FR2490875A1 - Photodiode comportant plusieurs elements photosensibles tres rapproches qui presentent entre eux un excellent decouplage - Google Patents

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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3438441A1 (de) * 1983-10-19 1985-05-23 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa Strahlungsdetektorelement fuer einen rechnergestuetzten tomographie-abtaster
DE3633998A1 (de) * 1986-10-06 1988-04-14 Siemens Ag Strahlendetektor

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1429151A (fr) * 1964-04-07 1966-02-18 Raytheon Elsi S P A Dispositif semi-conducteur photo-sensible à trois électrodes susceptible de fonctionner comme composant soit passif, soit actif, et capable d'accomplir diverses opérations de commande, et procédé pour la fabrication d'un tel dispositif

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DE3633998A1 (de) * 1986-10-06 1988-04-14 Siemens Ag Strahlendetektor

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