FR2507017A1 - Microassemblage utilisable en hyperfrequences - Google Patents
Microassemblage utilisable en hyperfrequences Download PDFInfo
- Publication number
- FR2507017A1 FR2507017A1 FR8110572A FR8110572A FR2507017A1 FR 2507017 A1 FR2507017 A1 FR 2507017A1 FR 8110572 A FR8110572 A FR 8110572A FR 8110572 A FR8110572 A FR 8110572A FR 2507017 A1 FR2507017 A1 FR 2507017A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- lines
- transistor
- microassembly
- wafer
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10W44/20—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
-
- H10W70/655—
-
- H10W72/5445—
-
- H10W90/754—
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8110572A FR2507017A1 (fr) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Microassemblage utilisable en hyperfrequences |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8110572A FR2507017A1 (fr) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Microassemblage utilisable en hyperfrequences |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2507017A1 true FR2507017A1 (fr) | 1982-12-03 |
| FR2507017B1 FR2507017B1 (index.php) | 1985-02-01 |
Family
ID=9258951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8110572A Granted FR2507017A1 (fr) | 1981-05-27 | 1981-05-27 | Microassemblage utilisable en hyperfrequences |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2507017A1 (index.php) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2608318A1 (fr) * | 1986-12-16 | 1988-06-17 | Thomson Semiconducteurs | Dispositif semi-conducteur a faible bruit en hyperfrequence, monte dans un boitier |
| FR2681729A1 (fr) * | 1991-09-24 | 1993-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | Circuit integre micro-onde hybride. |
| FR2710192A1 (fr) * | 1991-07-29 | 1995-03-24 | Gen Electric | Composant micro-onde ayant des caractéristiques fonctionnelles ajustées et procédé d'ajustement. |
| EP1011142A1 (fr) * | 1998-12-17 | 2000-06-21 | STMicroelectronics SA | Dispositif semi-conducteur avec substrat sur isolant à découplage de bruit |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2061748A7 (index.php) * | 1969-09-16 | 1971-06-25 | Itt | |
| US4196508A (en) * | 1977-09-01 | 1980-04-08 | Honeywell Inc. | Durable insulating protective layer for hybrid CCD/mosaic IR detector array |
| EP0018174A1 (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-29 | Fujitsu Limited | High frequency semiconductor device on an insulating substrate |
-
1981
- 1981-05-27 FR FR8110572A patent/FR2507017A1/fr active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2061748A7 (index.php) * | 1969-09-16 | 1971-06-25 | Itt | |
| US4196508A (en) * | 1977-09-01 | 1980-04-08 | Honeywell Inc. | Durable insulating protective layer for hybrid CCD/mosaic IR detector array |
| EP0018174A1 (en) * | 1979-04-12 | 1980-10-29 | Fujitsu Limited | High frequency semiconductor device on an insulating substrate |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/80 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2608318A1 (fr) * | 1986-12-16 | 1988-06-17 | Thomson Semiconducteurs | Dispositif semi-conducteur a faible bruit en hyperfrequence, monte dans un boitier |
| EP0274941A1 (fr) * | 1986-12-16 | 1988-07-20 | Thomson Hybrides Et Microondes | Dispositif semiconducteur, à faible bruit en hyperfréquence, monté dans un boîtier |
| US4872049A (en) * | 1986-12-16 | 1989-10-03 | Thomson Hybrides Et Microondes | Encapsulated low-noise ultra-high frequency semiconductor device |
| FR2710192A1 (fr) * | 1991-07-29 | 1995-03-24 | Gen Electric | Composant micro-onde ayant des caractéristiques fonctionnelles ajustées et procédé d'ajustement. |
| FR2681729A1 (fr) * | 1991-09-24 | 1993-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | Circuit integre micro-onde hybride. |
| EP1011142A1 (fr) * | 1998-12-17 | 2000-06-21 | STMicroelectronics SA | Dispositif semi-conducteur avec substrat sur isolant à découplage de bruit |
| FR2787635A1 (fr) * | 1998-12-17 | 2000-06-23 | St Microelectronics Sa | Dispositif semi-conducteur avec substrat sur isolant a decouplage de bruit |
| US6285071B1 (en) | 1998-12-17 | 2001-09-04 | Stmicroelectronics S.A. | Substrate-on-insulator semiconductor device with noise decoupling |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2507017B1 (index.php) | 1985-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0627765B1 (fr) | Dispositif semiconducteur incluant un élément semiconducteur du type "FLIP-CHIP" | |
| EP0123350B1 (fr) | Antenne plane hyperfréquences à réseau de lignes microruban complètement suspendues | |
| FR2652197A1 (fr) | Transformateurs du type symetrique-dissymetrique perfectionnes. | |
| FR2550009A1 (fr) | Boitier de composant electronique muni d'un condensateur | |
| EP0310463A1 (fr) | Boîtier pour circuit intégré de haute densité | |
| EP0459571A1 (fr) | Ligne de transmission en mode à ondes lentes, du type microruban et circuit incluant une telle ligne | |
| FR3062517A1 (fr) | Structure pour application radiofrequence | |
| FR2607643A1 (fr) | Commutateur a semiconducteurs a micro-ondes | |
| FR2736206A1 (fr) | Procede de realisation d'un substrat d'interconnexion permettant de connecter une puce sur un substrat de reception | |
| WO1999008318A1 (fr) | Procede d'interconnexion a travers un materiau semi-conducteur | |
| EP0616490B1 (fr) | Dispositif électronique miniaturisé, notamment dispositif à effet gyromagnétique | |
| EP0161166B1 (fr) | Combineur compact de dispositifs semi-conducteurs, fonctionnant en hyperfréquences | |
| FR2507017A1 (fr) | Microassemblage utilisable en hyperfrequences | |
| EP0044758B1 (fr) | Dispositif de terminaison d'une ligne de transmission, en hyperfréquence, à taux d'ondes stationnaires minimal | |
| FR2849538A1 (fr) | Composant discret comprenant des diodes hf en serie et a cathode commune | |
| EP0596568A1 (fr) | Dispositif semiconducteur comprenant un circuit amplificateur distribué monolithiquement intégré, à large bande et fort gain | |
| EP1153408B1 (fr) | Cathode a effet de champ a performances accrues | |
| EP0586010B1 (fr) | Circuit pour des fréquences élevées, et procédé pour le réaliser | |
| FR2529385A1 (fr) | Microboitier d'encapsulation de circuits integres logiques fonctionnant en tres haute frequence | |
| WO2003081669A1 (fr) | Module de circuits integres et procede de fabrication correspondant | |
| EP0983616B1 (fr) | Procede et dispositif pour connecter deux elements millimetriques | |
| FR2785745A1 (fr) | Circuit haute frequence a dephasage variable | |
| EP0347985A1 (fr) | Circuit actif hyperfréquences du type passe-tout | |
| EP0169124B1 (fr) | Structure d'un étage d'amplificateur équilibré fonctionnant en hyperfréquences | |
| EP0282396A1 (fr) | Structure de circuit hybride complexe et procédé de fabrication |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CA | Change of address | ||
| CD | Change of name or company name | ||
| ST | Notification of lapse |