FR2527878A1 - SIGNAL PROCESSING CIRCUIT FOR TELEVISION CAMERA WITH MATRIX IMAGE DETECTOR AFFECTING LOCALIZED FAULTS - Google Patents

SIGNAL PROCESSING CIRCUIT FOR TELEVISION CAMERA WITH MATRIX IMAGE DETECTOR AFFECTING LOCALIZED FAULTS Download PDF

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    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
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Abstract

L'INVENTION CONCERNE LES CAMERAS DE TELEVISION A ANALYSEUR DE TYPE MATRICIEL. POUR ELIMINER LES DEFAUTS PERMANENTS LOCALISES DE L'ANALYSEUR, ON UTILISE A LA PLACE D'UN POINT DEFECTUEUX LE SIGNAL EMIS PAR LE POINT PRECEDENT. LES ADRESSES DE POINTS DEFECTUEUX SONT STOCKEES DANS UNE MEMOIRE MORTE PROGRAMMABLE 10, AINSI QUE LES ADRESSES DE COLONNES ENTIERES DE POINTS DEFECTUEUX (SANS STOCKER TOUS LES POINTS DE CETTE COLONNE). A CHAQUE IMAGE, CES ADRESSES DE COLONNES SONT TRANSFEREES DANS UNE MEMOIRE VOLATILE RAM 30. UN ORDRE DE CORRECTION EST ENVOYE: -SOIT LORSQU'ON PASSE (COMPARATEURS 22 ET 24) SUR UN POINT DEFECTUEUX (STOCKE DANS LA MEMOIRE PROM); LA MEMOIRE PROM EST ALORS INCREMENTEE POUR INDIQUER LE POINT DEFECTUEUX SUIVANT, ET ELLE EST REINITIALISEE A LA FIN DU BALAYAGE IMAGE; -SOIT LORSQU'ON PASSE (COMPARATEUR 38) SUR UNE COLONNE DEFECTUEUSE (CONTENUE DANS LA MEMOIRE RAM); LA MEMOIRE RAM EST ALORS INCREMENTEE POUR INDIQUER LA COLONNE DEFECTUEUSE SUIVANTE ET ELLE EST REINITIALISEE A LA FIN DE CHAQUE BALAYAGE LIGNE.THE INVENTION RELATES TO MATRIX-TYPE ANALYZER TELEVISION CAMERAS. TO ELIMINATE LOCALIZED PERMANENT FAULTS OF THE ANALYZER, THE SIGNAL EMITTED BY THE PREVIOUS POINT IS USED IN THE PLACE OF A FAULTY POINT. DEFECTIVE POINT ADDRESSES ARE STORED IN A PROGRAMMABLE DEAD MEMORY 10, AS ARE THE ADDRESSES OF FULL COLUMNS OF DEFECTIVE POINTS (WITHOUT STORING ALL THE POINTS OF THIS COLUMN). AT EACH IMAGE, THESE COLUMN ADDRESSES ARE TRANSFERRED INTO A VOLATILE RAM 30 MEMORY. A CORRECTION ORDER IS SENT: - EITHER WHEN YOU GO (COMPARATORS 22 AND 24) TO A FAULTY POINT (STORED IN PROM MEMORY); THE PROM MEMORY IS THEN INCREMENTED TO INDICATE THE NEXT FAULTY POINT, AND IT IS RESET AT THE END OF THE IMAGE SCAN; - EITHER WHEN GOING (COMPARATOR 38) OVER A FAULTY COLUMN (CONTAINED IN THE RAM MEMORY); THE RAM MEMORY IS THEN INCREMENTED TO INDICATE THE NEXT FAULTY COLUMN AND IT IS RESET AT THE END OF EACH LINE SCAN.

Description

CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAL POUR CAMERA DE TELEVISION ASIGNAL PROCESSING CIRCUIT FOR TELEVISION CAMERA A

DETECTEUR MATRICIEL D'IMAGE AFFECTE DE DEFAUTS LOCALISES  MATRIX IMAGE DETECTOR AFFECTING LOCALIZED FAULTS

La présente invention concerne les caméras de télévision à détecteur matriciel d'image, par exemple celles qui fonctionnent avec un analyseur photosensible solide à registres à transfert de  The present invention relates to image matrix detector television cameras, for example those which operate with a solid-state image analyzer with data transfer registers.

charges (dits registres CCD).loads (called CCD registers).

Ce type de détecteur est délicat à fabriquer en raison de la très grande finesse de motif des éléments de circuit qui les constituent, et il arrive fréquemment que des points, ou même des lignes ou des colonnes entières de points du détecteur, soient défectueux et se traduisent, lors de la restitution sur un écran d'une image filmée par la caméra, par des points, ou lignes ou  This type of detector is difficult to manufacture because of the very great pattern of the circuit elements that constitute them, and it often happens that points, or even lines or entire columns of points of the detector, are defective and translate, when rendering on a screen an image filmed by the camera, by points, or lines or

colonnes de points fixes noirs ou brillants désagréables à l'oeil.  columns of black or glittering fixed points unpleasant to the eye.

Si on ne veut pas mettre au rebut l'analyseur solide dès lors qu'il présente un ou plusieurs défauts localisés, on peut pallier ces défauts par traitement du signal issu de l'analyseur, par exemple en remplaçant le signal provenant d'un point défectueux par le signal issu du point (non défectueux) qui le précède, ou par la moyenne des signaux correspondant au point  If we do not want to dispose of the solid analyzer when it has one or more localized defects, we can overcome these defects by processing the signal from the analyzer, for example by replacing the signal from a point defective by the signal from the (non-defective) point which precedes it, or by the average of the signals corresponding to the point

précédent et au point suivant.previous and next point.

Pour cela, on repère, pour un analyseur donné, l'emplacement exact de chacun des points défectueux; comme le  For this, we find, for a given analyzer, the exact location of each of the defective points; as the

détecteur d'image est du type matriciel, les éléments photosen-  image detector is of the matrix type, the photosensitive elements

sibles sont agences en un reseau de lignes et colonnes, et chaque élément défectueux peut être repéré par une adresse de ligne et  are branched into a network of rows and columns, and each defective item can be spotted by a line address and

une adresse de colonne.a column address.

Ces adresses sont enregistrées dans une mémoire non-  These addresses are stored in a non-memory

volatile, à des positions successives, dans l'ordre des points  volatile, at successive positions, in order of points

défectueux rencontrés au cours de l'exploration de la surface pho-  defects encountered during the exploration of the surface area

tosensible; à chaque analyseur, donc à chaque caméra correspondra une mémoire non-volatile programmable (mémoire PROM) contenant les  tosensible; to each analyzer, therefore to each camera will correspond a programmable non-volatile memory (PROM memory) containing the

adresses des points défectueux spécifiques de cette caméra.  addresses specific defective points of this camera.

Lors du fonctionnement de la caméra, l'image projetée sur l'analyseur est explorée ligne par ligne, et point par point sur chaque ligne; la mémoire PROM fournit initialement l'adresse  During camera operation, the image projected on the analyzer is scanned line by line, and point by point on each line; PROM memory initially provides the address

du premier point défectueux; cette adresse est comparée en per-  the first defective point; this address is compared in

manence à l'adresse du point courant exploré, c'est à dire du point traité à un instant donné par le circuit de traitement de signal de la caméra; s'il y a coïncidence, un ordre de correction est envoyé et la mémoire est commandée pour fournir alors l'adresse du point défectueux suivant; pour cela, l'adressage de la mémoire subit une incrémentation qui l'amène à la position de mémoire suivante; cette incrémentation se renouvelle chaque fois qu'un point défectueux est rencontré, jusqu'à la fin de l'exploration de l'image La mémoire est reinitialiseé à sa  manence at the address of the current point explored, that is to say the point treated at a given instant by the signal processing circuit of the camera; if there is coincidence, a correction command is sent and the memory is commanded to then supply the address of the next defective point; for this, the addressing of the memory is incremented which brings it to the next memory position; this incrementation is renewed each time a defective point is met, until the end of the exploration of the image The memory is reset to its

première position de mémoire à chaque nouveau balayage d'image.  first memory position with each new image scan.

L'inconvénient de ce type de traitement est que si une  The disadvantage of this type of treatment is that if a

colonne entière de points est défectueuse, on ne peut pas se con-  entire column of points is defective, it can not be

tenter d'inscrire dans la mémoire une adresse globale de colonne  try to write in the memory a global address of column

il faut inscrire individuellement chaque point de cette colonne.  each point of this column must be entered individually.

En effet, le signal dû aux points défectueux ne peut être corrigé que point par point au fur et à mesure de l'exploration et non pour un groupe de points en colonne car les  Indeed, the signal due to the defective points can only be corrected point by point as the exploration and not for a group of points in column because the

points en colonne ne se suivent pas dans l'exploration de l'image.  Column points do not follow each other in the exploration of the image.

On ne peut donc sauter d'un point de la colonne à un point suivant de la même colonne sans avoir au préalable examine les autres points défectueux dans l'ordre de l'exploration qui se fait ligne  So you can not jump from one point of the column to a next point in the same column without having first examined the other defective points in the order of the exploration that is done online.

par ligne.by line.

Or, si l'analyseur comporte par exemple 500 lignes et 500 colonnes ( 250 000 éléments), chaque adresse de point se décompose par exemple en un mot de 10 bits d'adresse de ligne et  However, if the analyzer comprises for example 500 rows and 500 columns (250 000 elements), each point address is broken down for example into a word of 10 bits of line address and

un mot de 10 bits d'adresse de colonne.  a 10-bit word of column address.

Si 20 points isolés sont défectueux, 20 adresses de 20 bits ( 400 bits) devront être mémorisées; si de plus deux colonnes sont défectueuses, ce ne sera pas deux adresses de colonnes ( 2 x 10 bits) qui devront être stockées dans la mémoire PROM mais 2 fois 500 adresses de points ( 2 x 500 x 20 bits) soit 20 000 bits environ Au total 20 400 bits devront être stockés en mémoire programmable pour 20 points isolés défectueux et 2 colonnes défectueuses La capacité de la mémoire devra donc être très  If 20 isolated points are defective, 20 addresses of 20 bits (400 bits) will have to be memorized; if two more columns are defective, it will not be two column addresses (2 x 10 bits) which will have to be stored in the PROM memory but 2 times 500 addresses of points (2 x 500 x 20 bits) or about 20 000 bits A total of 20 400 bits will have to be stored in programmable memory for 20 defective isolated points and 2 defective columns. The memory capacity will have to be very

élevée dès lors qu'une colonne est défectueuse.  high when a column is defective.

La présente invention propose un circuit de traitement amélioré qui élimine cet inconvénient en permettant d'enregistrer dans la mémoire programmable les adresses de colonnes entières défectueuses sans enregistrer les adresses de ligne et de colonne  The present invention provides an improved processing circuit that eliminates this disadvantage by enabling the addresses of entire faulty columns to be stored in the programmable memory without registering the row and column addresses.

de tous les points de ces colonnes.from all points of these columns.

Pour cela, on adjoint à la mémoire programmable non-  For this, we add to the non-programmable memory

volatile (PROM), une mémoire volatile (RAM) et on émet des ordres  volatile (PROM), a volatile memory (RAM) and issuing orders

de correction de défauts soit à partir de la mémoire PROM qui con-  defect correction either from the PROM memory which

tient les adresses de points isolés défectueux et qui est explorée  holds the addresses of faulty isolated points and which is explored

cycliquement à chaque image, son adressage étant incrémenté à cha-  cyclically to each image, its addressing being incremented every

que passage par un point défectueux, soit à partir de la mémoire RAM qui contient les adresses de colonnes entières défectueuses et qui est explorée cycliquement à chaque ligne, son adressage étant incrémenté à chaque passage sur une colonne défectueuse Les adresses de colonnes entières défectueuses sont inscrites dans la mémoire PROM et sont transférées dans la mémoire RAM, à la mise  passing through a defective point, either from the RAM which contains the addresses of entire columns defective and which is cyclically explored at each line, its addressing being incremented each time a column is defective The addresses of entire columns defective are listed in the PROM memory and are transferred to the RAM memory at the time of

sous tension ou de manière répétée au début de chaque image.  under power or repeatedly at the beginning of each image.

L'exploration cyclique ligne par ligne de la mémoire RAM fait qu'il n'y a pas besoin d'enregistrer dans cette mémoire (et  Cyclic line-by-line scanning of RAM makes it unnecessary to record in this memory (and

donc dans la mémoire PROM d'o elles sont tirées) d'autres infor-  therefore in the PROM memory where they are drawn) other information

mations que les adresses de colonnes défectueuses ( 10 bits par  than the addresses of defective columns (10 bits per

colonne défectueuse).defective column).

Ainsi, non seulement la mémoire PROM peut se réduire pratiquement à la capacité nécessaire à l'enregistrement des adresses de points isolés défectueux, mais encore il n'est pas nécessaire de prévoir une deuxième mémoire PROM pour  Thus, not only can the PROM memory be reduced practically to the capacity necessary to record the addresses of faulty isolated points, but it is not necessary to provide a second PROM memory for

l'enregistrement séparé des adresses de colonnes défectueuses.  the separate recording of the addresses of defective columns.

Le circuit selon l'invention comprend à cet effet une mémoire programmable non-volatile; un premier comparateur pour comparer le contenu de la mémoire à une adresse de point courant exploré et fournir un  The circuit according to the invention comprises for this purpose a non-volatile programmable memory; a first comparator for comparing the contents of the memory to an explored current-point address and providing a

signal de commande de correction en cas de coïncidence de ce con-  control signal of correction in case of coincidence of this con-

tenu et cette adresse; une mémoire volatile couplée à la mémoire nonvolatile pour enregistrer des adresses de colonnes entières défectueuses contenues dans la mémoire non-volatile; un deuxième comparateur pour comparer le contenu-de la mémoire volatile à une adresse courante de colonne correspondant à un point exploré, pour fournir un signal de commande de correction s'il y a coincidence entre ce contenu et cette adresse; un circuit de commande de la m Emoire volatile pour incrémenter l'adressage de celle-ci apres chaque coïncidence détectée par le deuxième comparateur, pour remettre à une valeur initiale cet adressage à chaque ligne explorée, et pour effectuer initialement l'enregistrement dans la mémoire volatile des  held and this address; a volatile memory coupled to the nonvolatile memory for storing whole bad column addresses contained in the nonvolatile memory; a second comparator for comparing the contents of the volatile memory with a current column address corresponding to an explored point, for providing a correction control signal if there is coincidence between that content and that address; a control circuit of the volatile memory to increment the addressing thereof after each coincidence detected by the second comparator, to reset this addressing to each searched line, and to initially perform the recording in the memory volatile

adresses de colonnes entières défectueuses.  addresses of entire columns defective.

Le transfert initial de la mémoire PROM dans la-mémoire RAM peut se faire pendant les retours de trame, après la fin d'un balayage d'image et avant le debut du balayage suivant; un séquenceur effectue alors un transfert systématique des adresses de colonnes entières défectueuses (repérées comme telles par exemple par un bit spécifique) ou un transfert de toute une zone de la mémoire PROM réservée au stockage des adresses de colonnes  The initial transfer of the PROM memory into the RAM memory can be done during the frame returns, after the end of an image scan and before the beginning of the next scan; a sequencer then performs a systematic transfer of the addresses of entire columns defective (identified as such for example by a specific bit) or a transfer of an entire area of the PROM reserved for storing the column addresses

entières défectueuses.defective whole.

Le transfert peut aussi se faire au cours de l'exploration de la première ligne: parmi les points défectueux de la première ligne, certains seront isolls; d'autres, repérés par exemple par un bit spécifique correspondront à-des adresses de colonnes entières défectueuses qui seront enregistrées dans la mémoire RAM en vue de la correction de ces colonnes à partir de la mémoire RAM et non de la mémoire PROM pendant le balayage des  The transfer can also be done during the exploration of the first line: among the defective points of the first line, some will be isolls; others, marked for example by a specific bit will correspond to-addresses of entire columns defective that will be recorded in the RAM for the correction of these columns from the RAM and not the PROM during the scanning of the

lignes suivantes.following lines.

D'autres caractéristiques et avantages de l'invention  Other features and advantages of the invention

apparara tront à la lecture de la description détaillée qui suit  appear on the following detailed description

et qui est faite en référence au dessin annexé qui représente un  and which is made with reference to the accompanying drawing which represents a

schema du circuit de commande de correction selon l'invention.  schema of the correction control circuit according to the invention.

Les adresses de points défectueux sont inscrites dans une mémoire nonvolatile programmable (PROM) 10 Cette mémoire PROM 10 est commandée par un circuit de commande 12 qui permet notamment d'incrémenter ou de remettre à zéro un compteur 14 d'adresses de la mémoire Ce compteur 14 désigne successivement  The addresses of defective points are written in a programmable nonvolatile memory (PROM). This PROM 10 is controlled by a control circuit 12 which notably makes it possible to increment or reset an address counter 14 of the memory. 14 indicates successively

les adresses de la mémoire PROM qu'on désire lire On fera atten-  the addresses of the PROM memory that one wishes to read.

tion dans la suite de ne pas confondre les adresses de la mémoire PROM 10 et les adresses de points défectueux ou de colonnes  in the following not to confuse the addresses of the PROM memory 10 and the addresses of defective points or columns

défectueuses qui sont contenues à ces adresses de la mémoire 10.  defective which are contained at these addresses of the memory 10.

Au cours de l'exploration de l'image, le compteur désigne à un instant donné une adresse de mémoire PROM 10 A cette  During the scanning of the image, the counter designates at a given moment a memory address PROM 10 A this

adresse est contenue la désignation du prochain point défectueux.  address is contained the designation of the next defective point.

C'est donc cette désignation, par exemple 10 bits d'adresse de ligne et 10 bits d'adresse de colonne qui apparaît en sortie de la mémoire 10 et qui peut être inscrite dans un registre d'adresses  It is therefore this designation, for example 10 bits of line address and 10 bits of column address which appears at the output of the memory 10 and which can be registered in an address register.

de ligne 16 et un registre d'adresses de colonne 18.  line 16 and a column address register 18.

On ne se préoccupera pas ici de l'organisation en mots de la mémoire 10 On supposera que les mots sont des mots de onze bits ( 10 bits d'adresse de ligne ou de colonne et éventuellement un onzième bit dont on précisera l'utilité); deux mots successifs sont lus à chaque incrémentation du compteur 14, le premier mot (adresse de ligne) étant placé dans le registre 16 et le second (adresse de colonne) dans le registre 18, grâce à un circuit de démultiplexage 20 commandé par le circuit 12 Les mots pourraient être des mots de huit bits alors que 10 bits sont nécessaires pour le codage d'une ligne ou d'une colonne, auquel cas il faudrait lire trois mots par point défectueux, le circuit de démultiplexage  It will be assumed that the words are eleven-bit words (10 bits of line or column address and possibly an eleventh bit whose usefulness will be specified). ; two successive words are read at each incrementation of the counter 14, the first word (line address) being placed in the register 16 and the second (column address) in the register 18, thanks to a demultiplexing circuit 20 controlled by the circuit The words could be eight-bit words while 10 bits are needed for coding a row or column, in which case three words per bad point would have to be read, the demultiplexing circuit

étant alors un peu plus complexe.being a little more complex.

Les adresses contenues dans les registres 16 et 18 sont comparées en permanence dans des comparateurs respectifs 22 et 24 à l'adresse courante (en ligne et colonne) du point exploré, c'est  The addresses contained in the registers 16 and 18 are continuously compared in respective comparators 22 and 24 at the current address (in line and column) of the point explored.

à dire du point en cours de traitement par le circuit de traite-  to say of the point being processed by the processing circuit.

ment de signal associé à l'analyseur solide de la caméra Cette adresse est obtenue facilement à partir du circuit de traitement  This signal is easily obtained from the processing circuit.

de signal du fait que cet analyseur est de type matriciel.  signal that this analyzer is of matrix type.

Lorsqu'il y a coïncidence entre l'adresse du point défectueux fourni à un moment donné par la mémoire 10 et l'adresse  When there is coincidence between the address of the defective point provided at a given moment by the memory 10 and the address

du point courant explore, c'est à dire lorsque les deux com-  the current point explores, ie when both

parateurs 22 et 24 fournissent simultanément un signal de coïncidence à une porte ET 26, un ordre de commande de correction est transmis à la sortie de cette porte et, à travers une porte OU 28, à la sortie S du circuit de la figure vers le reste du circuit  22 and 24 simultaneously provide a coincidence signal to an AND gate 26, a correction control command is transmitted to the output of this gate and, through an OR gate 28, to the output S of the circuit of FIG. rest of the circuit

de traitement de signal (non représenté) qui effectue la correc-  signal processor (not shown) that performs the correction

tion nécessaire (remplacement du signal correspondant à ce point défectueux par le signal du point précédent ou la moyenne du point précédent et du point suivant) La présence d'un signal de coïncidence en sortie de la porte ET 26 commande en même temps l'incrémentation du compteur 14, par l'intermédiaire du circuit de commande 12 pour mettre dans les registres 16 et 18 l'adresse du point défectueux suivant, et ainsi de suite jusqu'à la fin du balayage de l'image Un signal à fréquence image Fi permet de remettre à zéro le compteur 14 pour redonner, en vue du balayage  necessary (replacement of the signal corresponding to this defective point by the signal from the preceding point or the average of the preceding point and the next point) The presence of a coincidence signal at the output of the AND gate 26 at the same time controls the incrementation the counter 14, through the control circuit 12 to put in the registers 16 and 18 the address of the next defective point, and so on until the end of the scanning of the image A frequency signal Fi resets counter 14 to restore, for scanning

suivant, la position du premier point défectueux de l'image.  next, the position of the first defective point of the image.

Selon l'invention, la mémoire PROM 10 contient essen-  According to the invention, the PROM 10 memory contains essentially

tiellement les adresses de points défectueux isolés Si une colonne entière est défectueuse, seule l'adresse de cette colonne (ou du premier point de cette colonne), et non les adresses de tous les points de la colonne, sera enregistrée dans la mémoire PROM, sous forme d'une adresse de 10 bits et éventuellement d'un onzième bit indiquant qu'il s'agit d'une adresse de colonne  only the addresses of isolated defective points If an entire column is defective, only the address of this column (or the first point of this column), and not the addresses of all the points of the column, will be recorded in the PROM, in the form of a 10-bit address and possibly an eleventh bit indicating that it is a column address

entière défectueuse.whole faulty.

Une mémoire volatile (RAM 30) est connectée à la sortie du registre 18 pour enregistrer les adresses de colonnes entières défectueuses, repérées soit par le onzième bit, soit par leur  A volatile memory (RAM 30) is connected to the output of the register 18 to record the addresses of entire defective columns, identified either by the eleventh bit, or by their

rangement dans une zone particulière de la mémoire PROM 10.  storage in a particular area of the PROM memory 10.

Un compteur 32 commande l'adressage de la memoire RAM , soit pour l'écriture, soit pour la lecture, et un circuit de commande 34 contrôle l'incrémentation et la remise à zéro de ce  A counter 32 controls the addressing of the RAM memory, either for writing or for reading, and a control circuit 34 controls the incrementation and reset of this memory.

compteur, ainsi que le mode lecture/écriture de la mémoire RAM 30.  counter, as well as the read / write mode of the RAM 30.

Un séquenceur 36 contrôle les circuits de commande 12 et 34 de la mémoire 10 et de la mémoire 30 pour définir des moments de lecture  A sequencer 36 controls the control circuits 12 and 34 of the memory 10 and the memory 30 to define read times

ou d'écriture lors du fonctionnement du circuit.  or writing during circuit operation.

A la mise sous tension, ou mieux encore au début ou avant le début de chaque balayage d'image, le séquenceur définit une période de transfert, vers la mémoire volatile 30, des adresses de colonnes entières défectueuses contenues dans la  On power-up, or better still at the beginning or before the beginning of each image scan, the sequencer defines a transfer period, to the volatile memory 30, of the addresses of whole columns defective contained in the

mémoire non-volatile 10.non-volatile memory 10.

Par exemple, le séquenceur peut recevoir, durant un retour de trame un signal à fréquence image Fi pour déclencher une période d'écriture de la mémoire RAM 30 Pendant cette période, toutes les adresses contenues dans une certaine zone de la mémoire ROM sont transférées dans la mémoire RAM; ou alors, toutes les  For example, the sequencer can receive, during a frame return, a signal at an image frequency Fi to trigger a write period of the RAM memory. During this period, all the addresses contained in a certain area of the ROM memory are transferred to RAM memory; or then, all

adresses de colonnes repérées par leur onzième bit (dont la posi-  column addresses identified by their eleventh bit (whose posi-

tion dans le mot peut d'ailleurs être quelconque) sont transférées dans la mémoire RAM 30 Le transfert s'effectue à une fréquence f aussi élevée que possible compte tenu des possibilités des mémoires 10 et 30 (par exemple une fréquence f = 1,1 M Hz; les compteurs 14 et 32 sont incrémentés à cette fréquence pendant le transfert). Dans une autre possibilité de séquencement, ce transfert ne s'effectue pas pendant le retour de trame mais durant la première ligne d'analyse de l'image: dans ce cas, on range en memoire ROM l'adresse d'une colonne défectueuse à l'endroit ou on aurait rangé l'adresse du premier point défectueux de cette colonne si tous les points défectueux étaient considérés comme points isolés Les autres points des colonnes entières défectueuses ne sont pas stockés en mémoire, et le premier point d'une colonne entière défectueuse est repéré comme tel par un onzième bit dans le mot d'adresse de cette colonne, ce onzième bit étant transmis du registre 18 vers le circuit de commande 34 de la mémoire RAM par une connexion 19 Pendant la première ligne d'analyse de l'image, on rencontrera par exemple successivement dans la mémoire 10 une adresse de point isolé défectueux, puis un point d'une colonne entière défectueuse; ce point, repéré comme tel par son onzième bit dans le registre 18, force l'écriture dans la mémoire RAM 30 de l'adresse de la colonne correspondante, en même temps qu'un ordre de correction est donné par les signaux de coïncidence en sortie des comparateurs 22 et 24, et en même temps que l'adressage des deux mémoires, 10 et 30 est incrémenté d'une unité par les compteurs 14 et 32 sous la commande des circuits 12 et 34 Puis, l'analyse de la première ligne d'image se poursuit avec par exemple la rencontre du premier point d'une deuxième colonne défectueuse L'adresse de cette deuxième colonne présente dans le registre 18, est enregistrée à la deuxième position de  The transfer is carried out at a frequency f as high as possible taking into account the possibilities of the memories 10 and 30 (for example a frequency f = 1.1 M Hz, the counters 14 and 32 are incremented at this frequency during the transfer). In another sequencing possibility, this transfer does not take place during the frame return but during the first line of analysis of the image: in this case, the address of a defective column is stored in ROM memory. the place where the address of the first defective point of this column would have been stored if all the defective points were considered as isolated points The other points of the entire defective columns are not stored in memory, and the first point of a whole column the 11th bit being transmitted from the register 18 to the control circuit 34 of the RAM memory via a connection 19 during the first line of analysis of the memory. image, there will be encountered successively in the memory 10 a defective isolated point address, then a point of a defective integer column; this point, identified as such by its eleventh bit in the register 18, forces the writing in the RAM 30 of the address of the corresponding column, at the same time that a correction command is given by the coincidence signals in output of the comparators 22 and 24, and at the same time as the addressing of the two memories, 10 and 30 is incremented by one unit by the counters 14 and 32 under the control of the circuits 12 and 34. Then, the analysis of the first line of image continues with for example the meeting of the first point of a second defective column The address of this second column present in the register 18, is recorded at the second position of

mrmoire RC Ml A la fin de la première ligne, les adresses de colon-  At the end of the first line, the colon addresses

nes entières défectueuses sont dans la mémoire RAM.  Faulty integers are in RAM memory.

Quei que soit le mode d'enregistrement en mémoire vola-  Irrespective of the mode of recording in volatile memory

tile RA, cele ci est ensuits explorée avec une période cyclique qui correspond à la frquence de balayage d'une ligne (Fb), c'est à dire eue le compteur 32 est remis à zéro à chaque début de ligne  tile RA, here is then explored with a cyclic period which corresponds to the scanning frequency of a line (Fb), ie the counter 32 is reset at each beginning of line

pour revenir à la premiere position de mémoire RLM.  to return to the first memory location RLM.

La sorti-e de la aêioire RA> 30 est connectée a un com-  The output of RA> 30 is connected to a

parateur 38 qui reçoit par ailleurs l'adresse courante de colonne du point exploré par le circuit de traitement de signal Lorsqu'il y a coincidence entre le contenu de la mémoire et cette adresse de colonne, un ordre de correction est fourni par le comparateur 38, à travers la porze OU 28, à la sortie S du circuit, et un ordre  paratrix 38 which furthermore receives the current column address of the point explored by the signal processing circuit. When there is coincidence between the contents of the memory and this column address, a correction command is provided by the comparator 38 , through porze OR 28, at exit S of the circuit, and an order

d'incrmenrtation du compteur 32 est donné au circuit 34.  incrementation of the counter 32 is given to the circuit 34.

Ainsi, dès la deuxi:me ligne de balayage, et à chaque ligne suivante jusqu'à la fin de l'exploration d'image, l'adresse de colonne de la première colonne entière défectueuse est fournie par la mémoire RAM 30 Lorsque cette colonne est rencontrée, un ordre de correction est donné, le compteur 32 est incrémenté et l'adresse de colonne défectueuse suivante est donnée A la fin de  Thus, from the second scanning line, and at each subsequent line until the end of image scanning, the column address of the first defective integer column is provided by the RAM 30. is encountered, a correction command is given, the counter 32 is incremented and the following defective column address is given At the end of

la ligne, le compteur 32 est systématiquement réinitialisé.  the line, the counter 32 is systematically reset.

Cette procédure se poursuit indépendamment de la recherche à partir de la mémoire PROM 10 et des comparateurs 22 et 24, des points défectueux isolis, la mémoire PROM n'étant quant à elle réinitiaiisée qu'à la fin du balayage d'image (fréquence Fi)  This procedure continues independently of the search from the PROM 10 and the comparators 22 and 24, isolated defective points, the PROM memory being reinitialized only at the end of the image scan (Fi frequency )

et non du balayage ligne (fréquence Fh).  and not the line scan (frequency Fh).

Il est a noter que ce circuit permet facilement de corriger, si on le désire, une ligne entière de points défectueux, en n'inscrivant dans la mémoire PROM 10 que l'adresse du premier  It should be noted that this circuit makes it possible easily to correct, if desired, an entire line of defective points, by entering in the PROM memory 10 only the address of the first

point de cette ligne ou l'adresse de cette ligne seule, en indi-  point of that line or the address of that line alone, in indi-

quant par un bit spécifique supplémentaire qu'il s'agit d'une li-  as for a specific additional bit that it is a li-

gne entière défectueuse Ce bit peut être transmis au circuit de  This bit can be transmitted to the circuit

traitement de signal pour commander le remplacement du signal cor-  signal processing to control the replacement of the correct signal

respondant à toute la ligne par le signal retardé de la ligne pre-  responding to the entire line by the delayed signal of the first line

cédente ou la moyenne de la ligne précédente et la ligne suivante.  or the average of the previous line and the next line.

Claims (4)

REVENDICATIONS 1 Circuit de traitement de signal pour analyseur photo-  1 signal processing circuit for photo analyzer sensible matriciel, comportant un circuit de commande de correc-  sensitive matrix, comprising a control circuit for correcting tion de défauts localisés permanents de l'analyseur, ce circuit de commande comportant une mémoire programmable non-volatile ( 10) contenant des adresses de points défectueux, et un premier com- parateur ( 22, 24) pour comparer le contenu de la mémoire ( 10) à une adresse courante de point exploré par le circuit de traitement de signal et pour fournir un signal de commande de correction s'il y a coïncidence entre ce contenu et cette adresse, caractérisé en ce que le circuit de commande de correction comprend en outre: une mémoire volatile ( 30) couplée à la sortie de la mémoire non-volatile ( 10) de manière à permettre l'enregistrement dans la mémoire volatile des adresses de colonnes entières défectueuses contenues dans la mémoire non-volatile, un deuxième comparateur ( 38) pour comparer le contenu de la mémoire volatile à une adresse courante de colonne explorée, et pour fournir un signal de commande de correction s'il y a coïncidence entre ce contenu et cette adresse, un circuit de commande ( 32, 34) de la mémoire volatile pour incrémenter l'adressage de la mémoire volatile après chaque co Tncidence détectée par le deuxième comparateur et remettre à une valeur initiale cet adressage à chaque ligne explorée, et pour effectuer l'enregistrement dans la mémoire volatile des adresses  detection of permanent localized defects of the analyzer, said control circuit comprising a programmable non-volatile memory (10) containing defective dot addresses, and a first comparator (22, 24) for comparing the contents of the memory ( 10) to a current point address explored by the signal processing circuit and to provide a correction control signal if there is coincidence between that content and that address, characterized in that the correction control circuit comprises in addition: a volatile memory (30) coupled to the output of the non-volatile memory (10) so as to allow the recording in the volatile memory of the addresses of entire defective columns contained in the non-volatile memory, a second comparator ( 38) for comparing the contents of the volatile memory with a current column address searched, and for providing a correction control signal if there is a coincidence between that content and that e address, a control circuit (32, 34) of the volatile memory for incrementing the addressing of the volatile memory after each co Incidence detected by the second comparator and reset to an initial value this addressing each line searched, and to perform the recording in the volatile memory of the addresses de colonnes entières défectueuses.  whole columns defective. 2 Circuit de traitement de signal selon la reven-  2 signal processing circuit according to the dication 1, caractérisé par le fait que le circuit de commande de la mémoire volatile effectue cycliquement l'enregistrement des adresses de colonnes entières défectueuses après chaque balayage d'image.  1, characterized in that the control circuit of the volatile memory cyclically records the addresses of entire columns defective after each image scan. 3 Circuit de traitement de signal selon la reven-  3 signal processing circuit according to the dication 2, caractérisé par le fait que les adresses de colonnes entières défectueuses sont rangées en mémoire non-volatile en mots le' comportant un bit spécifique indiquant qu'il s'agit de colonnes  2, characterized by the fact that the addresses of faulty whole columns are stored in non-volatile memory in words the 'having a specific bit indicating that they are columns entières défectueuses.defective whole. 4 Circuit de traitement de signal selon l'une des  4 Signal processing circuit according to one of revendications 2 et 3, caractérisé par le fait que  claims 2 and 3, characterized in that l'enregistrement dirns la mémoire volatile est effectué pendant le  the recording in the volatile memory is done during the balayage de la oremière ligne de l'analyseur.  scanning the first line of the analyzer. Circuit de traitement de signal selon la reven- dication 2, caractérisé par le fait qu'il est prévu un séquenceur ( 36) pour commander systématiquement, pendant la période de retour  Signal processing circuit according to claim 2, characterized in that a sequencer (36) is provided to control systematically during the return period. de trame du balayage d'image, le transfert des adresses de colon-  frame of the image scan, the transfer of the colon addresses nes de la mémoire non-volatile vers la mémoire volatile.  from non-volatile memory to volatile memory.
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