FR2494909A1 - Photosensitive linear charge transfer colour image analyser - has photoelement strips, read device and memory integrated on one substrate - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 11
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14825—Linear CCD imagers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14868—CCD or CID colour imagers
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
Description
DISPOSITIF A TRANSFERT DE CHARGE PHOTOSENSIBLE ET
LINEAIRE POUR L'ANALYSE D'IMAGES EN COULEURS
La présente invention concerne un dispositif à transfert de charge photosensible et linéaire pour l'analyse d'images en couleurs.PHOTOSENSITIVE CHARGE TRANSFER DEVICE AND
LINEAR FOR THE ANALYSIS OF COLOR IMAGES
The present invention relates to a photosensitive and linear charge transfer device for analyzing color images.
Il est connu, notamment par l'ouvrage de C. H. SEQUIN et M. He is known, in particular by the work of C. H. SEQUIN and M.
F. TOMPSETT intitulé "Charge Transfer Devices", pages 142 à 171, que l'analyse d'images à l'aide de dispositifs à transfert de charge photosensibles peut se faire soit par des dispositifs linéaires, soit par des dispositifs surfaciques.F. TOMPSETT entitled "Charge Transfer Devices", pages 142 to 171, that the analysis of images using photosensitive charge transfer devices can be done either by linear devices or by surface devices.
Les dispositifs linéaires comportent généralement une "barrette" constituée d'éléments photosensibles alignés. L'image à analyser est projetée ligne après ligne sur la barrette : c'est soit la barrette, soit l'élément à visualiser qui se déplace. On peut aussi utiliser un élément optique qui projette ligne après ligne, élément à visualiser, immobile, sur la barrette, immobile. Linear devices generally include a "strip" made up of aligned photosensitive elements. The image to be analyzed is projected line after line on the bar: it is either the bar or the element to be displayed which moves. It is also possible to use an optical element which projects line after line, an element to be displayed, stationary, on the bar, stationary.
Les dispositifs a' transfert de charge linéaires présentent l'avantage d'être moins chers que les dispositifs surfaciques et d'avoir une résolution plus élevée. Ces dispositifs trouvent de nombreuses applications dans des domaines tels que la télé-copie, le télé-cinéma, la reproduction de documents ou de photographies, l'observation aérienne ou spatiale, le contrôle industriel... Linear charge transfer devices have the advantage of being less expensive than surface devices and of having a higher resolution. These devices find numerous applications in fields such as tele-copying, tele-cinema, reproduction of documents or photographs, aerial or space observation, industrial control, etc.
Un problème se pose avec les dispositifs à transfert de charge, photo-sensibles et linéaires, lorsqu'on veut réaliser l'analyse d'images en couleurs. A problem arises with charge transfer, photo-sensitive and linear devices, when we want to perform the analysis of color images.
Une solution connue à ce problème consiste à utiliser un éclateur spectral qui sépare spatialement les trois couleurs élémentaires pour chaque ligne de l'image à analyser. On dispose alors trois barrettes photosensibles indépendantes de façon à ce que chacune reçoive l'une des couleurs élémentaires. Cette solution a comme inconvénients le fait que l'éclateur spectral est encombrant et le fait qu'un positionnement stable et précis des trois barrettes photosensibles est nécessaire et difficile à réaliser. Cette solution est d'un coût relativement élevé qui la réserve aux applications profes sionnelles. A known solution to this problem consists in using a spectral splitter which spatially separates the three elementary colors for each line of the image to be analyzed. There are then three independent photosensitive bars so that each receives one of the elementary colors. The drawbacks of this solution are the fact that the spectral spark gap is bulky and the fact that stable and precise positioning of the three photosensitive bars is necessary and difficult to achieve. This solution is of relatively high cost which reserves it for professional applications.
Une autre solution consiste à intégrer sur le même substrat semiconducteur trois barrettes photosensibles parallèles, recevant successivement chaque ligne de l'image. Un filtre coloré rend chacune de ces barrettes sensible à l'une des couleurs élémentaires. Another solution consists in integrating on the same semiconductor substrate three parallel photosensitive bars, successively receiving each line of the image. A colored filter makes each of these bars sensitive to one of the elementary colors.
Les techniques de fabrication des circuits intégrés permettent de positionner aisément ces barrettes de façon stable et précise. Il est alors nécessaire de stocker l'information en provenance des deux barrettes recevant les premières chaque ligne de l'image analysée pour disposer simultanément de l'information en provenance des trois barrettes et correspondant à la même ligne de l'image. Les mémoires nécessaires au stockage de l'information sont de dimensions importantes et il n'est alors plus possible de réaliser tout le dispositif photosensible sur le même circuit intégré.The manufacturing techniques of integrated circuits allow these bars to be easily positioned in a stable and precise manner. It is then necessary to store the information coming from the two bars receiving the first each line of the analyzed image to simultaneously dispose of the information coming from the three bars and corresponding to the same line of the image. The memories necessary for the storage of the information are of large dimensions and it is then no longer possible to produce the entire photosensitive device on the same integrated circuit.
La présente invention concerne un dispositif à transfert de charge photosensible et linéaire qui ne présente pas les inconvénients des solutions connues de l'art antérieur et qui présente notamment l'avantage de pouvoir être entièrement intégré sur un même substrat semiconducteur. The present invention relates to a photosensitive and linear charge transfer device which does not have the drawbacks of the solutions known from the prior art and which in particular has the advantage of being able to be fully integrated on the same semiconductor substrate.
La présente invention concerne un dispositif à transfert de charge photosensible et linéaire pour l'analyse d'images en couleurs qui est constitué par l'Intégration sur un même substrat semiconducteur de: - deux barrettes de N photo-éléments chacune, qui sont séparées, dans la direction selon laquelle se lait l'analyse des images, par une distance égale à une ou plusieurs fois la dimension des photoéléments selon cette direction, au moins N photo-éléments de ces barrettes étant sensibles à la couleur verte alors que les autres photo-éléments sont sensibles aux couleurs rouge et bleue, et les photo-éléments sensibles au vert étant répartis sur les barrettes de façon à ce que la totalité du rayonnement émis par chaque ligne de l'image analysée leur parvienne;; - un dispositif de lecture constitué de deux registres à décalages à transfert de charge, à N entrées parallèles et à sortie série, vers lesquels les charges stockées par les deux barrettes sont transférées simultanément par l'intermédiaire de deux grilles, et de deux étages de lecture des charges reliés à la sortie de chaque registre;; - une mémoire constituée de N registres à décalages à transfert de charge, à entrée et sortie série, qui sont intercalés entre la barrette photosensible qui reçoit la première chaque ligne de l'image analysée et l'un des registres du dispositif de lecture, les charges correspondant à chaque ligne de l'image analysée par cette barrette étant stockées dans la mémoire puis transférées dans le registre voisin par l'intermédiaire d'une grille, alors que sont simultanément transférées vers l'autre registre du dispositif de lecture les charges correspondant à la même ligne de l'image analysée par l'autre barrette. The present invention relates to a photosensitive and linear charge transfer device for the analysis of color images which consists of the integration on the same semiconductor substrate of: - two arrays of N photo-elements each, which are separate, in the direction in which the analysis of the images is milked, by a distance equal to one or more times the size of the photoelements in this direction, at least N photo-elements of these bars being sensitive to the green color while the other photos -elements are sensitive to red and blue colors, and the photo-elements sensitive to green being distributed over the bars so that all of the radiation emitted by each line of the image analyzed reaches them; - a reading device made up of two charge transfer shift registers, with N parallel inputs and serial output, to which the charges stored by the two bars are transferred simultaneously via two grids, and two stages of reading of the charges linked to the output of each register ;; a memory consisting of N charge transfer shift registers, with serial input and output, which are interposed between the photosensitive strip which receives the first each line of the analyzed image and one of the registers of the reading device, charges corresponding to each line of the image analyzed by this bar being stored in the memory then transferred to the neighboring register via a grid, while the corresponding charges are simultaneously transferred to the other register of the reading device at the same line of the image analyzed by the other bar.
D'autres objets, caractéristiques et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, donnée- à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les figures annexées qui représentent:
- la figure 1, un mode de réalisation du dispositif selon l'invention;
- la figure 2a, une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1 et les figures 2b, c, d et e, des schémas expliquant le fonctionnement de ce dispositif.Other objects, characteristics and results of the invention will emerge from the following description, given by way of nonlimiting example and illustrated by the appended figures which represent:
- Figure 1, an embodiment of the device according to the invention;
- Figure 2a, a cross-sectional view of the device of Figure 1 and Figures 2b, c, d and e, diagrams explaining the operation of this device.
Sur les différentes figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments, mais, pour des raisons de clarté les cotes et proportions des divers éléments ne sont pas respectées. In the different figures, the same references designate the same elements, but, for reasons of clarity, the dimensions and proportions of the various elements are not observed.
La figure 1 concerne un mode de réalisation du dispositif selon l'invention, représenté vu de dessus et la figure 2a concerne une vue en coupe transversale selon 0O' de ce dispositif. Figure 1 relates to an embodiment of the device according to the invention, shown seen from above and Figure 2a relates to a cross-sectional view along 0O 'of this device.
Le dispositif selon l'invention est un dispositif à transfert de charge qui est entièrement intégré sur un substrat semiconducteur 1, qui est généralement du silicium. Dans la description suivante, on a choisi, à titre d'exemple uniquement, un substrat en silicium de type P et un dispositif à transfert de charge à canal enterré, limité par des diffusions N- et P+, repérées par les références 3 et 4 sur la figure 2a. The device according to the invention is a charge transfer device which is entirely integrated on a semiconductor substrate 1, which is generally silicon. In the following description, we have chosen, by way of example only, a P-type silicon substrate and a buried channel charge transfer device, limited by N- and P + diffusions, identified by the references 3 and 4. in Figure 2a.
Le dispositif selon l'invention comporte deux barrettes B1 et
B2 de N photo-éléments chacune. Le nombre N de photo-éléments peut-être égal à 1024 par exemple. Ces photo-éléments sont obtenus de façon tout à fait connue: soit par diffusion d'une diode, adjacente aux grilles de chaque barrette, comme c'est le cas sur la figure 2a où ces diodes de type
N+ sont repérées par dl pour celle qui est adjacente à la grille gl de la barrette B1, et par d2 pour celle qui est adjacente à la grille g2 de la barrette B2; - soit à partir des grilles MOS des deux barrettes et sans diffusion.The device according to the invention comprises two bars B1 and
B2 of N photo-elements each. The number N of photo-elements may be equal to 1024 for example. These photo-elements are obtained in a completely known manner: either by diffusion of a diode, adjacent to the grids of each strip, as is the case in FIG. 2a where these type diodes
N + are identified by dl for that which is adjacent to the grid gl of the bar B1, and by d2 for that which is adjacent to the grid g2 of the bar B2; - either from the MOS grids of the two bars and without diffusion.
La surface sensible des photo-éléments est défini à l'aide d'un masque optique A en aluminium par exemple qui recouvre le dispositif. The sensitive surface of the photo-elements is defined using an optical mask A made of aluminum, for example, which covers the device.
Les photo-éléments de ces deux barrettes sont sensibles à l'une des trois couleurs élémentaires qui sont le rouge, le vert et le bleu. The photo-elements of these two bars are sensitive to one of the three elementary colors which are red, green and blue.
La séparation des couleurs au niveau de chaque photo-élément est obtenue au moyen de filtres colorés qui sont, soit déposés directement à la surface du circuit intégré au cours de sa fabrication, soit réalisés sur un support qui est ensuite rapporté à la surface du circuit intégré. The separation of the colors at the level of each photo-element is obtained by means of colored filters which are either deposited directly on the surface of the integrated circuit during its manufacture, or produced on a support which is then attached to the surface of the circuit integrated.
Sur la figure 1, on a repéré par les lettres B, R, V chaque photo-élément sensible au bleu, au rouge ou au vert. Les deux barrettes B1 et B2 sont parallèles, la première barrette B1 n'est composée que de photo-éléments sensibles soit au rouge, soit au bleu, et alternés, alors que la seconde barrette B2 n'est composée que de photo-éléments sensibles au vert. On verra dans la suite de la description à quels impératifs doit répondre la répartition des différents photo-éléments sur les barrettes. In Figure 1, we identified by the letters B, R, V each photo-element sensitive to blue, red or green. The two bars B1 and B2 are parallel, the first bar B1 is composed only of sensitive photo-elements either in red or in blue, and alternate, while the second bar B2 is composed only of sensitive photo-elements at the Green light. We will see in the following description which requirements must be met by the distribution of the different photo-elements on the bars.
Sur la figure 1, les deux barrettes sont séparées, dans la direction selon laquelle se fait l'analyse des images qui est indiquée par une flèche, par une distance d égale à la dimension des photoéléments selon cette direction. In FIG. 1, the two bars are separated, in the direction in which the image analysis is carried out, which is indicated by an arrow, by a distance d equal to the dimension of the photoelements in this direction.
Un dispositif anti-éblouissement est intégré dans l'espace compris entre les deux barrettes. An anti-dazzle device is integrated in the space between the two bars.
Ce dispositif est constitué: - d'un drain D central qui est constitué par une diode polarisée en inverse par une tension de polarisation VDD ; - d'une grille G1 portée à une tension de polarisation constante VAB qui est intercalée entre le drain et les deux barrettes. Sur la figure 1, on constate que cette grille est en forme de "U". This device consists of: - a central drain D which is constituted by a diode reverse biased by a bias voltage VDD; - a gate G1 brought to a constant bias voltage VAB which is interposed between the drain and the two bars. In Figure 1, we see that this grid is in the shape of "U".
La tension VAB permet de régler la hauteur de la barrière entre chaque barrette et le drain D. Lorsque l'un des photo-éléments est violemment éclairé, les charges en excès débordent de la grille
G1 et sont évacuées par le drain D.The VAB voltage makes it possible to adjust the height of the barrier between each strip and the drain D. When one of the photo-elements is violently lit, the excess charges overflow from the grid
G1 and are discharged through drain D.
Le dispositif anti-éblouissement a aussi pour avantage de supprimer la "diaphotie" entre les signaux bleu et rouge de la barrette B1 et les signaux verts de la barrette B2, c'est-à-dire la perturbation que pourraient exercer les uns sur les autres ces signaux d'amplitude différente. The anti-glare device also has the advantage of eliminating the "crosstalk" between the blue and red signals of the bar B1 and the green signals of the bar B2, that is to say the disturbance which could exert on the others these signals of different amplitude.
Le dispositif selon l'invention comporte également un dispositif de lecture. Ce dispositif de lecture comprend deux registres à décalages à transfert de charge, R1 et R2, à N entrées parallèles et à sortie série. Ces registres sont disposés parallèlement à chacune des barrettes B1 et B2. Une grille G2 qui est portée à un potentiel variable jp, , permet le transfert des charges des barrettes vers les
p registres du dispositif de lecture. Sur la figure 1, on constate que la grille G2 est en forme de "U". Deux potentiels variables jT1 et jT2 en opposition de phase, sont appliqués aux étages des registres et permettent le transfert des charges vers la sortie.A la sortie des registres R1 et R2, les charges sont lues par deux étages de lecture
L1 et L2 qui réalisent une lecture destructive des charges sur diode flottante, suivie d'une amplification des signaux obtenus.The device according to the invention also includes a reading device. This reading device comprises two charge transfer shift registers, R1 and R2, with N parallel inputs and with serial output. These registers are arranged parallel to each of the bars B1 and B2. A grid G2 which is brought to a variable potential jp, allows the transfer of the charges from the bars to the
p registers of the reading device. In FIG. 1, it can be seen that the grid G2 is in the shape of a "U". Two variable potentials jT1 and jT2 in phase opposition, are applied to the stages of the registers and allow the transfer of the charges towards the exit. At the exit of the registers R1 and R2, the charges are read by two stages of reading
L1 and L2 which carry out a destructive reading of the charges on floating diode, followed by an amplification of the signals obtained.
Le dispositif selon l'invention comporte enfin une mémoire M. The device according to the invention finally comprises a memory M.
Cette mémoire est intercalée entre la barrette qui reçoit la première chaque ligne de l'image analysée, c'est-à-dire la barrette
B1 sur les figures, et le registre du dispositif de lecture R1 qui lui est associe.This memory is inserted between the bar which receives the first each line of the image analyzed, that is to say the bar
B1 in the figures, and the register of the reading device R1 which is associated with it.
Cette mémoire est constituée de N registre à décalage à transfert de charge, à entrée et à sortie série. Une grille G3 portée au même potentiel variable jp que la grille G2 permet le transfert des charges de la mémoire M vers le registre de lecture R1. This memory consists of N shift transfer, input and serial output shift registers. A gate G3 brought to the same variable potential jp as the gate G2 allows the transfer of the charges from the memory M to the read register R1.
Sur la figure 2a, on constate que la mémoire M a deux étages. In FIG. 2a, it can be seen that the memory M has two stages.
Elle est constituée de quatre électrodes de stockage G01 > Go2, G03
G04 qui sont séparées les unes des autres par des électrodes de transfert disposées sur une surépaisseur d'oxyde. Les électrodes de transfert sont reliées au même potentiel que l'électrode de stockage suivante, selon le sens de transfert des charges (c'est-à-åire de droite à gauche sur la figure 2a).Les électrodes G01 et G03 sont portées au potentiel variable ~B et les électrodes G02 et G04 sont portées au potentiel variable QIA, qui est en opposition de phase avec La Ladissymétrie dans les potentiels de surface qui est nécessaire pour rendre unilatéral le transfert peut être réalisée par surépaisseur d'oxyde comme on Rient de le voir, mais peut aussi être réalisée de façon tout à fait classique par implantation d'impuretés.It consists of four storage electrodes G01> Go2, G03
G04 which are separated from each other by transfer electrodes arranged on an oxide thickness. The transfer electrodes are connected to the same potential as the following storage electrode, according to the direction of charge transfer (i.e. from right to left in Figure 2a). The electrodes G01 and G03 are brought to the variable potential ~ B and the electrodes G02 and G04 are brought to the variable potential QIA, which is in phase opposition with Ladissymmetry in the surface potentials which is necessary to make unilateral the transfer can be carried out by excess thickness of oxide as one laughs to see it, but can also be carried out in a completely conventional manner by implantation of impurities.
On va maintenant décrire les figures 2b à 2e qui permettent d'expliquer le fonctionnement du dispositif selon l'invention. We will now describe Figures 2b to 2e which explain the operation of the device according to the invention.
Ces figures représentent l'évolution du potentiel de surface dans le substrat 1. Les zones hachurées indiquent la présence de porteurs minoritaires et la flèche indique le sens croissant des potentiels à l'interface silice-silicium par raoport au substrat. These figures represent the evolution of the surface potential in the substrate 1. The hatched zones indicate the presence of minority carriers and the arrow indicates the increasing direction of the potentials at the silica-silicon interface by reporting to the substrate.
Les potentiels variables ~A,#B,#T1,#T2 et #P sont des tensions en créneau qui varient périodiquement d'un nslreau haut à un niveau bas. The variable potentials ~ A, # B, # T1, # T2 and #P are niche voltages which vary periodically from a high to a low level.
Sur la figure 2b, on se trouve dans le cas où les potentiels #B et #P sont au niveau bas et les potentiels ItA et jT1 au niveau haut. In FIG. 2b, we find ourselves in the case where the potentials #B and #P are at the low level and the potentials ItA and jT1 at the high level.
p
On a supposé que l'image à analyser par le dispositif selon l'invention était constituée de lignes successives qu'on a appelées A, B, C, D
Dans le cas de la figure 2b, la ligne A de l'image est projetée sur la barrette B2 et la ligne C sur la barrette B1. La ligne B, elle, se trouve projetée sur l'espace compris entre les deux barrettes où est localisé le dispositif anti-éblouissement. Les charges créées par les photons des lignes A et C s'accumulent dans les photos-éléments des barrettes B2 et B1. Sous les électrodes de stockage G02 et G04 de la mémoire, se trouvent les quantités de charges correspondant aux lignes B et A qui ont été précédemment projetées sur la barrette B1.p
It has been assumed that the image to be analyzed by the device according to the invention consists of successive lines which have been called A, B, C, D
In the case of FIG. 2b, line A of the image is projected onto the bar B2 and line C on the bar B1. Line B is projected onto the space between the two bars where the anti-dazzle device is located. The charges created by the photons of lines A and C accumulate in the photo-elements of the bars B2 and B1. Under the storage electrodes G02 and G04 of the memory, there are the quantities of charges corresponding to lines B and A which were previously projected on the bar B1.
La figure 2c représente l'évolution du potentiel de surface dans le substrat lorsque les potentiels variables QiBX jp et XT1 sont au niveau haut et lorsque le potentiel jA est au niveau bas. Les charges correspondant à l'analyse de la ligne A de l'image par les barrettes B1 et B2 sont simultanément transférées dans les deux registres de lecture R1 et R2 ; cependant que les charges correspondant à l'analyse des lignes B et C de l'image par la barrette B1 sont transférées respectivement de G02 vers G03 et de la barrette
B1 vers Gol. FIG. 2c represents the evolution of the surface potential in the substrate when the variable potentials QiBX jp and XT1 are at the high level and when the potential jA is at the low level. The charges corresponding to the analysis of the line A of the image by the bars B1 and B2 are simultaneously transferred into the two reading registers R1 and R2; however, the charges corresponding to the analysis of lines B and C of the image by the bar B1 are transferred respectively from G02 to G03 and from the bar
B1 to Gol.
Comme la figure 2a, la figure 2d montre l'intégration dans le substrat des barrettes des charges correspondant à deux lignes, ici les lignes B et D, de l'image à analyser. Pendant que se fait cette intégration, les charges correspondant à la ligne A de l'image sont transférées dans les registres R1 et R2 et lues par les étages de lecture L1 et L2. As in FIG. 2a, FIG. 2d shows the integration in the substrate of the arrays of charges corresponding to two lines, here lines B and D, of the image to be analyzed. While this integration is taking place, the charges corresponding to the line A of the image are transferred to the registers R1 and R2 and read by the reading stages L1 and L2.
La figure 2e montre comme la figure 2c, le transfert simultané dans les registres R1 et R2 des charges correspondant à l'analyse de la même ligne de l'image, ici la ligne B, par les deux barrettes B1 et B2. FIG. 2e shows, like FIG. 2c, the simultaneous transfer in the registers R1 and R2 of the charges corresponding to the analysis of the same line of the image, here line B, by the two bars B1 and B2.
Il est bien entendu que dans le cas où la distance d qui sépare les deux barrettes, dans la direction selon laquelle se fait l'analyse des images, est égale à plusieurs fois la dimension des photoéléments selon cette direction, il faut utiliser une mémoire M comportant plus de deux étages. Dans tous les cas, le nombre d'étages doit être tel que la mémoire permette le transfert simultané, vers les deux registres du dispositif de lecture, des charges correspondant à la même ligne de l'image analysée successivement pour les deux barrettes. It is understood that in the case where the distance d which separates the two bars, in the direction in which the analysis of the images is done, is equal to several times the dimension of the photoelements in this direction, it is necessary to use a memory M with more than two floors. In all cases, the number of stages must be such that the memory allows the simultaneous transfer, to the two registers of the reading device, of the charges corresponding to the same line of the image analyzed successively for the two bars.
Sur les figures 2b à 2e, on voit comment fonctionne le dispositif anti-éblouissement. Il faut que la hauteur de la barrière créée sous la grille G1 par la tension VAB soit inférieure à celle créée sous la grille G2 par le potentiel ~p au niveau bas ; ainsi en cas de sur-éclairement de l'un des photo-éléments les charges en excès débordent des barrettes et sont collectées par le drain D, comme cela est représenté sur la figure 2d pour la barrette B1. In Figures 2b to 2e, we see how the anti-dazzle device works. The height of the barrier created under the gate G1 by the voltage VAB must be less than that created under the gate G2 by the potential ~ p at the low level; thus in the event of over-illumination of one of the photo-elements, the excess charges extend beyond the bars and are collected by the drain D, as shown in FIG. 2d for the bar B1.
On peut remarquer que sur la figure 1, on a représenté les deux barrettes B1 et B2 parallèles et décalées l'un par rapport à l'autre d'un demi photo-élément. Cette disposition permet d'augmenter la résolution, mais il est bien sûr possible d'utiliser des barrettes parallèles et qui se font face sans décalage latéral. It can be noted that in Figure 1, there are shown the two bars B1 and B2 parallel and offset from each other by a half photo-element. This arrangement increases the resolution, but it is of course possible to use parallel bars which face each other without lateral offset.
La figure 1 ne concerne qu'un exemple de répartition des différents photo-éléments sur les barrettes. Pour obtenir lorsqu'on synthétise l'image analysée par le dispositif photo-sensible selon l'invention une image présentant une bonne luminance, il faut que au moins la moitié des photo-éléments des deux barrettes soient sensibles au vert et que ces photo-éléments sensibles au vert soient répartis sur les barrettes de façon à ce que la totalité du rayonnement émis par chaque ligne de l'image analysée leur parvienne. On voit qu'on pourrait utiliser par exemple des barrettes dont un photoélément sur deux est sensible au vert à condition que les photoéléments des deux barrettes qui sont sensibles au vert ne soient pas en vis-à-vis. De nombreuses autres répartitions des différents photoéléments sur les barrettes sont envisageables. Enfin, pour éviter la "diaphotie", on peut utiliser, sur la barrette B1 dans le cas de la figure 1, des photo-éléments sensibles au rouge et au bleu, à côté de photo-éléments sensibles au rouge ou à côté de photo-éléments sensibles au bleu. FIG. 1 relates only to an example of the distribution of the different photo-elements on the bars. To obtain an image having good luminance when synthesizing the image analyzed by the photo-sensitive device according to the invention, it is necessary that at least half of the photo-elements of the two bars are sensitive to green and that these photo- elements sensitive to green are distributed over the bars so that all of the radiation emitted by each line of the image analyzed reaches them. It is seen that one could use for example bars of which one photoelement out of two is sensitive to green provided that the photoelements of the two bars which are sensitive to green are not opposite. Many other distributions of the various photoelements on the bars are possible. Finally, to avoid "crosstalk", one can use, on the bar B1 in the case of FIG. 1, photo-elements sensitive to red and blue, next to photo-elements sensitive to red or next to photo - elements sensitive to blue.
Il est bien entendu que le dispositif à transfert de charge selon l'invention peut être du type C.C.D. (Charge Coupled Device) ou du type B.B.D. (Bucket Brigade Device). It is understood that the charge transfer device according to the invention can be of the C.C.D. type. (Charge Coupled Device) or type B.B.D. (Bucket Brigade Device).
L'invention comme aussi les modes de réalisation où les barrettes ,ne comportent plus des photo-éléments sensibles au rouge, au vert et au bleu, mais des photo-éléments sensibles au signal de luminance et des photo-éléments sensibles aux signaux de chrominance. The invention also like the embodiments where the bars no longer include photo-elements sensitive to red, green and blue, but photo-elements sensitive to the luminance signal and photo-elements sensitive to the chrominance signals. .
Claims (11)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8024807A FR2494909A1 (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Photosensitive linear charge transfer colour image analyser - has photoelement strips, read device and memory integrated on one substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8024807A FR2494909A1 (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Photosensitive linear charge transfer colour image analyser - has photoelement strips, read device and memory integrated on one substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2494909A1 true FR2494909A1 (en) | 1982-05-28 |
| FR2494909B1 FR2494909B1 (en) | 1985-03-08 |
Family
ID=9248253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8024807A Granted FR2494909A1 (en) | 1980-11-21 | 1980-11-21 | Photosensitive linear charge transfer colour image analyser - has photoelement strips, read device and memory integrated on one substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2494909A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2540320A1 (en) * | 1983-01-28 | 1984-08-03 | Thomson Csf | Photosensitive chage transfer device of the linear type for analysis of colour images |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0008673A2 (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Colour picture scanning device and method |
-
1980
- 1980-11-21 FR FR8024807A patent/FR2494909A1/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0008673A2 (en) * | 1978-08-31 | 1980-03-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Colour picture scanning device and method |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/80 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2540320A1 (en) * | 1983-01-28 | 1984-08-03 | Thomson Csf | Photosensitive chage transfer device of the linear type for analysis of colour images |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2494909B1 (en) | 1985-03-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |