate electrodes.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les conducteurs d'électrodes de rangée sont métalliques et sont formés d'un seul tenant et simultanément avec les électrodes de source respectives. 2. Method according to claim 1, characterized in that the row electrode conductors are made of metal and are formed integrally and simultaneously with the respective source electrodes.
  3. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on forme des transistors à pellicule mince constituant des circuits de pilotage intégrés (26, 29, 32) pour le pilotage desdits transistors à pellicule mince de pilotage d'élément sur une partie marginale du premier substrat extérieure audit cristal liquide disposé de façon étanche simultanément à la formation desdits transistors à pellicule mince de pilotage d'élément. 3. A method according to claim 1, characterized in that the shape of the thin film transistors constituting the integrated driver circuits (26, 29, 32) for controlling said transistors thin film element on a steering marginal portion the first outer substrate to said liquid crystal disposed sealingly simultaneously with the formation of said thin film transistors for driving element.
  4. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les couches semi-conductrices de tous lesdits transistors à pellicule mince sont en silicium amorphe. 4. A method according to claim 3, characterized in that the semiconductor layers of all of said thin film transistors are of amorphous silicon.
  5. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend encore une étape lors de laquelle on recuit les couches de silicium amorphe au moins desdits circuits de pilotage afin de renforcer la mobilité de ces couches semi-conductrices. 5. A method according to claim 4, characterized in that it further comprises a step in which the amorphous silicon layer is annealed at least said driver circuits in order to enhance the mobility of these semiconductor layers.
  6. 6. Afficheur à cristaux liquides en matrice de points fabriqué conformément au procédé selon la revendication 1, comportant un premier substrat transparent (12) en un matériau isolant, un second substrat transparent (13) en un matériau isolant disposé auprès du premier substrat et en parallèle avec lui et présentant un bord périphérique étanche en contact contre lui, une électrode commune (16) déposée sensiblement entièrement sur une surface intérieure du second substrat afin de définir une zone d'affichage de l'afficheur à cristaux liquides, des électrodes d'élément matriciel transparentes (2) formées en rangées et en colonnes directement sur le premier substrat pour définir des éléments d'affichage à l'intérieur de la zone d'affichage, des conducteurs d'électrodes de rangée (8) formés sur le premier substrat de façon à longer les rangées respectives desdites électrodes d'élément matriciel1 et des transistors à pellicule mince de pilotage d'él 6. A liquid crystal display in dot matrix manufactured according to the method of claim 1, comprising a first transparent substrate (12) of insulating material, a second transparent substrate (13) of insulating material disposed to the first substrate and parallel therewith and having a sealed peripheral edge in contact against it, a common electrode (16) substantially entirely deposited on an inner surface of the second substrate to define a liquid crystal display display area, electrodes of transparent matrix element (2) formed in rows and columns directly on the first substrate to define the display elements within the display area of ​​the row electrode conductors (8) formed on the first substrate so as to extend along the respective rows of said electrode member matriciel1 and thin film transistors of El pilotage ément (6) disposés en rangées et en colonnes et comportant chacun une électrode de source métallique (3) formée directement sur le premier substrat et reliée à l'un, correspondant, des conducteurs d'électrodes de rangée, une électrode de drain métallique (25) formée directement sur le premier substrat et reliée à l'une, correspondante, des électrodes d'élément matriciel, une couche semi-conductrice (24) formée sur le premier substrat pour s'étendre entre, et chevaucher des électrodes métalliques de source et de drain correspondantes voisines l'une de l'autre, une pellicule d'isolement de grille (22) formée de façon à recouvrir la couche semi-conductrice correspondante et une électrode de grille (5) formée sur la pellicule d'isolement de grille correspondante et reliée à des conducteurs d'électrodes de colonne (9) s'étendant perpendiculairement auxdits conducteurs d'électrodes de rangée, caractérisé en ce que lesdites pellicules d'isolement de grille s ENT (6) arranged in rows and columns and each including a metal source electrode (3) formed directly on the first substrate and connected to a corresponding one of row electrode drivers, a metal drain electrode ( 25) formed directly on the first substrate and connected to a corresponding one of the electrode matrix element, a semiconductor layer (24) formed on the first substrate to extend between, and overlap the metal electrodes source and corresponding drain adjacent to each other, a gate insulating film (22) formed so as to cover the corresponding semiconductor layer and a gate electrode (5) formed on the insulation film corresponding grid and connected to the column electrode conductors (9) extending perpendicularly to said row electrode conductors, characterized in that said isolation film gate s ont réalisées sous forme de pellicule continue s'étendant sur sensiblement entièrement la zone d'affichage pour recouvrir les couches semi-conductrices et les électrodes d'élément matriciel, en ce que chacune des électrodes de grille est une électrode transparente de largeur sensiblement égale à l'intervalle séparant les bords opposés d'électrodes de sources et de drain correspondantes et en ce que l'électrode de grille s'étend au-dessus de cet intervalle dans l'axe de celui-ci. were carried out under continuous film shape extending over substantially the full display area to cover the semiconductor layers and the electrode matrix element, in that each of the gate electrodes is a transparent electrode of a width substantially equal to the gap between opposite edges of electrodes of corresponding source and drain and in that the gate electrode extends over the interval in the axis thereof.
  7. 7. Afficheur à cristaux liquides en matrice de points selon la revendication 6, caractérisé en ce que chacune des électrodes d'élément matriciel est composé d'un jeu d'électrodes d'élément de couleur distinct, en ce que les transistors à pellicule mince de pilotage d'élément sont affectés et reliés chacun auxdites électrodes d'élément de couleur et en ce qu'il est prévu des filtres colorés de couleurs différentes formés sur ladite pellicule d'isolement de grilles en regard, respectivement, des électrodes d'élément de couleur de chaque jeu. 7. A liquid crystal display in dot matrix according to claim 6, characterized in that each of the electrode matrix element consists of a set of electrodes of distinct color element, in that the thin film transistors of steering element are assigned and each connected to said element electrodes of color and in that there are provided color filters of different colors formed on said insulation film grids facing each other, respectively, of element electrodes color each game.
  8. 8. Afficheur à cristaux liquides en matrice de points selon la revendication 6, caractérisé en ce chacune des électrodes d'élément matriciel est composée d'un jeu d'électrodes d'élément de couleur distinct, en ce que les transistors à pellicule mince de pilotage d'élément sont affectés et reliés chacun auxdites électrodes d'élément de couleur et en ce qu'il est prévu des filtres colorés de couleurs différentes formés sur ladite électrode commune en regard, respectivement, desdites électrodes d'élément de couleur de chaque jeu. 8. A liquid crystal display in dot matrix according to claim 6, characterized in that each of the electrode matrix element is composed of a set of electrodes of distinct color element, in that the thin film transistors steering element are assigned and each connected to said color element electrodes and that there are provided color filters of different colors formed on said common electrode facing respectively said color element electrodes of each set .
  9. 9. Afficheur à cristaux liquides en matrice de points selon la revendication 6, 7 ou 8, caractérisé en ce qu'il est prévu un montage de circuit de pilotage intégré (26, 29, 32) formé sur une partie marginale du premier substrat à l'extérieur dudit cristal liquide disposé de façon étanche et comprenant des transistors à pellicule mince ayant la même structure que lesdits transistors à pellicule mince de pilotage d'élément et formés simultanément avec eux, pour exciter sélectivement lesdits transistors à pellicule mince de pilotage d'élément. 9. A liquid crystal display in dot matrix according to claim 6, 7 or 8, characterized in that there is provided an integrated control circuit arrangement (26, 29, 32) formed on a marginal portion of the first substrate outside said sealingly disposed liquid crystal and comprising thin film transistors having the same structure as said thin film transistor element control and formed simultaneously with them, for selectively energizing said thin film transistors piloting of element.
  10. 10. Afficheur à cristaux liquides en matrice de points selon la revendication 6, 7 ou 8, caractérisé en ce que lesdits conducteurs d'électrodes de colonne reliés à des électrodes de grille respectives sont formés de façon à s'étendre sur ladite pellicule d'isolation de grilles. 10. A liquid crystal display in dot matrix according to claim 6, 7 or 8, characterized in that said column electrode conductors connected to respective gate electrodes are formed so as to extend over said film of insulation grids.
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