FR2472271A2 - Semiconductor component mfr. on amorphous substrate - by depositing basic multilayer structure before photoetching etc. - Google Patents
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Abstract
Description
Le présent certificat d'addition a pour jet un procédé de réalisation d'une tête de restitution pour télécopieur utilisant des transistors couche minces (en abrégé T.C.M.), et une tête de restitution obtenu par ce procédé. The present certificate of addition refers to a process for producing a fax reproduction head using thin film transistors (abbreviated T.C.M.), and a restitution head obtained by this method.
Dans le brevet principal, il est décrit et revendiqué un procédé de réalisation de composants semiconducteur qui comprend deux phases :
A) une premère phase dans laquelle :
- on introduit un substrat dans une enceinte
à dépôts.In the main patent, there is described and claimed a method for producing semiconductor components which comprises two phases:
A) a first phase in which:
a substrate is introduced into a chamber
deposit.
- on effectue sur la totalité de ce substrat,
et sans remise en contact avec l'atmosphère
extérieure, un dépôt uniforme de quatre couches
primaires successives : une première couche
de materiau isolant de protection, une seconde
couche de matériau semiconducteur une trois
sième couche de matériau isolant, d'épaisseur
plus faible que la première couche, et enfin
nn quatrième couche d'un métal, b) et une seconde phase dans laquelle
r retire de l'enceinte à dépôt le substrat
recouvert de ces quatre couches
- on on soumet les trois dernières couches à des
opérations de photogravure et de dépôts an
hexes, opérations appropriées à la structure
du composant à obtenir.the whole of this substrate is carried out
and without contact with the atmosphere
exterior, a uniform deposit of four layers
successive primaries: a first layer
of protective insulating material, a second
semiconductor material layer a three
second layer of insulating material, thick
weaker than the first layer, and finally
nn fourth layer of a metal, b) and a second phase in which
r withdraws from the deposit chamber the substrate
covered with these four layers
- the last three layers are submitted to
photogravure operations and deposits
hexes, operations appropriate to the structure
of the component to obtain.
Comme indiqué dans le brevet principal, un tel procédé de fabrication étend le champ d'appli- cati des T.C.M. : d'une part la possibilité de réaliser des circuits de grandes dimensions (plusieurs décimL-res carrés) permet de concevoir des circuits de commande d'écrans plats déposés directement sur le support de l'écran, ce qui résout les problèmes de connectique ; d'autre part, la haute résolution de la photogravure autorise la réalisation de circuits complexes (registres à décalage, mémoires, circuits de multiplexage, etc...) et rend possible la réalisation de circuits de commande de matrices de visualisation ou de têtes de télécopieur (lecture/restitution > . As stated in the parent patent, such a manufacturing process extends the field of application of T.C.M. On the one hand, the possibility of producing large-sized circuits (several square decim-res) makes it possible to design control circuits of flat screens deposited directly on the screen support, which solves the problems of connection; on the other hand, the high resolution of photogravure authorizes the realization of complex circuits (shift registers, memories, multiplexing circuits, etc.) and makes it possible to produce control circuits for display matrices or signal heads. fax (read / return>.
Le présent certificat d'addition a précisément pour objet un procédé de réalisation d'une tête de restitution pour télécopieur. The purpose of this certificate of addition is precisely to provide a method for producing a fax reproduction head.
On rappelle que les papiers électrosensibles utilisables en télécopie peuvent être classés en deux familles, la première groupant les électrothermosensibles et les métallisés, la seconde groupant les électrolytiques et les électrocatalytiques. It is recalled that the electrosensitive papers usable in facsimile can be classified into two families, the first grouping electrothermosensibles and metallized, the second grouping electrolytic and electrocatalytic.
Il n'existe à l'heure actuelle, pour la première famille, que des télécopieurs lents (à stylet) ou des imprimantes alphanumériques ; pour la seconde famille il n'existe aucun appareil commercialisé. For the first family, there are currently only slow (stylus) fax machines or alphanumeric printers; for the second family there is no commercialized device.
Pour obtenir un télécopieur rapide, du même type que ceux qui utilisent (ou utiliseront) les papiers thermiques, il faut réaliser une tête de restitution à électrodes multiples disposées en peigne afin que soient supprimés les déplacements mécaniques de la tête. Il se pose alors un problème de connectique en raison du très grand nombre de fils de connexion à sortir de la tête et de la haute définition des électrodes. D'où la nécessité de multiplexer celles-ci. Selon un art connu, ce multiplexage est obtenu en associant une diode à-chaque électrode. To obtain a fast fax, the same type as those who use (or use) the thermal papers, it is necessary to realize a multi-electrode restitution head arranged in comb so that the mechanical displacements of the head are removed. There is then a problem of connection because of the very large number of connection wires out of the head and the high definition of the electrodes. Hence the need to multiplex these. According to a known art, this multiplexing is obtained by associating a diode with each electrode.
Or, si au lieu de papier thermosensible, on utilise un papier électrosensible possédant une base conductrice, les circuits de multiplexage à diodes deviennent inappropriés. Ce n'est plus une diode qu'il faut associer à chaque électrode, mais un transistor, ce qui accroit considérablement les problèmes de connectique. However, if instead of thermosensitive paper, an electrosensitive paper having a conductive base is used, the diode multiplexing circuits become unsuitable. It is no longer a diode that must be associated with each electrode, but a transistor, which greatly increases the problems of connectivity.
Le but de la présente invention est précisément d'offrir un procédé de réalisation d'un circuit de multiplexage à transistors qui résout ce problème. The object of the present invention is precisely to provide a method for producing a transistor multiplexing circuit that solves this problem.
De façon précise, le présent certificat d'addition a pour objet un procédé de réalisation d'un composant semiconducteur selon la revendication 1 du brevet principal, ce composant étant une tête de restitution de télécopieur comprenant une rangée d'électrodes reliées à un circuit de commande multiplexé ; ce procédé est caractérisé-en-ce que - on dépose sur un substrat isolant une rangée d'élec
trodes (E1, E2...) et deux familles de bandes
métalliques de multiplexage (XI, X2... et Y1,
Y2...) parallèles entre elles et à ladite rangée, - on dépose sur ce substrat et par les opérations
de la première phase de la revendication 1 du
brevet principal, quatre couches primaires respec
tivement isolante, semiconductrice, isolante,
métallique, - on effectue ensuite les opérations de la seconde
phase, les opérations de photogravure étant réali
sées de manière à laisser subsister des pavés
constitués desdites quatre couches, ces pavés
étant disposés d'une part en regard de chaque
électrode à l'emplacement souhaité pour des transis
tors de commande (pavés P1, P2... > et d'autre
part, à des emplacements de croisement situés
sur les deux familles de bandes métalliques au
droit des électrodes (pavés Qlr Q2... sur la pre
mière famille et R1, R2... sur la seconde), - on réalise sur les pavés P1, P2... les opérations
conformes à l'une quelconque des revendications
2 à 5 du brevet principal pour obtenir à chaque
emplacement un T.C.M., soient T1, T2... Specifically, the present certificate of addition relates to a method for producing a semiconductor component according to claim 1 of the main patent, this component being a facsimile rendering head comprising a row of electrodes connected to a circuit. multiplexed control; this method is characterized in that - is deposited on an insulating substrate a row of elec
trodes (E1, E2 ...) and two families of bands
multiplexing elements (XI, X2 ... and Y1,
Y2 ...) parallel to each other and to said row, - it is deposited on this substrate and by the operations
of the first phase of claim 1 of the
main patent, four primary layers respec
insulating, semiconducting, insulating,
metal, - the operations of the second
phase, the photogravure operations being carried out
so as to leave cobblestones
consisting of said four layers, these pavers
being arranged on the one hand opposite each
electrode at the desired location for transis
control knobs (pavers P1, P2 ...> and other
on the other hand, at crossing points
on both families of metal strips at
right of the electrodes (pavers Qlr Q2 ... on the front
first family and R1, R2 ... on the second), - we realize on the paving stones P1, P2 ... the operations
according to any of the claims
2 to 5 of the main patent to obtain at each
location a TCM, be T1, T2 ...
- lors des opérations de dépôt de la couche de métal
de contact des T.C.. et de photogravure de cette
couche, on réalise des bandes métalliques de con
flexion reliant, pour chaque T.C.H., la grille
à l'une des bandes de multiplexage de l'une des
familles , la source à l'une des bandes de l'autre
famille et le drain à l'électrode disposée en
regard de ce T.C.N.- during deposition operations of the metal layer
TC contact. and photoengraving this
layer, metal strips of con
bending connecting, for each TCH, the grid
to one of the multiplexing bands of one of the
families, the source to one of the bands of the other
family and the drain to the electrode arranged in
look at this TCN
De toute façon, les caractéristiques et avantages de la présente invention apparattrônt lieux après la description qui suit, d'exemples de réalisation donnés à titre explicatif et nullement limitatif. Cette description se réfère à des dessins annexés sur lesquels :
- la figure 1 représente schématiquement un circuit de commande multiplexée à T.C.M. pour tête de restitution, selon un premier mode de réalisation,
- la figure 2 représente schématiquement un circuit de commande multiplexée à T.C.N. pour tête de restitution, selon un second mode de réalisation,
- les figures 3a, 3b et 3c représentent schématiquement et en vue de dessus, trois étapes de fabrication du circuit de commande selon l'invention,
- la figure 4 représente un T.C.M. en vue de dessus (a) et en coupes transversales (b)
et (c),
- la figure 5 représente en coupe un pavé de croisement.In any case, the features and advantages of the present invention appear place after the description which follows, of exemplary embodiments given for explanatory purposes and in no way limiting. This description refers to the attached drawings in which:
FIG. 1 schematically represents a TCM multiplexed control circuit for a reproduction head, according to a first embodiment,
FIG. 2 diagrammatically represents a TCN multiplexed control circuit for a reproduction head, according to a second embodiment,
FIGS. 3a, 3b and 3c show schematically and in plan view three manufacturing steps of the control circuit according to the invention,
FIG. 4 represents a TCM in plan view (a) and in cross sections (b)
and (c),
- Figure 5 shows in section a crossing block.
La tête de restitution représentée sur les figures 1 et 2, dans deux modes de réalisation légèrement différents, comprend des électrodes d'écriture E1, E2... reliées à des transistors T1, ... The reproduction head shown in FIGS. 1 and 2, in two slightly different embodiments, comprises writing electrodes E1, E2... Connected to transistors T1,.
de type T.C.M. Ces transistors comprennent chacun une grille G, une source S et un drain D. Le circuit de commande de ces transistors comprend deux familles de bandes métalliques : la première formée de bandes
X1, X2... et la seconde de bandes Y1, Y2... Dans la variante de la figure 1, les bandes X1, , X2... These transistors each comprise a gate G, a source S and a drain D. The control circuit of these transistors comprises two families of metal bands: the first formed of bands
X1, X2 ... and the second band Y1, Y2 ... In the variant of Figure 1, the bands X1, X2 ...
sont reliées aux grilles des T.C.M. et les bandes
Y1, Y2... aux sources desdits T.C.M. Dans la variante de la figure 2, les bandes X1, X2... sont reliées aux sources des T.C.M. et les bandes Y1, Y2... aux grilles desdits T.C.M.are connected to the TCM grids and the bands
Y1, Y2 ... at the sources of said TCMs In the variant of FIG. 2, the bands X1, X2 ... are connected to the sources of the TCMs and the bands Y1, Y2 ... to the grids of said TCMs.
Le principe de fonctionnement de ces deux variantes de tête de restitution est résumé par les deux tableaux I et Il ci-après, dans lesquels un "1" indique l'application d'une tension de commande à une bande et un "0" 1'absence d'une telle tension. The operating principle of these two variants of the reproduction head is summarized by the two tables I and II below, in which a "1" indicates the application of a control voltage to a band and a "0" 1 absence of such tension.
Dans ces tableaux, quelques électrodes seulement sont repérées dans la première colonne, les autres étant commandées selon le même principe.In these tables, only a few electrodes are identified in the first column, the others being ordered according to the same principle.
Les figures 3a à 3c illustrent différentes étapes du procédé de fabrication d'une tête de restitution conforme à la variante de la figure i. FIGS. 3a to 3c illustrate different steps of the method of manufacturing a reproduction head according to the variant of FIG.
Sur un substrat isolant 10 (par exemple en verre) sont déposées des électrodes E1, E2... On an insulating substrate 10 (for example in glass) electrodes E1, E2 are deposited.
et des bandes métalliques de multiplexage X1, X2...and multiplexing metal strips X1, X2 ...
et Y1, Y2, Y3... Ce dépôt peut se faire par évaporation sous vide au canon à électrons. Le matériau à évaporer est par exemple l'or déposé sur une couche d'accrochage de chrome. La forme des électrodes et bandes est obtenue par photogravure. Le substrat présente alors l'aspect de la figure 3a où les dimensions et proportions ne sont naturellement pas respectées pour la clarté du dessin. Les plots de contact et les circuits d'alimentation ne sont pas représentés.and Y1, Y2, Y3 ... This deposit can be done by evaporation under vacuum electron gun. The material to be evaporated is, for example, gold deposited on a chromium tie layer. The shape of the electrodes and strips is obtained by photoengraving. The substrate then has the appearance of Figure 3a where the dimensions and proportions are naturally not respected for the clarity of the drawing. The contact pads and the power circuits are not shown.
On réalise ensuite sur l'ensemble du substrat de la figure 3a, quatre dépôts consécutifs (isolant/semiconducteur/isolant/métal) et cela con formément à la technique décrite dans le brevet principal. Then, on the whole of the substrate of FIG. 3a, four consecutive deposits (insulator / semiconductor / insulator / metal) are produced, in accordance with the technique described in the main patent.
Une première photogravure de l'ensemble de ces couches est réalisée de façon à laisser des pavés P1, P2, P3... à l'emplacement des futurs T.C.M. A first photogravure of all these layers is made to leave pavers P1, P2, P3 ... at the location of future T.C.M.
et des pavés Q11 Q2' Q3 sur les bandes X1, X2... and blocks Q11 Q2 'Q3 on the bands X1, X2 ...
au droit des électrodes et enfin des pavés R11 R2,
R3... sur les bandes Y1, Y2... à l'emplacement des futurs croisements sur les bandes de multiplexage (figure 3b).to the right of the electrodes and finally the R11 R2 pavers,
R3 ... on the Y1, Y2 ... bands at the location of future crossings on the multiplexing bands (Figure 3b).
Des transistors T1, T2, T3... sont ensuite réalisés à l'emplacement des pavés P1, P2, P3... Transistors T1, T2, T3 ... are then made at the location of the blocks P1, P2, P3.
et cela conformément aux opérations décrites en détail dans le brevet principal.and this according to the operations described in detail in the main patent.
Sur la figure 4, un transistor T est représenté en vue de dessus (a) et en coupe selon bb' et selon cc' (respectivement b et c). Les références utilisées sur cette figure sont celles du brevet principal : substrat 1, première couche isolante 2, couche semiconductrice 3, seconde couche isolante 4, contact de grille 23, contact de source 24 et contact de drain 25. In FIG. 4, a transistor T is shown in plan view (a) and in section along bb 'and according to cc' (respectively b and c). The references used in this figure are those of the main patent: substrate 1, first insulating layer 2, semiconductor layer 3, second insulating layer 4, gate contact 23, source contact 24 and drain contact 25.
Les pavés de croisement Q1, Q2 et R1,
R2... sont destinés à éviter les contacts électriques entre les connexions verticales et les bandes horizontales de multiplexage. Naturellement, ces pavés n'existent pas à l'emplacement où une bande de multiplexage doit être réunie à une connexion verticale.The crossing blocks Q1, Q2 and R1,
R2 ... are intended to avoid electrical contacts between the vertical connections and the horizontal multiplexing bands. Naturally, these blocks do not exist at the location where a multiplexing strip must be joined to a vertical connection.
Un pavé de croisement comprend, conformément à la figure 5, sur une des bandes conductrices X ou Y déposée sur le substrat, trois des quatre couches déposées lors de la première phase, à savoir une couche isolante 2, une couche semiconductrice 3 et une couche isolante 4. La couche métallique supérieure 5 des pavés est supprimée au moment de la photogravure de la grille des T.C.M. Cela n'implique donc pas d'opération supplémentaire. Naturellement, les propriétés semiconductrices de la couche 3 ne jouent aucun rôle dans cette structure d'isolement.According to FIG. 5, a crossover block comprises, on one of the X or Y conductive strips deposited on the substrate, three of the four layers deposited during the first phase, namely an insulating layer 2, a semiconductor layer 3 and a layer 4. The upper metal layer 5 of the blocks is removed at the time of the photogravure of the TCM grid This does not imply any additional operation. Naturally, the semiconducting properties of layer 3 play no role in this isolation structure.
Les pavés de croisement ont avantageusement des dimensions qui excèdent légèrement les dimensions des bandes conductrices qu'ils sont chargés d'isoler. The crossing blocks advantageously have dimensions that slightly exceed the dimensions of the conductive strips they are responsible for isolating.
Les connexions entre les transistors, les électrodes de restitution et les bandes de commande appropriées sont obtenues par des dépôts de couches métalliques effectués lors du dépôt de la couche métallique destinée à la réalisation des contacts des T.C.M. (référence 21 sur la figure lg du brevet principal). Le résultat final est illustré par la figure 3c. The connections between the transistors, the restitution electrodes and the appropriate control strips are obtained by deposits of metal layers made during the deposition of the metal layer intended for making the contacts of the T.C.M. (reference 21 in Figure lg of the main patent). The final result is illustrated in Figure 3c.
Ainsi, mis à part le dépôt préalable des bandes de multiplexage, le procédé de fabrication du circuit de commande conforme à l'invention ne fait qu'utiliser des opérations nécessaires à l'obtention des T.C.M. et n'implique donc aucune opération supplémentaire. Thus, apart from the prior deposition of the multiplexing bands, the manufacturing method of the control circuit according to the invention merely uses operations necessary to obtain T.C.M. and therefore does not imply any additional operation.
TABLEAU I
<tb> <SEP> Commande
<tb> <SEP> Electrodes <SEP> X1 <SEP> X2 <SEP> Y1 <SEP> Y2 <SEP> Y3 <SEP> Y4
<tb> E1 <SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1
<tb> <SEP> 1 <SEP> O <SEP> I <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP>
<tb> <SEP> B5 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> O <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 1
<tb> <SEP> E6 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 1 <SEP> 0 <SEP> 1 <SEP> 1
<tb>
TABLEAU II
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<Tb>
TABLE II
<tb> <SEP> Commande
<tb> Electrodes <SEP> X1 <SEP> X2 <SEP> Y1 <SEP> Y2 <SEP> Y3 <SEP> y4 <SEP>
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| FR2472271A2 true FR2472271A2 (en) | 1981-06-26 |
| FR2472271B2 FR2472271B2 (en) | 1983-11-18 |
Family
ID=9232880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR7930954A Granted FR2472271A2 (en) | 1979-06-22 | 1979-12-18 | Semiconductor component mfr. on amorphous substrate - by depositing basic multilayer structure before photoetching etc. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| FR (1) | FR2472271A2 (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1440576A (en) * | 1964-07-23 | 1966-05-27 | Rca Corp | Semiconductor device |
| FR2106484A1 (en) * | 1970-09-14 | 1972-05-05 | Rca Corp | |
| US4017712A (en) * | 1975-12-08 | 1977-04-12 | Northern Electric Co | Thermal printing device |
-
1979
- 1979-12-18 FR FR7930954A patent/FR2472271A2/en active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1440576A (en) * | 1964-07-23 | 1966-05-27 | Rca Corp | Semiconductor device |
| FR2106484A1 (en) * | 1970-09-14 | 1972-05-05 | Rca Corp | |
| US4017712A (en) * | 1975-12-08 | 1977-04-12 | Northern Electric Co | Thermal printing device |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| EXBK/72 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2472271B2 (en) | 1983-11-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TP | Transmission of property |